Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Фотолюминесценция в поликристаллических слоях на основе твердых растворов селенида свинца-селенида кадмия

Диссертация: Фотолюминесценция в поликристаллических слоях на основе твердых растворов селенида свинца-селенида кадмия
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Для детектирования различных газов требуется гибкое изменение спектральной характеристики приемников и источников излучения, а также других параметров этих элементов. Так, для определения концентрации углеводородов и оксидов углерода, наиболее распространенных загрязнителей атмосферы, необходимы приборы, работающие в диапазоне от 2 до 5 мкм. Эти задачи могут быть решены при использовании твердых… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. Фотоприемные и излучающие структуры на основе халькогенидов свинца (литературный обзор)
    • 1. 1. ИК — абсорбционные газоанализаторы
    • 1. 2. Физико — химические свойства халькогенидов свинца
      • 1. 2. 1. Кристаллическая структура и химическая связь
      • 1. 2. 2. Зонная структура
      • 1. 2. 3. Термодинамические свойства
      • 1. 2. 4. Особенности легирования
    • 1. 3. Влияние кислорода на свойства слоев
      • 1. 3. 1. Инверсия типа проводимости
      • 1. 3. 2. Изменение фазового состава и перестройка структуры
    • 1. 4. Влияние галогенов на свойства слоев. Йодная методика
    • 1. 5. Образование твердых растворов Pbi. xCdxSe
    • 1. 6. Основные модели, используемые при анализе поликристаллических слоев селенида свинца
      • 1. 6. 1. Модели фотопроводимости
      • 1. 6. 2. Фотолюминесценция в халькогенидах свинца
      • 1. 6. 3. Диффузия в поликристаллических тонких пленках
        • 1. 6. 3. 1. Кинетика диффузии по границам зерен
        • 1. 6. 3. 2. ГЗ-диффузия в тонких пленках
        • 1. 6. 3. 3. Расчет профиля диффузии
      • 1. 6. 4. Термо-ЭДС
      • 1. 6. 5. Определение концентрации носителей заряда по спектру отражения образцов в ИК — области
      • 1. 6. 6. Варизонные полупроводники
        • 1. 6. 6. 1. Варизонная концепция
        • 1. 6. 6. 2. Диффузия и дрейф носителей заряда в варизонных полупроводниках
      • 1. 6. 7. Особенности перекристаллизации в гетерогенных системах при эвтектическом плавлении
      • 1. 6. 8. Рост кристаллов по механизму пар-жидкость-кристалл
    • 1. 7. Выводы
  • ГЛАВА 2. Физико-технологические особенности формирования структуры поликристаллических слоев твердых растворов селенида свинца — селенида кадмия
    • 2. 1. Основные технологические этапы получения поликристаллических слоев на основе селенида свинца — селенида кадмия
      • 2. 1. 1. Синтез шихты для формирования слоев
      • 2. 1. 2. Подготовка подложек
      • 2. 1. 3. Нанесение слоев
      • 2. 1. 4. Активация слоев
    • 2. 2. Состав и структура неотожженных слоев Pbi. xCdxSe
      • 2. 2. 1. Методы исследования
      • 2. 2. 2. Микроструктура слоев
      • 2. 2. 3. Фазовый состав слоев и распределение компонентов
    • 2. 3. Рекристаллизация поликристаллических слоев
    • 2. 4. Моделирование процессов формирования структуры кристаллитов
      • 2. 4. 1. Образование жидких фаз в процессе отжига
      • 2. 4. 2. Исследование образования жидкой фазы методом внутреннего трения
        • 2. 4. 2. 1. Метод внутреннего трения
        • 2. 4. 2. 2. Определение температуры образования включений жидкой фазы
    • 2. 5. Исследование фотолюминесценции активированных слоев
    • 2. 6. Выводы
  • ГЛАВА 3. Модельные представления и экспериментальные разработки глубокого легирования кислородом поликристаллических слоев PbixCdxSe
    • 3. 1. Исследование образования оксидных фаз
    • 3. 2. Исследование процесса окисления слоев
      • 3. 2. 1. Методы определения концентрации носителей заряда
        • 3. 2. 1. 1. Метод измерения эффекта Холла
        • 3. 2. 1. 2. Количественный термозондовый метод
        • 3. 2. 1. 3. ИК-спектроскопия
      • 3. 2. 2. Результаты эксперимента и развитие модельных представлений
      • 3. 2. 3. Влияние оксидного покрытия на диффузию кислорода
    • 3. 3. Разработка физико-технологических приемов усиления фотолюминесценции
    • 3. 4. Расчет диффузии с участием жидкой фазы
      • 3. 4. 1. Движение жидкой капли в градиенте температур
    • 3. 5. Выводы
  • ГЛАВА 4. Фотолюминесцентные свойства поликристаллических слоев твердых растворов селенида свинца — селенида кадмия
    • 4. 1. Спектральные исследования активированных структур
      • 4. 1. 1. Методики исследования спектральных характеристик
        • 4. 1. 1. 1. Фотолюминесценция
        • 4. 1. 1. 2. Фотопроводимость
      • 4. 1. 2. Экспериментальные результаты и развитие модельных представлений
    • 4. 2. Модель фотолюминесценции, учитывающая перераспределение носителей во встроенном поле
      • 4. 2. 1. Спектр люминесценции тонкого варизонного полупроводника
      • 4. 2. 2. Расчет спектров фотолюминесценции
      • 4. 2. 3. Анализ состава слоев
    • 4. 3. Модель структуры с р-п-переходом
      • 4. 3. 1. Спектральные характеристики структур
    • 4. 4. Фотолюминесцентные излучатели на основе структур Pbi. xCdxSeiySy, легированных иодом
    • 4. 5. Выводы

Фотолюминесценция в поликристаллических слоях на основе твердых растворов селенида свинца-селенида кадмия (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Поликристаллические слои хапькогенидов свинца и твердых растворов на их основе — традиционные материалы инфракрасной (ИК) опто-электроники. Одним из способов их применения является создание ИК-абсорбционных газоанализаторов.

Основу оптического газоанализатора составляет оптопара для измерения поглощения атмосферы в узком спектральном диапазоне, соответствующем полосе поглощения газа. В ней в качестве фотоприемника обычно используются фоторезистивные структуры, источники же излучения формируются на базе переизлучающих структур с высокой эффективностью фотолюминесценции. Для придания поликристаллическим слоям на основе хапькогенидов свинца излучающих и фотоприемных свойств их подвергают термической активации в кислородсодержащей атмосфере. Основным преимуществом использования таких элементов является возможность работы при комнатной температуре. К тому же поликристаллические материалы требуют существенно меньших затрат на производство по сравнению с монокристаллическими. Это позволяет выпускать портативные, дешевые и надежные газоанализаторы.

Область применения таких приборов охватывает множество технологических задач, где необходим постоянный контроль газового состава атмосферы, а в последнее время все большее значение приобретает экологический мониторинг. Необходимость обеспечения экологической безопасности подтверждается Киотским соглашением, подписанным большинством стран, в том числе и Россией. Новые требования стимулируют развитие и углубление представлений о процессах формирования и механизмах функционирования излучающих и фотоприемных структур.

Для детектирования различных газов требуется гибкое изменение спектральной характеристики приемников и источников излучения, а также других параметров этих элементов. Так, для определения концентрации углеводородов и оксидов углерода, наиболее распространенных загрязнителей атмосферы, необходимы приборы, работающие в диапазоне от 2 до 5 мкм. Эти задачи могут быть решены при использовании твердых растворов селенида свинца — селенида кадмия (PbixCdxSe).

Фотоприемники на основе поликристаллических слоев селенида свинца успешно производятся с середины прошлого века. Несмотря на это многие вопросы, связанные с сенсибилизацией подобных структур, остаются нерешенными. Еще менее проработанными, как в технологическом, так и в теоретическом плане являются излучающие структуры. Между тем для газового анализа потребность в ИК-излучателях не меньше, чем потребность в приемниках излучения.

На сегодняшний день для активированных поликристаллических слоев селенида свинца отсутствуют единые модельные представления, объединяющие аспекты получения слоев с заданными свойствами, роль кислорода и примесей, а также влияние микроструктуры на конечный результат. Это сдерживает развитие приборной базы для создания малогабаритных газоанализаторов нового поколения.

В связи с этим, установление закономерностей получения излучающих элементов на основе поликристаллических слоев твердого раствора селенида свинца — селенида кадмия, а также определение механизма их функционирования является актуальной задачей, представляющей не только научный, но и реальный практический интерес.

Целью работы являлась разработка физико-технологической базы формирования излучающих структур на основе легированных поликристаллических слоев твердых растворов селенида свинца — селенида кадмия, а также развитие модельных представлений о фотолюминесценции в таких элементах и создание оптоэлектронных приборов с заданными характеристиками.

В соответствии с указанной целью в работе решались следующие задачи:

•Проведение комплекса исследований по влиянию температурно-временных режимов формирования и активации слоев твердых растворов селенида свинца — селенида кадмия на их микроструктуру и фазовый состав, установление связи этих характеристик с фотоэлектрическими и оптическими свойствами.

•Разработка методик измерения электрофизических и оптических свойств поликристаллических слоев Pbi.xCdxSe.

•Анализ механизмов влияния иода на диффузию кислорода, образование оксидных фаз, изменение микроструктуры и состава зерен пересыщенных твердых растворов селенида свинца — селенида кадмия.

•Развитие модельных представлений, адекватно описывающих экспериментальные результаты по фотолюминесценции слоев твердых растворов.

Выработка рекомендаций по физико-химическим условиям получения излучающих структур.

Научная новизна работы состоит в следующем:

1. Предложена модель диффузионных процессов, протекающих во время термической обработки поликристаллических слоев селенида свинца в кислородсодержащей атмосфере.

2. Определена оптимальная энергетическая структура поликристаллического зерна, сформированная в процессе активации слоев на основе твердого раствора селенида свинца — селенида кадмия.

3. Определена роль иода и кислорода в формировании структур с высокой эффективностью фотолюминесценции.

4. Предложена модель рекомбинационных процессов в системе Pbi. xCdxSe <1, 0>, адекватная экспериментальным данным по исследованию фотолюминесценции.

5. Экспериментально показана возможность формирования на основе легированных слоев твердого раствора селенида свинца — селенида кадмия фотолюминесцентных источников ИК-излучения для газового анализа. Новизна научно-технических решений защищена патентом РФ (положительное решение по заявке № 2 005 136 294 с приоритетом от 22.11.2005).

Практическая значимость работы заключается в следующем:

1. На основе разработанных модельных представлений о роли кислорода, кадмия и иода получены эффективные фотолюминесцентные излучатели для диапазона длин волн от 2 до 5 мкм.

2. Определены температурно-временные режимы технологических этапов формирования и активации поликристаллических слоев Pbi. xCdxSe (при х от 0 до 0.2 моль, доли CdSe).

3. Методики анализа и технология получения излучающих структур внедрены в ОАО «РНИИ «Электронстандарт», что подтверждается актом внедрения.

Результаты работы были использованы при выполнении грантов:

— грант Министерства образования РФ для поддержки аспирантов А04−3.15−410;

— гранты Администрации Санкт-Петербурга М02−3.9Д-197 и М05−3.9К-315.

На защиту выносятся следующие научные положения:

1. Перекристаллизация поликристаллических слоев PbixCdxSe <1> с участием жидкой фазы способствует увеличению эффективности фотолюминесценции. Это явление связано с уменьшением концентрации центров безизлучательной рекомбинации.

2. В процессе термической обработки в кислородсодержащей атмосфере поликристаллических слоев n-типа электропроводности преобладающим процессом является диффузия свинца из объема зерна к поверхности с образованием оксида свинца. При достижении собственной концентрации носителей заряда начинается рост селенита свинца на поверхности слоя. Оба механизма препятствуют проникновению кислорода вглубь зерна.

3. Добавление в кислородсодержащую атмосферу паров иода во время термической обработки поликристаллических слоев селенида свинца позволяет предотвратить образование на их поверхности сплошного оксидного слоя и облегчить диффузию кислорода в объем кристаллитов. При этом начинает действовать механизм излу-чательных переходов зона — примесь с участием кислородного уровня.

4. Модель варизонной структуры зерна адекватно описывает спектральные характеристики фотолюминесценции активированных слоев твердого раствора PbSeCdSe и эффект увеличения эффективности фотолюминесценции в зависимости от термодинамических и кинетических условий получения.

Апробация результатов. Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и симпозиумах:

• Международные конференции «Температуроустойчивые функциональные покрытия», Тула, 15 — 17 мая 2001 г. и СПб, 15−17 апреля 2003 г.;

• Международные научно-технические конференции «Тонкие пленки и слоистые структуры», М, 26 — 30 ноября 2002 г. и 22 — 26 ноября 2005 г.;

• IV Международная конференция «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», СПб, 5−7 июля 2004 г.;

• VI Международная конференция «Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics», Киев, 22 мая 2002 г.;

• X Международная конференция «Dielectrics ICD — 2004», СПб, 23 — 27 мая 2004 г.;

• III Международная научная конференция «Кинетика и механизм кристаллизации», Иваново, 12−14 октября 2004 г.;

J" .

• XIV Российский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел, Черноголовка, 30 мая — 3 июня 2005 г.;

• XI Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых «Ломоносов», М, 12 — 15 апреля 2004 г.;

• 56 и 59 Научно-технические конференции, посвященные Дню радио, СПб, апрель 2001 г. и апрель 2004 г.;

• 8 и 10 Всероссийские межвузовские научно-технические конференции студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика», Зеленоград, 18−19 апреля 2001 г. и 21 — 23 апреля 2004 г.;

• 4, 5 и 6 Всероссийские молодежные конференции по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике, СПб, 3−6 декабря 2002 г., 1 — 5 декабря 2003 г. и 6−10 декабря 2004 г.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 6 статей.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы, включающего 153 наименования и 4 приложений. Основная часть работы изложена на 92 страницах машинописного текста. Работа содержит 76 рисунков и 15 таблиц.

4.6. Выводы.

1. Предложена модель энергетической структуры слоя Pbo^Cdo^Seo^To.ob активированного в присутствии паров иода, адекватно описывающая спектральные особенности фотолюминесценции в интервале от 2 до 4 мкм при комнатной температуре.

2. Теоретически и экспериментально доказана возможность управления оложением максимума спектральной характеристики формируемых структур как путем изменения состава слоев, так и выбором температурных режимов активирующего отжига.

3. Установлено, что механизм излучательной рекомбинации в поликристаллических слоях Pbi. xCdxSe <1> зависит от наличия паров иода во время актива-1 ции. При наличии паров иода во время активирующего отжига основным каналом излучательной рекомбинации является переход зона — примесь, а при отсутствии иодапереход зона-зона.

4. Предложена модель и экспериментально показана возможность создания на основе легированных поликристаллических слоев селенида свинца источников.

Рис. 4.20. Фотолюминесцентные излучатели для среднего к1К-диаиазона 4.

Рис. 4.21. Схема светодиода на основе фотолюминесцирующего поли кристаллического материала:

1 — свстодиод на основе GaAs*.

2 — слой PbSe на стеклянной подложке:

3 — интерференционный фильтр

4 — корпус.

ИК-излучения, работающих без использования охлаждения в интервале длин волн от 2 до 5 мкм.

5. На основе развитых модельных представлений сформулированы рекомендации по физико-технологическим режимам формирования фотолюминесцентных структур. Научно-технические разработки внедрены в производство и используются при серийном выпуске источников излучения для газового анализа.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Проведенные в диссертационной работе исследования позволяют сформулировать следующие обобщающие заключения и выводы:

1. Получены эффективные фотолюминесцентные излучатели на основе твердых растворов Pbj. xCdxSe (при х от 0 до 0.2 моль, доли CdSe), работающие при комнатной температуре в интервале длин волн 2−5 мкм.

2. С использованием ядерного микроанализа, Оже-спектроскопии и рентгеновского фазового анализа установлены закономерности образования оксидных фаз на слоях с различной концентрацией носителей заряда. Для образцов с концентрацией носителей заряда, близкой к собственной, основной оксидной фазой является PbSe03, а на образцах с n-типом электропроводности на начальной стадии окисления образуется оксид свинца.

3. Экспериментально, с использованием комплекса физических методов (метода измерения эффекта Холла, ИК-спектроскопии, термозондового анализа) показано, что основной механизм образования оксида свинца на поверхности поликристаллического слоя PbSe с n-типом электропроводности обусловлен обеднением объема зерен собственными компонентами, преимущественно свинцом.

4. В рамках диффузионной задачи в поликристаллическом материале при одновременном транспорте по кристаллической решетке и по межзеренным границам оценены значения коэффициентов диффузии свинца для значений температуры Т = 553 К и Т = 573 К. Для механизма диффузии по МЗГ коэффициенты диффузии равны 4*10'8 см2/с и 9*10'8 см2/с соответственно. Для диффузии по кристаллической решетке — 4 10″ 15 см2/с и 8*10″ 15 см2/с, соответственно.

5. Составлено программное обеспечение и выполнены сравнительные расчеты диффузионных процессов, объясняющие замедление проникновения кислорода вглубь слоя при образовании сплошного оксидного покрытия на поверхности.

6. Определена роль иода в процессе активации слоев Pbi. xCdxSe (при х от 0 до 0.2 моль, доли CdSe). Предложенная модель, предполагающая образование легколетучих иодидов металлов, обеспечивающих глубокое легирование зерен кислородом, экспериментально подтверждена методами Оже-спектроскопии и рентгеновского фазового анализа, а также исследованиями фотолюминесценции.

7. Предложена методика определения значения температуры образования жидких фаз Тж в многокомпонентных эвтектических системах на основе измерения температурной зависимости внутреннего трения. Для экспериментально изучаемой системы Pb-Se-Cd-I определено значение температуры Тж = 687 К. Эта температура является оптимальной для осуществления процессов перекристаллизации поликристаллических слоев.

8. Развиты модельные представления о процессах формирования и функционирования варизонных фотолюминесцентных структур, адекватно описывающие их спеюральные характеристики. Разработанная модель обладает предсказательными свойствами. Составлено программное обеспечение и проведено моделирование процессов излучательной рекомбинации в соответствии с моделью тонкого варизонного полупроводника.

9. На основе модели варизонной структуры зерна теоретически предсказана и экспериментально подтверждена возможность формирования элементов, обладающих одновременно эффективной фотолюминесценцией и фотопроводимостью. Показана перспективность таких структур для создания фоторезисторов с повышенной дегра-дационной стойкостью.

10. Научно-технические решения защищены патентом РФ (Положительное решение по заявке № 2 005 136 294 с приоритетом от 22.11.2005), внедрены в ОАО «РНИИ «Элекгронстандарт» и используются при серийном выпуске источников ИК-излучения, что подтверждено актом внедрения.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Дж. Современные датчики. Справочник. Пер. с англ. М.: Техносфера, 2005.
  2. . Химические и биологические сенсоры. Пер. с англ. М.: Техносфера, 2005.
  3. Е.М., Крылов В. А. Оптические газоанализаторы для безопасных технологий. // Петербургский журнал электроники. 2003, № 1, с. 54 — 59.
  4. Ю.И., Ефимова Б. А., Смирнов И. А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS. М.: «Наука», 1968.
  5. Martinez G., Schluter М., Cohen M.L. Electronic Structure of PbSe and PbTe. Band structure densities of states and effective masses.// Phys. Rev. B. 1975, V. l 1, N 2, P. 651−659.
  6. A.H., Уханов Ю. И. Исследование коэффициента поглощения в р-РЬТе. // ФТП. 1976, т. 10, № 7, с.1315−1319.
  7. Н.Х., Шелимова JI.E. Полупроводниковые материалы на основе соединений А4В6. М.: Наука, 1975.
  8. Lopez Otero A. Hot well epitaxy. // Thin solid films. 1978, V. 49, N 1, P. 3 — 57.
  9. В.П., Новоселова А. В. Р-Т-х диаграммы состояния систем металл -халькоген. М.: «Наука», 1987.
  10. Д.Б., Камчатка М. И. Моделирование процессов дефекгообразования и свойства хапькогенидов свинца. // Неорг. Мат. 2001, т. 37, № 2, с. 157−164.
  11. С.А., Серегин П. П., Иркаев С. М., Серегин Н. П. Положение примесных атомов мышьяка в решетке PbTe. // ФТП 2003, т. 37, № 3, с. 279 — 281.
  12. С.А., Осипов П. А. Примесь Bi в PbSe. // ФТП 2001, т. 35, № 6, с. 731 ^ 733.
  13. С.А., Насрединов Ф. С., Серегин П. П., Серегин Н. П., Хужакулов Э. С. Энергетические параметры двухэлекгронных центров олова в PbSe. // ФТП -2005, т. 39, № 6, с. 669−673.
  14. Johnson, Т.Н. Lead salt detectors and arrays PbS and PbSe. // Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 1984, V. 443, p. 60.
  15. Humphrey J.N., Scanlon W.W. Photoconductivity in lead selenide. Experimental. // Phys. Rev. -1957, V. 105, № 2, p. 469−476
  16. Humphrey J.N., Petritz R.L. Photoconductivity of lead selenide: Theory of the Mechanism of sensitization. // Phys. Rev. 1957, V. 105, № 6, p. 1736−1740
  17. Torquemada M.C., Rodrigo M.T., Vergara V. Role of halogens in the mechanism of sensitization of uncooled PbSe infrared photodetectors. // J. Appl. Phys. 2003, V. 93, № 3, p. 1778.
  18. Petritz R.L. Theory of an experiment for measuring the mobility and density of carriers in the space-charge region of a semiconductor surface. // Phys. Rev. -1958, V. 110, № 6, p. 1254−1262.
  19. Yoshizumi Yasuoka M. Wada. The effects of selenium on evaporated PbSe films. // Japan J. Appl. Phys. 1974, V. 13, № 9 p. 1463−1464.
  20. Bondokov R.Tz., Dimitrov D.Tz., Moshnikov V.A., Panov M.F., Saunin I.V. Photoelectrical properties of policrystalline layers based on halogen doped PbTe. // Proceeding of SPIE. 1999, V. 3890, p. 241 — 247
  21. T.T. Влияние адсорбированного кислорода на электрические и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных слоев сернистого свинца // Сб. статей, Новосибирск, 1967.
  22. Egerton P.F., Juhasz С. The effect of oxyden on epitaxial PbTe, PbSe and PbS films. // Thin Solid Films 1969, V. 4, № 4, p. 239−253.
  23. Parker E.H., Williams D. The kinetics and electrical effects of oxygen sorption on uncontaminated PbTe thin films. // Thin Solid Films. 1976, V. 35, № 3, p. 373−395.
  24. JI.H. Осипов B.B. К теории физических свойств фоточувствительных поликристаллических пленок типа PbS. I. Модель, проводимость и эффект Холла. // ФПГ. 1986, т. 20, № 1, С. 59−65.
  25. С.М. Комплексное исследование влияния кислорода на электрические и фотоэлектрические свойства сернисто-свинцовых фотосопротивлений. // ЖТФ. 1952, т. 22, № 12, с.1930−1944.
  26. A.M., Гольденвейзер А. А., Соколов И. А. и др. Оже-электронный микроанализ окисленного поликристаллического слоя сульфида свинца. // ДАН СССР 1983, т. 269, № 3, с. 607−609.
  27. Ю.А., Поник Ю. В. О природе центров фоточувствительности в физических слоях PbS. // ФТП. 1969, т. 3, № 3, с.458−460.
  28. Briones F., Dolmayo D., Ortiz С. The Role of Oxygen in the Sensitization of Photoconductive PbSe Films. // Thin Solid Films. 1981, V. 78, p. 385 — 388.
  29. Yoshizumi Yasuoka, Masanobu Wada. Thermally Stimulated Current of Vacuum Deposited PbSe Films. // Jap. Journ. Appl. Phys. 1974, V.13, № 11, p. 1797−1803.
  30. Zemel I.N. Transport phenomena in hetero-epitaxial semiconductor films. In: The use of thin films in physical investigations. L.- N. Y.: Acad. Press, 1966, p. 319−345.
  31. Д.М., Костик Б. Ф., Борик Л. И., Алиев Ф. Г. Изотермический отжиг пленок селенида свинца. // Изв. РАН Неорганические материалы. 1984, т. 20, №> 5, с.756
  32. В.И., Прохоров В. А., Юнович А. Э. Исследование локальных неодно-родностей фоточувствительности и люминесценции пленок халькогенидов свинца в растровом электронном микроскопе. //ФТП. 1984, т. 18, № 3 с. 484−488.
  33. Ф., Дрозд И. А., Лебедева Л. Я., Тен В.П., Юнович А. Э. Вынужденное излучение тонких пленок PbSe при комнатной температуре. // ФТП. -1977, т. 11, № 3, с.568−570.
  34. В.В., Дашевский З. М., Ерусалимская Т. М. и др. Влияние кислорода на барьерные эффекты в блочных монокристаллических пленках р-РЬТе. // ФТП.- 1984, т. 18, № 6, с. 1118−1120.
  35. С.А., Пихтин А. Н., Юнович А. Э. Механизмы излучательной рекомбинации в PbSe вблизи комнатной температуры. // ФТП 1990, т.24, № 5, с.795−799.
  36. Hagihara Н. Surface Roughening and Oxidation of Galena Cleavage Face in a Vacuum Furnace Under Limited Air Supply. // J. Phys. Soc. Japan. -1953, V. 8, № 3, p. 406−416.
  37. В. И. Соловьев A.M. Фотоэлектрические и оптические явления в полупроводниках. // Изв. АН УССР. 1959, с. 213.
  38. В. А. Тимофеев О.А. Фотопроводящие окислы свинца в электронике. Л.: Наука, 1979.
  39. В.Н. О локализации центров прилипания в сернисто-свинцовых фотосопротивлениях. // ФТП. 1970, т. 4, № 5, с. 955−956.
  40. Gautier С., Combon-Muller M., Averous M. Study of PbSe layer oxidation and oxide dissolution. //Appl. Surf. Science. 1999, V. 141, p. 157−163.
  41. Н.П., Глобус T.P., Николаева Т. Г. О подвижности дырок и электронов в поликристаллических фоточувствительных слоях PbSe. // ФТП. 1987, т. 21, № 1, с. 37−41.
  42. .А., Зломанов В. И., Новоселова А. В. Изучение термического разложения селената и селенита свинца. // Журнал неорганической химии. 1960, т. 5, № 10, с. 2261−2264.
  43. Н.М., Шнейлер В. А., Зубова Г. А. О разложении селенатов стронция, бария и свинца. // Журнал неорганической химии. 1958, т. 4, № 5, с. 1299−1303.
  44. А.Ф., Селиванова Н. М. Растворимость и свободная энергия образования селената свинца. // Полярография и термодинамика. 1959, т. 5, № 12, с.1508−1512.
  45. Candea, R.M., Turcu, R., Borodi, G. and Bratu, I. Effects of thermal annealing in air on VE, COD and CAD PbSe films. // Phys. Stat. Sol. (a). 1987, V. 100, p. 149−160.
  46. Streltsov E.A. et al. Electrochemical deposition of PbSe films. // Electrochemica Acta.- 1998, V.43,№ 43,p. 869−873.
  47. В.Г., Дрозд И.А, Сусова A.M. О роли поверхностного окисла в фоточувствительности поликристаллических пленок сульфида свинца. // ФТП -1976, т. 10, № 1, с. 16−20.
  48. Trifonova Е.Р., Karagiozov L. On iodine behaviour in bulk crystals of PbTe and SnTe synthesized by the iodine method. // Crystal Res. Technol. 1983, V. 18, № 3, p. 315−320.
  49. Harman T.C. Physics of IV-VI compounds and alloys (ed. S. Rabii), London, New York, Paris, 1974.
  50. Г. В. Кристаллохимия, M.: Наука, 1971.
  51. Stiber D., Hildman B.O. Chemical transport reaction during crystal growth of PbTe and PbSe via vapor phase influenced by Agl. // J. Cryst. Growth. 1992, v. 121, p. 656−664.
  52. Р.Ф. Иодидные металлы и иодиды металлов. М.: «Металлургия», 1968.
  53. В. Полученние халькогенидов и пниктидов при низкой температуре. / Препаративные методы в химии твердого тела. М.: Мир, 1976.
  54. Assenov R., Moshnikov V.A., Yaskov D.A. On behavior of Iodine in PbTe and SnTe. // Phis. Stat. Sol. (a). -1985, V. 88, k. 27 k 29.
  55. P., Мошников В. А., Яськов Д. А. Электроннолучевая обработка образцов PbTe и SnTe, полученных иодидным методом. // Труды Международной конференции по электронно-лучевым технологиям. Варна, 1985, с. 447−454.
  56. Физика и химия соединений А^^. Под ред. С. А. Медведева. М.: Мир, 1970.
  57. С.А. Оптические свойства и особенности зонной структуры селенида свинца и твердых раствотров селенида свинца селенида кадмия: Автореф. дисс. канд. физ.-мат. наук / ЛЭТИ, Л., 1990.
  58. Wald F., Rosenberg A.G. Solid solutions of CdSe and InSe in PbSe. // J. Phys. and Chem. Solids. 1965, V. 26, № n, p. 1087.
  59. З.Ф., Олейник Г. С., Томашик B.H. Диаграмма состояния системы PbSe-CdSe. // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1980, т. 16, № 2, с. 261−293.
  60. Streltsov Е.А. Osipovich N.P., Ivashkevich L.S. Effect of Cd (II) on electrodeposition of textured PbSe. // Electrochemica Acta. 1999, V. 44, p. 2645−2652.
  61. А.П., Катилене Э. Р., Таллерчик Б. А. Легирование слоев Pb!.ySnySe в процессе жидкофазной эпитаксии. // Неорганические материалы. 1983, т. 19, № 5, с. 733−735.
  62. Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применение. // Под ред. Г. Харбеке, М.: Мир, 1989.
  63. Petritz R.L. Theory of photoconductivity in semiconductor films // Phys. Rev. -1956, V. 104, № 6, p. 1508−1516.
  64. Mandurah M.M., Saraswat K.C., Kamins T.I. A model for conduction in polycrystalline silicon, / Part I: Theory- Part II: Comparison of theory and experiment. // IEEE Transact, on electron devices. 1981, V. ED-28, № 10, p. 1163−1176.
  65. .И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979.
  66. Л.Н., Осипов В. В. О механизме протекания тока и фототока в поликристаллах PbS. // ФТП. 1984, т. 18, № 2, с. 359−362.
  67. Л. Н. Осипов В.В. К теории физических свойств фоточувствительных поликристаллических пленок типа PbS. И. Фотопроводимость. Сравнение с экспериментом. // ФТП. 1986, т. 20, № 1, с. 66−72.
  68. А.Н. Оптическая и квантовая электроника. Учеб. для вузов, М.: Высш.шк., 2001.
  69. Л.Н., Королёв Н. В. Фотолюминесценция PbS в инфракрасной области спектра. // ДАН СССР. 1953, т. 92, № 3, с. 529−530.
  70. Л.Н., Курбатов Л. Н. Влияние кислорода на люминесценцию PbSe. // Опт. и спектроскоп. 1962, т. 12, № 1, с. 95−98.
  71. Д.М., Даварашвили О. Н., Засавицкий И. И., Мацонашвили Б. Н., Шотов А. П. Фотолюминесценция полупроводниковых эпитаксиальных плёнок Pbi.xSnxTe и Pbi.xSnxSe. // ФТП. 1975, т. 9, № 10, с. 1902−1908.
  72. Д.М., Засавицкий И. И., Мацонашвили Б. Н., Шотов А. П. Определение зонных параметров твёрдых растворов Pbi.xSnxTe (0<х<0.23) из спектров фотолюминесценции в магнитном поле. // ФТП. 1978, т. 12, № 7, с. 705−712.
  73. Д.М., Засавицкий И. И., Мацонашвили Б. Н., Шотов А. П. Излучательная рекомбинация в твёрдых растворах Pbi.xSnxTe. // ФТП. 1978, т. 12, № 9, с.1743−1749.
  74. Д.М., Даварашвили О. Н., Засавицкий И. И., Мацонашвили Б. Н., Шотов А. П. Излучательная рекомбинация в эпитаксиальных слоях PbixSnxSe (0<х<0.4). // ФТП. 1979, т. 13, № 9, с.1752−1755.
  75. Л.Н., Бритов А. Д., Караваев С. М. Катодолюминесценция селенида свинца-олова. // ФТП. 1975, т. 9, № 7, с.1588−1591.
  76. Л.Н., Бритов А. Д., Караваев С. М. Температурные и концентрационные зависимости рекомбинационного излучения теллурида свинца-олова. // ФТП. 1976, т.10,№ 2, с.250−255.
  77. Л.Н., Бритов А. Д., Мочалкин П. Н. Температурные зависимости излучения PbS. // ФТП. 1970, т.4, № 1, с. 120 — 124.
  78. С.И. Фотолюминесценция локальных уровней в PbSe. // ФТП. 1985, т. 19, № 10, с.1822- 1825.
  79. С.И., Трофимова И. Б., Юнович А. Э. Фотолюминесценция плёнок тройных твёрдых растворов Pb!.xCdxS. // ФТП. 1984, т. 18, № 4, с. 631 — 634.
  80. С.В., Пашкевич А. В., Шелехин Ю. А., Дийков JI.K. Фотолюминесценция поликристаллических плёнок Pbi"xCdxSe. // ФТП. 1984, т. 18, № 12, с. 2233 -2235.
  81. А.Э., Тен В.П., Фёдоров М. С., Храмцов А. П. Вынужденное излучение тонких плёнок халькогенидов свинца при фотовозбуждении. // ФТП. 1975, т. 9, № 7, с. 904 — 906.
  82. Н.П., Глобус Т. Р., Дийков Л. К., Калинин Ю. В., Николаева Т. Г., Олеск А. О. Рекомбинационные процессы в поликристаллических плёнках PbSe. // ФТП. 1983, т. З, № 4, с.534−537.
  83. А.Э., Аверюшкин А. С., Дрозд И. А., Огнева В. Г. Зависимости вынужденного излучения тонких плёнок PbSe от температуры в интервале Т=50−300К. // ФШ. 1979, т. 13, № 9, с. 1697 — 1700.
  84. Г. А., Киселёва К. В. Проблема стехиометрии в полупроводниках переменного состава типа А2В6 и А4В6. // Труды ФИАН. 1987, т. 177, с. 5 — 84.
  85. Harrison L.G. Influence of dislocations on diffusion kinetics in solids with particular reference to the alkali halides. // Trans. Faraday Soc. 1961, V. 57, p. 1191−1198.
  86. Unnam J., Carpenter J.A., Hauska C.R. X-ray diffraction approach to grain boundary and volume diffusion. // Journ. Appl. Phys. 1973, V. 44, p. 1957 — 1962.
  87. Gilmer G.H., Farrell H.H. Grain-boundary diffusion in thin films: I. The isolated grain boundary. // Journ. Appl. Phys. 1976, V. 47, p. 3792 — 3798.
  88. Gilmer G.H., Farrell H.H. Grain-boundary diffusion in thin films. II. Multiple grain boundaries and surface diffusion. // Journ. Appl. Phys. 1976, V. 47,3792 — 3798.
  89. Whipple R.T.P. Concentration contours in grain boundary diffusion. // Phil. Mag. -1954, V. 45, p. 4455−4462.
  90. Л.С. Физика полупроводников. М.: Советское радио, 1967.
  91. Ю.И. Оптические свойства полупроводников М.: Наука, 1977.
  92. В.И., Мусихин С. Ф., Шик АЛ. Варизонные полупроводники и гетеро-структуры. СПб.: Наука, 2000.
  93. С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз,
  94. .П. Краткий курс высшей математики. М.: ACT, 2005.
  95. М. А., Глущенко В. И. Описание движения границы раздела фаз в двухкомпонентной системе при заданном составе одной фазы. // ФММ. 2001, т. 91, № 5, с. 5−14.
  96. П.А., Рогов В. И. О парциальных коэффициентах диффузии. // ФММ.- 1968, т. 26, № 6, с. 1119- 1121.
  97. К.П., Карташкин Б. А., Угасте Ю. Э. Взаимная диффузия в многофазных металлических системах. М.: Наука 1981.
  98. Л.П. «Нуклеационная» концепция появления жидкой фазы при контактном плавлении. // Неорганические материалы. -1999. т. 35, № 8, с. 1014−1017.
  99. ЮО.Любов Б. Я. Кинетическая теория фазовых превращений. М.: Металлургия, 1969.
  100. Г. М., Темин Д. Е., Любов Б .Я. Влияние границы раздела фаз на кинетику изотермического превращения в сплавах. // ФММ. 1978, т. 46, № 3, с. 540 — 547.
  101. Ю2.Любов Б Л. Диффузионные процессы в неоднородных твердых средах. М.: Наука, 1981.
  102. М.А., Чураков М. М., Глущенко В. И. Движение границы раздела фаз в твердых растворах.//ФММ. 1997, т. 83, № 6, с. 5 -18.
  103. Ю4.Иванов М. А., Чураков М. М., ГлущенкоВ.И. Описание роста двухкомпо-нентного слоя с учетом диффузионного и межфазного транспорта атомов. // ФММ. 1999, т. 88, № 2, с. 12 — 22.
  104. Борисов В. И, Борисов В. Т. Влияние скорости межфазных реакций на кинетику роста диффузионных слоев. // ФММ. 1976, т. 42, № 3, с. 496 — 500.
  105. И.П., Карташкин Б. А., Поляков А. П., Шоршоров М. Х. О природе и механизме контактного плавления. // ФХОМ. 1972, № 2, с. 36 — 39.
  106. Я. Е. Диффузионная зона. М.: Наука, 1979.
  107. Е.И. Рост нитевидных кристаллов из пара. М.: Наука, 1977.
  108. Е.М., Голубченко Н. В., Мошников В. А., Чеснокова Д. Б. Кинетические характеристики сенсибилизирующих отжигов поликристаллических слоев селенида свинца. // Петерб. журн. электроники. 2003, № 4, с. 25−33.
  109. ПО.Канагеева Ю. М., Гамарц А. Е. Многослойные структуры PbSe/por-Si/Si и их электрофизические свойства. // Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ». 2005, № 1, с. 9−16.
  110. Микроанализ и растровая элеюронная микроскопия. Под ред. Ф. Морис М.: Металлургия, 1985.112.0рмонт Б. Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М.: Высшая школа, 1973.
  111. Фельдман JL, Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок. М.: Мир, 1989
  112. В.А., Щетинин А. А. Рост нитевидных кристаллов. Воронеж: ВГУ, 2003.
  113. Н.В. Влияние примесей на кинетику и механизмы процессов окисления поликристаллических слоев селенида свинца при формировании фоточувствительных структур: Автореф. дисс. канд. тех. наук / СПбГЭТУ «ЛЭТИ», СПб, 2004.
  114. Я.Е. Физика спекания. М.: Наука, 1984.
  115. К.К. Теоретические основы технологии огнеупорных материалов. М.: Металлургия. 1985.
  116. У.Д. Введение в керамику. М.: Стройиздат, 1967.
  117. R. Pampuch. Constitution and properties of ceramic materials. Warszawa: PWN -Polish scientific publishers, 1991.
  118. Диаграммы плавкости солевых систем. Под ред. Посыпойко В. И., Алексеевой А. Е. М.: Металлургия, 1977.
  119. А.С., Максимов А. И., Мошников В. А., Ярославцев Н. П. Внутреннее трение в полупроводниковых тонких пленках, полученных методом золь-гель технологии. // ФТП. 2005, т. 39, № 3, с. 300 — 304.
  120. А.Е., Лебедев В. М., Мошников В. А., Чеснокова Д. Б. Определение профиля диффузии кислорода в поликристаллических слоях селенида свинца методами ядерного микроанализа. // ФТП. 2004, т. 38, № 10, с. 1195 — 1198.
  121. А.Е., Канагеева Ю. М., Мошников В. А. Определение концентрации носителей заряда в поликристаллических слоях селенида свинца на основе спектров отражения. // ФТП. 2005, т. 39, № 6, с. 667 — 668.
  122. Н.В., Мошников В. А., Чеснокова Д. Б. Кинетика и механизмы окисления поликристаллических слоев селенида свинца, легированных висмутом. // Материалы электронной техники. 2005, № 1, с. 23 — 28.
  123. Г. В. Метод микротермо-ЭДС. // ДАН СССР. 1946, т. 51, № 3, с. 205−208
  124. В.А. Метод измерения микротермоэлектродвижущей силы сплавов. // Зав. лаб. 1968, т. 34, № 6, с. 695 — 696.
  125. В.А. Исследование однородности высоколегированных полупроводников с помощью нагретого зонда-термопары. // Зав. лаб. 1965, т. 31, № 4, с. 461−462.
  126. В.А., Милославов СЛ. Исследование неоднородностей твердых растворов Pbi.xSnxTe нестационарным термозондовым методом. / «Получение и свойства полупроводниковых соединений А2В6 и А4В6 и твердых растворов на их основе». М: МИСИС. 1977. с. 302.
  127. А.А., Субашиев В. К. Определение некоторых параметров сильнолегированных полупроводников из спектрального хода коэффициента отражения. // ФТТ. 1966, т. 8, № 6, с. 753 — 759.
  128. П.В., Соколовский Э. И. Тепловой расчет электронных приборов. Учебое пособие. М.: Высш. школа, 1977.
  129. .С., Ярославцев А. Б. Диффузия атомов и ионов в твердых телах. М.: МИСИС, 2005.
  130. З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справ. М.: Радио и связь, 1991.
  131. А.Н., Разбирин Б. Ф. Влияние энергии связи на кинетику излучатель-ной и безизлучательной рекомбинации в связанных экситонах. // ЖЭТФ, -2003, т. 123, С. 92−97.
  132. А.Г., Трофимова Н. Б. Об усилении люминесценции в узкозонной фазе гетерогенного полупроводника PbS—CdS. // ЖТФ. 2001, т. 71, № 7, с. 140−143.
  133. А.Е., Мошников В. А., Чеснокова Д. Б. Модель фотолюминесценции в поликристаллических слоях Pbi.xCdxSe. // Материалы международной научной конференции «Тонкие пленки и наноструктуры», 22 26 ноября 2005 г., г. Москва, М.: МИРЭА, 2005, с. 92−95.
  134. Lukovsky G. On photoionisation of deep impurity centers in semiconductors. // Sol. St. Commun. 1965, v. 3, № 9, p. 299 — 305.
  135. В.Ф., Пека Г. П., Шепель Л. Г. Исследование спектров излучения и возбуждения фотолюминесценции варизонных полупроводников. // ФТП. -1977, т. 11, № 11, с. 2084 2088.
  136. В.Ф., Пека Г. П., Шепель Л. Г. Излучательная рекомбинация в тонких варизонных структурах. // ФТП. 1978, т. 12, № 7, с. 1421 — 1423.
  137. В.Ф., Пека Г. П., Шепель Л. Г. Особенности излучательной рекомбинации в варизонных полупроводниках с большим градиентом ширины запрещенной зоны. // ФТП. 1978, т. 12, № 9, с. 1851 — 1853.
  138. А.И., Коваленко В. Ф., Миронченко А. Ю., Шутов С. В. Влияние дрейфа носителей заряда во встроенном квазиэлектрическом поле на спектр излучения варизонных полупроводников. // ФТП. 2001, т. 35, № 1, с. 53 — 57.
  139. В.Ф., Миронченко А. Ю., Шутов С. В. Влияние дрейфа носителей заряда во встроенном квазиэлеюрическом поле на спектр излучения варизонных полупроводников. // ФТП 2002, т. 36, № 2, с. 192 — 196.
  140. Д.В., Селиванов Ю. Г., Трофимов В. Т., Чижевский Е. Г. Поверхностные состояния кристаллов селенида свинца. // Письма в ЖЭТФ. 1995, т. 62, № 5, с. 422 — 426.
  141. А.Е., Мошников В. А., Чеснокова Д. Б. Поликристаллические слои PbixCdxSe с эффективной фотолюминесценцией. Модель зерна. // Петерб. журнал электроники. 2005, № 4. с. 83 — 88.
  142. С.А., Прокопенко В. Т., Яськов А. Д. Экспериментальная оптика полупроводников. СПб.: Политехника, 1994.
  143. . Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973.
  144. А.Е., Кощеев С. В., Мошников В. А. Деградация фоторезисторов на основе поликристаллических слоев селенида свинца с диэлектрическими прослойками. // Перспективные материалы. 2005, № 3, с. 91 — 94.
  145. Gautier G., Breton G., Nouaoura M., Charar S., Averous M. Chemical and electrochemical passivation of PbSe thin layers grown by molecular beam epitaxy. // J. Electrochem. Soc. 1998, V. 145, № 2, p. 512 — 517.1. Описание программы
  146. Меняя параметр а, можно в реальном времени следить за изменением зависимости R (?,) и добиться совпадения необходимых параметров.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?