Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Электронно-тепловая модель эффектов переключения и памяти, основанная на многофононной туннельной ионизации U-минус центров в халькогенидных стеклообразных полупроводниках

Диссертация: Электронно-тепловая модель эффектов переключения и памяти, основанная на многофононной туннельной ионизации U-минус центров в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Нелинейность ВАХ халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) и эффект переключения впервые наблюдались в начале 1960;х годов, однако механизм нелинейности вольтамперных характеристик халькогенидов, а также физика эффекта переключения остаются неизвестными до настоящего времени. Были предложены различные модели эффекта переключения, однако ни одна из моделей не может описать всю… Читать ещё >

Содержание

  • 1. Обзор литературы
    • 1. 1. Эффекты переключения и памяти
      • 1. 1. 1. Введение
      • 1. 1. 2. Экспериментальные характеристики эффекта переключения
      • 1. 1. 3. Память с изменяемым фазовым состоянием
    • 1. 2. Структура материалов системы СеБЬТе
      • 1. 2. 1. Введение
      • 1. 2. 2. Структура кристаллической фазы Ое28Ь2Те
      • 1. 2. 3. Структура аморфной фазы СегвЬгТез
      • 1. 2. 4. Зонная структура ОегЗЬгТез
    • 1. 3. Электрические свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников в слабом электрическом поле
      • 1. 3. 1. Нелегируемость
      • 1. 3. 2. Локализованные состояния
      • 1. 3. 3. Состояния с отрицательной корреляционной энергией электронов
    • 1. 4. Нелинейность вольтамперной характеристики в сильном электрическом поле
    • 1. 5. Модели эффекта переключения
      • 1. 5. 1. Тепловая модель
      • 1. 5. 2. Феноменологическая электронно-тепловая модель
      • 1. 5. 3. Электронные модели
      • 1. 5. 4. Модель, основанная на ударной ионизации в структуре с Ц-минус центрами
      • 1. 5. 5. Модель, основанная на прыжковой проводимости по локализованным состояниям
      • 1. 5. 6. Модель нуклеации

Электронно-тепловая модель эффектов переключения и памяти, основанная на многофононной туннельной ионизации U-минус центров в халькогенидных стеклообразных полупроводниках (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

В настоящее время ведущие мировые производители элементов памяти активно разрабатывают технологию памяти с изменяемым фазовым состоянием, в основе которой лежит фазовый переход халькогенидное стекло — кристалл. По сравнению с наиболее распространенной сегодня флэш-памятыо, память с изменяемым фазовым состоянием имеет значительно более высокую скорость записи, выдерживает приблизительно в 10 тысяч раз больше циклов перезаписи и потенциально может иметь более высокую плотность записи информации.

Запись информации в памяти с изменяемым фазовым состоянием происходит на фоне сильной нелинейности вольтамперной характеристики (ВАХ) и эффекта переключения, который заключается в том, что тонкая пленка халькогенидного стеклообразного полупроводника в сильном электрическом поле скачком переходит из состояния с высоким сопротивлением в проводящее состояние. Эффект переключения также используется в электронных переключателях, для которых характерны высокая плотность тока в открытом состоянии и высокая скорость переключения.

Нелинейность ВАХ халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) и эффект переключения впервые наблюдались в начале 1960;х годов, однако механизм нелинейности вольтамперных характеристик халькогенидов, а также физика эффекта переключения остаются неизвестными до настоящего времени. Были предложены различные модели эффекта переключения, однако ни одна из моделей не может описать всю совокупность экспериментальных характеристик эффекта переключения, а следовательно, не может претендовать на целостное описание процессов, происходящих при переключении. Очевидно, что понимание механизмов нелинейной проводимости халькогенидов в сильных электрических полях и эффекта переключения может сделать существенный вклад в физику неупорядоченных полупроводников. Кроме того понимание происходящих при записи процессов необходимо для разработки элементов памяти с изменяемым фазовым состоянием и переключателей на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников, а также численного моделирования их характеристик.

В слабых электрических полях халькогенидные стеклообразные полупроводники демонстрируют ряд уникальных свойств, а именно нелегируемость, проводимость с энергией активации порядка половины ширины запрещенной зоны и отсутствие парамагнетизма. Для объяснения этих свойств Андерсоном была предложена модель состояний с отрицательной корреляционной энергией электронов, которые также называют и-минус центрами. Такие центры закрепляют положение уровня Ферми между уровнями первой и второй ионизации центров и определяют величину энергии активации проводимости в слабом электрическом поле. Поэтому в настоящей работе было сделано предположение, что нелинейность вольтамперной характеристики в сильном электрическом поле и переключение в проводящее состояние могут быть связаны с процессами ионизации и-минус центров и захвата электронов на центры в сильном электрическом поле.

Цель работы: Построить модель, описывающую эффекты переключения и памяти в халькогенидпых стеклообразных полупроводниках.

Задачи работы:

1. Проверить может ли нелинейность ВАХ халькогенидов в сильном поле быть связана с поведением и-минус центров, в частности с многофононной туннельной ионизацией центров.

2. Развить качественно и количественно модель, которая согласованно описывает свойства ХСП в слабом поле, свойства в сильном поле и переключение в проводящее состояние.

3. Исследовать построенную модель эффекта переключения.

4. Сопоставить полученные результаты с экспериментальными данными по зависимости порогового электрического поля и тока от толщины и температуры.

Научная новизна работы определяется положениями, которые выносятся на защиту:

1. Многофононная туннельная ионизация И-минус центров может являться причиной экспоненциальной зависимости проводимости от электрического поля в халькогенидных стеклообразных полупроводниках в широком диапазоне электрических полей. Этот механизм описывает участок квазилинейной зависимости логарифма тока от электрического поля, наблюдаемый экспериментально на высокоомной ветви вольтамперных характеристик ХСП.

2. Модель, основанная на многофононной туннельной ионизации и-минус центров и учитывающая нагрев, согласованно описывает омический участок, участок с экспоненциальной зависимостью проводимости от электрического поля и предпробойный участок, наблюдаемые экспериментально на высокоомной ветви вольтамперной характеристики ХСП.

3. Построенная модель описывает эффект переключения пленки ХСП в состояние с низким сопротивлением, а также зависимость амплитуды S-образной ВАХ от параметров задачи.

4. Модель количественно описывает экспериментальные зависимости электрического поля и тока в пороговой точке от толщины пленки ХСП и температуры, а также зависимость времени задержки переключения от величины напряжения.

Достоверность и надежность результатов. Основные выводы работы и выносимые на защиту положения являются обоснованными. Используемые в работе методы исследования основываются на адекватно выбранном теоретическом базисе и апробированном наборе физических моделей и вычислительных алгоритмов. Полученные в рамках разработанной теоретической модели результаты количественно согласуются с известными из литературы экспериментальными данными. Результаты работы опубликованы в авторитетных рецензируемых научных журналах и докладывались на семинарах и конференциях по физике полупроводников.

Практическая значимость работы. Полученные в диссертации результаты вносят существенный вклад в формирование современных представлений о механизмах эффектов переключения и памяти в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Разработанная модель нелинейности вольтамперных характеристик в сильных полях и эффекта переключения может быть использована при численном моделировании характеристик элементов памяти.

Апробацин работы. Полученные в работе результаты докладывались и обсуждались на следующих отечественных и международных конференциях и семинарах:

• Аморфные и микрокристаллические полупроводники. VI международная конференция, Санкт-Петербург, 2008.

• 25-я международная конференция Defects in semiconductors, Санкт-Петербург, 2009.

• Международная конференция «Development of Nanotechnology and Mongolia», Улан-Батор, Монголия, 2009.

• Аморфные и микрокристаллические полупроводники. VII международная конференция, Санкт-Петербург, 2010.

• 53-я научная конференция МФТИ Современные проблемы фундаментальных и прикладных наук Москва, 2010.

• 5-th International Conference on Amorphous and Nanostructured Chalcogenides. Fundamentals and Applications. Bucharest, Romania, 2011.

• Аморфные и микрокристаллические полупроводники. VIII международная конференция, Санкт-Петербург, 2012.

• European Phase Change and Ovonics Symposium, Tampere, Finland, 2012.

• Заседании ученого совета отделения физики твердого тела Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН.

Основные результаты работы опубликованы в 7 статьях в рецензируемых журналах:

1. Н. А. Богословский, К. Д. Цэндин. Динамика оптической записи информации на тонких слоях халькогенидных стеклообразных полупроводников // Письма в журнал технической физики.-2007.-Т. 33, вып. 12.-С. 1−8.

2. Н. А. Богословский, К. Д. Цэндин. Нелинейность вольт-амперных характеристик халькогенидных стеклообразных полупроводников, обусловленная многофононной туннельной ионизацией U-минус центров // Физика и техника полупроводников. -2009. — Т. 43, вып. 10. — С. 1378−1382.

3. N.A. Bogoslovskij, K.D. Tsendin. Electronic-thermal switching and memory in chalcogenide glassy semiconductors // Journal of Non-Crystalline Solids. — 2011. -Vol. 357.-Pp. 992−995.

4. N.A. Bogoslovskiy, K.D. Tsendin. Multiphonon tunnel ionization of negative-U centersthe origin of switching and memory effects in chalcogenide glasses // Journal of optoelectronics and advanced materials.-2011.-Vol. 13, no. 11−12.-Pp. 1423−1428.

5. K.D. Tsendin, N.A. Bogoslovskiy. Comparison of new and old generations of the phase change memory chalcogenide materials and devices // Journal of optoelectronics and advanced materials. — 2011. — Vol. 13, no. 11−12.-Pp. 1429−1432.

6. Н. А. Богословский, К. Д. Цэндин. Физика эффектов переключения и памяти в халькогенидных стеклообразных полупроводниках // Физика и техника полупроводников. — 2012. — Т. 46, вып. 5. — С. 577−608.

7. N. Almasov, N. Bogoslovskiy, N. Korobova, S. Kozyukhin, S. Fefelov, L. Kazakova, S. Jakovlev, K. Tsendin, N. Guseinov. Switching and memory effects in partly crystallized amorphous Ge2Sb2Te5 films in a current controlled mode // Journal of Non-Crystalline Solids. — 2012. — Vol. 358. — Pp. 3299−3303.

Структура диссертации Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы. Общий объем диссертации 112 страниц машинописного текста, включая 48 рисунков.

Основные результаты и выводы работы заключаются в следующем:

В работе критически проанализированы существующие модели, описывающие нелинейность вольтамперной характеристики ХСП, эффекты переключения и памяти. Показано, что ни одна из ранее предложенных моделей не может согласованно описать все известные экспериментальные данные.

Известно, что многие свойства ХСП в слабом электрическом поле определяются и-минус центрами, поэтому было сделано предположение, что нелинейность ВАХ в сильном поле и эффект переключения также могут быть связаны с поведением и-минус центров. При рассмотрении процессов ионизации и-минус центров было показано, что для центров с энергией связи порядка 0,3−0,5 эВ, характерной для халькогенидов системы ОеБЬТе, известное приближенное выражение [118,119], согласно которому логарифм вероятности ионизации пропорционален квадрату электрического поля, неприменимо. В настоящей работе вероятность ионизации центров рассчитана численно и получено, что в широком диапазоне электрических полей логарифм вероятности ионизации центра линейно зависит от электрического поля.

Показано, что вольтамперная характеристика, рассчитанная с учетом многофононной туннельной ионизации и-минус центров, согласованно описывает экспериментальные данные в омической области и в области с экспоненциальной зависимостью тока от приложенного напряжения. Модель, основанная на многофононной туннельной ионизации и-минус центров с учетом нагрева, также описывает предпробойный участок вольтамперной характеристики и переключение в проводящее состояние.

Рассмотрено влияние нагрева и показано, что в высокоомном состоянии существенный нагрев наблюдается только при напряжениях, близких к пороговому напряжению. Нагрев пленки в пороговой точке зависит главным образом от величины энергии активации проводимости и составляет несколько десятков градусов. Нагрев пленки в проводящем состоянии составляет сотни градусов, таким образом, температура пленки в проводящем состоянии близка к температуре размягчения, при которой происходит кристаллизация.

В рамках построенной модели проведено исследование зависимости вольтамперных характеристик от параметров модели. В том числе рассмотрена область параметров, при которых вольтамперная характеристика является 8-образной.

Проведено сравнение модели с известными экспериментальными данными по нелинейности ВАХ тонких пленок ОеБЬТе. зависимости порогового напряжения от толщины пленки и температуры, зависимости пороговой плотности тока от толщины, а также зависимости времени задержки от величины напряжения. Показано, что модель количественно и качественно описывает все экспериментальные данные. Небольшое количественное несоответствие величины времени задержки может быть связано с предположением о том, что ток протекает в ячейке однородно, в то время как в действительности возможно образование шнура с высокой плотностью тока.

На основании полученных результатов сделан вывод, что нелинейность ВАХ тонких пленок халькогенидов, а также эффекты переключения и памяти связаны с многофононной туннельной ионизацией и-минус центров.

Заключение

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , Б. Т. Свойства и структура тройных полупроводниковых систем / Б. Т. Коломиец, Н. А. Горюнова // Журнал технической физики. 1955. — Вып. 25 № 6. -С. 984−994.
  2. , Б. Т. Вольтамперная характеристика точечного контакта со стеклообразными полупроводниками / Б. Т. Коломиец, Э. А. Лебедев // Радиотехника и электроника. 1963. — Вып. 8. — С. 2097−2098.
  3. Ovshinsky, S. R. Symmetrical current controlling device // U.S. Patent No 3 271 591. 06.09.1966 (Filled 20.09.1963).
  4. Ovshinsky, S. R. Reversible electrical switching phenomena in disordered structures / S.R. Ovshinsky// Phys. Rev. Lett. 1968. — Vol. 21, no 20. — Pp. 1450−1453.
  5. Ovshinsky, S. R. An Inrtoduction to Ovonic Research / S.R. Ovshinsky // J. Non-Crystalline Solids. 1970. — Vol. 2. — Pp. 99−106.
  6. Rapid Reversible Light-induccd Crystallization of Amorphous Semiconductors / J. Feinleib, J. deNeufVille, S. C. Moss, S. R. Ovshinsky // Appl. Phys. Lett. 1971. — Vol. 18, no 6.-Pp. 254−257.
  7. II. А. Богословский, К. Д. Цэндин. Динамика оптической записи информации на тонких слоях халькогенидных стеклообразных полупроводников // Письма в журнал технической физики. 2007. — Т. 33, вып. 12. — С. 1−8.
  8. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках / J1. П. Казакова, Э. А. Лебедев, Э. А. Сморгонская и др.- отв. ред. К. Д. Цэндин. -СПб.: Наука, 1996.-486 с.
  9. , II. А. Физика эффектов переключения и памяти в халькогенидных стеклообразных полупроводниках / Н. А. Богословский, К. Д. Цэндин // Физика и техника полупроводников. 2012. — Т. 46, вып. 5. — С. 577−608.
  10. Hudgens, S. Progress in Understanding High-field Threshold Switching in Amorphous Chalcogenide Semiconductors / S. Hudgens // Workshop on Switching and ON Conduction in Chalcogenide Materials. Santa Clara, 2010.
  11. Experimental Results in Amorphous Semiconductor switching behavior / P. I. Walsh, J. E. Hall, R. Nicolaides et al. // J. non-Crystalline Solids. 1970. — Vol. 2. — Pp. 107−124.
  12. Fagen, E. A. Electrical conductivity of amorphous chalcogenide alloy films / E. A. Fagen, II. Fritzsche //J. non-Crystalline Solids. 1970. — Vol. 2. — Pp. 170−179.
  13. Reehal, H. S. The current-voltage characteristics of amorphous chalcogenide films prepared from Sii2Te4sAs3oGeio / H. S. Reehal, С. B. Thomas // Philosophical Magazine B.- 1979. Vol 39, no. 4. — Pp. 321−332.
  14. , Б. Т. К вопросу о механизме пробоя в слоях стеклообразных халькогенидных полупроводников / Б. Т. Коломиец, Э. А. Лебедев, И. А. Таксами // Физика и техника полупроводников. 1969. — Т. 3, вып. 2. — С. 312−314.
  15. , Б. Т. Основные параметры переключателей на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников / Б. Т. Коломиец, Э. А. Лебедев, И. А. Таксами // Физика и техника полупроводников. 1969. — Т. 3, вып. 5. — С. 731 -735.
  16. Nucleation switching in phase-change memory / V. G. Karpov, Y. A. Kryukov, S. D. Savransky, I. V. Karpov // Appl. Phys. Lett. 2007. — Vol. 90. — 123 504.
  17. Czubatyj, W. Properties of Small Pore Ovonic Memory Devices / W. Czubatyj, S. A. Kostylev // Physics and Applications of Disordered Materials, ed. by M.A. Popescu.- Bucharest: INOE Publishing House, 2002. p. 390.
  18. Threshold field of phase-change memory materials measured using phase-change bridge devices / D. Krebs, S Raoux, С. T. Rettner et al. // Appl. Phys. Lett. 2009. — Vol. 95. -82 101.
  19. Kostylev, S. A. Threshold and Filament Current Densities in Chalcogenide-Based Switches and Phase-Change-Memory Devices / S. A. Kostylev // IEEE Electron Device Letters. 2009. — Vol. 30, no. 8. — Pp. 814−816.
  20. Stocker, H. J. Mechanism of threshold switching in semiconducting glasses / H. J. Stocker,
  21. C. A. Barlow, D. F. Weirauch // J. Non-Crystalline Solids. 1970. — Vol. 4. — Pp. 523−535.
  22. Time-resolved analysis of the set process in an electrical phase-change memory device /
  23. D.-H. Kang, B.-k. Cheong, J.-h. Jeong et al. // Appl. Phys. Lett. 2005. — Vol. 87. -253 504.
  24. Salinga, M. The gradual nature of threshold switching / M. Salinga. M. Wimmer // EPCOS 2012. Proceedings. Tampere, 2012. — Pp. 115−120.
  25. , II. Электронные процессы в некристаллических веществах / 1-І. Мотт, Э. Дэвис- пер. с англ. под ред. Б. Т. Коломийца. М.: Мир, 1982.
  26. Davis, Е. A. Characteristic phenomena in amorphous semiconductors / E. A. Davis, R. F. Shaw // J. non-Crystalline Solids. 1970. — Vol. 2. — Pp. 406−431.
  27. , С. А. Электронное переключение в аморфных полупроводниках / С. А. Костылев, В. А. Шкут. Киев: Наукова думка, 1978. — 203 с.
  28. Rapid phase transitions of GeTe-Sb2Te3 pseudobinary amorphous thin films for an optical disk memory / N. Yamada, E. Ohno, K. Nishiuchi et al. // J. Appl. Phys. 1991. — Vol. 69, no. 5. — Pp. 2849−2856.
  29. Nanosecond switching in GeTe phase change memory cells / G. Bruns, P. Merkelbach, C. Schlockermann et al. // Appl. Phys. Lett. 2009. — Vol. 95. — 43 108.
  30. Phase change memory technology / G. W. Burr, M. J. Breitwisch, M. Franceschini et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2010. — Vol. 28, no. 2. — Pp. 223−262.
  31. Lai, S. Current status of the phase change memory and its future / S. Lai // IEDM Tech. Dig. 2003. — 10.1. — Pp. 255−258.
  32. Ultra-Thin Phase-Change Bridge Memory Device Using GeSb / Y.-C. Chen, С. T. Rettner, S. Raoux et al. // IEDM Technical Digest. 2006. — S30P3.
  33. A 20nm 1,8V 8Gb PRAM with 40MB/s Program Bandwidth / Y. Choi, I. Song, M-H. Park et al. // IEEE International Solid-State Circuits Conference. 2012.
  34. Micron Announces Availability of Phase Change Memory for Mobile Devices. -URL: http://investors.micron.com/releasedetail.cfm?ReleaseID=692 563 (дата обращения: 03.12.2012).
  35. Tsendin, К. D. Comparison of new and old generations of the phase change memory chalcogenide materials and devices / K. D. Tsendin, N. A. Bogoslovskiy // Journal of optoelectronics and advanced materials. -2011.-Vol. 13, no. 11−12.-Pp. 1429−1432.
  36. A.V. Kolobov, J. Tominaga, P. Fons, T. Uruga. Local structure of crystallized GeTe films. / Appl. Phys. Lett., 82, 382−384 (2003).
  37. Phase transition in crystalline GeTe: Pitfalls of averaging effects / P. Fons, A. V. Kolobov, M. Krbal et al. // Phys. Rev. B. 2010. — Vol. 82. — 155 209.
  38. The order-disorder transition in GeTe: Views from different length-scales / T. Matsunaga, P. Fons, A. V. Kolobov et al. // Appl. Phys. Lett. 2011. — Vol. 99. — 231 907.
  39. Raman scattering study of GeTe and Ge2Sb2Tes phase-change materials / K. S. Andrikopoulos, S. N. Yannopoulos, A. V. Kolobov et al. // J. Phys. Chem. Sol. 2007. — Vol. 68. -Pp. 1074−1078.
  40. Matsunaga, T. Structural investigation of GeSb2Te4: A high-speed phase-change material / T. Matsunaga, N. Yamada // Phys. Rev. B. 2004. — Vol. 69. — 104 111.
  41. , И. И. Электронографическое определение структур Ge2Sb2Te5 и GeSb4Te7 / И. И. Петров, Р. М. Имамов, 3. Г. Пинскер // Кристаллография. 1968. — Т. 13, вып. 3,-С. 417−421.
  42. Why Phase-Change Media are Fast and Stable: A New Approach to an Old Problem / A. V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 2005. — Vol. 44, no. 5B. -Pp. 3345−3349.
  43. Understanding the phase-change mechanism of rewritable optical media / A. V. Kolobov, P. Fons, A. I. Frenkel et al. // Nature Materials. 2004. — Vol. 3. — Pp. 703−708.
  44. Kolobov, A. V. Local structure of amorphous Ge-Sb-Te alloys: Ge umbrella flip vs. DFT simulations / A. V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga // Phys. Status Solidi B. 2009. -Vol. 246, no. 8. — Pp. 1826−1830.
  45. Crystalline GeTe-based phase-change alloys: Disorder in order / M. Krbal, A.V. Kolobov, P. Fons et al. // Phys. Rev. B. -2012. Vol. 86. — 45 212.
  46. Yamada, N. Structure of laser-crystallized Ge2Sb2+xTe5 sputtered thin films for use in optical disk memory / N. Yamada, T. Matsunaga // J. Appl. Phys. 2000. — Vol. 88, no. 12. — Pp.7020−7028.
  47. Crystallization and phase-separation in Ge2+xSb2Te5 thin films / S. Privitera, E. Rimini, C. Bongiorno et al. // J. Appl. Phys. 2003. — Vol. 94, no. 7. — Pp. 4409−4413.
  48. Resonance bonding in crystalline phase-change materials / K. Shportko, S. Kremers, M. Woda et al. // Nature mat. 2008. — Vol. 7. — Pp. 653−658.
  49. Lucovsky, G. Effects of Resonance Bonding on the Properties of Crystalline and Amorphous Semiconductors / G. Lucovsky, R. M. White // Phys. Rev. B. 1973. — Vol. 8, no. 2.-Pp. 660−667.
  50. Intrinsic complexity of the melt-quenched amorphous Ge2Sb2Te5 memory alloy / M. Krbal, A. V. Kolobov, P. Fons et al. // Phys. Rev. B. 2011. — Vol. 83. — 54 203.
  51. Photoassisted amorphization of the phase-change memory alloy Ge2Sb2Te5 / P. Fons, H. Osawa, A. V. Kolobov et al. // Phys. Rev. B. 2010. — Vol. 82. — 4 1203R.
  52. Distortion-triggered loss of long-range order in solids with bonding energy hierarchy / A. V. Kolobov, M. Krbal, P. Fons et al. // Nature Chemistry. 2011. — Vol. 3. — Pp. 311 136.
  53. Experimentally constrained density-functional calculations of the amorphous structure of the prototypical phase-change material Ge2Sb2Te5 / J. Akola, R. O. Jones, S. Kohara et al. // Phys. Rev. B. 2009. — Vol. 80. — 20 201.
  54. Hegedus, J. Microscopic origin of the fast crystallization ability of Ge-Sb-Te phase-change memory materials / J. Hegedus, S. R. Elliot // Nature Materials. 2008. — Vol. 7. -Pp. 399−405.
  55. Structural transformations of Ge2Sb2Te5 films studied by electrical resistance measurements / I. Friedrich, V. Weidenhof, W. Njoroge et al. // J. Appl. Phys. 2000. -Vol. 87, no. 9.-Pp. 4130−4134.
  56. Kato, T. Electronic Properties of Amorphous and Crystalline Ge2Sb2Te5 Films / T. Kato, K. Tanaka // Jpn. J. Appl. Phys. 2005. — Vol. 44, no. 10. — Pp. 7340−7344.
  57. Shelby, R. M. Crystallization dynamics of nitrogen-doped Ge2Sb2Tes / R. M. Shelby, S. Raoux // J. Appl. Phys. 2009. — Vol. 105. — 104 902.
  58. Disorder-induced localization in crystalline phase-change materials / T. Siegrist, P. Jost, H. Volker et al.// Nature materials. 2011. — Vol. 10. — Pp. 202−208.
  59. Sousa, V. Chalcogenide materials and their application to Non-Volatile Memories / V. Sousa//Microelectronic Engineering. 2011. — Vol. 88.-Pp. 807−813.
  60. Investigation of the optical and electronic properties of Ge2Sb2Te5 phase change material in its amorphous, cubic, and hexagonal phases / B.-S. Lee, J. R. Abelson, S. G. Bishop et al. // J. Appl. Phys. 2005. — Vol. 97. — 93 509.
  61. A physics-based model of electrical conduction decrease with time in amorphous Ge2Sb2Te5 / M. Boniardi, A. Redaelli, A. Pirovano et al.// J. Appl. Phys. 2009. — Vol. 105.-84 506.
  62. Kolomiets, В. T. Vitreous Semoconductors / B.T. Kolomiets // Phys. Stat. Solidi. 1964. -Vol. 7.-Pp. 359−372, 713−731.
  63. , H. Электроны в неупорядоченных структурах / Н. Мотт. М.: Мир, 1969. — 172 с.
  64. , М. Н. Simple band model for amorphous semiconducting alloys / M. H. Cohen, H. Fritzsche, S. R. Ovshinsky // Phys. Rev. Lett. 1969. — Vol. 22, no. 20. — Pp. 10 651 068.
  65. Davis, E. A. Conduction in non-crystalline systems V. Conductivity, optical absorption and photoconductivity in amorphous semiconductors / E. A. Davis, N. F. Mott // Phil. Mag. -1970.- Vol. 22, no. 179.-Pp. 903−922.
  66. Marshall, J. Drift mobility studies in vitreous arsenic triselenide / J. Marshall, A. E. Owen // Phil. Mag. 1971. — Vol. 24. — Pp. 1281−1305.
  67. Mott, N. F. Evidence for a pseudogap in liquid mercury /N.F. Mott // Phil. Mag. 1972. -Vol. 26.-Pp. 505−522.
  68. Anderson, P. W. Model for the Electronic Structure of Amorphous Semiconductors / P. W. Anderson // Phys. Rev. Lett. 1975. — Vol. 34, no. 15. — Pp. 953−955.
  69. , M. И. Автолокализация электронных пар в неупорядоченных системах / М. И. Клингер, В. Г. Карпов // ЖЭТФ. 1982. — Т. 82. — С. 1687−1703.
  70. , В. Г. Спектральные свойства центров с отрицательной энергией Хаббарда в стеклах / В. Г. Карпов // ЖЭТФ. 1983. — Т. 85. — С. 1017−1028.
  71. Street, R. A. States in the Gap in Glassy Semiconductors / R. A. Street, N. F. Mott // Phys. Rev. Lett.- 1975.-Vol. 35, no. 19.-Pp. 1293−1296.
  72. Kastner, M. Valence-Alternation Model for Localized Gap States in Lone-Pair Semiconductors / M. Kastner, D. Adlcr, H. Fritzsche // Phys. Rev. Lett. 1976. — Vol. 37, no. 22.-Pp. 1504−1507.
  73. , К. Д. Роль гибридизации в поляроном механизме 1Г-центров, мягких и двухъямных потенциалов / К. Д. Цэндин // Письма в ЖЭТФ. 1992. — Т. 55, вып. 11, С. 635−638.
  74. Walsh, P. J. Conduction and Electrical Switching in Amorphous Chalcogenide Semiconductor Films / P. J. Walsh, R. Vogel, E. J. Evans // Phys. Rev. 1969. — Vol. 78, no. 3.-Pp. 1274−1279.
  75. Electrical conduction in chalcogenide glasses of phase change memory / M. Nardone, M. Simon, I. V. Karpov, V. G. Karpov // J. Appl. Phys. 2012. — Vol. 112. — 71 101.
  76. Mott, N. F. Conduction in Non-crystalline Systems VII. Non-ohmic Behavior and Switching / N. F. Mott // The Philosophical Magazine. 1971. — Vol. 24, no. 190. -Pp. 911−934.
  77. Ielmini, D. Threshold switching mechanism by high-field energy gain in the hopping transport of chalcogenide glasses / D. Ielmini // Phys. Rev. B. 2008. — Vol. 78. — 35 308.
  78. , Э. А. Проводимость халькогеиидных стеклообразных полупроводников в высоких электрических полях / Э. А. Лебедев, Н. А. Рогачев // ФТП. 1981. — Т. 15, вып. 8.-С. 1511−1518.
  79. , Б. Т. Влияние токов, ограническнных пространственным зарядом, на тепловой пробой / Б. Т. Коломиец, Э. А. Лебедев, К. Д. Цэндин // ФТП. 1971. — Т. 5, вып. 8.-С. 1568−1572.
  80. , А. Основы теории фотопроводимости / А. Роуз. М.: Мир, 1966. — 192 с.
  81. Conductive path formation in glasses of phase change memory / M. Simon, M. Nardone, V. G. Karpov, I. V. Karpov // J. Appl. Phys. -2010. Vol. 108. — 64 514.
  82. Eaton, D. L. Electrical Conduction Anomaly of Semiconducting Glasses in the System As-Te-I / D. L. Eaton // J. American Ceramic Society. 1964. — Vol. 47, no. 11. — Pp. 554−558.
  83. Warren, A. C. Switching Mechanism in Chalcogenide Glasses / A. C. Warren // Electronics Letters. 1969. — Vol. 5, no. 19. — Pp. 461 -462.
  84. Wagner, K. W. The physical nature of the electrical Breakdown of solid dielectrics / K.W. Wagner // Journal of the Institution of Electrical Engineers 1889−1940. 1922. -Vol. 41.-Pp. 1034.
  85. , С. M. Теория и практика пробоя диэлектриков / С. М. Брагин, А. Ф. Вальтер, Н. Н. Семенов. Государственное издательство, 1929.
  86. , Б. Ю. Отрицательное дифференциальное сопротивление, обусловленное микронагревом / Б. Ю. Лотоцкий, Л. К. Чиркин // ФТТ. 1966. — Т. 6. — С. 1967−1970.
  87. , К. Д. Условия предотвращения теплового пробоя полупроводниковых приборов / К. Д. Цэндин, А. Б. Шмелькин // Письма в Журнал Технической Физики.- 2004. Т. 30, вып. 12. — С. 86−94.
  88. Фок, В. А. К тепловой теории электрического пробоя / В. А. Фок // Труды Л.Ф.-Т.Л.- 1928. Вып. 5: Сборник работ по прикладной физике. — С. 52−64.
  89. , Г. А. О протекании теплового пробоя во времени / Г. А. Гринберг, М. И. Конторович, II. Н. Лебедев //ЖТФ. 1940. — Т. 10, вып. 3. — С. 199−216.
  90. Kaplan, Т. Thermal Effects in Amorphous-Semiconductor Switching / Т. Kaplan, D. Adler // Арі. Phys. Lett. 1971.-Vol. 19, no. 10. — Pp. 418−420.
  91. Spenke, E. Eine anschauliche Deutung der Abzweigtemperatur scheibenformiger Heissleiter / E. Spenke // Archiv fur Electrotechnick. 1936. — Vol. 30, iss. 11. — Pp. 728 736.
  92. Lueder, H. Zur technischen Beherrschung des Warmedurchschlags / H. Lueder, W. Shottky, E. Spenke // Naturwissenschaften. 1936. — Vol. 24, iss. 4. — P. 61.
  93. Lueder, H. Uber den Einlluss der Warmeableitung auf das elektrische Verhalten von temperaturabhangigen Widerstanden / H. Lueder, E. Spenke // Zeitschrift fur Technische Physik. 1935. — Vol. 16. — Pp. 373−379.
  94. Pryor, R. W. Mechanism of threshold switching / R. W. Pryor, II. K. Henisch // Appl. Phys. Let. 1971. — Vol. 18, no. 8. — Pp. 324−325.
  95. Balberg, I. Simple test for double injection initiation of switching /1. Balberg // Appl. Phys. Lett.- 1970.-Vol. 16, no. 12.-Pp. 491−493.
  96. Boer, K. W. Electrothermal Initiation of an Electronic Switching Mechanism in Semiconducting Glasses / K. W. Boer, S. R. Ovshinsky // J. Appl. Phys. 1970. — Vol. 41, no. 6.-Pp. 2675−2681.
  97. Male, J. C. Field-enhanced conductivity effects in thin chalcogenide-glass switches J. C. Male, A. C. Warren // Electron. Lett. 1970. — Vol. 6. — Pp. 567−569.
  98. Kroll, D. M. Theory of electrical instabilities of mixed electronic and thermal origin / D. M. Kroll // Phys. Rev. B. 1974. — Vol. 9, no 4. — Pp. 1669−1706.
  99. Mott, N. F. Conduction and switching in non-crystalline materials / N. F. Mott // Contemp. Phys.-1969.-Vol. 10, no. 2.-Pp. 125−138.
  100. Henisch, H. K. Amorphous semiconductor switching / H. K. Henisch // Scientific American. — 1969. — Vol. 221, no. 5. — Pp. 30−41.
  101. Adler, D. The mechanism of threshold switching in amorphous alloys / D. Adler, H. K. Henisch, N. Mott // Rev. Mod. Phys. 1978. — Vol. 50, no. 2. — Pp. 209−220.
  102. , В. Б. Феноменологическая теория концентрационной неустойчивости в полупроводниках / В. Б. Сандомирский, А. А. Суханов, А. Г. Ждан // ЖЭТФ. 1970. -Т. 58, вып. 5.-С. 1683−1694.
  103. , С. М. О механизме переключения в аморфных полупроводниках / С. М. Рывкин//Письма ЖЭТФ, — 1972.-Т. 15, вып. 10. С. 632−635.
  104. Savransky, S. D. Model of conductivity transition in amorphous chalcogenides induced by auger recombination / S. D. Savransky // J. Ovonic Res. 2005. — Vol. 1, no. 2. — Pp. 25−31.
  105. , А. Г. О механизме низкотемпературного примесного пробоя в компенсированных полупроводниках и эффекта переключения в аморфных полупроводниках / А. Г. Забродский, С. М. Рывкин, И. С. Шлимак // Письма ЖЭТФ. 1973.-Т. 18, вып. 8.-С. 493−497.
  106. Threshold switching in chalcogenide-glass thin films / D. Adler, M. S. Shur, M. Silver, S. R. Ovshinsky // J. Appl. Phys. 1980. — Vol. 51, no. 6. — Pp. 3289−3309.
  107. Ielmini, D. Analytical model for subthreshold conduction and threshold switching in chalcogenide-based memory devices / D. Ielmini, Y. Zhang // J. Appl. Phys. 2007. -Vol. 102.-54 517.
  108. A unified model of nucleation switching / M. Nardone, V. G. Karpov, D. C. S. Jackson, I. V. Karpov // Appl. Phys. Lett. 2009. — Vol. 94. — 103 509.
  109. Karpov, V. Switching, Electron transport / V. Karpov, D. Georgiev // Workshop on Switching and ON Conduction in Chalcogenide Materials. Santa Clara, 2010.
  110. Kohary, K. Electric field induced crystallization in phase-change materials for memory applications / K. Kohary, C. D. Wright // Appl. Phys. Let. 2011. — Vol. 98. — 223 102.
  111. К теории многофононного захвата электрона на глубокий центр / В. Н. Абакумов, И. А. Меркулов, В. И. Перель, И. Н. Яссиевич // ЖЭТФ. 1985. — Т. 89. — С. 14 721 486.
  112. , В. Термоионизация глубоких центров в полупроводниках в электрическом поле / В. Карпус, В. И. Перель // Письма в ЖЭТФ. 1985. — Т. 42. — С. 403−405.
  113. , В. Многофононная ионизация глубоких центров в полупроводниках в электрическом поле / В. Карпус, В. И. Перель // ЖЭТФ. 1986. — Т. 91. — С. 2319−2331.
  114. Влияние заряда глубокого центра на многофононные процессы термоионизации и захвата электронов / В. Н. Абакумов, В. Карпус, В. И. Перель, И. II. Яссиевич // ФТП. 1988. — Т. 22. — С. 262−267.
  115. Термополевая ионизация примесей многомодовое рассмотрение / В. Н. Абакумов, В. Карпус, В. И. Перель, И. II. Яссиевич // ФТТ. 1988. — Т. 30, вып. 8. — С. 2498−2504.
  116. , В. Н. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках / В. Н. Абакумов, В. И. Перель, И. П. Яссиевич. СПб.: изд. ПИЯФ, 1997.
  117. , С. Д. Ионизация глубоких примесных центров дальним инфракрасным излучением / С. Д. Ганичев, И. Н. Яссиевич, В. Преттл // ФТТ. 1997. — Т. 39, вып. 11.-С. 1905−1932.
  118. , JI. Д. Курс теоретической физики: Учеб. пособ. В 10 т. Т. III. Квантовая механика (нерелятивистская теория) / JI. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц. 6-е изд., испр. -М.: ФИЗМАТЛИТ, 2004. — 800 с. — ISBN 5−9221−0530−2.
  119. Bogoslovskij, N. A. Electronic-thermal switching and memory in chalcogenide glassy semiconductors / N. A. Bogoslovskij, K. D. Tsendin // Journal of Non-Crystalline Solids. -2011.-Vol. 357.-Pp. 992−995.
  120. , Э. H. Электропроводность аморфных пленок халькогенидных соединений в сильных электрических полях / Э. Н. Воронков, С. А. Козюхин // ФТП. 2009. — Т. 43, вып. 7. — С. 953−956.
  121. Switching and memory effects in partly crystallized amorphous Ge2Sb2Te5 films in a current controlled mode / N. Almasov, N. Bogoslovskiy, N. Korobova et al. // Journal of Non-Crystalline Solids. 2012. — Vol. 358. — Pp. 3299−3303.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?