Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Анализ ключевых характеристик методов локальной диагностики полупроводников — метода наведенного рентгеновским пучком тока и рентгеновского флуоресцентного метода

Диссертация: Анализ ключевых характеристик методов локальной диагностики полупроводников — метода наведенного рентгеновским пучком тока и рентгеновского флуоресцентного метода
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Современный уровень требований к методам анализа и контроля требует не только визуализировать структуру, но и количественно оценивать по электронным спектрам такие параметры композиции, как глубина залегания и толщина скрытых деталей и слоев, а также параметры различных дефектов кристаллической структуры. Помимо контроля топологического строения трехмерных микрои наноструктур весьма актуальна… Читать ещё >

Содержание

  • Глава I. Современное состояние проблемы применения методов наведенного тока и рентгенофлуоресцентного анализа для диагностики микроструктур. Литературный обзор
    • 1. 1. Проблема локальной диагностики полупроводниковых структур
    • 1. 2. Метод наведенного тока
      • 1. 2. 1. Метод наведенного электронным пучком тока
  • ЕВ 1С, из истории вопроса). а) Физические основы метода. б) Обсуждение получаемых с помощью ЕВ1С метода результатов
    • 1. 2. 2. Метод индуцированного рентгеновским пучком тока (ХВ1С)
    • 1. 3. Методы рентгенофлуоресцентной диагностики элементного состава объектов
    • 1. 3. 1. Рентгеновский флуоресцентный анализ
    • 1. 3. 2. Рентгенофлуоресцентная томография ЗБ объектов
    • 1. 3. 3. Аппаратный подход в рентгенофлуоресцентной томографии

Анализ ключевых характеристик методов локальной диагностики полупроводников — метода наведенного рентгеновским пучком тока и рентгеновского флуоресцентного метода (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

.

В настоящее время минимальные размеры структурных элементов микросхем уменьшились до нескольких десятков нанометров, и стоит задача преодоления этого рубежа. Развитие современной микроэлектроники характеризуется все большим повышением степени интеграции и функциональной сложности микросхем, дальнейшим ростом числа элементов на одном кристалле, уменьшением характерных размеров элементов. Это, в свою очередь, требует повышения качества диагностических инструментов.

Среди методов локальной диагностики полупроводников лидирующее положение занимает растровая электронная микроскопия (РЭМ) с практически неразрушающим электронным зондом размером несколько нанометров. Разнообразие сигналов, получаемых в сканирующем микроскопе, позволяет контролировать широкий спектр электрофизических свойств микрои наноэлектронных устройств, в том числе на разных стадиях их изготовления.

Современный уровень требований к методам анализа и контроля требует не только визуализировать структуру, но и количественно оценивать по электронным спектрам такие параметры композиции, как глубина залегания и толщина скрытых деталей и слоев, а также параметры различных дефектов кристаллической структуры. Помимо контроля топологического строения трехмерных микрои наноструктур весьма актуальна проблема определения электрофизических параметров, таких как диффузионная длина, время жизни и скорость поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда в полупроводниковых компонентах микроэлектронных устройств.

Метод наведенного электронным пучком тока (EBIC — Electron Beam Induced Current) в РЭМ широко используется для исследования электрофизических свойств полупроводниковых материалов и приборов микроэлектроники сегодня. Определение концентрации точечных дефектов и характеризация протяженных дефектов — одно из применений данного метода. Интерес к изучению свойств таких объектов особенно возрос и в связи с попытками реализации эффективных светоизлучающих приборов на основе искусственно созданных дислокационных структур в кремнии.

В некоторых задачах, например, в задачах анализа чистоты мультикристаллического кремния, кроме выявления и количественного описания влияния дефектов нужно определять химический состав в области дефекта. В этом случае метод наведенного рентгеновским пучком тока (XBIC — X-ray Beam Induced Current) может быть использован для локализации дефектов, состав которых может уточняться с помощью одновременной регистрации рентгенофлуоресцентного сигнала. В первой главе диссертации представлен обзор текущего состояния дел в этой области, описаны достигнутые результаты и существующие подходы к интерпретации сигналов.

Метод XBIC появился около десяти лет назад, однако применение его для измерения электрической активности отдельных дефектов ограничено тем, что модели формирования сигнала еще не созданы в полном объеме для этого метода. Третья глава диссертации посвящена анализу и решению данной проблемы.

Одним из основных достоинств XBIC метода является то, что его несложно скомбинировать с другими рентгеновскими исследованиями. В частности, при размещении дополнительного детектора можно собирать флуоресцентный сигнал. Кроме того, с помощью коллиматора, помещенного перед детектором, можно контролировать область, из которой собирается сигнал. Такой подход уже нашел применение в других задачах и метод известен под названием аппаратной или конфокальной томографии. При использовании этого метода разрешение ограничено размером фокусного пятна коллиматора. Поэтому для дальнейшего развития конфокального подхода в рентгенофлуоресцентном анализе нужно двигаться в направлении улучшения характеристик (размер фокуса, эффективность) коллиматора.

Вторая глава диссертации посвящена построению численных оценок основных характеристик и анализу свойств рентгенооптических элементов, которые могут быть использованы в качестве коллиматоров при конфокальных измерениях флуоресцентного сигнала.

Цели и задачи.

Основной целью работы являлась оценка возможностей и анализ ключевых характеристик (чувствительность, пространственное разрешение) методов конфокальной рентгеновской флуоресцентной томографии и наведенного рентгеновским пучком тока. В рамках этой цели были поставлены и решены следующие конкретные задачи:

I) Создание модели формирования сигнала в методе конфокальной томографии с учетом функции сбора флуоресцентных квантов.

II) Моделирование функции сбора сигнала и оценка по его результатам основных характеристик двух типов коллиматоров.

III) Создание модели формирования наведенного рентгеновским пучком тока и моделирование профилей контраста от протяженных дефектов в кремнии.

Научная новизна результатов.

• Впервые в методе наведенного рентгеновским пучком тока был произведен расчет контраста протяженных дефектов — дислокаций и границ зерен. Показано, что для таких дефектов при достаточно большой диффузионной длине и (или) небольшом диаметре рентгеновского пучка может быть получен в 3−4 раза лучший контраст, чем в аналогичном методе тока, наведенного электронным пучком.

• Функции сбора рентгенофлуоресцентного сигнала впервые смоделированы для коллиматора нового типа, который может быть создан методами микроэлектроники, и для поликапиллярного коллиматора. Для нового типа коллиматора впервые получены оценки размеров фокуса и эффективности, а также показано, что этот коллиматор может иметь меньший фокальный объем, чем поликапиллярный коллиматор. Также показано, что при определенном выборе функциональных параметров (ширина канала, длина микроэлектронного коллиматора, фокусное расстояние) характеристики нового коллиматора не зависят от энергии флуоресцентных квантов.

Практическая значимость работы.

Построенные в диссертации модели формирования сигнала в методе наведенного рентгеновским пучком тока являются основой для решения обратных задач, в частности, для определения электрофизических характеристик полупроводников и скорости рекомбинации на отдельных дефектах в них. Количественная характеризация отдельных протяженных дефектов требуется, например, для кристаллов, используемых в солнечной энергетике.

Построенные оценки характеристик двух типов коллиматоров позволяют проводить корректную количественную интерпретацию измеряемых рентгенофлуоресцентных сигналов.

Положения, выносимые на защиту.

1. При использовании нового типа коллиматора, созданного методами микроэлектроники, в конфокальной схеме рентгеновской флуоресцентной томографии может быть достигнуто более высокое пространственное разрешение, чем при использовании поликапиллярного коллиматора.

2. Определены условия, при которых коллиматор нового типа, в отличие от поликапиллярного коллиматора, позволяет получать карты распределения элементного состава образца с одинаковым для всех элементов пространственным разрешением.

3. Модель формирования сигнала в методе наведенного рентгеновским пучком тока для случая присутствия в полупроводниковом образце протяженных дефектов может быть построена аналогично случаю наведенного электронным пучком тока.

4. При зондировании рентгеновским пучком контраст наведенного тока от протяженных дефектов: границ зерен и дислокаций — может быть в несколько раз больше, чем в методе ЕВ 1С.

Достоверность результатов диссертации обеспечивается использованием универсальных законов и уравнений классической физики для взаимодействия рентгеновского излучения с полупроводниковыми кристаллами, а также хорошим совпадением результатов измерения и компьютерного моделирования.

Апробация работы. Основные положения диссертационной работы докладывались и обсуждались в ИПТМ РАН на научных семинарах «Рентгеновская оптика» и «Материаловедение и технология», а также на ученом совете ИПТМ РАН. Изложенные в работе результаты были доложены на следующих российских и международных конференциях:

1. Первой международной научной школе-семинаре «Современные методы анализа дифракционных данных», Великий Новгород, май 2007;

2. XV Российском симпозиуме по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел РЕМ'2007, Черноголовка, июнь 2007;

3. III Всероссийской научной конференции «Проектирование инженерных и научных приложений в среде MATLAB», С.-Петербург, октябрь 2007;

4. VI Национальной конференции РСНЭ, Москва, ноябрь 2007;

5. 50-ой научной конференции МФТИ «Современные проблемы фундаментальных и прикладных наук», Москва, декабрь 2007;

6. Второй международной научной школе-семинаре «Современные методы анализа дифракционных данных», Великий Новгород, сентябрь 2008;

7. 51-ой научной конференции МФТИ «Современные проблемы фундаментальных и прикладных наук», Москва, декабрь 2008;

8. European Conference on Metallobiolomics, Берлин, декабрь 2008;

9. Всероссийской конференции молодых ученых «Микро-, нанотехнологии и их применение», Черноголовка, декабрь 2010;

10.Пятом международном научном семинаре «Современные методы анализа дифракционных данных», Великий Новгород, сентябрь 2011;

11. VIII Национальной конференции РСНЭ, Москва, ноябрь 2011;

12.XXIV Российской конференции по электронной микроскопии, май 2012.

Публикации.

По результатам данной диссертационной работы опубликовано 15 печатных работ, из которых 3 статьи опубликованы в изданиях, входящих в утвержденный ВАК перечень ведущих рецензируемых научных изданий, и 12 тезисов и материалов докладов.

Личный вклад автора.

Изложенные в диссертации результаты получены автором лично. Постановка задач исследований, определение методов их решения и интерпретация результатов выполнены совместно с научными руководителями М. В. Чукалиной и В. А. Бушуевым. Постановка задачи и обсуждение результатов для метода наведенного тока (глава 3) выполнены совместно с Е. Б. Якимовым.

Структура и объем диссертации

Диссертационная работа изложена на 155 страницах печатного текста и включает 53 рисунка и 5 таблиц. Диссертация состоит из введения, трех глав, выводов, двух приложений и списка цитируемой литературы из 140 наименований.

Выводы диссертации.

1. Впервые проведены расчеты функции сбора сигнала для двух типов коллиматоров, используемых в конфокальной схеме рентгенофлуоресцентной томографии. Показано, что пространственное разрешение коллиматора, созданного методами микроэлектроники, выше, чем у поликапиллярного коллиматора при одинаковых геометрических параметрах (диаметр канала, угол раствора, фокусное расстояние).

2. Показано, что, в отличие от поликапиллярного коллиматора, у коллиматора, созданного методами микроэлектроники, функция сбора сигнала не зависит от энергии флуоресцентных квантов, поскольку основная часть излучения, собираемого коллиматором, проходит через его каналы «на просвет». Сформулированы рекомендации по выбору параметров микроэлектронного коллиматора, при которых можно пренебречь вкладом флуоресцентных квантов, проходящих через коллиматор за счет явления полного внешнего отражения.

3. Для метода наведенного рентгеновским пучком тока впервые предложена и реализована модель расчета контраста изображений дислокаций и границ зерен. Удовлетворительное соответствие модельных профилей контраста и экспериментальных данных, показанное для различных значений ширины рентгеновского зонда, свидетельствует о допустимости использования предложенной модели формирования сигнала.

4. Показано, что контраст изображений дислокаций и границ зерен, полученный в методе наведенного рентгеновским пучком тока при достаточно малой ширине рентгеновского пучка, может в 3−4 раза превышать контраст в методе тока, наведенного электронным пучком.

5. При исследовании протяженных дефектов в полупроводниках с большой диффузионной длиной чувствительность метода ХВ1С может быть в несколько раз выше, чем у метода ЕВ1С, даже при достаточно большой ширине рентгеновского зонда.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Напока J.I., Bell R.O. Electron -beam-induced currents in semiconductors // Ann. Rev. Mater. Sci. 1981. V. 11. P. 353−380.
  2. Leamy H.J. Charge collection scanning electron microscopy // J. Appl. Phys., 1982. V. 53. No. 6, P. 51−80.
  3. Holt D.B., Muir M.D., Grant P.R., Boswarva I.M. Quantitative Scanning Electron Microscopy II New York: Academic 1974. Ch. 2. P. 715.
  4. Goldstein J.I., Yakowitz H., eds. Practical Scanning Electron Microscopy // New York: Plenum. 1977. Ch. 2. P. 582.
  5. Wu C.J., Wittry D.V. Investigation of minority carrier diffusion lengths by electron bombardment of Schottky barriers // J. Appl. Phys. 1978. V. 49. P. 2827−2836.
  6. Thronton P.R. Scanning Electron Microscopy // London: Chapman&Hall 1968. Ch. 9. P. 652.
  7. Holt D.B., Muir M.D., Grant P.R., Boswarva I.M. Quantitative Scanning Electron Microscopy // New York: Academic. 191 A. Ch. 8. P. 715.
  8. Napchan E. Electron and photon mater interaction: energy dissipation and injection level II Revue Phys. Appliq. 1981. V. 24. P. 6−29.
  9. Yakimov Eu., Electron beam induced current investigations of electrical ingomogeneities with high spatial resolution // Scanning Microscopy. 1992. V. 6. N.l.P. 81−96.
  10. Niedrig H. Electron backscattering from thin films // J. Appl. Phys. 1982. V. 53. P15−49.
  11. Joy D.C. The interpretation of EBIC images using Monte Carlo simulation // J. Microscopy. 1986. V. 143. P. 233−248.
  12. B.B., Дремова H.H., Лихарев C.K., Pay Э. И. Физические основы трехмерного неразрушающего метода исследования многослойных структур в отраженных электронах РЭМ // Электронная промышленность. 1990. № 2. С. 26−28.
  13. Donolato С. An analytical model of SEM and STEM charge collection images of dislocations in thin semiconductor layers // Phys. Stat. Sol. 1981. V. 65. P. 649−658.
  14. С. Г., Соловьев В. А., Уманский В. Е., Чистяков В. М. Определение времени жизни неосновных носителей в полупроводниках при возбуждении электронным пучком в РЭМ // Физика и Техника Полупроводников. 1987. Т. 21. Вып. 11. С.2028−2032.
  15. Everhart Т.Е., Hoff Р.Н. Determination of kilovolt electron energy dissipation vs penetration distance in solid materials // J. Appl. Phys. 1971. V. 42. P. 5837−5846.
  16. Fitting H.-G., Glaefeke H., Wild W. Electron penetration and energy transfer in solid targets // Phys. Stat. Sol. 1977. V. 43. P. 185−190.
  17. Van Roosbroeck W. Injected current carrier transport in semi infinite semiconductor and the determination of lifetimes and surface recombination velocities И J. Appl. Phys. 1955. V. 26. P. 380−391.
  18. Berz F., Kuiken H.K. Theory of lifetime measurements with scanning electron microscope: steady state // Solid State Electron. 1976. V. 19. P. 437−445.
  19. Leamy H.J. and Kimerling L.C. Electron beam induced annealing of defects in GaAs II J. Appl. Phys. 1977. V. 48. P. 2795−2803.
  20. Munakata C. Measurement of the homogeneity of a semiconductor with an electron beam /I Jpn. J. Appl. Phys. 1965. V. 4. P. 815−816.
  21. Munakata C. Scanning electron micrograph using beta conductive signal // J. Sci. Instrum. (J. Phys. E). 1969. V. 2. P. 738−738.
  22. Munakata C., Everhart Т.Е. Frequency dependence of the diffusion length for excess minority carriers generated with a pulsed electron beam // Jpn. J. Appl. Phys. 1972. V. 11. P. 913−914.
  23. Gopinath A., deMonts de Savasse T. On scanning electron microscope conduction mode signals in bulk semiconductor devices: annular geometry // J. Phys. D: Appl. Phys. 1971.V. 4. P. 2031−2038.
  24. Н., Мермин. Н. Физика твердого тела. М.: Мир, 1979. 399 с.
  25. Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978. 792 с.
  26. С. С., Дашевский М. Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков: Учебник для вузов. М.: МИСиС, 2003. 480 с.
  27. Sze S.M. Physics of semiconductor devices. Wiley, New York. 1969. P. 812.
  28. Everhart Т. E. Contrast formation in the scanning electron microscope // PhD thesis. 1958. Cambridge University, quoted in Proc. Microbeam Analysis Soc., 13th Ann. Conf. Pap. N. 33. 1978.
  29. Everhart Т.Е., Wells O.C., Matta R.K. A novel method semiconductor device measurements // Proc. IEEE. 1964. V. 52. P. 1642−1647.
  30. Lander J.J., Schreiber H.Jr., Buck T.M., Mathews J.R. Microscopy of internal crystal imperfections in Si p-n junction diodes by use of electron beams // Appl. Phys. Lett. 1963. V. 3. P. 206−207.
  31. Czaja W., Wheatley G.H. Simultaneous observation of diffusion-induced dislocation slip patterns in silicon with electron beam scanning and optical means // J. Appl. Phys. 1964. V. 35. P. 2782−2783.
  32. Czaja W., Patel J.R. Observations of individual dislocations and Oxygen precipitates in silicon with a scanning electron beam method // J. Appl. Phys. 1965.V. 36. P. 1476−1782.
  33. Czaja W. Detection of partial dislocations in silicon with the scanning electron beam technique // J. Appl. Phys. 1966. V. 37. P. 918−919.
  34. Neve N.F.B., Thronton P.R. Electrical effects of crystal imperfections studied by SEM // Solid State Electron. 1966. V. 9. P. 900−901.
  35. Davies I.G., Hughes K.A., Sulway D.V., Thronton P.R. The direct observation of electrical leakage paths due to crystal defects by use of the SEM // Solid State Electron. 1966. V. 9. P. 275−279.
  36. Higuchi PL., Tamura H. Measurement of the lifetime of minority carriers in semiconductors with SEM // Jpn. J. Appl. Phys. 1965. V. 4. P. 316−317.
  37. Wittry D.B., Kyser D.F., Cathodoluminiscence at p-n junctions in GaAs // J. Appl. Phys. 1965. V. 36. P. 1387−1389.
  38. Davidson S.M., Dimitriadis C.A. Advances in the electrical assessment of semiconductors using the scanning electron microscope // J. Microsc. 1980. V. 118. P. 275−290.
  39. Everhart T.E., Wells O.C., Matta R.K. Evaluation of passivated integrated circuits using the scanning electron microscope // J. Electrochem. Soc. 1964. V. 111. P. 929−936.
  40. Bresse J.F. Quantitative use of the electron beam induced current (EBIC) for the characterization of semiconductor devices // Scanning Electron Microsc. 1977. V. 1. P. 683−693.
  41. Green D., Nathanson H.C. Observation of inversion layers under insulated-gate electrodes using scanning electron microscope // Proc. IEEE. 1965. V. 53. P. 183−184.
  42. Higuchi H., Maki M. Observation of channels of MOS FET’s using a SEM // Jpn. J. Appl. Phys. 1965. V. 4. P. 1021−1022.
  43. Neve N.F.B., Hughes K.A., Thronton P.R. Scanning Electron Microscopy as a means of studying microplasmas at high resolution // J. Appl. Phys. 1966. V. 37. P. 1704−1709.
  44. Neve N.F.B., Sulway D.V., Hughes K.A., Thronton P.R. The SEM as a means of investigating Second Breakdown and similar phenomena // IEEE Trans. Electron Dev. 1966. V. 13. N 8−9. P. 639−642.
  45. Gay lord J.W. Microplasma observations in silicon junctions using a scanning electron beam // J. Electrochem. Soc. 1966. V. 113. P. 753−754.
  46. Kimerling L.G., Leamy H.J., and Patel J.R., The electrical properties of stacking faults and precipitates in heat-treated dislocation free Czochralski silicon II Appl. Phys. Lett. 1977. V. 30. P. 217−219.
  47. Kimerling L.C., Leamy H.J., Benton J.L., Ferris S.D., Freeland P.E., Rubin J.J. Analysis of impurity distributions and defect structures in semiconductors by SEM charge collection microscopy // Semiconductor Silicon. 1977. P. 468−480.
  48. Kimerling L.C. Defect state microscopy // lnst.Phys.Conf. 1979. V. 43.1. P. 113−121.
  49. Leamy H.J., Kimerling L.C., Ferris S.D. Electron beam induced current // Scanning Electron Microscopy, 1978. V. l.P. 717−725.
  50. Leamy H.J., Kimerling L.C., Ferris S.D. Silicon single crystal characterization by SEM // Scanning Electron Microsc. 1976. Pt. 4. V. 1. P. 529−538.
  51. Hanoka J.I. Electron beam induced current characterization of polycrystalline silicon solar cells // Solar Cells. 1979/1980. V. 1. P. 123−139.
  52. Donolato C. Contrast formation in SEM charge-collection images of semiconductor defects // Scanning Electron Microscopy. 1979. V. l.P. 257 260.
  53. Donolato C. Contrast and resolution of SEM charge-collection images of dislocations // Appl. Phys. Lett. 1979. V. 1. P. 80−81.
  54. Donolato C. A theoretical study of the charge collection contrast of localized semiconductor defects with arbitrary recombination activity // Semicond Sci Technol. 1992. V. 7. P. 37−43.
  55. Blumtritt H., Gleichmann R., Heydenreich J., Johansen H. Combined scanning (EBIC) and transmission electron microscopic investigation of dislocations in semiconductors II Phys. Status Solidi A. 1979. V. 55. P. 611 620.
  56. Donolato C. Modeling the effect of dislocations on the minority carrier diffusion length II J. Appl Phys. 1998. V. 84. N 5. P.2656−2664.
  57. Donolato C. Theory of beam induced current characterization of grain boundaries in polycrystalline solar cells // J. Appl. Phys. 1982. V. 54. N 3. P. 1314−1322.
  58. Donolato C. Relation between EBIC contract and recombination velocity of a grain boundary // Materials Science and Engineering. 1994. V. 24. P. 6163.
  59. Frigeri C. An EBIC method for the quantitative determination of dopant concentration at striations in LEC GaAs // Inst. Phys.Conf. Sect. II. 1987. N 87. P. 745−750.
  60. Possin G.E., Kirkpatrick C.G. Electron-beam measurements of minority-carrier lifetime distributions in ion-beam-damaged silicon // J.Appl.Phys. 1979. V. 50. P. 4033−4041.
  61. Bondarenko I.E., Koveshnikov S.V., Yakimov E.B., Yarykin N.A. Investigation of electrical property ingomogeneites formed by plasma etching HJ.Phys. IV France. 1991. V. 1. N. C6. P. 217−222.
  62. Kononchuk O.V., Yakimov E.B. Mapping of diffusion length and depletion region width in Schottky diodes // Semicond. Sci. Technol. 1992. V. 7. P. A 171-A 174.
  63. Yakimov E. Modulated electron-beam-induced current and cathodoluminescence // Mater. Sci. and Engineering B. 1994. V. 24. P. 2327.
  64. Kononchuk O. V., Yakimov E.B. Processes of Defect Formation and Gettering under Dry Etching of Si and GaAs and Measurements of Diffusion Length Profile II Solid State Phenomena. 1993. V. 32−33. P. 99−104.
  65. Ioannou D.E., Davidson S.M. Diffusion length evaluation of boron-implanted silicon using the SEM-EBIC Schottky diode technique // J. Phys. D. 1979. V. 12. P. 1339−1344.
  66. Ioannou D.E., Dimitriadis C.A. A SEM-EBIC minority-carrier diffusion length measurement technique // IEEE Trans. Electron Devices. 1982. ED 29. P. 445−450.
  67. Kuiken H. K, van Opdorp C. Evaluation of diffusion length and surfacerecombination velocity from a planar-collector-geometry electron-beam-induced current scan // J. Appl. Phys. 1985. V. 57. P.2077−2089.
  68. Artz B.E. Electron-beam-induced current determination of minority-carrier diffusion length and surface recombination velocity in mercury-cadmium telluride II J. Appl. Phys. 1985. V. 57. P. 2886−2891.
  69. Donolato C. Charge collection in a Schottky diode as a mixed boundary-value problem // Solid-State Electron. 1985. V. 28. P. 1143−1151.
  70. Luke K.L. The evaluation of surface recombination velocity from normal-collector geometry electron-beam-induced current line // J. Appl. Phys. 1994. V. 75. P. 1623−1631.
  71. Luke K.L. Evaluation of diffusion length from a planar-collector-geometry electron-beam-induced current profile II J. Appl. Phys. 1996. V. 80. P. 57 755 785.
  72. О.В., Якимов Е. Б. Измерения больших диффузионных длин методом наведенного тока с модуляцией ОПЗ // Известия РАН. сер. физ. 1995. Т. 59. № 2. С. 82−86.
  73. W., Vyvenko O.V., Arguirov Т., Егко A., Kittler M., Rudolf C., Salome M., Trushin M., Zizak I. Synchrotron microscopy and spectroscopy for analysis of crystal defects in silicon // Phys. Status Solidi. 2009. V. 6. N 3. P. 765−771.
  74. Seifert W., Vyvenko O., Arguirov Т., Kittler M., Salome M., Seibt M., Trushin M. Synchrotron-based investigation of iron precipitation in multicrystalline silicon // Supperlattices and Microstructures. 2009. V. 45. P. 168−176.
  75. Trushin M., Vyvenko O., Seifert W., Jia G., Kittler M., Iron-oxygen interaction, in silicon: A combined XBIC/XRF-EBIC-DLTS study of precipitation and complex building // Physica B, 2009. V. 404. P. 46 454 648.
  76. Jonge M., and Vogt S. Hard X-ray fluorescence tomography an emerging tool for structural visualization // Current opinion in structural biology. 2010. V. 20. P. 606−614.
  77. Н.Ф., Смагунова A.H. Основы рентгеноспектрального флуоресцентного анализа. М.: Химия, 1982. 208с.
  78. Palmer laboratory. Электронный ресурс]. URL: http://physiology.uvm.edu/palmer/techniques.php (дата обращения2505.2012)
  79. Bohic S., Simionovici A., Snigirev A., Ortega R., Deves G., Heymann D., Schroer C.G. Synchrotron hard X-ray microprobe: fluorescence imaging of single cells // Appl Phys Lett. 2001. V. 78. P. 3544−3546.
  80. Revenko A.G., Specific features of X-ray fluorescence analysis techniques using capillary lenses and synchrotron radiation // Spectroc. Acta B: Atom. Spectr. 2007. V. 62. P. 567−576.
  81. Iida A, Gohshi Y. Tracer element analysis by X-ray fluorescent // Handbook on Synchrotron Radiation 1991. V. 4. P. 307−348.
  82. B. Beckhojf, B. Kanngiesser, N. Langhoff, R. Wedell, H. Wolff (Eds.). Handbook of Practical X-Ray Fluorescence Analysis. Springer. Berlin. Heidelberg. New York. 2006. P 863.
  83. Kak A.C., Slaney M. Principles of Computerized Tomographic Imaging. IEEE Press. 1988. P. 331.
  84. Kim S.A., Punshon T., Lanzirotti A., Li L.T., Alonso J.M., Ecker J.R., Kaplan J., Guerinot M.L. Localization of iron in Arabidopsis seed requires the vacuolar membrane transporter VIT1 // Science. 2006. V. 314. P. 12 951 298.
  85. Hogan J.P., Gonsalves R.A., Krieger A.S. Fluorescent computer tomography: a model for correction of X-ray absorption // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1991. V. 38. P. 1721−1727.
  86. Schroer C.G., Reconstructing X-ray fluorescence microtomograms // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. P. 1912−1914.
  87. Golosio B., Simionovici A., Somogyi A., Lemelle L., Chukalina M., Brunetti A. Internal elemental microanalysis combining X-ray fluorescence, Compton and transmission tomography IIJ Appl. Phys. 2003. V. 94. P. 145−156.
  88. La Rivie^re P.J., Vargas P.A. Monotonic penalized-likelihood image reconstruction for X-ray fluorescence computed tomography // IEEE Trans. Med. Imaging. 2006. V. 25. P. 1117−1129.
  89. Miqueles E.X., De Pierro A.R. Exact analytic reconstruction in Xray fluorescence CT and approximated versions // Phys. Med. Biol. 2010. V. 55. P. 1007−1024.
  90. Miqueles E. X., and De Pierro A. R., Iterative Reconstruction in X-ray Fluorescence Tomography Based on Radon Inversion // IEEE Trans. Medical Imaging. 2011. V. 30. N 2. P. 438−450.
  91. La Riviere P., Vargas P., Xia D, and Pan X. C. Region of Interest Reconstruction in X-ray Fluorescence Computed Tomography for Negligible Attenuation // IEEE Trans. Nuclear Science. 2010. V. 57. N.l. P. 234−241.
  92. La Rivie>e P.J., Vargas P., Newville M., Sutton S.R. Reduced-scan schemesfor X-ray fluorescence computed tomography // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2007. V. 54. P. 1535−1542.
  93. Malzer W., Kanngiesser B. A model for the confocal volume of 3D micro X-ray fluorescence spectrometer II Spectroc. Acta. B: Atom. Spectr. 2005. V. 60. P. 1334−1341.
  94. Chukalina M., Simionovici A., Zaitsev S., Vane gas C.J. Quantitative comparison of X-ray fluorescence microtomography setups: standard and confocal collimator apparatus // Spectroc. Acta. B: Atom. Spectr. 2007. V. 62. P. 544−548.
  95. Vincze L., Vekemans В., Brenker F.E., Falkenberg G., Rickers K., Somogyi A., Kersten M., Adams F. Three-dimensional trace element analysis by confocal X-ray microfluorescence imaging II Anal. Chem. 2004. V. 76. P. 6786−6791.
  96. Wilke M., Appel К., Vincze L., Schmidt C., Borchertb M. Pascarellie S. A confocal set-up for micro-XRF and XAFS experiments using diamond-anvil cells /У Journal of Synchrotron Radiation, 2010. N 17. P. 669−675.
  97. Institute for Scientific Instruments GmbH. Электронный ресурс]. URL: www. ifg-adlershof.de/ (дата обращения 16.02.2012).
  98. В.А., Оруджалиев М. Н., Кузьмин Р. Н. Коэффициент пропускания изогнутых рентгеновских волноводов // ЖТФ. 1989. Т. 59. № 11. С. 153−155.
  99. В.А., Оруджалиев М. Н., Кузьмин Р. Н. Коэффициент пропускания равномерно изогнутых рентгеновских волноводов в режиме шепчущих мод // Вестн. Моск. ун-та. 1990. Сер. 3. Т. 31. № 1. С. 76−80.
  100. М.Н., Бушуев В. А., Распространение рентгеновскогоизлучения в изогнутых капиллярах // ЖТФ. 1991. Т. 61. № 2. С. 51−57.
  101. В.А., Оруджалиев М. Н. Тонкая структура рентгеновских пучков на выходе лентообразного волновода // Вести. Моск. ун-та. 1993. Сер. 3. Т. 34. № 3. С. 46−52.
  102. А.Ю. Рентгенооптические параметры среднефокусной линзы Кумахова для жесткого рентгеновского диапазона // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. № 5. С. 47−51.
  103. Е.Б. Определение локальных электрических параметров полупроводниковых материалов методами растровой электронной микроскопии // Заводская лаборатория. 2002. Т. 68. № 1. Р. 63−69.
  104. Fahrtdinov R.R., Feklisova O.V., Grigoriev M.V., Irzhak D.V., Roshchupkin D.V., and Yakimov E.B. XBIC Investigation of the Grain Boundaries in Multicrystalline Si on the Laboratory X-ray Source // Solid State Phenomena. 2011. V. 178−179. P. 226−229.
  105. Fahrtdinov R.R., Feklisova O.V., Grigoriev M.V., Irzhak D.V., Roshchupkin D.V., and Yakimov E.B. X-ray beam induced current method at the laboratory x-ray source // Rev. Sci. Instr. 2011. V. 82. P. 70−93.
  106. Yakimov E.B. Simulation of XBIC Contrast of Precipitates in Si // Solid State Phenomena. 2010. V. 156−158. P. 247−250.
  107. Е.Б. Сравнение контраста протяженных дефектов в методах XBIC и наведенного тока // Поверхность. Рентгеновские, синхротрон-ные и нейтронные исследования. 2010. № 9. С. 10−12.
  108. Donolato С. A reciprocity theorem for charge collection // Appl. Phys. Lett. 1985. V. 46. N 3. P. 270−272.
  109. Donolato C., and Klann H. Computer simulation of SEM electron beam induced current images of dislocations and stacking faults // J. Appl. Phys. 1980. V. 51. N3.P. 1624−1633.
  110. Marek J. Scanning electron microscope charge collection images of grain boundaries II J. Appl. Phys. 1982. V. 53. N 3. P. 1454−1460.
  111. Zook J.D. Effects of grain boundaries in polycrystalline solar cells II Appl. Phys. Lett. 1980. V. 37. N 2. P. 223−226.
  112. Martinez J., Criado A., and Piqueras J. Grain boundary potential determination in polycrystalline silicon by the scanning light spot technique II J. Appl. Phys. 1981. V. 52. N 3. P. 1301−1305.
  113. Seager C.H. Grain boundary recombination: theory and experiment in silicon II J. Appl. Phys. 1981. V. 52. N 6. P. 3960−3968.
  114. A.H., Самарский A.A. Уравнения математической физики. М: Изд-во Московского ун-та, 1999. 742 с.
  115. Lax М. Junction current and luminescence near a dislocation or a surface // J. Appl. Phys. 1978. V. 49. N 5. P. 2796−2810.
  116. КН., Семендяев K.A. Справочник по математике для инженеров и учащихся ВТУЗов. М.: ГРФМЛ, 1980. 704 с.
  117. М., Стиган И. Справочник по специальным функциям. М.: Наука, 1979. 832 с.
  118. КС., Рыжик КМ. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений. М.: Наука, 1971. 1108 с.
  119. Г., Корн Т. Справочник по математике для научных работников и инженеров. М.: ГРФМЛ. 1978. 832 с.
  120. Ъ1.Янке Е., Эмде Ф., Леш Ф. Специальные функции. Формулы, графики, таблицы. 2 изд., пер. с нем. М.: Наука, 1968. 344 с.
  121. Chen J., Sekiguchi Т., Yang D., Yin F., Kido K., Tsurekawa S. Electron-beam-induced current study of grain boundaries in multicrystalline silicon // J. Appl. Phys. 2004. V. 96. N 10. P. 5490−5495.
  122. Feklisova O. V, Yakimov E.B. Electrical properties of plastically deformed silicon due to its interaction with an iron impurity // Phys. Solid State. 2011. V. 53. N 6. P. 1240−1243.
  123. Firsova A.A., Reimer L., Ushakov N.G., Zaitsev S.I. Comparison of a Simple Model of BSE Signal Formation and Surface Reconstruction with Monte Carlo Calculations //Scanning. 1991. V. 13. P. 363−368.
  124. ЫЯнке Е., Эмде Ф., Леш Ф. Специальные функции. Формулы, графики, таблицы. 2 изд., пер. с нем. М.: Наука, 1968. 344 с.
  125. Chen J., Sekiguchi Т., Yang D., Yin F., Kido K., Tsurehawa S. Electron-beam-induced current study of grain boundaries in multicrystalline silicon // J. Appl. Phys. 2004. V. 96. N 10. P. 5490−5495.
  126. Feklisova O. V, Yakimov E.B. Electrical properties of plastically deformed silicon due to its interaction with an iron impurity // Phys. Solid State. 2011. V. 53. N 6. P. 1240−1243.
  127. Firsova A.A., Reimer L., Ushakov N.G., Zaitsev S.I. Comparison of a Simple Model of BSE Signal Formation and Surface Reconstruction with Monte Carlo Calculations // Scanning. 1991. V. 13. P. 363−368.
  128. Я.Л., Чукалина М. В. Сравнение функции сбора рентгенофлуоресцентного сигнала для двух типов коллиматоров // Письма в Журнал Технической Физики. 2012. Т. 38. № 10. С. 6−13.
  129. Я.Л., Якимов Е. Б. Сравнение контраста дислокаций и границ зерен в методах XBIC и наведенного тока // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2012. № 11. С. 27−30.
  130. Я.Л., Якимов Е. Б., Григорьев М. В., Фахртдинов P.P., Бушуев В. А. Расчет контраста протяженных дефектов в методе наведенного рентгеновским пучком тока // Письма в Журнал Технической Физики. 2012. Т. 38. № 20. С. 1−7.
  131. Я. Л., Чукалина М. В. Создание пакета программ, имитирующего работу лабораторного микротомографа // XV российский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел. РЕМ'2007. С. 264 265.
  132. Я.Л., Чукалина М. В. К задаче томографической реконструкции методом свертки и обратной проекции в условиях сильного шума // VI Национальная конференция РСНЭ. 2007. С. 468.
  133. Shabelnikova Ya., Chukalina М. Signal and noise separation in computer tomography using wavelet analysis // European Conf. on Metallobiolomics, Helmholtz Centre Berlin for materials and energy. 2008. P. 12.
  134. Я.Л., Чукалина М. В. Сравнение характеристик поликапиллярного коллиматора и коллиматора, созданного методами микроэлектроники // Всероссийская конференция молодых ученых. Микро-нанотехнологии и их применение. 2010. С. 85.
  135. Я.Л., Чукалина М. В. Расчет функции сбора рентге-нофлюоресцентного сигнала для двух типов коллиматоров //VIII Национальная конференция РСНЭ. 2011. С. 486.
  136. В заключение мне хотелось бы выразить искреннюю благодарность моим научным руководителям Марине Валерьевне Чукалиной и Владимиру Алексеевичу Бушуеву за ценные наставления и поддержку в течение всего времени выполнения работы.
  137. Сотрудникам лаборатории Рентгеновской Акустооптики ИПТМ РАН Д. В. Рощупкину, Д. В. Иржаку, М. В. Григорьеву и P.P. Фархтдинову я признательна за предоставление результатов измерений наведенного тока и интересные дискуссии.
  138. Коллегам из лаборатории Теоретической Физики ИПТМ РАН A.A. Свинцову, И. С. Степанову, И. Г Степановой, В. Н. Павлову, а также М. А. Князеву и Е. В Емелину я благодарна за дружеское отношение и участие в обсуждениях.
  139. Моих друзей О. В. Вышиванную и С. Е. Козлова я хочу поблагодарить за внимательное прочтение рукописи диссертации и за то, что они есть.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?