Физические основы технологии ядерного легирования In-содержащих полупроводниковых соединений AIIIBV
Диссертация
Экспериментально доказана возможность введения легирующей примеси Sn в широком диапазоне концентраций: для InSb — 1014−2−1018 см") — для InP — 5−1016−7−1019 см'3- для InAs — 2−10'V7−1019 см'3. Вплоть до значений i n 1 «л л юз концентрации олова: 2−10 см» — для InSb, 2−10 см" — для InP и 7−10 см" -для InAs, практически вся вводимая примесь после отжига находится в электрически активном состоянии… Читать ещё >
Содержание
- 1. Радиационные дефекты, образующиеся в InSb, InP и InAs под воздействием различных видов ионизирующего излучения. Ядерное легирование (литературный обзор)
- 1. 1. Радиационные дефекты в облученных InSb, InP и InAs
- 1. 2. Ядерное легирование. полупроводников
- 2. Расчет количества радиационных дефектов и легирующих примесей, образующихся в InSb, InP и InAs при облучении в реакторе ВВР-ц
- 2. 1. Быстрые нейтроны
- 2. 2. Тепловые нейтроны
- 2. 3. Гамма-излучение реактора
- 2. 4. Полное число смещенных атомов
- 3. Изменения электрофизических и структурных характеристик монокристаллов InSb после облучения реакторными нейтронами и последующих термообработок
- 3. 1. Электрофизические характеристики
- 3. 1. 1. Зависимость электрофизических характеристик монокристаллов InSb от флюенса быстрых нейтронов и температуры обработки
- 3. 1. 2. Зависимость электрофизических характеристик монокристаллов InSb от флюенса тепловых нейтронов и температуры обработки
- 3. 2. Структурные характеристики
- 3. 2. 1. Зависимость изменения периода решетки и диффузного рассеяния рентгеновских лучей монокристаллов InSb от флюенса быстрых нейтронов и температуры обработки
- 3. 2. 2. Зависимость изменения периода решетки и диффузного рассеяния рентгеновских лучей монокристаллов InSb от флюенса тепловых ^ нейтронов и температуры обработки
- 3. 1. Электрофизические характеристики
- 4. 1. Электрофизические характеристики
- 4. 1. 1. Зависимость электрофизических характеристик монокристаллов InP от флюенса быстрых нейтронов и температуры обработки
- 4. 1. 2. Зависимость электрофизических характеристик монокристаллов InP от флюенса тепловых нейтронов и температуры обработки
- 4. 2. Структурные характеристики
- 4. 2. 1. Зависимость изменения периода решетки и диффузного рассеяния рентгеновских лучей монокристаллов InP от флюенса быстрых v нейтронов и температуры обработки
- 4. 2. 2. Зависимость изменения периода решетки и диффузного рассеяния рентгеновских лучей монокристаллов InP от флюенса тепловых нейтронов и температуры обработки
- 5. 1. Электрофизические характеристики
- 5. 1. 1. Зависимость электрофизических характеритсик монокристаллов InAs от флюенса быстрых нейтронов и температуры обработки
- 5. 1. 2. Зависимость электрофизических характеритсик монокристаллов InAs от флюенса тепловых нейтронов и температуры обработки
- 6. 1. Характеристики исходного сырья
- 6. 2. Подготовка образцов к облучению
- 6. 3. Упаковка и загрузка образцов в облучательное устройство
- 6. 4. Облучение образцов в реакторе ВВР-ц
- 6. 5. Разампулировка блок-контейнеров и выгрузка образцов
- 6. 6. Дезактивация облученных образцов
- 6. 7. Дозиметрический контроль
- 6. 8. Подготовка облученных образцов к отжигу
- 6. 9. Отжиг
- 6. 10. Измерение электрофизических параметров
Список литературы
- А.Я. Нашельский. Производство полупроводниковых материалов. Москва, «Металлургия», 1989 г. 271 с.
- А .Я. Нашельский. Технология полупроводниковых материалов. Москва, «Металлургия», 1987 г. 335 с.
- С.С. Горелик, М. Я. Дашевский. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. Москва, МИСиС, 2003 г. 480 с.
- Арсенид галлия в микроэлектронике. Под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена. Москва, «Мир», 1988 г. 555 с.
- М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия. Москва, «Мир», 1991 г. 632 с.
- JI.C. Смирнов, С. П. Соловьев, В. Ф. Стась, В. А. Харченко. Легирование полупроводников методом ядерных реакций. Новосибирск, «Наука», 1981 г. 181 с.
- Вопросы радиационной технологии полупроводников. Под ред. JI.C. Смирнова. Новосибирск, «Наука», 1980 г. 296 с.
- Е.Ф. Уваров. В кн. «Обзоры по электронной технике. Полупроводниковые приборы»: Радиационные эффекты в широкозонных полупроводниках. Вып. 13,1978 г., с. 584
- Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников. Новости физики твердого тела. Выпуск 11. Под редакцией Дж. Миза. Перевод с английского под редакцией В. Н. Мордковича. Москва, «Мир», 1982 г. 264 с.
- В.А. Харченко, С. П. Соловьев, И. Н. Воронов, И. И. Кузьмин, Б. В. Смирнов. Исследование методом травления дефектной структуры кремния, облученного быстрыми нейтронами. ФТП, т. 5, вып. 4, 730 (1971).
- В.А. Харченко, С. П. Соловьев. Радиационное легирование кремния. Изв. АН СССР. Неорганич. матер., т. 7, № 12,2137 (1971).
- И.М. Греськов, О. Н. Ефимович, С. П. Соловьев, В. А. Харченко, В. Г. Шапиро. Отжиг радиационных дефектов в кремнии, облученном нейтронами и быстрыми электронами. Физ. и химия обработки матер., № 5, 31 (1976).
- В.Н. Мордкович, С. П. Соловьев, Э. М. Темпер, В. А. Харченко. Проводимость кремния, подвергнутого нейтронному облучению и отжигу. ФТП, т. 8, вып. 1,210(1974).
- И.М. Греськов, С. П. Соловьев, В. А. Харченко. Влияние ростовых дефектов на изменение проводимости кремния, облученного нейтронами. ФТП, т. 11, вып. 8,1598(1977). '
- Г. М. Березина, Н. Ф. Каструбай, Н. Г. Колин, Л. И. Мурин, А. А. Стук. Дефекты в ядерно-легированном кремнии, облученном быстрыми электронами. Изв. Ан. СССР. Неорганические материалы, т. 24, № 9,1419 (1988).
- Н.Г. Колин, П. Ф. Лугаков, В. В. Лукьяница, А. А. Стук. Образование и отжиг радиационных дефектов в ядерно-легированном Si (Ge). Изв. ВУЗов СССР, серия Физика, № 11, 98 (1990).
- Н.Г. Колин, С. П. Соловьев, А. А. Стук. Легирование полупроводников в ядерных реакторах. Известия вузов. Ядерная энергетика, № 2−3, 98 (1994).
- Н.Г. Колин, В. Н. Брудный, Д. И. Меркурисов, В. А. Новиков. Изменение спектров оптического поглощения ядерно-легированного GaAs при отжиге. ФТП, т. 35, вып. 6, 739 (2001).
- Н.Г. Колин, Г. И. Айзетигаг, М. В. Ардышев, Д. И. Меркурисов, А. И. Потапов, О. П. Толбаков, С. С. Хлудков. Детекторы на основе радиационно-модифицированного арсенида галлия, ж. Электронная промышленность, наука, технологии, изделия, 2/3, с. 69,2002.
- Н.Г. Колин, А. В. Марков, В. Б. Освенский, С. П. Соловьев, В. А. Харченко. Дефекты структуры в облученных монокристаллах арсенида галлия. Физ. ХОМ, № 1,3 (1985).
- JI.H. Колесник, Н. Г. Колин, A.M. Лошинский, В. Б. Освенский, В. В. Токаревский, В. А. Харченко. Изучение процесса отжига ядерно-легированного арсенида галлия методом фотолюминесценции. ФТП, т. 19, вып. 7,1211 (1985).
- Н.Г. Колин, В. Б. Освенский, В. В. Токаревский, В. А. Харченко, С. М. Иевлев. Свойства арсенида галлия легированного Ge и Se облучением в тепловой колонне реактора, ФТП, т. 19, вып. 9,1558 (1985).
- Н.Г. Колин, В. Т. Бублик, В. Б. Освенский, Н. И. Ярмолюк. Дефектообразование в ядерно-легированном арсениде галлия. Физ. ХОМ, № 3,28 (1987).
- Н.Г. Колин, Т. Н. Колоченко, В. М. Ломако. Спектроскопия радиационных дефектов в ядерно-легированном арсениде галлия. ФТП, т. 21, вып. 2, 327 (1987).
- Н.Г. Колин, В. Б. Освенский, Е. С. Юрова, И. М. Юрьева. О природе формирования неоднородности в ядерно-легированных образцах GaAs и InAs. Физ. ХОМ, № 4,4 (1987).
- Р.И. Глорнозова, Л. И. Колесник, Н. Г. Колин, В. Б. Освенский. Поведение глубоких центров в ядерно-легированном арсениде галлия. ФТП, т. 22, вып. 3, 507 (1988).
- Н.Г. Колин, Л. В. Куликова, В. В. Освенский. Легирование арсенида галлия облучением нейтронами при высоких температурах. ФТП, т. 22, вып. 6, 1025 (1988).
- Ф.П. Коршулов, Н. Г. Колин, Н. А. Соболев, Е. А. Кудрявцева, Т. А. Прохоренко. Импульсный отжиг ядерно-легированного арсенида галлия. ФТП, т. 22, вып. 10, 1850 (1988).
- Н.Г. Колин, И. А. Королева, А. В. Марков, В. В. Освенский. Влияние отклонения состава от стехиометрии на электрофизические свойства ядерно-легированного арсенида галлия. ФТП, т. 24, вып. 1,187 (1990).
- В.Н. Брудный, Н. Г. Колин, В. В. Пешев, В. А. Новиков, А. И. Нойфех. Высокотемпературный отжиг и ядерное легирование GaAs, облученного реакторными нейтронами. ФТП, т. 31, вып. 7, 811 (1997).
- Bond W.L. Acta Cryst., 13, 814 (1960).
- Charniy L. A., Morozov A. N., Bublik V. T. et al., J. Cryst. Growth, 116, 362 (1992).
- Точечные дефекты в твердых телах. Новости физики твердого тела. Выпуск 9. Перевод с английского под редакцией Б. И. Болтакса, Т. В. Машовец, А. Н. Орлова. Москва, «Мир», 1979 г. 379 с.
- В.Н. Брудный, С. Н. Гриняев. Локальная электронейтральность и закрепление химического потенциала в твердых растворах соединений III-V: границы раздела, радиационные эффекты. ФТП, т. 32, вып. 3,315 (1998).
- Т.В. Машовец, Р. Ю. Хансеваров. Низкотемпературное у-облучение и отжиг сурьмянистого индия. В сб.: Радиационная физика неметаллических кристаллов. Труды совещания. Киев, «Наукова Думка», 1967 г. с. 200.
- Н.А. Витовский, Г. А. Вихлий, В. В. Галаванов, Т. В. Машовец, Р. Ю. Хансеваров. Образование радиационных дефектов в антимониде индия при допороговых энергиях излучения. ФТП, т. 3, вып. 1,132 (1969).
- T.V. Mashovets, D. Mustafakulov, Yu. G. Morosov and N.A. Vitovskii. Variations of the energy spectra of the impurity atoms in InSb under 4,2 К gamma irradiation. Inst. Phys. Conf. Ser. No. 31, Chapter 5, 368 (1977).
- L. Fedorenko and A. Medvid'. Laser-induced donor centers in p-InSb. Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Vol. 3, No. 1, 31 (2000).
- Vook. F.L. Change in Thermal Conductivity Upon Low-Temperature Electron Irradiation: InSb. «Phys. Rev.», 1964, v. 135, N 6 A, p. 1750−1756],
- Aukerman L.W. Electron Irradiation of Indium Antimonide. «Phys. Rev.», 1959, v. 115, N5, p. 1125−1132
- Eisen F.N. Orientation Dependens of Electron Radiation Damage in InSb. -«Phys. Rev.», 1964, v. 135A, N 5, p. 1394−1399
- F.H. Eisen. Stage-II Recovery in Electron-Irradiated InSb. Phys. Rev., Vol. 148, No. 2, 828 (1966).
- Вихлий Г. А., Конозенко И. Д., Оганесян О. В. Влияние электронов с энергиями 7 МэВ на электрические свойства InSb. ПРЕПРИНТ КИЯИ-76−22. Радиационные эффекты в полупроводниковых соединениях. Киев, Институт ядерных исследований АН УССР, 1976 г. с. 50.
- Ф.А. Заитов, А. Я. Поляков. Влияние облучения электронами на электрофизические свойства и рекомбинацию в антимониде индия. ФТП, т. 20, вып. 10, 1782(1978).
- Н.А. Витовский, Т. В. Машовец, О. В. Оганесян, Н. Х. Памбухчан. Отжиг радиационных дефектов в антимониде индия облученном электронами с энергией 50 МэВ. ФТП, т. 13, № 6, 1134 (1979).
- Н.А. Витовский, Т. В. Машовец, О. В. Оганесян, Н. Х. Памбухчян. Кинетика изменения концентрации носителей заряда в антимониде индия при облучении электронами с энергией 50 МэВ. ФТП, т. 12, вып. 9,1861 (1978).
- S. Myhra. Defect Annealing and Transport Properties in High-Purity InSb Irradiated at 80 K. Phys. stat. sol. (a) 49,285 (1978).
- Г. А. Вихлий, А. Я. Карпенко, И. Г. Мегела, Л. И. Тараброва. Скорость образования радиационных дефектов в сильно легированном n-InSb. Неорганические материалы, т. 21, № 8, 1279 (1985).
- Е.П. Скипетров, В. В. Дмитриев, Ф. А. Заитов, Г. И. Кольцов, Е. А. Ладыгин. Электрофизические свойства антимонида индия n-типа, облученного быстрыми электронами. ФТП, т. 20, вып. 10, 1787 (1986).
- Н.А. Витовский, Т. В. Машовец, О. В. Оганесян, Н. Х. Памбухчан. Отжиг радиационных дефектов в антимониде индия облученном электронами с энергией 50 МэВ. ФТП, т. 13, № 6,1134 (1979).
- Дмитриев В.В., Скипетров Е. П. Глубокий радиационный уровень в антимониде индия n-типа, облученном электронами. ФТП, т. 24, вып. 5, 897 (1990).
- В.Н. Брудный, Н. В. Каменская, Н. Г. Колин. Электрофизические свойства InSb, облученного электронами при 300 К. Изв. вузов, вып. 7, 99 (1991).
- Здобников А.Ю., Кисловский Л. Д., Кольцов Г. И., Тихонова О. В. Использование спектров инфракрасного отражения для исследования ионнолегированных слоев кристаллов InSb. Кристаллография, т. 28, вып. 5, 1039 (1983).
- И.П. Сошников, Н. А. Берт. Распыление, А В материалов (GaP, GaAs, GaSb, InP и InSb) при бомбардировке ионами N2+ с энергией 2−14 кэВ. Ж. технической физики, т. 70, вып. 9, 114 (2000).
- Т. R. Yang and G. Kuri. Far-infrared absorption and Raman scattering studies in MeV C± and C2±implanted InSb (l 11) crystals. Physica B: Condensed Matter, Vol. 291, Is. 3−4,236 (2000).
- V.K. Dixit, B.V. Rodrigues, H.L. Bhat, Ravi Kumar, R. Venkataraghavan, K. S. Chandrasekaran, B.M. Arora. Effect of lithium ion on the transport and optical properties of Bridgman grown n-type InSb single crystals. Appl. Phys., V 90,№ 4,1750 (2001)
- А.Н. Блаут-Блачев, Н. Н. Герасименко, JI.B. Лежейко, Е. В. Любопытова, В. И. Ободников. О природе р-n конверсии облученных ионами кристаллов InSb. ФТП, т. 14, вып. 2, 306 (1980).
- В.А. Богатырев, Г. А. Качурин. Отжиг дефектов в антимониде индия после ионной бомбардировки. ФТП, т. 11, вып. 7,1360 (1977).
- Н.Г. Колин, В. Н. Брудный, В. М. Бойко, И. А. Каменская. Электрофизические свойства и предельное положение уровня Ферми в InSb, облученном протонами. ФТП, т. 38, вып. 7, 802 (2004).
- Н.Г. Колин, В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев. Электронные свойства облученных полупроводников, модель закрепления уровня Ферми. ФТП, т. 37, вып. 5, 557 (2003).
- N.G. Kolin, V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev. The Model of Fermi-level Pinningin Semiconductors: Radiation Defects, Interface Boundaries. Physica B: Vol. 344, 1 (2004).
- В.Н. Брудный, С. Н. Гриняев, Н. Г. Колин. О корреляции глубоких уровней точечных дефектов с предельным уровнем Ферми в облученных полупроводниках III-V. Известия вузов. 50(5), 17 (2007).
- В.Н. Брудный, Н. Г. Колин, Л. С. Смирнов. Модель самокомпенсации и стабилизация уровня Ферми в облученных полупроводниках. ФТП, т. 42, вып.9, 1031 (2007).
- В.Н. Брудный, Н. В. Каменская, Н. Г. Колин. В сб. «Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках»: Электрические свойства сильнооблученного InSb. ч.2, Павлодар, Академия наук СССР, 140 (1989).
- J.W. Cleland, J.H. Crawford, Jr. Neutron irradiation of indium antimonide. Phys. Rev., Vol.95, No. 5, 1177 (1954).
- Bertolotti M. et. al. J. Appl. Phys., 38,2645 (1967)
- Bertolotti M. Radiation Effects in semiconductors. Edited by F.L. Vook, N.Y., Plenum Press, 1968, p.311.
- Н.И. Курдиани. Отжиг радиационных дефектов и подвижность электронов в антимониде индия, облученном быстрыми нейтронами. ФТП, т. 3, вып. 11,1683 (1969).
- Р.Ф. Коноплева, B. J1. Литвинов, Н. А. Ухин. Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий. Москва, «Атомиздат», 1971 г. 176 с.
- Н.А. Витовский, А. П. Долголенко, Т. В. Машовец, О. В. Оганесян. Дефекты в кристаллах антимонида индия, образующиеся под действием облучения быстрыми нейтронами. ФТП, т. 13, вып. 10,1958 (1979).
- Н. Gerstenberg. Transport Properties of Degenerate InSb and InAs after Fast Neutron Irradiation at Low Temperature. Phys. stat. sol. (a) 128,483 (1991).
- J.W. Cleland and J.H. Crawford, Jr. Radiation Effects in Indium Antimonide. Phys. Rev. 93, 894 (1954).
- Ш. М. Мирианашвили, Д. И. Нанобашвили, З. Г. Размадзе. О возможности трансмутационного легирования антимонида индия. ФТТ, т. 7, вып. 12, 3566(1965).
- J1.K. Водопьянов, Н. И. Курдиани. Ядерное легирование и оптические свойства сурьмянистого индия. ФТТ, т. 8, вып. 1, 72 (1966).
- Н.Г. Колин, Д. И. Меркурисов, С. П. Соловьев. Электрофизические свойства ядерно-легированного антимонида индия. ФТП, т. 33, вып. 7, 774 (1999).
- W. Gilbert Clark and R.A. Isaacson. Preparation of Homogeneous n-Type InSb by Thermal-Neutron Irradiation. J. Appl. Phys., Vol. 38, No. 5,2284 (1967).
- B.C. Вавилов, JI.K. Водопьянов, Н. И. Курдиани. Оптические свойства сурьмянистого индия, облученного медленными нейтронами. В сб.: Радиационная физика неметаллических кристаллов. Труды совещания. Киев, «Наукова Думка», 1967 г. с. 206.
- N.G. Kolin, D.I. Mercurisov, S.P. Solov’ev. Radiation Effects on the electrical activation processes in InSb under influence of Nuclear Reactor Neutrons. Physica B: Vol. 307, 258 (2001).
- H. Gerstenberg and W. Glaser. Transmutation Doping and Lattice Defects in Degenerate InSb. Phys. stat. sol. (a) 118, 241 (1990).
- B.M. Бойко, B.T. Бублик, М. И. Воронова, Н. Г. Колин, Д. И. Меркурисов, К. Д. Щербачев. Изменения структуры монокристаллов InSb после облучения нейтронами и термообработок. ФТП, т. 40, вып. 7, 769 (2006).
- V.M. Boyko, V.T. Bublic, M.I. Voronova, N.G. Kolin, D.I. Mercurisov, K.D. Sherbachev. Electrical and structural properties of InSb crystals irradiated with reactor neutrons. Physica B: Vol. 371,272 (2006).
- Л.Я. Карачинский, Н. Ю. Гордеев, И. И. Новиков, М. В. Максимов, А. Р. Ковш, J.S. Wang, R.S. Hsiao, B.M. Устинов, Н. Н. Леденгцов, ФТП, 2004, т.38, в.6, сс. 757−761
- Я. А. Федотов. Основы физики полупроводниковых приборов. Москва, «Советское радио», 1970 г.
- В.В. Пасынков, J1.K. Чиркин, А. Д. Шинков. Полупроводниковые приборы. Москва, «Высшая школа», 1973 г.
- А.И. Курносов, В. В. Юдин. Технология производства полупроводниковых приборов. Москва, «Высшая школа», 1974 г.
- Кольченко Т.И., Ломако В. М., Мороз С. Е. Образование электронных ловушек в n-InP при облучении у-квантами. ФТП, т. 21, вып. 6,1075 (1987).
- Кольченко Т.И., Ломако В. М., Мороз С. Е. Влияние легирования серой на образование глубоких центров в n-InP при облучении. ФТП, т. 22, вып. 7, 1311 (1988).
- Кольченко Т.И., Ломако В. М., Мороз С. Е. О дефектах, возникающих в п-InP при низкотемпературном облучении. ФТП, т. 22, вып. 4, 740 (1988).
- Е.Ю. Брайловский, Ф. К. Карапетян, В. П. Тартачник. Отжиг точечных радиационных дефектов в n-InP. ФТП, т. 13, вып. 10, 2044 (1979).
- Бакин Н.Н., Брудный В. Н., Пешев В. В., Смородинов С. В. Образование центров ЕЮ (Ес 0,62 эВ) в области пространственного заряда и нейтральном объеме n-InP при электронном и у-облучениях. ФТП, т. 23, вып. 5, 890(1989).
- S.W.S. McKeever, R.J. Walters, S.R. Messenger, G.P. Summers, Deep level transient spectroscopy of irradiated p-type InP grown by metalorganic chemical vapor deposition. J. Appl. Phys. 69 (3), 1435 (1991).
- J. Leloup, М. Derdouri and Н. Djerassi. Room-temperature electron irradiation of n-type InP. Inst. Phys. Conf. Ser. No. 31: Chapter 5,372 (1977).
- N.P. Kekelidze and G.P. Kekelidze. Radiation effects in indium phosphide, indium arsenide compounds and their solid solutions. Inst. Phys. Conf. Ser. No. 31: Chapter 5, 387 (1977).
- M. Levinson, J.L. Benton, H. Temkin, and L.C. Kimerling. Defects states in electron bombarded n-InP. Appl. Phys. Lett. 40 (11), 990 (1982).
- M. Deiri, A. Kana-ah, B.C. Cavenett, T.A. Kennedy and N.D. Wilsey. Optical detection of the Ptn antisite resonances in InP. J. Phys. C: Solid State Phys., 17, L793 (1984).
- J. Suski, A. Sibille and J. Bourgoin. Defects in low temperature electron irradiated InP. Solid State Communications, Vol. 49, No. 9, 875 (1984).
- J.C. Bourgoin, H.J. von Bardeleben, and D. Stievenard. Irradiation Induced Defects in III-V Semiconductor Compounds. Phys. stat. sol. (a) 102,499 (1987).
- Коршунов Ф.П., Радауцан С. И., Соболев H.A., Тигиняну И. М., Урсаки В. В., Кудрявцева Е. А. Краевая фотолюминесценция кристаллов n-InP, облученных электронами с энергией 3,5-И МэВ. ФТП, т. 23, вып. 9,1581 (1989).
- V.N. Brudnyi, V.V. Peshev, and S.V. Smorodinov. New Metastable W-Center in Electron-Irradiated n-Type InP. Phys. stat. sol. (a) 114, kl39 (1989).
- Пешев B.B., Смородинов C.B. Температурные зависимости накопления центров ЕЮ (Ес 0,62 эВ) в n-InP. ФТП, т. 24, вып. 5, 879 (1990).
- V.N. Brudnyi, V.V. Peshev, and S.V. Smorodinov. Characterization of W Defects in Electron-Irradiated InP. Phys. stat. sol. (a) 128, 311 (1991).
- H. Thomas and J.K. Luo. Admittance spectroscopy of defects in electron-irradiated indium phosphide. Semicond. Sci. Technol. 8, 608 (1993).
- В.Н. Брудный, B.A. Новиков. О «предельных электрических» электрических параметрах облученного InP. ФТП, т. 16, вып. 10,1880 (1982).
- Н.Б. Пышная, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки. Уменьшение степени компенсации проводимости в эпитаксиальных слоях n-InP при облучении быстрыми электронами. ФТП, т. 28, вып. 1, 3 (1993).
- A.Polity and Т. Engelbrecht. Defects in electron-irradiated InP studied by positron lifetime spectroscopy. Phys. Rev. B, Vol. 55, No. 16,10 480 (1997).
- В. Massarani, F.G. Awad, M. Kaaka, and R. Darwich. Evidence for two distinct defects contributing to the H4 deep-level transient spectroscopy peak in electron-irradiated InP. Phys. Rev. B, Vol. 58, No. 23,15 614 (1998).
- Козловский B.B., Кольченко Т. И., Ломако B.M., Мороз С. Е. Влияние интенсивности облучения и энергии частиц на эффективность образования глубоких центров в n-InP. ФТП, т. 24, вып. 6,1123 (1990).
- R.J. Walters, G.P. Summers. Deep level transient spectroscopy study of proton irradiated p-type InP. J. Appl. Phys. 69 (9), 6488 (1991).
- T.M. Галина, В. Г. Володько, E.C. Демидов, O.B. Подчищаева. Ионная имплантация донорной примеси в фосфид индия. ФТП, т. 27, вып. 8,1379 (1993).
- R. Kumar, Ram Nath, М.В. Dutt, A, Dhaul, Y.P. Khosla and B.L. Sharma. Characterization of furnace-annealed Si-implanted InP: Fe. Semicond Sci. Technol. 8, 1679 (1993).
- J. Ibanez, R. Cusco, L. Artus, E. De la Puente, J. Jiminez. Evaluation of free-carrier concentration in Si±implanted InP by means of photoluminescence. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research В 175−177 (2001) 246 251.
- Mulpuri V. Rao, Brookshire, S. Mitra, Syed B. Qadri, R. Fischer, J. Grun, N. Papanicolaou, M. Yousuf, M.C. Ridgway. Athermal annealing of Si-implanted GaAs and InP. J. Appl. Phys. 94 (1), 130 (2003).
- Kin Man Yu, A.J. Moll, W. Walukiewicz, N. Derhacobian and C.Rossington. Amphoteric substitutional and lattice distortion of Ge in InP. Appl. Phys. Lett. 64 (12), 1543 (1994).
- V. Sargunas, D.A. Thompson and J.G. Simmons. High Resistivity in n-Type InP by He+ Bombardment at 300 and 60 K. Solid-State Electronics, Vol. 38, No. 1,75(1995).
- V. Sargunas, D.A. Thompson, J.G. Simmons. Implantation isolation in n-type InP bombarded with He+ and B+. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research В 106,294(1995).
- R.A. Hopfel, Ch. Teissl, K.F. Lamprecht, and L. Rota. Intraband inversion due to ultrashort carrier lifetimes in proton-bombarded InP. Phys. Rev. B, Vol. 53, No. 19, 12 581 (1996).
- J. Likonen, K. Vakevainen, T. Ahlgren, J. Raisanen, E. Rauhala, J. Keinonen. Annealing behaviour of high-dose-implanted nitrogen in InP. Appl. Phys. A 62, 463 (1996).
- M.Chicoine, S. Roorda, R.A. Masut, P. Desjardins. Nanocavities in He implanted InP. J. Appl. Phys. 94 (2), 6116 (2003).
- K. Santhakumar, P. Jayavel, R. Kesavamoorthy, P. Magudapathy, K.G.M. Nair, V. Ravichandran. Raman investigations on nitrogen ion implantation effects on semi-insulating InP. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research В 194 (2002) 451−457.
- G.C. Pesenti, H. Boudinov, C. Carmody, C. Jagadish. Variable temperature Hall-effect measurements in ion bombarded InP. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research В 218 (2004) 386−390.
- С. Carmody, H. Boudinov, H.H. Tan, C. Jagadish, M.J. Lederer, V. Kolev, B. Luther-Davies, L.V. Dao, M. Gal. Ultrafast trapping times in ion implanted InP. J. Appl. Phys. 92 (5), 2420 (2002).
- C. Carmody, H.H. Tan, C. Jagadish, A. Gaarder, S. Marcinkevicius. Ultrafast carrier trapping and recombination in highly resistive ion implanted InP. J. Appl. Phys. 94 (2), 2420 (2003).
- E. Wendler, T. Opfermann, P.I. Gaiduk. Ion mass and temperature dependence of damage production in ion implanted InP. J. Appl. Phys. 82 (12), 5965 (1997).
- С. Pizzuto, G. Zollo, G. Vitali, D. Karpuzov, M. Kalitzova. Activation of electrical carriers in Zn-implanted InP by low-power pulsed-laser annealing, j. Appl. Phys. 82 (11), 5334 (1997).
- В. Marcos, J. Ibanez, R. Cusco, F.L. Martinez, G. Gonzalez-Diaz, L. Artus. Lattice recovery by rapid thermal annealing in Mg±implanted InP assessed by Raman spectroscopy. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research В 175−177 (2001)252−256.
- T, Cesca, A. Gasparotto, G. Mattei, V. Rampazzo, F. Boscherini, B. Fraboni, F. Priolo, G. Ciatto, F. D. Acapito, C. Bocchi. Atomic environment of Fe following high-temperature implantation in InP. Phys. Rev., Vol.68, 68 (2003).
- C. Carmody, H. H. Tan, C. Jagadish, O. Douheret, K. Maknys, S. Anand, Y. Zou, L. Dao, M. Gal. Structural, electrical, and optical analysis of ion implanted semi-insulating InP. J. Appl. Phys. 95 (2), 477 (2004).
- Н.Г. Колин, Д. И. Меркурисов, С. П. Соловьев. Электрофизические свойства ядерно-легированного фосфида индия. ФТП, т. 34, вып. 2,157 (2000).
- Н.Г. Колин, Д. И. Меркурисов, С. П. Соловьев. Электрофизические свойства InP, облученного быстрыми нейтронами реактора. ФТП, т. 34, вып. 2,153 (2000).
- Н.Г. Колин, В. Н. Брудный, Д. И. Меркурисов, В. А. Новиков. Электрофизические и оптические свойства InP, облученного большими интегральными потоками нейтронов. ФТП, т. 39, вып. 5, 528 (2005).
- N.P. Kekelidze and G.P. Kekelidze. Electrical and optical properties of InAs and InP compounds and their solid solutions of InPxAsi. x irradiated with fast neutrons and y-rays. Defects in Semiconductors: Session 8, 387 (1972).
- V.N. Broudnyi, V.A. Charchenko, N.G. Kolin, V.A. Novikov, A.D. Pogrebnyak, and Sh.M. Ruzimov. Electrical Properties and Positron Annihilation in Neuron-Irradiated n-InP. Phys. stat. sol. (a) 93,195 (1986).
- B. Lee, N. Pan, G.E. Stillman, and K.L. Hess. J. Neutron transmutation doping of high-purity InP. Appl. Phys. 62, 1129 (1987).
- V.N. Broudnyi, N.G. Kolin, V.A. Novikov. Transmutation doping and Fermi-level stabilization in neutron-irradiated InP. Phys. stat. sol. (a) 132, 35 (1992).
- WEN Xiang-e, LI Shi-qing, Ma li, YAN He-ping, WANG Zhu, WANG Shao-jie. Defects in NTD InP Probed by Positron Annihilation Spectroscopy. Wuhan University Journal of Natural Sciences, Vol. 4, No. 3, 290 (1999).
- B.M. Бойко, B.T. Бублик, М. И. Воронова, Н. Г. Колин, Д. И. Меркурисов, К. Д. Щербачев. Влияние облучения реакторными нейтронами и температуры на структуру монокристаллов InP. ФТП, т. 40, вып. 6, 641 (2006).
- V.M. Boyko, V.T. Bublic, M.I. Voronova, N.G. Kolin, D.I. Mercurisov, K.D. Sherbachev. Structure of InP single crystals irradiated with reactor neutrons. Physica B: Vol. 373, 82 (2006).
- Жданеев В.В., Зарифьянц Ю. А., Кашкаров П. К. модификация оптических свойств InAs под действием импульсного лазерного облучения. ФТП, т. 22, вып. 12, 2228 (1988).
- С.В. Пляцко, В. П. Кладько. Изменение структурных и электрофизических свойств нелегированных монокристаллов InAs инфракрасным лазерным облучением. ФТП, т. 31, № 10,1206 (1997).
- Н.Г. Колин, В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев. Электрофизические и оптические свойства InAs, облученного электронами (2МэВ): энергетическая структура собственных дефектов. ФТП, т. 39, вып. 4, 409 (2005).
- DJ. С. Lindsay, Р.С. Banbury. Radiation damage and defects in semiconductors. Inst, of Phys. London, 1973, p.34.
- M. Soukiassian, J.H. Albany, M. Vandevyver. Electron irradiation of undoped n-type InAs. Inst. Phys. Conf. Ser. No. 31, 395,1977: Chapter 5.
- Н.Г. Колин, В. Н. Брудный, А. И. Потапов. Электрофизические свойства InAs, облученного протонами. ФТП, т. 37, вып. 4,408 (2003).
- Акимченко И.П., Паншина Е. Г., Тихонова О. В., Фример Е. А. ФТП, 1979, т. 13, в. 11, с. 2210−2215.
- Акимченко И.П., Паншина Е. Г., Тихонова О. В., Фример Е. А. Кр. сообщ. по физике, 1980, № 7, с. 3−7.
- Герасименко Н.Н., Мясников A.M., Нестеров А. А., Ободников В. И., Сафронов JI.H., Хрящев Г. С. Конверсия типа проводимости в слоях p-InAs, облученных ионами аргона. ФТП, т. 22, вып. 4, 753 (1988).
- Болтакс Б.И., Савин Э. П. Влияние нейтронного облучения на электрические свойства арсенида индия. В кн.: Радиационная физика неметаллических кристаллов. Минск, 1970, с. 116−123.
- Колин Н.Г., Освенский В. Б., Рытова Н. С., Юрова Е. С. Электрические свойства арсенида индия, облученного быстрыми нейтронами. ФТП, т. 21, вып. 3,521 (1987).
- Колин Н.Г., Освенский В. Б., Рытова Н. С., Юрова Е. С. Свойства ядерно-легированного арсенида индия. ФТП, т. 20, вып. 5, 822 (1986).
- Колин Н.Г., Освенский В. Б., Юрова Е. С., Юрьева И. М. О природе формирования неоднородности в ядерно-легированных образцах GaAs и InAs. Физика и химия обработки материалов. № 4,4, (1987).
- К.Н. Мухин. Введение в ядерную физику. Москва, «Атомиздат», 1965 г. 720 с.
- Физические процессы в облученных полупроводниках. Под ред. JI.C. Смирнова. Новосибирск, «Наука», 1977. 256 с.
- Д.Ж. Хьюдж, Р. Б. Шварц. Атлас нейтронных сечений. Изд-е 2-е, исправленное и дополненное, «Атомиздат», 1959 г. 373 с.
- Kinchin G.H., Pease R.S. The Displacement of Atoms in Solids by Radiation, Rep Progr. Phys., 18,1 (1955) перевод: Усп. физич. наук, 60, 590 (1956)].
- Линдхард И. Влияние кристаллической решетки на движение быстрых заряженных частиц. Успехи физ. наук, т.99, вып.2, с. 247−296 (1969).
- Т.М. Агаханян, Е. Р. Аствацатурьян, П. К. Скоробогатов. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах. Москва, «Энергоатомиздат», 1989 г. 256 с.
- К. Лейман. Взаимодействие излучения с твердым телом и образование элементарных дефектов. Перевод с английского Г. И. Бабкина. Москва, «Атомиздат», 1979 г. 296 с.
- Tetsuya Kawakubo. Electrical and Optical Properties of Neutron Irradiated GaAs and GaP Crystals. Annu. Rep. Res. Reactor Inst., Kyoto Univ. Vol. 23,97 123 (1990).
- И.В. Меднис. Сечения ядерных реакций, применяемых в нейтронно-активационном анализе. Справочник, Рига, «Зинатне», 1991 г. 119 с.
- Физические величины: Справочник/А.П. Бабичев, Н. А. Бабушкина, A.M. Братковский и др.- Под. ред. И. С. Григорьева, Е. З. Мейлихова. М.- Энергоатомиздат, 1991. — 1232 с.
- У.А. Улманис. Радиационные явления в ферритах. Москва, «Энергоатомиздат», 1984 г. 160 с.
- Varley F. Sears. Neutron scattering lengths and cross sections. Neutron News, Vol.3,No. 3,26(1992).
- McKinly W.A., Feschbach Н. Phys. Rev., Vol. 74, No. 12, 1759 (1948).
- B.C. Вавилов, Н. А. Ухин. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. Москва, «Атомиздат», 1969 г. 312 с.
- Kahn F. J. Appl. Phys., Vol. 30, No. 8,1310 (1959).
- Н.Г. Колин, Д. И. Меркурисов, С. П. Соловьев. Электрофизические свойства ядерно-легированного антимонида индия. ФТП, т. 33, вып. 7, 774 (1999).
- Щербачев К. Д., Бублик В. Т. Заводская лаборатория 60(8), 473 (1994).
- Кривоглаз М.А. Дифракция рентгеновских лучей и нейтронов в неидеальных кристаллах. (Киев: Наук, думка, 1983) 408 с.
- Бублик В.Т., Мильвидский М. Г. //Материаловедение. 1997. № 1. с. 21.
- Charniy L.A., Scherbachev K.D., Bublik V.T. Phys. status solidi (a) 128(2), 303 (1991).
- Мильвидский M. Г., Освенский В. Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. (М. :Металлургия, 1984) 256с.
- K.D. Chtcherbatchev, V.T.Bublik, A.S.Markevich, V.N.Mordkovich, E. Alves, N.P. Barradas and A.D. Sequeira J.Phys. D: Appl. Phys. 36, A143 (2003).
- Справочник по электротехническим материалам. Под ред-ей Ю. В. Корицкого, В. В. Пасынкова, Б. М. Тареева. Третье, переработанное издание в трех томах. Ленинград, «Энергоатомиздат», 1988 г. т. З
- Технические условия. Антимонид индия. ТУ 48−4-292−85,1985 г.
- С. Зи. Омические контакты. в кн.: Физика полупроводниковых приборов. Москва, «Мир», 1984 г. с. 318.
- А.Н.Пихтин, В. А. Попов, Д. А. Яськов. Получение омических контактов к полупроводникам. ПТЭ, № 2,238 (1970).
- Р.С. Игнаткина, Л. Д. Либов, С. С. Мескин. Сплавные контакты к фосфиду индия. ПТЭ, № 3,242 (1965).
- Заявка на патент РФ «Способ получения монокристаллов антимонида индия, легированного оловом», № 2 006 140 663 от 17.11. 2006.
- Заявка на патент РФ «Способ получения монокристаллов фосфида индия, легированного оловом», заявка № 2 006 140 664 от 17.11.2006.
- Заявка на патент РФ «Способ получения монокристаллических пластин арсенида индия», заявка № 2 006 140 665 от 17.11.2006.