Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Моделирование и алгоритмизация проектирования аналоговых инжекционных ИС с учетом эксплуатационных воздействий в интегрированной САПР

Диссертация: Моделирование и алгоритмизация проектирования аналоговых инжекционных ИС с учетом эксплуатационных воздействий в интегрированной САПР
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Если вопросы влияния нерадиационных ЭФ на МЭА и ее компоненты и влияния радиации на компоненты МЭА, выполненные на базе биполярных и полевых транзисторов, достаточно освещены в литературе и в функционирующих системах проектирования имеется соответствующее обеспечение, то задача проектирования и обеспечения стабильности параметров АИС с учетом влияния ИИ в рамках специализированной подсистемы… Читать ещё >

Содержание

  • 1. ОСОБЕННОСТИ ПРОЕКТИРОВАНИЯ АНАЛОГОВЫХ ИНЖЕКЦИОННЫХ ИС С УЧЁТОМ ЭКСПЛУАТАЦИОННЫХ ФАКТОРОВ
    • 1. 1. Повышение эффективности автоматизированного проектирования за счет учета эксплуатационных факторов
    • 1. 2. Основные принципы моделирования поведения аналоговых инжекционных ИС при эксплуатационных воздействиях
    • 1. 3. Анализ характеристик и возможностей промышленных интегрированных
  • САПР МЭУ для разработки подсистемы проектирования аналоговых инжекционных ИС с учетом эксплуатационных факторов
    • 1. 4. Цель и задачи исследования
  • 2. АВТОМАТИЗАЦИЯ ФОРМИРОВАНИЯ МОДЕЛЕЙ ИНЖЕКЦИОННЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, УЧИТЫВАЮЩИХ ЭКСПЛУАТАЦИОННЫЕ ФАКТОРЫ
    • 2. 1. Анализ требований к математическим моделям элементов МЭУ, учитывающим влияние эксплуатационных факторов
    • 2. 2. Низкочастотная модель инжекционного транзистора, учитывающая влияние ЭФ
    • 2. 3. Высокочастотная модель инжекционного транзистора, учитывающая влияние ЭФ
    • 2. 4. Идентификация параметров модели инжекционного транзистора
    • 2. 5. Статистические характеристики параметров инжекционного транзистора
    • 2. 6. Алгоритм автоматизированного формирования и расчета параметров модели инжекционного транзистора

Моделирование и алгоритмизация проектирования аналоговых инжекционных ИС с учетом эксплуатационных воздействий в интегрированной САПР (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

В связи с расширением областей применения микроэлектронной аппаратуры (МЭА), широким использованием её компонентов в различных областях науки, техники, производства особую значимость приобретают вопросы прогнозирования и обеспечения стабильности её характеристик в условиях воздействия эксплуатационных факторов (ЭФ). Требуемые качественные характеристики МЭА и её компонентов (интегральных схем (ИС) различных конструктивно-технологических вариантов исполнения) должны закладываться на всех этапах проектирования, обеспечиваться при производстве и поддерживаться при эксплуатации.

Учитывая, что сложность микроэлектронных устройств (МЭУ) возрастает, что повышаются требования к их качественным характеристикам, задача разработки высоконадежной МЭА может быть решена при дальнейшем совершенствовании, развитии и использовании систем автоматизированного проектирования (САПР).

Используемые в практике проектирования МЭУ отечественные (Асоника [7], ДИСП [6.43], ПА-4,6 [83], АРИПС-ГЖ [85], ПАУМ [39], КАПР [26], МАРС [34,89], САМРИС [2], АРНС [14], СПРОС [62]) и зарубежные (Pspice [111], Saber [112], Biter [110] и др.) программные комплексы и системы, предназначенные для автоматизированного проектирования электронных схем л МЭУ не позволяют прогнозировать и обеспечивать в условиях воздействия ЭФ, в том числе ионизирующих излучений (ИИ), стабильность схемных функций аналоговых ИС, так как не имеют проблемно-ориентированных подсистем с соответствующей информационной базой, математическим и программным обеспечением.

Одним из перспективных применений САПР, систем схемотехнического проектирования [25] является их использование при проектировании аналоговой МЭА, в частности аналоговых инжекционных ИС (АИС), реализованных на базе инжекционных транзисторов (ИТ), обеспечивающих микромощное энергопотребление [1,13,69,70,108].

Если вопросы влияния нерадиационных ЭФ на МЭА и ее компоненты и влияния радиации на компоненты МЭА, выполненные на базе биполярных и полевых транзисторов, достаточно освещены в литературе и в функционирующих системах проектирования имеется соответствующее обеспечение [3,12,44,45,60,66,77,79−81,86,90,92,94,96,104,107,109], то задача проектирования и обеспечения стабильности параметров АИС с учетом влияния ИИ в рамках специализированной подсистемы, интегрированной в промышленную САПР МЭА, требует своего решения.

Таким образом, разработка методов и алгоритмов моделирования влияния ЭФ на параметры АИС, реализованных в виде подсистемы, интегрированной в промышленную САПР МЭА, является актуальной задачей.

Диссертационная работа выполнена в рамках НИР ГБ 2001.01 «Автоматизация проектирования электронных и электротехнических устройств с учетом эксплуатационных факторов» и в соответствии с научным направлением Воронежского государственного технического университета «САПР и системы автоматизации производства» .

Цель и задачи исследования

Цель работы заключается в разработке инструментальных средств проектирования АИС с повышенной стабильностью в условиях воздействия ЭФ, реализованных в виде специализированной подсистемы, интегрированной в промышленную САПР МЭУ. Для достижения указанной цели в работе определены следующие основные задачи: провести анализ и определить пути повышения эффективности САПР МЭУ с учетом влияния ЭФ для их использования при разработке АИС с повышенной стабильностьюосуществить разработку моделей ИТ, учитывающих влияние ЭФ, для различных диапазонов частотразработать комплекс алгоритмов, обеспечивающих различные этапы проектирования АИС с повышенной стабильностью и реализующих процедуры идентификации параметров моделей ИТ, прогнозирования и оптимизации характеристик схем в условиях влияния ЭФопределить состав, структуру и произвести разработку программных средств, реализующих предложенные модели и алгоритмы, с возможностью их интеграции в промышленную САПР МЭУвыполнить тестирование разработанных программных средств моделирования влияния ЭФ на параметры АИС в интегрированной САПР.

Методы исследования основываются на теории системного анализа, методах вычислительной математики, математического моделирования и оптимизации, структурного программирования, теории электрических цепей и полупроводниковых приборов.

Научная новизна результатов исследований. В работе получены следующие результаты, характеризующиеся научной новизной: модель инжекционного транзистора, отличающаяся учетом зависимостей параметров модели от режима по постоянному току и уровня ЭФ: температуры и ионизирующих излучений и позволяющая моделировать поведение АИС в этих условияхалгоритм автоматизированного формирования модели инжекционного транзистора, отличающийся наличием оптимизационных процедур идентификации параметров и позволяющий учесть влияние режимных, частотных, температурных и радиационных факторовоптимизационный алгоритм синтеза топологического варианта реализации инжекционного транзистора, отличающийся учетом взаимосвязи его электрических и конструктивных параметров и позволяющий на основе полученного конструктивного решения обеспечить повышенную радиационную стабильность электрических параметров ИТ и АИСподсистема анализа характеристик АИС, отличающаяся возможностью их прогнозирования и оптимизации в условиях воздействия ЭФ, основу информационного и математического обеспечения которой составляют предложенные методы, модели и алгоритмы.

Практическая значимость работы. На основе разработанных моделей, алгоритмов и оптимизационных процедур создано информационное и программное обеспечение подсистемы моделирования ЭФ на параметры АИС и оптимизации их конструктивно-топологического варианта реализации, адаптированной на промышленную САПР МЭУ Design Lab.

Внедрение результатов работы. Результаты работы внедрены в научно-исследовательском институте электронной техники (НИИЭТ) г. Воронежа и в учебный процесс кафедр САПРИС и КиПРА ВГТУ при подготовке специалистов по специальностям: 220 300 — «Системы автоматизированного проектирования» и 200 800 — «Проектирование и технология радиоэлектронных средств» .

Апробация работы. Основные научные результаты и положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях, совещаниях и семинарах: II-й Всероссийской научно-технической конференции «Компьютерные технологии в науке, проектировании и производстве» (Нижний Новгород, 2000) — Всероссийской научно-технической конференции «Современные проблемы радиоэлектроники» (Красноярск, 2000) — Международной научно-технической конференции «Системные проблемы качества, математического моделирования и информационных технологий» (Москва-Воронеж-Сочи, 2000, 2001) — VI и VII Международной открытой научной конференции «Современные проблемы информатизации в технике и технологиях (Воронеж, 2001, 2002) — Всероссийской конференции «Интеллектуальные информационные системы» (Воронеж, 2001, 2002) — VII Международной открытой научной конференции «Современные проблемы информатизации» (Воронеж, 2002) — Российской научно-технической конференции (Ковров, 2002).

Публикации. По теме диссертационных исследований опубликовано 14 печатных работ.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения, списка цитируемой литературы из 112.

Основные выводы четвертой главы.

1. На основе разработанной структуры подсистемы проектирования АИС и оптимизации их характеристик с учетом влияния ЭФ, предложенных моделей и алгоритмов создано ее информационное и программное обепечение, ориентированное на повышение эксплуатационной надежности АИС.

2. С использованием разработанной подсистемы проведен анализ стабильности характеристик ряда АИС в условиях воздействия ЭФ, выполнена оптимизация конструктивно-топологического варианта реализации АИС усилителя низкой частоты с целью обеспечения его повышенной радиационной стойкости.

3. Приведенные примеры схемно-конструкторского проектирования АИС с повышенной стабильностью к воздействию ЭФ показывают как правильность построения структуры системы, так и надежность ее информационного и программного обеспечения.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

1. На основе анализа схемотехнических. и конструктивных особенностей АИС сформулирован основной принцип их оптимального проектирования с учетом влияния ЭФ — обеспечение требуемой стабильности их характеристик на основе оптимизации топологического варианта реализации.

2. Обоснована необходимость разработки подсистемы проектирования АИС с учетом ЭФ, ориентированной на интеграцию в промышленную систему Design Lab, предложена ее структура и состав проектных процедур.

3. Разработаны модели базовых элементов АИС — инжекционных транзисторов, учитывающие влияние режима по постоянному току, температуры и ионизирующих излучений, отличающиеся высокой степенью адекватности и позволяющие автоматизировать процесс их формирования.

4. Разработан алгоритм автоматизированного расчета параметров модели ИТ с учетом влияния ЭФ, программно реализованный в виде модуля системы проектирования АИС.

5. Определены статистические характеристики параметров моделей ИТ, необходимые для реализации этапа вероятностного анализа АИС.

6. На основе взаимосвязи электрических и конструктивно-топологических параметров модели инжекционного транзистора разработан алгоритм оптимизации характеристик АИС по критерию радиационной стойкости.

7. Разработаны математическая модель и алгоритм анализа температурных полей в конструкциях АИС.

8. Разработано информационное и программное обеспечения подсистемы анализа и оптимизации характеристик АИС в условиях воздействия ЭФ, позволяющие в комплексе решать задачи повышения эксплуатационной надежности микросхем на базе системы Design Lab,.

124 функционирующих на ПЭВМ. Программные средства подсистемы использованы при проектировании ряда усилительных АИС с повышенной стабильностью параметров в условиях радиационных воздействий.

Полученные в работе научные и практические результаты внедрены в практику проектных исследований в научно-исследовательском институте электронной техники (НИИ ЭТ) г. Воронежа, а также в учебный процесс кафедр САПРИС и КиПРА ВГТУ при подготовке специалистов по специальностям: 220 300 — «Системы автоматизированного проектирования» и 200 800 — «Проектирование и технология радиоэлектронных средств».

Показать весь текст

Список литературы

  1. H.A., Дулин В. Н., Наумов Ю. Е. Большие интегральные схемы с инжекционным питанием. — М.: Сов. Радио, 1977. — 248 с.
  2. П.П., Баталов В. В., Егоров Ю. Б. и др. Системы автоматизированного моделирования и расчета интегральных схем САМРИС- 2 // Электронная промышленность. 1979. — № 4. — С. 47−50.
  3. Автоматизация проектирования аналоговых микроэлектронных устройств с учетом дестабилизирующих факторов: отчет о НИР (закл.) / Воронеж, политехи, ин-т. №ГР 1 860 019 531. — Воронеж, 1986. — 45 с.
  4. Автоматизированное проектирование цифровых устройств / Барулин С. С, Барнаулов Ю. М., Бердышев В. А. и др. М.: Радио и связь, 1981.-240 с.
  5. Автоматизация схемотехнического проектирования / Ильин В. Н., Фролкин В. Т., Бутко А. И. и др. М.: Радио и связь, 1987. — 405 с.
  6. Автоматизация схемотехнического проектирования на мини-ЭВМ / В. И. Анисимов, Г. Д. Дмитревич, С. Н. Ежов и др. JI.: Изд-во Ленинград, ун-та, 1983.-200 с.
  7. Автоматизированная система обеспечения надежности и качества аппаратуры / Ю. Н. Кофанов и др. М.: Советское радио, 1982. — 345 с.
  8. Анализ и расчет статистических характеристик линейных интегральных микросхем усилителей серии «Трель-рубин»: отчет о НИР (закл.) / Воронеж, политехи, ин-т. № ГР 74 030 865. — Воронеж, 1975. -158 с.
  9. Е.З. и др. Расчет усилителей высокой частоты по параметрам технических условий на транзисторы // Полупроводниковые приборы в технике электросвязи. 1967. — Вып.1. — С. 33−34.
  10. В.И., Максимович В. А., Рындин A.A. Автоматизированное определение параметров нелинейных динамическихмоделей активных компонентов для САПР РЭА // Изв. вузов. Сер. Радиоэлектроника. 1982. Т.25, № 6. С. 70−71.
  11. A.C. 605 308 СССР, MKH2H03f 3/45. Дифференциальный усилитель / Н. А. Ус., Ю. Г. Крюков, Ю. Т. Федоров.
  12. Е.Р., Голотюк О. М., Попов Ю. А. Проектирование электронных схем с учетом радиационных воздействий. М.: МИФИ, 1984. -76 с.
  13. В.В., Кремлев В. Я., Мошкин В. Н. и др. Интегральные схемы с инжекционным питанием // Зарубежная электронная техника. 1973, -№ 19.-С. 63−79.
  14. В.В. Системы схемотехнического моделирования АРНС // Управляющие системы и машины. 1988. — № 1. — С. 94−96.
  15. П.Д. Исследование и разработка подсистемы информационного обеспечения САПР электронных схем: Дис. канд. техн. наук. Л.: ЛЭТИ, 1989. — 320 с.
  16. П.Д., Максимович В. А. Структура подсистемы информационного обеспечения САПР аналоговых электронных схем / Тр. Ленинград, электротехн. ин-т им. В. И. Ульянова (Ленина) 1981. — Вып. 296. С. 7−12.
  17. Д.И. Методы оптимального проектирования. М.: Радио и связь, 1984.-248 с.
  18. Д.И., Львович Я. Е., Фролов В. Н. Оптимизация в САПР. -Воронеж: Изд-во ВГУ, 1997. 416 с.
  19. ., Долан Р. Сравнение допустимых доз радиационного облучения биполярного и плоскостного полевых транзисторов при облучении нейтронами // ТИИЭР. 1967. — № 12. — С. 31−37.
  20. В.И. Моделирование электрических параметров ТИП по их конструктивно-топологическим характеристикам / Методы и средства оценки и повышения надежности приборов, устройств и систем: Тез. докл. Российской научн.-техн. конф. Пенза, 1994. — С. 61−62.
  21. В.И. Проектирование низкочастотных усилителей с инжекционным питанием в среде САПР БИС // Прием и анализ сверхнизкочастотных колебаний естественного происхождения: Тез. докл. II Всесоюз. конф. Воронеж.: ВПИ, 1987. — С. 146.
  22. Д. Дж. Трудности и успехи на пути автоматизации проектирования аналоговых схем // Электроника. 1988. — № 22. — С. 22−23.
  23. З.М., Елистратов М. Р., Ильин Л. К. Комплекс программ анализа и оптимизации электронных схем КАПР // Обмен опытом в радиопромышленности. 1978. — Вып. 4−5. — С. 61−64.
  24. В.П., Белоус А. И., Рябова С. Н. и др. Конструктивно технологические особенности проектирования БИС с инжекционным питанием // Электронная техника. Сер. 3, Микроэлектроника. 1980, Вып. 4. -С. 87−91.
  25. А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий приборов и схем: Учеб. пособие для спец. «Физика и технология материалов и компонентов электронной техники». М.: Высш. шк., 1989. — 320 с.
  26. А.Н., Садовников А. Д. Физико-технологическое проектирование биполярных элементов кремниевых БИС. М.: Радио и связь, 1991.-288 с.
  27. А.Н., Гуснин С. Ю., Садовников А. Д. Определение параметров модели высокочастотного транзистора с помощью машинных методов оптимизации // Техника средств связи. Сер. Микроэлектронная аппаратура. 1980. Вып.1. — С. 75−80.
  28. А.Н., Садовников А. Д. Идентификация параметров компонентной модели интегрального транзистора с помощью программ физико-технологического моделирования // Изв. вузов. Сер. Радиоэлектроника. 1983. — Т.26. — № 6. — С. 58−63.
  29. Л.И., Помазанов В. М., Топурия В. З. Система машинного анализа радиоэлектронных схем (МАРС) // Современные методы разработки РЭА. М.: Изд-во МДНТП им. Ф. Э. Дзержинского. — 1974. — С. 44−49.
  30. B.C. Действие излучений на полупроводники. М.: Физматиздат, 1963. — 264 с.
  31. B.C. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат, 1969. — 311 с.
  32. И., Сингхан К. Машинные методы анализа и проектирования электронных схем / Пер. с англ. М.: Радио и связь, 1988. — 560 с.
  33. Влияние радиации на параметры линейных интегральных микросхем: Отчет о НИР (закл.) / Воронеж, политехи, ин-т. № ГР 74 030 866. — Воронеж, 1974. — 60 с.
  34. Глориозов E. JL, Ссорин В. Г., Сыпчук П. П. Введение в автоматизацию схемотехнического проектирования. М.: Советское радио, 1976.-222 с.
  35. Г. А., Шапкин A.A., Шаршев Л. Г. Действие проникающей радиации на радиодетали. М.: Атомиздат, 1971. — 113 с.
  36. А.Б. Проектирование аналоговых интегральных схем: Пер. с англ. / Под ред. Е. Х. Караерова. М.: Энергия, 1976. — 256 с.
  37. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники / Кулаков В. М., Ладыгин В. А., Шаховцев В. И. и др. М.: Советское радио, 1980.-224 с.
  38. Диалоговые системы схемотехнического проектирования / В. И. Анисимов, Г. Д. Дмитревич, К. Б. Скобельцин и др. М.: Радио и связь, 1988. -288 с.
  39. Г. Н., Парфенов В. Г., Сигалов A.B. Метода расчета теплового режима приборов. М.: Радио и связь, 1990. — 312 с.
  40. Г. Н. Применение ЭВМ для решения задач теплообмена. -М.: Высш. шк., 1990. 207 с.
  41. .В. Алгоритмизация формирования моделей транзисторных инжекционных структур // Современные проблемы информатизации в технике и технологиях: Труды VI Международной открытой научной конференции. Воронеж: ВЭПИ, 2001. — С. 35- 36.
  42. .В., Крюков Ю. Г. Конструктивно-технологические критерии оптимизации инжекционных структур // Современные проблемы радиоэлектроники: Сб. научн. трудов / Под ред. A.B. Сарафанова. -Красноярск: ИЦП КГТУ, 2000. С. 159.
  43. .В., Крюков Ю. Г. Статистические характеристики параметров транзисторных инжекционных структур // Проблемы обеспечения надежности и качества приборов, устройств и систем: Межвуз. сб. научн. трудов. Воронеж: ВГТУ, 2000. С. 117−123.
  44. .В., Питолин В. М. Модель инжекционного транзистора, учитывающая влияние внешних факторов // Интеллектуальные информационные системы: Труды Всероссийской конференции. Воронеж: ВГТУ, 2001. Часть 1. С. 100−101.
  45. .В., Питолин В. М. Оптимизация инжекционных структур по конструктивно-топологическим параметрам // Высокие технологии втехнике, медицине, экономике и образовании. Ч. 3.: Сб. научн. трудов. Воронеж: ВГТУ, 2001. С. 82−86.
  46. Б. В. Питолин В.М. Структура подсистемы моделирования эксплуатационных факторов при анализе аналоговых инжекционных ИС // Прикладные задачи моделирования и оптимизации: Сб. научн. трудов. Воронеж: ВГТУ, 2002. С. 88−92.
  47. .В., Питолин В. М. Анализ влияния эксплуатационных факторов на параметры низкочастотной модели инжекционного транзистора // Интеллектуальные информационные системы: Труды Всероссийской конференции. Воронеж: ВГТУ, 2002. Часть 2. — С. 31−32.
  48. Я.Т., Ловченко А. Г. Аналитические зависимости параметров транзисторов от температуры и электрического режима работы в усилительных схемах // Радиоэлектроника. 1967. — Т.22. — № 10. — С. 53−60.
  49. В.Н., Бахов В. А., Камнева Н. Ю., Коган B.J1. Комплекс программ СПРОС для расчёта и оптимизации схем // Изв. вузов. Сер. Радиоэлектроника. 1982. -Т.25. — № 6. — С. 14−19.
  50. В.Н., Коган B.J1. Разработка и применение программ автоматизации схемотехнического проектирования. М.: Радио и связь, 1984.-340 с.
  51. ., Ритчи Д. Язык программирования Си: Пер. с англ. -М.: Финансы и статистика, 1992. 272 с.
  52. Ф.П., Богатырев Ю. В., Вавилов В. А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. Мн.: Наука и техника, 1986. — 254 с.
  53. JI.A. Математическое моделирование теплового режима интегральных полупроводниковых микросхем // Вопросы радиоэлектроники. Сер. ТРТО. 1982. Вып.1. — С. 13−16.
  54. Ю.Н. Теоретические основы конструирования, технологии и надежности радиоэлектронных средств: Учебник для вузов. М.: Радио и связь, 1991.-360 с.
  55. Т.Э., Коган А. Г., Тараторкин A.M. Персональные ЭВМ в инженерной практике. М.: Радио и связь, 1989. — 337 с.
  56. Ю.Г., Ус H.A. Линейные интегральные схемы с инжекционным питанием // Полупроводниковая электроника в технике связи/ Под ред. И. Ф. Николаевского. М., 1984. Вып. 24. — С. 58−68.
  57. Ю.Г., Ус H.A. Схемотехника и автоматизация проектирования линейных интегральных схем с инжекционным питанием. -Воронеж: Изд-во ВГУ, 1990. 168 с.
  58. Ю.Г., Питолин В. М., Шишкин В. М. Красчёту радиационной стойкости низкочастотных гибридных интегральных схем // Межвуз. сб. науч. тр. «Методы и устройства передачи информации по каналам связи». Воронеж, 1979. — С. 109−114.
  59. Ю.Г., Питолин В. М., Шишкин В. М. Прогнозирование радиационной стойкости высокочастотных гибридных интегральных схем // Техника средств связи. Сер. Техника радиосвязи. 1984. Вып. 4. С. 144−148.
  60. Я.Е., Рындин A.A. Оптимальная интеграция алгоритмов и программ проектирования и контроля для разработки эффективных САПР ИЭТ // Изв. вузов. Сер. Радиоэлектроника. 1990. — Т. 33. — № 6. — С. 66−70.
  61. Я.Е., Фролов В. Н. Теоретические основы конструирования, технологии и надежности РЭА. Учеб. пособие для вузов. -М.: Радио и связь, 1986. 176 с.
  62. С.Н., Карумен О. В., Курнаев С. А., Стенин В. Я. Радиационные эффекты в линейных интегральных операционных усилителях // Ядерная электроника / Под. ред. Т. М. Агаханяна. М.: Атомиздат, 1975. -Вып.2. — С. 21−35.
  63. О.Ю., Андреков И. К., Дьячков Б. В. Моделирование тепловых процессов в интегральных схемах с инжекционным питанием // Проблемы обеспечения надежности и качества приборов, устройств и систем.- Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2000. С. 124−127.
  64. Э.А., Мельничук В. В. Влияние расположения коллекторных областей на усилительные и частотные свойства элементов с инжекционным питанием // Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. 1981. Вып. 7. С. 28−32.
  65. Мырова Л.О.,, Чепиженко А. З. Обеспечение радиационной стойкости аппаратуры связи. М.: Радио и связь, 1983. — 216 с.
  66. Л.О. и др . Анализ стойкости систем связи к воздействию излучений / Л. О. Мырова, В. Д. Попов, В. И. Верхотуров. Под ред. К. И. Кукка.- М.: Радио и связь, 1993 268 с.
  67. JI.О., Чепиженко А. З. Обеспечение стойкости аппаратуры связи к ионизирующим и электромагнитным излучениям. М.: Радио и связь, 1988.-296 с.
  68. И.П., Маничев В. Б. Основы теории и проектирования САПР. М.: Высш. шк., 1990. — 335 с.
  69. И.П., Маничев В.Б Системы автоматизированного проектирования электронной и вычислительной аппаратуры. М.: Высш. шк, 1983.-272 с.
  70. Носов Ю. Р, Петросянц К. О, Шилин В. А. Математические модели элементов интегральной электроники. М.: Советское радио, 1976. — 304 с.
  71. Пакет прикладных программ автоматизации схемотехнического проектирования для персональных компьютеров / В. В. Баталов и др. // Микропроцессорные средства и системы. 1988. — № 4. — С. 63−66.
  72. В.П. и др. Общая характеристика ПАЭС- 1 // Автоматизация проектирования в электронике. Киев, 1972. — Вып. 5. — С. 28−35.
  73. Пат. 4 078 208 США, MKU3H03F3/04 (hku330- 296) Схема линейного усилителя со встроенным инжектором тока. / С.М. Hart, A.Slob.
  74. Пат. 2 177 865 Франция, MKU2H04bl/i8// 101*19/00 — НОЗп/00. Линейная электронная интегральная схема с небольшим потреблением мощности / G. Souquet.
  75. Песков М. И, Крыжановский Ю. М, Помазанов Ю. М, Бурин Л. И. Архитектура и состав системы автоматизированного проектирования радиоэлектронной аппаратуры // Вопросы радиоэлектроники. Сер. Общетехническая. 1976. — Вып. 2. — С. 2−7.
  76. В.М., Крюков Ю. Г. Линейная модель биполярного транзистора, учитывающая влияние ионизирующего излучения // Межвуз. сб. науч. тр. «Оптимизация и имитационное моделирование сложных систем». -Воронеж, 1984.-С. 136−140.
  77. М.Ф., Коноплев Б. Г. Конструирование и расчет микросхем и микропроцессоров. М.: Радио и связь, 1986. — 176 с.
  78. Работоспособность МДП приборов при воздействии ионизирующих излучений в реальных условиях эксплуатации / В. Д. Лавренцов, Л. Н. Хорохорина, Ю. П. Юсов // Зарубежная электронная техника. 1991. — Вып. 1- 2 (356- 357). — 101 с.
  79. Радиационная отбраковка полупроводниковых приборов и интегральных схем // А. А. Чернышов, В. В. Ведерников, А. П. Галеев и др. // Зарубежная электронная техника. 1979. — Вып. 5 (200). — С. 3−25.
  80. Радиационные эффекты в КМОП-ИС / А. Ю. Никифоров, В. А. Телец, А. И. Чумаков. М.: Радио и связь, 1994. — 164 с.
  81. В.Д., Блохин С. М. Система P-CAD 8.5. Руководство пользователя. М.: ДМК, ЗНАК, 1997. — 288 с.
  82. В.Д. Применение программ P-CAD и PSpice для с схемотехнического моделирования на ПЭВМ. Вып. 3. Моделирование аналоговых устройств. М.: Радио и связь, 1992. — 120 с.
  83. В.Д. Система проектирования печатных плат ACCEL EDA (P-CAD для Windows). M. :CK Пресс., 1997. — 368 с.
  84. В.Д. Система сквозного проектирования электронных устройств DesignLab 8.0 M.: Солон, 1999. — 789 с.
  85. Ю.С. Применение персональных ЭВМ для диалогового проектирования радиоэлектронных устройств // Прогрессивные методы конструирования и гибкое автоматизированное производство микроэлектронной аппратуры. М.: МДНТП, 1986. — С. 22−34.
  86. В.П. Анализ электронных схем. Киев: Техника, 1964. -199 с.
  87. В.П., Петренко А. И. Алгоритмы анализа электронных схем. М.: Советское радио, 1976. — 608 с.
  88. Система проектирования биполярных радиационно-стойких ИМС/В.Е. Межов, В. К. Зольников, Д. Е. Соловей, А. В. Межов. Воронеж. Воронеж, гос. лесотех. акад., 1998. 258 с.
  89. Системы автоматизированного проектирования в радиоэлектронике: Справочник / А. В. Авдеев, А. Т. Еремкин, И. П. Норенков и др. М.: Радио и связь, 1986. — 368 с.
  90. Современные линейные интегральные микросхемы и их применение: Пер. с англ. под ред. М. В. Гальперина. М.: Энергия, 1980. -273 с.
  91. В.Н., Чепиженко А. З. Радиационные эффекты в биполярных интегральных микросхемах. М.: Радио и связь, 1989. — 144 с.
  92. Н.И., Петросянц К. О. Проектирование цифровых микросхем на элементах инжекционной логики. М.: Радио и связь, 1984. -232 с.
  93. Larin F. Radiation Effects in Semiconductor devices. N.Y.: Yohn Wiley and Sons Inc., 1968. — 292 p.
  94. Program brings analog CAE to personal computer level/Seter Charles// Electron. Des. 1987. — V.35. -№ 20. — P. 99−102.
  95. PSPICE User’s guide. Microsim Corporation // La Cadena Drive, Laguna Hills. 1989. — 450 p.
  96. Un Simulatear analogique pour systems multitechnologies /Benhagoun Eric // Electron Ind. 1987. — № 132. — P. 54−57.о1. ВходО
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?