Морфологические особенности зарождения пор в процессе формирования макропористого кремния
Диссертация
Следующим шагом на пути изучения свойств пористого кремния, было получение в 1990 году макропористого кремния с упорядоченной структурой пор на образцах n-типа проводимости. Lehmann и Foil получили регулярную структуру макропор с характерным размером пор в микрометровом диапазоне в водных растворах фтористоводородной кислоты. В это же самое время появилась сенсационная статья о наблюдении видимой… Читать ещё >
Содержание
- Глава 1. Способы получения, механизмы формирования и области применения макропористого кремния
- 1. 1. Способы получения пористого кремния и классификация пор
- 1. 2. Механизмы электрохимического травления кремния
- 1. 3. Формирование макропористых пленок на кремнии п- и р-типа проводимости
- 1. 4. Выбор электролита при глубоком анодном травлении кремния р-типа проводимости
- 1. 5. Структура, состав и свойства пористого кремния
- 1. 6. Области применения пористого кремния
- 1. 7. Способы получения и проблемы формирования упорядоченных структур на основе макропористого кремния
- 1. 8. Выводы и постановка задачи
- Глава 2. Оборудование, методика приготовления и исследования образцов
- 2. 1. Отмывка пластин и сушка
- 2. 2. Микроструктурирование кремния при помощи анизотропного щелочного травления
- 2. 3. Создание центров нуклеации на поверхности кремния при помощи сфокусированного ионного пучка
- 2. 4. Создание контакта на обратной стороне пластины кремния
- 2. 5. Оборудование для анодного травления кремния
- 2. 6. Оборудование для исследования образцов
- 2. 7. Методика приготовления плоских и косых шлифов пористых структур
- 2. 8. Особенности сушки мезопористых пленок кремния
- 2. 9. Методика изучения первой стадии анодного травления кремния
- Глава 3. Исследование особенностей формирования нуклеационных центров в процессе анодного травления кремния
- 3. 1. Анодизация в растворах с формированием кратера травления на начальной стадии глубокого анодного травления
- 3. 2. Анодное травление кремния в различных растворах на основе плавиковой кислоты
- 3. 3. Применение микро- Рамановской спектроскопии для изучения механических напряжений, возникающих на границе пористый слой-кремний
- Выводы по главе 3
- Глава 4. Структура и перераспределение макропор при анодном травлении изотропной и одноосно напряженной поверхности кремния
- Введение
- 4. 1. Топологическая структура макропор при анодном травлении изотропной поверхности кремния
- 4. 2. Переход к квазиодномерному (щелевому) порядку распределения макропор при анодном травлении поверхности кремния, находящейся под воздействием механических напряжений
- Выводы по главе 4
- Глава 5. Использование сфокусированного ионного пучка для управления процессом зарождения макропор на первой стадии глубокого анодного травления кремния
- 5. 1. Стимулированное ионной обработкой глубокое анодное травление кремния
- Выводы по главе 5
Список литературы
- A. Uhlir, «Electronic shaping of germanium and silicon», Bell Syst. Techn., V. 35, p. 333−347 (1956).
- D. Turner, «Electropolishing silicon in hydrofluoric acid solutions», J. Electrochem. Soc., V. 5, p. 402−405 (1958).
- R. Memming, G. Sckwandt, «Anodic dissolution of silicon in hydrofluoric acid solutions», Surface Science, V. 4, p. 109−124 (1966).
- K. Imai, H. Unno, «FIPOS Technology and its Application to LST’s», IEEE Trans. Electron Dev., V. ED-31, N. 3, p. 297−302 (1984).
- M. I. J. Beale, J. D. Benjamin, M. J. Uren, N. G. Chew, and A. G. Cullis, «The formation of porous silicon by chemical stain etches», J. Crystal Growth, V. 75, p. 408−414(1986).
- К. П. Николаев, Л. H Немировский, «Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике», Обзоры по электронной технике, серия 2, вып. 9 (1989).
- V. Lehmann, Н. Foil «Formation mechanism and properties of electrochemically etched tranches in n-type silicon» J. Electrochem. Soc., V. 137, p. 653−659 (1990).
- L. T. Canham, «Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers», Appl. Phys. Lett., V. 57, No. 10, p. 1046−1048 (1990).
- E. Yablonovitch, «Inhibited spontaneous emission in solid-state physics and electronics», Phys. Rev. Lett., V. 58, p. 2059−2062 (1987).
- E. K. Propst and P. A. Kohl, «The electrochemical oxidation of silicon and formation of porous silicon in acetonitrile», J. Electrochem. Soc., V. 141, p. 1006−1013 (1994).
- V. Lehmann and S. Ronnebeck, «The physics of macropore formation in low-doped p-type silicon», J. Electrochem. Soc., V. 146, p. 2968−2975 (1999).
- G. Barillaro, A. Diligenti, M. Piotto, M. Allegrini, F. Fuso, L. Pardi, «Non-constant anodization current effects on spectra of porous silicon LEDs», Materials Science and Engineering В, V. 101, p. 266−269 (2003).
- L. A. Balagurov, S. C. Bayliss, D. G. Yarkin, S. Ya. Andrushin, V. S. Kasatochkin, A. F. Orlov, E. A. Petrova, «Low noise photosensitive device structures based on porous silicon», Solid-State Electronics, V. 47, p. 65−69 (2003).
- V. Torres-Costa, R. Gago, R. J. Martin-Palma, M. Vinnichenko, R. Grotzschel, J. M. Martinez-Duart, «Development of interference filters based on multilayer porous silicon structures», Materials Science and Engineering С, V. 23, p. 1043−1046 (2003).
- A. M. Rossi, S. Borini, L. Boarino, and G. Amato, «Lateral structuring of porous silicon: application to waveguides», Phys. Stat. Sol. (a), V. 197, p. 284 287 (2003).
- L. Boarino, C. Baratto, F. Geobaldo, G. Amato, E. Comini, A. M. Rossi, G. Faglia, G. Lerondel, G. Sberveglieri, «NO2 monitoring at room temperature by a porous silicon gas sensor», Materials Science and Engineering B, V. 69−70, p. 210−214 (2000).
- D. G. Yarkin, «Impedance of humidity sensitive metal/porous silicon/n-Si structures», Sensors and Actuators A, V. 107, p. 1−6 (2003).
- H. Luth, M. Thust, A. Steffen, P. Kordos, M. J. Schoning, «Biochemical sensors with structured and porous silicon capacitors», Materials Science and Engineering В, V. 69−70, p. 104−108 (2000).
- H. Presting, J. Konle, V. Starkov, A. Vyatkin, U. Konig, «Porous silicon for micro-sized fuel cell reformer units», Materials Science and Engineering В, V. 108 p. 162−165 (2004).
- W. Lang, «Silicon microstructuring technology», Materials Science and Engineering R, V. 17 p. 1−55 (1996).
- X. G. Zhang, S. D. Collins, R. L. Smith, «Porous silicon formation and electropolishing of silicon by anodic polarization in HF solution», J. Electrochem. Soc., V. 136, No. 5, p. 1561−1565 (1989).
- G. Di. Francia and A. Citarella, «Kinetic of the growth of chemically etched porous silicon», J. Appl. Phys, V. 77 (7), p.3549−3552 (1995).
- R. W. Fathauer, T. George, A. Ksendzov, and R. P. Vasques, «Visible luminescence from silicon wafers subjected to stain etches», Appl. Phys. Lett., V. 60, No. 3, p.995−998 (1992).
- S. Shih, К. H. Jung, T. Y. Hsieh, J. Sarathy, J. C. Campbell, and D. 1. Kwong, «Photoluminescence and formation of chemically etched silicon», Appl. Phys. Lett., V. 60 (15), p.1863−1865 (1992).
- J. N. Kidder, P. S. Williams, and T. P. Pearsall, «Comparison of light emission from stain-etch and anodic-etch silicon films, Appl. Phys. Lett., V.61 (24), p.2896−2898 (1992).
- M. I. J. Beale, N. G. Chew, M. J. Uren, A. G. Cullis, and J. D.Benjamin., „Microstructure and formation mechanism of porous silicon“, Appl Phys. Lett., V.46, No. l, p.86−88 (1985).
- Д. H. Горячев, JI. В. Беляков, О. М. Сресели, „Электролитический способ приготовления кремния с использованием внутреннего источника тока“, Физика и техника полупроводников, Том. 37, № 4, стр. 494−498, (2003).
- С. М. A. Ashruf, P. J. French, Р. М. М. С. Bressers, J. J. Kelly, „Galvanic porous silicon formation without external contacts“, Sensors and Actuators, V. 74, p. 118−122 (1999).
- A. Splinter, J. Sturmann, W. Benecke, „New porous silicon technology using internal current generation with galvanic elements“, Sensors and Actuators A, V. 92, p. 394−399(2001).
- M. M. Rieger, P. A. Kohl, „Mechanism of (111) silicon etching in HF-acetonitrile“, J. Electrochem. Soc., V. 142, p. 1490−1495 (1995).
- H. Ohji, P.J. French, K. Tsutsumi, „Fabrication of mechanical structures in p-type silicon using electrochemical etching“, Sensors and Actuators, V. 82, p. 254−258 (2000).
- M. M. Rieger, J. C. Flake, and P. A. Kohl, „Alternatives to hydrogen fluoride for photoelectrochemical etching of silicon“, J. Electrochem. Soc., V. 146, p. 4485−4489(1999).
- J. C. Flake, M. M. Rieger, G. M. Schmid and P. A. Kohl, „Electrochemical etching of silicon in nonaqueous electrolytes containing hydrogen fluoride or fluoroborate“, J. Electrochem. Soc., V. 146, p. 1960−19 651 999).
- A. M. Rossi, G. Amato, L. Boarino, C. Novero, „Realisation of membranes for atomic beam collimator by macropore micromachining technique (MMT)“, Materials Science and Engineering В, V. 69−70, p. 66−69, (2000).
- В. А. Мямлин, Ю. В. Плесков, „Электрохимия полупроводников“, Москва, Наука, 1965, 338 стр.
- Н. Foil, М. Christophersen, J. Carstensen, G. Hasse, „Formation and application of porous silicon“, Materials Science and Engineering R, V. 39, p. 93 141 (2002).
- V. Lehmann, „Electrochemistry of silicon. Instrumentation, science, materials and application“, Weinheim, Wiley-VCH, 2002, p.277.
- J. Carstensen, M. Christophersen, H. Foil, „Pore formation mechanisms for the Si-HF system“, Materials Science and Engineering В, V. 69−70, p. 23−282 000).
- J.-N. Chazalviel, R.B. Wehrspohn, F. Ozanam, „Electrochemical preparation of porous semiconductors: from phenomenology to understanding“, Materials Science and Engineering В, V. 69−70, p. 1−10 (2000).
- A. Valance, „Theoretical model for early stages of porous silicon formationfrom n- and p-type silicon substrates“, Phys. Rev. В, V. 55, p. 9706−9715 (1997).
- Y. Kang and J. Jorne, „Dissolution mechanism for p-Si during porous silicon formation“, J. Electrochem. Soc., V. 144, p. 3104−3110 (1997).
- V. I. Emel’yanov, К. I. Eremin, V. V. Starkov, „Defect-deformation mechanism of spontaneous nucleation of an ensemble of pores in solids and its experimental verification“, Quantum Electronics, V. 32, p. 473−475 (2002).
- В. И. Емельянов, „Самоорганизация упорядоченных дефектно-деформационных микро- и наноструктур на поверхности твердых тел под действием лазерного излучения“, Квант, электроника, том. 28 (7), стр. 2−18 (1999).
- D. Walgraef, N. М. Ghoniem and J. Lauzeral, „Deformation patterns in thin films under uniform laser irradiation“, Phys. Rev. В, V. 56, No. 23, p. 15 361−15377(1997).
- V. I. Emel’yanov, „Generation-Diffusion-Deformational Instabilities and Formation of Ordered Defect Structures on Surfaces of Solids under the Action of Strong Laser Beams“, Laser Physics, V. 2, No. 4, p. 389−466 (1992).
- M. E. Kompan, E. G. Kuzminov, V. Kulik, „Observation of a compressed state of the quantum wire material in porous silicon by the method of Raman scattering“, JETP Letters, V. 64, p. 748−753 (1996).
- V. V. Starkov, E. A. Starostina, A. F. Vyatkin, and V. T. Volkov, „Dielectric porous layer formation in Si and Si/Ge by local stain etching“, Phys. Stat. Sol. (a), V. 182, p. 93−96 (2000).
- V. Lehmann, „The physics of macropore formation in low doped n-type silicon“, J. Electrochem. Soc., V. 140, No.10, p. 2836−2843 (1993).
- X. G. Zhang, „Mechanism of pore formation on n-silicon“, J. Electrochem. Soc., V. 138, p. 3750−3757 (1991).
- V. Lehmann, U. Gosele, „Porous silicon formation: A quantum wire effect“, Appl. Phys. Lett., V. 58, p. 856−858 (1991).
- R. L. Smith, S. D. Collins. „Generalized model for the diffusion-limited aggregation and Eden models of cluster growth“, Phys. Rev. A, V. 39, p. 54 095 413 (1989).
- T. A. Witten, L. M. Sander, „Diffusion-limited aggregation“ Phys. Rev. В, V. 27, p. 5686−5697(1983).
- V. P. Parkhutik, V. I. Shershulsky, „Theoretical modeling of porous oxide growth on aluminium“, J. Phys. D, V. 25, p. 1258−1263 (1992).
- J. Carstensen, R. Prange and H. Foil, „A model for current-voltage oscillations at the silicon electrode and comparison with experimental results“, J. Electrochem. Soc., V. 146, p. 1134−1140 (1999).
- P. Kleimann, J. Linnros, and S. Petersson, „Formation of wide and deep pores in silicon by electrochemical etching“, Mater. Sci. Eng., В, V. 69−70, p. 2933 (2000).
- H. Masuda, H. Yamada, M. Satoh, H. Asoh, M. Nakao, and T. Tamamura, „Highly ordered nanochannel-array architecture in anodic alumina“, Appl. Phys. Lett., V. 71, p. 2770−2772 (1997).
- V. Lehmann, R. Stengl, A. Luigart, „On the morphology and the electrochemical formation mechanism of mesoporous silicon“, Materials Science and Engineering В, V. 69−70, p. 11−22 (2000).
- E. A. Ponomarev, C. Levy-Clement, „Macropore formation on p-type Si in fluoride containing organic electrolytes“, Electrochem. Solid-State Lett., V. 1, p. 42−45(1998).
- R. B. Wehrspohn, J.-N. Chazalviel, F. Ozanam, „Macropore Formation in Highly Resistive p-Type Crystalline Silicon“, J. Electrochem. Soc., V. 145, p. 2958−2961 (1998).
- M. Christophersen, J. Carstensen, S. Ronnebeck, C. Jager, W. Jager, and H. Foil, „Crystal orientation dependence and anisotropic properties of macropore formation of p- and n-type silicon“, J. Electrochem. Soc., V. 148, p. E267-E275 (2001).
- M. Christophersen, J. Carstensen, A. Feuerhake, H. Foil, „Crystal orientation and electrolyte dependence for macropore nucleation and stable growth on p-type Si“, Materials science and engineering В, V. 69−70, p. 194−198 (2000).
- M. Christophersen, J. Carstensen, H. Foil, „Crystal orientation dependence of macropore formation in p-type silicon using organic electrolytes“, Phys. Stat. Sol. (a), V. 182, p. 103−107 (2000).
- M. Christophersen, J. Carstensen, H. Foil, „Crystal orientation dependence of macropore formation in n-type silicon using organic electrolytes“, Phys. Stat. Sol. (a), V. 182, p. 601−606 (2000).
- S. Ronnebeck, J. Carstensen, S. Ottow, and H. Foil, „Crystal orientation dependence of macropore growth in n-type silicon“, Electrochemical and Solid-State Letters, V. 2, No. 3, p. 126−128 (1999).
- S. Ronnebeck, S. Ottow, J. Carstensen, and H. Foil, „Crystal orientation dependence of macropore formation in n-Si with backside-illumination in HF-electrolyte“, Journal of Porous Materials, V. 7, p. 353−356 (2000).
- D. Hamm, J. Sasano, T. Sakka, and Y. H. Ogata, „Silicon anodization in HF ethanoic solutions, competition between pore formation and homogeneous dissolution“, J. Electrochem. Soc., V. 149, No. 6, p. C331-C337 (2002).
- E. A. Ponomarev and C. Levy-Clement, „Macropore formation on p-type silicon“ J. Porous Mater., V. 7, p. 51−56 (2000).
- M. Christophersen, J. Carstensen, K. Voigt, and H. Foil, „Organic and aqueous electrolytes used for etching macro-and mesoporous silicon“, Phys. Stat. Sol. (a), V. 197, No. 1, p. 34−38 (2003).
- S. Lust and C. Levy-Clement, „Chemical limitations of macropore formation on medium-doped p-type silicon“, J. Electrochem. Soc., V. 149, p.1. С338-С344 (2002).
- Т* 71. S. Lust and С. Levy-Clement, „Macropore formation on medium-dopedp-type silicon“, Phys. Stat. Sol. (a), V. 182, p. 17−21 (2000).
- K. J. Chao, S. С. Kao, С. M. Yang, M. S. Hseu, and T. G. Tsai, „Formation of high aspect ratio macropore array on p-type silicon“, Electrochemical and Solid-State Letters, V. 3, p. 489−492 (2000).
- J. E. A. M. van den Meerakker, R. J. G. Elfrink, W. M. Weeda, and F. Roozeboom, „Anodic silicon etching- the formation of uniform arrays of macropores or nanowires“, Phys. Stat. Sol. (a), V. 197, No. 1, p. 57−60 (2003).
- M. Niwano, T. Miura, Y. Kimura, R. Tajima, N. Miyamoto, „Real-time, in situ infrared study of etching of Si (100) and (111) surfaces in dilute hydrofluoric acid solution“, J. Appl. Phys., V. 79, p.3708−3713 (1996).
- Z. Yamani, W. H. Thompson, L. Abu-Hassan, M. H. Nayfeh, „Ideal anodization of silicon“, Appl. Phys. Lett., V. 70, p, 3404−3406 (1997).
- W. Theiss, M. Arntzen, S. Hilbrich, M. Wernke, R. Arens-Fischer, „From minutes to months: ageing of porous silicon single layers and superlattices“, Phys. Stat. Sol. (b), V. 190, p. 15−20 (1995).
- N. A. Hill and К. B. Whaley, „Theoretical analysis of the geometries of the luminescent regions in porous silicon“, Appl. Phys. Lett., V. 67, p. 1125−1127 (1995).
- L. T. Canham, M. R. Houlton, W. Y. Leong, C. Pickering, J. M. Keen, „Atmospheric impregnation of porous silicon at room temperature“, J. Appl. Phys., V. 70, p. 422−431 (1991).
- T. Maruyama, S. Ohtani, „Photoluminescence of porous silicon exposed to ambient air“, Appl. Phys. Lett., V. 65, p. 1346−1348 (1994).
- В. А. Киселев, С. В. Полисадин, А. В. Постников, „Изменение оптических свойств пористого кремния вследствие термического отжига в вакууме“, Физика и техника полупроводников, том 31, № 7, стр. 830−8351. ЦК- (1997).
- S. Kalem, M. Rosenbauer, „Optical and structural investigation of stain-^ etched silicon“, Appl. Phys. Lett., V. 67, p.2551−2553 (1995).
- A. G. Cullis and L. T. Canham, „Visible light emission due to quantum size effects in highly porous crystalline silicon“, Letters to Nature, V. 353, N. 26, p.336−338 (1991).
- L. T. Canham, „Luminescence bands and their proposed origins in highly porous silicon“, Phys. Stat. Sol. (b), V. 190. p. 9−14 (1995).
- S. Lazarouk, S. Katsouba, A. Tomlinson, S. Benedetti, C. Mazzoleni, V. Mulloni, G. Mariotto, L. Pavesi, „Optical characterization of reverse biased porous silicon light emitting diode“, Materials Science and Engineering В, V. 6970, p. 114−117(2000).
- H. E. Корсунская, Т. В. Торчинская, Б. Р. Джумаев, Л. Ю. Хоменкова, Б. М. Булах, „Два источника возбуждения фотолюминесценции пористого кремния“, Физика и техника полупроводников, том 31, № 8,стр.908−911 (1997).
- О. К. Andersen, Т. Frello, and Е. Veje, „Photoinduced synthesis of porous silicon without anodization“, J. Appl. Phys., V. 78 (10), p.6189−6191 (1995).
- R. L. Smith and S. D. Collins, „Porous silicon formation mechanisms“, J. Appl. Phys., V. 71(8), p. R1-R22 (1992).
- R. P. Vasquez, R. W. Fathauer, T. George, A. Ksendzov, and T. L. Lin „Electronic structure of light-emitting porous Si“, Appl. Phys. Lett., V. 60 (8), p.1004−1006 (1991).
- H. Sugiyama and O. Nittini, „Microstructure and lattice distortion of anodized porous silicon layers“, Crystal Growth, V. 103, p.156−163 (1990).
- K. Barla, R. Herino, G. Bomchil, J. C. Pfister, A. Freund, „Determination of lattice parameter and elastic properties of porous silicon by X-ray diffraction“, J. Crystal Growth, V. 68, 727−732 (1984).
- О. Belmont, С. Faivre, D. Bellet, Y. Brechet, „About the origin and the mechanisms involved in the cracking of highly porous silicon layers under capillary stresses“, Thin Solid Films, V. 276, p.219−222 (1996).
- Д. И. Биленко, H. П. Абаньшин, Ю. H. Галишникова, Г. E. Маркелова, И. Б. Мысенко, Е. И. Хасина, „Электрофизические и оптические свойства пористого кремния“, Физика и техника полупроводников, том. 11, стр. 2090−2092(1983).
- V. Petrova-Koch, Т. Muschic, А. Ких, В. К. Meyer, F. Koch, V. Lehmann, „Rapid-thermal oxidated porous Si the superior photoluminescent Si“, Appl. Phys. Lett., V. 61, p. 943−945 (1992).
- U. Frotscher, U. Rossow, „Investigation of different oxidation processes for porous silicon studied by spectroscopic ellipsometry“, Thin Solid Films, V. 276, p.36−42 (1995).
- С. П. Зимин, „Классификация электрических свойств пористого кремния“, Физика и техника полупроводников, том. 34, стр. 359−363 (2000).
- Н. Bender, S. Jin, J. Poortmans, L. Stalmans, „Morphological properties of porous-Si layers for n±emitter applications“, Appl. Surf. Sci., V. 147, p. 187— 200 (1999).
- V. Lehmann, W. Honlein, H. Reisinger, A. Spitzer, H. Wendt, J. Wilier, „A novel capacitor technology based on porous silicon“, Thin Solid Films, V. 276, p. 138−142(1996).
- M. Lipinski, S. Bastide, P. Panek, and C. Levy-Clement, „Porous silicon antireflection coating by electrochemical and chemical etching for silicon solar cell manufacturing“, Phys. Stat. Sol. (a), V. 197, p. 512−517 (2003).
- Т. F. Krauss, R. M. De La Rue, „Photonic crystals in the optical regime- past, present and future“, Progress in Quantum Electronics, V. 23, p. 51−96 (1999).
- V. V. Starkov, „Ordered macropore formation in silicon“, Phys. Stat. Sol. (a), V. 197, p. 22−26 (2003).
- P. Steiner, W. Lang, „Micromachining applications of porous silicon“, Thin Solid Films, V. 255, p. 52−58 (1995).
- G. Kaltsas, A. G. Nassiopoulos, „Bulk silicon micromachining using porous silicon sacrificial layers“, Microelectronic Engineering, V. 35, p. 397−400 (1997).
- Y. Watanabe, Y. Arita, T. Yoroyama, Y. Igarashi, „Formation and properties of porous silicon and its application“, J. Electrochem. Soc., V. 122, No 10, p.1351−1355 (1975).
- X. Xie, N. Zhang, C. Men, W. Liu, Q. Lin, Z. An, C. Lin, „Fabrication of silicon-on-insulator structure with Si3N4 as buried insulating films by epitaxial layer transfer“, J. Crystal Growth, V. 245, p. 207−211 (2002).
- T. Boufaden, N. Chaaben, M. Christophersen, B. El Jani, „GaN growth on porous silicon by MOVPE“, Microelectronics Journal, V. 34, p. 843 848 (2003).
- N. Lalic, J. Linnros, „A porous silicon light-emitting diode with a high quantum efficiency during pulsed operation“, Thin Solid Films, V. 276, p. 155−158 (1996).
- S. Strehlke, S. Bastide, J. Guillet, C. Levy-Clement, „Design of porous silicon antireflection coatings for silicon solar cells“, Materials Science and Engineering В, V. 69−70, p. 81−86 (2000).
- В. В. Старков, В. В. Аристов, А. М. Желтков, С. А. Магницкий, А. В. Тарасишин, „Создание фотонных кристаллов методами глубокого анодного травления кремния“, Микросистемная Техника, No. 9, стр. 37−40 (2001).
- P. Bettotti, L. Dal Negro, Z. Gaburro, L. Pavesi, A. Lui, M. Galli, M. Patrini, and F. Marabelli, „P-type macroporous silicon for two-dimensional photonic crystals“, J. Appl. Phys., V. 92 (12), p.6966−6972 (2002).
- C. Tsamis, A.G. Nassiopoulou, A. Tserepi, „Thermal properties of suspended porous silicon micro-hotplates for sensor applications“, Sensors and Actuators В, V. 95, p. 78−82 (2003).
- H. Ohji, P. J. French, K. Tsutsumi, „Fabrication of mechanical structures in p-type silicon using electrochemical etching“, Sensors and Actuators, V. 82, p. 254−258 (2000).
- T. Djenizian, L. Santinacci 1, H. Hildebrand, P. Schmuki, „Electron beam induced carbon deposition used as a negative resist for selective porous silicon formation“, Surf. Sci. V. 524, p. 40−48 (2003).
- J. Buhler, F.-P. Steiner and H. Baltes, „Silicon dioxide sacrificial layer etching in surface micromachining“, J. Micromech. Microeng., V. 7, p. R1-R13 (1997).
- M. Christophersen, P. Merz, J. Quenzer, J. Carstensen, and H. Foil, &bdquo-А new way to silicon microstructuring with electrochemical etching», Phys. Stat. Sol. (a), V. 182, p. 561−566 (2000).
- D. Pagonis, G. Kaltsas, and A. G. Nassiopoulou, «Implantation masking technology for selective porous silicon formation», Phys. Stat. Sol. (a), V. 197, p. 241−245 (2003).
- S. Uehara, J. Sugimoto, D. Yono, and T. Matsubara, «Micro-tip array fabrication by selective anodization of p±type Si substrate», Phys. Stat. Sol. (a), V. 197, p. 275−278 (2003).
- W. Lang, H. Sandmaier, P. Steiner, «Porous silicon: A novel material for microsystems», Sensors and Actuators A, V. 51, p. 31−36 (1995).
- M. O. S. Dantas, E. Galeazzo, H. E. M. Peres, F. J. Ramirez-Fernandez, A. Errachid, «HI-PS technique for MEMS fabrication», Sensors and Actuators A, V. 115, p. 608−616 (2004).
- J. E. A. M. van den Meerakker, R. J. G. Elfrink, F. Roozeboom, and J. F. С. M. Verhoeven, «Etching of deep macropores in 6 in. Si wafers», J. Electrochem. Soc., V. 147, No. 7, p. 2757−2761 (2000).
- V. Lehmann, S. Ronnebeck, «MEMS techniques applied to the fabrication of anti-scatter grids for X-ray imaging», Sensors and Actuators A, V. 95, p. 202−207 (2002).
- E. V. Astrova and T. N. Vasunkina, «Formation of macropore nucleation centers in silicon by ion implantation», Semiconductors, V. 36, No. 5, p. 564−567 (2002).
- В. В. Старков, E. А. Старостина, И. Конли, X. Престинг, У. Кёниг, А. Ф. Вяткин, «Упорядоченное формирование макропор в кремнии р-типа», Микросистемная Техника, No. 8, стр. 34−38 (2001).
- A. Vyatkin, V. Starkov, V. Tzeitlin, Н. Presting, J. Konle, and U. Konig, «Random and ordered macropore formation in p-type silicon», J. Electrochem. Soc., V. 149, No. 1, p. G70-G76 (2002).
- V. Lehmann, U. Gruning, «The limits of macropore array fabrication», Thin Solid Films, V. 297, p. 13−17 (1997).
- S. Manotas, F. Agullo-Rueda, J. D. Moreno, F. Ben-Hander, J. M. Martonez-Duart, «Lattice-mismatch induced-stress in porous silicon films», Thin Solid Films, V. 401, p. 306−309 (2001).
- V. V. Aristov, V. V. Starkov, L. G. Shabel’nikov, S. M. Kuznetsov, A. P. Ushakova, M. V. Grigoriev, V. M. Tseitlin, «Short-focus silicon parabolic lenses for hard X-rays», Optics Communications", V. 161, p. 203−208 (1999).
- В. В. Аристов, JI. Г. Шабельников, В. В. Старков, В. М. Цейтлин,
- С. М. Кузнецов, М. В. Григорьев, А. Снигирев, И. Снигирева, К. Pay, «Матрицы короткофокусных параболических линз для жесткого рентгеновского излучения», Микросистемная Техника, No. 8, стр. 39−42 (2001).
- F. Muller, A. Birner, J. Schilling, А.-Р. Li, К. Nielsch, U. Gosele, V. Lehmann, «High aspect ratio microstructures based on anisotropic porous materials», Microsys. Tech. V. 8, p. 7−9 (2002).
- В. В. Старков, E. А. Старостина, А. Ф. Вяткин, Ю. Б. Горбатов, «Формирование локальных диэлектрических областей в Si-Si/Ge-структурах имплантацией и последующим неоднородным химическим травлением», Микроэлектроника, том 29, № 5, стр. 333−338 (2000).
- М. Hejjo А1 Rifai, М. Christophersen, S. Ottow, J. Carstensen, and H. Foil, «Dependence of macropore formation in n-Si on potential, temperature, and doping», J. Electrochem. Soc., V. 147, No. 2, p. 627−635 (2000).
- J. M. Lopez-Villegas, M. Navarro, D. Papadimitriou, J. Bassas, J. Samitier, «Structure and non-uniform strain analysis on p-type porous silicon by X-ray reflectometry and X-ray diffraction», Thin Solid Films, V. 276, p. 238−240 (1996).
- V. Paillard, P. Puech, P. R. Cabarrocas, «Measurement of stress gradient in hudrogenated microcrystalline silicon thin films using Raman spectroscopy», J. Non-Cryst. Solid. V. 299−302, p. 280−283 (2002).
- D. Bellet, G. Dolino, «X-ray diffraction studies of porous silicon», Thin Solid Films, V. 276, p. 1−6 (1996).
- M. D. Mason, D. J. Sirbuly, S. K. Buratto, «Correlation between bulk morphology and luminescence in porous silicon investigated by pore collapse resulting from drying», Thin Solid Films, V. 406, p. 151−158 (2002).
- D. Papadimitriou, J. Bitsakis, J. M. Lopez-Villegas, J. Samitier, J. R. Morante, «Depth dependence of stress and porosity in porous silicon: a micro-Raman study», Thin Solid Films, V. 349, p. 293−297 (1999).
- Ю. А. Концевой, Ю. М. Литвинов, Э. А. Фаттахов, «Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур», Москва, «Радио и связь», (1982), 240 стр.
- О. Jessensky, F. Mttller, and Gosele, «Self-organized formation of hexagonal pore arrays in anodic alumina», Appl. Phys. Lett., V. 72, No. 10, p. 1173−1175(1998).
- H. Foil, J. Carstensen, S. Langa, M. Christophersen, and I. M. Tiginyanu, «Porous III-V compound semiconductors: formation, properties, and comparison to silicon», Phys. Stat. Sol. (a), V. 197, No. 1, p. 61−70 (2003).
- V. I. Emel’yanov, К. I. Eremin, and V. V. Starkov, «Defect-Deformational Mechanism ofNucleation of Ensemble of Pores in Semiconductors and Metals», Laser Physics, V. 12, No. 12, p. 1432−1436 (2002).
- F. Hedrich, S. Billat, W. Lang, «Structuring of membrane sensors using sacrificial porous silicon», Sensors and Actuators, V. 84, p. 315−323 (2000).
- S. Milita, P. Maccagnani, R. Angelucci, and M. Servidori, «X-Ray synchrotron topography investigation of porous silicon formed by patterning in localized areas», J. Electrochem. Soc., V. 148, No. 8, p. G439-G446 (2001).
- U. Schlierf, G. Champion, G. I. Sproule, S. Moisa, J. W. Fraser, M. J. Graham, and P. Schmuki, «Selective porosification of n-InP (100) after focused ion beam implantation of Si^», Phys. Stat. Sol. (a), V. 197, No. 1, p. 180−185 (2003).
- P. Schmuki, L. E. Erickson, D. J. Lockwood, B. F. Mason, J. W. Fraser, G. Champion, and H. J. Labbe, «Predefined initiation of porous GaAs using focused ion beam surface sensitization», J. Electrochem. Soc., V. 146, No. 2, p. 735−740(1999).
- A. Spiegel, L. E. Erickson, and P. Schmuki, «Selective Growth of Porous Silicon on Focused Ion Beam Patterns», J. Electrochem. Soc., V. 147, No. 8, p. 2993−2998 (2000).
- M.A. Makeev, A. Madhukar, «Stress and strain fields from an array of spherical inclusions in semi-infinite elastic media: Ge nanoinclusions in Si», Phys. Rev. В, V. 67, p. 73 201 (2003).
- J. Charrier, M. Guendouz, L. Hall, and P. Joubert, «Porosity gradient resulting from localised formation of porous silicon: the effect on waveguiding», Phys. Stat. Sol. (a), V. 182, p. 431−436 (2000).
- J. O’Brien, P. J. Hughes, M. Brunet, B. O’Neill, J. Alderman, B. Lane, A. O’Riordan, and C. O’Driscoll, «Advanced photoresist technologies for microsystems», J. Micromech. Microeng., V. 11, p. 353−358 (2001).
- J. D. L. Shapley and D. A. Barrow, «Novel patterning method for the electrochemical production of etched silicon» Thin Solid Films, V. 388, p. 134−137 (2001).
- V.I. Emel’yanov, K.I. Eremin, V.V. Starkov, and E.Yu. Gavrilin, «Defect-deformation mechanism of the formation of a pore ensemble in semiconductor and metal etching: theory and experiment», Laser Physics, V. 13, No. 11, p. 1442−1452(2003).