Флуктуационная теория роста кристаллов из расплавов и растворов
Диссертация
Предложены подходы к описанию кинетики кристаллизации многокомпонентных сплавов в рамках кинетических уравнений. Получена зацепляющаяся цепочка уравнений, в которой низшие ^ моменты функции распределения выражаются через высшие. Дан анализ применимости кластерных методов аппроксимаций функции распределения при введении в рассмотрение одной решетки и в рамках подрешеточных моделей. Определено… Читать ещё >
Содержание
- 1. глава. АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ТЕОРИИ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ
- 1. Моделирование методом Монте-Карло кристаллических поверхностей и роста одно-компонентных кристаллов
- 2. Кинетические уравнения в теории роста атомарно шероховатых граней однокомпо-нентных кристаллов
- 3. Исследования кинетики кристаллизации бинарных сплавов
- 4. Феноменологические подходы к изучению морфологической устойчивости межфазной границы кристалл-расплав
- 2. глава. ОБЩИЙ ПОДХОД К СТАТИСТИЧЕСКОМУ МОДЕЛИРОВАНИЮ РОСТА МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ КРИСТАЛЛОВ
- 3. глава. ТЕОРИЯ КИНЕТИЧЕСКИХ УРАВНЕНИЙ РОСТА МНОГО КОМПОНЕНТНЫХ КРИСТАЛЛОВ
- 1. Основные уравнения в решеточной модели
- 2. Анализ аппроксимаций кинетических уравнений
- 3. Кинетические уравнения роста монокристаллов со сложной симметрией кристаллических решеток
- 4. Постановка макроскопической термодиффузионной задачи о движении границы раздела фаз кристалл-расплав
- 5. Подрешеточные модели в теории роста многокомпонентных кристаллов
- 6. Вопросы соответствия статистики решеточных моделей и решения стационарных кинетических уравнений
- 7. Пространственно-неоднородные решения в модели Изинга
- 4. глава. ОБЩИЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ РОСТА БИНАРНЫХ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВОВ И РАСТВОРОВ
- 1. Связь кинетических фазовых диаграмм с микроскопическими параметрами системы
- 2. Особенности кристаллизации бинарных сплавов, фазовые диаграммы которых типа сигары
- 3. Кристаллизация сплавов эвтектического типа. Рост из расплава
- 4. Кинетика кристаллизации бинарных сплавов, кинетические фазовые диаграммы которых с максимумом
- 5. Рост из растворов бинарных кристаллов с ионным типом взаимодействия
- 6. Подрешеточная модель движения ступеней в различных кристаллографических направлениях на (001) и (011)-гранях иттрийжелезистых гранатов
- 7. Рост кристаллов арсенида галлия из расплава
- 8. Особенности морфологии и кинетики роста ГЦК- и алмазного типа граней бинарных кристаллов
- 9. Кинетика контактных явлений при жидкофазной гетероэпитаксии
- 5. глава. ФЕНОМЕНОЛОГИЧЕСКИЙ ПОДХОД К ИЗУЧЕНИЮ ВЛИЯНИЯ ФЛУКТУАЦИЯ НА КИНЕТИКУ ПРОЦЕССОВ В ДИССИПА-ТИВНЫХ СИСТЕМАХ
- 1. Теория возмущения и уравнение Дайсона
- 2. Временная корреляция спонтанных термодинамически равновесных флуктуаций
- 6. глава. ТЕОРИЯ НОРМАЛЬНОГО МЕХАНИЗМА РОСТА КРИСТАЛЛОВ
- 1. Постановка задачи двумерного зарождения с учетом влияния длинноволновой части спектра тепловых флуктуаций
- 2. Получение корреляционных функций плотности числа двумерных зародышей
- 3. Вычисление поправок к скорости роста кристаллов путем двумерного зарождения
- 4. Нормальный механизм роста кристаллов
- 7. глава. ФЛУКТУАЦИОННЫЙ МЕХАНИЗМ ПОТЕРИ УСТОЙЧИВОСТИ ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА КРИСТАЛЛ-РАСПЛАВ
- 1. Постановка задачи
- 2. Описание тепловых флуктуаций границы раздела фаз кристалл-расплав
- 3. Оценки для корреляционных функций. Обсуждение результатов
- 4. Неоднородность распределения легирующей примеси при выращивании монокристаллов германия и арсенида галлия из расплава
- 8. глава. ВЛИЯНИЕ КОНВЕКЦИИ В ЖИДКОЙ ФАЗЕ НА ПРОЦЕССЫ ТЕПЛО- И МАССОПЕРЕНОСА ПРИ РОСТЕ КРИСТАЛЛОВ В УСЛОВИЯХ МИКРОГРАВИТАЦИИ И НА ЗЕМЛЕ
- 1. Рост кристаллов теллура свинца из раствора в свинце в методе движущегося нагревателя
- 2. Условия потери устойчивости границы раздела кристалл-расплав в зависимости от величины ускорения силы тяжести
Список литературы
- Stefan I. Sber einige Probleme der Theorie der Warmelei-tung. Sitzungsber. Wien.Akad.Wiss.Math.Naturw., 1889″ Bd.98, ЕГ 11a, S.473−484.
- Иванцов Г. П. Диффузионное переохлавдение при кристаллизации бинарного сплава. ДАН СССР, 1951, т.82, № 2, с.179−181.
- Любов Б.Я. Теория кристаллизации в больших объемах. Наука, 1975, 256 с.
- Авдонин Н.А. Математическое описание процессов кристаллизации. Зинатне, Рига, 1980, 176 с.
- Bonissent A., Gauthier Е., Finney J.L. Monte Carlo simulation of the crystal-melt interface of a Lennard-?ones substance, Phi1.Mag.В, 1979, v. 39, p.49−59.
- Prenkel D., McTahne J.P. Computer simulation of freezing and supercooled liquides. Ann.Rev.Phys.Chem., 1980, v.31, p.491−521.
- Tanaka M. Molecular dynamics study of the structure of a rapidly quenched metal.-J.Phys.Soc.Japan, 1982, v.51″ N 12, p.3802−3809.
- Abraham P.P. Statistical surface physics: a perspective via computer simulation of microclusters, interfaces and simple films.-Rep.Progr.Phys., 1982, v.45″ p.1113−1161.
- Mandell M.J. On the properties of a periodic fluid. J. Stat.Phys., 1976, v.15, Л 4, p.229−305.
- Stillinger P.H., Weber T.A. Study of melting and freezing in the Gaussian core model by molecular dynamics simulation. J.Chem.Phys., 1978, v.68, p.3837−3844.
- De Wette F.W., Allen R.E., Hughes D.S., Rahman A. Crystallization with a Lennard-Jones potential. A computer experiment. Phys.Lett.A, 1969, v. A29, N 9, p.54−8-54−9.
- Mandell M.J., McTague J.P., Rahman A. Crystal nucleation in a three-dimensional Lennard-Jones system- a molecular dynamics study. J.Chem.Phys., 1976, v.64, N 9, P.3699−3702.
- Mandell M.J., McTague J.P., Rahman A. Crystal nucleation in a three-dimensional Lennard-Jones system. II. Nucleation kinetics for 256 and 500 particles. J.Chem.Phys., 1977, v.66, p.3070−3073.
- Toxvaerd S., Praestgaard E. Molecular dynamics calculation of the liquid structure up to a solid surface. J. Chem.Phys., 1977, v.67, p.5291−5295.
- Лесник А.Г. Модель межатомного взаимодействия в статистической теории расплавов. М., Физматгиз, 1962. 98 с.
- Metropolis N.A., Rosenbluth A.N., Rosenbluth M.N., Teller A.H., Teller E.J. Equation of state calculations by fast computing machines. J.Chem.Phys., 1953, v.21,p.1087−1092.
- Hansen J.P., McDonald I.R. Theory of simple liquids. London, Academic Press, 1976.
- Hoare M.R. Packing models and structural specifity. -a.Non-cryst.solids, 1978, v.31, P.157−179.
- Колесников А.Н., Широбоков М. Я., Яньков С. В. Расчет равновесия твердое тело-жидкость в бинарных растворах методом Монте-Карло: Влияние размера и формы молекул. ДАН СССР, 1980, т.4, с.884−888.
- Klupsch Th. On pair distribution functions and free energy functionals of the crystal-liquid phase boundary.-Phys.stat.sol., 1979, v. B95, H 2, p.147−150.
- Van der Eerden J.P., Bennema P., Cherepanova T.A. Survey of Monte-Carlo simulation of crystal surfaces and crystal growth.-Progr.Cryst.Growth Charact., 1978,113″ p.219−251.
- Chernov A.A. Crystallization of binary systems as a random walk problem.-В кн.: Crystal Growth, Proc"I#C, C, C" Boston, Oxford, 1966, p.25−36.
- Chernov A.A., Lewis J. Computer model of crystallization of binary systems- kinetic phase transition.-J.Phys.and Chem. Solids, 1967, v#28, U 11, p.2185−2198.
- Binsbergen F.L. A revision of some concepts in nucleation theory.-Kolloid-Z.und Z.Polym., 1970, v.237,N2, p.289−297.
- Binsbergen P.L. A reconsideration of polymer crystallization theory.-Kolloid-Z.und Z.Polym., 1970, v.238,N1−2,p.389 -395.
- Соловьев В.В., Борисов В. Т. Изучение кинетики роста грани кристалла методом моделирования. ДАН, 1972, т.202, № 2, с.329−332.
- Соловьев В.В., Борисов В. Т. Изучение атомной структуры грани растущего кристалла. Кристаллография, 1972, т.17, вып.5, с.918−928.
- Bennema P., Boon J, Van Leeuwen С., Gilmer G.H. Confrontation of the BCP theory and computer simulation experiments with measured (Rt6>) curves. Krist.u.Techn., 1973, v.8, N 6, p.659−678.
- Van Leeuwen C., Van der Eerden J.P. Nucleation growth process: A Monte Carlo simulation. Surf.Sci., 1977, v.64, p.273−250.
- Swendsen R.H. Roughening transition in the solin-on-solid model. Phys.Rev.B, 1977, v.542, p.689−692.
- Leamy H.J., Gilmer G.H. The equilibrium properties of crystal growth steps. J.Cryst.Growth., 1974, v.24/25, P.499−502.
- Leamy H.J., Gilmer G.H., Jackson K.A., Bennema P. Lattice gas interface structure: a Monte-Carlo simulation. -Phys.Rev.Lett., 1973, v.30, p.601−603.
- Muller-Krumbhaar H., Binder K, Dynamic properties of the Monte-Carlo method in statistical mechanics. J.Statist. Phys., 1973, v, 8, N 1, p.1−24,
- Van Dijk D.J., Van Leeuwen C., Bennema P. Monte-Carlo simulation of anisotropic surfaces. J.Cryst.Growth., 1974, v.23″ N 1, p.81−84.
- De Haan S.W.H., Meeusen V.J.A., Veltman B.P., Bennema P., Van Leeuwen C., Gilmer G. H, Simulation of crystal growth with a special purpose computer. J.Cryst.Growth, 1974, v.24/25, p.491−494.
- Van der Eerden J.P., Van Leeuwen C., Bennema P., et al. Crystal growth: A comparison of Monte-Carlo simulation nucleation and normal growth theories. J.Appl.Phys., 1977, v.48, p.2124−2130*
- Bertocci U. Computer simulation of crystal growth on a fee surface. J.Cryst.Growth., 1974, v.26, p.219−232.
- Есин B.O., Данилюк В. И., Плишкин Ю. М., Подчиненова Г. Л. Моделирование равновесной атомной структуры поверхности кристалла в однокомпонентной системе. Кристаллография, 1973, т.18, вып.5, с.920−925.
- Есин В.О., Данилюк В. И., Подчиненова Г. Л. Решеточная модель (100) и (III) межфазных границ ГЦК-кристалла. -Кристаллография, 1975, т.20, с.1130−1139.
- Sddleston В.М.Р., Thesis M.I.Т., September 1966.
- Gilmer G.H., Bennema P. Simulation of crystal growth with surface diffusion. J.Appl.Phys., 1972, v.43, N 4, p.1347−1360.
- Gilmer G.H., Bennema P. Computer simulation of crystal surface structure and growth kinetics. J.Cryst.Growth, 1972, v.13/14, p.148−153.
- Van Leeuwen C., Van Rosmalen R., Bennema P. Simulation of step motion on crystal surfaces. Surface Science, 1974, v.44, N 1, p.213−236.
- Swendsen R. H, Kortman P.J., Landau D.P., Muller-Krumb-haar H. Spiral growth of crystals- Simulation on a stochastic model. J.Cryst.Growth, 1976, v.35, N 1, p.73−78.
- Gilmer G.H. Growth on imperfect crystal faces. I. Monte Carlo growth rates. J.Cryst.Growth, 1976, v.35, p.15−28.
- Черепанова T.A., Ширин А. В., Борисов В. Т. Моделирование роста бинарного кристалла на ЭВМ. Кристаллография, 1977, т.22, с.260−267.
- Cherepanova T.A., Shirin A. V, Borisov V.T. Computer simulation of crystal growth from solution. Ins Industrial crystallization, Plenum Press, N.-Y., 1976, p.113−121.
- Cherepanova T.A., Van der Eerden J.P., Bennema P. Past growth of ordered AB crystals: A Monte Carlo simulation. -J.Cryst.Growth, 1978, v.44, p.537−544.
- Abraham Parid P., White George M. Computer simulation of vapor deposition on two-dimensional lattices. J.Appl. Phys., 1970, v.41, Iff 4, p. 1841−1849.
- Coutts T.J., Hopewell B. Monte-Carlo studies of thin film growth. Thin Solid Films, 1972, v.9, N 1, p.37−55.
- Van Leeuwen V., Mischgofsky P.H. The structure of a single step on the surface of a Kossel crystal in equilibrium: A Monte Carlo simulation. J.Appl.Phys., 1975, v.46, p.1056−1062.
- Horsak I., Skrivanek J. Simulation study of the crystal surface during dissolution. Ber.Bunsenges. Phys.Chem., — 394 -1975, v.79, N 5, р.433−436.
- Bonisent A, Mutaftschiev В. Monte Carlo calculation of the free energy of small monoatomic clusters, J.Cryst. Growth, 1974, v.24/25, P.503−506.
- Abraham Parid P. Monte Carlo simulation of physical clusters of water molecules. J.Chem.Phys., 1974, v.61, H 3, p.1221−1225.
- Hinzo D., Poll H.-U. Computer-Simulation des Schichtwach-stums bei dunnen Polymerschichten, hergestelt in einer Glimmentladung. Thin Solid Films, 1974, v.21, К 1, p. 1−9.
- Leamy H.J., Gilmer G.H., Jackson K.A. Statistical thermodynamics of clean surfaces.-In: Surface Physics of Materials, ed. Blackley J.H., 1976, p.121−187.
- Джексон К. Механизм роста кристаллов. В сб.: Жидкие металлы и их затвердевание. М., Мир, 1962. — 200 с.
- Burton W.K., Cabrera U., Prank P.C. The growth of crystals and the equilibrium structure of their surfaces. -Phil.Trans.Roy.Soc.9 1951, A 243, P.299−358.
- Van Leeuwen C., Bennema P., Van Dijk D.J. A multilayer consistent Bragg-Williams interface model.-Acta Metallurgies, 1974, v.22, p.687−693.
- Muller-Krumbhaar H., Proc. ECCG1 Zurich, 1976.
- Van der Eerden J.P. Roughening transition in mean-field and pair approximation of Ising models.-Phys.Rev., B, 1976, v.13, N 1, p.4942−4948.
- Van Enckevort W.J.P., Van der Eerden J.P. Monte Carlo simulation of a (111) diamond face around the roughening transition. J.Cryst.Growth, 1979, v.47, p.501−508.
- Swendsen R.H. «Critical» slowing down at the roughening transition. Phys.Rev.Letters, 1976, v.37, p.1478−1431.- 395.73. Gilmer G.H., Leamy H.J., Jackson K.A. Pair approximation for interface kinetics. J.Cryst.Growth, 1974, v.24/25″ p.495−498.
- Van der Eerden J"P., Kalf R.L., Van Leeuwen C. Evaporation at high underpressure: confrontation of theory and experiment. J.Cryst.Growth, 1976, v. 35, N 2, p.241−244.
- Темкин Д.Е. Кинетика нормального роста и испарения на грани (100) модели Косселя. Кристаллография, 1969, т.14,с.417−422.
- Есин В.О., Данилюк В. И., Порозков В. Н. Анизотропия подвижности межфазных границ ГЦК кристалла. В кн.: У1 международная конференция по росту кристаллов, Расширенные тезисы, 1980, Москва, т.2, с.14−15.
- Есин В.О., Данилюк В. И., Плишкин Ю. М., Подчиненова Т. Л. Моделирование атомного обмена на межфазной границе кристалла методом Монте-Карло. В кн.: Кинетика и механизм кристаллизации, 1973, Минск, с. I19−125.
- Есин В.О., Данилюк В. И., Порозков В. Н. Исследование анизотропии свободной поверхностной энергии металлических кристаллов с ГЦК структурой методом машинного моделирования. ФММ, 1978, т.46, с.100−105.
- Michaels A.I., Pound G. M, Abraham Farid P. Monte Carlo simulation of the kinetics of heterogeneous nucleation. -J.Appl.Phys., 1974, v.45, p.9−16.
- Van Leeuwen C., Bennema P. The critical nucleus. Surface Science, 1975, v.51, N 1, p.109−130.
- Есин B.O., Тарабаев Л. П. Моделирование движения моноатомных ступеней по поверхности кристалла. В кн.: У1 международная конференция по росту кристаллов, Расширенные тезисы, 1980, Москва, т.2, с.16−17.
- Есин В.О., Тарабаев Л. П. Кинетика роста моноатомного слоя на поверхности кристалла. Кристаллография, 1980, т.25, вып.2, с.357−364.
- Gilmer G.H., Ghez R., Cabrera И. An analysis of combined surface and volume diffusion processes in crystal growth, -J.Cryst.Growth, 1971″ v.8, p.79−93.
- Janssen Van Rosmalen R., Bennema P. The influence of volume diffusion on crystal growth. J.Cryst.Growth, 1975″ v.29, P.342−352.
- Schwoebel R.L., Shipsey E. J* Step motion on crystal surface. J.Appl.Phys., 1966, v.37, И 10, p.3682−3686.
- Schwoebel R.L. Step motion on crystal surface. II. J. Appl. Physics, 1969, v.40, N 1, p.614−618.
- Cabrera N., Levine M.M. On the dislocation theory of evaporation of crystals. Phil.Mag., 1956, v.1, N 5″ P"450−458.
- Van der Eerden J.P. On the influence of surface diffusion on step motion.-J.of Cryst. Growth, 1981, v.52, p.14−26.
- Колодкин B.M., Борисов В. Т. Моделирование роста грани бинарного монокристалла при конечном коэффициенте диффузии в расплаве.-ДАН СССР, 1977, т.237, № 2, с.379−382.
- Van Leeuwen С. The lattice gas interface. A Contribution to the theory of crystal growth. Theses, 1977, p.101, Delft.
- Van der Eerden J.P. On the diffusion problem for a rotating spiral shaped boundary.-J.Cryst.Growth, 1981, v.53, P.315−326.
- Van der Eerden J.P. On the influence of surface diffusionon step motion. J.Cryst.Growth, 1981″ v.52, p.14−26.
- Flower R.H., Guggenheim E.A. Statistical thermodynamics. Cambridge, New York, 1939.
- Honig J.M. The solid gas interface. Ed. E.A.Flood, Dok-ker, New York, 1967, p.371.
- Pfeiffer H., Baikov J.A. Kinetic equation approach to one component crystal growth.-Phys.Stat.Solidi, A, 1981, v.66, p.521−524.
- Темкин Д.Е. 0 молекулярной шероховатости границы кристалл-расплав.- В кн.: Механизм и кинетика кристаллизации, Минск, Наука и техника, 1964, с.86−81.
- Темкин Д.Е. О равновесной молекулярной структуре кристаллической грани. В кн.: Рост кристаллов, 1965, т.5, с.89−93.
- Muller-Krumbhaar Н. Master-equation approach to stochastic models of crystal growth. Phys.Rev.B, 1974, v.10, p.1308−1314.
- Кан Дж. Теория роста кристалла и движение границы раздела фаз в кристаллических материалах. Успехи физических наук, 1967, т.91, вып.4, с.677−689.
- Кан Дж., Хиллиг У., Сире Дж. Молекулярный механизм кристаллизации. Успехи физических наук, 1967, т.91, вып. 4, с.691−719.
- Борисов В.Т. К теории нормального роста кристаллов. -В кн.: Рост и несовершенства металлических кристаллов, Киев: Наукова думка, 1966, с.26−33.
- Aleksandrov L.N., Kogan A.N., Dyakonova V.I., Trostina N.P. Study of epitaxial growth of diamond like semiefcn-ductor films by computer simulation. Phys.Stat.Sol., 1980, v. A58, N 1, p.237−243.
- Aleksandrov L.N. Impurity distribution in epitaxial- 398 films condensed from vapour or molecular ion beams.-J. Cryst. Growth, 1980, v.48, N 4, p.635−643.
- Александров Л.Н., Коган Л. Н., Дьяконова В. И., Тростина Н. П., Бочкова Р. В. Моделирование на ЭЦВМ эпитаксиально-го роста пленок арсенида галлия. Изв. вузов, Физ., 1980, т.23, № 12, с.67−72.
- Aleksandrov L.N. Study of growth and doping of semiconductor films by the methods of computer simulation. -Cryst"Res.and Technology, 1981, v.16, H 11, p.1247−1256.
- Болховитянов Ю.Б. Кинетика роста полупроводниковых пленок из раствора-расплава. В сб.: Полупроводниковые пленки для микроэлектроники. Наука, 1977, с.170−196.
- Черепанова Т.А. Кинетика кристаллизации многокомпонентных сплавов. ДАН СССР, 1978, т.238, № I, с.162−165.
- Черепанова Т.А. Аналитическое описание кристаллизации бинарных сплавов.-Прикл.мех.техн.физ., 1978, т.6,с.96−104.
- Черепанова Т.А. Кинетика фазовых превращений бинарный расплав-крис талл.-Прикл.мех.техн.физ., 1978, т.5,с.122−130.
- Cherepanova T.A. Kinetic equation theory of multlcompo-nent crystal growth. I. Master equations in lattice model. Phys.Stat.Sol., 1980.
- Cherepanova T.A. Kinetic equation theory of multicompo-nent crystal growth. II. Analysis of kinetic equation approximation. Phys.Stat.Sol., 1980, v.59"P.371- 376.
- Cherepanova T.A. General approach to analytical description of multicomponent crystal growth.-Acta Cryst., 1978, v. A34, S4, p.209.
- Черепанова T.A. Аналитическая теория кристаллизации многокомпонентных систем, — В кн.: Неоднородность минералов и рост кристаллов, М., Наука, 1980, с.145−167.
- Темкин Д.Е. Обогащение примесью границы раздела фаз. -Кристаллография, 1979, т.24, вып. З, с.421−429.
- Pfeiffer Н., Haubenreisser W. Analytical theory of crystal growth of two-component systems. I. Basic features and equilibrium properties. Phys.stat.sol.(b), 1979″ v.96, p.287−299.
- Темкин Д.Е. Нормальный рост на атомно-шероховатой границе в бинарных сплавах. Кристаллография, 1978, т.23, вып.6, с.1151−1161.
- Cherepanova T.A. Kinetics of FCC and diamond type binary crystal growth (I). Lattice model and kinetic equations. -Crystal Research and Technology, 1981, v.16, p.307−312.
- Cherepanova T.A., Dzelme J.B. Kinetics of PCC and diamond type binary crystal growth (II). Peculiarities of Si-Ge and Cu-Ni alloy crystallization. Crystal Research and Technology, 1981, v.16, p.399−404.
- Saito Y. Spin-1 antiferromagnetic Ising model. I. Bulk phase diagrams for a binary alloy.- J.Chem.Phys., 1981, v.74, N 1, p.713−720.
- Didrihsons G.T., Pfeiffer H. Incorporation of impurities during crystal growth.-Phys.stat.sol.(a), 1982, p.169−178.
- Черепанова Т.А. Флуктуационный механизм неустойчивости растущих граней кристаллов. ДАН СССР, 1976, т.226,5, с.1066−1068.
- Tiller W.A., Rutter I.W. The effect of growth conditions upon the solidification of a binary alloy. Canad.J. Phys., 1956, v. 34, p.96−121.
- Mullins W.W., Sekerka R.P. Stability of a planar interface during solidification of a dilute binary alloy.-J. Appl.Phys., 1964, v.35, p.444−451.
- Черепанова Т.А. Общий подход к моделированию роста кристаллов на ЭВМ методом Монте-Карло. В кн.: Рост кристаллов, М., Наука, 1980, т.13, с.143−152.
- Bennema P. Analysis of crystal growth models for slightlysuperseturated solutions.- J.Cryst.Growth, 1967, v.1, p.278−286.
- Cherepanova T.A. Kinetic equation theory and Monte Carlo computer simulation of multicomponent crystal growth. -J.Cryst.Growth, 1981, v.52, p.319−326.
- БолховитяновЮ.Б. Контактные явления на границе разделаsфаз перед жидкофазной гетероэпитаксией соединений, А В. -Препринт 2−82, Ш1 СО АН СССР, Новосибирск, 1982, 54 с.
- Никитина Г. В., Романенко В. Н. Исследование диаграмм состояния полупроводниковых систем в приближении регулярных растворов. В кн.: Теоретические и экспериментальные методы исследования диаграмм состояния металлических систем, М., 1969, с.112−116.
- Cherepanova Т.А., Didrihsons G. T, Kinetic equation theory of multicomponent crystal growth. III. General regularities of binary system crystallization. Phys, Stat.Sol., 1980, v.59, p.633−638.
- Черепанова T.A., Киселев В. Ф. Кристаллизация эвтектического сплава с ретроградным ходом кинетической кривой ликвидуса. Кристаллография, 1980, т.25, с.327−333.
- Cherepanova Т.А., Didrihsons G.T. The influence of the diffusion in the melt on the formation of the solid solutions in the system of the eutectic type. Kristall und Technik, 1979, v.12, p.1501−1509.
- Борисов В.Т. Кинетические диаграммы кристаллизации сплавов. ДАН СССР, 1962, т.142, № I, с.69−71.14.5. Линдсберг П., ред. Задачи по термодинамике и статистической физике, М., Мир, 1974, 640 с.
- Weeks J.D., Gilmer G.H., Jackson К. A, Analytical theory of crystal growth.-J.Chem.Phys., 1976, v.65, p.712−720.
- Pfeiffer H., Haubenreisser W., Klupsch Th. Analytic treatment of stohastic models of crystal growth. Comparison of two different interface dynamics.-Phys.stat. sol.(b), 1977, v.83, p.129−138.
- Черепанова Т.А., Ширин А. В., Борисов В. Т. Моделирование равновесной структуры межфазной границы кристалл-раствор. В кн.: Вопросы теории кристаллизации, т.2, Рига, ЛГУ, 1975, с.40−59.
- Черепанова Т.А., Киселев В. Ф. 0 структуре межфазной границы кристалл-расплав. В кн.: Вопросы теории кристаллизации, т.2, Рига, ЛГУ, 1975, с.60−67.
- Борисов В.Т., Духин А. И., Матвеев Ю. Е., Рахманова Э. П. Изучение кинетики роста металлических кристаллов. В кн.: Рост кристаллов, 1965, т.5, с.84−88.
- Темкин M. Смеси разбавленных солей как ионные растворы.-ЖФХ, 1946, т.20, стр.105−110.
- Hartman P. Structure and morphology. In: Crystal growth, Introduction, N.Y., ITorth-Holl.Publ.Co., 1973, P.367−402.
- Tolksdorf W., Welz P. Crystal growth of magnetic garnets from high-temperature solutions.-Crystals, Growth, Properties, and Applications, 1978, Springer-Verlag, Berlin, pp.52.
- Bennema P., Giess E.A., Weidenborner J.E. Morphology of garnets and structure of P-slices determined from a PBC analysis.-J.Cryst.Growth, v.62, 1983, p.41−60.
- Van der Eerden J.P., Bennema P. Star-tetrahedron transformation and calculation of bond energies at the crystal -mother phase boundary.-J.Cryst.Growth, v.61,1983,p.45−52″
- Van der Eerden J.P. Contributions to the theory of crystal growth. Theses, 1979, pp.185, Nijmegen.
- Hergt R., Goraert P. Growth rate anisotropy and kinetic coefficients of vicinal faces of LPE garnet films. -Phys.Stat.Sol.(a), 1978, v.46, p.427−432.
- Pfeiffer H. Growth rate dependence of the growth-induced anisotropy in garnets. A simple theoretical model. -Phys.Stat.Sol.(a), 1977, v.44, p.221−227.
- Hergt R., Pfeiffer H. Anisotropy of the displacementrate of garnet growth steps. Phys.Stat.Sol.(a), 1981, v.66, p.207−212.
- Hergt R., Gornert P. Experimental determination of the growth rate anisotropy of garnets. Phys.Stat.Sol.(a), 1980, v.57, p.553−559.
- Hergt R., Pfeiffer H. Investigation of growth steps due to misorientation of garnet LPE films. Phys.stat.sol. (a), 1981, v.67, p.205−215.
- Human H.J. Crystal growth from the liquid state: experimental studies on crystal growth mechanisms and kinetics.- Theses, 1981 p.p.212, Uijmegen.
- Черепанова T.A., Козеевска А. С. Влияние диффузии на кинетику роста гцк., алмазного типа граней кристаллов. -6 Междун.конф.по росту кристаллов, Москва, 1980, тезисы докл., т.2, C. II6-II7.
- Вол А. Е. Строение и свойства двойных металлических систем. Т.2. М., Физматгиз, 1962.
- Woods G.S., Lang A.R. Cathodoluminescence, optical absorption and X-ray topographic studies of synthetic diamonds.- J.Cryst.Growth, 1975, v.28, p.215−226.
- Graef M.W.M. Chemical vapour deposition of polycrystall-ine silicon on liquid metal layers. Theses, 1980, Rp. 198, Nijmegen.
- Van der Brekel С.Н.У. Mass transport and morphology in chemical vapour deposition processes. Theses, 1978, pip.132, Eindhoven.
- Favier J.J. Instabilite de lfinterface solide/liquide: limites et aspects morfologiques en conditions de micro-gravite.-Compte-rendu D.M.G. N 35/82,Grenoble, 1982, p.16.
- Hamar R. Morfologies d*equilibre et de croissance de quelques cristaux intermetalliques. Theses, 1981, pp. 109, Grenoble.
- Черепанова T.A., Янсон Ю. А. Кинетика роста и растворения кристаллов в пересыщенных растворах и переохлажденных расплавах. У1 Конф. по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок, Новосибирск, 1982, тезисы докл., т.1, с.106−107.
- Болховитянов Ю.Б., Чикичев С. И. Устойчивость неравновесной границы раздела расплав-кристалл перед жидкофаз3 5ной гетероэпитаксией соединений, А В . Препринт 5−82, 1982, Новосибирск, 49 с.
- Small М.В., Ghez R., Potemski R.M., Woodall J.M. The formation of Ga^x AlxAs layers on the surface of GaAs. -Appl.Phys.Lett., 1979, v.35, p.209−210.
- Small M.B., Ghez R. Growth and dissolution kinetics of III-V heterostructures formed by LPE. Comparison between thermodynamic and kinetic models. J.Appl.Phys., 1980, v.51, P. 1589−1592.
- Small M.B., Ghez R. Growth and dissolution kinetics of III-V heterostructures formed by LPE. J.Appl.Phys., 1979, v.50, p.5322−5330.
- Черепанова T.A., Черепанов В. Ю. Феноменологический подход к изучению процессов переноса в слабых растворах сильных электролитов. В кн.: Тепло- и массоперенос, т.8, 1972, Минск, с.80−88.
- Черепанова Т.А. Временная корреляция спонтанных термодинамически равновесных флуктуаций. Изв. СО АН СССР. Сер.техн., 1971, т.8, с.101−104.
- Боголюбов Н.Н. Проблемы динамической теории в статистической физике. М.-Л., 1946, 254 с.
- Kirkwood I.G. The Statistical Mechanics of Transport Processes. VI, A Calculation of the Coefficients of Shear and Bulk Viscosity of Liquids. J.Chem.Phys., 1953, v. 21, p. 2050−2055.
- Абрикосов А.А., Горьков Л. П., Дзялошинский И. Е. Методы квантовой теории поля в статистической физике. М., 1962, 443 с.
- Ландау Л.Д., Лифшиц Е. М. О гидродинамических флуктуаци-ях. ЖШ, 1957, т.32, с.618−620.
- Черепанова Т.А. Флуктуационный механизм роста кристаллов. В кн.: Вопросы теории кристаллизации, т.1, Рига, ЛГУ, 1974, с.97−104.
- Кузовков В.Н., Черепанова Т. А. Механизм роста кристаллов. Однокомпонентная система. Изв. АН ЛатвССР. Сер.физ.и техн. наук, 1983, !" 2, с. 122−125.
- Черепанова Т.А. О зависимости термодинамических сил от стохастических процессов для уравнений типа Фоккера-Планка.-Теоретич.и матем.физ., 1979, т.43, с.318−423.
- Борисов В.Т. О механизме нормального роста кристаллов. -ДАН СССР, 1963, т.151, с. I3II-I3I4.
- Борисов В.Т. Актуальные вопросы теории роста металлических кристаллов из расплава.-В кн.: Рост и дефекты металлических кристаллов, Киев, Наукова думка, 1972, с.30−38.
- Cherepanova Т, А, Phenomenological approach to studying the kinetics of phases boundary fluctuations and its in- 407 fluence on mechanism of crystal growth. Coll.Abstr., Japan, 1974.
- Рытов C.M. О тепловых флуктуациях в распределенных системах. -ДАН СССР, 1956, т. НО, с. 371.
- Френкель Я.И. Кинетическая теория жидкостей. М.-Л., 1959, 458 с.
- Hilling W.B. A derivation of classical two-dimensional nucleation kinetics and the associated-crystal growth laws. Acta Metall., 1966, v.14, p.1868 — 1872.
- Pfeiffer H. Anisotropy of step motion. Phys.stat.sol. (a), 1981, v.66, p.165−173.
- Pfeiffer H. Master equation approach to step growth. -Phys.stat.sol.(a), 1982, v.72, p.239−249.
- Черепанова Т.А. Общие закономерности структурообразова-ния межфазной границы при кристаллизации из расплавов. В кн.: Вопросы теории кристаллизации, т.2, Рига, ЛГУ, 1975, с.3−23.
- Dikhoff J.A.M. Inhomogenitaten in dotierten germanium und siliciumkristallen. Philips Techn. Rundschau, 1963/64, N 12, p.441−454.
- Le-May Ch. Constitutional supercooling and faced formation of GaAs.-Journ.Appl.Ph., 1963, v.34, N 2, p.439−443.
- Brice J.C., Whiffin P.A.C. Solute strice in pulled crystals of Zink tungstate.-Brit.Journ.Appl.Ph., 1967, v.18, p.581−585.
- Ziegler G., Henkel H. Inhomogene storstellen verteilung- 408 in GaAs-einkristallen.-Z.Angew.Ph., 1965, Bd.19, S.401−404.
- Проблемы роста кристаллов. M., Мир, 1968, 392 с.
- Meieran E.S. Evaluation of Bulk and Epitaxial Jacts by Means of X-Ray Topography. Trans.Met.Soc., AIME, 1968, v.242, p.413−424.
- Немцова Г. А., Каратаев В. В. и др. Исследование распределения температуры при бестигельной зонной плавке арсени-да галлия. ФХОМ, 1973, № 5, с.67−71.
- Воронина Т.И., Емельяненко О. В. Определение концентрации носителей тока в полосах роста n- (raAg .-Изв.АН СССР. Неорганические материалы, 1970, № 8, с. I522−1523.
- Мейер А.А., Фистуль В. И. и др. Измерение неоднородности в сильнолегированных полупроводниках.-Заводская лаборатория, 1973, № 4, с.438−442.
- Wittry D.B. Cathodoluminescence and impurity variations in Te-doped GaAs.-Appl.Ph.Letters, 1966, N 6, p.142−144.
- Каратаев В.В. и др. Слоистая неоднородность объемных монокристаллов GaAs при бестигельной зонной плавке.-Изв.АН СССР. Неорганические материалы, 1973, т.9,№ 4, с.703−706.
- Wilcox W.R., Fullmer L.D. Turbulent free convection in Czochralski crystal growth.-Journ.Appl.Phys., 1965, v.36, If 7, p. 2201−2206.
- Флеминге M. Процессы затвердевания.-Мир, М., 1977, 423 с.
- Muller A., Wilhelm W. Periodische temperaturschwankungen in flussigem InSb als Ursache schichtweisen Einbaus von Те in kristallisierendes InSb.-Z.Uaturforschg., 1964, Bd19a, H.2, S.254−263.
- Комаров Г. В., Регель Р. А. Об условиях возникновения колебаний границы между твердой и жидкой фазами висмута.- 409
- ФТТ, 1963, т.5, вып. З, с.773−777.
- Филиппов М.А., Смирнов В. А., Мильвидский М. Г. и др. Исследование структуры флуктуаций температуры в расплаве и их влияния на неоднородность монокристаллов.-Изв.АН СССР. Сер. физическая, 1972, т. ХХХП, № 3, с.543−545.
- Филиппов М.А., Кагановский И. П., Мильвидский М. Г., Смирнов В. А. и др. Исследование влияния тепловых колебаний расплава на примесную неоднородность кристаллов. В кн.: Рост и дефекты металлических кристаллов, Киев, Наукова думка, 1972, с.184−191.
- Witt A.F., Gatos H.G. Impurity distribution in single crystals. II. Impurity strictions in InSb revealed by interference contrast microscopy. J.Electrochem.Soc., 1966, v.113, p.808−813.
- Cherepanova T.A. Influence of gravitation on the processes of heat and mass transfer in solution crystal growth by the travelling heater method (THM) I.-Cryst.Res. Techn., 1982, v.17, p.735−741.
- Cherepanova T.A., Iljukhin V.V., Cherepanov V.Y. Influence of gravitation on the processes of heat and mass transfer in solution crystal growth by the travelling heater method (THM) II. Cryst.Res.Techn., 1982, v.17, p. 807−814.
- Cherepanova T.A., Apanovich J.V. Influence of gravitation on the processes of heat and mass transfer in solution crystal growth by the travelling heater method (THM) III. Cryst.Res.Techn., 1983, v.18, p.305−313.
- Казаков И.П. Выращивание монокристаллов PbTe методом зонной плавки с растворителем.-II Всесоюзный семинар по гидромеханике и тепломассообмену в невесомости, тезисы- 410 докладов. Пермь, 1981, с. 16.
- Russel D.B. On obtaining solutions of the Navier-Stokes equations with automatic digital computers, Aeronaut. Res.Counc.Rep.Mem., 1963, H 1331″ p.1−42.
- Thorn A. The flow past circular cylinders at low speeds.-Proc.Roy.Soc., 1933, V. A141, p.651−660.
- Shindo J. Applications of the floating zone techniquein phase equilibria study and in single crystal growth. Theses, 1980, pp.133, Tohoku University, Japan.
- Schwabe B., Scharmann A. Marangoni convection in open boat and crucible.-J.Cryst.Growth, 1981, v.52, p.435−449.
- Schnell E. Slippage of water over nonwettable surface.-J.Appl.Phys., 1956, v.27, p. 1149−1152.
- Van der Hoek B. Volume and surface mass transfer in the crystal growth process.-Theses, 1983, PP.140, Uijmegen.
- Воронков В.В. О неравновесной структуре элементарной ступени. Кристаллография, 1968, т.13, сЛ9−24.229* Hurle Y. Convective transport in melt-growth systems.-Proceedings of VII Intern.Conf.on Cryst. Growth, Stuttgart, 1983, P. SY6/3.
- Hulme K.F., Mullin J.B. Facets and anomalous solute distributions in indium-antimonide crystals.-Phil.Mag., 1959, v.4, N 47, p.1286−1288.
- Trainor A., Bartlett B.E. A possible mechanism of crystal growth from the melt and its application to the problem of anomalous segregation at crystal facets.-Solid State Electronics, 1961, v.2, p.106−114.
- Mullin J.B., Hulme K.F. The use of electromagnetic stirring in zone refining. J.Electron.and Control, 1958, v.4, IT 2, p.170−174.233″ Bennett A.I., Longini R.L. Dendritic growth of germanium crystals. Phys.Rev., 1959, v.116, H 1, p.53−61.