Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Роль структуры поверхности в формировании слоев GaAs и AlGaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Диссертация: Роль структуры поверхности в формировании слоев GaAs и AlGaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Изучение процессов роста при МЛЭ невозможно без контроля основных параметров: температуры подложки (Ts), плотности молекулярных потоков, поступающих к поверхности и покидающих ее, их молекулярного состава. Именно эти параметры, а так же чистота материалов, являющихся источниками молекулярных потоков, и вакуумные условия в зоне эпитаксии определяют свойства выращиваемых структур. Влияние чистоты… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. Исследование процессов роста при МЛЭ соединений АЗВ5 (Лит. обзор)
    • 1. 1. Механизмы роста соединений АЗВ5 при МЛЭ
    • 1. 2. Поверхностные структуры и стехиометрия поверхности СаАБ (001)
    • 1. 3. Влияние молекулярной формы мышьяка на рост и свойства эпитаксиальных пленок
      • 1. 3. 1. Получение потока Аб2 в установках МЛ
      • 1. 3. 2. Влияние молекулярной формы мышьяка на морфологию эпитаксиальных пленок
      • 1. 3. 3. Влияние молекулярной формы мышьяка на кинетику процессов роста
      • 1. 3. 4. Влияние молекулярной формы мышьяка на оптические и электрофизические свойства эпитаксиальных слоев
    • 1. 4. Методы контроля параметров роста при МЛЭ
      • 1. 4. 1. Методы измерения температуры подложки
      • 1. 4. 2. Методы измерения плотности газовых потоков
    • 1. 5. Особенности эпитаксиального роста тройных растворов А^ва^хАв
    • 1. 6. Выводы к главе 1
  • ГЛАВА 2. Методики исследования процессов роста и структуры поверхности при МЛЭ
    • 2. 1. Установка МЛЭ
      • 2. 1. 1. Модернизация установки МЛЭ «Штат»
      • 2. 1. 2. Двухзонный источник мышьяка
    • 2. 2. Методика предэпитаксиальной подготовки подложек ваАв
    • 2. 3. Выращивание буферных слоев ваАв и методики характеризации эпитаксиальных структур
    • 2. 4. Получение информации о структуре поверхности и процессах роста методом ДБЭО
      • 2. 4. 1. Определение поверхностной структуры кристалла
      • 2. 4. 2. Система регистрации интенсивности особенностей картины ДБЭ
      • 2. 4. 3. Методика определения встроившихся при МЛЭ потоков галлия и мышьяка
    • 2. 5. Методика измерения температуры подложки
    • 2. 6. Определение плотности молекулярных потоков с помощью ионизационного вакуумметра
    • 2. 7. Определение плотности молекулярных потоков с помощью КИТ
    • 2. 8. Выводы к главе 2
  • ГЛАВА 3. Зависимость встраивания мышьяка от условий МЛЭ СаАв
    • 3. 1. Определение плотности падающего потока мышьяка в форме Аб2 и Аэ
      • 3. 1. 1. Адсорбция мышьяка из потока молекул Аэ2 и Аб4 на датчик КИТ в зависимости от температуры
      • 3. 1. 2. Определение коэффициентов относительной чувствительности датчика ионизационного вакуумметра типа Баярда
  • — Альперта для мышьяка в форме Ав2 и Аб
    • 3. 2. Зависимость встраивания мышьяка из потока молекул Аб2 и Аб4 от температуры роста и интенсивности падающего потока мышьяка при МЛЭ ОаАэ
      • 3. 2. 1. Зависимость встраивания мышьяка из потока молекул Аб4 от температуры роста и интенсивности падающего потока мышьяка при МЛЭОаАэ
      • 3. 2. 2. Экспериментальное сравнение встраивания мышьяка из потока молекул Аб2 и Аб4 при МЛЭ ваАв
    • 3. 3. Обсуждение результатов
    • 3. 4. Выводы к главе 3
  • ГЛАВА 4. Фазовые диаграммы при МЛЭ для поверхностей СаАБ (001), А1Аз (001) и А10. зОа0.7А8(001)
    • 4. 1. ПС на ОаАз (001), А1Ав (001) и А10. зСа0.7А8(001) в условиях СВВ
      • 4. 1. 1. Определение зависимости температуры перехода ПС на (ОО^ОаАэ от скорости нагрева подложки
      • 4. 1. 2. Модель, описывающая переход между ПС при нагреве подложки
    • 4. 2. Статические фазовые диаграммы ПС для поверхностей СаАз (001), А1Ав (001) и А10. зСа0.7А5(001)
      • 4. 2. 1. Модель стабилизации реконструированной поверхности СаАз (001) потоком мышьяка
    • 4. 3. Динамические фазовые диаграммы ПС для поверхностей СаАэ (001) и А1о.зОао.7А8(001)
      • 4. 3. 1. Модель стабилизации реконструированной ростовой поверхности потоком мышьяка
    • 4. 4. Зависимость фазовых диаграмм ПС для поверхности СаАБ (001) от молекулярной формы мышьяка
    • 4. 5. Метод «фазовых диаграмм» для контроля и воспроизведения условий роста при МЛЭ
    • 4. 6. Применение фазовой диаграммы поверхности А10.3Са0.7А5(001) при МЛЭ структур с квантовыми ямами
    • 4. 7. Выводы к главе 4
  • ГЛАВА 5. Приборная реализация эпитаксиальных структур на основе гетероперехода ваАв/АМЗа^хАз
    • 5. 1. Структуры с двумерным электронным газом
    • 5. 2. Резонансно-туннельные структуры
    • 5. 3. Диоды Ганна с двухбарьерными инжекторами электронов
    • 5. 4. Выводы к главе 5
  • ВЫВОДЫ ПО ДИССЕРТАЦИИ

Роль структуры поверхности в формировании слоев GaAs и AlGaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Развитие средств связи и информационных технологий идет в настоящее время по пути увеличения скорости передачи и обработки информации. Это выдвигает жесткие требования к элементной базе электроники, прежде всего к повышению рабочих частот приборов. Основными направлениями решения этой задачи являются: уменьшение геометрических размеров отдельных элементов, переход от планарных устройств к вертикальным, применение новых материалов, особенно соединений АЗВ5, создание приборов, работающих на новых физических принципах. И здесь возможности метода молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), обеспечивающего прецизионный контроль толщин выращиваемых структур, профилей легирования, состава, близкое к идеальному качество гетерограниц, оказались как нельзя кстати. С другой стороны, успехи в развитии самого метода МЛЭ связаны с возрастающей потребностью в приборах нового поколения.

С момента своего зарождения в конце 60-х годов и до сегодняшнего дня метод МЛЭ прошел путь от простых лабораторных установок до промышленного производства. В настоящее время в мире структуры, полученные методом МЛЭ, занимают более 2/3 от всего рынка эпитаксиальных технологий [1]. В последнее время фирмой ЛЗ Бетюоп серийно выпускаются промышленно — ориентированные установки МЛЭ VI00 и VI50, рассчитанные на рост одновременно на 4×100 мм и 3~х 150 мм подложках СэАб соответственно [2].

Несмотря на достигнутые успехи, полного понимания процессов, происходящих на поверхности кристалла даже при гомоэпитаксии, еще не достигнуто [3].

Совместимость метода МЛЭ с методами исследования поверхности позволяет изучать явления на поверхности роста непосредственно в процессе эпитаксии. В результате проведения таких исследований во второй половине 70″ х годов была предложена модель роста СаАв при МЛЭ, известная как модель Фоксона-Джойса. Согласно этой модели существует значительная разница в процессах формирования слоев из пучков молекул As4 и As2. Предполагалось, что при росте из пучка молекул As4 происходит парная диссоциация молекул As4, при этом коэффициент встраивания As не превышает значения 0,5. При встраивании же молекул As2 происходит простая диссоциативная хемосорбция, и коэффициент встраивания As достигает единицы. За время, прошедшее с момента появления этой модели, были получены экспериментальные данные, которые ей противоречат. Кроме того, модель не учитывает влияние структуры поверхности на процессы роста.

Этим определяется актуальность исследования процессов встраивания мышьяка при МЛЭ GaAs. В результате может быть получена новая информация о влиянии на этот процесс структуры поверхности роста и молекулярной формы мышьяка в падающем потоке. Это позволит глубже понять процессы, протекающие на ростовой поверхности при МЛЭ GaAs. Большой интерес и актуальность представляет также установление зависимости между структурным состоянием поверхности соединений при МЛЭ и качеством формируемых между ними гетерограниц.

Изучение процессов роста при МЛЭ невозможно без контроля основных параметров: температуры подложки (Ts), плотности молекулярных потоков, поступающих к поверхности и покидающих ее, их молекулярного состава. Именно эти параметры, а так же чистота материалов, являющихся источниками молекулярных потоков, и вакуумные условия в зоне эпитаксии определяют свойства выращиваемых структур. Влияние чистоты материалов и вакуумных условий приводит к тривиальному заключению: чем чище используемые вещества, чем глубже вакуум, тем выше совершенство выращиваемых пленок. Этим определяются большие усилия, направленные на получение высокочистых веществ и совершенствование средств получения сверхглубокого вакуума. В этих направлениях достигнуты в последнее время значительные успехи. Появилась возможность использовать при росте методом МЛЭ материалы с чистотой класса 7N-8N (доля содержания основного вещества до 99,999 999%) [4,5]. Применение новых материалов для изготовления сверхвысоковакуумных (СВВ) камер в сочетании с мощными средствами откачки позволило получить вакуум лучше, чем 1СГ11Па [6,7]. Для проведения процессов эпитаксии в более глубоком вакууме (лучше, чем 10″ 12Па) в настоящее время ведутся работы по созданию на околоземной орбите установок МЛЭ, работающих за так называемым «молекулярным экраном». Это российская программа «Экран» [8] и американская «Wake Shield Facility» .

9].

Сочетание уникальных возможностей метода МЛЭ с получением высокочистых веществ и развитием его технологической базы позволило достигнуть рекордных параметров структур, недостижимых другими методами роста. Методом МЛЭ выращены слои объемного GaAs, имеющие максимальную подвижность электронов (4×105см2/Вс при 35К) по сравнению со слоями, полученными другими ростовыми методами.

10]. На гетероструктурах GaAs/AlxGaixAs с селективным легированием (ГСЛ) была получена подвижность электронов в двумерном канале, превышающая 1×107см2/Вс при температуре 0,35К [11], и подвижность дырок, превышающая 1×106см2/Вс при температуре 0, ЗК [12].

Достигаются эти результаты очень дорогой ценой. На практике приходится работать с веществами с чистотой класса 5N-6N5 в вакууме порядка Ю" 9−1СГ10Па. Проблема усугубляется невоспроизводимостью результатов при смене шихты молекулярных источников [13,14]. При этом стоит задача подобрать такие условия роста, при которых негативное влияние этих факторов на совершенство выращиваемых структур было бы минимальным.

Параметры роста должны выбираться в зависимости от типа выращиваемых структур с целью получения совершенных гетерограниц, заданных электрофизических и оптических свойств. Для многослойных гетероструктур параметры роста определяются исходя из требований к свойствам отдельных слоев и структуры в целом и могут меняться во время роста. Поэтому контроль ростовых параметров является основной задачей метода МЛЭ.

Постоянный контроль возможен лишь методами in situ, которые при этом не должны влиять на свойства растущих слоев. Одним из таких методов для соединений АЗВ5 является дифракция быстрых электронов на отражение (ДБЭО). ДБЭО дает информацию о структуре приповерхностного слоя кристалла и ее изменении в процессе роста. Наличие на поверхностях {001} соединений АЗВ5 целого ряда поверхностных структур (ПС), существование которых зависит от параметров роста, делает возможным применение метода ДБЭО для контроля этих параметров при МЛЭ. Поэтому является актуальным установление ряда ПС для основных соединений АЗВ5, определение областей их существования в зависимости от Ts и плотности молекулярных потоков (построение фазовых диаграмм (ФД) поверхностей) и разработка на этой основе методики измерения этих параметров.

Цель данной работы состояла в исследовании роли структуры поверхности в формировании слоев GaAs и AIGaAs методом МЛЭ. Для достижения этой цели при выполнении работы решались следующие задачи:

1. Разработка методики прямого измерения поступающего к подложке потока мышьяка при МЛЭ GaAs.

2. Исследование встраивания мышьяка в широком диапазоне условий МЛЭ GaAs с применением потоков молекул As4 и As2.

3. Определение методом ДБЭО ряда поверхностных структур для GaAs (001), AIAs (001) и Aloi3Ga0,7As (001) при МЛЭ, построение фазовых диаграмм поверхностных структур для этих поверхностей при МЛЭ, исследование влияния молекулярной формы мышьяка на фазовые диаграммы поверхностных структур GaAs (001) при МЛЭ GaAs.

4. Разработка методики контроля параметров роста при МЛЭ, обеспечивающей их воспроизводимость.

5. Определение зависимости между структурным состоянием поверхности AI0,3Ga0,7As (001) при МЛЭ и качеством формируемых гетерограниц GaAs/Alo.3Ga0.7As (001).

Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов и заключения.

Основные результаты исследований, приведенные в данной диссертации, опубликованы в статьях [184], [195], [198], [200], [202], [204], [206], [209], [212], [215] и апробированы на:

— VII Всесоюзной конференции по росту кристалловсимпозиум по МЛЭ, Москва, 1988 г. [197].

— I Международном совещании по молекулярно-лучевой эпитаксии, физика роста и технология, Варшава, Польша, 1994 г. [199], [201].

— 23 Международном симпозиуме по полупроводниковым соединениям, Санкт Петербург, 1996 г. [203].

— X Международной конференции по молекулярно-лучевой эпитаксии, Канны, Франция, 1998 г. 194], [205], [207].

— IV Российской конференции по физике полупроводников «Полупроводники-99», Новосибирск, 1999 г. [208], [213].

Диссертационная работа выполнена в Институте физики полупроводников СО РАН. Часть экспериментов была проведена в Институте физики Польской АН. В ходе выполнения работы в ней принимали участие сотрудники ИФП СО РАН и других организаций. Выращивание эпитаксиальных структур проводилось совместно с сотрудниками ИФП М. А. Путято и Б. Р. Семягиным. Разработка моделей роста и конструкции узлов установки МЛЭ проведена совместно с М. А. Путято. Спектры низкотемпературной ФЛ получены К. С. Журавлевым и Т. С. Шамирзаевым, измерение эффекта Холла на образцах с 2de" при низкой температуре проведено A.A. Быковым. Малошумящие ПТБШ на ГСЛ для СВЧ диапазона изготовлены в ОКБ ПО «Планета» (г. Новгород) В. Л. Романовым, РТД-в ЦНИИРТИ (г.Москва) Ю. А. Ивановым, ДГ с ДБ катодом на ГНТП «НИИПП» (г. Томск) К. И. Курканом.

Личный вклад автора состоит в:

— разработке и создании модернизированной установки МЛЭ;

— разработке методики прямого измерения плотности потока Аб;

— получении, обработке и интерпретации всех экспериментальных результатов, представленных в данной работе;

— выращивании эпитаксиальных структур для физических исследований и приборного применения.

Автор выражает благодарность научным руководителям О. П. Пчелякову и Д. И. Лубышеву, а так же М. А. Путято за организационную поддержку в выполнении данной работы и плодотворное обсуждение основных результатов, Б. Р. Семягину и Л. Г. Окороковой за техническую поддержку при проведении экспериментов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. MBE or MOVPE? .the choice has never been easier. -Ill-V Review, V.11, N.3, May/Jun 1998, p.8.2. http://www.vgsemicon.com
  2. Itoh M., Bell J.R., Avery A.R., Jones T.S., Joyce B.A., and Vvedensky D.D. Island nucleation and growth on reconstructed GaAs (001) surface. Phys. Rev. Lett., V.81, N.3, 20 July 1998, p.633−636.
  3. Holland M.C. Kean A.H. and Stanley C.R. 250A spacer GaAs-AIGaAs two-dimensional electron gas (2DEG) structures with mobilities in excess of 3×106cmW1 at 4K. J.Cryst.Growth, V.127, 1993, p. 793−797.5. http://www.promecome.com
  4. Suemitsu M., Uneme Y., Miyamoto N. Development of extremely high vacuums with mirror-polished Al-alloy chamber. -Vacuum V.44, N.5−7, 1993, p.425−428.
  5. MBE in space. Compound Semiconductors, Sept/Oct 1995, p.8−10.
  6. Stanley C.R., Holland M.C., Kean A.H., Chamberlain J.M., Grimes R.T. and Stanaway M.B. 4×105cm2V"1s~1 peak electron mobilities in GaAs grown by solid source MBE with As2. -J. Cryst. Growth, V.111, 1991, p. 14−19.
  7. Melloch M.R. Molecular beam epitaxy for high electron mobility modulation-doped two-dimensional electron gas. -Thin Solid Films. V.231, 1993, p.74−85.
  8. Henini M., Rodgers P.J., Crump P.A., Gallagher B.L., Hill G. The growth of ultra-high-mobility two-dimensional hole gas on (311)A GaAs surface. -J.Cryst.Growth, V.150, 1995, p. 451−454.
  9. Chand N., Miller R.C., Sergent A.M., Sputz S.K., and Lang D.V. Effect of arsenic source on the growth of high-purity GaAs by molecular beam epitaxy. -Appl. Phys. Lett., V.52, N.20, 16 May 1988, p.1721−1723.
  10. Foxon C.T. and Joyce B.A. Fundamental aspects of molecular beam epitaxy. Current Topics in Material Science, edited by E. Kaldis, V.7, Chapter 1, 1981, Amsterdam/New-York: North-Holland.
  11. Arthur J.R. Gallium arsenide surface structure and reaction kinetics: field emission microscopy. -J. Appl. Phys., V.37, N.8, July 1966, p. 3057−3064.
  12. Foxon C.T. and Joyce B.A. Interaction kinetics of As4 and Ga on {100}GaAs surfaces using modulated molecular beam technique. Surf. Sci., V.50, 1975, p.434−450.
  13. Arthur J.R. Interaction of Ga and As2 molecular beam with GaAs surface. -J. Appl. Phys., V.39, N.18, 1968, p.4032−4034.
  14. Ibbetson J.P., Mirin R.P., Mishra U.K., A.C. Gossard Effect of As4 flux on reflection high-energy diffraction oscillations during growth of GaAs at low temperatures. J. Vac. Sci. Technol. B, V.12, N.2, Mar/Apr 1994, p. 10 501 052.
  15. Kean A.H., Stanley C.R., Holland M.C., Martin J.L., Chapman J.N. Gallium desorption from (AI, Ga) As grown by molecular beam epitaxy at high temperatures. J.Cryst.Growth, V.111, 1991, p. 189−193.
  16. Fisher R., Klem J., Drummond T.J., Thorne R.E., Kopp W., Markoc H. and Cho A.Y. Incorporation rate of gallium and aluminum on GaAs during molecular beam epitaxy at high substrate temperatures. -J. Appl. Phys., V.54, N.5, May 1983, p. 2508−2510.
  17. Van Hove J.M., Pukite P.R., Whaley G.M., Wowchak A.M., and Cohen P.I. Layer-by-layer evaporation of GaAs (001). -J. Vac. Sci. Technol. B, V.3, N.4, Jul/Aug 1985, p.1116−1117.
  18. Van Hove J.M. and Cohen P.I. Mass-action control of AIGaAs and GaAs growth in molecular beam epitaxy. -Appl. Phys. Lett., V.47, N.7, 1 October 1985, p. 726−728.
  19. Foxon C.T., Boudry M.R. and Joyce B.A. Evaluation of surface kinetic data by the transform analysis of modulated molecular beam measurements. -Surf. Sci., V.44, 1974, p. 69−92.
  20. Foxon C.T. and Joyce B.A. Interaction kinetics of As2 and Ga on {100}GaAs surfaces. Surf. Sci., V.64, 1977 p. 293−304.
  21. Ploog K. Molecular beam epitaxy of lll-V compounds: technology and growth process. -Ann. Rev. Mater. Sci., V.11, 1981, p. 171−210.
  22. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. Под ред. Ченга J1. и Плога К., М.: Мир, 1989, 43−50с.
  23. Stenin S.I. Molecular beam epitaxy of semiconductor, dielectric and metal films. -Vacuum V.36, N.7−9, 1986, p.419−426.
  24. Foxon C.T. MBE of GaAs and lll-V alloys. -J. Vac. Sci. Technol. B, V.1, N.2, Apr.-June 1983, p.293−297.
  25. M. Полупроводниковые сверхрешетки. -M.: Мир, 1989, 54−56с.
  26. Н.А., Вейгнер А. И., Вилисова М. Д., Голощапов С. И., Ивонин И. В., Козырев С. В., Куницын А. Е., Лаврентьева Л. Г., Лубышев Д.И.,
  27. Baranowski J.M., Liliental-Weber, Yau W.-F., and Weber Evidence for superconductivity in low-temperature-grown GaAs.- Phys. Rev. Lett., V.6, N.23, 10 June 1991, p.3079−3082.
  28. Lewis B.F., Fernandez R., Madhukar A., Grunthaner F.J. Arsenic-induced intensity oscillations in reflection high-energy electron diffraction measurements. -.J. Vac. Sci. Technol. B, V.4, N.2, Mar/Apr 1986, p.560−563.
  29. Fernandez R. Reproducible growth conditions by group III and group V controlled incorporation rate measurements. J. Vac. Sci. Technol. B, V.6, N.2, Mar/Apr 1988, p.745−748.
  30. Tok E.S., Neave J.H., Zhang J., Joyce B.A., Jones T.S. Arsenic incorporation kinetics in GaAs (001) homoepitaxy revisited. Surf. Sci., V.374, 1997, p.397−405.
  31. Tok E.S., Jones T.S., Neave J.H., Zhang J., Joyce B.A., Is the arsenic incorporation kinetics important when growing GaAs (001), (110), (111)A films?-Appl. Phys. Lett., V.71, N.22, 1 December 1997, p.3278−3280.
  32. Mars D.E. and Miller J.N. An indium-free for GaAs substrate heating during molecular beam epitaxial growth. -J.Vac.Sci.Technol. B, V.4, N.2, Mar/Apr 1986, p.571−573.
  33. Tsao J.Y., Brennan T.M. and Hammons B.E. Oscillatory As4 surface rates during molecular beam epitaxy of AlAs, GaAs and InAs. -J. Cryst. Growth, V.111, 1991, p. 125−130.
  34. Tsao J.Y., Brennan T.M., Klem J.F. and Hammons B.E. Surface-stoichiometry dependence of As2 desorption and As4 «reflection» from GaAs (001). -J. Vac. Sci. Technol. A, V.7, N.3, May/Jun 1989, p. 21 382 142.
  35. Tsao J.Y., Brennan T.M., and Hammons B.E. Reflection mass spectrometry of As incorporation during GaAs molecular beam epitaxy. Appl. Phys. Lett., V.53, N.4, 25 July 1988, p.288−290.
  36. Cho A.Y. GaAs Epitaxy by a molecular beam method: observations of surface structure on the (001) face. -J. Appl. Phys., V.42, N.5, April 1971, p. 2074−2081.
  37. Kabayashi N. and Kobayashi Y. As and P desorption from lll-V semiconductor surface in metalorganic chemical vapor deposition studied by surface photo-adsorption. Jpn. J. Appl. Phys., V.30, N.10A, October, 1991, p. L1699-L1701.
  38. Liang B.W. and Tu C.W. A study of group-V desorption from GaAs and gap by reflection high-energy electron diffraction in gas-source molecular beam epitaxy. J. Appl. Phys., V.72, N.7, 1 October 1992, p.2806−2809.
  39. Yamaguchi H. and Horikoshi Y. Influence of surface reconstruction on the As desorption process from a (001)GaAs surface evaluated by improved high-energy electron-reflectivity measurements. -Phys. Rev. B, V.44, N.11, 15 September 1991, p.5897−5900.
  40. Yamaguchi H. and Horikoshi Y. As desorption from GaAs and AlAs surfaces studied by improved high-energy electron-reflectivity measurements.-J. Appl. Phys., V.71, N.4, 15 February 1992, p.1753−1759.
  41. Arthur J.R. Surface stoichiometry and structure of GaAs. -Surf. Sci., V.43, 1974, p. 449−461.
  42. Newstead S.M., Kubiak R.A.A. and Parker E.H.C. On the practical applications of MBE surface phase diagrams. J. Cryst. Growth, V.81, 1987, p. 49−54.
  43. Harris J.J., Joyce B.A., and Dobson P.J. Oscillations in the surface structure of Sn-doped GaAs during growth by MBE. -Surf. Sci., V.103, 1981, p. L90-L96.
  44. Wood C.E.C. RED intensity oscillations during MBE of GaAs. -Surf. Sci., V.108, 1981, p. L441-L443.
  45. Neave J.H., Joyce B.A., Dobson P.J. Norton N. Dynamics of film growth of GaAs by MBE from Rheed Observations. -Appl. Phys. A, V.31, 1983, p.1−8.
  46. Dobson P.J. Norton N.G., Neave J.H., Joyce B.A. Temporal intensity variations in RHEED patterns during film growth of GaAs by MBE. -Vacuum V.33, N.10−12, 1983, p.593−596.
  47. Neave J.H., Dobson P.J., Joyce B.A., Zhang J. Reflection high-energy electron diffraction oscillations from vicinal surface -a new approach to surface diffusion measurements. -Appl. Phys. Lett., V.47, N.2, 15 July 1985, p.100−102.
  48. Tanaka M., Suzuki T. and Nishinaga T. Surface diffusion of Al and Ga atoms on GaAs (001) and (111)B vicinal surfaces in molecular beam epitaxy. J.Cryst.Growth, V.111, 1991, p. 168−172.
  49. Hata M., Watanabe A., and Isu T. Surface diffusion length observed by in situ scanning microprobe reflection high -energy electron diffraction. -J.Cryst.Growth, V.111, 1991, p.83−87.
  50. Shitara T., Zhang J., Neave J.H. and Joyce B.A. As/Ga ratio dependence of Ga adatom incorporation kinetics at steps on vicinal GaAs (001) surfaces. J.Cryst.Growth, V.127, 1993, p.494−498.
  51. Ohta K., Kojima T. and Nakagawa T. Anisotropic surface migration of Ga atoms on GaAs (001). J.Cryst.Growth, V.95, 1989, p.71−74.
  52. Foxon C.T. Current understanding of growth mechanisms in lll-V MBE. -J.Cryst.Growth, V.95, 1989, p. 11−16.
  53. Dobson P.J., Joyce B.A., Neave J.H. and Zhang J. Current understanding and applications of the RHEED intensity oscillation technique. -J.Cryst.Growth, V.81, 1987, p.1−8.
  54. Kunkel R., Poelsema B., Verheij L.K., and Cosma G. Reentrant layer-by-layer growth during molecular beam epitaxy of metal-on-metal substrate. -Phys. Rev. Lett., V.65, N.6, 6 August 1990, p.733−736.
  55. Dabiran A.M., Nair S.K., He H.D., Chen K.M. and Cohen P.I. Al and Ga diffusion barriers in molecular beam epitaxy. -Surf. Sci., V.298, 1993, p.384−391.
  56. Horikoshi Y., Kawashima M., and Yamaguchi H. Migration-enhanced epitaxy of GaAs and AIGaAs. -Jpn. J. Appl. Phys., V.27, N.2, February, 1988, p.169−179.
  57. Deparis C. and Massies J. Surface stoichiometry variation in alternate molecular beam epitaxy of GaAs. -J. Cryst. Growth, V.118, 1992, p.414−424.
  58. Briones F. and Ruiz A. Atomic layer molecular beam epitaxy (ALMBE): growth kinetics and applications. J.Cryst.Growth, V.111, 1991, p.194−199.
  59. Briones F., Golmayo D., Gonzalez L. and Ruiz A. Phased- locked RHEED oscillations during MBE growth of GaAs and AlxGaixAs. J.Cryst.Growth, V.81, 1987, p. 19−25.
  60. Thomsen M. and Madhukar A. Computer simulations of the role of group V molecular reactions at steps during molecular beam epitaxial growth of lll-V semiconductors. J.Cryst.Growth, V.80, 1987, p.275−288.
  61. Sakomoto T., Kawamura T., Nago S., Hashiguchi G., Sakamoto K., Kuniyishi K. RHEED-intensity oscillations of alternating surface reconstructions during Si MBE growth on single-domain Si (001)-2×1 surface. J.Cryst.Growth, V.81, 1987, p.59−64.
  62. Preobrazhenskii V.V., Semjagin B.R., Putjato M.A., Nizamov R.I. Study of GaAs/AIAs heterointerface formation during MBE on (311)A GaAs surface by RHEED. Inst. Phys. Conf. Ser. No 155, 1997, IOP Publishing Ltd., p.315−318.
  63. Heckingbottom R. Thermodynamic aspects of molecular beam epitaxy: High temperature growth in the GaAs/Gai.xAlxAs system. J.Vac.Sci. Technol. B, V.3, N.2, Mar/Apr 1985, p.572−575.
  64. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. Под ред. Ченга Л. и Плога К., М.: Мир, 1989, 65−92с.
  65. Seki Н. and Koukitu A. Thermodynamic analysis of molecular beam epitaxy of lll-V semiconductors. J.Cryst.Growth, V.78, 1986, p.342−352.
  66. Tok E.S., Neave J.H., Allegretti F.E., Zhang J., Jones T.S., Joyce В .A. Incorporation kinetics of As2 and As4 on GaAs (110). Surf. Sci., V.371, 1997, p.277−288.
  67. Herman M.A. Atomic layer epitaxy 12 years later. — Vacuum V.42, N.½, 1991, p.61−66.
  68. Galitsyn Yu.G., Moshchenko S.P., and Suranov A.S. Kinetics of incorporation of As2 on the (001) GaAs surface. Phys. Low-Dim. Struct. V.7/8, 1998, p.81−90.
  69. Karpov S.Yu., Maiorov M.A. Analysis of V-group molecules sticking to III-V compound surfaces. Surf. Sci., V.344, 1995, p. 11−22.
  70. Karpov S.Yu., Maiorov M.A. Model of the adsorption/desorption kinetics on a growing lll-V compound surface. Surf. Sci., V.393, 1997, p.108−125.
  71. С.Ю., Майоров M.A. Кинетическая модель роста GaAs(001) из молекулярных пучков. Письма вЖТФт.23, № 1, 1997, с.64−71.
  72. Ю.Ю. Механизмы кристаллизации GaAs в условиях МЛЭ. -Приоритетные направления в научном приборостроении I международная конференция молодых ученых (1990г.): Тез. докл./Л. 1990 г.-47с.
  73. М.П., Эрвье Ю. Ю. О механизмах кристаллизации GaAs(001) из молекулярного пучка. -VIII всесоюзная конференция по росту кристаллов (1992г.): Расш. тез. докл./Харьков 1992 г.-37−38.
  74. Wood Е.А. Vocabulary of surface crystallography. -J. Appl. Phys., V.35, N.4, April 1964, p. 1306−1312.
  75. Cho A.Y. and Hayashi I. P-N junction formation during molecular-beam epitaxy of Ge-doped GaAs. -J. Appl. Phys., V.42, N.11, 1971, p. 44 224 425.
  76. Fatt Y.S. Evidence of silicon segregation as a function of arsenic overpressure in GaAs grown by molecular beam epitaxy. -J. Appl. Phys., V.72, N.7, 1 October 1992, p. 2846−2849.
  77. Pao Y.C., Franklin J., J.S. Harris, Jr. Influence of As4/Ga flux ratio on Be incorporation in heavily doped GaAs grown by molecular beam epitaxy. -J.Cryst.Growth, V.95, 1989, p.301−304.
  78. Massies J., Etienne P., Dezaly F. and Linh N.T. Stoichiometry effects on surface properties of GaAs{100} growth in situ MBE. -Surf. Sci., V.99, 1980, p.121−131.
  79. Chen W., Dumas M., Mao D., and Kahn A. Work function, electron affinity, and band bending at decapped GaAs (001) surfaces. -J.Vac.Sci. Technol. B, V.10, N.4, Jul/Aug 1992, p.1886−1890.
  80. Duszak R., Palmstrom, and Florez L.T. Dramatic work function variation of molecular beam epitaxially grown GaAs (001) surfaces. -J.Vac.Sci. Technol. B, V.10, N.4, Jul/Aug 1992, p.1891−1897.
  81. Van Bommel A.J., Crombeen J.E. and Van Oirschot T.G.J. LEED, AES and photoemission measurements of epitaxially grown GaAs (001), (111)and (ill) B surfaces and their behavior upon Cs adsorption. -Surf. Sci., V.72, 1978, p. 95−108.
  82. Drathen P., Ranke W. and Jacobi K. Composition and structure of differently prepared GaAs (100) surfaces by LEED and AES. -Surf. Sci., V.77, 1978, p. L162-L166.
  83. Deparis C. and Massies J. Surface stoichiometry variation associated with GaAs (001) reconstruction transitions. -J. Cryst. Growth, V.108, 1991, p.157−172.
  84. Cho A.Y. Morphology of epytexial growth of GaAs by molecular beam method: the observation of surface structures. -J. Appl. Phys., V.41, N.7, June 1970, p. 2780−2786.
  85. Cho A.Y. Bonding direction and surface-structure orientation on GaAs (001). -J. Appl. Phys., V.47, N.7, July 1976, p. 2841−2843.
  86. Van Bommel A.J. and Crombeen J.E. Experimental determination of the correlation between the LEED pattern and the Ga-As bond vectors in the surface of GaAs (001). -Surf. Sci., V.57, 1976, p.437−440.
  87. Э. Физика поверхности. -M.: Мир, 1990 г. -137с.
  88. Larsen Р.К., Neave J.H., van der Veen J.F., Dobson P.J., Joyce B.A. GaAs (001) -c (4×4): A chemisorbed structure. Phys. Rev. B, V.27, N.8, 15 April 1983, p.4966−4977.
  89. Biegelsen D.K., Bringans R.D., Northrup J.E., and Swartz L.-E. Surface reconstructions of GaAs (001) observed by scanning tunneling microscopy. Phys. Rev. B, V.41, N.9, 15 March 1990, p.5701−5706.
  90. Caffey K., Blumenthal R., Burnham J., and Winograd N. Arsenic coverage dependence of the angular distribution of secondary ions desorbed from the GaAs{001}(2×4) surface. -J.Vac.Sci. Technol. B, V.9, N.4, Jul/Aug 1991, p.2268−2276.
  91. Chizhov I., Lee G., Willis R.F., Lubyshev D.I., Miller D.L. Scanning tunneling microscopy study of the evolution of the GaAs (001) surface during the (2×4) -(4×2) phase transition. -Appl. Surf. Sci., V.123−124, N.1−4, 1998, p.192−198.
  92. Joyce B.A., Neave J.H., Dobson P.J., Larsen P.K. Analysis of reflection high-energy electron-diffraction data from reconstructed semiconductor surfaces. Phys. Rev. B, V.29, N.2, 15 January 1984, p.814−819.
  93. Pashley M.D., Haberern K.W., Woodall J.M. The (001) surface of molecular-beam epitaxially grown GaAs studied by scanning tunneling microscopy. -J.Vac.Sci. Technol. B, V.6, N.4, Jul/Aug 1988, p.1468−1471.
  94. Larsen P.K., Chadi D.J. Surface structure of As-stabilized GaAs (001): 2×4, c (2×8), and domain structures. Phys. Rev. B, V.37, N.14, 15 May 1988, p.8282−8288.
  95. Xu H., Hashizume T. and Sakurai T. GaAs (001) (2×4) surface study by molecular beam epitaxy and field-ion-scanning-tunneling-microscopy. -Jpn. J. Appl. Phys., V.32, Part 1, N.3B, March 1993, p.1511−1514.
  96. Chadi D.J. Atomic structure of GaAs (001)-(2×1) and (2×4) reconstructed surfaces. -J.Vac.Sci. Technol. A, V.5, N.4, Jul/Aug 1987, p.834−837.
  97. Hernandez-Calderon I. and Hochst H. New method for the analysis of reflection high-energy electron diffraction: a-Sn (001) and lnSb (001) surfaces. Phys. Rev. B, V.27, N.8, 15 April 1983, p.4961−4965.
  98. Chiang T.-C., Ludeke R., Aono M., Landgren G., Himpsel F.J. and Eastmam D.E. Angle-resolved photoemission studies of GaAs (001) surfaces grown by molecular-beam epitaxy. Phys. Rev. B, V.27, N.8, 15 April 1983, p.4770−4778.
  99. Northrup J.E. and Froyen S. Energetics of GaAs (001)-(2×4) and -(4×2) reconstructions. -Phys. Rev. Lett., V.71, N.14, 4 October 1993, p.2276−2279.
  100. Ichimiya A., Xue Q.-K., Hashizume T., Sakurai T. Surface structure of GaAs (001)-(2×4) a, p and y phases. -J.Cryst.Growth, V.150, 1995, p.136−143.
  101. Farrell H.H. and Palmstrom C.J. Reflection high energy electron diffraction characteristic absences in GaAs (001) (2×4)-As: A tool for determining the surface stoichiometry. -J.Vac.Sci. Technol. B, V.8, N.4, Jul/Aug 1990, p.903−907.
  102. Dabiran A.M., Cohen P.I. Surface reconstructions and growth mode transitions of AIAs (100). -J.Cryst.Growth, V.150, 1995, p.23−27.
  103. Maeda T., Tanaka H., Takikawa M., Kasai K. Effect of the AlAs surface reconstruction on properties of Ge grown on AlAs. -J.Cryst.Growth, V.150, 1995, p.649−653.
  104. Maeda T. and Tanaka H. Epitaxial growth of high hole mobility Ge with surface controlled AlAs. -X-th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (31August-4 September 1998): Abstract Book, Cannes, France, 1998, p.562−563.
  105. Thierry-Mieg V., Laruelle F. and Etienne B. RHEED studies of Ga desorption from GaAs and of As desorption from Si-doped GaAs during growth interruption. -J.Cryst.Growth, V.127, 1993, p.1022−1024.
  106. Etienne B. and Laruelle F. RHEED-based measurements of atomic segregation at GaAs/AIAs interfaces.. -J.Cryst.Growth, V.127, 1993, p.1056−1058.
  107. Daweritz L. and Hey R. Reconstruction and defect structure of vicinal GaAs (001) and AlxGai. xAs surfaces during MBE growth. -Surf. Sci., V.236, 1990, p.15−22.
  108. Daweritz L. Surface characterization by RHEED techniques during MBE of GaAs and AlxGaixAs. Superlattices and Microstructures, V.9, N.2, 1991, p.141−145.
  109. Panish M.B. Molecular-beam epitaxy of GaAs and InP with gas sources for As and P. -J. Electrochem. Soc., V.127, N.12, December 1980, p.2729−2733.
  110. Van Hove J.M., Cohen P.J., Lent C.S. Disorder on GaAs (001) surfaces prepared by molecular beam epitaxy. -J.Vac.Sci. Technol. A, V.1, N.2, Apr.-June 1983, p.546−550.
  111. Van Hove J.M. and Cohen P.J. Development of steps on GaAs during molecular beam epitaxy. -J.Vac.Sci. Technol., V.20, N.3, March 1982, p.726−729.
  112. Chatillon C, Harmand J.C., and Alexandre F. Thermodynamic analysis of GaAs growth by molecular beam epitaxy at the surface structure transition from 3×1 to 4×2. -J.Cryst.Growth, V.130, 1993, p.451−458.
  113. Wang Y.H., Liu W.C., Chang C.Y., and Liao S.A. Surface morphologies of GaAs layers grown by arsenic pressure- controlled molecular beam epitaxy. -J.Vac.Sci. Technol. B, V.4, N.1, Jan/Feb 1986, p.30−36.
  114. Deparis С. Ph.D. Institut National Polytechnique de Grenoble, 1991.
  115. Briones F., Golmayo D., Gonzalez L. and De Miguel J.L. Surface stoichiometry and morphology of MBE grown (001)GaAs through the analysis of RHEED oscillations. -Jpn. J. Appl. Phys., V.24, N.6, June 1985, p. L478−480.
  116. Д.И. МЛЭ GaAs при сильном легировании кремнием и бериллием и изовалентном легировании индием. -Диссертация к. ф,-м.н., Новосибирск, 1993.
  117. Wood С.Е.С., Stanley C.R., Wicks G.W. and Esi M.B. Effect of arsenic dimer/tetramer ratio on stability of lll-V compound surfaces grown by molecular beam epitaxy. -J. Appl. Phys., V.54, 1983, p. 1868−1871.
  118. Woolf D.A., Westwood D.I., and Williams R.H. Surface reconstructions of GaAs (111)A and (111)B: static surface phase study by reflection high-energy electron diffraction. -Phys. Rev. Lett., V.62, N.12, 22 March 1993, p.1370−1372.
  119. Osakabe N., Tanishiro Y., Yagi K., Honjo G. Direct observation of the phase transition between the (7×7) and (1×1) structures of clean (111) silicon surfaces. -Surf. Sci., V.109, 1981, p.353−366.
  120. Э. Физика поверхности. -M.: Мир, 1990 г. -135с.
  121. Э. Физика поверхности. -М.: Мир, 1990 г. -138−140С.
  122. Kunzel H., Knecht J., Jung H., Wunstel К., and Ploog K. The effect of arsenic vapor species on electrical and optical properties of GaAs grown by molecular beam epitaxy. -Appl. Phys. A, V.28, 1982, p. 167−173.
  123. Hasegawa S., Sato K., Torii S., Nakashima H. Growth parameter dependence of step patterns in AIGaAs molecular beam epitaxy on vicinal
  124. GaAs (110) inclined toward (111)A. J. Cryst. Growth, V.175/176, 1997, p.1075−1080.
  125. Krusor B.S. and Bachrach R.Z. Two-stage arsenic cracking source with integral getter pump for MBE growth. -J.Vac.Sci. Technol. B, V.1, N.2, Apr.-June 1983, p.138−141.
  126. Huet D., Lambert M., Bonnevie D., and Dufresne D. Molecular beam epitaxy of lno.53Gao.47As and InP on InP by using cracker cells and gas cells. -J.Vac.Sci. Technol. B, V.3, N.3, May/Jun 1985, p.823−829.
  127. Lee R.-L., Schaffer W.J., Chai Y.G., Liu D., and Harris S. Material effect on the cracking efficiency of molecular beam epitaxy arsenic cracking furnaces. -J.Vac.Sci. Technol. B, V.4, N.2, Mar/Apr 1986, p.568−570.
  128. Garcia J.C., Barski A., Contour J.P. and Massies J. Dimer arsenic source using a high efficiency catalytic cracking oven for molecular beam epitaxy. -Appl. Phys. Lett., V.51, N.8, 24 August 1987, p.593−595.
  129. Hayakawa T., Nagai M., Morishima M., Horie H., and Matsumoto K. Molecular beam epitaxy growth of AlxGa^As (x=0.2−0.7) on (111)B-GaAs using As4 and As2. -Appl. Phys Lett., V.59, N.18, 28 October 1991, p.2287−2289.
  130. Neave J.H., Larsen P.K., van der Veen J.F., Dobson P.J., Joyce B.A. Effect of arsenic species (As2 or As4) on the crystallographic and electronic structure of MBE-grown GaAs (001) reconstructed surfaces. -Surf. Sci., V.133, 1983, p.267−278.
  131. Izumi S., Nayafuji N., Sonoda T., Takamiya S., Mitsui S. Less than 10 defects/cm2-|um in molecular beam epitaxy grown GaAs by arsenic cracking. -J. Cryst. Growth, V.150, 1995, p.7−12.
  132. SpringThorpe A.J., Arent D.J. Arsenic reflection from GaAs and AIGaAs surfaces during molecular-beam epitaxy. -J.Vac.Sci. Technol. B, V.11, N.3, May/Jun 1993, p.783−786.
  133. Garcia J.C., Neri C. and Massies J. A comparative study of the interaction kinetics of As2 and As4 molecules with Ga-rich GaAs (001) surfaces. -J.Cryst.Growth, V.98, 1989, p.511−518.
  134. Chen R.T., Sheng N.T., and Miller D.L. Summary Abstract: The effect of arsenic vapor species on electrical properties of MBE grown Alo.3Gao.7As. -J.Vac.Sci.Technol. B, V.3, N.2, Mar/Apr 1985, p.652.
  135. Shin Y.C.A., Neikirk D.P., Streetman B.J., and Magee C.W. Effect of As flux on Si 5-doped GaAs -J.Vac.Sci.Technol. B, V.11, N.3, May/Jun 1993, p.905−907.
  136. Garcia J.C., Beye A.C., Contour J.P., Neu G., and Massies J. Reduced carbon acceptor incorporation in GaAs grown by molecular beam epitaxy using dimer arsenic. -Appl. Phys. Lett., V.52, N.19, 9 May 1988, p. 15 961 598.
  137. Справочник по электротехническим материалам. -Под ред. Корицкого Ю. В., Пасынкова В. В., Тареева Б. М. 3-е перераб. изд. -Л.:Энергоатомиздат, Ленингр. отд-ние, 1988 г., т. З, -310с.
  138. Chand N. Growth of high quality AIGaAs/GaAs heterostructures by molecular beam epitaxy for photonic and electronic device applications. -Thin Solid Films V.231, 1993, p.143−157.
  139. Weisbuch C., Dingle R., Petroff P.M., Gossard A.C., and Wiegmann W. Dependence of the structural and optical properties of GaAs-Gai.xAlxAs multiquantum-well structures on growth temperature. -Apll. Phys. Lett., V.38, N.11, 1 /June 1981, p.840−842.
  140. Fernandez R. RHEED oscillations of arsenic-controlled growth conditions to optimize MBE growth of lll/V heterostructures. -J. Cryst. Growth, V.116, 1992, p.98−104.
  141. Wright S.L., Marks R.F., Goldberg A.E. Improved GaAs substrate temperature measurement during molecular-beam epitaxial growth. -J.Vac.Sci.Technol. B, V.6, N.3, May/Jun 1988, p.842−845.
  142. Katzer D.S. and Shanabrook B.V. Comparison of optical pyrometry and infrared transmission measurements on indium-free mounted substrates during molecular-beam epitaxial growth. -J. Vac. Sci. Technol. B, V.11, N.3, May/Jun 1993, p.1003−1006.
  143. Hellman E.S., Pitner P.M., Harwit A., Liu D., Yoffe G.W., and Harris J.S. Jr. molecular beam epitaxy of gallium arsenide using direct radiative substrate heating. -J.Vac.Sci.Technol. B, V.4, N.2, Mar/Apr 1986, p.574−577.
  144. Lee H., Nouri N., Colvard C. and Ackley D. Comparison of RHEED during MBE growth and the quality of AIGaAs: Si on (100) and misoriented GaAs substrates. -J. Cryst. Growth, V.95, 1989, p.292−295.
  145. Mizutani T. Correct substrate temperature monitoring with infrared optical pyrometer for molecular-beam epitaxy of lll-V semiconductors. -J.Vac.Sci.Technol. B, V.6, N.6, Nov/Dec 1988, p.1671−1677.
  146. Waterman J.R., Shanabrook B.V., and Wagner R.J. Reflection high-energy electron diffraction study of Sb incorporation during molecular-beam epitaxy growth of GaSb and AlSb. -J.Vac.Sci.Technol. B, V.10, N.2, Mar/Apr 1992, p.895−897.
  147. Mesrine M., Massies J., Deparis C., Grandjean N., and Vanelle E. Realtime investigation of In surface segregation in chemical beam epitaxy of Ino.sGao.sP on GaAs (001). -Appl. Phys. Lett., V.68, N.25, 17 June 1996, p.3579−3581.
  148. Lee W.S., Yoffe G.W., Schlom D.G. and Harris J.S. Jr. Accurate measurement of MBE substrate temperature. -J. Cryst. Growth, V.111, 1991, p.131−135.
  149. Heiblum M., Mendez E.E., and Osterling L. Growth by molecular beam epitaxy and characterization of high purity GaAs and AIGaAs. -J. Appl Phys., V.54, N.12, December 1983, p.6982−6988.
  150. Chand N. MBE growth of high-quality GaAs. -J. Cryst. Growth, V.97, 1989, p.415−429.
  151. Shanabrook B.V., Waterman J.R., Davis J.L., Wagner R.J., and Katzer D.S. Variations in substrate temperature induced by molecular-beam epitaxial growth on radiatively heated substrates. -J.Vac.Sci.Technol. B, V.11, N.3, May/Jun 1993, p.994−997.
  152. Neave J.H. and Joyce B.A. Temperature range for growth of autoepitaxial GaAs films by MBE. -J. Cryst. Growth, V.43, 1978, p.204−208.
  153. Saletes A., Massies J., Neu G., Contour J.P. Effect of As4/Ga flux ratio on electrical properties of NID GaAs layers grown by MBE. -Electronic Letters, V.20, N.21, 11th October 1984, p.872−874.
  154. Wood C.E.C., Desimone D., Singer K., and Wicks G.W. Magnesium-and calcium-doping behavior in molecular-beam epitaxial lll-V compounds. J. Appl. Phys., V.53, N.6, June 1982, p.4230−4235.
  155. Davies G. J. and Williams D. in The technology and physics of molecular beam epitaxy, ed. by E. H. C. Parker, New York, Plenum, 1985, 38p.
  156. Hancock B.R. and Kroemer H. Relation between growth conditions and reconstruction on InAs during molecular beam epitaxy using As2 source. -J. Appl. Phys., V.55, N.12, 15 June 1984, 4239−4243.
  157. Flaim T. A. and Ownby P. D. Observations on Bayard-Alpert ion gauge sensitivities to various gases. -J. Vac. Sci. Technol., V.8, 1971, p.661−662.
  158. Factor D., Vesely M. and Harman R. New method for IIIA/ flux ratio calibration in MBE systems from arsenic pressure measurement. -J. Cryst. Growth, V.126, 1993, p.499−501.
  159. Neave J.H., Joyce B.A., Dobson P.J. Dynamic RHEED observations of the MBE growth of GaAs. -Appl. Phys. A, V.34, 1984, p. 179−184.
  160. Massies J., Turco F., Saletes A. and Contour J.P. Experimental evidence of difference in surface and bulk compositions of AlxGa^As, AlxIn^xAs and Gaxlni. xAs epitaxial layers grown by molecular beam epitaxy. -J. Cryst. Growth, V.80, 1987, p.307−314.
  161. Morko? H., Drummond T.J., Kopp W., and Fisher R. Influence of substrate temperature on the morphology of AlxGa^xAs grown by molecular beam epitaxy. J. Electrochem. Soc., V.129, N.4, 1982, p.824−826.
  162. Heiblum M., Mendez E.E., and Stern F. High mobility electron gas in selectively doped n: AIGaAs/GaAs heterojunctions. -Appl. Phys. Lett., V.44, N.11, 1 June 1984, p.1064−1066.
  163. Braun W., Ploog K.H. In situ technique for measuring Ga segregation and interface roughness at GaAs/AIGaAs interfaces. -J. Appl. Phys., V.5 N.4, 15 February 1994, p. 1993−2001.
  164. Moshegov N.T., Sokolov L.V., Toropov A.I., Bakarov A.K., Kalagin A.K., Tichomirov V.V. The influence of surface reconstruction on the GaAs/AIAs interface formation by MBE. -Inst. Phys. Conf. Ser. No 145: Chapter 2, 1996, p. 97−102.
  165. Stall R.A., Zilko J., Swaminathan V., and Schumaker N. Morphology of GaAs and AlxGa^As grown by molecular beam epitaxy. -J.Vac.Sci.Technol. B, V.3, N.2, Mar4/Apr 1985, p.524−527.
  166. Huang Z.-F. and Gu B.-L. A kinetic study of the ordering process in ternary lll-V semiconductor alloys. -J. Phys.: Condens. Matter V.9, 1997, p.5737−5749.
  167. On the use of dimeric arsenic in solid source MBE. EPI Application Note, August/September, 1993.
  168. Г. В. Неметаллические нитриды. -M.: Металлургия, 1969, -133с.
  169. Кучис.Е. В. Методы исследования эффекта Холла. -М.: Сов. радио, 1974.
  170. В.В., Мигаль В. П., Лубышев Д. И. Температурные переходы сверхструктуры на поверхностях {100} GaAs и InAs. Поверхность. Физика, химия, механика, № 9, 1989, с.156−158.
  171. Bimberg D., Heinrichsdorf F., Bauer R.K., Gerthsen D., Stenkamp D., Mars D.E., Miller J.N. Binary AlAs/GaAs versus ternary GaAIAs/GaAs interfaces: dramatic difference of perfection. -J.Vac.Sci.Technol. B, V.10, N.4, Jul/Aug 1992, p.1793−1798.
  172. Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности. -М.: Мир, 1989.
  173. З.Г. Дифракция электронов. -М: Гостехиздат. 1949.
  174. В.З. Геометрико вероятностные модели кристаллизации. -М.: Наука, 1980, -15−22 с.
  175. З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. -М.: Радио и связь, 1991, -298с.
  176. Н.Т. Исследование процессов формирования короткопериодных сверхрешеток InAs/GaAs и GaAs/AIAs при молекулярно-лучевой эпитаксии. -Диссертация к.ф.-м.н., Новосибирск, 1997.191. http://www.microcal.com
  177. Nikiforov A.I., Markov V.A. Pchelyakov O.P. Yanovitskaya Z.Sh. The influence of the epitaxial growth temperature on the period of RHEED oscillations. Phys. Low-Dim. Struct. V.7, 1997, p. 1−9.
  178. H.T., Стенин С. И., Торопов А. И. Контроль отношения потоков In, Ga и As при молекулярно-лучевая эпитаксии InAs и GaAs с помощью анализа интенсивности рефлексов дифракции быстрых электронов на отражение. Поверхность. № 5, 1990, с.30−34.
  179. Preobrazhenskii V.V., Putyato M.A., Pchelyakov O.P., Semyagin B.R. Experimental determination of the incorporation factor of As4 during molecular beam epitaxy of GaAs. -J. Cryst. Growth, v.201/202, 1999, p.170−173.
  180. В.В., Мигаль В. П., Лубышев Д. И. Температурная зависимость переходов поверхностных структур {100} GaAs и InAs. -VII Всесоюзной конференции по росту кристаллов/Симпозиум по МЛЭ: Расш. тез. докл./М., 1988, т.4, с.145−146.
  181. Д.И., Мигаль В. П., Преображенский В. В., Овсюк В. Н., Семягин Б. Р., Стенин С. И. Молекулярно-лучевая эпитаксия модулированных структур GaAs. Электронная промышленность, вып.6, (184), 1989, с.6−8.
  182. Reginski К, Muszalski J., Preobrazhenskii V.V., Lubyshev D.I. Phase static diagrams of surface superstructures of AlAs and GaAs. Abstract book. Int. Workshop on MBE. Growth Physics and Technology/ Warsaw, 1994, р.ССЗ.
  183. Reginski K, Muszalski J., Preobrazhenskii V.V., Lubyshev D.I. Static phase diagrams of reconstructions for MBE-grown GaAs (001) and AIAs (001) surfaces. Thin Solid Films, 1995 v. 267, p.54−57.
  184. Preobrazhenskii V.V., Lubyshev D.I., Reginski K, Muszalski J. Surface kinetic effect to phase diagram of GaAs during MBE. Abstract book. Int. Workshop on MBE. Growth Physics and Technology/ Warsaw, 1994, p. CC4.
  185. Preobrazhenskii V.V., Lubyshev D.I., Reginski K, Muszalski J. The effect of the MBE growth rate on the surface phase diagram for GaAs (001). -Thin Solid Films, v.267, 1995, p.51−53.
  186. Preobrazhenskii V.V., Putyato M.A., Pchelyakov O.P., Semyagin B.R. Surface structure transitions on (001) GaAs during MBE.-J. Cryst. Growth, v.201/202, 1999, p.166−169.
  187. А.В., Стенин С. И. Молекулярная эпитаксия: состояние вопроса, проблемы и перспективы развития. В кн.: Рост полупроводниковых кристаллов и пленок. Часть 1, Новосибирск: Наука, 1984, с.5−34.
  188. Gusev G.M., Basmaji P., Lubyshev D.I., Litvin L.V., Nastaushev Yu.V., Preobrazhenskii V.V. Magneto-oscillations in a two-dimensional electron gas with a penrose lattice of artificial scatterers. Phys.Rev.B, 1993, vol.47, N15, p.9928−9930.
  189. .К. Молекулярно-лучевая эпитаксия GaAs и гетероструктур GaAs/AIGaAs для приборов микроэлектроники. -Диссертация д.ф.-м.н. в форме научного доклада, Москва, 1992.228
  190. А.С. Размерные квантовые эффекты в субмикронных полупроводниковых структурах и перспективы их применения в электронике СВЧ. 4.1. Физические основы Электронная техника. Сер.1, Электроника СВЧ, 1987, Вып.9(403), с.21−33.
  191. Кщ, дБ .= 12,0 ГГц Кур, дБ Р СО ГГц Кш, дБ ' 12,0 ф КУР'7СОДР1. 1,7 10,7 т, з 9,32. 1, Т 9,6 1,35 9,63. 1,74 10,4 7,75 9,54. 0,9 70,0 7,3 9,65. 0,9 70,0 1,7 9,66. Т т 70,5 7,05 9,71. V. 0,8 9,5
  192. Ширина затвора изготовленных транзисторов 260 мкм, длина затвора — 0,3 -г 0,4 мкм. Материал затвора — алюминий.
  193. Кристаллы собраны на мет алло керамический кристаллодер-жатель диаметром 2 мм с полосковыми выводами.
  194. Измерения приводились на серийной установке Х5−36.
  195. Начальник сектора Т! В.Л.Романов
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?