Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Структурные и оптические исследования легированных эпитаксиальных гетероструктур на основе A3B5

Диссертация: Структурные и оптические исследования легированных эпитаксиальных гетероструктур на основе A3B5
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Многие годы усилия исследователей сконцентрированы на изучении физических свойств полупроводниковых твердых растворов (ТР) ЛЦСа^ЛБ и Оач1п|чР, поскольку тонкие пленки на их основе являются базисом для большинства оптоэлсктропных компонентов, гетсролазсров, а 1акже элементов эффективных солнечных фотопреобразователей. Разработка любого из вышеперечисленных устройств требует от полупроводпиково… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Современные методы получения легированных эпитаксиальпых гетероструктур на основе полупроводниковых соединений Л"В3 (понятие и виды эпитаксии)
    • 1. АЛ. Жидкофазпая эпитаксия
      • 1. 1. 2. Химическое осаждение гетеросгрукгур из газовой фазы методом разложения мсталлоорганичсских соединений и гидридов
      • 1. 1. 3. Методы легирования полупроводниковых структур
      • 1. 1. 4. Знитаксиальпый метод легирования
      • 1. 2. Свойства легированных эпитаксиальпых слоев
      • 1. 2. 1. Легирование углеродом, автолегировапис
      • 1. 2. 2. Легирование кремнием
      • 1. 2. 3. Легирование редкоземельными элементами
      • 1. 2. 4. Эффекты легирования эпитаксиальпых слоев ОаДй
      • 1. 3. Выводы. Цель работы и задачи исследования
  • ГЛАВА 2. ОБЪЕК ТЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
    • 2. 1. Характеристики объектов
    • 2. 2. Современные методы исследования атомного и электронного строения эпитаксиальпых гетероструктур на основе полупроводниковых соединений А3В">
      • 2. 2. 1. Дифрактометрическис и рентгенографические методы определения параметров решетки твердых растворов в гетсроструктурах па основе А’В
      • 2. 2. 2. Методика расчета параметров эпитаксиальпых твердых растворов с учетом упругих напряжений кристаллической решетки
      • 2. 2. 3. Профили рентгеновской дифракции полупроводниковых ici сроструктур
      • 2. 2. 4. ИК — спектрометрия на отражение
      • 2. 2. 5. Рамановская спектроскопия (комбинациоиное рассеяние света)
      • 2. 2. 6. Фотолюминссцситная спектроскопия
      • 2. 2. 7. Сканирующая электронная микроскопия, эперго-диснерсионный микроанализ
    • 2. 3. Выводы
  • ГЛАВА 3. РЕНТГЕНОСТРУ КТУРНЫЕ, МОРФОЛОГИЧЕСКИЕ И СП ЕКТРОСКОПИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАН ИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ГЕТЕРОС ГРУ К ГУ Р GaxlnlxP: Dy/por-CaAs/GaAs (100), ЛЕГИРОВАННЫХ ДИСПРОЗИЕМ
    • 3. 1. Рентгенострукгурный анализ твердых растворов Сач1п|чР в гетероструктурах GaJn, 4P/GaAs (100), GajniNP: Dy/GaAs (100), GaNIn,.xP:Dy/por-GaAs/GaAs (100)
      • 3. 1. 1. Эиитаксиалыгыс жердью растворы, полученные меюдом жидкофазной эпи1аксии
    • 3. 2. Результаты исследования сколов образцов меюдом скапирующй ¦электронной микроскопии
    • 3. 3. Отичсские характеристики жидкофазных зпитаксиальных гстероструктур на основе твердых растворов GaNIri|NP в ИК области
    • 3. 4. Выводы
  • ГЛАВА 4. РЕНТГЕНОСТРУ КТУРНЫЕ, МОРФОЛОГИЧЕСКИЕ И СПЕКТРОСКОПИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР AIxGa,.xAs/Ga4s (100), ЛЕГИРОВАННЫХ УГЛЕРОДОМ
    • 4. 1. Смруктурпыс и оптические свойспва эпитаксиальных твердых растворов МОС-гидридных гстероструктур AlxGa|.xAs/GaAs (100), jici ированных yj j юродом
      • 4. 1. 1. Расчет параметров рсшсіки с учетом внутренних напряжений для низкотемпературных шит аксиальных ге і срост рук тур
      • 4. 1. 2. Изучение морфологии поверхносж гетсросфуктур
      • 4. 1. 3. Исследование особенностей ИК-спскгров отражения
    • 4. 2. Субструктура и люминесценция низкотемпературных МОС-гидридных гетероструктур AlxGa|.xAs/GaAs (100), легированных углеродом
      • 4. 2. 1. Исследование особенностей спектров Рамаповского рассеяния
      • 4. 2. 2. Фотолюминесцентные исследования низкотемпературных гетероструктур Al4Ga,.4As:C/GaAs (100)
    • 4. 3. Выводы
  • ГЛАВА 5. РЕНТГЕНСКТРУКТУРНЫЕ И СПЕКТРСХКОПИЧЕСКИ Е ИССЛЕДОВАНИЯ ГОМОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ GaAs: Si/GaAs (100) И ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР AlxGaI xAs: Si/(-aAs (100), ЛЕГИРОВАННЫХ КРЕМНИЕМ
    • 5. 1. Рентгенос[руктурные исследования МОС-гидридных гомоэпитаксиальных GaAs: Si/GaAs (l 00) и гстсрозпи таксиальпых структур Al4GaixAs: Si/GaAs (l 00), легированных кремнием
      • 5. 1. 1. Образование твердых растворов в гомоэнитаксиальпых структурах GaAs: S i/GaAs (100)
      • 5. 1. 2. Образование четверных твердых растворов в гстсроструктурах Al4Ga,.xAs:Si/GaAs (100)
    • 5. 2. ИК-спсктры юмоэпитаксиальпых GaAs: Si/GaAs (l 00) и гетероэпитаксиальных структур AlNGa, xAs: Si/GaAs (100), легированных кремнием
    • 5. 3. Выводы

Структурные и оптические исследования легированных эпитаксиальных гетероструктур на основе A3B5 (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальноеть работы:

Многие годы усилия исследователей сконцентрированы на изучении физических свойств полупроводниковых твердых растворов (ТР) ЛЦСа^ЛБ и Оач1п|чР, поскольку тонкие пленки на их основе являются базисом для большинства оптоэлсктропных компонентов, гетсролазсров, а 1акже элементов эффективных солнечных фотопреобразователей. Разработка любого из вышеперечисленных устройств требует от полупроводпиково! о эпитаксиального материала определенных стабильных электрических и оптических свойсчв. Существенно изменять такие свойства можно посрсдствам введения небольшого количества примесей и дефектов. Однако, если один тип дефектов может оказаться полезным, то другой можеч сделачь будущий прибор некачественным.

В полупроводниках широко известны примеси, используемые как легирующие, для управления типом проводимости и электросопротивлением, которые являются «мелкими» донорами и акцепторами. Их энергии ионизации очень малы по сравнению с шириной запрещенной зоны данного полупроводника. В то же время существуют в большом количестве дефекты, называемые «глубокими» центрами. К ним относят тс примеси, энергии активации которых лежат вблизи середины запрещенной зоны.

Известно, что высокая химическая активность редкоземельных элементов обеспечивает связывание примесных атомов, залечивание вакансий и уменьшение вероятности образования антисгруктурных дефектов. Они также способствуют снятию напряжений в кристаллической решетке эпитаксиального ТР и его «очищению» от дефектов. Кроме того, поскольку редкоземельные элементы обладают сильными магнитными свойствами, введение их в полупроводниковые ТР на основе Л°ВЭ открывает новые возможности таких материалов за счеч взаимодействия свободных носителей и магнитных ионов.

Несмотря па теоретическую возможность практически полного согласования параметров между эпитаксиальным слоем и подложкой в гетеростуктурах, часто в реальных технологических условиях эти параметры оказываются несколько рассогласованными, что приводит к возникновению в пленке внутренних напряжений. Поэтому большой интерес прсдставляс'1 проблема влияния преднамеренного и непреднамеренного легирования, в том числе элементами четвертой группы кремнием и углеродом, на возможность полного согласования параметров пленки и подложки для тройных ТР различных составов в системе Л1(}аЛзЛлаЛй (100).

Поэтому большой интерес представляет изучение атомного и электронного строения гетероструктур в зависимости от соотношения элемен тов в сос таве твердых растворов.

Цель работыИсследование особенностей атомного и электронною строения, оптических свойств полупроводниковых гетероструктур па основе тройных ТР Оа1пР и ЛЮаАБ, легированных редкоземельными элементами и элементами четвертой группы — углеродом и кремнием. Выявление технологических условий роста, позволяющих получить наиболее согласованные по параметрам гстсроструктуры.

Основными задачами исследования, исходя из поставленной пели, являются:

1. определение параметров эпитаксиальных ТР Оач1п1хР:1)у, Д1чС}а|.чД8:С и А1хСа 1 чАй:81, а также влияния легирования на степень их согласования с параме трами подложки ОаЛз (100) ме тодом рентгеновской дифракции;

2. получение данных о морфологии поверхности и элементном составе эпитаксиальных пленок методом сканирующей электронной микроскопии (СЭМ) с использованием микроанализа (МЛ);

3. изучение особенностей ИК-решеточных спектров отражения в обласчи однофононного резонанса методом ИК-спектроскопии;

4. исследование фоюлюминссцептных (ФЛ) свойств образцов гстсрострукгур для определения энергетического спектра эпитаксиальпых слоев в условиях непреднамеренного легирования углеродом;

5. получение данных об особепнос1ях состава и энергетического спекфа методом Рамановской спек троскопии;

6. изучение влияния легирования редкоземельными элементами и pocia пленки на буферном пористом слое на свойства эпитаксиальпых гетероструктур GaJnixP/GaAs (100).

Объекты и методы исследования.

В работе исследовались i етеросфуктуры, и: п отовлснные в лаборатории «Полупроводниковой люминесценции и инжекциопных излучателей» Физико-технического и петиту та им. А. Ф. Иоффе РАН.

Ma монокристалличсских подложках GaAs с ориентацией (100) химическим осаждением из газовой фазы путем разложения мсталлорганических соединений и гидридов (МОСГФЭ), а также жидкофазиой эпитаксисй (ЖФЭ), были выращены монокристаллические пленки твердых растворов GaJr) j.4P с различным содержанием индия и галлия в металлической подрешетке и относительно одинаковой толщины.

Также в работе исследовались образцы, представляющие собой гомоэпитаксиальные структуры GaAs: Si/GaAs (l 00) и гетероструктуры AI4GaivAs/GaAs (l 00) легированные кремнием, углеродом, выращенные методом МОСГФЭ.

Анализ влияния эффектов легирования на свойства исследуемых материалов производился методами, позволяющими получать прямые данные о структуре, оптических харамсристиках, морфоложи и энергетическом спектре. В данной работе использовался комплекс структурных и спектроскопических методов: рентгеновская дифрактометрия, сканирующая электронная и, а томно-силовая микроскопия, Рамаповская и.

ИК-спектроскопия, фо'і оліомиііссцсн тая спектроскопия. Используемые методы являются неразру тающими и позволяют получить полную информацию об атомном и электронном строении и свойствах новых материалов.

Научная новизна определяется тем, что:

1. Обнаружено влияние легирования диспрозием на увеличение композиционной однородности ТР GaJn^J^Dy.

2. Впервые экспериментально установлена и обоснована возможность полного согласования параметров кристаллических решеток ТР Al4Gai4As различных составов с монокристаллической подложкой GaAs (100) за счет управляемого введения концентраций легирующих элементов кремния и углерода в AlGaAs.

3. Обнаружены папокластсры уїлерода, образующиеся при выращивании ТР Al4Ga|.NAs в условиях пониженной температуры методом МОСГФЭ в результате автолегирования высокими копцеїпрацями атомов углерода.

4. Разработана методика регистрации запрещенного рефлекса (600) в гетероструктурах ЛяВ5 на больших брэгговских углах отражения, позволяющая производить прецизионные измерения параметров компонент гетсроструктур с точностью до четвертого знака с использованием в качесі вс репера дифракционной линии (600) подложки GaAs (100).

Практическая значимость:

Определении оптимальных 'технологических условий получения гетсроструктур па подложке GaAs (100) па основе применения комплекса перазрушающих методов рснтгснострукіурпого анализа, ПК, Рамановской, ФЛ спектроскопии и растровой электронной микроскопии, которые позволяютполучать фундаментальные характеристики гетсроструктурпараметры кристаллической решетки ТР. механические напряжения. возникающие в системе пленка / подложка, атомный cocian и оптические свойства.

Моделирование технологических процессов эпитаксиалыю! о выращивания ТР в координатах: параметр решетки — состав — температурадавление позволяет определить оптимальные режимы получения полупроводниковых гстероструктур на основе гетеропары AlGaAs — GaAs с полностью согласованными параметрами решетки путем растворения кремния в кристаллической решетке AlNGaiNAs.

Достоверность полученных результатов обеспечивается использованием современной экспериментальной техники, применением современных и независимых методов обработки данных и воспроизведением обнаруженных эффектов в ряде зарубежных авторов. Достоверность созданных компьютерных моделей подтверждается использованием современного программного обеспечения, а также coi ласовапностыо с имеющимися экспериментальными данными.

Научные положения, выносимые на защиту.

1. Определение оптимальных 'технологических условий наилучшего согласования параметров решеток при эпитаксиальном выращивании гстероструктур GaNIni4P/GaAs (100) методом химического осаждения из газовой фазы МОСГФЭ.

2. Однородность состава ТР в жидкофазных гетсроструктурах Ga0.48lno.52P:uy/GaAs (100), достигаемая путем легирования атомами диспрозия, в результате чего трехкратно уменьшается полуширина дифракционной линии (600) эпитаксиалыюго слоя.

3. Релаксация напряжений в гстсропаре пленка / подложка в результате создания дополнительного пористого слоя в гстсроструктурс Gajni. xP: Dy/por-GaAs/GaAs (lOO) в качссчве буферного при наличии рассогласование параметров между тройным ТР и подложкой m = 0,0019.

4. Образование нанокластсров углерода происходим в результате автолегирования методом МОСГФЭ в условиях роста при пониженной температуре (Т ~ 550 °C в реакторе) TP AlxGaiNAs: C высокими концентрациями атомов углерода С<1 ат.%.

5. Полное согласование параметров кристаллических решеток пленки с подложкой Аа—0 при растворении атомов кремния в TP AlNGa, xAs с образованием четверного TP в широкой области измерения х: 0,25<х<0,4, в условиях выполнения обобщенного закона Вегарда для четырехкомпонентиой системы TP AlNGa|.NAs|.ySiy.

Личный вклад автора. Настоящая работа выполнена на кафедре Физики твердого тела и наноструктур Воронежскою госунивсрситета и проводилась в соответствии с планом научно-исследовательских работ кафедры, а также грантов РФФИ и AWG. Все включенные в диссертацию данные получены лично автором или при его непосредственном участии. Автором осуществлено обоснование метода исследования и проведены экспериментальные исследования. Совместно с научным руководителем проведен анализ и интерпретация полученных результатов, сформулированы основные выводы и научные положения, выносимые на защи ту.

Апробация работы. Основные положения диссертационной работы были представлены в виде докладов и обсуждались на II и III Всероссийской школе-семинаре студентов, аспирантов и молодых учёных по направлению «Напоматериалы» (Рязань, 2009), NATO Workshop «Advanced Materials and Technologies for Micro/Nano-Deviccs, Sensors and Actuators» (Санкт-Петербург, 2009), Всероссийской конференции с элемспчами научной школы для молодежи «Проведение научных исследований в области индустрии наносисчем и материалов» (Белгород, 2009), X Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой оптои напоэлектропике (Санкт-Петербург, 2009), V Всероссийской конференции.

Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и па межфазных границах" «Фаграп — 2010» (Воронеж, 2010), XVII Международной молодежной конференции «Ломоносов» (Москва, 2010), 18th International Symposium «Nanostructurcs: Physics and Technology» (Владивосток, 2010), 13-й научной молодежной школы, но твердотельной электронике «Физика и технология микрои напосис1см» (Сапкт-1 le гербу pi, 2010).

Публикации. Материалы диссертации опубликованы в 7-и печатных рабо тах в журналах, рекомендованных перечнем ВАК РФ, из которых 3 статьи в зарубежных научных журналах. Кроме того, 9 работ опубликованы в трудах конференций.

Объём и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, 5 i лав и заключения, изложенных на 155 страницах машинописного текста, включая 42 рисунка, 16 таблиц и список литературы из 1 59 наименований.

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ.

1. Данные дифрактометрических исследований MOC-i идридных гетероструктур GaJri|4P/GaAs (100) с различными значениями х вблизи половинного состава позволили определить параметры решеток они такси аньных твердых растворов Gaxiri|.xP и найти оптимальные условия получения гетероструктур с наиболее согласованными парамеїрами решетки. Наиболее согласованные параметры УР и подложки досі и гаю іся при атомной концентрации х=0,51, іемпературе подложки Т~—-700оС и скорое і и потока водорода в реакторе 13 мл/сск.

2. В жидкофазных rei еросlрук турах GaxIii|xP:Dy/GaAs (100) легирование твердого раствора атомами диспрозия приводи і к упорядочению составов УР.

Введение

дополнительного пористого слоя в і етсрост рук туру (}ач1пі xP: Dy/por-GaAs/GaAs (100) в качестве буферного приводит к релаксации напряжений между пленкой и подложкой, несмотря на имеющееся рассогласование параметров их кристаллических структур.

3. Автолегирование высокими концентрациями уїлерода при пониженной температуре тройных твердых растворов AlxGai4As приводит к образованию четырехкомнонен гной системы Al-Ga-As-Si, в которой rie выполняется закон Веіарда для квазибинариой сисіемьі AIAs-GaAs.

4. 1 Іри эпи таксиальном росте в условиях пониженной температуры (У -550°С в реакторе) высокие концентрации углерода приводят к образованию нанокластеров углерода на дефектах кристаллической решетки твердых растворов AlxGa,.xAs.

5.

Введение

м кремния в энигаксиальные слои і с і ерос іруктур AlxGai xAs: Si/GaAs (100) можно добиться полною согласования параметров кристаллических решеток пленки с подложкой A? fO в условиях выполнения обобщенного закона Вегарда (5) для четверной системы I Р. Уровень легирования кремнием, соответствующий Ая=-0 определяется значениями х и у.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Jackson К. A. Handbook of Semiconductors technology. Processing of Semiconductors / К.Л. Jackson, W. Schroter. London: Wiley-VCll Verlag, 2000.
  2. JI.B. О влиянии улыразвука па элекфонный спекір крисіалла / JI.B. Келдыш // Ф ГГ. 1962. — Т.4. — N8. 2265 с.
  3. Ьом Д. Квап ювая іеория/Д. Бом.-М.: Наука, 1965 728 с.
  4. X. Лазеры на і сісросірукіурах / X. Кейси, М. 1 Іаниш. М.: Мир, 1981, — 299 с.
  5. John H.A. IIetcrocpitaxy of Semiconductors: Theory, Growth, and Characteri/ation / h.A. John. Boca Raton: CRC Pi ess, 2007, — 441 p.
  6. Capasso T. Physics of Quantum Electron Devices / F. Capasso S. Sen, l Bcltram. — Berlin: Springer-Verlag, 1990.
  7. S/.c S.M. Physics of Semiconductor Devices / S.M. S/e, Kwok К Ng. -Singapore: John Wiley & Sons, Inc., 1981. Pp. 250 254
  8. A.B. Физика и іехнолоіия і еіерос і рукіур, опіика квашовых ііаносірукіур : учеб. пособие / A.B. Федоров. СПб.: СПбГУ И І МО, 2009. — 195 с.
  9. Tuck В. Properties of Gallium Arsenide / B. 'luck U 1'MiS Data Review Series No. 2, 2nd Mition. London. INSPLC Publication. — 1990. — Pp.513 — 528.
  10. Ali A. HLMTs and 1 IB I s: Devices, Fabrication and Circuits / A. Ali, A. Gupta. Boston: Artech 1 louse. — 1991 — 377p.
  11. Bayraktaroglu В AlGaAs/GaAs hcterojunction bipolar transistors for powerapplications / B. Bayraktaroglu, N. Camilleri, I l.Q. 1 scrng // Conf. High Speed Semiconductor Devices and Circuits. Cornell: IEEE. — 1993, — Pp. 265- 273.
  12. Parker E. C. H. Technology and Physics of Molecular Beam Epitaxy / (lid.) E. C. I I. Parker. New York: Springer, 1985, — 706p.
  13. Stringfcllow G. B. Organometallic Vapor Phase Epitaxy: I hcory and Practice / G. B. Stringfcllow. Boston: Acadcmic Press, 1989 — 398p.
  14. Critical thickness anisolropy in highly carbon-doped p-typc (100) GaAs layers grown by metalorganic molecular beam epitaxy / 1. George | ct al.| // Appl. Phys. Eett. 1991.- V.59.- I.1.-61 p.
  15. Ultrahigh doping of GaAs by carbon during metalorganic moleculai beam epitaxy / C. R. Abernathy et al.| // Appl. Phys. Eett. 1989. — V.55 1.17. — 1750 p.
  16. Carbon implantation in InGaAs and AllnAs / S. J. Pearton | et al. J// Appl. Phys. Eett. 1990. — V.56, — 1.13, — 1263p.
  17. Self-aligned InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistors tor microwave power application / F. Ren |et al.| // IEEE Electron Device Eett 1993. -V.14.- 1.7.-332 p.
  18. Novel fabrication of self-aligned GaAs/AIGaAs and GaAs/InGaP microwave power heterojunction bipolar transistors / K. Ren |et al.| // Solid State I electron. 1995. — V.38.- 1.9. — 1635 p.
  19. Selective InAs growth by chemical beam epitaxy / K. Shiralagi, M. Walther, R. Tsui //J. Cryst. Growth. 1996. — V.164.- 1.1−4. — 334p.
  20. Tunable Diode Easer Spectroscopy: An Invited Review / K. J. Einden jet al.| // Photonics Spectra. 1991. — V25. — 91 p .
  21. Mii Y.J. Llectrical and optical properties of GaAs/AlGaAs multiple quantum wells grown on Si substrates / Y. J. Mii, R. P. G. Karunasiri, K. L. Wang // Appl. Phys. Lett. 1998. — V.53.- 1.21. -2050 p.
  22. GaAs Dual-Gate LLT for Operation up to K-band / P. Saunier J et al.| // 10th Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symp., l ech. Digest. -New York: ILLL, 1988. Pp.37−39.
  23. LSD sensitivity study of various diode protection circuits implemented in t production 1 pin GaAs IIBT technology / A.K. Oki | et al.| // 16th Gallium Arsenide integrated Circuit (GaAs IC) Symp., lech. Digest. New York. ILLL, 1994.-Pp.271−274.
  24. Heavy carbon doping of GaAs by MOVPL using a new dopant source CBrC13 and characteri/ation of the epilayers / K Uchida jet ai.| // J. Ciyst. Growth. 2003. — V.248. — 124 p.
  25. Controlled intrinsic carbon doping in MOVPL-grown GaAs layers by using TMGa and TBAs / M. Longo |et al.| //J. Cryst. Growth. 2003. — V.248. -1 19 p.
  26. Mimila-Arroyo J. Acceptor reactivation kinetics in heavily carbon-doped GaAs epitaxial layers / J. Mimila-Arroyo, S.W. Brand // Appl. Phys. Lett. -2000. V.77. -1 164 p.
  27. Observation of enhanced transport in carbon-doped InGaAsN after in situ anneal and its impact on performance of NpN InGaP/InGaAsN heterojunction bipolar transistors / C. Monier jet al.| // Appl. Phys. Lett. -2002. V.81.-2103 p.
  28. T. 1 Iigh-eHlcicncy InGaP/InO.OIGa ().99As tandem solar cells lattice-matched to Gc substrates / F. l’akamoto, 'I. Agui, LI. Ikcda // Sol. Lncrgy Mater. Sol. Cells. 2001. — V.66. — 5 1 1 p.
  29. Comparison of carbon and /inc p-clad doped LP MOCVD grown InGaAs/AlGaAs low divergence high-power laser helerostructures / P.V. Bulacv |et al.| // J. Cryst. Growth. 2003. — V 248. — 1 14 p.
  30. Cunningham B. f. Carbon tetrachloride doped A1 x Gal x As grown by metal organic chemical vapor deposition / B. T. Cunningham, J. K. Baker, G. H. Stillman //J. of Electronic Materials.- 1990, — V. 19, — 1.4, — Pp.331−335.
  31. Influence of growth parameters on the composition and impurity levels of intrinsically carbon doped Al^Ga^As / J. van Deelen |et al. j // Journal of Crystal Growth. 2005. — V.284. — Pp.28−32.
  32. Tatcno K. Carbon doping and etching effects of CBr4 during mctalorganic chemical vapor deposition of GaAs and AlAs / K. fatcno, Y. Kohama, C. Amano // J. Cryst. Growth. 1997. — V. 1 72. — 5 p.
  33. Dimroth F. High C-doping of MOVPH grown thin AlxGai, As layers for AlGaAs/GaAs intcrband tunneling devices / l-. Dimroth, U Schubert, ! Schicnlc // J. Electron. Mater. 2000. — V.29. — 47 p.
  34. High rate epitaxial lift-off of InGaP films from GaAs substrates / J. J. Schermer |el al.| // Appl. Phys. Pelt. 2000. V.76. — 2131 p.
  35. Mashita M. Comparative study on carbon incorporation in MOCVD AlGaAs layers between arsinc and tcrtiarybutylarsine / M. Mashita, II. Ishikawa, T. I/umiya // J. Cryst. Growth. 1995. — V. 1 55. — 164 p.
  36. Fujii K. Dependence of carbon incorporation on growth conditions for unintentionally doped AlGaAs during mctalorganic vapor-phasc epitaxy / K. Eujii, M. Satoh, K. Kawamura// J. Cryst. Growth. 1999. — V.204. -10 p.
  37. Properties of high purity AlNGai, As grown by the mctalorganic vapor phase epitaxy technique using methyl precursors /' T. I-. Kucch |et al. |//J. Appl. Phys. 1987. — V.62. -632 p.
  38. Kakinuma II. Characterization of Oxygen and Carbon in Undoped AlGaAs Grown by Organomctallic Vapor-Phase fpitaxy / II. Kakinuma, M. Mohri, M. Akiyama // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. — V.36 — Pp.23−28.
  39. Pujii K. Impurity incorporation of unintentionally doped AlxGai xAs during
  40. MOVPE / K. 1'ujii, K. Kawamura, II. Gotoh // J. Cryst. Growth. 2000. -V.221.-41 p.
  41. Carbon incorporation in metal organic chemical vapor deposition (Al, Ga) As lilms grown on (100), (311)A, and (311)B oriented GaAs substrates / K. Tamamura |ct al.|// Appl. Phys. Lett. 1987. — V.50. -1 149 p.
  42. Characteristics of heavily carbon-doped GaAs by LPMOCVD and critical layer thickness / S.I. Kim |ct al.| // J. Cryst. Growth. 1993. — V. 121. -441 P
  43. Pristovsck M. In situ investigation of GaAs (001) intrinsic carbon p-doping in metal-organic vapour phase epitaxy / M. Pristovsck, B. 1 lan, J. 1. Xcttler, // J. Cryst. Growth. 2000. — V.221. — 149 p.
  44. Growth and fabrication of strained-layer InGaAs/GaAs quantum well lasers grown on GaAs (3 11) A substrates using only a silicon dopant / M. fakahashi i ctal.|//J. Appl. Phys. 1997 — V.82. 1.9. — 4551 p.
  45. Vaccaro P. O. Lateral-junction vertical-cavity surface-emitting laser grown by molecular-beam epitaxy on a GaAs (311) A-oriented substrate / P. O. Vaccaro, II. Ohnishi, K. I-ujita // Appl. Phys. Lett. 1999. V.74. -3854 p
  46. Sakamoto N. Conduction type conversion in Si doped (3 M) A GaAs grown by molecular beam epitaxy / N. Sakamoto, K. I lirakawa. f Ikoma // Appl. Phys. Lett. 1995. -V.67.- 1444 p.
  47. Nanostructures in p-GaAs with improved tenability / M. Csontos et al.) // Appl. Phys. Lett.-2010. V.97.- Pp. 0221 10−0221 13.
  48. Kassa S.T. Si doping for n- and p-typc conduction in AfGa|.x As grown on GaAs 31 1 A by molecular-beam epitaxy / S. f. Kassa, R. I ley, K. 11. Ploog // Journal of Applied Physics. 2003. — V.93.- 1.5. — Pp.2638−2642.
  49. A Study of GaAs: Si/GaAs: C 'funnel Diodes Grown by MOCVD / D. A. Vinokurov |et al.| // Semiconductors. 2009. — V.43.~ 1.9 — 1213 p.
  50. Kawa/.u T. Electron scatterings in selectively doped n-AIGaAs/GaAs hctcrojunctions with high density self-assembled InAlAs antidotes / 'I. Kawa/u, H. Sakaki // Appl. Phys. Lett. 2008. — V.93.- 1.13. — Pp. 1321 161 321 19.
  51. Transitions of epitaxially liftcd-olT bulk GaAs and GaAs/AlGaAs quantum well under thcrmal-induccd compressive and tensile strain / С. M. N. Mateo |et al.| //J. Appl. Phys. -2008.-- V.104.- Pp. 103 537- 103 541.
  52. Gallium oxide and gadolinium gallium oxide insulators on Si o-doped GaAs/AlGaAs heterostructurcs / G. W. Paterson | ct al.| // J. Appl. Phys. -2008,-V.104.-I. 10,-Pp. 103 719- 103 727.
  53. Characterization of GaAs grown on SiGc/Si graded substrates using p-n junction diodes / K. P. Chen |ct al.| /7 J. Appl. Phys. 2008. — V.104.- Pp. 73 710- 73 716.
  54. В.И. Диоды, транзисюры и гиристоры па основе 1 етерострукгур / В. И. Корольков, 11. Рахимов. — Ташкент: ФАН, 1986.150 с.
  55. Preparation and properties of fir and Yb doped In-based semiconductor compounds / J. Novotny, O. Procha/.kova, K. Zdansky// Czechoslovak Journal of Physics. 1999. — V.49.- № 5. — Pp.75 7−763.
  56. Effects of Impurities on Radiation Damage of Silicon Solar Cells / J. Mandclkorn |ctal.| //J. Appl. Phys. 1964. V.35.- 1.7. — 2258 p.
  57. Исследование примесей Ho, Gd, Yb / 11. Г. Ваграев, li.II. Ьочкарев, JI.С. Власспко | и др. // Изв. АН СССР. Неорг. матер. 1978. — № 14. -С. 614.
  58. Г. В. Некоторые свойства кремния, легированною гадолинием / Г".В. Лашкарев, А. И. Дмитриев, Г. А. Сукам// Физика и техника полупроводников. 1971. — № 5. — С. 2075.
  59. С.И. Некоторые вопросы материаловедения дефектных алмазоподобных фаз / С. И. Радуцан // Физика и гехпика полупроводников. — 1967.- № 1, —С. 1013.
  60. Gorclenok Л.Т. Rare-earth elements in the technology of InP, InGaAsP and devices based on these semiconductor compounds / A T. Gorclenok, A.V. Kamanin, N.M. Shmidt // Microelectron. J., 1995, — V.26, 1.7. — Pp. 705 723.
  61. Влияние примесей лантаноидов на свойства GaP / В. А. Касаткин |и др.// Изв. АН СССР, Ileopian. материалы. 1980. -- Т.16.- № 11.- С. 1901−1905.
  62. Omling P. Antisite-related defects in plastically deformed GaAs / P. Omling, Ii. R. Weber, L. Samuelson // Phvs. Rev. B. 1986. — V.33.- 1.8. -Pp. 5880−5883.
  63. В.Ф. Рсдкоземепъные июмешы в полупроводниках A’fT / В. Ф. Мастеров, Л. Ф. Захарепков // Физика и ¡-ехпика полупроводников 1990. — Т.21, № 4. — С. 610−630.
  64. Semiconductor Technology. Processing and Novel 1 abrication Techniques / L.F. Zakharcnkov |et al.|-John Wiley & Sons. 1997.-91 p.
  65. Gorclenok A.T. Rare-earth elements in the technolog) of InP, InGaAsP and devices based on these semiconductor compounds I A.T. Gorclenok, A.V. Kamanin, N.M. Shmidt// Microelectron. J. 1995. — V. 26. — Pp. 705 — 723.
  66. US Patent C30B29/40. Semiconductor materials / M.M. Faktor, J. Naigh. -№ 4 339 302, — 1982.
  67. Полупроводниковые дс1ск'юры в экспериментальной физике / К.А. 1 «ацоев | и др.| //ФТП. 1983. — ?.17, — С. 2148 — 21 50.
  68. Влияние редкоземельных элементов на подвижность носителей вэпитаксиальпых слоях / Ьаграев, Л. С. Власепко, К. Д. Еацосв и др.| // ФТП.- 1984. -№ 18. 83с.
  69. Incorporation and Excitation Behaviour of Rare Earth Ions in I1I-V Semiconductors InP: Yb / W. Korbcr |et al.| // J. Cryst. Growth. — 1986. -V.79.-741 p.
  70. В. Ф. Редкоземельные элементы в полупроводниках Д’В3 / В. Ф. Мастеров, Л. Ф. Захарепков // ФТП. 1990. — 1.21, вып. 4. — С. 610−630.
  71. Д. Т. Редкоземельные элементы в технологии соединений А3ВЭ и приборов па их основе / А 1. Еорсленок, Д. В. Каманин, 11. М. 111 м ид 1 //ФТП.-2003. Т. 37, вып. 8.-С. 922−940.
  72. Earrow R.E.S. New approaches to epitaxy of transition metals and rare earths: Heterocpitaxy on lattice-matched buffer films on semiconductors / R.E.S. Earrow, S.S.P. Parkin, V.S. Spcriosu // .1. Appl. Phys. 1988. V.64. Pp. 5315−5320.
  73. Eoxykowski II.J. Kinetics of luminescence of isoelectronic rare-earth ions in IIEV semicondutcors / Phys. Rev. B. 1993. V.48. Pp.17 758 17 669.
  74. Rush E. Magnetic properties of DyAs and DyP (001) films / E. Rush, E. Wu, Aio fsui // J. Appl. Phys. 1999. V.85. Pp. 4970 4972.
  75. Лебедев 13. А. Термохимия сплавов редкоземельных и актиноидных элементов. Справочник / В. А. Лебедев, В. И. Кобер, JI. Ф. Ямщиков. -Челябинск: Металлургия, 1989, — 335с.
  76. Еордиепко С. I I. I ермодинамика соединений лан таноидов. Справочник/ С. П. Еордиепко, Ь. В. Фспочка, Е. П1. Викеман. — Киев: Наукова думка, 1979, — 376с.
  77. Paresi L. Photolumincscence of AlNGaixAs / L. Parcsi, M. Gu//i //.I. Appl. Phys.- 1994, — Vol. 15.- N 10, — Pp. 4779−4842.
  78. Determination of donor and acceptor densities in high—purity GaAs from photolumincscence analysis / 11. X. Lu |et al.| // App. Phys. Lett- 1990 -Vol. 56,-N2.- Pp. 177−179.
  79. В. А. Механизм влияния редкоземельных) леменюв на свойства слоев GaAs, выращенных жидкосшой энжаксисй /' В. А. Беспалов. А. Г. Клкин, Б. 1. Журкин h Краї кие сообщения по физике. — 1987, — Вып. 9,-С. 32−34.
  80. С. С. Соединения А-, В5 / С.С. Сірельченко, В. В. Лебедев.-Справочник,-М.: Меіаллурі ия, 1984. 34 о.
  81. Г. М. Воссіапівленис ешіаксіппих шарів арсеніду іалю при легуванні іалісвою розплаву ітербієм або скащцем /' Г. М. Семенова, і.
  82. Г. Кринпаб, В. 11. Кладько // Укр. фп. жури 1995. -'1. 40, — № 10. С. 1 101−1 106.
  83. Ф. С. Диффузия и дсфадация в полуироводииковых материалах и приборах/ Ф. С. Шишияну. Кишинев: ПЬиинца, 1978. -с. 147−156.
  84. R. 1-. Iheory of GaAs-oxide intcrlacc slates / R. I,. Allen, J. D. Dow // Sol. State Commun.- 1983.- Vol. 45, — N 4, — Pp. 379−381.
  85. Nakagomc 11. MOCVD Growth and PI .-Characteristics of Nd Doped GaAs / H. Nakagomc, K. Takahci // Jap. J. Appl. Phys. 1989. — V. 28. — Pp. 2098 -2100.
  86. В. Ф. Редкоземельные элемент в А’В / В. Ф. Maciеров, Л. Ф. 3axapciIков // Ф’П I. 1990. — Г. 24. — С. 610−629.
  87. Measurement of aluminum concentration in epitaxial layers of AlxGai 4As on GaAs by double axis x-ray diffractometry / B.K. Tanner |et al.| // Appl. Phys. Lett.- 1991.-V. 59, — Pp. 2272−2274
  88. Bocchi C. X-ray double-crystal rocking curves in GaAlAs/ GaAs heterostructures / C. Bocchi, C. Ferrari, P. Fran/osi //J. Cryst. Growth.-1993, — V. 132 .- Pp. 427−434.
  89. Madelung O. Physics of group IV Hlcmcnts and III V Compounds. Semiconductors / O. Madelung, II. Landolt, R. Bornstein .-Springer, Berlin, 1987.- Vol. 17, subvol. A
  90. C.R. Wic, Mater. Sci. Fng. 13 (1994) 1.
  91. Fcwster P.F. X-ray diffraction from low-dimensional structures / P.F. Fewstcr // Semicond. Sci. Fechnol.- 1993.-V. 8 .- Pp. 1915- 1935.
  92. Picraux 'Г. Semiconductors and Scmimctals/ T. Picraux, B.L. Doyle, J.Y. Tsao New York: Academic Press, 1991.- Pp. 139−2.20.
  93. Tanner B.K. High resolution X-ray diffraction and topography for crystal characterization / B.K. Tanner //J. Cryst. Growth, 1990.-V. 99, — Pp. 13 151 323.
  94. Lattice strain relaxation study in the Gal -xAlxSb/GaSb system by high resolution x-ray diffraction / C. Bocchi jet al.| // Appl. Phys. Lett.-1997.- V. 71 Pp. 1549- 1552.
  95. Описание и руководство к эксплуатации ИК Фурье спектрометра Vcrtcx-70 Brukcr.
  96. JI.А. Исследования полупроводников с дефектами методом комбинационного (рамаповского) рассеяния света/' Л. А. Фальковский. УФП, 2004. -С. 259−283
  97. М.М. Сущииский. Применение комбинационно! о рассеяния света к исследованию состава и строения вещества / М. М. Сущииский, 11.A. Бажулип// УФ11. 1963, — Выи 2. — С. 301−321.
  98. Гинзбург B. J1. К истории открытия комбинационного рассеяния света / В. Л. Гинзбург, И. JI. Фабслипский// Вестник Российской Академии Наук, — 2003,-Т. 73.-№ 3.-С. 21 5−227.
  99. Фабслипский И. J1. К 50-летию открытия комбинационного рассеяния света /И. JI. Фабслипский // Успехи физических наук. 1978, — Т. 126.-вып.1.-С. 123−152.
  100. И. JI. Комбинационному рассеянию света 70 jici (Из истории физики) / И. JI. Фабслипский // Успехи физических паук,-1998.- Г. 168,-№ 12, — С. 1342−1360.1 16. Описание и руководство к эксплуа1апии Рамаповского микроскопа Senterra Bruker.
  101. Porous 111—V compound semiconductors: formal ion, properties, and comparison to silicon /II. Loll |et al. U Phys. Stat. Sol. (a). -2003.- V.197.-I. l.-Pp. 61−70.
  102. R. Dingle Quantum States of Confined Carriers in Very Thin AlNGai xAs-GaAs-AlxGai 4As Ileterostructures/ R. Dingle, W. Wiegmann, С. II. I lenry// Phys. Rev. Lett. -1974. V.33.- Pp.827−830.
  103. Zhou D. Deviation of the AlGaAs lattice constant from Vegard’s law/ D Zhou, B.L. Usher // J. Phys. D: Appl. Phys. 2001. — V.34. — Pp.14 611 465.
  104. Д.А. Мощные полупроводниковые лазеры на основе асимметричных гегеростуктур раздельною ограничения / Д. А. Винокуров и др. //Физика и техника полупроводников. 2005.- 1. 39. -№ 3. -С. 388−392.
  105. Wasilewski Z.R. Composition of AlGaAs / Z.R. Wasilewski, M.M. Dion,
  106. D.J. Lock wood// J. Appl. Phys. 1997, — V.81. -1683 p.
  107. Закон Вегарда и свсрхструктурная фаза AIGaAs2 в зни iаксиальных гстсроструктурах Al4Gai NAs/GaAs (100) / Э. П. Домашевекая |и др. | // Физика и техника полупроводников. 2005. — ТЗ. — С.354—360.
  108. Электронный катало!' РАН ФТИ им. А. Ф. Иоффе ¡-Электронный ресурс.: база данных содержи! сведения о параметрах полупроводниковых соединений и i’eiepOC’i’pyKTyp на их основе. — Режим доступа: http://www.iot'fe.ru/SVA/NSM/Semicond/
  109. Vcrleur Ll.W. Determination of Optical Constants from Reflectance or Transmittancc Measurements on Bulk Crystals or 'ihin Films / II. W. Vcrleur// JOSA.- 1968. V. 58, — 1356 p.
  110. У ханов К).И. Ошичсскис свойства полупроводников / К).И. У ханов. -М.: Паука, 1977.- 368 с.
  111. Raman scattering from coupled plasmon-LO-phonon modes in n-type
  112. AlxGal-xAs / Т. Yuasa |ct al. .// Phys. Rev. B. 1986. — V.33. — p.2.
  113. I legem s M. Infrared Reflection Spectra of C. a, 4AI4As Mixed Crystals / M. llegcms, G.L. Pearson// Phys. Rev. В. 1970. — V.I.- 1.4. -Pp. 1 576−1582.
  114. Chang I. V. Optical Phonons in Ga, NAl4As Mixed Crystals: A Modified Random-Llcmcnt Isodisplacement-Model Calculation /1. I Chang, S.S. Mitra// Phys. Rev. В. 1970. -V. 2. — I. 4, — Pp. 1215−1216.
  115. П.В. Середин Спинодальный распад в энитаксиальных твердых растворахгстсроструктур AlxGai xAs/ GaAs (IOO) и Gaxln|4P/GaAs (100) / 11.В. Середин // Известия Самарского научного центра Российской академии паук, — 2009, — Т. 1 1. № 3.- С.46- 52.
  116. Дж. Теория превращения в меіаллах и сплавах / Дж. Кристиан .—М.: Мир, 1978.-Т. 1 .-808 с.
  117. Goldberg Yu.A. Handbook Scries on Semiconductor Parameters/ Yu. A. Goldberg / ed. by M. Levinshtcin, S. Rumyantscv, M. Shurj // World Scientific, London. -1999.-V. 2, — P. 1.
  118. Jl.K. Решеточная ИК—спектроскопия эпитаксиальных слоев 7.П| xCdxSe, выращенных па подложке GaAs методом молекулярно—лучевой эпитаксии / Л. К. Водопьянов, С. П. Козырев, Ю. Г. Садофьев //Физика твердої о тела, 1999. -Т.41 .-Вып.6, — 982 с.
  119. Structural and dcfcct characterization of Ga/Ys and AlxGal-xAs grown at low temperature by molecular beam epitaxy/S. Fleischer |et al.|// J. Appl. Phys.- 1997,-V. 81.-I. 1, — Pp. 190- 198.
  120. Lattice parameter changes and point defect reactions in low temperature electron irradiated AlAs/ A. Gaber |ct al.| //J. Appl. Phys.-1997.- V. 82, — 1. 11.- Pp. 5348- 5351.
  121. Flayes W. Scattering of Light by Crystals /W. Hayes, R. Loudon. -John Wiley & Sons, Inc., New York, 1978, — 372p.
  122. Bulbul M. First-order Raman spectra from In 1 Ga Al As epitaxial layers grown on InP substrates/ M. Bulbul, G.D. Farran, S.R.P. Smith// luir. Phys. J. В .-2001.-V. 24, — Pp. 3- 6.
  123. Jusserand B. Raman investigation of anharmonieity and disorder-induced effects in Gal-xAlxAs epitaxial layers/ B. Jusserand, .1. Sapriel/' Phys. Rev. B.-198l.-№ 24.- P. 7194
  124. Moonsuk S. Raman Studies of Heavily Carbon Doped GaAs. A dissertation in Physics. Texas Tech University,!999.- 122p.
  125. Direct evidence of carbon precipitates in GaAs and InP/ A.J. Moll, L.L. I lallcr, J. W. Agcr, W. Walukiewicz// Appl Phys. Lett. -- 1994.-V. 65, — Pp. 1 145- 1 148.
  126. Gibbs J. W. The Collected Works of J. Willard Gibbs/ J.W. Gibbs .- New Haven: Yale Univ. Press, 1948, — V. 1, — 105 p.
  127. Photoluminescence study of acceptors in AIxGal—xAs / V. Swaminathan, J. L. Zilko, W. T. Tsang//J. Appl. Phys. -1982, — V.53.- Pp. 5163- 5169.
  128. A comprehensive study of AlGaAs/GaAs beryllium- and carbon-doped base heterojunction bipolar Iransistor structures subjected to rapid thermal processing /Hong Wang |ct al. // J. Appl. Phys.- 1999, — V. 86, — I. 11.- Pp. 6468- 6474.
  129. Закон Всгарда и сверхс грукгурная фаза в шитаксиальпых гетероструктурах AlxGal-xAs/GaAs (l 00) / Э. П. Домашсвская |и др.|// Физика и техника полупроводников, 2005, — Г. 39.~ № 3 .-С. 354−360.
  130. XRD, АРМ and IR investigation of ordered AlGaAs2 phase in epitaxial AlxGai NAs/GaAs (100) 1 Ictcrostructurcs / P.P. Domashcvskaya |et al.| // Surface and Interface Analysis. -2006. V. 38, — 1.4 .- Pp. 828 — 832.
  131. Субструктура и люминесценция низкотемпературных гсюросфуктур AIGaAs/GaAs (100) / 11.В. Середин, А. В. Глотов, 3.11. Домашсвская |и др. J // Физика и техника полупроводников. 2010. — Г.44.- №?2. — С. 194−199.
  132. Raman investigation of low temperature AlGaAs/GaAs (1 00) hctcrostructures/ P.V. Scredin |ct al.| // Physica B: Condensed Matter.-2010.- V.405.- 1.12.- Pp. 2694−2696.
  133. Isiak K. P. Platinum as a lifetime control deep impurity in silicon / K. P. Isiak, A. G. Milncs //J. Appl. Phys.- 1975.- V. 46, — Pp. 5229−5236.
  134. Szc S. M. Physics of Semiconductor Devices/ S. M. S/.c .- New York: John Wiley & Sons, Inc.- 1981, 815 p.
  135. Comprehensive analysis of Si- doped AlsGai 4As (x т 0 to 1): Theory and experiment / N. Chand |ct al.| // Phys. Rev. 1984. — V. 30. — Pp. 44 814 492.
  136. Mi/uta M. Direct evidence for the DX center being a substitutional donor in AlGaAs alloy system / M. Mi/uta, M. Tachikawa, S. Minomura // Jpn. J. Appl. Phys. 1985. — V. 24. — Pp. 143−146.
  137. Talwar D. N. kffcct of alloy disorder on the vibrational spectrum of silicon donors in AlxGal-xAs/ D. N. Ialwar, M. Vandevyver // Phys. Rev. B 1989, — V. 40, — Pp. 9779- 9789 .
  138. Ghadi D.J. Hncrgctics of DX-center formation in GaAs and Al. Ga, xAs alloys / D.J. Ghadi, K.J. Chang // Phys. Rev. 1989. V.39. — Pp. 10 063 10 074.
  139. Harrison W. A. Nectronic Structure and the Properties of Solids: W.A. Harrison. -W. 11. Freeman, San Francisco, 1980, — 582 p.
  140. Wolverson D. Lattice dynamics and clastic properties of/inc-blcndc MgS/ D. Wolverson, et al. // Phys. Rev. B 2001 V. 64, — Pp.1 13 203- 1 13 207.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?