Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Аномальные кинетические явления в пленках антимонида индия с электронным типом проводимости

Диссертация: Аномальные кинетические явления в пленках антимонида индия с электронным типом проводимости
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Пленки антимонида индия с электронным типом проводимости, выращенные на подложках из монокристаллического кремния, являются, вследствие низкой температуры конденсации (300°), компенсированными, поликристаллическими. Процесс термической перекристаллизации приводит к образованию крупноблочной структуры с макронеоднородностями, представляющими собой низкоомные включения переменного фазового состава… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Обзор литературных данных по методам получения и свойствам пленок n-InSb
    • 1. 1. Современное состояние синтеза тонких пленок n-InSb
    • 1. 2. Электрические и гальваномагнитные эффекты в пленках n-InSb.l
      • 1. 2. 1. Особенности рассеяния носителей заряда в поликристаллических слоях n-InSb
      • 1. 2. 2. Аномалии эффекта Холла и магнетосопротивления в перекристаллизованных слоях n-InSb
    • 1. 3. Особенности характеристик фотопроводимости и поглощения в пленках n-InSb
    • 1. 4. Применение тонких пленок n-InSb
  • Глава 2. Экспериментальные метод-: и объекты исследования
    • 2. 1. Получение пленок n-InSb на подложках из монокристаллического кремния
    • 2. 2. Методика проведения измерений и анализ погрешностей
  • Глава 3. Аномальные явления в пленках n-InSb
    • 3. 1. Аномалии электрических и гальваномагнитных свойств пленок n-InSb
      • 3. 1. 1. Определение параметров и механизмов рассеяния в поликристаллических и перекристаллизованных пленках n-InSb
      • 3. 1. 2. Оценка параметров макродефектов в перекристаллизованных пленках n-InSb из измерений поперечного магнетосопротив

      3.1.3 Расчет значений энергии активации носителей заряда и величины потенциальных барьеров в поликристаллических и перекристаллизованных пленках n-InSb из измерений влияния сильного электрического поля на электропроводность.

      3.2 Анализ факторов, влияющих на аномальное поведение термоэдс в пленках n-InSb.

      3.3 Особенности фотопроводимости и ФЭМ-эффекта в пленках п

      3.4 Вопросы создания некоторых приборов на основе аномальных ления свойств пленок n-InSb

Аномальные кинетические явления в пленках антимонида индия с электронным типом проводимости (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность проблемы.

Уже более тридцати лет развитие физики и технологии тонких полупроводниковых пленок оказывает существенное влияние на успехи современной электронной техники. Изучение электрических, оптических и других физических свойств позволило установить ряд особенностей электронных процессов в тонких пленках.

Особое место в физике тонких пленок занимает вопрос получения слоев со свойствами, близкими к свойствам массивных монокристаллических материалов. В настоящее время разработаны методы выращивания совершенных слоев Ge и Si, достигнуты значительные успехи в создании монокристаллических пленок соединений групп AmBv и AUBVI.

Среди данных материалов соединения АШВУ представляют собой особый интерес. Они технологичны, характеризуются большими значениями подвижности электронов и дырок, широким диапазоном ширины запрещенной зоны, могут быть легированы до высоких концентраций акцепторов и доноров. На основе этих слоев созданы приборы, не уступающие по своим характеристикам приборам, изготовленным из монокристаллов.

Однако, в последнее время было замечено, что пленки соединений AHIBV и, в частности, антимонид индия, обладают, в зависимости от ряда факторов, аномальными свойствами, к которым относятся эффект Холла, магнетосопротивление, термоэдс, фотопроводимость. Эти данные можно использовать для создания принципиально новых приборов. Особый интерес представляет вопрос изучения влияния подложки на структуру и свойства слоя. Нами в качестве подложки использовался кремний — материал, широко используемый в микроэлектронике. Было известно, что подложка из монокристаллического кремния оказывает существенное влияние при получении пленок антимонида индия с электронным типом проводимости на формирование и свойства слоя (образование специфических макродефектов, и, как 5 следствие, появление аномального эффекта Холла). Однако многие физические явления в этих пленках до настоящего времени не изучены. Также были изучены ранее свойства поликристаллических пленок антимонида индия с электронным типом проводимости, выращенных на подложках из монокристаллического кремния при температурах подложки 450.500°С. Вместе с тем, поликристаллические пленки антимонида индия с электронным типом проводимости, выращенные на подложке из монокристаллического кремния, полученные при температуре подложки ~300°С, являются компенсированными и их свойства не изучены. Приведенные факты свидетельствуют об актуальности настоящего диссертационного исследования.

Цели и задачи исследования. Целью настоящей работы является исследование кинетических явлений в пленках антимонида индия с электронным типом проводимости, выращенных на подложках из монокристаллического кремния, для выяснения специфических особенностей их свойств и возможности создания приборов на их основе.

В соответствии с целью были сформулированы следующие задачи:

1. Получить компенсированные слои антимонида индия n-типа проводимости методом дискретного испарения с последующей термической перекристаллизацией на подложках из монокристаллического кремния.

2. Выяснить влияние дефектов структуры на электрические, гальваномагнитные, термоэлектрические и фотоэлектрические свойства пленок антимонида индия с электронным типом проводимости в диапазоне температур 77−350К.

3. Показать возможности создания принципиально новых приборов на основе поликристаллических и перекристаллизованных пленок антимонида индия с электронным типом проводимости.

Объект и методы исследования. Объектами исследования в данной работе являются компенсированные пленки антимонида индия с электронным типом проводимости, выращенные методом дискретного испарения с 6 последующей термической перекристаллизацией на подложках из монокристаллического кремния.

Научная новизна. В работе впервые:

1. Установлено, что процесс термической перекристаллизации поликристаллических пленок антимонида индия с электронным типом проводимости, выращенных на подложках из монокристаллического кремния методом дискретного испарения при температуре конденсации 300 °C, приводит к образованию крупноблочной структуры с макронеод-нородностями, вследствие чего подвижность носителей заряда, фоточувствительность возрастают в 3.5 раз, а степень компенсации уменьшается от 0.8 до 0.5.

2. Показано, что потенциальные барьеры, возникающие на границе зерен в поликристаллических образцах антимонида индия с электронным типом проводимости приводят к аномальному возрастанию термоэдс (до 800 мкВ/К) в области комнатных температур.

3. Показано, что возникающая на границе пленки и подложки гетерострук-тура n-InSb-p-Si., осуществляет эффективное разделение носителей заряда, вследствие чего фотопроводимость образцов положительна, в отличие от монокристаллов и слоев, выращенных на диэлектрических подложках.

Практическая значимость. Полученные результаты исследования влияния сильного электрического поля на механизм токопрохождения в перекристаллизованных пленках антимонида индия с электронным типом проводимости использованы при разработке пленочного датчика электрического поля, на что получен патент на изобретение № 2 148 791.

Основные положения, выносимые на защиту. 1. Особенности структуры перекристаллизованных пленок антимонида индия с электронным типом проводимости, полученных термической перекристаллизации поликристаллических образцов, обусловлены концентрационным переохлаждением и образованием областей нестабильного расплава. 7.

2. В исследованных температурных интервалах механизмом рассеяния носителей заряда является комбинированное рассеяние на тепловых колебаниях решетки и атомах ионизированной примеси, при этом холловская подвижность (цх)~Т0,7 и Т0'12 (77−220 К) и цх~Т" и и Г0'4 (>280 К) для поликристаллических и перекристаллизованных слоев соответственно.

3. Структурные неоднородности поликристаллических и перекристаллизованных слоев антимонида индия с электронным типом проводимости приводят к аномалиям свойств: уменьшение подвижности с понижением температуры (77.250К), неомичности ВАХ в полях 8. 10 В/см, возрастанию термо-эдс до 800 мкВ/К в области комнатных температур.

Апробация работы. Результаты исследований докладывались на IV Всероссийской конференции по физике полупроводников в г. Новосибирске (1999) и II Международной конференции в г. Саранске (1999), на семинаре кафедры физики полупроводников и микроэлектроники ВГУ (2000), на семинаре кафедры экспериментальной физики ВГУ (2000).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 9 работ, включая три статьи в центральной прессе, одно изобретение.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, трех глав, раздела «Выводы», списка цитируемой литературы из 161 наименования. Общий объем работы составляет 108 страниц, включая 32 рисунка, 2 таблицы.

Выводы.

1. Пленки антимонида индия с электронным типом проводимости, выращенные на подложках из монокристаллического кремния, являются, вследствие низкой температуры конденсации (300°), компенсированными, поликристаллическими. Процесс термической перекристаллизации приводит к образованию крупноблочной структуры с макронеоднородностями, представляющими собой низкоомные включения переменного фазового состава InSb+In.

2. Механизмом рассеяния заряда является комбинированное рассеяние на тепловых колебаниях решетки и атомах ионизированной примеси, так.

0 7 0 12 как в области температур 77−220К холловская подвижность (ц.х)~Т ' и Т ' для поликристаллических и перекристаллизованных слоев соответственно, а при Т>280К цх~т''3 и Т" 0'4 для тех же образцов.

3. Межкристаллитные потенциальные барьеры в поликристаллических образцах и на границе матрица-неоднородность в перекристаллизованных пленках составляют 0,03эВ и приводят к отклонению от закона Ома в полях 8. 10 В/см. В поликристаллических пленках наблюдается аномальный рост термоэдс (до 800мкВ/К) в области комнатных температур вследствие влияния тех же барьеров.

4. Исследования влияния сильного электрического поля на механизм токопрохождения в перекристаллизованных пленках антимонида индия с электронным типом проводимости привели к созданию пленочного датчика электрического поля с плотностью тока j=(2.9.3.0)-104А/см2 при Е=30.40 В/см.

Заключение

.

Приведенные результаты показывают, что свойства пленок n-InSb, выращенных на подложках из монокристаллического кремния, существенно отличаются от свойств монокристаллов.

Установлено, что данные слои обладают рядом аномальных свойств, обусловленных влиянием неоднородностей, межкристаллитных прослоек, уровнем легирования и т. д. В ряде случаев существенное влияние оказывает гетероструктура n-InSb-p-Si, образующаяся на границе пленки и подложки.

Нами рассмотрены возможности использования перекристаллизованных пленок n-InSb в качестве пленочного датчика электрического поля и модуляторов микроволнового и ИК-излучения.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Физика тонких пленок / Под ред. Т. Хааса и Р.Э. Туна- Пер. с англ.- М.: Мир, 1966−1978.-230с.
  2. JI.C., Фукс М. Я., Косевич В. М. Механизм образования и субструктуры конденсированных пленок. М.: Наука, 1972.-142с.
  3. Ю.З., Лурье М. С., Старое В. Г., Филаретов Т. А. Вакуумное нанесение пленок в квазизамкнутом объеме. М.: Сов. радио, 1975.-180с.
  4. Технология тонких пленок: Справочник/ Под ред. Майссела, Р. Гленга- Пер. с англ. М.: Сов радио. 1977.-270с.
  5. Э.И. Кристаллизация и термообработка тонких пленок. -Минск: Наука и техника, 1976.-222с.
  6. Л.Н. Кинетика кристаллизации и перекристаллизации полупроводниковых пленок.- Новосибирск: Наука, 1985.- 316с.
  7. Л.С., Сорокин В. К. Основы пленочного полупроводникового материаловедения. М.: Энергия, 1973.- 274с.
  8. Wieder Н.Н. Intermetallic Semiconducting films. Oxford: Pergamon press, 1970.
  9. Л.С., Папиров И. И. Эпитаксиальные пленки. М.: Наука, 1971.-232с.
  10. Ю.Александров Л. Н. Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок. Новосибирск: Наука, 1978.- 340с.
  11. П.Конозенко И. Д., Михновский С. Д. Структура и электрические свойства тонких слоев InSb// Изв. АН СССР. Сер. физ. 1956. Т. 20. С. 1486−1490.92
  12. С.А., Розенвал М. Электрографическое исследование InSb// Кристаллография. 1957 Т.2. С. 287−288.
  13. Г. А., Пинскер З. Г. Исследование тонких пленок, полученных испарением InSb в вакууме.// ЖТФ. 1958. Т.28. С. 2130−2134.
  14. С.А. Новый метод металлографического исследования сплавов. М.: ОГИЗ, 1944.- 276с.
  15. В.А., Сыноров В. Ф. Получение и исследование интерметаллических соединений в тонких слоях// ЖТФ. 1957. — Т. 27. — С. 123−126.
  16. Г. А., Пинскер З. Г. Исследование тонких слоев переменного состава системы индий -сурьма// ЖТФ. 1958. — Т.28. — С. 29−34.
  17. К. Испарение и взаимодействие элементов// Полупроводниковые соединения AHIBV/ Под ред. Р. Виллардсона и X. Геринга- Пер. с англ. -М.: Металлургия, 1967. — С. 443−462.
  18. Gunther K.G. Aufdampfschichten aus halbleitenden III-IV verbindungen// Z. Naturforshung. 1958. — Vol. 13 A. — P. 1081−1089.
  19. Hanlein W., Gunther K.G. Advances in vacuum science and technology. N.Y.: Pergamon Press, I960,.- Vol. 2. — P.727−733.
  20. Gunther K.G., Freller H. Feigenschaften aufgedampfter InSb und InAs schich-ten//Z. Naturforshung. 1961. — Vol. 16 A. — P. 279−283.
  21. C.A., Агаларзаде П. С. Структура и электрические свойства тонких пленок InSb// Кристаллография. 1964. — Т.9. — С. 490−497.
  22. Hawson R.P., Molina V. Getter evaporation of thin films of III-V semiconductors// Proc/ Intern. Conf. on the Phys and Chem. Semicond. Heterojunc. and Layer Structures. Budapest: Akademici Kiado, 1971. — Vol. 3.-P. 141−151.
  23. B.E., Сиротченко И. Т. О холодном распылении монокристаллических сфер//ЖЭТФ. 1961. — Т. 41. — С. 1359−1364.
  24. Moulton С. Sputtered III-V intermetallic films// Nature 1962. — Vol. 195, № 4848. -P.71−72.
  25. Cervenac J., Zivcakova A., Bush J. Structure and electrical properties of InSb thin films prepared by plasmatic sputtering// Czhech. Journ. Phys. 1973. — Vol. B. 20. -P.84−93.
  26. Green J.E. Wickersman C.E. Structural and electrical characteristics of InSb thin films grown by rf sputtering// Journ. Appl. Phys. 1976. — Vol. 47, № 8. — P. 3630−3639.
  27. Webb J.B., Halpin C. Deposition of indium antimonide films by metalorganic magnetron sputtering// Appl. Phys. Lett. 1985. — Vol. 47., № 8. — P. 831−833.
  28. Webb J.B., Halpin C. Wood J.P. The structural and compositional characterisation of InSb films prepared by metalorganic magnetron sputtering// Journ. Appl. Phys. 1986. — Vol. 60., № 8. — P. 2949−2953.94
  29. В.А., Кот М.В. Электрические свойства тонких слоев антимонида индия// Тез. докл. на Всесоюз. совещании по полупроводниковым соединениям. Л.: Изд-во АН СССР, — 1961. — С. 37.
  30. В.А., Кот М.В. Технология получения и электрические свойства тонких слоев InSb с большой подвижностью электронов// Тр. по физике полупроводников/ Кишиневский гос. ун-т. Вып. 1. Кишинев, 1962. — С. 57−69.
  31. В.А., Кот М.В. Некоторые оптические и электрические свойства тонких слоев антимонида индия// Изв. вузов Сер. Физика. 1963, Вып.5. -С. 14−20.
  32. В.А., Кот М.В. О влиянии структуры слоя на величину подвижно-стей носителей тока в пленках антимонида индия// Изв. АН. СССР Сер. Физ. 1964, — Т.28. — С.993−995.
  33. Wieder Н.Н. Crystallization and properties of InSb films grown from a nonstoi-chiometric liquid// Sol. Stat. Comm. 1965. Vol.3. — P.1231−1232.
  34. Spivac J.F., Carrol J.A. High mobility InSb thin films by recrystallization// Journ. App. Phys. 1965. Vol. 36. — P.2321−2322.
  35. Carrol J.A., Spivac J.F. Preparation of high mobility InSb films// Sol. Stat. Electron. 1966. — Vol. 9. — P. 383−387.95
  36. Wieder H.H. Galvanomagnetic properties of rocrystallised dentritic InSb films// Sol. Stat. Electron. 1966. — Vol.9. — P. 373−382.
  37. B.A., Никольский Ю. А., Пасечник Ф. И. Структура и электрофизические параметры монокристаллических пленок антимонида индия и системы InSb-GaSb// Тр. по физике полупроводников/ Кишиневский гос. ун-т. Вып.2 Кишинев, 1969. — С.84−92.
  38. B.A., Никольский Ю. А., Пасечник Ф. И. Монокристаллические пленки InSb// Изв. вузов. Сер. Физика. 1969. — Вып. 7. — С. 127−128.
  39. Kassyan V.A., Pasechnik F.I. The thermal recrystallization as a metod for preparation of high quality single crystal InSb films// Intern. Conf. on crystal growth. Collected abstracts. Tokyo, 1974. — P. 115−116.
  40. B.A., Пасечник Ф. И. Условия роста монокристаллических пленок антимонида индия на диэлектрических подложках.// Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, Наука, 1975, — 4.2. С.290−294.
  41. Kassyan V.A., Pasechnik P.I. Investigation of the transport properties of InSb single crystal films obtained by directional crystallization// Thin Sol. Films.1976.-Vol. 33.-P. 219−230.
  42. Teede N.F. Single crystal InSb films by electron beam recrystallization// Sol. Stat. Electron. 1967. — Vol.10. — P. 1069−1076.96
  43. Teede N.F. Structural and electrical properties of electron beam zone recrystal-lized indium antimonide thin films.// Proc/ I.R.E. Australia. 1967. — P. 115−117.
  44. Namba S., Kawazu A., Kanekama N. et a.l. Crystallization of vacuum-deposited indium antimonide films by the electron beam zone melting process.// Jap. Journ. Appl. Phys. 1967. — Vol. 6. — P.1464−1465.
  45. Wiliamson W.J. Microzone melting of InSb films using a hot wire// Journ. Vac. Sci. Techn. 1969. — Vol.6. — P.765−769.
  46. JI.С., Папиров И. И. Эпитаксиальные пленки. М.: Наука, 1971.
  47. JI.H. Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок. Новосибирск: Наука, 1978.- 324с.
  48. Проблемы эпитаксии полупроводниковых пленок/ Под ред. JI.H. Александрова. Новосибирск: Наука, — 1972.- 214с.
  49. Полупроводниковые пленки для микроэлектроники/ Под ред. JI.H. Александрова и В. И. Петросяна. Новосибирск: Наука, — 1977.- 316с.
  50. JI.H. Кинетика образования и структура твердых слоев. Новосибирск: Наука, — 1972.- 246с.
  51. Melngailis I., Calava A.R. Solution regrowth of planar InSb laser structures// Journ. Electrochem. Soc. 1966,. — Vol. 113. — P.186−199.97
  52. О.В., Марамзина М. А. Фотодиоды с фильтрующим п-слоем// ФТП. 1969. — Т. З, вып. 11. — С. 1736−1740.
  53. Kanzaki К., Yahata A., Miyac W. Properties of InSb photodiodes fabricated by liquid phase epytaxy// Jap. Journ. Appl. Phys. 1976. — Vol. 15, № 7. — P.1239−1244.
  54. Ludowise M.J. Metalogranic chemical vapor deposition of III-V semiconductors//Journ. Appl. Phys. 1985.- Vol.58, № 8. — P.31−35.
  55. Khan J.H. Epitaxial growth of indium antimonide films as studied in situ by electron diffraction// Surface Sol. 1968. — Vol.9. — P.386−394.
  56. Holloway H., Richards J.L., Bobb L.G. et al.// Oriented growth of semiconductors. IV. Vacuum deposition of epitaxial indium antimonide.// Journ. Appl. Phys. 1966. — Vol.37, № 13. — P. 4684−4693.
  57. B.A., Кетруш П. И., Пасечник Ф. И. и др. Диодные структуры типа кристалл пленка на основе InSb// Микроэлектроника. — 1975.- Т.4, вып.З. — С.275−277.
  58. П.В., Касьян В. А., Кетруш П. И. Гетеропереходы между соединениями АШАУ и AUAIV// Фотоэлектрические свойства гетеропереходов. -Кишенев: Штиинца, 1960. — С. 98−109.
  59. Rabin В., Scharager С., Haege-Ali М. et al. CdTe-InSb heterojunctions. An investigation by electrical measurements and by secondary ion mass spetroscopy// Phys. Stat. Sol. (a). 1980. — Vol. 62, № 1. — P. 237−242.
  60. Janoi М., Takuje Т., Kimate М. Heteroepitaxial InSb films grown by molecular beam epitaxi// Phys. Stat. Sol. 1979. — Vol. 54, № 2. — P. 707−713.
  61. Oe K., Ando S., Sygiyama K. RHEED study of InSb films grown by molecular beam epitaxi// Jap. Journ. Appl. Phys. 1980. — Vol.19, № 7. — P. L417-L420.
  62. Yata M. Growth kinetics of InSb thin films on Si (100) surfaces by Ini and Sb4 molecular beams//Thin Sol. Films. 1986. -Vol.137, № 1, — P.79−87.
  63. О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп. М.: Мир. — 1967.-462с.
  64. Ling С.Н., Fisher J.H., Anderson J.C. Carrier mobility and field effect in indium antimonide film// Thin. -Sol. films. 1972. — Vol. 14. — P.267−288.
  65. Anderson J.C. Conduction of thin semiconductor films// Adv. Phys. 1970. -Vol.19, № 79. -P.311−338.
  66. В.А., Кот М.В. Электрические свойства тонких слоев антимонида индия// Уч. зап. Кишиневского гос. ун-та. -1961. Т.49. — С.69−77.
  67. Hanus W., Oszwaldowski Н. Influence of point defect of the electrical properties of melt-grown InSb thin films. -Thin Solid Films, 1979, — v.61, N 2, -p.235−239.99
  68. Van Calster A. and Reusens P. The variations of resistivity with temperature for n-type degenerate indium antimonide films. -Thin Solid Films, 1977, — v.44, N 1, — P.21−29.
  69. K.B., Гуляев A.M., Тарасов В. Л., Шнитников А. С. Электрические свойства слоев антимонида индия. Электронная техн., сер. 14. Материалы, — 1969, — в.2, — С.77−83.
  70. Husa S. The Hall coefficient factor of indium antimonide thin films. -Proc. 7lh Intern. Vac. Cong, and 3rd. Intern. Conf. Solid Surf. Vienna, — 1977, — P. 18 371 840.
  71. Anderson J.C. Barrier-limited mobility in thin semiconductor films. -Thin Solid Films, 1973, v. 18, No 2, p.239−245.
  72. M.X., Джонсон Дж.Е. Получение и свойства полупроводниковых пленок.// Физика тонких пленок/ Пер. с англ.- Под ред. Г. Хасса и Р. Э. Туна. М.: Мир, — 1972, — т.5. — С. 140−244.100
  73. Le Contelles M., and Richard J., Henaff J. The influence of recrystalline barriers and Dislocations on the electron mobility of InSb thin films. //Thin Solid Films, 1976, — v.36,No 1,-P.151−155.
  74. Siegel W., Kuhnel G., Shneider H.A. On the determination of the carrier conce-tration in large-grain polycrystalline InP, GaAs and GaP by Hall effect measurements// Phys. Stat. Sol. (a). 1985. — Vol.87. — P.673−681.
  75. О.Г., Варламов B.A. Влияния степени легированияна свойства тонких слоев антимонида индия//В сб. Диэлектрики и полупроводники -Киев,-1976-в.Ю-С.76−79.
  76. Ю.А. Аномальный эффект Холла в пленках антимонида индия, выращенных на подложках из окисленного кремния// ФТП, 1990-том 24, вып. 7, — С. 1322−1325.
  77. Hanus W., Oszwaldowski M. Influence of point deffects on electrical properties of melt-grown InSb thin films.// Thin Sol. Films. 1979. — Vol. 61. — P.235−239.101
  78. Goc J., Oszwaldowski M., Szweycer M. Doping of InSb thin films with elements of groups II and VI// Thin Sol. Films. 1986. — Vol. 142. — P. 237−240.
  79. А.Б. Получение и исследование электрических свойств пленок InSb на ферромагнитных основаниях: Автореф. дис.. канд. физмат наук Ашхабад. 1982 г.
  80. Wieder H.H. Anomalous transverse magnetoresistence of InSb films// Journ. Appl. Phys. 1969. — Vol. 70, № 8. — P.3320−3325.
  81. Clawson A.R., Wieder H.H. Electrical and galvanomagnetic properties of InSb single crystall dendrides// Sol. Stat. Electror. 1967. — Vol.10. — P.57−67.
  82. Shhonwald H. Die Beweglichkeit der lagsamen und schnellen Locher in Indiu-mantimonid. -Zs. Naturforschung. 1964, — Bd 19 a, h. l 1, — s. 1276−1296.
  83. Ling C.H. Corbino magnetoresistance in thin indium antimonide films. -Thin Solid Films, 1973, — V. 16, № 2. — P. 199−204.
  84. В.А. Фотопроводимость тонких слоев антимонида индия// ФТТ, 1963 — том 5, вып. 7- С. 1245−1227.
  85. Nikam P. S., Pawar R.R. Electrical properties of codeposited In-Sb thin films// Indian Journal of Pure and Applied Physics. 1991. — Vol. 29. — P.263−266.
  86. Ю.А. Отрицательная фотопроводимость в пленках n-InSb// ФТП, 1994 — том 28, вып. 11 — С. 1972−1974.
  87. А.Г. и др. Электрические и фотоэлектрические свойства легированных тонких слоев InSb// Неорганические материалы 1996- том 32, № 4 — С. 398−404.102
  88. А.Е. и др. Межзонное поглощение в пленках антимонида индия в ИК области спектра// Микроэлектроника 1980 — том 9, вып. 1, — С. 7982.
  89. В.А., Кот М.В. Датчики ЭДС Холла из тонких слоев антимонида индия// Новые датчики Холла и термосопротивления из полупроводниковых соединений: Экспресс-конференция ГК СМ МССР по координации научно-исследовательских работ. Кишинев — 1962 С.3−11.
  90. Gunther K.G., Freller Н. Neuartige Hallgeneratoren mit aufgedampfter Hal-bleiterschiht// Siemens-Zeitschr. 1962. — Vol. 36. — P.728−734.
  91. В.А., Пасечник Ф. И. Высокочувствительные генераторы э.д.с. Холла из монокристаллических пленок InSb// Тр. по физике полупроводников/ Кишиневский гос. ун-т. Вып. 3. Кишинев. 1971. — с.95−102.
  92. Tetsu Ое, Nobuo Kotera, Janji Shigete et al. Microzone recristallization of InSb thin films for Hall effect magnetic heade// Jap. Journ. Appl. Phys. 1978. -Vol. 17, № 2,-P.407−412.103
  93. С., Аллабареков С, Алланазаров А. и др. Тонкопленочные датчики Холла из InSb// Изв. АН ТССР. Сер. физ-техн., хим., геолог, наук-1977. -№ 5. -С.111−112.
  94. Nadkarni G. S, Simoni A. Fabrication of high sensetivity thin-film indium antimonide magnetoresistors// Sol. Stat. Electron. 1975. — Vol.18. — P.393−397.
  95. Ю.А. Исследование свойств пленок системы InSb-GaSb. Дис, .кан. физ-мат. наук Кишинев, 1971.
  96. Ф.И. Исследование явлений переноса в монокристаллических пленках антимонида индия: Дисс.канд. физ-мат. наук. Кишинев, 1971.
  97. Issi М, Fukunaka Т., Oshita М. Influence of thickness on the galvanomag-netic properties of thin InSb films for highly sensetive magnetoresistence elements//Jourrn. Appl. Phys. 1986. — Vol.59, № 8. — P.2845−2848.
  98. A.H., Ивин Г. Ф. Магниторезистентная матрица на основе ге-тероэпитаксиальной структуры InSb-GaAs// Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1986. — Вып. 3(182). — С.79−82.
  99. В.А., Кетруш П.И. S-диоды с эпитаксиальной пленкой из InSb// Неравновесные процессы в полупроводниках и диэлектриках. Кишинев: Штиица- 1983. С. 87−92.
  100. В.И., Каракушан Э. И. Магнитодиоды. Новые полупроводниковые приборы с высокой чувствительностью к магнитному полю. М.: Наука, — 1975.- 246с.
  101. И.И. Тензоэффект поликристаллических пленок антимонида индия и антимонида галлия// Тез. докл. на IV Всесоюз. конф. по полупроводниковой тензометрии. Львов, 1969. — С. 26−27.104
  102. Ю.А. Датчик деформации. Патент № 2 087 052. Заявл. 02.07.93. Опубл. 10.08.97. Бюл. № 22.
  103. Ю.А. Фоторезистор. Патент № 2 095 887. Заявл. 21.03.95. Опубл. 10.11.97. Бюл. № 31.
  104. Ю.А. Микротермоэлектрогенератор. Патент № 2 130 216. Заявл. 26.11.96. Опубл. 10.05.99. Бюл. № 13.
  105. Ю.А. Магниторезистивный элемент. Патент № 2 053 587. Заявл. 23.04.93. Опубл. 27.01.96. Бюл. № 3.
  106. Wieder Н.Н. Clawson A.R. Structure and galvanomagnetic properties of two-phase recrystallised InSb-In layers// Sol. Stat. Electron. 1965. — Vol. 8. -P.467−471.
  107. Herring C. Effect of random inhomogenities on electrical and galvanomag-netical measurements// Journ. Appl. Phys. 1960. — Vol. 31. — P. 1939−1952.
  108. Potter R.F., Kretschmar G.G. Optical properties of evaporated InSb films. J. Opt. Soc. Amer. 1961 — V.51, № 6 — P.693−696.
  109. K.B. Физика полупроводников. -M. Энергоатомиздат, 1985. -392 с.
  110. С.И. Методы измерения основных параметров полупроводников. Воронеж. Изд-во ВГУ, 1989. -224с.
  111. А.Н. Баранов и др. Исследование структурных дефектов в эпитаксиаль-ных слоях арсенида индия.// ФТП. -1992. том. 26. — вып. 9. С. 1452−1456.
  112. Е.В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. М.,-1990.-264 с.105
  113. Wolfe C.M., Stillman G.E. Apparent Mobility Enhancement in Inhomo-geneus Crystals// Semiconductors and Semimetals. Transport Phenomena. New York. Acodemic Press, 1975. V. 10. — P. 175−220.
  114. Webb J.B., Paiment M.B. Observation of transvers negative magnetoresis-tance in heteroepitaxial films InSb on GaAs// Solid State Commun. 1989. -72, N10-C.871−874.
  115. В.И. Сильно легированные полупроводники М.:Наука. -1964−310с.
  116. Petriz R.L. Photoconductivity in thin polycristalline films// Phys. Rev. -1956.-V.104. N.6.-P. 1508−1513.
  117. Г. М., Ноздрин Ю. Н., Окомельков A.B., Шастин В. Н. Исследования n-HgTe в сильных электрических полях// ФТП-1990. -Т.24. вып. 9, -С.1616−1617.
  118. М.К., Маркович И. В., Хвостов В. А. Модель остаточной проводимости в полупроводниках и ее параметры в CdS:Ag:Cl// ФТП. -1971, Т.5. вып. 10. — С.1904−1910.106
  119. В.Б., Ждан А. Т., Мессеерер М. А., Гуляев И. Б. Механизм замороженной (остаточной) проводимости в полупроводниках// ФТП. -1973. -Т.7. вып. 7. С.1314−1323.
  120. Шик, А .Я., Вуль, А .Я. Долговременные релаксации проводимости в полупроводниках// ФТП. 1974. -Т.8. — вып.9. — С.1675−1682.
  121. О.Б., Гашимова Т. Ш., Аскеров И. М. Исследование влияния сильного электрического поля на электропроводность монокристаллов MnGaInSu:Eu// ФТП. 1998. — Т.32, вып. 6. — С. 701−702.
  122. Н.С., Герасименко JI.A., Гоглидзе Т. И. Физика полупроводников и диэлектриков. Кишинев, Штиица, 1992 — С. 83.
  123. С.Е., Никольский Ю. А. Аномальная термоэдс в пленках антимонида индия// Конденсированные среды и межфазные границы.-1999.-Т. 1.-№.3, С.280−282.
  124. С.Е., Никольский Ю. А. Аномальные явления в пленках антимонида индия// IV Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники 99»: Тез. докл.- Новосибирск, 1999, С. 204.
  125. О.В. Емельяненко, Ф. П. Кесаманлы К вопросу о методике экспрессных прецизионных измерений термоэдс полупроводников// ФТТ, -1960 т.2 -С. 1494−1496.
  126. Ю.А. Бойков, В. А. Данилов, О. М. Кусаинов, В. А. Кутасов. Зависимость анизотропии термоэдс пленок РЬТе от проводимости приповерхностного слоя//ФТП, т.25, вып.7 — 1991. — С. 1246−1248.
  127. Буш Г., Винклер У. Методы определения основных параметров полупроводников. М., 1959. — 132 с.107
  128. Бонч-Бруевич В.А., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977.-670 с.
  129. Разработка технологии и исследование свойств пленок полупроводниковых соединений для создания новых типов фотоэлектрических приборов: Отчет о НИР (заключительный)/ СКТБ «Оптоэлектроника».- № 77 029 837.-Кишинев- 1980. 124 с.
  130. В.Н., Огрин Ю. Ф., Челышков С. П. Холловская подвижность поликристаллических пленок в сильных электрических полях/ В сб. Вопросы пленочной электроники. М.- 1966.- С.423 426.
  131. С.Е., Никольский Ю. А. Особенности механизма токопрохожде-ния в пленках n-InSb// Вестник ВГТУ. Сер. «Материаловедение».-1998, -Вып.1.3.- С.90−92.
  132. Ю.А., Зюзин С. Е. Перколяционная проводимость в пленках антимонида индия // II Международная научно-техническая конференция «Проблемы и прикладные вопросы физики»: Тез.докл.- Саранск, 1999.-С.162.
  133. А.В. Гетеропереходы на основе полупроводниковых соединении AnBVI. Кишинев: Штиинца, — 1980, — 350 с.
  134. Wieder Н.Н., Davis N.M. Transverse Hall coefficient and magnetoresistance of two-phase InSb-In layers// Solid State Electronics. 1965. — V.8 — P. 605 610.
  135. Ш. Б., Онаркулов К. Э. О перколяционной проводимости фоточувствительных химически осажденных слоев сернистого свинца // ФТП, 1985, — Т. 19, — Вып. 7, — С. 1324 — 1326.108
  136. О.В., Дрозд И. А., Стафеев В. И. Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок Pb.xSnxS и структур на их основе// ФТП, -1992, -Т.26, Вып. З, — С.510−515.
  137. Н. Электроны в неупорядоченных структурах М.:Мир 1969. -230с.
  138. Ю.А., Зюзин С. Е. Фоторезисторы и фототензорезисторы на основе тонких пленок n-InSb// II Международная научно-техническая конференция «Проблемы и прикладные вопросы физики»: Тез.докл.- Саранск, 1999.-С. 154.
  139. С.Е., Никольский Ю. А. Фотоэлектрические явления в пленках антимонида индия// Конденсированные среды и межфазные границы.-2000. -Т.2. № 2, — С.187−189.
  140. С.Е., Никольский Ю. А. Пленочный датчик электрического поля. Патент № 2 148 791.
  141. Ю.А., Зюзин С. Е. Кинетические явления в компенсированных пленках n-InSb// Конденсированные среды и межфазные границы.-2000.1. Т.2.-№.3, С.252−254.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?