Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Особенности формирования дислокационной структуры в промышленных монокристаллах арсенида и фосфида галлия большого диаметра

Диссертация: Особенности формирования дислокационной структуры в промышленных монокристаллах арсенида и фосфида галлия большого диаметра
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Определены технологические параметры роста, которые в значительной степени определяют структурное совершенство монокристаллов арсенида и фосфида галлия большого диаметра. Анализ экспериментальных данных по влиянию условий выращивания на особенносга формирования дислокационной структуры показал, что наиболее благоприятной для роста монокристаллов арсенида и фосфида галлия диаметром 52,5-г76мм… Читать ещё >

Содержание

  • Введение.Л
  • Глава I. Литературный обзор. Особенности дефектообразования в монокристаллах ДЛВЛ
    • 1. 1. Введение
    • 12. Кристаллическая структура и дефекты в монокристаллах
  • А°ЛЛ
    • 1. 2. 1. Кристаллография решетки сфалерита
      • 1. 2. 2. Точечные дефекты и их кластеры
      • 1. 2. 3. Дислокащш.9.,
      • 1. 2. 4. Скольжение и переползание дислокаций.(?
      • 1. 3. Особенности формирования дислокационной структуры в монокристаллах арсенида и фосфида галлия
      • 1. 4. Взаимодействие примесей с дислокациями в монокристаллах
  • А Л Л. ГЪ,
    • 1. 4. 1. Распределение точечных дефектов и примесей вокруг дислокаций. .'
      • 1. 4. 2. Возникновение дефектов в процессе выращивания монокристаллов арсенида галлия
      • 1. 4. 3. Мшфо дефекты в монокристаллах арсенида галлия, выращенных из расплавов с резким отклонением от стехиометрии
      • 1. 5. Выводы и постановка задачи
  • Глава II. Изучение дефектов структуры в промышленных монокристаллах арсенида и фосфида галлия, выращенных методом Чохральского. л
    • 11. 1. Методы исследования структурного совершенства монокристаллов арсенида и фосфида галлия
    • II. 1.1. Металлографриеские методы контроля
    • II. 1.2. Метод фотоухфугости. Т
  • ПЛ .3. Метод мйкротвердости
  • ИЛА. Метод прецизионного измерения периода решетки
    • II. 1.5. Метод интегральной фотолюминесценции
  • П. 2. Получение промышленных кристаллов А™ВА (на примере фосфида галлия). .Фл.
    • 11. 2. 1. Синтез фосфида галлия.^.Я
      • 11. 2. 2. Рост монокристаллов фосфида галлия. из. Результаты исследований.а.5*
  • П. 3.1. Полуизолирующий арсенид галлия
    • II. 3.2. Арсенид галлия, легированный кремнием.Т.
  • П.З. З. Фосфид галлия, легированный серой.а.'г
  • П. 4. Выводы по главе П
    • Глава III. Исследование влияния условий выращивания на процессы формирования дислокационной структуры в монокристаллах арсенида и фосфида галлия./.Рл
  • Формирование формы фронта кристаллизации в процессе роста монокристаллов арсенида и фосфида галлия./а (?а
  • Ш. 2. Влияние отклонения диаметра от его нолошала в процессе роста на распределение плотности дислокаций в монокристаллах арсенида и фосфида галлия. л/г./
  • Ш. З. Влияние формы и угла разрапщвания верхнего конуса на структурное совершенство монокристаллов арсенида и фосфида галлия.а.а.а
  • Ш. 4. Совершенствование технологии получения промышленных монокристаллов арсенида и фосфида галлия диаметром 52,5 мм100 мм
    • III. 4.1. Исследование причин двойникования и поликристаллического роста в моно1фисталлах арсенида и фосфида галлия./?А
  • Ш. 4.2. Разработка способов снижения плотности дислокаций в монокристаллах арсенида и фосфида галлия большого диаметра
  • Ш. 4.3. Разработка способов снижения внутренних напряжений в монокристаллах фосфида галлия. Ш
  • Ш. 5. Выводы по главе Ш
    • Глава IV. Исследование влияния концентрации легирующей примеси на структурное совершенство монокристаллов арсенида и фосфида галлия. Л
  • IV. 1. Изучение особенностей поведения кремния в арсениде галлия
  • 142. Изучение особенностей поведения серы в фосфиде галлия./АА
  • IV. 3. Выводы по главе IV./гг
  • Выводы.А.7А

    • Особенности формирования дислокационной структуры в промышленных монокристаллах арсенида и фосфида галлия большого диаметра (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

    Применение монокристаллов арсенида и фосфида галлия при изготовлении приборов оптоэлектроники в качестве подложечного материала предъявляет жесткие требования к структурному совершенству. Поиск путей управления структурой и свойствами кристаллов в процессе выращивания является актуальной задачей при разработке промышленной технологии получения монокристаллов арсенида и фосфида галлия диаметром 76 и 100 мм. Установление основных закономерностей изменения структурного совершенства кристаллов арсенида и фосфида галлия большого диаметра при легировании различными примесями, определение влияния режимов вырапщвания на особенности формирования дислокационной структуры позволяет увеличить экономическую эффективность производства монокристаллов.

    Кроме того, весьма актуальным является изучение структурных свойств малодислокационных кристаллов арсенида галлия, легированных кремнием и полученных методом Чохральского. В данных кристаллах присутствует в значительном количестве фоновая примесь — бор, влияние которой на свойства монокристаллов арсенида галлия до сих пор достоверно не определено.

    Целью настоящей диссертационной работы было установление современного уровня технологии выращивания монокристаллов арсенида и фосфида галлия большого диаметра с точки зрения достижения необходимых потребителям характеристик материалов, определение факторов, определяющих структурное совершенство кристаллов для повышения экономической эффективности производства, а также формирование практических рекомендаций по получению монокристаллов с заданными электрофизическими и структурными свойствами.

    При этом решались следующие задачи:

    1. Анализ основных закономерностей изменения структурного совершенства промыпшенных кристаллов арсенида и фосфида галлия большого диаметра при легировании различными примесями.

    2. Определение влияния режимов выращивания и термообработок на особенности формирования дислокационной структуры монокристаллов арсенида и фосфида галлия.

    3. Отработка методик металлографического контроля дефектов структуры монокристаллов арсенида и фосфида галлия, оценка возможности применения метода интегральной фотолюминесценции для однородности распределения структурных параметров в объеме кристаллов.

    4. Установление путей управления структурным совершенством кристаллов арсенида и фосфида галлия при изменении технологических параметров процесса выращивания и концентрации лепфующей примеси.

    Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, общих выводов, содержит 77 рисунков, 31 таблицу и список используемой литературы из 127 наименований. Полный объем диссертации 188 страниц.

    Выводы.

    1. Проведено исследование структурного совершенства промышленных монокристаллов полуизолирующего арсенида галлия диаметром 52,5-ь76мм с удельным сопротивлением М0Л5 10л0мсм и монокристаллов арсенида галлия, легированных кремнием в диапазоне концентраций от 210 см" до 4−10 см" *, диаметром 52,5-г76мм. Показано, что монокристаллы полуизолирующего арсенида галлия большого диаметра (более 76 мм) имели высокое структурное совершенство (средняя плотность дислокаций не щ) евышала 5−10″ л см" л) и равномерное распределение дефектов во всем объеме слитков. Для монокристаллов арсенида галлия, легированных кремнием, обнаружено, что с увеличением концентрации свободных носителей с 210лЛсм*л до 440ллсм" л изменяется характер радиального и осевого распределения дислокаций, снижается среднее значение плотности дислокаций с МО" * см" л до 5 1СЛ см*Л.

    2. В результате проведенных исследований структурного совершенства монокристаллов фосфида галлия, легированных серой в диапазоне концентраций от 2−10*Лсм'л до 2−10лл" л, диаметром 52,5-г 100 мм установлено, что характер радиального распределения плотности дислокаций зависит от ориентации и диаметра полученных слитков. Показано, что среднее значение плотности дислокаций возрастает от 410'лсм" л до МОЛсм’л при увеличении диаметра 1фисталла с 52,5 мм до 100 мм. Обнаружено, что для монокристаллов фосфида галлия диаметром 52,5 мм, выращенных вдоль насфавдения <111>, характерно «V» — образное радиальное распределение дислокаций при средней плотности, равной 2,5 10'Лсм" л. Монокристаллы фосфида галлия диаметром 52,5-Л76мм, выращенные вдоль направления <100>, имели. как правило,, А, А-образное радиальное распределение дислокаций при средней плотности 5−10А см’А.

    3. Определены технологические параметры роста, которые в значительной степени определяют структурное совершенство монокристаллов арсенида и фосфида галлия большого диаметра. Анализ экспериментальных данных по влиянию условий выращивания на особенносга формирования дислокационной структуры показал, что наиболее благоприятной для роста монокристаллов арсенида и фосфида галлия диаметром 52,5-г76мм, длиной 804−120мм является плоская или слегка выпуклая в расплав форма фронта кристаллизации. Замечено, что флуктуации дааметра 1фисталла (±-10мм) от его номинала, значительное изменение (±15°) угла конуса разрашивания приводят к локальному увеличению плотности дислокаций (до 110А' и к неравномерному их распределению в объеме слитков арсенида и фосфида галлия.

    4. Установлено, что для получения малодислокационных монокристаллов (Мд<�ЫОА см’А) арсенида галлия, легированных кремнием, диаметром 76 мм необходимо снизить осевые и радиальные градиенты температуры в расплаве и в слое флюса до ЗОА’С/см и 7°С/см соответственно. Для снижения плотности дислокаций до ЗЮ’Асм’А и равномерного их распределения по длине слитка в монокристаллах фосфида галлия, легированных серой, диаметром 76 мм были использованы фоновые нагреватели.

    5. Определен 1фитический уровень остаточных нагфяжений в нелегированных и легированных серой монокристаллах фосфида галлия диаметром 52,5-А76 мм, при котором велика вероятность растрескивания слитков при их дальнейшей обработке. Для нелегировашшх монокристаллов фосфида галлия диаметром 52,5 мм эта величина составляет 41кг/см'', для легированных серой монокристаллов фосфида галлия диаметром 76мм — 35−38 кг/смА. Обнаружено, что введение процедуры дополнительного постростового отжига (Т=900°С в течение 24 часов в атмосфере азота), тщательный контроль за изменением диаметра растущего кристалла позволяет снизить уровень остаточных напряжений с 40 кг/смА до 20 кг/смА.

    6. Обнаружено, что в изучаемых кристаллах арсенида галлия, легированных кремнием, содержалось значительное количество бора (до 1,2−10ААат/смА). Увеличение концентрации легирующего кремния (с 510*''ат/смА до 3−10ААат/смА) сопровождалось возрастанием содержания бора (3−10ААат/смА до 1,2'10аа/см'*). Показано, что изменение параметра решетки моно1фисталлов арсенида галлия, легированных кремнием, с 0,565 361нм до 0,565 335нм обусловлено совместным присутствием кремния и бора. Эти данные подтверждаются теоретическими расчетами и экспериментальными результатами прецизионного измерения периода решетки.

    7. Замечено, что с увеличением концентрации свободных носителей в диапазоне от 2−10*Асм" А до 210Алсм" А в монокристаллах арсенида галлия, легированных кремнием, наблюдается снижение плотности дислокаций с МО^см^ до 5−10Асм'А. Установлено, что снижение плотности дислокаций в монокристаллах арсенида галлия может быть связано с эффектом примесного упрочнения решетки легирующей примесью (кремнием) и фоновой примесью (бором).

    8. Установлено, что с увеличением концентрации свободных носителей с 2−10ллсм" А до 2−10ллсм", в монокристаллах фосфида галлия, легированных серой, возрастает величина микротвердости с 5,8ГПа до 8ГПа.

    9. На основании результатов проведенных исследований были выработаны практические рекомендации по получению монокристаллов арсенида и фосфида галлия диаметром 52,5-г 76 мм с заданными электрофизическими и структурными свойствами. Их применение в сзодествующей на сегодняшний день технологии вырапщвания монокристаллов арсенида и фосфида галлия позволило увеличить выход годной продукции на 10% Ю. Благодаря использованию экспериментальных данных по влиянию условий выращивания на особенности формирования дислокационной структуры были получены опытные образцы моно1фисталлов фосфида галлия диаметром более 100 мм, не имеюпще аналогов на мировом рынке.

    Показать весь текст

    Список литературы

    1. А., Ш-Vs Review. The advanced semiconductor magazine, v. 14, #1, 2001
    2. M., Ш-Vs Review. The advanced semiconductor magazine, v. 13, #5,2000
    3. Flade Т., Miisch M., Kleinwechter A., Kohler A., J. Crystal Growth, 198/199(1999)336−342
    4. К., Травление кристаллов. Теория, эксперимент, хфименение, М. Мвр, 1990, с. 496
    5. Tan L. Н., Vanderwater D.A., Huang Y-W., Holfer G.E., Kish F.A., Chen E.J., Ostentowski T.D., J. ofElectron. Mat., v29, #2,188−194 (2000)
    6. Haasen P. Acta Met., 5,598 (1957)
    7. Frank F.C., Nicholas J.F., Phil. Mag., 44.1213 (1953)
    8. Homstra J., J. Phys. Chem. Solids, 5,129 (1958)
    9. C.C., Освенский В. Б., Шифрин C.C., Известия Академии наук ССР, 1980, т. 44, серия физическая, № 2, стр. 289−294.
    10. Djemel А., Castaing J., Burle-Durbec N., Pichaud В., Revue Phys. Appl., 1989,24, pp. 779−793
    11. I.Alexander M., Radiation effects and defects in solids, 1989, v 111/112, #½, pp. 1−12
    12. Motakef S., J. Crystal Growth, 1991,114, pp. 47−58
    13. SiethoffH., Volkl J., Gerthsen D., Brion H. G., Phys. Stat. Sol. (a), 1987, 101, K13-K18
    14. Miyazaki N., Kuroda Y., Sakaguchi M. J. of Cr. Growth 218 (2000) 221 231
    15. Miyazawa S., Prog. Crystal Growth and Charact., 1991, #23, pp. 23−71
    16. Amon J., Berwian P., MuUer G., J of Cr. Growth 198/199 (1999) 361−366
    17. Hashio K., Sawada S., Tatsumi M., Fujita K., Akai S., J. Crystal Growth, 1997, 173, pp.33−411.Guruswamy S., Rai R., Faber K.T., Hiroi J.P., J. Appl. Phys., 1987,62 (10), pp. 4130−4134
    18. Yonenaga L, Sumino K., J. Appl. Phys., 1989,65 (1), pp. 85−93
    19. Sawada S., Yoshida H., BCiyama M., Nakai R., J. Appl. Phys., 1998, v. 37, pp. 5457−5464
    20. C. C., Марков A.B., Мильвидский М. Г., Освенский В. Б., Изв. АН СССР, серия физика, 1983, т. 47, вып. 2, с.295−301
    21. Abrahams M.S., Buiocchi C.J. Etching of dislocations on the low-index faces of GaAs, J. iApl. Phys., 1965, v.36, #9, p. 2855−286 323.0tsuboM., Murotani Т., Phys. Lett., 1983, v. 22, #6, p. 345−347
    22. MapKOB A.B., Мильвидский М. Г., Освенский В. Б., ФТП, 1986, т.20, вып. 4, с. 634−640
    23. A.B., Гришина СП., Мильвидский М. Г., Шифрин С. С., ФТП, 1984, Т.18, вып. 3, сс. 465−470
    24. Tower J.P., Tobin R., Pearach P. J., Ware R.M., J. Crystal Growth, 114, (1991)665−675
    25. MX., Пелевин O.B., Сахаров Б. А. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений. М., «Металлургия», 1974,392с.
    26. Nakajima М., Katsmnata Т., Terashima К., Ishida К. Japanese Jomnal of Appl. Phys., V. 24, #1,1985, pp. L65-L68
    27. Molva E., Bmidon P., Chabli A., Lombardot A., Dubois S., Bertin F. J. Crystal Growth, 103 (1990) 91−101
    28. Rasp M., Birkmann В., Muller G., J. Crystal Growth, 222 (2001) 88−95
    29. Yamada K., Kohda H., Nakanishi H., Hoshikawa K., J. Crystal Growth, 78 (1986)36
    30. K. Взаимодействие вримесей с дислокациями в арсениде гашшя. «Оё буцури», 1987, т. 56, № 7, с.860−872
    31. ЗЗ.СЬепN. F., Не П., Wang У., Lin L., J. Crystal Growth, 173 (1997) 32 532 934.0kada H., Ohmoto S., Kawanaka Т., J of Appl. Physics, v. 88, #11, 2000, pp. 6943−6944
    32. Van Vechten J. A., J. Electrochem. Soc. 122 (1975) 419
    33. Sumino K., Defects in Semiconductors, Materials Reseach Society Symposia Proceedings, v. 14,1983, p. 409.
    34. Sumino К and Imai M., Philos. Mag. A47 (1983) 753
    35. Cottrell A. H., Dislocations and Plastic Flow in Crystals (Clarendon Press, Oxford, 1953) p.56
    36. Weber E. R., Ennen H., Kaufman V., Windshief J., Schnider J., Wosinski Т., J of Appl Physics, 53, (1982) 6140
    37. Meyer B. K. and Spaeth J.-M., J. Phys. C-Solid State Physics, 18 (1985) L99
    38. H. J. von Bardeleben, Stievensrd D., Bourgoin J.C., J of Appl. Phys. Lett., 47(1985)970
    39. Wada K. and Inoue N., J of Appl. Phys. Lett., 47 (1985) 945
    40. Lagowski J., Gatos H. C, Parsey J.M., J. of Appl. Phys. Lett., 40 (1982) 341
    41. Gullis A.G., Augusts O.D., Stirland D. J., J .of Appl. Physics, 51 (1980) 255 645.0gawa Т., Jpn. J. of Appl. Physics, 25 (1986) L316
    42. Barret D.L., Mc Guigan S., Hobgood H.M., Eldridge G. W., J. Crystal Growth, 70 (1984) 179
    43. Miyazaki N., Okuyama S., J. Crystal Growth, 183 (1998) 81−88
    44. Elliot A. G., Vanderwater D., Wei C, Materials Science and Eguieering, Bl (1988) 23−27
    45. Brozel M.R., Grant I.,. Ware R. M, Stirland D. J. and Skohiick M.S., J. of Appl. Physics, 56 (1984) 1109
    46. SO.Stirland D. J., Grant I., Brozel M.R.,. Ware R. M, bist. Phys. Conf. Ser., 67 (1983)285
    47. Fujimoto I., Jpn. J of Appl. Physics, 23 (1984) L287
    48. H. J. von Bardeleben, Stievensrd D., Deresmes D., Huber A., Bourgoin J.C., Phys. Rev., B34 (l986) 7192
    49. Wenzl H., Dahlem A., Fattah A., Petersen S., Mika К., Henkel D., J. Crystal Growth, 109 (1991) 191
    50. Hurle. D. T. J. Semi-Insulating III-V materials, Proc. Conf, Malmo, 1988
    51. Dobrilla P. DPIP П Monterey, CA, 1987
    52. Wurzinger P., CApolzer H., Pongrats P., in Microscopy of Semiconducting Materials 1989, Proc. 6a Oxford Conf, 1989
    53. Kamejima Т., Shimura F., Matsumoto Y., Watanabe H., J. Matsui, Jpn. J. of Appl. Physics, 21 (1982) L721
    54. Chin A. K., A. R. Von Neida and Caruso R., J. Electrochem. Soc. 1 291 982) 2386
    55. Miyazawa S., Ishii Y., Ishida S., Nanishi Y., J. of Appl. Phys. Lett, 431 983)853
    56. Bunod P., Molva E., ChabU A., Bertin F., DPIP, Monterey, CA, 1987
    57. Bunod P., Molva E., Chabh A., Bertin F., Bletry J. in Proc. 14*a Intern. Conf On Defects in Semiconducting Materials, Science Forum, v. 10, p. 1229
    58. Bunod P., Molva E., Chabli A., Bertin F. Semi-Insulating III-V materials, Proc. 5* Conf., Mahno, 1988
    59. A. Т., DRIP П Monterey, CA, 1987, p. l37
    60. Marioton B.P.R., Tan T.Y., Gosele U., J of Appl. Phys. Lett, 54 (1989) 849
    61. Dobrilla P., J. Appl. Phys. 64 (1988) 6767
    62. M., Ко K.H., Lagowski J., Gatos H. C, J of Appl. Phys., 65 (1989) 596
    63. Williams G. M., Gulhs A. G. J of Appl. Phys. Lett, v.59,1991, p. 2585
    64. Matsumo V, Watanable H., Japan J of Appl. Phys. Lett, 1982, v. 21 #8 p.515
    65. A.B. Особенности взаимодействия дислокаций с точечными дефектами в монокристаллах арсенида галлия, вьфащиваемых из расплава. Автореферат к диссертациии, М., 1984,22 с.
    66. В.Т., Щербачев К. Д., Поверхность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2001, № 2, с. 87−91
    67. В.Т., Воронова М. И., Марков A.B., Щербачев, Кристаллография, 2000г., т.45, XsS, с.893−898
    68. В.Т., Щербачев К. Д., Кристаллография, 1994, т. 39, Ш с. 1105−1121
    69. Morozov A.N., Bublik V.T., Morozova О. Y., Cryst. Res. Technol., 1986, v. 21, #6, p. 749
    70. Moro2ov A.N., Bublik V.T., Morozova O. Y., Cryst. Res. Technol, 1986, v. 21, #7, p. 858
    71. B.T., Мильввдский М. Г., Освенский В.Б, Изв. Вузов Физика, 1980, Ш, с.7
    72. В.Т., Морозов А. Н., Зайцев A.B., ФФТ 1982, т. 24, Ш, с. 2153
    73. Grabmaier IG., Watson СВ. Phys. Status Solidi, 1969, Bd 32. H. I, s. K13-K15
    74. Kuhn-Kuhnenfeld F., J. Electrochem. Soc, 119,1063 (1972)
    75. White J.W., Roth W. C, J. Appl Phys., 1959, v.30, p. 946
    76. SO.Faust J.W. Compounds Semiconductors, v. 1, Preparation of III-V Compounds, Willardson R.K. Goering HL, chap 50, Reinhold Publ Corp., N.Y., 1962, p. 445−468
    77. Richards J. L., Crocker A.J., J. Appl. Phys., 31,611 (1960)
    78. Gottshalch V., Krist. and Tech., 14,939 (1979)
    79. Ю.А., Литвинов Ю. М., Фаттахов Э. А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур, М.: Радио и связь, 1982, с. 239
    80. S.C., Pinardi К., Maes Н. Е., R. Van Overstraeten, Willander Н., Semiconductor. Sei. Technol, 13 (1998) p. 864−870
    81. B.T., Дубровина А. Н., Методы исследования структуры полупроводников и металлов. М., Металлургия, 1978,272 с.
    82. В.М., Митюхляев В. Б., Правдивцев А. Е., Тодуа П. А., Файфер В. Н. Измерительная техника, № 5, с.47−48 (2000)
    83. H.Y., Guidotti D., ШЕЕ Transactions on Electron Devices, v. ED-32, #11 (1985)
    84. BCressel H., Ettenberg M., J. Appl Phys. Lett, v.23, #9, pp. 511−513
    85. Alexander H., Kisielowski Kemmerich С, Defects in crystal, 1988, p. 393−414
    86. Frigerio G. Mucchino, J. of Crystal Growth (99) 1990,685−691
    87. Elbert P., Domke C, Urban K., J. Appl Phys. Lett., v. 76, #4, 2001, pp. 480−482
    88. A.A., Маркова Т. И., Соколов B.B., Гончарова Н. В., Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники, Ш, 2001 г., с. 6293.0kada П., Kawanaka Т., Ohmoto S., J. Appl. Phys., v. 86, #6, 1999, pp. 3015−3019
    89. Т., Iwamoto M., Naito M., Kasami A., ШЕЕ Trans. Electron Devices ED-24,951 (1977)95.1izuka T, J. Electrochem. Soc. 118,190 (1971)
    90. Rozgonyi G. A., lizuka T, J. Electrochem. Soc. 120,673 (1973)
    91. Ю.Е., Ольховикова Т. И., Хашимов Ф. Р., Окунев Ю. А., Электронная техника. Серия Материалы, № 8 (229), 1987, с. 16−20
    92. С.С., Лебедев В.В, Соединения АЗВ5. Справочник, М. Металлургия, 1984,144с.99.111ифрин С.С., Мильвидский М. Г., Освенский В. Б., Кристаллография, Т.27, вып. 4,1982, с. 712−721
    93. N., Не Н., Waag Y., Pan К., Lin L,
    94. Johansen Т., J. of Crystal Growth, 118 (1992) pp. 353−359
    95. Schvezov C, Samarasekera I, Weinbeng F., J. of Crystal Growth, 85 (1987) pp. 142−147
    96. Buzynin A., Antonov V., Osiko V., Tatarintzev V., Izv. Akad. Nauk, SSSR, Ser. Fiz., 52 (1988) 1889
    97. Antonov v., BletskanN., Gribov В., ICCG-9,1989,20, Sendai, Japan
    98. Hurle D in Sir Charles Frank 80 th Birthday Tribute Eds R.G. Chambers, J. Enderly, A. EUer, A. R. Lany and J.V. Steeds (Hilyer, 1991) p. 188
    99. Hurle D. J., J. of Crystal Growth, 147 (1995) pp. 239
    100. Markova T. I., Goncharova N. V., ICSC-2001, Obninsk, 2001, pp. 582 584
    101. М.Б., Шутов СВ., Борискин И. В., Неорганические материалы, 2001, т.37, № 2, с.146−148
    102. Amon J., Hartwig J., Ludwig W., Muller G, J. of Crystal Growth, 198/199 (1999) pp. 367−373
    103. Flat A., J. of Crystal Growth, 109 (1991) p. 224
    104. Elliot A., Flat A., Vanderwater D., J. of Crystal Growth, 121 (1992) p. 349
    105. Carlson D., Witt A., J. ofCrystal GrovAh, 108 (1991), p. 508
    106. Kuwamoto H., Hohnes D., J. of Crystal Growth, 91 (1988), pp. 567−575
    107. Orioto F., Okada H., Nakajima N., Fukuda Т., J. Electr. Materials 15 (1986) p. 87
    108. Brantley W., Lorimor O., Dapkus P., Maszko S., Saul R., J. Appl. Phys., 46,2629(1975)
    109. Nygren S., J. of Crystal Growth, 19 (1973) p. 21
    110. Takahama K., Ishii Т., Yamaguchi Т., Motakawa S., Sasano E., Otsuka S., Kawamura K., Sanyo Tech. Rev., 6 (1974) p. 3
    111. Kotake H., Hihahara K., Watanabe M., J. of Crystal Growth, 50 (1980) pp. 743−751
    112. Bassignana I., Macquistan D., Hiller G., Streater R., Beckett D., Majeed A, Miner C, J. of Crystal Growth, 178 (1997) pp. 445−458
    113. B.T., Жевнеров E. В., Щербачев К. Д., Марков A.B., Кригедь В. Г., Орлов П. Б., Поверхность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2001, № 10, с. 60−64
    114. Gates W.A. Wenzl Н., J. of Crystal Growth, 191 (1998), p.303
    115. Jordan A, Monberg E., J. Appl. Phys., v. 73, #8,1993
    116. Jordan A., Caruso R., Von Neida A., J. Apl. Hiys., v. 52, #5,198 187
    117. Rudolf P., Jurisch M., J. of Crystal Growth, 198/199 (1999)
    118. Quadbeck P., Ebert P., Urban K., X Appl. Phys. Lett., v. 76, #3, 2000, pp. 300−302
    119. Отчет no теме «Множество-2», 1543 дсп, НИИМВ, Москва, 1988 г,
    120. Отчет по теме «Множество-3», 676 дсп, НИИМВ, Москва, 1991 г.
    Заполнить форму текущей работой

    Пора сдавать?