Распад электронных возбуждений в ЩГК с гомологической примесью
Диссертация
Ряд работ посвящен исследованию дефектообразования в кристаллах с гомологической примесью 121,23−203, Подавляющая часть исследований проведена с использованием стационарных методик, то есть объектами исследования были накопленные стабильные дефекты, для которых от общего числа наводимых облучением Ри И — центров не превышает 10 $. Показано, что распад локализованных тяжелой галогенной примесью… Читать ещё >
Содержание
- ГЛАВА I. ЭЛЕКТРОННЫЕ ВОЗБУЖДЕНИЯ В ЧИСТЫХ И ПРИМЕСНЫХ ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛАХ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРНЫХ ДАННЫХ).II
- 1. 1. Электронные возбуждения в ЩГК .II)
- 1. *1.1. Автолокализованные дырки. II
- 1. 1. 2. Экситоны в щелочно-галоидных кристаллах
- 1. 2. Электронные возбуждения в ЩГК с гомологической примесью
- 1. 3. Влияние примеси на образование и накопление радиационных дефектов в ЩГК
- 1. 4. Задачи исследования
- 2. 1. Установка импульсной абсорбционной и люминесцентной спектрометрии
- 2. 2. Обработка экспериментальных данных
- 2. 3. Объекты исследования
- 3. 1. Короткоживущее поглощение в К с/:у, наводимое импульсом радиации
- 3. 2. Эффективность захвата электронных возбуждений примесью иода
- 3. 3. Люминесценция кристаллов IШ-.ъ при импульсном возбуждении радиацией
- 3. 4. Механизмы процесса захвата электронных возбуждении примесью иода в и их эволюции
- 3. 5. Природа полосы люминесценции на 3,4 эВ в К а-.'З
- 4. 1. Короткоживущее поглощение в Л/аС?:Вг наведенное импульсом электронов. НО
- 4. 2. Люминесценция кристаллов /ФСХ'Вп при импульсном возбуждении электронами
- 4. 3. Короткоживущее поглощение, наведенное импульсом электронов в К и: 8>ч
- 4. 4. Люминесценция при возбуждении импульсом электронов
- 5. 1. Вяияние примеси иода на образование дефектов
- 5. 2. Анализ результатов исследования процессов эволюции первичных дефектов в КС?:У
- 5. 3. Образование центров окраски в ЫаСЛ-.&ъ
Список литературы
- Иоффе А.Ф. Физика полупроводников. — М.-Л., 1957.
- Мотт Н., Герни Р. Электронные процессы в ионных кристаллах. М.: ИЛ, 1951.3. Лущик Ч. Б.,
- Витол И.К., Зланго М. А. Распад электронных возбуждений на рациационные дефекты в ионных кристаллах. УФН, 1977, т.122, с.223−251.
- Miriams RT- Phohchemkiry cf F-centre, j-огтаИсп tf) A-cotide Semiccnciuciors cm ci JnsuMuK- AM8, vfiC.3, f>. 25-f' г35<
- Lushchik С Lushchik 4., Vasrf’chenkc ?t Stettens <*nc (peint cufech creation? m cdkaii AaC
- J’M Л Pr t mciry proce^s с/- defeci jvt-maHon in oZkaii НаШез, Ъ: 3) фсИ in Jnwiaiing СпШь. ?tj Tu с h кейс h V& and ShmrH k.K. Zincitne t Riga, ctnc (Sprinter — VcrCcu^t
- ЫгСт} p. ънь-ъе*. Hiish ?, Pok? R. W, Uhudie ersfe") ultraviolettes) &igen -jrequenzen einiges- eJnfacfi&r iin (
- Вяземский В.0., Ломоносов И. И., Писаревский А. Н. и др, Сцинтилляционный метод в радиометрии. М., Госатомиздат, 19б8, 430 с.
- Шварц К.К., Грант З. А., Меже Т. К., Грубе М. М. Термолюминесцентная дозиметрия. Рига, Зинатне, 1968, 188 с.
- Ю. Fink E.L. UV- tcisbor? mciGiPn Uf сп <*Ш ?m-iahon. -Offi. Php*. Letft> .(Q?Si «tf. ?f p ?05 406.
- Шварц К.К., Готлиб В.ИТ, Кристансон Я. Ж. Оптические регистрирующие среды. Рига, Зинатне, 1976, 184 с.
- Витал И.К. Современные представления о механизме рекомбина-ционной люминесценции щелочно-галоидных кристаллофосфоров. -Изв.АН СССР, Сер.физ., 1966, т.30, с.564−569.
- Herch tf. M Proposed exihmc Ъее^пкт of Co to renter j-ormaticn m alkati ktUcfest ft ев, Щ p^-Q5Z.
- Poc% P. F-center product, on in a^ad hauc (es Sy elecHrpn-hof* гесст4Ш}сп еще! ^^ ^cement*»?uw. «cfbcussln cfihe ebbon recc»
- ЬшЬоп.-ЬосЯф. See., Met, vce.**F.
- Ш /bleat X Soer§ tf 1**nsf*r due *>crUns a*1. Ztnt/^ *** -ХР&Лф.,, mt• goto Serous, Uuminescenee from jCi’V'-center -electron
- KconBmahon etnef LocoUiecf exciton Фсщ «~ PU ws, voS. mt p. osv-cjqi J ^ ^
- Mafir H, ЪисШ M Lifetime of the emieet Teener tn m -Rhys. 2ev.} m5- voil J3JA, p. Z? c ?jy
- Toy*"к toW* к ma, y. Licence of i^nemers in ma-1 Phys. bee, jap. rof. p,
- Кап’лок^шм., Ndbuy Ьнтш see nee from MtV tzt temperatures. ZPhys. Ясс. jap., № 79, voe.
- WaUh^ A Umin? see nee of К Br к J scrfttf scfusions under irracUcifien чЛ Щша Ыщт temperature — XP/ius. ?ccJaP, №tf wtf 3/, h SVS — /5/3 '
- Jtafa New ybtk, J<366) p. m.
- Maki M., ttacjasQu/a M, H irai M. %ffect cf fa to, и unfAe P-centir formation In?? Ci crys’i-a?$ under U/ Uyh/ CrrcuU’a&en. -SoM $"Me Comm., /№- vpUi, p.'fW~M3.
- Нечаев А.Ф., Пяаченов Б.T., Сиротш O.C. Генерация радиационных дефектов в ЩГК, легированных иодом. Деп,
- Лисицын В.М., Малышев A.A., Нестерова С. Н., Чернов С, А., Яковлев В. Ю. Распад электронных возбуждений в кристаллах
- А^.'У при импульсном возбуждении электронами. ФТТ, т.24, в. З, с, 914−916.
- Малышев A.A., Яковлев В. Ю. Релаксированные гетероядерные экситоны в кристалле kCiiJ . ФТТ, 1982, т.24, в.8, с.2296−2299.
- Малышев A.A., Яковлев В. Ю. Импульсная оптическая спектроскопия смешанных кристаллов ICCi.'J, Тез.докл.Ш Всес.сов. Воздействие ионизирующего излучения и света на гетерогенные системы. 26−28 мая 1982, Кемерово, с.230−231.
- Лисицын В.М., Малыиев A.A., Яковлев В. Ю. Локализованные примесью экситоны в щелочно-галоидных кристаллах. ФТТ, 1983, т.25, в. II, с.3356−3360.
- Чернов С.А., Гаврилов В. В., Малышев A.A. Генерация радиационных дефектов в щел очно-галоидных кристаллах с примесью натрия, ФТТ, 1983, т.
- Лисицын В.М., Малышев A.A., Яковлев В. Ю. Влияние гомологической анионной примеси на радиационные процессы в ЩГК. Тез, У~го Всес. сов, по рад.физ.и хим. ионных кристаллов. Рига, 1983, с.155−156, I
- Пустоваров В.А., Бетенекова Т. А., Завьялов H.A., Малышев A.A., Чолах С. О. Генерация и распад радиационных дефектов в монокристаллах гидрида лития. Тез. У-го Всес.сов.по рад.физ. ихим. ионных кристаллов. Рига, 1983, с. 299.
- Баранов А.И., Малышев A.A., Лисицын В. М., Кужелев Л. П. Источник света анг.свид. ® 665 349 от 8 февраля 1979,
- Морозова Н.К., Малышев A.A. 0 некоторых аналогиях свойств локализованных экситонов на центрах анионного замещшия в in^'O > QctP1^ и щелочно-галоидных кристаллах. Изв. ВУЗов, Физика, 1984.
- Алукер Э.Д., Лусис Д. Ю., Чернов С. А. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щел очно-галоидных кристаллов. Рига: Зинатне, 1979, 251 с.
- Алукер Э.Д., Чернов С. А. Миграция дырок в щелочно-галоидных кристаллах. В сб.: Радиационная физика. Рига: Зинатне, 1973, т.7, с.9−59.
- Пунг Л.А. Динамика нерелаксированных и авголок ал изо ванных дьрок в щел очно-галоидных кристаллах. Тр. Ин-та Физ. АН ЭССР, 1979, № 50, с.7−34.
- Рашба Э.И. Сосуществование свободных и автолокапизавэнных экситонов в кристаллах. Изв. АН СССР. Сер.физ., 1976, т.40, S 9, с.1793−1800,
- Рейфман С.П. Свободные и автолокализованные квазичастицы в кристаллах. Тр. ИФ АН ЭССР, 1976, $ 46, с.143−170,
- Куусманн И.Л., ЛиДцъя Г.Г., Лущик Ч. Б. Люминесценция свободных и автолокализованных экситонов в ионных кристаллах.
- Тр.ИФ АН ЭССР, 1976, № 46, с.5−80.
- Аксенов O.E. Низкотемпературная ионизация активатора впри фотовозбуадении в области мездузонных переходов. Изв. АН Латв.ССР. Сер.физ.и техн. наук, 1978, № 3, с.140−150.
- W’z-, Brz> in cMcdi -1аШе4.- Phy-s. Ъ^ lQ6i, vol. щ zv//, f. ?СНЪ~Ю50,
- Delbccj, СЛ, Smct, lkr P. t Ушкг PM. VpUcaC ClfccrpUon cf- friclt euCar t&tu tri Ir^cuUcbuci pctcissium Mom’cU.-Phfrs. fa^ JCJ5 $> wP- Щ p. Ш*?- ШО.
- УъсепмЫг Д УшйгРУ. gP? -emd ebit-dcit cd$crp4ien sludy: cf atui сшс ereifert ¿-¿-илек in doptri ¡-¿-С? Сг^Ый. I Рек В, wf. ff>.im -HB- 1. Phj». ?ti/. в, WS, vof. P. 3933
- VirCtnitrs in KCC, ~ Phys. pzir, M9f wt Щ /V ^ p. ms- № 3,
- Алукер Э. Д, Флеров В. И., Чернов С. А. Влияние тешературы на эффективность генерации Vtc центров в UP. — ФТТ, 1977, т.19, вып.5, с.1425−1426.
- Флеров В, И. Зависимость эффективности образования-центров от температуры во фтористом литии, Изв. АН Латв.ССР. Сер. физ, и техн. наук, 1977, $ I, с, 59−63.
- Дейч Р.Г., Флеров В.И, Температурная зависимость эффективности образования центров во фториде кальция. — Изв. АН Латв.ССР. Сер.физ.и техн. наук, 1977, $ 6, с.42−44.
- Флеров В. И, Зависимость эффективности образования Р центров от температуры во фтористом литии. — Изв. АН Латв.ССР. Сер.физ.и теш. наук, 1977, № 4, с.33−36.62. 2аги4сг (с1 I/, Ной тскап4? гп$> ?>/ И ши (Рсеп&г ргосиссЯоп т Ш сгу&к{.(к. ~ Рку<. ЖаЛ. (Ц
- Тгеа!а? 7. (Рп Ш 'Рчхм^с-гтако" ?иЛ-о Иеа? т н&Ш.ТгРкрМ-, ?№{р64. CaJUr М, имрггайс^ гест&па&ён ?игт/итаее ¡-паЬ АакЖ сгумйг РкрМ^ШУ, ?>ми-<�Г№.
- Млитссу Шсст4таН1&ъ игЫмьипелт ¡-/¿--сепка ¡-я реЪшшт Ы. ШЛ^
- Куусманн И. Л, Лущик Ч. Б. Собственная люминесценция ионных кристаллов с автолокализующимися эксигонами. Изв. АН СССР. Сер.физ., 1976, т.40, № 9, с.1785−1792.
- Куусманн И.Л., Либлик П. Х., Лущик Ч. Б. Краевая люминесценция экситонов в ионных кристаллах. Письма в ЖЭГФ, 1975, т.21, вып.2, с.161−163.
- Куусманн И.Л., Либлик П. Х., Ливдья Г. Г. и др. Краевая люминесценция экситонов в щелочных иодидах. ФГТ, 1975, т.17,вып.12, с.3546−3550.
- КьусиЖлТ., ОкаАаТ, ¡-СсьЬлпс 6/1, егги^оп ем^сп С*70. ./iisb'mitrci НOkityOsihi Tanwka У. f Te nutra. M. Ьлспсииц faiTUtuscefice from tveiioru in, aMctb? cctiae sltujA
- Лущик Н.Е., Coo вше Т. А. Возбуждение люминесценции примесных центров в jiJ&r при оптическом создании экситонов. Тр. ИФА АН ЭССР, 1974, $ 42, с.61−80.
- Лущик Ч.Б., Васильченко А. Е., Лущик Н. Е., Пунг Л. А. Релакси-рованные и нерелаксиро ванные возбуждения в кристаллах тшв Л<�аС? . Тр. ИФА АН ЭССР, 1972, «39, с.3−46.
- Mcti А/, К, Яспе&лт A.M. rke Ufiunu of eecfaciU- -A.c?e
- Surm /f. PhOsW cUaftrcvm p. f ttiv? xe
!№, vvf. /v^ p, -Ш6 • ШУ. - Хижняков В.В., Шерман А. В. Адиабатические поверхности и оптические спектры автолокализующихся экситонов. Тр. ИФА АН ЭССР, Ii 46, с.120−142.
- Kcdkr M, N4 Pcvikrtcn D. Л. ЪмЪи/гег -far a ЫрЫel -tU uif -impftd ?HiU^ «i cap 1. Phys. kr. LtA, J96-K
- Pcc&fy i), Q. nncirrut?v //< A, fUccrnAtn&l ('Qn ^ccmJni6C?fue?X Mau Ididtt.- У, Pfyi. e. i&ak PIypi., МЩ vePSjv$, р. WS-ШЧ.
- Victima Si ОЬшъо 7J, Hircu M. PclecnzcUion cf -Ш aii-or- -piion, due 'к Ш in A/aOi, к ce, ?Cbr ?W ЯеcryiM&-r1. %s. Зое. faf-, WC,
- Tbtlitr k. U^hJtMiams Kcct&r M. A'. Transient op-bcae
- С1вжгр4,ш 'jcf stff- tm/wet efaictu? n cMaUьщМи. %i Ш*> ^ Л0~> «Ь~> m' m80. й1акл4а St.} УШ/ Oktaw ti., Ici^awa ^ Шгш M. Тетрмrectus cicpetute’fue of He lifetime sMl? f7 ST&in hfa (t1 ?fk, ВШ сгущай, # Ue.fo., m/^Sl
- Cmiids incCu&tf fyitt/'ttahf- W /crf^emptwtfure. -f.Pkp*. fcWtAiabe HM, B&-utfoJУ, Dhffcesicti Pctrant&fcsrs of ^^swfeg CWCfert Jy ic? m%tKj rcLOttUcev in
- Php. tM. Ml ty, W*, MM, у//, p 3
- Vazii’cAeibLc Ьу dae-Uhtl Ж, JUis&cful CL. MiqraMc^.ojL сыгеС fudu in, 4unu/meCiif~ c^ji^aio of Bn 1 jUc-nun^ Wt. P- ^ W
- Лущик Ч.Б., Гиндина Р. И., Лущик Ы. Е. и др. Электронные возбуждения и радиационные дефекты в кристаллах
- Вяземский В.О., Ломоносов И. И., Писаревский А. Н. и др. Сцин-тиллятщонный метод в радиометрии. М., Госатомиздат, 1961,430 с. 88. Wattsj^Alei of- ргеи aUadi /ьа^'аго -femferatu*^ > $ 7/ lA’aclectr ?teawh-ics. VfesuiQ? ABA, /?ш^Д^/^иг
- Schoemaatsr Д ср tzW tu/perftne ммьрюпел-к pf l/^-c^t-im, Pkffi. P? vt Ш-é--e/.
- Icifccia IC., Malcamusa yVaJcapJ- ойсоигшее^г-ае ^чс^т? jity --iritpptd £&-ePü-.ъг-s in. ZfoiAu. У. Mtnune<}C£Jtcey4Ш, vtf. p. bJU
- Дейч Р.Г. Люминесценция Ci^'Jta при возбуждении импульсами электронов. Изв. АН Латв.ССР. Сер.физ.и техн. наук, 1981,2, с.48−50.
- McprcUa т. mi4 Mitai У, OpUcae aefcrpUon ef
- PCinJU Э, — йашшг S, T? u uft/cat oJs&r^Pion of m? tce cnj^kiis -at fa ~ euaceiin-tz?iKc>m. ¿-М-f, S 9-Mb, vti.&x, p. Ztt-Ztt
- Изв. АН СССР, Физ., 1965, т.29, с. 446.97. sAtigasaivcL? o еа ti^etf -cuvcf 4cifw exeti&nz In- aticL^ M&Hde alla-fc iodide 4i? actieiu, i! Pit^. toc.faf., M ?9, p, SSVJ, 98. Ш Ai, А/аЫ У. У- Мьср
- Actbagmv&H., Ш А/, Мгос^ъч -Utns-» Kteteiue of cesctc* /V vfa№ X P/u^. fa. fef-1. Ш1, yol ъь, f p
- Витол И, К., Лущик Ч. Б., Зланго М. А. Экситонный механизм создания Р центров в бездефектных участках ионных кристаллов. — ФГТ, 1968, т.10, с.2753−2759.
- Лущик Ч.Б., Вале Г. К., Зланго М. А. Электронные возбуждения ионных кристаллов и элементарные механизмы создания центров окраски. Изв. АН СССР. Сер.физ., 1967, т.31, с.820−828.
- Ю2. ?0'(а/ А УОС>1 сиыо (ъ гер^ешш^ -???лы^еы 1гь АсМскл -апЛкесг- ге? сЛсп Р-селЛ&г ргссСссс^ап- Ше гшт^па^ои, РгсРЬуъ, и
- Лисищн В.М. Образование радиационных дефектов при распаде электронных возбуждений в кристаллах со сложной структурой решетки. Докторская диссертация. Томск, 1979.
- Лущик Ч.Б., Васильченко Е. А., Лущик А. Ч., Лущик Н. Е., Тайиров М. М. Экситонные и примесно-экситонные механизмы создания Р, Н пар в щ ел очно-галоидных кристаллах. — Тр. ИФА АН ЭССР, 1983, & 54, с.5−37.
- Тоустмя У* € 1 р^с^хм^ Г) ъ€>с>Се? о/- гпесЛа^тсг иф^ ^мпа^оп «г а{1аи* -А^гаСе*, У, Ы. Ц р.
- Лисицын В.М., Серикова Г. Н. Эффективность образования первичных радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах. -ФТТ, т.22, в, 10, с.2956−2959.
- Алукер Э.Д., Чернов С. А., Нестерова С. Н. Эксперимштальное проявление различных механизмов образования френкелевских пар дефектов в щелочно-галовдных кристаллах. Изв. АН Лат в, ССР. Сер.физ. и техн. наук, 1979, 8> 3, с.28−34.
- Гаврилов В.В., Нестерова С. Н., Чернов С. А., Яковлев В.Ю.0 механизмах распада экситона на пару френкелевских дефектов в щелочно-гало вдных кристаллах. ФТТ, 1981, т.23, в.7, с.2180−2182.
- Мощные наносекундные импульсные источники ускоренных электронов. Под ред. Г .А. Месяца. Новосибирск, 1974, 216 с.
- Андерсен И.Н. Широкополосные трансформаторы тока. Приборы для науч.иссл., 1971, т.7, с.3−14.
- ИЗ. Берковский А. Г., Гаванин В. А., Зааделъ И. Н, Вакуумные фотоэлектронные приборы. М.: Энергия, 1976, 256 с. П4. ile&L И, ?dvr ceiite^r $UcvLm т otiLccli -ЬаМсСыif fnclu-ef ?tecTfW? ste-Cnтъ irr-cicCfti4i*c>t-? РАуз. Яое. fetf', roJ-ZS,
- Heerte У, M., Ue U: iA гыъсиф&е pneti^f ¿-¿-¿-¿-¿-ъ U iW.^y., 33- p /?5V /?Tj
- Mive* W, Эгхhr М. fceicifi.
- WUliamA Rnctd. fo+4 la+td 14 PieadecvnA spek-~tw?h?jH? of- transientcifcorpiiotx. in ??№, -Pk^s.?w.
- Вайсбурд Д.И., Семин Б. Н., Таванов Э.Г, Свечение и проводимость неидеальной вьровденной электронно-дырочной плазмы, возникающей в ионных кристаллах при сверхмощном возбуждении, Изв. АН СССР. Сер.физ., 1976, т.40, с.2404−2409.
- Sa ил, S? dQ я. Hohtf. иа. ssr.
- Лущик Ч.Б., Гиндина Р. И., Пунг Л. А. и др. Радиационное создание катионных вакансий в нитевидных кристаллах, А '3 У» . -Изв. АН СССР. Сер.физ., 1974, т.38, с.1225−1226.
- Spektra of Шс^вл so? iction,$ сыЫ in, citkafr -ha?a"es,~ %s, votJQS,
- U?nte, r g, K- ttolfe Ckri^if btclrelsm of
- VSctttds, ?n- pofct^tun «ctnd шШ/ит131. kzrcidCltj, fi,/, t CpffLpion KV. (Mor- centtsa tn KC? ши, l? Br fy .*rolvncj??t Jt irradcatfen -?etir Phys, He*:? vo? MS-9H.
- HclHch S. а И- -tana ?n К M: J с rytUJs.- Р/и?. м, &tJ vcl м f, р. Ш-Hf.
- Яковлев В.10. Исследование сложных центров окраски в ионных кристаллах при импульсном электронном возбуждении, Автореферат канд.дисс., Свердловск» 1980.
- LynzH.j Rogitvoon. F-untt-rt itt ctikcid h, aiicte
- Ворожейкина Л. Ф, и др. Действие лазерного излучения на
- F центры окраски в облученных кристаллах A/flC?7, -Ж.Опт.Спект., 1979, т.47, S 4, с.716−718.
- Тайиров М.М. Экситонный и дырочный механизмы созданияи, А 7 пар в кристаллах K&r'C? — Тр. ИФ АН ЭССР, 1983, $ 54, с.73−101.
- Тайиров М.М. Низкотемпературный распад эксигонов с рождением дефектов в кВт- ж . ФТТ, 1983, т.25, с.450--455.
- Тайиров М.М., Акилбеков А. Т., Федорова О. В. Влияние ионов хлора на люминесценцию и радиационные эффекты в? . -Тр. ИФ АН ЭССР, 1983, $ 54, с.102−121.
- Васильченко Е.А., Тайиров М. М., Федорова О. В., Соовик Х. А. Люминесценция и распад экситонов на дефекты Френкеля в кристаллах? i&r~Ci ь Тез. У-го Всес.сов.по рад.физ. и хим, ионных кристаллов. Рига, 1983, с.143−144,