Рост и дефектообразование монокристаллов полупроводникового карбида кремния, выращенного по методу ЛЭТИ
Диссертация
Улучшенная дефектная структура выращенных слитков характеризуется практически полным отсутствием периферийных малоугловых границ, а также значительным (3 порядка величины) снижением, по сравнению с исходным материалом, плотности микропор. Нежелательным промежуточным результатом реализованного многоступенчатого процесса роста является значительное (до 70%) уменьшение площади используемых затравок… Читать ещё >
Содержание
- Часть 1. Теоретические аспекты
- Глава 1. Симметрийные ограничения в ростовых системах с множественным зарождением
- 1. 1. Введение
- 1. 2. Принципы симметрийного подхода (точечная симметрия)
- 1. 3. Образование доменов при эпитаксии и синтаксии. Общее выражение
- 1. 4. Дефекты структур с множественным зарождением, вызванные различием симметрии слоя и подложки
- 1. 4. 1. Симметрия грани кристалла
- 1. 4. 2. Иерархия дефектов, вызванных различием в симметрии
- 1. 5. Квазисимметрия грани общего положения
- 1. 6. О кластерном моделировании
- Глава 2. Метрика бикристалла
- 2. 1. Описание ориентационного соотношения в эпитаксиальной системе
- 2. 1. 1. Об использовании индексов Миллера
- 2. 1. 2. Матричная запись ориентационного соотношения
- 2. 1. 3. Приведение ячеек сопрягаемых кристаллов к сопоставимому виду. Нормализация матрицы ориентационого соотношения
- 2. 2. Напряжения и деформации в гетероструктурах с некубическими компонентами при произвольной ориентации границы раздела
- 2. 2. 1. Использование кристаллографических координат для представления тензоров
- 2. 2. 2. Когерентные однослойные гетероструктуры
- 2. 2. 3. Деформированное состояние в многослойных эпитаксиальных структурах: подход, основанный на алгебре линейных операторов
- 2. 3. Преодоление метрического несоответствия решеток
- 2. 3. 1. Условия бездефектного сопряжения кристаллов
- 2. 3. 2. Численная оценка частоты реализации условия бездефектного срастания кристаллов
- 2. 3. 3. Выбор целевой функции при подборе составов и ориентаций границ раздела при проектировании гетерокомпозиций, включающих в себя некубические фазы
- 2. 4. Методика экспериментального определения кристаллогеометрических параметров эпитаксиаль’ной системы
- 2. 4. 1. Последовательность анализа состояния эпитаксиальной структуры
- 2. 4. 2. Особенности эксперимента
- 2. 4. 3. Методика обработки экспериментальных данных
- 2. 4. 4. Особенности использования полихроматического метода Лауэ для определения ориентаций кристаллов и ориентационных соотношений эпитаксиальных структур в интерактивном режиме
- 2. 1. Описание ориентационного соотношения в эпитаксиальной системе
- 3. 1. Классификация и интерпретация ориентационных соотношений в системе «нитриды А3В5 на сапфире»
- 3. 1. 1. Известные ориентационные соотношения
- 3. 1. 2. Классификация ориентационных соотношений
- 3. 1. 3. Симметрийные ограничения в рассматриваемой системе
- 3. 1. 4. Попытки использования концепции решетки совпадающих узлов
- 3. 1. 5. Монте-Карло моделирование эпитаксиального роста. Интерпретация азимутального соотношения
- 3. 1. 6. Экспериментальные исследования ориентационных соотношений в эпитаксиальной системе «A1N на сапфире»
- 3. 2. Симметрийные ограничения в эпитаксиальных системах и несостоятельность критерия «хорошего метрического соответствия»
- 3. 2. 1. Нитриды на сапфире
- 3. 2. 2. Кремний на сапфире
- 3. 2. 3. А3В5 на шпинели
- 3. 2. 4. Обсуждение
- 3. 3. Интерпретация ориентационных соотношений в системе «нитрид галлия на шпинели»
- 3. 3. 1. О методике эпитаксиального роста
- 3. 3. 2. Результаты исследований
- 3. 3. 3. Симметрийные ограничения на ориентационные соотношения в системе
- 3. 3. 4. Литературные данные
- 3. 3. 5. Заключительные замечания
- 3. 4. Бикристаллография неизовалентных гетероструктур с несингулярными границами раздела: на примере слоев GaN на LiGaCh
- 3. 4. 1. Определение кристаллогеометрических характеристик гетероструктуры из экспериментальных данных
- 3. 4. 2. Приближение когерентной границы раздела
- 3. 4. 3. Сравнение с экспериментом
- 3. 5. Выбор оптимальных перовскитоподобных подложек для нанесения ВТСП-слоев
- 3. 5. 1. Семейство LnGa
- 3. 5. 2. Другие перовскитоподобные подложки
- 3. 5. 3. Заключительные замечания
- 3. 6. Разориентация эпитаксиального слоя и подложки. Сравнение теории и эксперимента
- 4. 1. Введение
- 4. 2. Дислокационная структура
- 4. 3. Микропоры
- 4. 4. Малоугловые доменные границы
- 4. 5. Дефекты упаковки
- 4. 6. Политипные включения и политипная стабильность
- 4. 7. Морфологические дефекты
- 4. 8. Выводы
- 5. 1. Образование доменов при синтаксическом срастании политипов карбида кремния
- 5. 1. 1. Анализ экспериментально наблюдавшихся сростков
- 5. 1. 2. Доменные границы в политипах 6Н и 4Н
- 5. 2. Включения политипа 15R
- 5. 2. 1. Особенности эксперимента
- 5. 2. 2. Результаты
- 5. 3. Заключительные замечания
- 6. 1. Особенности эксперимента
- 6. 2. Морфология дефектной структуры слитков
- 6. 2. 1. Ямки травления
- 6. 2. 2. Линейные особенности
- 6. 2. 3. Дефектная структура как функция размера пластин
- 6. 3. Заключительные замечания
- 7. 1. Особенности эксперимента
- 7. 2. Взаимодействие графитовой арматуры с газовой фазой
- 7. 3. Графитизация при диффузионно-лимитированном массопереносе
- 7. 3. 1. Оценка коэффициентов диффузии реагентов
- 7. 3. 2. Начальная графитизация затравки
- 7. 3. 3. Диффузия основных компонентов в ячейке
- 7. 4. Кинетические особенности
- 7. 5. Термодинамика взаимодействия газового потока со стенками тигля
- 7. 6. Потери кремния из ячейки. Графитизация источника поликристаллического карбида кремния
- 7. 7. Возникновение углеродных включений в слитке
- 7. 7. 1. Механизм появления мелкодисперсного углерода в камере роста
- 7. 7. 2. Механизм доставки углеродного порошка к поверхности роста
- 7. 7. 3. Частицы углерода в температурном градиенте в инертном газе
- 7. 7. 4. Частицы углерода в ростовой ячейке. Сила захвата
- 8. 1. Об индексации граней и направлений в карбиде кремния
- 8. 2. Рост на неполярных гранях карбида кремния
- 8. 2. 1. Особенности эксперимента
- 8. 2. 2. Результаты и обсуждение
- 8. 2. 3. Характер ростовых дефектов упаковки
Список литературы
- Frank F.C. The growth of carborundum- dislocation and polytypism // Phil.Mag. 1951. Vol.42. P.1014−1021.
- Ramsdell L.S., Kohn J.A. Development in silicon carbide research //Acta Cryst. 1952. Vol.5, iss.2.P.215−224.
- Jagodzinski H. Polytypism in SiC crystals // Acta Cryst. 1954. Vol.7. P.300.
- Кальнин A.A., Лучинин В. В. Структурное программирование в микроэлектронике. Л.: ЛЭТИ, 1981. 100 с.
- Тхорик Ю. А., Хазан Л. С. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. Киев: Наукова думка, 1983.
- Bollmann W. Crystal Defects and Crystalline Interfaces. New York: Springer Verlag, 1970.
- Структура межкристаллитных и межфазных границ / В. М. Косевич, В. М. Иевлев, Л. С. Палатник, А. И. Федоренко. М.: Металлургия, 1980.
- Portier R., Gratias D. Symmetry and Phase Transformation // J.Phys.Paris. 1982. Vol.43, C4. P. 17−34.
- Kalonji G., Cahn J. W. Symmetry Constraints on the Orientation Dependence of Interfacial Properties: the Group of the Wulff Plot// J.Phys.Paris. 1982. Vol.43, Сб. P.25−32.
- Janovec V. A symmetry approach to domain structures // Ferroelectrics. 1976. Vol.12. Iss.l. P.43−53.
- Pond R. C., Vlachavas D. S. Bicrystallography // Proc.R.Soc.Lond.Ser.A. 1983. Vol.386. P.95−143.
- Pond R. C., Gowers J. P., Joyce B. A. Surface structure and the origin of antisite domains in GaAs: Ge epitaxial films // Surf.Sci. 1985. Vol.152−153. Pt 2. P. l 191−1196.
- Pond R. C. Crystallographic analysis of domain formation in epitaxial films // J. Crystal Growth. 1986. Vol.79. Iss.1−3. Pt.2. P.946−950.
- Efimov A. N., Lebedev A. O. Optimal perovskite-type substrates for high-temperature superconductor layers // J.Supercond. 1993. Vol.6, Iss.5. P.317−320.
- Нойберт Ф. Гетерополитипные композиции карбида кремния и источники света на их основе // Исследование и применение широкозонных полупроводников. Л., 1981. С.36−42 (Изв.ЛЭТИ. Вып.281).
- Growth and properties of GaAs/AlGaAs on nonpolar substrates using molecular beam epitaxy / R. Fischer, W. T. Masselink, J. Klem, T. Henderson, Т. C. McGlinn, M. V. Klein, H. Morkoc // J.Appl.Phys. 1985. Vol.58, Iss.l. P.374−381.
- Binder K., ed. The Monte Carlo Methods in Condensed Matter Physics // Topics in Applied Physics. Vol.71. Berlin: Springer Verlag. 1992.
- Юшкин H. П., Шафрановский И. И., Янулов К. П. Законы симметрии в минералогии. Л.: Наука, 1987.
- Кюри П. Избранные труды, ред. Н. Н. Андреева, Л. С. Сазонова М.-Л.: Наука, 1966.
- Шубников А. В., Копцик В. А. Симметрия в науке и искусстве. М.: Наука, 1972.
- Henry N. М. F., Lonsdale К. International Tables for X-Ray Crystallography: Symmetry Groups. Birmingham: The Kynoch Press, 1952. Vol.1. 558p.
- Ефимов A.H., Лебедев А. О., Царегородцев A.M. Особенности эпитаксии на неизоморфные подложки // Тез.докл.УН Всесоюз.конф.по процессам роста и синтеза полупроводн. кристаллов и пленок. Новосибирск. 1986. С.24−25.
- Ефимов А. Н. Состав и структура эпитаксиальных композиций «нитриды А3В5 на сапфире», Дисс.канд.техн.наук/ ЛЭТИ им. В. И. Ульянова (Ленина). Л., 1986. 143с.
- Корн Г., Корн Т. Справочник по математике. М.:Наука, 1984.
- Ефимов А. Н. Дефекты гетероструктур, вызванные различием симметрий слоя и подложки // Кристаллография. 1997. Т.42, вып.З. С.509−513.
- Metallic Phase with Long-Range Orientational Order and No Translational Symmetry / D. Shechtman, I. Blech, D. Gratias, and J. W. Cahn. // Phys. Rev. Lett. 1984. Vol.53, iss.20. P.1951−1953.
- Илюшин Г. Д. Моделирование процессов самоорганизации в кристаллообразующих системах. М.:Едиториал УРСС, 2003.
- Илюшин Г. Д., Демьянец Л. Н. Модель матричной сборки кристаллических структур // Сборник трудов Института Кристаллографии. Физика кристаллизации. М.: Наука, 2002. С.82−169.
- Ilyushin G.D., Demianets L. N Crystal Structure formation of silicates in accordance with the mechanism of matrix assembly //19 European Crystallographic Meeting. Nancy, 2000. P.362.
- Сиротин Ю. И., Шаскольская M. П. Основы кристаллофизики. М.: Наука, 1975.
- Сокольников И. Тензорный анализ. М.: Наука, 1971.
- Седов Л. И. Введение в механику сплошной среды. М.:Наука, 1962.
- Григорьев Д. П., Жабин А. Г. Онтогения минералов. М.: Наука, 1975.
- Efimov A. N., Lebedev А. О., Tsaregorodtsev А. М. Bicrystallography of the epitaxic system «III—V Nitrides on Sapphire»: theory and experiment // J.Appl.Crystallogr. 1998. Vol.31. P.461−473.
- Santoro A., Mighell A. D., Rodgers J. R. The determination of the relationship between derivative lattices // Acta Crystallogr. A 1980. Vol.36. P.796−800.
- Bucksch R. A theory of sublattices and superlattices // J.Appl.Crystallogr. 1972. Vol.5. P.96−102.
- Zur A., McGill Т. C. Lattice match: An application to heteroepitaxy // J.Appl.Phys. 1984. Vol.55, iss.2. P.378−386.
- Efimov A. N., Lebedev A. O. Coherent heterostructures with non-cubic components: strains and stresses for arbitrary interface orientations — theory and applications // Surface Science. 1995. Vol.344, iss.3. P.276−282.
- Ефимов A. H., Лебедев А. О. Бикристаллография неизовалентных гетероструктур с различными кристаллическими решетками компонентов и несингулярными границами раздела: пример GaN на LiGaC>2 // Кристаллография. 2002. Т.47, вып.1. С.145−155.
- Indenbom V. L., Kaganer V. М. X-ray analysis of internal stresses in crystals I. general equations // Phys.Stat.Solidi (a). 1990. Vol.118, iss.l. P.71−84.
- Хапачев Ю. П., Чуховский Ф. Н. Деформации и напряжения в многослойных эпитаксиальных кристаллических структурах. Рентгенодифракционные методы их определения // Кристаллография. 1989. Т.34, вып.З. С.776−800.
- Auvray P., Baudet М., Regreny A. X-ray diffraction effects in Ga and A1 arsenide structures MBE-grown on slightly misoriented GaAs (001) substrates // J. Crystal Growth. 1989. Vol.95, iss. l—4. P.288−291.
- Kuznetsov V. V., Sadowski W., Sorokin V. S. The coherent phase diagram of A^B^ ternary system// CrystRes.Technol. 1985. Vol.20, iss.10. P.1373−1380.
- Hornstra J., Bartels W. J. Determination of the lattice constant of epitaxial layers of III-V compounds // J. Crystal Growth. 1978. Vol.44, iss.5. P.513−517.
- Ефимов A. H., Лебедев А. О. Преодоление метрического несоответствия решеток при создании гетерокомпозиций: случай некубических кристаллов // Сверхпроводимость: физика, химия, техника. 1993. Т.6, № 2. С.263−270.
- Ландау Л. Д., Лифшиц М. Теория упругости. М.: Наука, 1987.
- Рашевский П. К. Дифференциальная геометрия. М.: Наука, 1938.
- Olsen G. Н. Interfacial lattice mismatch effects in III-V compound // J. Crystal Growth. 1975. Vol.31. P.223−239.
- Bassons J.H., Booyens H. The effect of substrate delaxation on the introduction of misfit dislocations in misfitting epitaxial layers // Phisica Status Solidi A. 1981. Vol.64, iss.2. P.777−786.
- Ефимов А. Н., Лебедев А. О. Кристаллогеометрические аспекты эпитаксии на неизоморфные подложки / ЛЭТИ им. В. И. Ульянова (Ленина). Л., 1988. 24 с. Деп. в ВИНИТИ, Москва, № 5713-В88.
- Глейтер Г., Чалмерс Б. Большеугловые границы зерен. М.: Мир, 1975.
- Строителев С. А. Кристаллохимический аспект технологии полупроводников. Новосибирск: Наука, 1976.
- Миркин Л.И. Рентгеноструктурный анализ. Индицирование рентгенограмм, М.: Наука, 1981.
- Буренков Г. Н., Попов А. Н. Метод автоматического индицирования лауэграмм // Кристаллография. 1994. Т.39, N4. С.622−627.
- Шереметьев И.А., Лютцау В. Г. Автоматизированная расшифровка нестандартных лауэграмм // Заводская лаборатория. 1986. Т.52, N4. С.41-^16.
- Лебедев А. О. Индицирование лауэграмм и ориентирование монокристаллов с помощью картин Лауэ в режиме диалога с ЭВМ // Заводская лаборатория. 1998. Т.64, № 3. С. 16−20.
- Кузнецов А. В., Семилетов С. А., Чаплыгин Г. В. Ориентация нитрида галлия на сапфире // Рост кристаллов. Т.15. М.: Наука, 1986. С.14−24.
- Growth anisotropy in the GaN/Al203 system / R. Madar, D. Michel, G. Jacob, M. Boulou //?Crystal Growth. 1977. Vol.40, iss.2. P.239−252.
- Defect ordering in epitaxial a-GaN (OOOl) / H. Z. Xiao, N.-E. Lee, R. C. Powell, Z. Ma, L. J. Chou, L. H. Allen, J. E. Green, A. Rockett // J.Appl.Phys. 1994. Vol.76, iss.12. P.8195−8197.
- Heteroepitaxial wurtzite and zinc-blende structure GaN grown by reactive-ion molecular-beam epitaxy: Growth kinetics, microstructure, and properties / R. C. Powell, N.-E. Lee, Y.-W. Kim, J. E. Greene // J.Appl.Phys. 1993. Vol.73, iss.l. P.189−204.
- Sano M., Aoki M. Epitaxial Growth of Undoped and Mg-Doped GaN // Jpn.J.Appl.Phys. 1976. Pt.l. Vol.15, №io. P. 1943−1950.
- A crystallographic model of (00.1) aluminum nitride epitaxial thin film growth on (00.1) sapphire substrate / C. J. Sun, P. Kung, A. Saxler, H. Ohsato, K. Haritos, M. Razeghi // J.Appl.Phys. 1994. Vol.75, iss.8. P.3964−3967.
- Vispute R. D., Hong Wu, Narayan J. High quality epitaxial aluminum nitride layers on sapphire by pulsed laser deposition // Appl.Phys.Lett. 1995. Vol.67, iss. l 1. P. 1549−1551.
- Ефимов A. H., Лебедев А. О., Царегородцев A. M. Особенности гетероэпитаксии твердых растворов нитрид алюминия нитрид галлия на сапфире // Материалы и элементы оптоэлектроники. Л., 1986. С. 14−19 (Изв.ЛЭТИ. Вып. 365).
- Structural properties of InN films grown on sapphire substrates by microwave-excited metalorganic vapor-phase epitaxy / Q. Guo, T. Yamamura, A. Yoshida, N. Itoh // J.Appl.Phys. 1994. Vol.75, iss.10. P.4927−4932.
- Чаплыгин Г. В., Аксенова Jl. Л., Кузнецов А. В. Об эпитаксиальных соотношениях всистеме нитриды А^В^ на сапфире // Тезисы Всесоюзной конф. по росту кристаллов. Тбилиси, 1977. Т.1. С.110−111.
- Lei Т., Ludwig К. F., Moustakas Т. D. Heteroepitaxy, polymorphism, and faulting in GaN thin films on silicon and sapphire substrates // J.Appl.Phys. 1993. Vol.74, iss.7. P.4430−4437.
- Chemical vapor deposition of aluminum nitride films in the aluminum-bromide-ammonia-hydrogen system / Y. Pauleau, A. Bouteville, J.-J. Hantzperque, J.-C. Remy, A. Cachard // Bull.Soc.Chim.Fr. 1980. Vol.3−4, pt.l. P.127−132.
- Microstructural characterization of a-GaN films grown on sapphire by organometallic vapor phase epitaxy / W. Qian, M. Skowronski, M. De Graef, K. Doverspike, L. B. Rowland, D. K. Gaskill // Appl.Phys.Lett. 1995. Vol.66, iss.10. P. 1252−1254.
- Heteroepitaxy of gallium nitride on (0001), (10−12) and (10−10) sapphire surfaces / J. S. Hwang, A. V. Kuznetsov, S. S. Lee, H. S. Kim, J. G. Choi, P. J. Chong // J.Cryst.Growth. 1994. Vol.142, iss. 1—2. P.5−14.
- Crystallography of epitaxial growth of wurtzite-type thin films on sapphire substrates / P. Kung, C. J. Sun, A. Saxler, H. Ohsato, M. Razegni // J.Appl.Phys. 1994. Vol.75, iss.9. P.4515^1519.
- Growth kinetics, structure and surface morphology of AIN/01-AI2O3 epitaxial layers / F.
- Bugge, A. N. Efimov, I. G. Pichugin, A. M. Tsaregorodtsev, M. A. Chernov // Crystal Res.Technol. 1987. Vol.22, iss.l. P.65−73.
- Georgi Ch. On the origin of the (l-216)-orientation in epitaxial AIN layers on R-plane sapphire // Cryst.Res.Technol. 1987. Vol.22, iss.6. P.777−781.
- Heteroepitaxy of AIN on 01-AI2O3 by electron cyclotron resonance plasma-assisted chemicalvapor deposition at low temperatures / W. Zhang, Y. Someno, M. Sasaki, T. Hirai // J.Cryst.Growth. 1993. Vol.132, iss. 1−2. P.337−340.
- Chemical etching of sapphire / L. A. Marasina, V. V. Malinovsky, I. G. Pichugin, P. Prentky. // Cryst.Res.Technol. 1982. Vol.17, iss.3. P.365−371.
- Efimov A. N., Lebedev A. O. Symmetry constraints and epitaxial growth on non-isomorphic substrate // Thin Solid Films. 1995. Vol.260, iss.l. P. l 11−117.
- Лебедев А. О., Пичугин И. Г., Долотов Н. И. Механизм процесса роста и структурные характеристики эпитаксиальных слоев нитрида галлия, полученных хлоридно-гидридным способом //ЖПХ. 1995. Т.68, вып.6. С.904−907.
- Binder К., Stauffer D. Applications of the Monte Carlo Method in Statistical Physics // Topics in Current Physics. Vol.36 / K. Binder, ed. by. New York: Springer. 1987. P. 1−36.
- Groisman G., Parker J. R. Computer-assisted photometry using simulated annealing // Computers in Physics. 1993. Vol.7, № 1. P.87−96.
- Лебедев А. О., Мельник Ю. В., Царегородцев A. M. Определение энергии активации процесса осаждения нитрида алюминия в хлоридно-гидридной системе // ЖПХ. 1994. Т.67, вып. 1. С. 146−149.
- Larssen P. A. Crystallographic match in epitaxy between silicon and sapphire // Acta Crystallographies 1966. Vol.20, pt 5. P.599−602.
- Manasevit H. M. A survey of the heteroepitaxial growth of semiconductor films on insulating substrates // J. Crystal Growth. 1974. Vol.22, iss.2. P.125−148.
- Wang С. C. Heteroepitaxial Growth and Characterization of Compound Semiconductors for Electronic Devices // Heteroepitaxial semiconductors for electronic devices / ed. by G.W.Cullen, C.C.Wang. New York Heidelberg — Berlin: Springer, 1978. P. 106−149.
- Палатник Л. С., Папиров И. И. Ориентированная кристаллизация. М.: Металлургия, 1964.
- Mixed-perovskite substrates for high-Tc superconductors / D. Mateika, H. Kohler, H. Laudan, E. Folkel // J.Cryst.Growth. 1991. Vol.109, iss.1−4. P.44146.
- Чаплыгин Г. В. Взаимная ориентация при эпитаксии // Extended Abstracts of VI Intern. Conf. Crystal Growth. Moscow, 1980. C.135.
- High-quality GaN epitaxial layer grown by metalorganic vapor phase epitaxy on (111) MgAl204 substrate / A. Kuramata, K. Horino, K. Domen, K. Shinohara, T. Tanahashi //
- Appl.Phys.Lett. 1995. Vol.67, iss.17. P.2521−2523.
- InGaN-GaN based light-emitting diodes over (111) spinel substrates / J. W. Yang, Q. Chen, C. J. Sun, B. Lim, M. Z. Anwar, M. Asif Khan, and H. Temkin // Appl.Phys.Lett. 1996. Vol.69, iss.3. P.369−371.
- InGaN multi-quantum-well structure laser diodes grown on MgAl2U4 substrates / Sh.
- Nakamura, M. Senoh, Sh. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto // Appl.Phys.Lett 1996. Vol.68, iss.15. P.2105−2107.
- Zur Epitaxie von Galliumnitrid auf nichtstochiometrischem Spinell im System GaCl/NH?/He / A. Tempel, W. Seifert, J. Hammer, E. Butter // Kristall und Technik. 1975. Vol. 10, iss.7. P.747−758.
- Novel symmetry in the growth of gallium nitride on magnesium aluminate substrates / T. George, E. Jacobson, W. T. Pike, P. Chang-Chien, M. A. Khan, J. W. Yang, S. Mahajan // Appl.Phys.Lett. 1996. Vol.68, iss.3. P.337−339.
- Metalorganic chemical vapor deposition of monocrystalline GaN thin films on ?-LiGa02substrates / P. Kung, A. Saxler, X. Zhang, D. Walker, R. Lavado, M. Razeghi // Appl.Phys.Lett. 1996. Vol.69, iss.14. P.2116−2118.
- Lattice parameters of gallium nitride / M. Leszczynski, T. Teisseyre, T. Suski, I. Grzegory, M. Bockowski, J. Jun, S. Porowski, K. Pakula, J. M. Baranowski, С. T. Foxon, T. S. Cheng // Appl.Phys.Lett. 1996. Vol.69, iss.l. P.73−75.
- Schwarz R.B., Khachaturyan K., Weber E.R. Elastic moduli of gallium nitride // Appl.Phys.Lett. 1997. V.70, iss.9. P. l 122−1124.
- Рентгеновские исследования структурного совершенства эпитаксиальных пленок PbS методом двухкристального спектрометра / JI. С. Палатник, М. Я. Фукс, О. Г. Алавердова, JL П. Шпаковская / Кристаллография. 1977. Т.22, вып.З. С.608−614.
- К вопросу о необычном азимутальном ориентационном соотношении в системе «нитрид галлия на шпинели» / А. Н. Ефимов, А. О. Лебедев, В. В. Лундин, A.C.Усиков // Кристаллография. 2000. Т.45, N 2. С.345−351.
- Структурное совершенство эпитаксиальных слоев GaN по данным рентгеновской дифракции / Р. Н. Кютт, В. В. Ратников, Г. Н. Мосина, М. П. Щеглов // ФТТ. 1999. Т.41, № 1. С.30−37.
- Фесенко Е. Г. Семейство перовскита и сегнетоэлектричество. М.:Наука, 1972.
- Young К.-Н., Chai В. Н. Т. High-Quality УВа2СизОу§ Thin Films Grown on SrLaAlU4001. and (1118) Substrates // Jpn.J.Appl.Phys. 1992. Pt 2. Vol.31, № 4A. P. L402-L405.
- Shannon R. D. Revised effective ionic radii and systematic studies of interatomic distances in halides and chalcogenides // Acta Cryst.A. 1976. Vol. 32, pt.5. P.751−767.
- А.Н.Ефимов, А. О. Лебедев. В книге: Тезисы докладов конф. по электронным материалам, Новосибирск, 1992, с. 296.104. (305)-SrTi03 as substrate for coherently tilted epitaxial YBa2Cu3Ox thin films /
- W. A. M. Aarnink, E. M. С. M. Reuvekamp, M. A. J. Verhoeven, M. V. Pedyash, G. J. Gerritsma, A. van Silfhout, H. Rogalla, T. W. Ryan // Appl.Phys.Lett. 1992. Vol. 61, iss.5. P.607−609.
- Leiberich A., Levkoff J. The crystal geometry of AlxGajxAs grown by MOCVD on offcut GaAs (100) substrates // J.Cryst.Growth. 1990. Vol.100, iss.3. P.330−342.
- Nagai H. Structure of vapor deposited GaxInjxAs crystals // J.Appl.Phys. 1974. Vol.45, iss.9. P.3789−3794.
- Igarashi O. Measurement of Misalignments between the 111. Axes of GaP Deposits and Si Substrates by X-ray Divergent Beam Method //JpnJ.Appl.Phys. 1976. Vol.15, N8. P.1435−1444.
- Верма А., Кришна П. Полиморфизм и политипизм в кристаллах М.: Мир, 1969.
- Commercial SiC device processing: Status and requirements with respect to SiC based power devices / M. Treu, R. Rupp, P. Blaschitz, J. Hilsenbeck // Superlattices and Microstructures. 2006. Vol.40, Iss.4−6. P.380−387.
- Zverev I., Rupp R. MRS Symp.Proc. 2003. Vol.742, P.329 doi: 10.1557/PROC-742-K7.1.
- Hong M.H., Samant A.V., Pirouz P. Stacking fault energy of 6H-SiC and 4H-SiC single crystals // Philosophical Magazine A. 2000. Vol.80, Iss.4. P.919−935.
- Tairov Y.M., Tsvetkov V.F. Investigation of growth processes of ingots of silicon carbide single crystals // J. Crystal Growth. 1978. Vol.43, Iss.2. P.209−212.
- Crystal growth of micropipe free 4H-SiC on 4H-SiC {0338} seed and high-purity semi-insulating 6H-SiC / H. Shiomi, H. Kinoshita, T. Furusho, T. Hayashi, M. Tajima, E. Higashi // J.Cryst.Growth. 2006. Vol.292, iss.2. P. 188−191.
- Growth of 6H-SIC crystals along the 01І5. direction / Z.G.Herro, B.M.Epelbaum, M. Bickermann, C. Seitz, A. Magerl, A. Winnacker// J.Cryst.Growth. 2005. Vol.275, iss.3−4. P.496−503.
- Growth of 4H-SiC on rhombohedral (oil4)plane seeds / J. Li, O. Filip, B.M.Epelbaum,
- X.Xu, M. Bickermann, A. Winnacker//J.Cryst.Growth. 2007. Vol.308, iss.l. P.419.
- Shishkin Y., Kordina O. Bulk growth of 6H-SiC on non-basal quasi-polar faces // J.Cryst.Growth. 2006. Vol.291, iss.2. P.317−319.
- Polarity- and orientation-related defect distribution in 4H-SiC single crystals / H.J.Rost, M. Schmidbauer, D. Siche, R. Fornari // J.Cryst.Growth. 2006. Vol.290, iss.l. P.137−143.
- Ultrahigh-quality silicon carbide single crystals / D. Nakamura, I. Gunjishima, S. Yamaguchi, T. Ito, A. Okamoto, H. Kondo, S. Onda, K. Takatori // Nature. 2004. Vol.430, N7003. P.1009−1011.
- Epitaxial growth of silicon carbide layers by sublimation «sandwich method» (I) growth kinetics in vacuum / Yu.A.Vodakov, E.N.Mokhov, M.G.Ramm, A.D.Roenkov // Kristall und Technik. 1979. Vol.14, iss.6. P.729−740.
- Masri P. Silicon carbide and silicon carbide-based structures: The physics of epitaxy // Surface Science Reports. 2002. Vol.48, iss.11. P. l-51.
- Wagner G., Schulze D., Siche D. Vapour phase growth of epitaxial silicon carbide layers // Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials. 2003. Vol.47, iss.2−3. P.139−165.
- Ж.Фридель Дислокации M.: Мир. 1967.
- S.Amelinckx Dislocations in Particular Solids, ed. by F.R.N.Nabarro Amsterdam: North-Holland. 1979.
- Identification of prismatic slip bands in 4H SiC boules grown by physical vapor transport / S. Ha, N.T.Nuhfer, G.S.Rohrer, M. De Graef, M. Skowronski // J.Electron.Mater. 2000. Vol.29, iss.7. P. L5-L8.
- Koyama H., Wittry D.B., Kato T. Propagation of residual dislocations during silicon epitaxy // J.Appl.Phys. 1975. Vol.46, N7. P.2899−2902.
- Shinohara M., Ito Т., Imamura Y. Generation and propagation of defects into molecular beam epitaxially grown GaAs from an underlying GaAs substrate // J.Appl.Phys. 1985. Vol.58, N9. P.3449−3455.
- Direct observation of dislocations propagated from 4H-SiC substrate to epitaxial layer by X-ray topography / T. Ohno, H. Yamaguchi, S. Kuroda, K. Kojima, T. Suzuki, K. Arai // J. Crystal Growth. 2004. Vol.260, iss.1−2. P.209−216.
- Origin of basal plane bending in hexagonal silicon carbide single crystals / J.W.Lee, M. Skowronski, E.K.Sanchez, G. Chung//J.Crystal Growth. 2008. Vol.310, iss. l8. P.4126-^131.
- Zhuang D., Edgar J.H. Wet etching of GaN, A1N, and SiC: a review // Mater. Science and Engineering R. 2005. Vol.48, iss.l. P.1−46.
- Defect reduction in sublimation grown SiC bulk crystals / E. Schmitt, T. Straubinger, M. Rasp, A.-D.Weber // Superlattices and Microstructures. 2006. Vol.40, iss.4−6. P.320−327.
- Amelinckx S., Strumane G., Webb W.W. Dislocations in Silicon Carbide // J. Applied Physics. 1960. Vol.31, iss.8. P.1359−1370.
- Wu P. Etching study of dislocations in heavily nitrogen doped SiC crystals // J. Crystal Growth. 2010. Vol.312, iss.8. P. l 193−1198.
- Zhang Z., Gao Y., Sudarshan T. Delineating Structural Defects in Highly Doped n-Type 4H-SiC Substrates Using a Combination of Thermal Diffusion and Molten KOH Etching // Electrochem. Solid-State Lett. 2004. Vol.7, N11. P. G264-G265.
- Sense determination of micropipes via grazing-incidence synchrotron white beam x-ray topography in 4H silicon carbide / Y. Chen, G. Dhanaraj, M. Dudley, E.K.Sanchez, M.F.McMillan // Applied Physics Letters. 2007. Vol.91, iss.7. 71 917, 3 p.
- Chen Y., Dudley M. Direct determination of dislocation sense of closed-core threading screw dislocations using synchrotron white beam x-ray topography in 4H silicon carbide // Applied Physics Letters. 2007. Vol.91, iss.14. 141 918, 3 p.
- Basal plane slip and formation of mixed-tilt boundaries in sublimation-grown hexagonal polytype silicon carbide single ciystals / S. Ha, M. Skowronski, W.M.Vetter, M. Dudley // J. Applied Physics. 2002. Vol.92, iss.2. P.778−785.
- Samant A.V., Zhou W.L., Pirouz P. Effect of Test Temperature and Strain Rate on the Yield Stress of Monocrystalline 6H-SiC // Phys.Stat.Sol. A.1998. Vol.166, iss.l. P.155−169.
- Samant A.V., Hong M.H., Pirouz P. The Relationship between Activation Parameters and Dislocation Glide in 4H-SiC Single Crystals // Phys.Stat.Sol. B. 2000. Vol.222, iss.l. P.75−93.
- Skowronski M., Ha S. Degradation of hexagonal silicon-carbide-based bipolar devices //J.Appl.Phys. 2006. Vol.99, iss.l. 11 101,24 p.
- Pirouz P., Demenet J.L., Hong M.H. On transition temperatures in the plasticity and fracture of semiconductors // Philos.Mag. A. 2001. Vol.81, iss.5. P.1207−1227.
- Marukawa K. A new method of burgers vector identification from electron microscope images // Philos.Mag. A. 1979. Vol.40, iss.3. P.303−312.
- Nucleation of threading dislocations in sublimation grown silicon carbide / E.K.Sanchez, J.Q.Lee, M. De Graef, M. Skowronski, W.M.Vetter, M. Dudley // J.Appl.Phys. 2002. Vol.91, iss.3. P. l 143−1148.
- The mechanism of micropipe nucleation at inclusions in silicon carbide / M. Dudley, X.R.Huang, W. Huang, A. Powell, S. Wang, P. Neudeck, M. Skowronski // Appl.Phys.Lett. 1999. Vol.75, iss.6. P.784−786.
- Origin of domain structure in hexagonal silicon carbide boules grown by the physical vapor transport method / S. Ha, N.T.Nuhfer, G.S.Rohrer, M. De Graef, M. Skowronski // J. Crystal Growth. 2000. Vol.220, iss.3. P.308−315.
- Tsuchida H., Kamata I., Nagano M. Investigation of defect formation in 4H-SiC epitaxial growth by X-ray topography and defect selective etching // J. Crystal Growth. 2007. Vol.306, iss.2. P.254−261.
- Dislocation evolution in 4H-SiC epitaxial layers / H. Jacobson, J. Birth, R. Yakimova, M. Syvajarvi, J.P.Bergman, A. Ellison, T. Tuomi, E. Janzen//J.Appl.Phys. 2002. Vol.91, iss.10. P.6354−6360.
- Influence of epitaxial growth and substrate-induced defects on the breakdown of 4H-SiC Schottky diodes / Q. Wahab, A. Ellison, A. Henry, E. Janzen, C. Hallin, J. Di Persio, R. Martinez // Appl.Phys.Lett. 2000. Vol.76, iss. l9. P.2725−2727.
- Analysis of Structural Defects in the 4H-SiC Epilayers and their Influence on the Electrical Properties / S. Izumi, I. Kamata, T. Tawara, H. Fujisawa, H. Tsuchida // Materials Science Forum. 2004. Vol.457-^460. P.1085−1088.
- Effects of Surface and Crystalline Defects on Reverse Characteristics of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes / T. Katsuno, Y. Watanabe, H. Fujiwara, M. Konishi, T. Yamamoto, T. Endo // Jap.J.Appl.Phys. 2011. Vol.50, N4, iss.2. 04DP04, 4 p.
- Material defects in 4H-silicon carbide diodes / U. Zimmermann, J. Osterman, D. Kuylenstierna, A. Hallen, A.O.Konstantinov, W.M.Vetter, M. Dudley // J.Appl.Physics. 2003. Vol.93, iss.l. P.611−618.
- Characterization of 4H semi-insulating silicon carbide single crystals using electron beam induced current / P.G.Muzykov, R. Krishna, S. Das, T. Hayes, T.S.Sudarshan, K.C.Mandal // Materials Letters. 2011. Vol.65, N5. P.911−914.
- Analysis of surface morphology at leakage current sources of 4H-SiC Schottky barrier diodes / T. Katsuno, Y. Watanabe, H. Fujiwara, M. Konishi, H. Naruoka, J. Morimoto, T. Morino, T. Endo //Appl.Phys.Lett. 2011. Vol.98, iss.22. 222 111, 3 p.
- Saitoh H., Kimoto T., Matsunami H. Origin of Leakage Current in SiC Schottky Barrier Diodes at High Temperature // Materials Science Forum. 2004. Vol.457−460. P.997−1000.
- Morisette D.T., Cooper J.A., Jr. Impact of Material Defects on SiC Schottky Barrier Diodes // Materials Science Forum. 2002. Vol.389−393. P. 1133−1136.
- Dislocation conversion in 4H silicon carbide epitaxy / S. Ha, P. Mieszkowski, M. Skowronski, L.B.Rowland // J. Crystal Growth. 2002. Vol.244, iss.3−4. P.257−266.
- Song H., Rana T., Sudarshan T.S. Investigations of defect evolution and basal plane dislocation elimination in CVD epitaxial growth of silicon carbide on eutectic etched epilayers // J. Crystal Growth. 2011. Vol.320, iss.l. P.95−102.
- The elastic constants of silicon carbide: A Brillouin-scattering study of 4H and 6H SiC single crystals / K. Kamitani, M. Grimsditch, J.C.Nipko, C.-K.Loong, M. Okada, I. Kimura // J.Appl.Phys. 1997. Vol.82, iss.6. P.3152−3154.
- Investigation of character and spatial distribution of threading edge dislocations in 4H-SiC epilayers by high-resolution topography / I. Kamata, M. Nagano, H. Tsuchida, Yi. Chen, M. Dudley //J.Crystal Growth. 2009. Vol.311, iss.5. P. 1416−1422.
- Zhang Z., Sudarshan N.S. Evolution of basal plane dislocations during 4H-silicon carbide homoepitaxy // Appl.Phys.Lett. 2005. Vol.87, iss.16. 161 917, 3 p.
- Formation of extended defects in 4H-SiC epitaxial growth and development of a fast growth technique / H. Tsuchida, M. Ito, I. Kamata, M. Nagano // Phys. Status Solidi B. 2009. Vol.246, iss.7. P.1553−1568.
- Growth and Characterization of the 4H-SiC Epilayers on Substrates with Different OffCut Directions / H. Tsuchida, I. Kamata, S. Izumi, T. Tawara, K. Izumi // Mater.Sci.Forum. 2004. Vol.457−460. P.229−232.
- Degradation in SiC Bipolar Devices: Sources and Consequences of Electrically Active Dislocations in SiC // H. Lendenmann, J.P.Bergman, F. Dahlquist, C. Hallin // Mater.Sci.Forum. 2003. Vol.433−436. P.901−906.
- Ha S., Skowronski M., Lendenmann H. Nucleation sites of recombination-enhanced stacking fault formation in silicon carbide p-i-n diodes // J.Appl.Phys. 2004. Vol.96, iss.l. P.393−398.
- Stacking Fault Formation Sites and Growth in Thick-Epi SiC PiN Diodes / R.E.Stahlbush, M.E.Twigg, K.G.Irvine, J.J.Sumakeris, T.P.Chow, P.A.Losee, L. Zhu, Y. Tang, W. Wang // Mater.Sci.Forum. 2004. Vol.457−460. P.533−536.
- Pirouz P. On micropipes and nanopipes in SiC and GaN // Philos.Mag. A. 1998. Vol.78, iss.3. P.727−736.
- Vetter W.M., Dudley M. Transmission electron microscopy studies of dislocations in physical-vapour-transport-grown silicon carbide // Philos.Mag. A. 2001. Vol. 81, iss. 12. P.2885−2902.
- Partial Dislocations and Stacking Faults in 4H-SiC PiN Diodes / M.E.Twigg, R.E.Stahlbush, M. Fatemi, S.D.Arthur, J.B.Fedison, J.B.Tucker, S. Wang // Mater.Sci.Forum. 2004. Vol.457−460. P.537−542.
- Doping-induced strain in N-doped 4H-SiC crystals / H. Jacobson, J. Birch, C. Hallin, A. Henry, R. Yakimova, T. Tuomi, E. Janzen, U. Lindefelt // Appl.Phys.Lett. 2003. Vol.82, iss.21. P.3689−3691.
- Glide and multiplication of basal plane dislocations during 4HDSiC homoepitaxy / X. Zhang, M. Skowronski, K.X.Liu, R.E.Stahlbush, J.J.Sumakeris, M.J.Paisley, M.J.O'Loughlin // J.Appl.Phys. 2007. Vol.102, iss.9. 93 520, 8 p.
- Dislocation nucleation in 4H silicon carbide epitaxy / S. Ha, H.J.Chung, N.T.Nuhfer, M. Skowronski//J.Crystal Growth. 2004. Vol.262, iss. 1−4. P. 130−138.
- Influence of growth conditions on basal plane dislocation in 4H-SiC epitaxial layer / T. Ohno, H. Yamaguchi, S. Kuroda, K. Kojima, T. Suzuki, K. Arai // J. Crystal Growth. 2004. Vol.271, iss.1−2. P. 1−7.
- Chen W., Capano M.A. Growth and characterization of 4H-SiC epilayers on substrates with different off-cut angles // J.Appl.Phys. 2005. Vol.98, iss. l 1. 114 907, 6 p.
- Basal plane dislocation reduction in 4H-SiC epitaxy by growth interruptions / R.E.Stahlbush, B.L.VanMil, R.L.Myers-Ward, K.-K.Lew, D.K.Gaskill, C.R.Eddy, Jr // Appl.Phys.Lett. 2009. Vol.94, iss.4. 41 916, 3 p.
- Zhang Z., Moulton E., Sudarshan T.S. Mechanism of eliminating basal plane dislocations in SiC thin films by epitaxy on an etched substrate // Appl.Phys.Lett. 2006. Vol.89, iss.8. 81 910,3 p.
- Zhang Z., Sudarshan T.S. Basal plane dislocation-free epitaxy of silicon carbide // Appl.Phys.Lett. 2005. Vol.87, iss.15. 151 913, 3 p.
- Topographic study of dislocation structure in hexagonal SiC single crystals with low dislocation density / D. Nakamura, S. Yamaguchi, I. Gunjishima, Y. Hirose, T. Kimoto // J.Cryst.Growth. 2007. Vol.304, iss.l.P. 57−63.
- Neudec P.G., Powell J.A. Performance limiting micropipe defects in silicon carbide wafers // IEEE Electron Device Lett. 1994. Vol.15, iss.2. P.63−65.
- Study of avalanche breakdown and impact ionization in 4H silicon carbide / A.O.Konstantinov, Q. Wahab, N. Nordell, U. Lindefelt // J.Electron.Mater. 1998. Vol.27, N4. P.335−341.
- Effect of defects on electrical properties of 4H-SiC Schottky diodes / M. Ben Karoui, R. Gharbi, N. Alzaied, M. Fathallah, E. Tresso, L. Scaltrito, S. Ferrero // Mater.Sci.Engineer. C. 2008. Vol.28, iss.5−6. P.799−804.
- Micropipes: Hollow Tubes in Silicon Carbide / J. Heindl, H.P.Strunk, V.D.Heydemann, G. Pensl // Phys.Stat.Solidi A. 1997. Vol.162, iss.l. P.251−262.
- Hexagonal voids and the formation of micropipes during SiC sublimation growth / T.A.Kuhr, E.K.Sanchez, M. Skowronski, W.M.Vetter, M. Dudley // J.Appl.Phys. 2001. Vol.89, iss.8. P.4625−4630.
- SiC Seeded Boule Growth / V. Tsvetkov, R. Glass, D. Henshall, D. Asbury, C.H.Carter, Jr //Mater.Sci.Forum. 1998. Vol.264−268. P.3−8.
- Balakrishna V., Augustine G., Hopkins R.H. MRS Symp.Proc. 1999. Vol.572. P.245 doi: 10.1557/PROC-572−245.
- Analysis on defect generation during the SiC bulk growth process / D. Hofmann, E. Schmitt, M. Bickermann, M. Kolbl, P.J.Wellmann, A. Winnacker // Mater.Sci.Eng. B. 1999. Vol.6162. P.48−53.
- Model for micropipe formation in 6H-SiC single crystal by sublimation method / J. Liu, J. Gao, J. Cheng, J. Yang, G. Qiao // Materials Letters. 2005. Vol.59, iss. l8. P.2374−2377.
- Growth of SiC substrates / A. Powell, J. Jenny, S. Muller, H.McD.Hobgood, V. Tsvetkov, R. Lenoard, C. Carter, Jr. // Intern.J.of High Speed Electronics and Systems. 2006. Vol.16, N3.P.751−778.
- Stein R.A. Formation of macrodefects in SiC // Physica B: Condensed Matter. 1993. Vol.185, iss.1−4. P. 211−216.
- Frank F.C. Capillary Equilibria of Dislocated Crystals // Acta Crystallogr. 1951. Vol.4, iss.6. P.497−501.
- Vetter W.M., Dudley M. Micropipes and the closure of axial screw dislocation cores in silicon carbide crystals // J.Appl.Phys. 2004. Vol.96, iss.l. P.348−353.
- Golightly J.P. Hollow screw dislocation cores in silicon carbide // Z.Kristallogr. 1969. Vol.130, iss. 1—6. P.310−313.
- Sunagawa I., Bennema P. Observations of the influence of stress fields on the shape of growth and dissolution spirals // J.Cryst.Growth. 1981. Vol.53, iss.3. P.490−504.
- Tanaka H., Uemura Y., Inomata J. Observations of holes around dislocation core in SiC crystal //J.Cryst.Growth. 1981. Vol.53, iss.3. P.630−632.
- Van der Hoek B., van der Eerden J.P., Bennema P. Some methods for the quantitative estimation of crystal growth parameters from observed step patterns // J.Cryst.Growth. 1982. Vol.56, iss.l. P.108−124.
- Krishna P., Jiang S.-S., Lang A.R. An optical and X-ray topographic study of giant screw dislocations in silicon carbide // J.Cryst.Growth. 1985. Vol.71, iss.l. P.41−56.
- J.Giocondi, G.S.Rohrer, M. Skowronski, V. Balakrishna, G. Augustine, H.M.Hobgood, R.H.Hopkins MRS Symposium Proceedings. 1996. Vol.423. P.539 doi:10.1557/PROC-423−539.
- Quantitative analysis of screw dislocations in 6H-SiC single crystals / M. Dudley, W. Si, S. Wang, C. Carter, Jr, R. Glass, V. Tsvetkov // Nuovo Cimento Soc.Ital.Fis. D. 1997. Vol.19, iss.21. P.153−164.
- Formation of micropipes in SiC under kinetic aspects / J. Heindl, W. Dorsch, R. Eckstein, D. Hofmann, T. Marek, St.G.Muller, H.P.Strunk, A. Winnacker // J.Cryst.Growth. 1997. Vol.179, iss.3−4. P.510−514.
- Van der Hoek B., Van der Eerden J.P., Bennema P. Thermodynamical stability conditions for the occurrence of hollow cores caused by stress of line and planar defects // J. Crystal Growth. 1982. Vol.56, iss.3. P.621−632.
- Liu G.-Z., Van der Eerden J.P., Bennema P. The opening and closing of a hollow dislocation core: A Monte Carlo simulation // J. Crystal Growth. 1982. Vol.58, iss.l. P. 152−162.
- Srolovitz D.J., Safran S.A. Capillary equilibria of surfaces intersected by dislocations // Philos.Mag. A. 1985. Vol.52, iss.6. P.793−800.
- Physical Vapor Transport Growth and Properties of SiC Monocrystals of 4H Polytype / G. Augustine, H.McD.Hobgood, V. Balakrishna, G. Dunne, R.H.Hopkins // Phys.Stat.Solidi B. 1997. Vol.202, iss.l. P.137−148.
- Dislocations as a source of micropipe development in the growth of silicon carbide / D.I.Cherednichenko, Y.I.Khlebnikov, I.I.Khlebnikov, R.V.Drachev, T.S.Sudarshan // J.Appl.Phys. 2001. Vol.89, iss.7. P. 4139141.
- Ma X. Superscrew dislocations in silicon carbide: Dissociation, aggregation, and formation // J.Appl.Phys. 2006. Vol.99, iss.6. 63 513, 6 p.
- X-ray «magnifying» imaging investigation of giant Burgers vector micropipe-dislocations in 4H-SiC / J. Hartwig, J. Baruchel, H. Kuhn, X.-R.Huang, M. Dudley, E. Pernot // Nuclear Instr. and Methods in Physics Research B. 2003. Vol.200. P.323−328.
- Superscrew dislocation contrast on synchrotron white-beam topographs: an accurate description of the direct dislocation image / X.R.Huang, M. Dudley, W.M.Vetter, W. Huang, W. Si, C.H.Carter, Jr. // J.Appl.Crystallogr. 1999. Vol.32, iss.3. P.516−524.
- Baronnet A. Sur les origines des dislocations vis et des spirales de croissance dans les micas // J. Crystal Growth. 1973. Vol.19, iss.3. P. 193−198.
- Layer morphology and growth mechanisms in barium ferrites / G. Turner, B. Stewart, T. Baird, R.D.Peacock, A.G.Cairns-Smith // J. Crystal Growth. 1996. Vol.158, iss.3. P.276−283.
- Mahajan S. Origins of micropipes in SiC crystals / Appl.Phys.Lett. 2002. Vol.80, iss.23. P.4321—4323.
- Ma X. A method to determine superscrew dislocation structure in silicon carbide / Mater.Sci.Engineer. B. 2006. Vol.129, iss.1−3. P.216−221.
- Schulze N., Barrett D.L., Pensl G. Near-equilibrium growth of micropipe-free 6H-SiC single crystals by physical vapor transport // Appl.Phys.Lett. 1998. Vol.72, iss. l3. P.1632−1634.
- Effect of growth condition on micropipe filling of 4H-SiC epitaxial layer / K. Kojima, S. Nishizawa, S. Kuroda, H. Okumura, K. Arai // J.Cryst.Growth. 2005. Vol.275, iss.1−2. P. e549-e554.
- Structural Transformation of Screw Dislocations via Thick 4H-SiC Epitaxial Growth / I. Kamata, H. Tsuchida, T. Jikimoto, K. Izumi // Japan.J.Appl.Phys. 2000. Vol.39, N12A. P.6496−6500.
- Morphological features related to micropipe closing in 4H-SiC / R. Yakimova, N. Vouroutzis, M. Syvajarvi, J. Stoemenos // J.Appl.Phys. 2005. Vol.98, iss.3. 34 905, 6 p.
- Nakamura S., Kimoto T., Matsunami H. Effect of C/Si Ratio on Spiral Growth on 6H-SiC (0001) // Jap.J.Appl.Phys., pt 2. 2003. Vol.42, N7B. P. L846-L848.
- Influence of 4H-SiC Growth Conditions on Micropipe Dissociation / I. Kamata, H. Tsuchida, T. Jikimoto, K. Izumi // Jap.J.Appl.Phys., pt 2. 2002. Vol.41, N10B. P. LI 137-L1139.
- Micropipe-free silicon carbide and related method of manufacture / C. Basceri, C. Balkas, Y. Khlebnikov, I. Khlebnikov, H.McD. Hobgood, M.N.Silan, C.H.Carter, Jr., V. Balakrishna, R.T.Leonard, A.R.Powell // EP 2 264 223. 2010.
- Structural macro-defects in 6H-SiC wafers / R.C.Glass, L.O.Kjellberg, V.F.Tsvetkov, J.E.Sundgren, E. Janzen // J. Crystal Growth. 1993. Vol.132, iss.3−4. P.504−512.
- Evolution and structure of low-angle grain boundaries in 6H-SiC single crystals grown by sublimation method / Y. Gao, X. Hu, X. Chen, X. Xu, Y. Peng, S. Song, M. Jiang // J. Crystal Growth. 2010. Vol.312, iss.20. P.2909−2913.
- Wu P., Yoganathan M., Zwieback I. Defect evolution during growth of SiC crystals // J. Crystal Growth. 2008. Vol.310, iss.7−9. P.1804−1809.
- Behavior of Basal Plane Dislocations and Low Angle Grain Boundary Formation in Hexagonal Silicon Carbide / Y. Chen, G. Dhanaraj, W. Vetter, R. Ma, M. Dudley // Mater.Sci.Forum. 2007. Vol.556−557. P.231−234.
- Structural properties of subgrain boundaries in bulk SiC crystals / M. Katsuno, N. Ohtani, T. Aigo, T. Fujimoto, H. Tsuge, H. Yashiro, M. Kanaya // J. Crystal Growth. 2000. Vol.216, iss.1−4. P.256−262.
- Cubic polytype inclusions in 4H-SiC / H. Iwata, U. Lindefelt, S. Oberg, P.R.Briddon // J.Appl.Phys. 2003. Vol.93, iss.3. P.1577−1585.
- Miao M.S., Limpijumnong S., Lambrecht W.L. Stacking fault band structure in 4H-SiC and its impact on electronic devices // Appl.Phys.Lett. 2001. Vol.79, iss.26. P.4360^1362.
- Iwata H. Stacking Faults in Silicon Carbide // Ph D thesis, Linkoping universitet. 2003.
- Ab initio study of 3C inclusions and stacking fault-stacking fault interactions in 6H-SiC / H. Iwata, U. Lindefelt, S. Oberg, P.R.Briddon // J.Appl.Phys. 2003. Vol.94, iss.8. P.4972−4979.
- Quantum well behavior of single stacking fault 3C inclusions in 4H-SiC p-i-n diodes studied by ballistic electron emission microscopy / K.-B.Park, J.P.Pelz, J. Grim, M. Skowronski // Appl.Phys.Lett. 2005. Vol.87, iss.23. 232 103, 3 p.
- Новиков И.И. Дефекты кристаллического строения металлов. М.: Металлургия. 1975.
- Theoretical Calculation of Stacking Fault Energies in Silicon Carbide / H. Iwata, U. Lindefelt, S. Oberg, P.R.Briddon// Mater.Sci.Forum. 2002. Vol.389−393. P.439−442.
- Feng G., Suda J., Kimoto T. Characterization of major in-grown stacking faults in 4H-SiC epilayers // Physica B. 2009. Vol.404, iss.23−24. P.4745^1748.
- Nitrogen doping and multiplicity of stacking faults in SiC / P. Pirouz, M. Zhang, H.McD.Hobgood, M. Lancin, J. Douin, B. Pichaud // Phil.Mag. 2006. Vol.86, iss.29−31. P.4685^1697.
- Structure of recombination-induced stacking faults in high-voltage SiC p-n junctions / J.Q.Liu, M. Skowronski, C. Hallin, R. Soderholm, H. Lendenmann // Appl.Phys.Lett. 2002. Vol.80, iss.5. P.749−751.
- Alexander H. Dislocations in Solids, Vol.7 ed. by F.R.N.Nabarro, Amsterdam: Elsevier, 1986. P. 114−234.
- Structure and motion of basal dislocations in silicon carbide / A.T.Blumenau, C.J.Fall, R. Jones, S. Oberg, T. Frauenheim, P.R.Briddon//Phys.Rev. B. 2003. Vol.68, iss.17. 174 108, 14 p.
- Defects in plastically deformed 6H SiC single crystals studied by transmission electron microscopy / K. Maeda, K. Suzuki, S. Fujita, M. Ichihara, S. Hyodo // Phylos.Mag. A. 1988. Vol.57, iss.4. P.573−592.
- Basal plane partial dislocations in silicon carbide / A.T.Blumenau, R. Jones, S. Oberg, P.R.Briddon, T. Frauenheim // Physica B. 2003. Vol.340−342. P. 160−164.
- Electron-beam-induced current study of stacking faults and partial dislocations in 4H-SiC Schottky diode / B. Chen, J. Chen, T. Sekiguchi, T. Ohyanagi, H. Matsuhata, A. Kinoshita, H. Okumura, F. Fabbri // Appl.Phys.Lett. 2008. Vol.93, iss.3. 33 514, 3 p.
- Sublimation growth of 6H- and 4H-SiC single crystals in the lloo. and [1120] directions / J. Takahashi, N. Ohtani, M. Katsuno, S. Shinoyama // J. Crystal Growth. 1997. Vol.181, iss.3. P.229−240.
- Feng G., Suda J., KimotoT. Characterization of stacking faults in 4H-SiC epilayers by room-temperature microphotoluminescence mapping // Appl.Phys.Lett. 2008. Vol.92, iss.22. 221 906, 3 p.
- Feng G., Suda J., KimotoT. Triple Shockley type stacking faults in 4H-SiC epilayers // Appl.Phys.Lett. 2009. Vol.94, iss.9. 91 910, 3 p.
- Cathodoluminescence study of the properties of stacking faults in 4H-SiC homoepitaxial layers / S. Maximenko, J.A.Freitas, Jr., P.B.Klein, A. Shrivastava, T.S.Sudarshan // Appl.Phys.Lett. 2009. Vol.94, iss.9. 92 101, 3 p.
- Structural analysis and reduction of in-grown stacking faults in 4H-SiC epilayers / S. Izumi, H. Tsuchida, I. Kamata, T. Tawara// Appl.Phys.Lett. 2005. Vol.86, iss.20. 202 108, 3 p.
- Tsuchida H., Kamata I., Nagano M. Formation of basal plane Frank-type faults in 4H-SiC epitaxial growth // J. Crystal Growth. 2008. Vol.310, iss.4. P.757−765.
- Characterization of in-grown stacking faults in 4H-SiC (0001) epitaxial layers and its impacts on high-voltage Schottky barrier diodes / H. Fujiwara, T. Kimoto, T. Tojo, H. Matsunami // Appl.Phys.Lett. 2005. Vol.87, iss.5. 51 912, 3 p.
- Observation of stacking faults formed during homoepitaxial growth of p-type 4H-SiC / H.K.Song, J.H.Moon, H.J.Kim, M. Mehregany // Appl.Phys.Lett. 2009. Vol.94, iss. l 1. 112 109, 3 p.
- Structural and electronic characterization of (2,33) bar-shaped stacking fault in 4H-SiC epitaxial layers / M. Camarda, A. Canino, A. La Magna, F. La Via, G. Feng, T. Kimoto, M. Aoki, H. Kawanowa//Appl.Phys.Lett. 2011. Vol.98, iss.5. 51 915, 3 p.
- Galeckas A., Linnros J., Pirouz P. Recombination-enhanced extension of stacking faults in 4H-SiC p-i-n diodes under forward bias // Appl.Phys.Lett. 2002. Vol.81, iss.5. P.883−886.
- Core structure and properties of partial dislocations in silicon carbide p-i-n diodes / S. Ha, M. Benamara, M. Skowronski, H. Lendenmann // Appl.Phys.Lett. 2003. Vol.83, iss.24.P.4957−4959.
- Maximenko S.I., Pirouz P., Sudarshan T.S. Investigation of the electrical activity of partial dislocations in SiC p-i-n diodes // Appl.Phys.Lett. 2005. Vol.87, iss.3. 33 503, 3 p.
- Maximenko S.I., Sudarshan T.S. Stacking fault nucleation sites in diffused 4H-SiC p-i-n diodes // Appl.Phys.Lett. 2005. Vol.97, iss.7. 74 501, 3 p.
- Konstantinov A.O., Bleichner H. Bright-line defect formation in silicon carbide injection diodes // Appl.Phys.Lett. 1997. Vol.71, iss.25. P.3700−3702.
- Structural instability of 4H-SiC polytype induced by n-type doping / J.Q.Liu, H.J.Chung, T. Kuhr, Q. Li, M. Skowronski // Appl.Phys.Lett. 2002. Vol.80, iss.12. P.2111−2113.
- Stacking fault formation in SiC p-i-n diodes of (11−20) orientation / S. Ha, K. Hu, M. Skowronski, J.J.Sumakeris, M.J.Paisley, M.K.Das//Appl.Phys.Lett. 2004. Vol.84, iss.25. P.5267−5269.
- Maeda K., Takeuchi S. in Dislocations in Solids, ed. by F.R.N.Nabarro and M.S.Duesbery, Amsterdam: North-Holland. 1996. Chap.10. P.443−504.
- Differences in emission spectra of Si- and C-core partial dislocations / K.X.Liu, R.E.Stahlbush, S.I.Maximenko, J.D.Caldwell // Appl.Phys.Lett. 2007. Vol.90, iss.15. 153 503, 3 p.
- Long Term Operation of 4.5kV PiN and 2.5kV JBS Diodes / H. Lendenmann, F. Dahlquist, N. Johansson, R. Soderholm, P.A.Nilsson, J.P.Bergman, P. Skytt // Mater.Sci.Forum. 2001. Vol.353−356. P.727−730.
- Approaches to Stabilizing the Forward Voltage of Bipolar SiC Devices / J.J.Sumakeris, M. Das, H.McD.Hobgood, S.G.Muller, M.J.Paisley, S. Ha, M. Skowronsky, J.W.Palmour, C.H.Carter, Jr. // Mater.Sci.Forum. 2004. Vol.457−460. P. l 113−1116.
- Pirouz P., Yang J.W. Polytypic transformations in SiC: the role of TEM // Ultramicroscopy. 1993. Vol.51, iss.1−4. P.189−214.
- Recombination-enhanced defect motion in forward-biased 4H-SiC p-n diodes / M. Skowronski, J.Q.Liu, W.M.Vetter, M. Dudley, C. Hallin, H. Lendenmann // J.Appl.Phys. 2002. Vol.92, iss.8. P.4699−4704.
- Properties and origins of different stacking faults that cause degradation in SiC PiN diodes / H. Jacobson, J.P.Bergman, C. Hallin, E. Janzen, T. Tuomi, H. Lendenmann // J.Appl.Phys. 2004. Vol.95, iss.3. P.1485−1488.
- Observations of the influence of threading dislocations on the recombination enhanced partial dislocation glide in 4H-silicon carbide epitaxial layers / Y. Chen, M. Dudley, K.X.Liu, R.E.Stahlbush // Appl.Phys.Lett. 2007. Vol.90, iss. l7. 171 930, 3 p.
- Formation and properties of stacking faults in nitrogen-doped 4H-SiC / K. Irmscher, M. Albrecht, M. Rossberg, H.-J.Rost, D. Siche, G. Wagner // Physica B. 2006. Vol.376−377. P.338−341.
- Structural and electrical studies of partial dislocations and stacking faults in (11−20)-oriented 4H-SiC / L. Ottaviani, H. Idrissi, P. Hidalgo, M. Lancin, B. Pichaud // Phys.Stat.Sol.©. 2005. Vol.2, iss.6. P. 1792−1796.
- Miao M.S., Lambrecht W.R.L. Stacking Faults and 3C Quantum Wells in Hexagonal SiC Polytypes // Materials Science Forum. 2006. Vol.527−529. P.351−354.
- Lambrecht W.R.L., Miao M.S. Electronic driving force for stacking fault expansion in 4H-SiC // Phys.Rev. B. 2006. Vol.73, iss.15. 155 312, 6 p.
- Lindefelt U., Iwata H. in Recent Major Advances in SiC, ed. by W.J.Choyke, H. Matsunami, G. Pensl Berlin: Springer. 2003. P. 1−28.
- Study of Shockley partial dislocation mobility in highly N-doped 4H-SiC by cantilever bending / H. Idrissi, G. Regula, M. Lancin, J. Douin, B. Pichaud // Physica Status Solidi ©. 1998. Vol.2, iss.6. P. 1998−2003.
- Effect of charge on the movement of dislocations in SiC / T.A.G.Eberlein, R. Jones, A.T.Blumenau, S. Oberg, P.R.Briddon // Appl.Phys.Lett. 2006. Vol.88, iss.8. 82 113, 3 p.
- Effect of vapor composition on polytype homogeneity of epitaxial silicon carbide /
- A.O.Konstantinov, C. Hallin, O. Kordina, E. Janzen // J.Appl.Phys. 1996. Vol.80, iss.10. P.5704−5712.
- Temperature induced polytype conversion in cubic silicon carbide studied by Raman spectroscopy / R. Pusche, M. Hundhausen, L. Ley, K. Semmelroth, F. Schmid, G. Pensl, H. Nagasawa // J.Appl.Phys. 2004. Vol.96, iss.10. P.5569−5575.
- Multi-analytical study of syntactic coalescence of polytypes in a 6H-SiC sample / G. Agrosi, G. Tempesta, G.C.Capitani, E. Scandale, D. Siche // J. Crystal Growth. 2009. Vol.311, iss.23−24. P.4784—4790.
- Dislocation processes during SiC bulk crystal growth / N. Ohtani, M. Katsuno, H. Tsuge, T. Fujimoto, M. Nakabayashi, H. Yashiro, M. Sawamura, T. Aigo, T. Hoshino // Microelectron.Eng. 2006. Vol.83, iss.l. P.142−145.
- Macrodefect Generation in SiC Single Crystals Caused by Polytype Changes / H.J.Rost, J. Doerschel, D. Schulz, D. Siche, J. Wollweber// Mater.Sci.Forum. 2002. Vol.389−393. P.67−70.
- R.Yakimova, T. Iakimov, M. Syvajari, H. Jacobsson, P. Raback, A. Vehanen, E. Janzen MRS Symp.Proc. 1999. Vol.572. P.265 doi:10.1557/PROC-572−265.
- The Nucleation of Polytype Inclusions during the Sublimation Growth of 6H and 4H Silicon Carbide / E. Sanchez, A. Kopec, S. Poplawski, R. Ware, S. Holmes, S. Wang, A. Timmerman // Mater.Sci.Forum. 2002. Vol.389−393. P.71−74.
- Evolution of domain walls in 6H- and 4H-SiC single crystals / D. Siche, H.-J.Rost, J. Doerschel, D. Schulz, J. Wollweber // J. Crystal Growth. 2002. Vol.237−239, pt. 2. P. l 187−1191.
- Stein R.A., Lanig P. Control of polytype formation by surface energy effects during the growth of SiC monocrystals by the sublimation method // J. Crystal Growth. 1993. Vol.131, iss. 1−2. P.71−74.
- Defects in sublimation-grown SiC bulk crystals / R. Madar, E. Pernot, M. Anikin, M. Pons //J.Phys.: Condens.Matter. 2002. Vol.14, N48. P. 13 009−13 018.
- Polytype formation in silicon carbide single crystals / X.-B.Li, E.-W. Shi, Z.-Z.Chen,
- B.Xiao // Diamond and Related Materials. 2007. Vol.16, iss.3. P.654−657.
- Nakashima S., Harima H. Raman Investigation of SiC Polytypes // Phys.Stat.Solidi (a). 1997. Vol.162, iss.l. P.39−64.
- Controllable 6H-SiC to 4H-SiC polytype transformation during PVT growth / E.Y.Tupitsyn, A. Arulchakkaravarthi, R.V.Drachev, T.S.Sudarshan // J.Crys.Growth. 2007. Vol.299, iss.l. P.70−76.
- Controlled sublimation growth of single crystalline 4H-SiC and 6H-SiC and identification of polytypes by X-ray diffraction / M. Kanaya, J. Takahashi, Yu. Fujiwara, A. Moritani // Appl.Phys.Lett. 1991. Vol.58, iss.l. P.56−58.
- Polytype stability in seeded sublimation growth of 4H-SiC boules / R. Yakimova, M. Syvajarvi, T. Iakimov, H. Jacobson, R. Raback, A. Vehanen, E. Janzen // J.Crys.Growth. 2000. Vol.217, iss.3. P.255−262.
- Tairov Yu.M., Tsvetkov V.F. Progress in controlling the growth of polytypic crystals // Progr. Crystal Growth Charact. 1983. Vol.4, iss.11. P. l 11−162.
- Fissel A. Thermodynamic considerations of the epitaxial growth of SiC polytypes // J.Crys.Growth. 2000. Vol.212, iss.l. P.438−450.
- Polytype stability and defects in differently doped bulk SiC / E. Schmitt, T. Straubinger, M. Rasp, M. Vogel, A. Wohlfart // J.Crys.Growth. 2008. Vol.310, iss.5. P.966−970.
- Yakimova R., Syvajarvi M., Janzen E. Wetting Properties and Interfacial Energies in Liquid Phase Growth of a-SiC // Mater.Sci.Forum. 1998. Vol.264−268. P.159−162.
- Matsunami H., Kimoto T. Step-controlled epitaxial growth of SiC: High quality homoepitaxy // Mater.Sci.Eng. R. 1997. Vol.20, iss.3. P.125−166.
- Extended study of the step-bunching mechanism during the homoepitaxial growth of SiC / M. Camarda, A. La Magna, A. Severino, F. La Via // Thin Solid Films. 2010. Vol.518, iss.6. P. S159-S161.
- Kimoto T., Itoh A., Matsunami H. Step bunching in chemical vapor deposition of 6H-and 4H-SiC on vicinal SiC (0001) faces // J.Appl.Phys. 1995. Vol.66, iss.26. P.3645−3647.
- Step formation on hydrogen-etched 6H-SiC{0 0 0 1} surfaces / S. Nie, C.D.Lee, R.M.Feenstra, Y. Ke, R.P.Devaty, W.J.Choyke, C.K.Inoki, T.S.Kuan, G. Gu // Surf.Sci. 2008. Vol.602, iss. l7. P.2936−2942.
- Step bunching mechanism in chemical vapor deposition of 6H- and 4H-SiC{0001} / T. Kimoto, A. Itoh, H. Matsunami, T. Okano // J.Appl.Phys. 1997. Vol.81, iss.8. P.3494−3501.
- Ehrlich G., Hudda F.G. Atomic View of Surface Self? Diffusion: Tungsten on Tungsten //J.Chem.Phys. 1966. Vol.44, iss.3. P.1039−1049.
- Schwoebel R.L., Shipsey E.J. Step Motion on Crystal Surfaces // J.Appl.Phys. 1966. Vol.37, iss.10. P.3682−3686.
- Evolution of macrosteps on 6H-SiC (0001): Impurity-induced morphological instability of step trains / N. Ohtani, M. Katsuno, J. Takahashi, H. Yashiro, M. Kanaya // Phys.Rev. B. 1999. Vol.59, iss.7. P.4592−4595.
- Study of 4H- and 6H-SiC films grown on off-oriented (0 0 0 1) SiC substrates / V. Papaioannou, J. Stoemenos, L. Di Cioccio, D. David, C. Pudda // J.Crys.Growth. 1998. Vol.194, iss.3−4. P.342−352.
- Vicinal and on-axis surfaces of 6H-SiC (0001) thin films observed by scanning tunneling microscopy / S. Tanaka, R.S.Kern, R.F.Davis, J.F.Wendelken, J. Xu // Surf.Sci. 1996. Vol.350, iss.1−3. P.247−253.
- Heine V., Cheng C., Needs R.J. The Preference of Silicon Carbide for Growth in the Metastable Cubic Form // J.Amer.Ceram.Soc. 1991. Vol.74, iss.10. P.2630−2633.
- Terrace growth and polytype development in epitaxial p-SiC films on a-SiC (6H and 15R) substrates / F.R.Chien, S.R.Nutt, W.S.Yoo, T. Kimoto, H. Matsunami // J.Mater.Res. 1994. Vol.9, iss.4. P.940−954.
- Stout P.J. Modeling surface kinetics and morphology during 3C, 2H, 4H, and 6H-SiC (111) step-flow growth//J. Vac.Sci.Technol. A. 1998. Vol.16, iss.6. P.3314−3327.
- Frisch T., Verga A. Kinetic Step Bunching Instability during Surface Growth // Phys.Rev.Lett. 2005. Vol.94, iss.22. 226 102, 4 p.
- Heuell P., Kulakov M.A., Bullemer B. Stepped morphology on 4H and 15R silicon carbide: modelling by a random walk // Surf.Sci. 1995. Vol.331−333, pt.B. P.965−970.
- Borovikov V., Zangwill A. Step bunching of vicinal 6H-SiC{0001} surfaces // Phys.Rev. B. 2009. Vol.79, iss.24. 245 413, 9 p.
- Surface-induced stacking transition at SiC (0001) / M.C.Righi, C.A.Pignedoli, G. Borghi, R. Di Felica, C.M.Bertoni, A. Catellani // Phys.Rev. B. 2002. Vol.66, iss.4. 45 320, 7 p.
- Pechman R.J., Wang X.-S., Weaver J.H. Interactions of Br with Si (lll)-7×7: Chemisorption, step retreat, and terrace etching // Phys.Rev. B. 1995. Vol.52, iss.15. P.11 412−11 423.
- Preparation of atomically flat surfaces on silicon carbide using hydrogen etching / V. Ramachandran, M.F.Brady, A.R.Smith, R.M.Feenstra, D.W.Greve // J.Electron.Mater. 1998. Vol.27, N4. P.308−312.
- Observation of polytype stability in different-impurities-doped 6H-SiC crystals / S. Lin, Z. Chen, X. Feng, Y. Yang, L. Li, Z. Wang, P. Pan, J. Wan, H. Wang, Y. Ba, Y. Ma, Q. Li // Diamond and Related Materials. 2011. Vol.20, iss.4. P.516−519.
- Site-Competition Epitaxy for Controlled Doping of CVD Silicon Carbide / D.J.Larkin, P.G.Neudeck, J.A.Powell, L.G.Matus // Inst.Phys.Conf.Ser. 1994. Vol.137. P.51−54.
- Tennenhouse G.J., Mangels J.A. The interaction of nitrogen with carbon in furnaces operating at high pressures and temperatures // J.Mater.Sci.Lett. 1982. Vol.1, N7. P.282−284.
- On the Early Stages of Sublimation Growth of 4H-SiC Using 8° Off-Oriented Substrates / D. Schulz, M. Lechner, H.-J, Rost, D. Siche, J. Wollweber // Mater.Sci.Forum. 2003. Vol.433−436. P. 17−20.
- Influence of nitrogen doping on the properties of 4H-SiC single crystals grown by physical vapor transport / H.-J.Rost, J. Doerschel, K. Irmscher, D. Schulz, D. Siche // J.Crys.Growth. 2003. Vol.257, iss.1−2. P.75−83.
- Polytype stability in nitrogen-doped PVT—grown 2"—4H-SiC crystals / H.-J.Rost, J. Doerschel, K. Irmscher, M. Rossberg, D. Schulz, D. Siche // J.Crys.Growth. 2005. Vol.275, iss.1−2. P. e451-e454.
- Domain formation during syntaxy of polytypes of silicon carbide / D.D.Avrov, S.I.Dorozhkin, A.O.Lebedev, Yu.M.Tairov // Semiconductors. 2007. Vol.41, iss.12. P.1389−1393.
- Micropipes and polytypism as a source of lateral inhomogeneities in SiC substrates / S.G.Muller, R. Eckstein, D. Hofmann, E. Schmitt, W. Schoierer, A. Winnacker, W. Dorsch, H.P.Strunk // Mater. Science and Engineer. B. 1997. Vol.44, iss.1−3. P.392−394.
- Growth of Micropipe-Free Single Crystal Silicon Carbide (SiC) Ingots Via Physical Vapor Transport (PVT) / C. Basceri, I. Khlebnikov, Y. Khlebnikov, P. Muzykov, M. Sharma, G. Stratiy, M. Silan and C. Balkas // Mater.Sci.Forum. 2006. Vol.527−529. P.39−42.
- Controlled Growth of Bulk 15R-SiC Single Crystals by the Modified Lely Method / N. Shulze, D. Barrett, M. Weidner, G. Pensl // Mater.Sci.Forum. 2000. Vol.338−342. P. l 11−114.
- Crystal Growth of 15R-SiC and Various Polytype Substrates / T. Nishiguchi, T. Shimizu, M. Sasaki, S. Nishino // Mater.Sci.Forum. 2001. Vol.353−356. P.69−72.
- Polytype Control in 6H-SiC Grown via Sublimation Method / X. Li, S. Jiang, X. Hu, J. Dong, J. Li, X. Chen, L. Wang, X. Xu, M. Jiang // Mater.Sci.Forum. 2006. Vol.527−529. P.95−98.
- Study of SiC polytype heterojunctions / E.E.Eshun, M.G.Spencer, J. Griffin, P. Zhou, G.L.Harris // Mater.Sci.Eng. B. 2003. Vol.98, iss.l. P.65−69.
- Lebedev A.A. Heteroj unctions and superlattices based on silicon carbide // Semicond.Sci.Technol. 2006. Vol.21, N6. P. R17-R34.
- Grasza K., Tymicki E. Application of 6H to 4H Polytype Conversion to Effective Reduction of Micropipes in 4H SiC Crystals // Mater.Sci.Forum. 2007. Vol.600−603. P.31−34.
- Bakin A.S., Dorozhkin S.I. State- of-the-art in Defect Control of Bulk SiC // Proc.1998 High Temperature Electronic Materials, Devices and Sensors Conference (San Diego, USA). 1998. P.2−13.
- Investigation on small growth pits in 4H silicon carbide epilayers / X. Ma, H. Chang, Q. Zhang, T. Sudarshan // J. Crystal Growth. 2005. Vol.279, iss.3^. P.425-^32.
- Crystallographic defects under device-killing surface faults in a homoepitaxially grown film of SiC / T. Okada, T. Kimoto, K. Yamai, H. Matsunami, F. Inoko // Mater.Sci.Eng. A. 2003. Vol.361, iss.1−2. P.67−74.
- Photoluminescence and Electroluminescence Imaging of Carrot Defect in 4H-SiC Epitaxy / K.X.Liu, R.E.Stahlbush, M.E.Twigg, J.D.Caldwell, E.R.Glazer, K.D.Hobart, F.J.Kub // J.Electron.Mater. 2007. Vol.36, N4. P. 297−306.
- Kimoto T., Miyamoto N., Matsunami H. Performance limiting surface defects in SiC epitaxial p-n junction diodes // IEEE Trans.Electron.Devices. 1999. Vol.46, iss.3. P.471177.
- Characterization of the carrot defect in 4H-SiC epitaxial layers / J. Hassan, A. Henry, P.J.McNally, J.P.Bergman // J. Crystal Growth. 2010. Vol.312, iss. l 1. P. 1828−1837.
- Structure of the carrot defect in 4H-SiC epitaxial layers / M. Benamara, X. Zhang, M. Skowronski, P. Ruterana, G. Nouet, J.J.Sumakeris, M.J.Paisley, M.J.O'Loughlin // Appl.Phys.Lett. 2005. Vol.86, iss.2. 21 905, 3 p.
- Cross-sectional structure of carrot defects in 4H-SiC epilayers / X. Zhang, S. Ha, M. Benamara, M. Skowronski, M.J.O'Loughlin, J.J.Sumakeris // Appl.Phys.Lett. 2004. Vol.85, iss.22. P.5209−5211.
- O’Loughlin M.J., Sumakeris S.S. Reduction of carrot defects in silicon carbide epitaxy // US Patent 7,230,274 B2 (2007).
- Das H., Melnychuk G., Koshka Y. Triangular defects in the low-temperature halo-carbon homoepitaxial growth of 4H-SiC // J. Crystal Growth. 2010. Vol.312, iss.12−13. P.1912−1919.
- Low-temperature homoepitaxial growth of 4H-SiC with CH3C1 and SiC14 precursors / S. Kotamraju, B. Krishnan, G. Melnychuk, Y. Koshka//J.Crystal Growth. 2010. Vol.312, iss.5. P.645−650.
- Investigations of 3C-SiC inclusions in 4H-SiC epilayers on 4H-SiC single crystals / W. Si, M. Dudley, H.S.Kong, J. Sumakeris, C. Carter // J.Electron.Mater. 1997. Vol.26, N3. P.151−159.
- Study of triangular defects and inverted pyramids in 4H-SiC 4° off-cut (0 0 0 1) Si face epilayers / A. Shrivastava, P. Muzykov, J.D.Caldwell, T.S.Sudarshan // J. Crystal Growth. 2008. Vol.310, iss.20. P.4443—4450.
- Berechman R.A., Skowronski M., Zhang Q. Electrical and structural investigation of triangular defects in 4H-SiC junction barrier Schottky devices // J.Appl.Phys. 2009. Vol.105, iss.7. 74 513, 7 p.
- Epitaxial Growth of High-Quality 4H-SiC Carbon-Face by Low-Pressure Hot-Wall Chemical Vapor Deposition / K. Kojima, T. Suzuki, S. Kuroda, J. Nishio, K. Arai // Jap.J.Appl.Phys. 2003. Vol.42, Part 2, N6B. P. L637-L639.
- Miyanagi Т., Nishino S. Hot-Wall CVD Growth of 4H-SiC Using Si2Cl6+C3H8+H2 System // Mater.Sci.Forum. 2001. Vol.389−393. P.199−202.
- Kimoto Т., Matsunami H. Surface kinetics of adatoms in vapor phase epitaxial growth of SiC on 6H-SiC{0001} vicinal surfaces // J.Appl.Phys. 1994. Vol.75, iss.2. P.850−859.
- The origin of 3C polytype inclusions in epitaxial layers of silicon carbide grown by chemical vapour deposition / C. Hallin, A.O.Konstantinov, B. Pecz, O. Kordina, E. Janzen // Diamond and Related Materials. 1997. Vol.6, iss.10. P. 1297−1300.
- Kelly J. F., Fisher G. R., Barnes P. Correlation between layer thickness and periodicity of long polytypes in silicon carbide // Mater.Res.Bull. 2005. Vol.40, iss.2. P.249−255.
- Гасилова E. Б. Исследование кристаллов карбида кремния полихроматическим методом // Труды института кристаллографии. 1956. Вып. 12. С.41−58.
- Рост слитков карбида кремния политипа 4Н на затравках с плоскостью (10−10) / Д. Д. Авров, А. В. Булатов, С. И. Дорожкин, А. О. Лебедев, Ю. М. Таиров // ФТП. 2008. Т.42, вып.12. С.1483−1487.
- Об оптимизации структурного совершенства слитков карбида кремния политипа 4Н / Д. Д. Авров, С. И. Дорожкин, А. О. Лебедев, Ю. М. Таиров, А. С. Трегубова, А. Ю. Фадеев // ФТП. 2009. Т.43, № 9. С. 1288−1294.
- Anisotropy of dissolution and defect revealing on SiC surfaces / M. Syvajarvi, R. Yakimova, A.-L.Hylen, E. Janzen//J.Phys.: Condens.Matter. 1999. Vol.11. 10 041.
- An analysis of seed graphitization for sublimation growth of SiC bulk crystal / H. Li, X.L.Chen, D.Q.Ni, X. Wu // Diamond and Related Materials. 2004. Vol.13, iss.l. P.151−156.
- Effects of graphitization degree of crucible on SiC single crystal growth process / J. Liu, J. Gao, J. Cheng, J. Yang, G. Qiao // Diamond and Related Materials. 2006. Vol.15, iss.l. P. 117−120.
- Investigation of mass transport during PVT growth of SiC by 13C labeling of source material / Z.H.Herro, P.J.Wellmann, R. Pusche, M. Hundhausen, L. Ley, M. Maier, P. Masri, A. Winnacker // J. Crystal Growth. 2003. Vol.258, iss.3−4. P.261−267.
- M.M.Anikin, R. Madar, A. Rouault, I. Garcon, L. Di Cioccio, J.L.Robert, J. Camassel, J.M.Bluet // InstPhys.Conf.Series: Silicon Carbide and Related Materials 1995. 1996. Vol.142. P.33−36.
- Karpov S.Yu., Makarov Yu.N., Ramm M.S. Simulation of Sublimation Growth of SiC Single Crystals // Phys.Stat.Sol. B. 1997. Vol.202, iss.l. P.201−220.
- Use of Ta-Container for Sublimation Growth and Doping of SiC Bulk Crystals and Epitaxial Layers / Yu.A.Vodakov, A.D.Roenkov, M.G.Ramm, E.N.Mokhov, Yu.N.Makarov // Phys.Stat.Solidi B. 1997. Vol.202, iss.l. P. 177−200.
- Варгафтик Н.Б. Справочник по теплофизическим свойствам газов и жидкостей, М.: Наука, 1972.
- Integrated process modeling and experimental validation of silicon carbide sublimation growth/ R.-H.Ma, H. Zhang, S. Ha, M. Skowronski // J. Crystal Growth. 2003. Vol.252, iss.4. P.523−537.
- Франк-Каменецкий Д. А. Диффузия и теплопередача в химической кинетике, М.: Наука, 1987.
- Thermophoresis of particles in a heated boundary layer // L. Talbot, R.K.Cheng, R.W.Schefer, D.R.Willis // J. Fluid Mech. 1980. Vol.101, N4. P.737−758.
- Грошковский Я. Техника высокого вакуума. M.: Мир, 1975.
- Nakamura D. Reduction of Dislocations in the Bulk Growth of SiC Crystals // Materials Science Forum. 2006. Vol.527−529. P.3−8.
- Growth and Characterization of High-Quality 6H-SiC (0115) Bulk Crystals / O. Filip, B.M.Epelbaum, M. Bickermann, A. Winnacker // Material Science Forum. 2007. Vol.556−557. P. l7−20.
- Defect formation in silicon carbide large-scale ingots grown by sublimation technique / D.D.Avrov, A.V.Bulatov, S.I.Dorozhkin, A.O.Lebedev, Yu.M.Tairov // J.Cryst.Growth. 2005. Vol.275, iss. l—2. P. e485-e489.
- Lele S., Prasad В., Anantharaman T.R. X-ray diffraction from double hexagonal close-packed crystals with deformation stacking fault // Acta Cryst.A. 1969. Vol.25. P.471−475.
- Kasper J.S., Lonsdale K., ed. International Tables for X-Ray Crystallography, Vol.2: Mathematical Tables. Birmingham: The Kynoch Press, 1952.
- Tairov Yu.M., Tsvetkov V.F. General principles of growing large-size single crystals of various silicon carbide polytypes // J. Crystal Growth. 1981. Vol.52, Part 1. P. 146−150.
- Method for growing single crystal silicon carbide / Yu.A.Vodakov, E.N.Mokhov, M.G.Ramm, A.D.Roenkov, Yu.N.Makarov, S.Yu.Karpov, M.S.Ramm, L.I.Temkin // US20020083890 (2002).
- Niobium crucible fabrication and treatment / Yu.A.Vodakov, E.N.Mokhov, M.G.Ramm, A.D.Roenkov, Yu.N.Makarov, S.Yu.Karpov, M.S.Ramm, L.I.Temkin // US20020059902 (2002).
- О включениях углерода при выращивании слитков карбида кремния модифицированным методом Лэли / Д. Д. Авров, С. И. Дорожкин, Ю. М. Таиров, А. Ю. Фадеев, А. О. Лебедев // Известия вузов. Электроника. 2008. N2. С.23−31.
- ГОСТ 2409–95. Огнеупоры. Метод определения кажущейся плотности, открытой и общей пористости, водопоглощения.
- Грег С., Синг К. Адсорбция. Удельная поверхность. Пористость, М.: Мир, 1970.
- Абрамович Б.Г., Гольдштейн В. Л. Интенсификация теплообмена излучением с помощью покрытий, М.: Энергия, 1977.
- Stability Criteria for 4H-SiC Bulk Growth / T.L.Straubinger, M. Bickermann, D. Hofmann, R. Weingartner, P.J.Wellmann, A. Winnacker // Mater.Sci.Forum. 2001. Vol.353−356. P.25−28.
- Silicon carbide single crystal ingot, producing method thereof and method for mounting seed crystal for growing silicon carbide single crystal /N. Otani, M. Katsuno, T. Fujimoto, T. Aigo, H. Yashiro // Patent JP2002308697 (2002).
- Method of and device for producing silicon carbide single crystal / Нага K., Futatsuyama K., Onda S., Hirose F., Oguri H" Sugiyama N. // Patent JP 2 001 114 598 (A) (2001).
- Production of silicon carbide single crystals / Y. Kito, К. Нага, T. Hanazawa, N. Kamiya // Patent JP11268994 (A) (1999).
- One hundred millimeter single crystal silicon carbide wafer / H.M.Hobgood, J.R.Jenny, D.P.Malta, V.F. Tsvetkoff, C.H.Carter, R.T.Leonard, G.J.Fechko // Patent US 7,323,051 (2008).
- Способ получения монокристаллического SiC / Д. Д. Авров, С. И. Дорожкин, А. О. Лебедев, Ю. М. Таиров // Патент РФ 2 433 213 (2010).
- Hidemi О., Fusao H. Apparatus and method for producing silicon carbide single crystal // Patent JP 2 000 264 795 (2000).
- Tsvetkov V.F., Malta D.P. Method and apparatus for the production of silicon carbide crystals //Patent W02006124103 (2006).
- Kondo H., Matsui M., Hirose F. Method and apparatus for producing silicon carbide single crystal // Patent JP2007320794 (2007).
- Graphite crucible for growing silicon carbide single crystal and apparatus for producing silicon carbide single crystal / H. Tsuge, N. Otani, M. Katsuno, T. Fujimoto, M. Nakabayashi // Patent JP2008115033 (2008).
- Davis R.F., Carter C.H., Hunter C.E. Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide // Patent US4866005 (1989).
- Способ получения монокристаллического SiC / Д. Д. Авров, С. И. Дорожкин, А. О. Лебедев, В. В. Лучинин, О. В. Посредник, Ю. М. Таиров, А. Ю. Фадеев // Патент РФ 2 405 071 (2009).
- Ab initio study of the physical properties of binary SimCn (m+n<5) nanoclusters / P. S.Yadav, R.K.Yadav, S. Agrawal, B.K.Agrawal // J.Phys.: Condens.Matter. 2006. Vol.18, iss.31. 7085.
- Ab Initio Studies of the Surface Reaction of Si2C and SiC2 with Si on the 4H-SiC (0001) Surface / H. Yamaguchi, Y. Sakiyama, E. Makino, S. Onda, Y. Matsumoto // Mater.Sci.Forum. 2006. Vol.527−529. P.235−238.
- Jepps N.W., Page T.F. 9R-HREM observations of a new silicon carbide polytype // J.Amer.Ceram.Soc. 1980. Vol.63, iss.1−2. P.102−103.
- Jepps N.W., Smith D.J., Page T.F. The direct identification of stacking sequences in silicon carbide polytypes by high-resolution electron microscopy // Acta Crystallogr. A. 1979. Vol.35, part 6. P.916−923.
- Кабанов B.A., Зубов В. П., Семчиков Ю. Д. Комплексно-радикальная полимеризация, М.: Химия, 1987.
- The (OOOl)-surface of 6H-SiC: morphology, composition and structure / U. Starke, Ch. Bram, P.-R.Steiner, W. Hartner, L. Hammer, K. Heinz, K. Muller // Appl.Surf.Sci. 1995. Vol.89, iss.2. P.175−185.
- Глушко В.П., ред. Термодинамические свойства индивидуальных веществ, в 4х томах, М.: Наука, 1978.