Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs: Te в условиях коррелированного распределения примеси
Диссертация
Полупроводниковые твердые растворы привлекли к себе большое внимание возможностью образования непрерывных твердых растворов — кристаллических материалов, в которых происходит плавное изменение физических свойств в зависимости от состава, что обеспечивает получение полупроводниковых фаз с нужными и воспроизводимыми характеристиками. Однако, как справедливо отмечается в работе, практически… Читать ещё >
Содержание
- ГЛАВА 1.
- КОРРЕЛЯЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
- 1. 1. Эффекты упорядочения в полупроводниковых твердых растворах
- 1. 2. Немонотонные концентрационные зависимости физических свойств твердых растворов указывающие на их неидеальность
- 1. 3. Особенности и закономерности дефектообразования в СаЛя
- 1. 3. 1. Собственные точечные дефекты
- 1. 3. 2. Влияние легирования на дефектообразование
- 1. 3. 2. 1. Влияние легирования на ансамбль собственных точечных дефектов
- 1. 3. 2. 2. Комплексообразование
- 2. 1. Особенности энергетического спектра и основные каналы излучательной рекомбинации сильно легированных полупроводников
- 2. 2. Спектральная зависимость интенсивности краевой фотолюминесценции
- 2. 3. Анализ спектров краевой фотолюминесценции ОаАБ'.Те при 300 К
- 2. 4. Исследование изменения спектров краевой фотолюминесценции GaAs: Te в температурном диапазоне 6-ь300К
- 2. 5. Анализ спектров краевой фотолюминесценции GaAsiTe при 6К
- 3. 1. Край фундаментального поглощения
- 3. 2. Анализ зависимости коэффициента поглощения электромагнитного излучения под краем фундаментального поглощения в GaAsiTe
- 4. 1. Влияние корреляции в распределении примесных дефектов на поглощение свободными носителями заряда, обусловленное рассеянием па ионах примеси
- 4. 2. Влияние корреляции в распределении примесных дефектов на параметры связанных плазмон-.?Офононных мод в монокристаллах GaAs: Te
Список литературы
- М. Богатов, Э. Н. Хабаров. Взаимодействие структурных компонентов в полупроводниковых твердых растворах. Краснодар: Кубанский университет, 2001. -112с.
- Е.А. Балагурова, Э. Н. Хабаров. Упорядочение твердых растворов в системах Ge-Si, InAs- CdTe, HgTe-CdTe // свойства полупроводниковых твердых растворов, обусловленные структурными компонентами. Томск: ТГУ, 1978, с.3−21.
- C.B. Цибуля. Рентгеноструктурный анализ нанокристаллов: развитие методов и структуры метастабильных состояний в оксидах металлов несте-хиометрического состава. Автореферат на соискание ученой степени доктора физ.-мат. наук. Новосибирск, 2004.
- Балагурова Е.А., Греков Ю. Б., Кравченко А. Ф., Прудникова H.A., Прудников В. В., Семиколенова H.A. Изменение механизма рассеяния в арсени-де галлия я-типа с легированием // Физика и техника полупроводников— 1985.-Т.19.-Вып.9.-С. 1566−1570.
- Семиколенова H.A. Поляритоны в арсениде галлия «-типа // Физика и техника полупроводников-1988.-Т.22.-Вып.1.-С. 137−140.
- Богданова В.А., Семиколенова H.A. Фотолюминесценция сильно легированного арсенида галлия при упорядоченном распределении примесных комплексов // Физика и техника полупроводников—1992.—Т.26.-№ 5.-С. 818−821.
- В.А Богданова. Оптические свойства сильно легированного арсенида галлия я-типа // Автореферат на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук.-Омск.-1994.
- Прудников В.В., Прудникова И. А. Фазовые переходы в пьезоэлектриках, обусловленные системой дипольных центров //Кристаллография.— 1992.— Т.37.-№ 5.-С. 1093−1099.
- И.Е. Рогачева, H.K. Жигарева, А. Б. Иванова. Изв. АН СССР. Неорг. Матер., 24, 1629(1988).
- И.Е. Рогачева. Изв. АН СССР. Неорг. Матер., 25, 754 (1989).
- E.I. Rogacheva, N.A. Sinelnik, O.N. Nashchekina. Acta Phys. Polon. (A), 84, 729,(1993).
- И.Е. Рогачева, И. М. Кривулькин. Температурные h концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах РЬТе-МпТе // Физика и техника полупроводников.-2002.- Том 36.- Вып. 9.-С. 1040−1044.
- E.I. Rogacheva, I.M. Krivulkin, V.P. Popov, T.A. Lobkovskaya. Phys. St. Sol. (a), 148, K65 (1995).
- E.I. Rogacheva, I.M. Krivulkin. Inst. Phys. Conf., No 152, 831 (1998).
- E.I. Rogacheva, A.S. Sologubenko, I.M.Krivulkin. Inorg. Mater., 34, 545 (1998).
- E.I. Rogacheva. Japan. J. Appl. Phys., 32, Suppl. 32−3, 775 (1993).
- Т.Судзуки, X. Есинага, С. Такеути. Динамика дислокаций пластичность. (М., Мир, 1989).
- Б.И. Шкловский, A. J1. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979).
- Дж. Займан. Модели беспорядка. Теоретическая физика однородно неупорядоченных систем: Пер. с англ. -М.: Мир, 1982. 592 с.
- Келдыш JI.B., Прошко Г. П. Инфракрасное поглощение в сильно легированном германии. ФТТ, 1963, т.5,с. 3378.
- Балагурова Е.А., Греков Ю. Б., Прудникова И. А., Семиколенова H.A., Шабакин В. П. Поглощение инфракрасного излучения свободными носителями в соединениях типа AmBv // 1984,-Физика и техника полупроводников.- Том 18.- Вып. в.- С. 1011−1015.
- Haga Е., Kimura H., J.Phys.Soc.Japan, 1964, v. l9,№ 4, p.471−481.
- Spitzer W.G., Whelan J.M. Phys.Rev., 1959, v. l 14, № 1, p.59−63.
- Несмелова И.М., Барышев H.C., Пырегов Б. П. Оптические свойства ар-сеиида индия п-типа. Опт. и спектр., 1969, т.27, в.4, с. 661−664.
- Кесаманлы Ф.П., Мальцев Ю. В., Наследов Д. Н., Николаева Л. А., Пивоваров М. Н., Скрипкин В. А., Уханов Ю. И. О структуре зоны проводимости арсенида индия. ФТП, 1969, т.З., в.6, с. 1182−1187.
- Демиденко З.А. О поглощении света свободными носителями в полупроводниках с непараболической зоной. ФТП, 1970, т.4, в.11, с.2106−2114.
- Балагурова Е.А., Греков Ю. Б., Прудникова H.A., Семиколенова H.A., Шляхов А. Т. Природа фазового перехода в арсениде галлия, легированном элементами VI группы // 1986.- Неорганические материалы.- Том 22.- № 4.-С.540−543.
- H.R. Chandrasekhar, A.K. Ramdas. Nonparabolicity of the conduction band and the coupled plasmon-phonon modes in n-GaAs // Phys.Rev.В.-1980.-V.21.-№ 4.-P.1511−1515.
- Евдокимов B.M., Кухарский A.A., Субашиев B.K. Зависимость времени жизни оптических фононов в арсениде галлия от концентрации дырок и электронов. ФТП, 1970, т.4, в. З, с.573−576.
- Kukharski A.A. Sol.St.Commun., 1973, v. 13, p. l 761−1765.
- Давлеткильдеев H.A. Исследование эффекта спонтанного упорядочения примесных комплексов в арсениде галлия п-типа // Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук.-Омск —2000.
- Хабаров Э.Н. Области примесных твердых растворов на основе матрицы собственного полупроводника// Свойства полупроводниковых твердых растворов, обусловленные структурными компонентами. Томск: ТГУ, 1978, с.22−34.
- Несмелова И.М., Семиколенова H.A., Хабаров Э. Н. Исследование механизма взаимодействия примесей, а арсениде индия. // ФТП.- 1978.- Т. 12,-В.Ю.- С.1915−1920.
- Prudnikov V.V. et al. Phys. Stat. Sol. (b), 181, 87 (1994).
- Емцев B.B., Машовец T.B. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь, 1981, 248 е., ил.
- Бублик В.Т., Мильвидский М. Г., Освенский В. Б. Изв. вузов. Физика, 1980, № 1, с.7−22.
- Мильвидский М.Г. Стехиометрия и дефектообразование в соединениях А1ИВУ. Итоги науки и техники, сер. Электроника и ее применение. М.: ВИНИТИ, 1979, т.11, с.105−141.
- Miller M.D., Olsen G.N., Ettenberg М. Appl. Phys. Lett., 1977, v.31, p. 538−540.
- Bhattacharya P.K., Ku J.W., Owen S.J. e.a. Appl. Phys. Lett., 1980, v. 36, p.304−306.
- Воронов И.Н., Смирнов B.A., Эйдензон A.M. Кристаллография, 1979, т. 24, с. 1259−1266.
- Blom G.M. J. Crystal Growth, 1976, v. 36, p. 125−137.
- Инденбом B.Jl., Житомирский И. С., Чебанова T.C. Кристаллография, 1973, т. 18, с. 39−48.
- Jordan A.S., Von Neida A.R., Caruso R. Electrochem. Soc., 1974, v. 121, p. 153−159.
- Вильке Ю., Бублик В. Т., Брагинская А. Г. и др. — Расширенные тезисы VI Международной конференции по росту кристаллов. М.: Изд-во АН СССР, 1980, т. 4, с. 328−329.
- Holt D.L. J. Appl. Phys., 1970, v. 41, p. 3197−3204.
- Morgan D.V., Wood D.R. Phys. Stat. Sol. (a), 1974, v. 23, p. 325−329.
- Освенский В.Б., Холодный Л. П. ФТТ, 1972, т. 14, с. 3330−3335.
- Driscoll С. M. Н., Willoughby A. F. W. In: Defect in Semicond., Conf. Ser. L.: Institute of Physics, 1972, p. 377−382.
- Driscoll С. M. H., Willoughby A. F. W. J. Materials Sci., 1974, v. 9, p. 1615−1623.
- Мильвидский М.Г., Пелевин О. В., Сахаров Б. А. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений. М.: Металлургия, 1974, 391с., ил.
- Анастасьева Е.М., Бублик В. Т., Мильвидский М. Г. и др. Кристаллография, 1978, т. 23, с. 314−319.
- Mullin J.B., Stranghan B.W., Driscoll С.М.Н. е.а. J. Appl. Phys., 1976, v. 47, p.2584−2589.
- Hutchinson P.W., Dobson P. S. Interstitial condensation in n-GaAs // J. Mater. Sci.-1975 .-V. 10.-№ 9.-P. 163 6−1641.
- Dobson P. S., Fewster P.F., Hurle D.T.J., Hutchinson P.W., Mullin J.B., Straughan B.W., Willoughby A.F.W. In: Defects and radiation effects in scmi-cond., 1978, Conf.Ser.№ 45. Bristol-L, The Inst, of Phys., 1979.-№ 45, P. 163 172.
- Fewster P.F. A defect model for undoped and tellurium doped gallium arsenide//J.Phys.Chem.Solids.-1981.-V.42.-№ 10.-P.883−889.
- Мильвидский М.Г., Пелевин O.B. Поведение легирующих примесей элементов VI группы в арсениде галлия // Изв. АН СССР. Неорганич. матер. 1967.- Т.З. — № 7. — С.1159−1164.
- Фистуль В.И. Сильно легированные полупроводники. М.:Наука, 1967. -415с.
- Глазов В.М., Смирнова Е. Б. Исследование взаимосвязи концентрации электронов с растворимостью селена в антимониде индия // ФТП.-1983.-Т.19.-№ 9.-С. 1592−1595.
- Глазов В.М., Нагиев В. Н. Концентрационная зависимость числа носителей заряда при легировании арсенида индия элементами донорного и акцепторного типа и ее связь с пределом растворимости // ФТП.-1974.-Т.8.-№ 1.-С.131−136.
- Глазов В.М., Нагиев В. А. Исследование легирования фосфида индия. В сб. Легированные полупроводники. М.: Наука.-1975.-С.56−60.
- Глазов В.М., Нагиев В. А. Рзаев Ф.Р. О взаимосвязи между растворимостью и концентрацией носителей заряда при сильном легировании фосфида индия элементами донорного и акцепторного типов // ФТП.-1963.-Т.7.-№ 2.-С.280−285.
- Фистуль В.И. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия, 1977.-240 с.
- Уфимцев В.Б., Крестовников А. И. К физико-химической природе по-литропии примесей в полупроводниках // Изв. АН СССР. Неорганич. матер.- 1968 .-Т.4.-№ 9.-С. 1578−1583.
- Уфимцев В.Б., Гимельфарб Ф. А. Исследование характера химических взаимодействий в сильно легированных кристаллах типа AmBv // Изв. АН СССР. Неорганич. матер.-1973.-Т9.-№ 12.-С.2073−2077.
- Бульянков Н.А., Фистуль В. И. О механизме образования донорных комплексов в сильно легированном германии и кремнии // ДАН СССР.-1968.-Т. 180.-№ 6.-С.1415−1418.
- Williams E.D. Evidens for self-activated luminescence in GaAs: the gallium vacancy-donor center // Phys.Rev.-1968.-V.168.-№ 3.-P.922−928.
- Glinchuk K.D., Prokhorovich A.V. The role of different local centers in the determination of the concentration dependence of the intrinsic emission intensity in n-type GaAs // Phys.Stat.Sol.(a).-1978.-V.45.-P.K91-K94.
- Освенский В.Б., Холодный Л. П., Мильвидский М. Г. Исследование дефектов в арсениде галлия методом внутреннего трения // ФТТ.-1971 .-Т. 13.-№ 7.-С.2135−2138.
- Мильвидский М.Г., Освенский В. Б., Фистуль В. И., Омельяновский Э. М., Гришина С. П. Влияние термообработки на электрические свойства сильно легированного арсенида галлия п-типа // ФТП.-1967.-Т. 1.-№ 7.-С.969−974.
- Logan R.M. Analysis of heat treatment and formation of gallium-vacancy-tellurium complexes in GaAs // J.Phys.Chem.Sol.-1971.-V.32.-№ 8.-P. 17 551 760.
- Hurle D.T.J. Solubility and point defect-dopant interaction in GaAs // J.Phys.Chem.Sol.-1979.-V.40.-№ 8.-P.627−637.
- Hwang C.J. Effect of heat treatment on photoluminescence of Те doped GaAs // J.Appl.Phys.-1969.-V.40.-№ 4.-P.1983−1984.
- Hwang C.J. Optical properties of n-type GaAs // J.Appl.Phys.-1969.-V.40.-№ 11.-P.4584−4590.
- Nishizawa J., Otsuka H., Yamakochi S., Ishida K. Nonstoichiometry of Те doped GaAs // Jap.J.Appl.Phys.-1974.-V.13.-№l .-P.46−56.
- Hutchinson P.W., Dobson P. S. The nature of defects in n gallium arsenide // Phil.Mag.-1974.-V.30.-№ 1.-P.65−73.
- Hurle D.T.J. Revised calculation of point defect equilibria and nonstoichiometry in GaAs // J.Phys.Chem.Solids.-1979.-V.40.-P.613−623.
- Chiang S.Y., Pearson G.L. Photoluminescence of vacancies and vacancy-impurity complexes in annealed GaAs // J. of Luminescence.-1975.-V. 10.-№ 5.-P.313−322.
- Алферов Ж.И., Гарбузов Д. З., Морозов Е. П., Третьяков Д. Н. Спектры фотолюминесценции GaAs при высоких уровнях легирования некоторыми элементами IV и VI группы // ФТП.-1967.-Т.1.-№ 11.-С. 1702−1705.
- Вакуленко О.В., Новиков Н. Н., Скрыщевский В. А. Фотолюминесценция арсенида галлия, легированного теллуром // ФТП.-1981.-Т.15.-№ 5.-С. 10 051 008.
- Буянова И.Я., Остапенко С. С., Шейкман М. К. Поляризованная люминесценция глубоких центров в монокристаллах GaAs:Sn (Te) // ФТТ.-1985.-Т.27.-№ 3.-С.748−756.
- Schaefer Th., Knauf H., Lohmann E., Vianden R., Frcitag K. PAC investigation of the shallow donor environment in GaAs // Nucl.Instr. and Meth. in Phys.Res.-1992.-V.63.-№ 1−2.-P.227−230.
- Sette F., Pearton S J., Poate J.M., Rowe J.E. Local structure of S impurities in implanted GaAs // Nucl.Instr. and Meth. in Phys.Res.-1987.-№ B19−20.-P.408−412.
- Delerue C. Electron structure and electron-paramagnetic-resonance properties of intrinsic defects in GaAs // Phys.Rev.B.-l 99 l.-V.44.-№ 19.-P. 1 052 510 535.
- J. Gebauer, M. Lausman, T.E.M. Staab, R. Krause-Rehberg, M. Hakala, M.J. Puska. Phys. Rev. B.-1999.-V.60.-P.1464.
- J. Gebauer, E.R. Weber, N.D. Jager, K. Urban, Ph. Ebert. Determination of the charge carrier compensation mechanism in Te-doped GaAs by scanning tunneling microscopy // Appl.Phys.Let.-2003.-V.82.-№ 3.-P.2059−2061.
- G. Dlubek, R. Krause, Phys. Stat. Sol. A.-1987.-V.102.-P.443.
- Glinchuk K.D., Prokhorovich A.V., Zayats N.S. A new (non-copper-induced) 1.35eV emission band in n-type GaAs // Phys. St. Sol. (a).-1984.-V.82.-P.503.
- Глинчук К.Д., Коваленко В. Ф., Прохорович А. В. О природе центров, обуславливающих появление полосы люминесценции с ЙшП1ах=1.35эВ в сильно легированных кристаллах «-GaAs // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. Киев.—1992.—№ 22— С.46−50.
- Н.С. Задорожпый, В. Ф. Коваленко, В. Д. Лисовенко, М. Г. Мильвидский, А. В. Прохорович. Кристаллография, 36, 958 (1991).
- J. Kossut, W. Dobrowolski, Z. Wilamowski, Т. Dietl, К. Swiatek. Correlation of donor electrons in diluted magnetic semiconductors with iron // Semi-cond.Sci.Technol.-1990.-№.5.-P.260−265.
- H.C. Casey, Jr. Stern, F. Stern. J. Appl. Phys., 47, 631 (1976).
- D. Olego, M. Cardona. Phys. Rev. B, 22, 886 (1980).
- J. De-Sheng, Y. Machita, K. Ploog, H.J. Queisser. J. Appl. Phys., 53, 999 (1982).
- G. Borhgs, K. Bhattacharyya, K. Deneffe, P. Van Mieghem, R. Mertens. J. Appl. Phys., 66, 4381 (1989).
- T. Lideiskis, G. Treideris. Semicond. Sci. Technol., 4, 938 (1989).
- S.I. Kim, M.S. Kim, S.K. Min, C. Lee. J. Appl. Phys., 74, 6128 (1993).
- N.-Y. Lee, K.Y. Lee, C. Lee, J.-E. Kim, H.Y. Park, D.-H. Kwak, H.-C. Lee, H. Lim. J. Appl. Phys., 78^ 3367 (1995).
- G.C. Jiang, Y. Chang, L.-B. Chang, Y.-D. Juang, S. Lu. Jpn. J. Appl. Phys., 34, 42 (1995).
- B.A. Вилькоцкий, Д. С. Доманевский, C.B. Жоховец, М. В. Прокопеня. Энергетический спектр электронных состояний в сильно легированных кристаллах арсенида галлия // ФТП.-1984.-Т.18.-№ 12.-С.2193−2198.
- D.M.Szmyd, p. Porro, A. Majerfeld, S. Lagomarsino. J. Appl. Phys., 68, 2367(1990).
- Wigner E.P. Phys. Rev., 1934, v. 46, p. 1002.
- Шкловский Б.И., Эфрос А. Л. ФТП, 1970, т. 4, с. 305.
- А. П. Леванюк, В. В. Осипов. Краевая люминесценция прямозонных полупроводников. // Успехи физических наук. — т. 133. вып. 3. — с.427−477.- 1981.
- H.B. Bebb, E.W. Williams. Semicondactors and Semimetals (N.Y., Academic Press, 1972) p276.
- E.H. Сидоров. Исследование примесного упорядочения в GaAsCTe) методом фотолюминесценции // Программа XXIV научной студенческой конференции ОмГУ Омск: Омский госуниверситет, 2000. — 47с.
- В.А. Богданова, H.A. Давлеткильдеев, H.A. Семиколенова, E.H. Сидоров. Эффективная масса электронов в сильно легированном арсениде галлия при упорядочении примесных комплексов // ФТП.-2002.-Т.36.-Вып.4.-С.407−411.
- М.Е. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M. Shur. Handbook Series on Semiconductor Parameters (London World Scientific, 1996) v. l, p.79.
- S.C. Jain, D.J. Roulston. Solid State Electron., 34, 453 (1991).
- R.A. Abram, G.N. Childs, P.A. Saunderson. J. Phys. C, 17, 6105 (1984).
- B.E. Sernelius. Phys. Rev. B, 33, 8582 (1986).
- H.S. Bennett. J. Appl. Phys., 60, 2866 (1986).
- P. Van Mieghem. Rev. Mod. Phys., 64, 755 (1992).
- B.JT. Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников. Физика полупроводников // М-Наука—1977.-С.626.
- Р.А. Wolff. Phys. Rev., 126, 405 (1962).1 17 A. Glodeanu. Rev. Roum. Phys., 26, 945 (1981).
- В.А. Богданова, Н. А. Давлеткильдеев, Е. Н. Сидоров, II.А. Семиколе-нова. Влияние пространственной корреляции примесных дефектов на оптическое поглощение с участием флуктуационных уровней в n±GaAs П Вестник омского университета—2005—№ 2.-С.30−32.
- В.А. Богданова, Е. Н. Сидоров. Исследование спектров края фундаментального поглощения в объемных сверхструктурах на основе n-GaAs // Материалы III всероссийской научной молодежной конференции «Под знаком Сигма», Омск. -2005. С. 113−114.
- А.Л. Эфрос. Плотность состояний и межзонное поглощение света в сильнолегированных полупроводниках. УФН, 111, 451 (1973).
- A. Iribarren, R. Castro-Rodriguez, V. Sosa, J.L. Репа. Band tail parameter modeling in semiconductor materials. Phys. Rev. 58, 1907 (1998).
- Van Meighem P. Theory of band tails in heavily doped semiconductors. Reviews of Modern Physics. 64, 755 (1992).
- B.I. Halperin, M. Lax Impurity-Band Tails in the High-Density Limit. I. Minimum Counting Methods. Phys. Rev.148, 722 (1966).
- Джонсон E. Оптические свойства полупроводников / Под. ред. Р. Уил-лардсона, А. Бира. М.: Мир, 1970, С. 263.
- E.H. Сидоров, H.A. Семиколенова. Снижение примесного рассеяния в монокристаллах GaAs: Te в области примесного упорядочения // Материалы всероссийской научной молодежной конференции «Под знаком Сигма», Омск. 2003.- С.44−45.
- В.А. Богданова, H.A. Давлеткильдеев, E.H. Сидоров, H.A. Семиколенова. Влияние пространственной корреляции примесных дефектов на поглощение свободными носителями заряда в n±GaAs // Вестник омского университета—2004.—№ 4.—С.37−39.
- S. Visvanathan. Phys. Rev. 120, 276(1960).
- В.Л. Гуревич, И. Г. Ланг, Ю. А. Фирсов. ФТТ, 4, 1252(1962).
- Е.П. Рашевская, В. Фистуль. ФТП, 9, 3618(1964).
- К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977).
- Б. Ридли. Квантовые процессы в полупроводниках (М., Мир, 1986).
- Т.А. Алиев, Ф. М. Гашимзаде. ФТП, 6, 458(1972).
- Е.П. Рашевская, В. И. Фистуль. ФТТ, 9, 3618 (1967).
- R. Krause-Rehberg, H.S. Leipner, A. Kupsch, A. Polity, Th. Drost. Phys. Rev. В, 49, 2385(1994).
- J. Mycielski. Solid State Communication, 60, 165(1986).
- J. Kossut, Z. Wilamowski, T. Dietl, K. Swiatek. Acta Physica Polonica. A, 79, 49(1991).
- A.F. Levi, S.L. McCall, P.M. Platzman. Appl. Phys. Lett., 54, 940(1989).
- B.A. Вилькоцкий, Д. С. Доманевский, C.B. Жоховец, M.B. Прокопеня. Природа неосновных примесных состояний в сильно легированных кристаллах // ФТП.-1985.-Т.19-№ 9.-С.1660.
- Monroe Don. Intersite Coulomb repulsion and intrasite attraction for DX centers in GaAs // J.Phys.Lett.-1991.-V.59.-№ 18.-P.2293−2295.
- E. Gerlach, P. Grosse. Festkorperprobleme XVII (Braunschweig, F. Vieweg & Sohn, 1977) p. 157. t
- A. Ron, N. Tzoar. Phys. Rev., 131, 1943 (1963).
- B.A. Богданова, H.A. Давлеткильдеев, H.A. Семиколенова, E.H. Сидоров. Рассеяние электронов проводимости на пространственно коррелированной системе зарядов в сильно легированном GaAs'.Te II ФТП.-2006-Т.40.-Вып.2.-С.166−168.
- Киттель Ч. Введение в физику твердого тела // М.: Наука.—1978.-751 С.
- Ю.И. У ханов. Оптические свойства полупроводников // М.: Наука — 1977.-366С.
- В.А. Богданова, H.A. Давлеткильдеев, H.A. Семиколенова, E.H. Сидоров. Влияние корреляции в распределении примесных дефектов на параметры связанных плазмон-^О-фононных мод в монокристаллах GoAs: Te II Вестник омского университета.-2009.—№.2.-С. 127−131.
- A. G. Kozorezov, J. К. Wigmore and M. Giltrow. Decay of coupled Plas-mon-phonon modes in heavily doped semiconductors // J. Phys.: Condens. Metter 9 (1997) 4863−4874.
- Jerzy Mycielski, Andrzej Mycielski. Free-carrier absorption by photon-ionized-impurity-plasmon processes in polar semiconductors // Phys.Rev.B, V. 18, Number 4, 1978, pp. 1859−1867.
- Stefan Goettig. Optical absorption by electron plasma in multivalley polar semiconductors with impurities // J. Phys. C.: Solid State Phys., vol. 17, 1984, pp. 4463−4478.
- W. Szuszkiewicz, A.M. Witowski and K. Karpierz. (Tu-P-18) transmission and reflectivity measurements in highly doped GaAs in the infrared II Acta Physica Polonica, v. A69, No. 5, 1986, pp. 893−896.
- K. Karpierz, W. Szuszkiewicz, A.M. Witowski. (We-P-20) far-infrared optical properties of highly doped n-GaAs // Acta Physica Polonica, v. A71, No. 2, 1987, pp. 311−313.
- Vu Hai Son, K. Karpierz, W. Szuszkiewicz. (Tu-P-13) free-carrier absorption in GaAs at 77K and 300K // Acta Physica Polonica, v. A73, No. 3, 1988, pp. 353−356.
- W. Szuszkiewicz, P. Sobkowicz, B. Witkowska, W. Bardyszewski, C. Julien and M. Balrfnski. Influence of impurity charge correlation on free-carrier absorption // Acta Physica Polonica A, Vol. 84, No. 3, 1993.
- B.A. Богданова, H.A. Давлеткильдеев, M.M. Нукенов, H.A. Семиколе-нова, E.H. Сидоров. Влияние пространственной корреляции примесных дефектов на снижение уровня упругих напряжений в n±GaAs. II Вестник Омского университета.-2005.-№ 4.-С.45−47.
- В.А. Богданова, Н. А. Давлеткильдеев, М. М. Нукенов, Н.А. Семиколе-нова, Е. Н. Сидоров. Самоорганизация примесных дефектов при распаде твердого раствора на основе соединения GaAs: Te. II Девятая конференция
- Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V» (Томск, 3−5 октября 2006).
- В.А. Богданова, H.A. Давлеткильдеев, М. М. Нукенов, H.A. Семиколенова. Влияние корреляции в распределении примесных дефектов на микромеханические свойства монокристаллов GaAs'.Te // ФТТ.-2008.-Т.50,-вып.2.-С.236−241.