Туннельная спектроскопия двумерной электронной системы приповерхностного дельта-легированного слоя в GaAs
Диссертация
В туннельных структурах Al/6-GaAs с непрозрачным алюминиевым затвором обнаружен фоторезистивный отклик повторяющий форму импульса (длительность 100 не) субмиллиметрового лазера с оптической накачкой. Показано, что при больших положительных смещениях на структуре, когда ее сопротивление обусловлено сопротивлением канала с S-слоем, отклик связан с разогревом 2D электронного газа в свободной… Читать ещё >
Содержание
- Глава 1. Эффекты поляронного взаимодействия в двумерных электронных системах на основе GaAs (Обзор)
- 1. 1. Поляроны в полупроводниках
- 1. 2. Резонансное поляронное взаимодействие
- 1. 3. Линии LO-фононов в туннельных спектрах переходов на основе GaAs
- Глава 2. Изготовление туннельных переходов методом МЛЭ и характеристики образцов
- 2. 1. Технология МЛЭ изготовления туннельной структуры Al/5-GaAs
- 2. 2. Основные параметры туннельных структур Al/5-GaAs
- Глава 3. Методические особенности измерений туннельных спектров, их анализа и обработки
- 3. 1. Формулы для анализа туннельных характеристик структур
- Al/5-GaAs
- 3. 2. Методики измерения туннельных спектров, определение положений уровней в ДЭС и сравнение с расчетом
- 3. 3. Выделение многочастичных особенностей в туннельных спектрах
- 3. 4. Туннельная плотность состояний в области сверхпроводящей щели в алюминиевом электроде структуры Al/5-GaAs
- Глава 4. Магнитотранспортные измерения в приповерхностных
- 5-легированных слоях
- 4. 1. Структуры приповерхностными 5-слоями
- 4. 2. Зависимость подвижности в заполненых подзонах ДЭС от напряжения на металлическом затворе
- 4. 3. Структура с двумя 8-слоями
- 4. 4. Выводы
- Глава 5. Эффект замороженной туннельной фотопроводимости
- 5. 1. Основные проявления эффекта ЗТФП при температуре 4.2К
- 5. 2. Влияние геометрии затворов и энергии кванта излучения на эффект ЗТФП
- 5. 3. Температурная граница эффекта ЗТФП
- 5. 4. Заключительные замечания и
- выводы
- Глава 6. Диамагнитный сдвиг уровней и резонансные поляронные эффекты в приповерхностном 8-слое
- 6. 1. Зависимость туннельных спектров от продольного 5-слою магнитного поля
- 6. 2. Резонансные поляроны в приповерхностном 5-слое
- 6. 3. Выводы
- Глава 7. Линии LO-фононов в туннельных спектрах ДЭС
- 7. 1. Линии LO-фононов в туннельных спектрах структур
- Al/GaAs с 3D и 2D электродом в GaAs
- 7. 2. Эффект отражения электронов при туннелировании в ДЭС на пороге эмисии LO-фонона
- 7. 3. Зависимость эффекта отражения от плотности ДЭС
- 7. 4. Поляронные особенности в собственной энергии электрона в ДЭС
- 7. 5. Выводы
- Глава 8. Туннельная плотность состояний на поверхности Ферми в ДЭС 5легированного слоя GaAs
- 8. 1. Вводные замечания
- 8. 2. Туннельно-спектроскопические исследования ДЭС 5-слоя при гидростатических давлениях
- 8. 3. Зависимость туннельной плотности состояний на поверхности
- Ферми от концентрации электронов в ДЭС
- 8. 4. Зависимость аномалии при нулевом смещении в туннельных спектрах от магнитного поля для структур с &f?>
- 8. 5. Выводы
- Глава 9. Отклик туннельных структур на импульсное излучение субмиллиметрового лазера с оптической накачкой
- 9. 1. Вводные замечания
- 9. 2. Отклик структур Al/5-GaAs на излучение с длинами волн
- 90. и 250 мкм
- 9. 3. Фотоотклик структур с двойным (разрезным) затвором
- 9. 4. Выводы
Список литературы
- А1. Котельников И. Н., Шульман, А .Я., Чиркова Е. Г, Чепиков Д. К., Определение параметров области изгиба зон в переходах n-GaAs/метэлл по туннельным вольтамперным характеристикам // ФТП, Т. 21, в. 10., с. 1854−1862 (1987).
- А4. Ганичев С. Д., Глух К. Ю., Котельников И. Н., Мордовец Н. А., Шульман, А .Я., Ярошецкий И. Д., Точечный быстродействующий фотоприемник лазерного субмиллиметрового излучения // Письма в ЖТФ, Т. 15, вып. 8, с. 8−10 (1989).
- A7. Дижур E.M., Вороновский A.H., Ицкевич E.C., Котельников И. Н., Шульман А. Я., Осцилляции туннельной проводимости перехода n-GaAs/Au с барьером Шоттки//ЖЭТФ, Т. 102, в.5(11), с. 1553−1562 (1992).
- А9. Ганичев С. Д., Глух К. Ю., Котельников И. Н., Мордовец Н. А., Шульман А. Я., Ярошецкий И. Д., Туннелирование при плазменном отражении излучения в переходах металл-полупроводник с самосогласованным барьером Шоттки // ЖЭТФ, Т. 102, с. 907−924 (1992).
- А10. Dizhur Е.М., Voronovskii A.N., Itskevich Е. S., Shul’man A.Ya., Kotel’nikov I.N., Oscillations on tunneling conductance of Schottky-barrier n-GaAs/Au junctions // High Pressure Researches, V. 9−10, No 1−2, pp. 370−373 (1992).
- All. Котельников И. Н., Рылик A.C., Шульман, А .Я., Магнитоосцилляции и анизотропия аномалии при нулевом смещении в туннельных переходах п-GaAs/Au в квантующем магнитном поле // Письма в ЖЭТФ, Т. 58, в. 10, с. 831 835 (1993).
- A13. Мокеров В. Г., Медведев Б. К., Котельников И. Н., Федоров Ю. В., Влияние состояния поверхности GaAs перед осаждением Si на процесс дельта-легирования // Доклады Академии Наук, Т. 332, No 5, с. 575−577 (1993).
- А14. Котельников И. Н., Шульман А. Я., Мод Д. К., Порталь Ж.-К., Туннелирование в квантующем магнитном поле и многочастичные особенности в туннельных спектрах переходов с барьером Шоттки // Письма в ЖЭТФ, Т. 60, в. 12, с. 849−853 (1994).
- А15. Котельников И. Н., Шульман А. Я., Варванин Н. А., Ганичев С. Д., Майерхофер Б., Преттл В., Фоторезистивный эффект в туннельных переходах дельта-легированный GaAs/метэлл // Письма в ЖЭТФ, Т. 62, в. 1, с. 48−53 (1995).
- А16. Kotel’nikov I.N., Shul’man A.Ya., Mordovets N.A., Ganichev, S.D., Prettl W., Effect of Pulsed FIR Laser Radiation on Tunnel and Channel Resistance of Delta-Doped GaAs //Physics of Low-Dimensional Structures, V. 12, pp. 133−140 (1995).
- A18. Kotel’nikov I.N., Shul’man A.Ya., Ganichev S.D., Varvanin N.A., Mayerhofer В., Prettl W., Heating of Two-Dimensional Electron Gas and LO Phononsin Delta-Doped GaAs by Far-Infrared Radiation // Sol. State Comm., V. 97, No. 10, pp. 827−832 (1996).
- A19. C.D. Ganichev, Kotel’nikov I.N., Shul’man A.Ya., N.A. Mordovets, Prettl W., Response of tunnel Schottky-barrier junctions to radiation pressure of FIR laser radiation // Int. Journal of IR and MM Waves, V. 17, No. 8, pp. 1353−1364 (1996).
- A22. Kotel’nikov I.N., Volkov V.A., Intersubband resonant polaron in near-surface delta-doped GaAs // Proc. of 7th Intern. Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», TP-07p, St. Petersburg, Russia, June 14−18, 1999, pp. 272−275.
- A24. Котельников И. Н., Кокин B.A., Федоров Ю. В., Гук А. В., Талбаев Д. Т., Межподзонные резонансные поляроны в туннельных переходах Al/delta-GaAs И Письма в ЖЭТФ, Т. 71, в. 9, с. 564−569 (2000).
- А26. И. Н. Котельников, С. Е. Дижур, Межподзонный резонансный полярон в приповерхностном дельта-легированном слое GaAs // Материалы совещания «Нанофотоника», Нижний Новгород 26−29 марта 2001 г., Институт физики микроструктур РАН, с. 159−162.
- A29. E.M. Dizhur, A.Ya. Shulman, I.N. Kotelnikov, and A.N. Voronovsky, Pressure dependence of the barrier height in tunnel n-GaAs/Au junctions // Phys. stat. sol. (b), V. 223, pp. 129−137 (2001).
- A30. S.E.Dizhur, I.N.Kotel'nikov, V.A.Kokin, and F.V.Shtrom, 2D-subband spectra variations under persistent tunnelling photoconductivity condition in tunnel delta-GaAs/Al structures // Physics of Low-Dimensional Structures, V 11/12, pp. 233−244(2001).
- A32. E. M. Dizhur, A. N. Voronovsky, I. N. Kotelnikov, S. E. Dizhur, and M. N. Feiginov, Experimental study of pressure influence on tunnel transport into 2DEG // Phys. Stat. Sol. (b), V. 235, No 2, pp. 531−535 (2003).
- A35. Е. М. Дижур, А. Н. Вороновский, А. В. Федоров, И. Н. Котельников, С. Е. Дижур, Переход приповерхностного 5-слоя туннельной структуры Al/5(Si)-GaAs в диэлектрическое состояние под давлением // Письма в ЖЭТФ, Т. 80, № 6, с. 489−492 (2004).
- А36. И. Н. Котельников, С. Е. Дижур, Рассеяние с участием LO-фононов при туннелировании в двумерную электронную систему дельта-слоя // Письма в ЖЭТФ, Т. 81, Вып. 9, с. 574−577 (2005).
- A39. С. Е. Дижур, И. Н. Котельников, E.M. Дижур, Отражение электронов при туннелировании и межподзонный резонансный полярон в двумерной электронной системе дельта-слоя в GaAs // Радиотехника и электроника, Т. 51, № 5, с. 625−632 (2006).
- А40. И. Н. Котельников, С. Е. Дижур, М. Е. Фейгинов, Н. М. Мордовец, Влияние энергии фотонов и температуры на эффект замороженной туннельной фотопроводимости структур Al/delta-GaAs // ФТП, Т.40, Вып.7, с. 839−845 (2006).
- Wolf, E.L. Principles of Electron Tunneling Spectroscopy / Wolf E.L. Oxford: Oxford Univ. Press, 1985.-576 p.
- Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры / под ред. JL Ченга, К. Плога- пер. с англ. под ред. Ж. И. Алферова. М.: Мир, 1989. 582 с.
- Шик, А. Я. Полупроводниковые структуры с дельта-слоями / А. Я. Шик // ФТП. -1992. Т.26, Вып.7. С.1161−1181.
- Delta Doping of Semiconductors / Ed. by E.F. Schubert Cambridge: Cambridge University Press, 1996. — 616 p.
- Khavin, Yu. Strong localization of electrons in quasi-one-dimensional conductors / Yu. Khavin, M. Gershenson, A. Bogdanov // Phys. Rev. В.- 1998.-V. 58. P. 8009−8019.
- Pilkington, S.J. The growth of epitaxial aluminium on As containing compound semiconductors / S.J. Pilkington, M. Missons // Journal of Crystal Growth. 1999. — 196. -P. 1−12.
- Пекар, С.И. Исследования no электронной теории кристаллов / С. И Пекар. — М.: Гостехиздат, 1951. 256 с.
- Аппель, Дж. Поляроны / Дж. Аппель // в книге «Поляроны" — пер. с англ.- под ред. Ю. А. Фирсова М.: Наука. — 1975. — С. 13−204.
- Левинсон, И.Б. Пороговые явления и связанные состояния в поляронной проблеме / И. Б. Левинсон И.Б., Э. И. Рашба // УФН. 1973. — Т. 111, Вып.4 — С. 683−718.
- Mahan G.D. Many-particle physics / G.D. Mahan New York.: Kluwer, 2000. — Ch.7, Sec.7.3.
- Ландау, Л.Д. Собрание трудов. В 2 т. Т.1. О движении электронов в кристаллической решетке / Л. Д. Ландау. М.: Наука, 1969. — С. 90−91.
- Frolich, Н. Electrons in lattice fields / H. Frolich //Advances in Physics. 1954. — V. 3, Noll.-P. 325−361.
- Polarons / J.T. Devreese Wiley-VCH Publishers, 1996, P. 383−409 — (Encyclopedia of Applied Physics. V. 14).
- Xiaoguang, Wu. Exact and approximate results for ground-state of a Frohlich polaron in two dimensions / Wu Xiaoguang, F.M. Peeters, J.T. Devreese // Phys. Rev. B. 1985. — V. 31,№ 6.-P. 3420−3426.
- Petrou, A. Magnetospectroscopy of confined semiconductor systems / A. Petrou, B.D. McCombe //Landau Level Spectroscopy- Edited by G. Landwehr and E.I. Rashba. -Elsevier Science Publishers B.V., 1991. Chapter 12.
- Cheng, J.-P. Magnetopolaron effect on shallow donors in GaAs / J.-P. Cheng, B.D. McCombe, J.M. Shi, F.M. Peeters, J.T. Devreese // Phys. Rev. B. 1993. — V. 48, № 4. — P. 7910−7914.
- Silva- Valencia, J. Impurity-related optical-absorption spectra in GaAs-Gal-xAlxAs superlattices with an in-plane magnetic field / J. Silva- Valencia, N. Porras-Montenegro // Phys. Rev. В 1998. — V. 58, № 4 — P. 2094−2101.
- Hai, G.D. Interface effect on magnetopolarons in GaAs/AlxGal-xAs quantum wells at high magnetic fields / G.D. Hai, F.M. Peters, N. Studart, Y.J. Wang, B.D. McCombe // Phys. Rev. В 1998. — V. 58, № 12 — P. 7822−7828.
- Hameau. Strong electron-phonon coupling regime in quantum dots: evidence for everlasting resonant polaron / S. Hameau, Y. Guldner, O. Verzelen, R. Ferreira, G. Bastard et al. // Phys. Rev. Lett. 1999. — V. 83 — P. 4152−4155.
- Wu, X.G. Blocking of the polaron effect spin-split cyclotron resonance in two-dimensional electron gas / X.G. Wu, F.M. Peters, Y.J. Wang, B.D. McCombe // Phys. Rev. Lett. 2000. — V84, № 21 — P. 4934−4937.
- Poulter, A J.L. Magneto infrared absorption in high electron density GaAs quantum wells / A.J.L. Poulter, J. Zeman, D.K. Maude, M. Potemski, G. Martinez et al. // Phys. Rev. Lett. 2001. — V86, № 2 — P. 336−339.
- Hameau, S. Far-infrared magnetospectroscopy of polaron states in self-assembled InAs/GaAs quantum dots / S. Hameau, J.N. Isaia, Y. Guldner, E. Deleporte, O. Verzelen, R. Ferreira, G. Bastard et al. // Phys. Rev. В 2002. — V65 — P. 85 316−10.
- Lorke, A. Many-particle ground states and exitations in nanometer-size quantum structures / A. Lorke, R.J. Luyken // Physica В 1998. — V 256−258 — P. 424−430.
- Liu, H. C. Intersubband Raman Laser / H. C. Liu, Iva W. Cheung, A. J. SpringThorpe, C. Dharma-wardana, Z. R. Wasilewski, D. J. Lockwood, G. C. // Aers Appl. Phys. Lett. -2001. -V.78- P. 3580−3582.
- Klimin, S.N. Cyclotron resonance of an interacting polaron gas in quantum well: magnetoplasmon-phonon mixing / S.N. Klimin, J.T. Devreese // Phys.Rev. В 2003. — V. 68 — P. 245 303−8.
- Faugeras, C. Frohlich mass in GaAs-based structures / C. Faugeras, G Martinez, A. Riedel, R. Hey, К J. Freidland, Yu. Bychkov // Phys.Rev. Lett.- 2004. V. 92, № 10 — P. 107 403−4.
- Klimin, S.N. Comments on «Frohlich mass in GaAs-based structures» / S.N. Klimin, J.T. Devreese // Phys. Rev. Lett. 2005. — V. 94, P. 230 701.
- Faugeras, C. A Reply to the Comment by S. N. Klimin and J. T. Devreese / C. Faugeras, G Martinez, Yu. Bychkov // Phys. Rev. Lett. 2005. — V. 94 — P. 239 702.
- Boebinger, G.S. Direct observation of two-dimensional magnetopolarons in a resonant tunnel junction / G.S. Boebinger, A.F.J. Levi, S. Schmitt-Rink, A. Passner, N.L. Pfeiffer, R.W. West // Phys. Rev. Lett. 1990. — V. 65, № 2 — P. 235−238.
- Peeters, F.M. Energy levels of two- and three-dimensional polarons in a magnetic field / F.M. Peeters, J.T. Devreese // Phys. Rev. B, 1985. — V. 31 — P. 3689−3695.
- Hayden, R.K. Polaron pinning effects in superlattices at high electric and magnetic fields / R.K. Hayden. A. Nogaret, L. Eaves, N. Miura, M. Henini // Physica В 1998. — V. 256−258 -P. 540−543.
- Hyldgaard, P. Resonant tunneling with an electron-phonon interaction / P. Hyldgaard, S. Hershfield, J.H. Devies, J.W. // Wilkins Annals of Physics 1994. — V. 236 — P. 1−42.
- Махан, Г. Д. Многочастичная теория туннелирования // Туннельные явления в твердых телах / под ред. Э. Бурштейна, С. Лундквиста, пер. с англ. под ред. В. И. Переля М.: Мир, 1973. — Гл. 22.
- Conley, J.W. Tunneling Spectroscopy in GaAs / J.W. Conley, G.D. Mahan // Phys. Rev. -1967. -V. 161 P. 681−695.
- Appelbaum, J.A. Interface effects in normal metal tunneling / J.A. Appelbaum, W.F. Brinkman // Phys. Rev. B. 1970. — V. 2 — P. 907−915.
- Tsui, D. C. Tunneling study of hole-TO-phonon interaction in GaAs and GaSb / D. C. Tsui // Phys. Rev В 1974. — V. 9, № 2 — P. 487−494.
- Tsui, D.C. Evidence for hole-to-phonon interaction from tunneling measurements in GaAs-Pb junctions / D.C. Tsui // Phys. Rev. Lett. 1968. — V. 12, № 14 — P. 994−996.
- Guetin, P. Tunneling spectroscopy and band structure effects in n-GaSb under pressure / P. Guetin, G. Schreder // Phys. Rev В 1972. — V. 6 — P. 3816−3835.
- Combescot, R. Tunnelling in metal-semiconductor contacts: II. Influence of the electron-phonon interaction / R. Combescot, G. Schreder // J. Phys. С 1974. — V. 7 — P. 13 181 336.
- Wolf, E.L. Nonsuperconducting electron tunneling spectroscopy / E.L. Wolf // Solid state physics London: Academic press, 1975. — V30, P. 2−93.
- Hirakawa, K. Electron-phonon interaction in GaAs/AlxGaAsi.x/GaAs single-barrier heterojunction diodes / K. Hirakawa, H. Sakaki, T. Ikoma // Surface science 1990. — V. 239-P. 161−164.
- Котельников, И.Н. Туннелирование в переходах метапл-подупроводник с самосогласованным барьером Шоттки. Теория и эксперимент на n-GaAs/Au / И. Н. Котельников, И. Л. Бейнихес, А. Я. Шульман // ФТТ 1985. — Т. 27, № 2 — С. 401−415.
- A.Y. Cho, A.Y. Single-crystal-aluminum Schottky-barrier diodes prepared by MBE on GaAs / A.Y. Cho, P.D. Dernier // J. Appl. Phys. 1978. — V. 49, No 2 — P. 3328−3332.
- Ludeke, R. Molecular beam epitaxy of alternating metal-semiconductor films / R. Ludeke, L.L. Chang, L. Esaki // Appl. Phys. Lett. 1973. — V. 23 — P. 201−203.
- Oh J.E. Epitaxial growth and characterization of GaAs/Al/GaAs heterostructures / J.E. Oh, P.K. Bhattacharya, J. Singh, W. Dos Passos, R. Clarke, N. Mestres, R. Merlin, К. H. Chang, R. Gibala //Surface Science 1990. — V. 228.- P. 16−19.
- Sands, T. Stable and epitaxial metal/III-V semiconductor heterostructure, / T. Sands, C. J. Palmstrom, J. P. Harbison, V. G. Keramidas, N. Tabatabaie, T. L. Cheeks, R. Ramesh, Y. Silberberg // Material Science Reports 1990. — V. 5 — P. 99−170.
- Barret, С. On the dependence of Schottky barrier Height and interface states upon initial semiconductor surface parameters in GaAs{001}/Al junctions / C. Barret, J. Massies // J. Vac. Sci Technol. В 1983. -V. 1, № 3 — P. 819−824.
- Wang, W.I. The dependence of A1 Schottky barrier height on surface conditions of GaAs and AlAs grown by molecular beam epitaxy / W.I. Wang // J. Vac. Sci Technol. В 1983. -V. 1, № 3 — P. 574−580.
- Shen, Т. H. Control of semiconductor interface barrier by delta-doping / Т. H. Shen, M. Elliott, R. H. Williams, D. A. Woolf, D. I. Westwood, A. C. Ford // Applied Surface Science 1992. — V. 56−58 — P. 749−755.
- Бахтизин, Р.З. Атомные структуры на поверхности GaAs(lOO), выращенной методами молекулярно-лучевой эпитаксии / Р. З. Бахтизин, Т. Сакурай, Т. Хашицуме, К.-К. Щуе //УФН 1997. — Т. 167, № 11-С. 1227−1241.
- Котельников, И.Н. Туннелирование в переходах металл-полупроводник с самосогласованным барьером Шоттки. Теория и эксперимент на n-GaAs/Au / И. Н. Котельников, И. Л. Бейнихес, А. Я. Шульман // ФТТ 1985. — Т. 27 — С. 407−415.
- Дж. Лэмб, Р. К. Джаклевик, Молекулярные возбуждения в барьерах. II // в книге «Туннельные явления в твердых телах», под редакцией Э. Бурштейна и С. Лундквиста, перевод с английского под редакцией В. И. Переля, М: Мир, 1973, Гл. 17.
- Zachau, M. Schottky-barrier tunneling spectroscopy for the electronic subbands of a 8-doping layer / M. Zachau, F. Koch, K. Ploog, P. Roentgen, H. Beneking // Solid State Commun- 1986. V. 59, № 8 — P. 591−594.
- Feiginov M. Negative differential conductance in the tunnel Schottky contact with two-dimensional channel / M.N. Feiginov // Appl. Phys. Lett. 2002. — V. 81, No 5 — P. 930 932.
- Дижур, E.M. Туннельная спектроскопия на постоянном токе и цифровой метод анализа экспериментальных данных / Е. М. Дижур, А. В. Федоров // ПТЭ -2005. Т. 4 — С. 38−42.
- Ploog, К. Fundamental studies and device application of delta -doping in GaAs layers and in AlxGai. xAs/GaAs heterostructures / K. Ploog, M. Hauser, F. Fisher // Applied Physics A (Solids and Surfaces) 1988. — V. 45 — P. 233−244.
- Zrenner, A., Electron subband structure of a 5(z)-doping layer in n-GaAs / A. Zrenner, H. Reisinger, F. Koch, K. Ploog // Proc. 17-th International Conf. of Phys. Semicond. San Francisco 1984 -Springer Verlag (New-York) P.325−328.
- Zrenner, A. Subband physics for a «realistic» 5-doping layer / A. Zrenner, F. Koch, K. Ploog // Surface Science 1988. -V. 196 — P. 671−676.
- Zrenner, A. Side by side existence of the quantum Hall effect and the magnetic field induced metal insulater transition / A. Zrenner, F. Koch, J. Leotin, M. Goiran, K. Ploog // Semicond. Sci. and Technol. 1988 — V. 3, Nol 1 — P. 1132−1135.
- Qiu-yi, Ye. Mobility enhancement by regular positioning of donor impurities / Ye Qiu-yi, A. Zrenner, F. Koch, H. Sigg, D. Heitmann, K. Ploog // Surface Science 1990. — V. 228 -P. 453−455.
- Schubert, E.F. The 5-doped field-effect transistor / E.F. Schubert, K. Ploog // Japan Journ. Appl. Phys. 1985. -V. 24, № 8 — P. L608-L610.
- Zrenner, A. Elektronische eigenschaften von dotierschichten in GaAs / A. Zrenner / Doctoral Dissertation, Technische Universitat, Munchen, 1987. 99 p.
- Stormer, H.L. Observation of intersubband scattering in a 2-dimensional electron system / H.L. Stormer, A.C. Gossard, W. Wiegmann // Solid State Commun. 1982. — V. 41, № 10 -P. 707−709.
- Fletcher, R. Evidence of a mobility edge in the second subband of an Alo 33Gao 67As-GaAs heterojunction / R. Fletcher, E. Zaremba, M. D’lorio, C.T. Foxon, J.J. Harris // Phys.Rev.B. -V. 38, № 11 P. 7866−7869.
- Mori, S. Electronic Properties of a Semiconductor Superlattice II. Low Temperature Mobility Perpendicular to the Superlattice / S. Mori, T. Ando // Journ. Phys. Soc. Japan -1980. V. 48, № 3 — P. 865−873.
- Mesrin, O. Theory of single delta-layer / O. Mesrin, A. Shik // Superlattices and Microstructures. 1991. -V. 10, № 1 — P. 107−112.
- Hai G.-Q. Multisubband electron transport in 5-doped semiconductor systems / G.-Q. Hai, N. Studart, F.M. Peeters // Phys. Rev. B. 1995 — V. 52, No 11 — P. 8363−8371.
- Arscott, S. Observation of persistent photoconductivity in delta-doped GaAs. / S. Arscott, M. Missous, L. Dobaczewski // Semicond. Sci. Technol. 1992. — V. 7 — P. 620−623.
- Chen, C.Y. Persistent photoconductivity in Si delta-doped GaAs at low doping concentration / C.Y. Chen, Tineke Thio, K.L. Wang, K.W. Alt, P.C. Sharma // Appl. Phys. Lett. 1998. — V. 73 — P. 3235−3237.
- Blakemore, J.S. Semiconducting and other major properties of gallium arsenide / J.S. Blakemore // J. Appl. Phys. 1982. -V. 53 — R123-R181.
- Таблицы физических величин / под ред. акад. И. К. Кикоина М.: Атомиздат, 1976.-С. 305.
- Лифшиц, Е. М, Теоретическая физика: в 10 т. Т. X. Физическая кинетика / Е. М. Лифшиц, Л. П. Питаевский М.: Физматлит, 2002 — С. 451.
- Kulbachinskii, V.A. Persistent photoconductivity in quantum dot layers in InAs/GaAs structures / V.A. Kulbachinskii, R.A. Lunin, V.G. Kytin, V.A. Rogozin, P.V. Gurin, B.N. Zvonkov, D.O. Filatov // Phys. Stat. Sol. © 2003. — V. 0(4) — P. 1297−1300.
- Soltanovich, O.A. Study of depth distribution of metastable hydrogen-related defects in n-type GaAs / O.A. Soltanovich, E.B. Yakimov, V.A. Kagadei and L.M. Romas // Physica В 2001.-V. 308−310-P. 827−830.
- Chadi, D.J. Arsenic-antisite defect in GaAs: Multiplicity of charge and spin states / D.J. Chadi // Phys. Rev. В 2003. — V. 68 — P. 193 204−193 208.
- Mitchel, W.C. Photocurrent transients in semi-insulating GaAs, effects of EL2 and other defects / W.C. Mitchel, J. Jimenez // J. Appl. Phys. 1994. — V. 75(6) — P. 3060−3070.
- Stern, F. Properties of semiconductor surface inversion layers in the electric quantum limit / F. Stern and W.E. Howard // Phys. Rev. 1967. — V. 163 — P. 816−833.
- Tsui, D.C. Effect of a parallel magnetic field on surface quantization / D.C. Tsui // Solid St. Comm. 1971. -V. 9 -P. 1789−1792.
- D.C. Tsui, Electron-tunneling studies of quantized surface accumulation layer //Phys. Rev. B, V4, No 12, 4438−4449 (1971).
- Zrenner, A. Electronic subbands of delta-doping layer in GaAs in a parallel magnetic field / A. Zrenner, H. Reisinger, F. Koch, K. Ploog, J. C. Maan // Phys. Rev. В 1986. — V. 33 -P. 5607−5610.
- Demmerle, W. Tunneling spectroscopy in barrier separated two-dimensional electron-gas systems / W. Demmerle, J. Smoliner, G. Berthold, E. Gornic, G. Weimann, W. Schlapp // Phys. Rev. B. 1991.- V. 44. No 7 — P. 3090−3104.
- Fromhold, T.M. Effect of a transverse magnetic field on tunneling in single and double-barrier structures / T.M. Fromhold, F.W. Sheard, G.A. Toombs // Surface Science 1990. -V. 228. — P. 437−440.
- Андо, Т. Электронные свойства двумерных систем / Андо Т., Фаулер А., Стерн Ф- пер. с англ. под ред. Ю. В. Щмарцева М.: Мир, 1985. — 416 с.
- Maude, D.K. Studies of the DX center using hydrostatic pressure / D.K. Maude, J.C. Portal, R. Murray, T.J. Foster, L. Dmowski et al. // Solid State Phenomena 1989. — V. 10-P. 121−144.
- Zrenner, A., Saturation of the free-electron concentration in 5-doped GaAs: the DX center in two dimensions / A. Zrenner, F. Koch, R.L. Williams, R.A. Stradling, K. Ploog, G. Weimann // Semiconductor Science and Technology 1988. — V. 3 — P. 1203−1209.
- Maude, D.K. Investigation of DX center in heavily doped n-type GaAs / D.K. Maude, J.C. Portal, L. Dmowski, T. Foster, L. Eaves et al. // Phys. Rev. Lett. 1987. — V. 59, No 7-P. 815−818.
- Efros, A.L. Coulomb gap and low-temperature conductivity of disordered systems / A.L. Efros, B.I. Shklovskii // J. Phys. C. 1975 — V. 8 — P. L49-L51.
- Baranovskii, S.D. Coulomb gap in disordered systems: computer simulation/ S.D. Baranovskii, A.L. Efros, B.L. Gelmont, B.I. Schklovskii // J. Phys. С 1979. — V. 12 — P. 1023−1034.
- Дубровский, Ю.В. Нулевые аномалии в структурах с одиночными гетеробарьерами / Ю. В. Дубровский, Ю. Н. Ханин, Т. Г. Андерсон, У. Генсер, Д. К. Мауд, Ж. К. Портал // ЖЭТФ 1996 — Т. 109, вып. 3 — С. 868−875.
- Minkov, G.M. Magnetic field dependent zero-bias diffusive anomaly in Pb-oxide-n-InAs structures: coexistence of 2D and 3D states / G.M. Minkov, A.V. Germanenko, S.A. Negachev, O.E. Rut, Eugene V. Sukhorukov // Physica В 1998 — V. 256−258 — P. 523 526.
- Sukhorukov, E.V. Anizatropy of zero-bias diffusive anomalies for different orientasion of external magnetic field / E.V. Sukhorukov, A.V. Khaetskii // Phys. Rev. В 1997 — V. 56, No 3-P. 1456−1460.
- Ashoori, R.C. Equilibrium tunneling from the two-dimensional electron gas in GaAs: evidence for magnetic-field-induced energy gap / R.C. Ashoori, J.A. Lebens, N.P. Bigelow, R.H. Silsbee // Phys. Rev. Lett. 1990 — V. 64, No 6 — P. 681−684.
- Ashoori, R.C. Energy gaps of the two-dimensional electron gas explored with equilibrium tunneling spectroscopy / R.C. Ashoori, J.A. Lebens, N.P. Bigelow, R.H. Silsbee // Phys. Rev. В 1993 — V. 48, No 9 — P. 4616−4628.
- Eisenstien, J.P. Coulomb barrier to tunneling between parallel two-dimesional electronsystems / J.P. Eisenstien, L.N. Pfeiffer, K.W. West // Phys. Rev. Lett. 1992 — V. 69, No 26-P. 3804−3807.
- Chan, H.B. Universal linear density of states for tunneling into the two-dimensional electron gas in magnetic field / H.B. Chan, P.I. Glicofridis, R.C. Ashoori, M.R. Melloch // Phys. Rev. Lett. 1997 — V. 79, No 15 — P. 2867−2870.
- Dolgopolov, V.T. Electron correlations and Coulomb gap in two-dimensional electron gas in high magnetic field / V.T. Dolgopolov, H. Drexler, W. Hansen, J.P. Kotthaus // Phys. Rev. В 1995-V. 51, No 12-P. 7958−7961.
- Deviatov, E.V. Tunneling measurements of Coulomb gap in two-dimensional electron system in a quantizing magnetic field / E.V. Deviatov, A.A. Shashkin, V.T. Dolgopolov, W. Hansen, M. Holland // Phys. Rev. В 2000 — V. 61, No 4 — P. 2939−2944.
- Ganichev, S.D. Intense terahertz excitation of semiconductors / S.D. Ganichev, W. Prettl Oxford University Press, 2006. C. 148−160.
- Shah, Jagdeep. Energy-Loss Rates for Hot Electrons and Holes in GaAs Quantum Wells / Jagdeep Shah, A. Pinczuk, A. C. Gossard, W. Wiegmann // Phys. Rev. Lett. 1985. — V. 54 — P. 2045−2048.
- Yang, С. H. Hot-Electron Relaxation in GaAs Quantum Wells / С. H. Yang, Jean M. Carlson-Swindle, S. A. Lyon, J. M. Worlock // Phys. Rev. Lett. 1985. — V. 55 — P. 23 592 361.
- Das Sarma, S. Effect of phonon self-energy correction on hot-electron relaxation in two-dimensional semiconductor systems / S. Das Sarma, J.K. Jain, R. Jalabert // Phys. Rev. В — 1988.-V. 37-P. 4560−4566.
- Ridley, B.K. Hot electrons in low-dimensional structures / B.K. Ridley // Rep. Prog. Phys. 1991. — V. 54 — P. 169−256.