Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Неравновесные фазовые переходы и стохастический резонанс в квазидвумерном электронном газе

ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В настоящей работе речь идет об открытых системах, причем в качестве внешнего источника энергии выступает протекающий в образце электрический ток. Фундаментальное изучение открытых систем связано с именем И. Р. Пригожина и его сотрудников, отметим также и др. Ряд примеров и результатов, касающихся открытых систем, приведен в сборнике статей. При этом важно отметить, что в теории открытых систем… Читать ещё >

Содержание

  • Глава I. Неравновесные фазовые переходы в квазидвумерной сверхрешетке с «косинусоидальной» минизоной
    • 1. 1. Введение
    • 1. 2. Влияние толщины квазидвумерной сверхрешетки на неравновесные фазовые переходы (электрон-фононное взаимодействие)
    • 1. 3. Влияние толщины квазидвумерной сверхрешетки на неравновесные фазовые переходы (рассеяние на примесях)
    • 1. 4. Продольная вольтамперная характеристика квазидвумерной сверхрешетки
    • 1. 5. Неравновесные фазовые переходы в квазидвумерном электронном газе при учете второго уровня размерного квантования
  • Глава II. Неравновесные фазовые переходы в квазидвумерной сверхрешетке с «параболической» минизоной
    • 2. 1. Введение
    • 2. 2. Неравновесные фазовые переходы в квазидвумерной сверхрешетке в случае предельно низких температур
    • 2. 3. Функция распределения и плотность тока в одномерной сверхрешетке
    • 2. 4. Неравновесные фазовые переходы в квазидвумерной сверхрешетке в случае конечных температур
  • Глава III. Электрические флуктуации и стохастический резонанс в неравновесном электронном газе
    • 3. 1. Введение
    • 3. 2. Токовая корреляционная функция сверхрешетки с параболическим" законом дисперсии
    • 3. 3. Флуктуационная теория неравновесных фазовых переходов в квазидвумерном электронном газе
    • 3. 4. Стохастический резонанс в квазидвумерной сверхрешетке с учетом ее толщины
    • 3. 5. Двойной стохастический резонанс

Неравновесные фазовые переходы и стохастический резонанс в квазидвумерном электронном газе (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

В настоящей диссертации речь идет о квазидвумерных сверхрешетках (2СР) (латеральные CP, динамически двумерные системы [1]). 2СР — системы электронов (дырок), движение которых в пространстве свободно только в двух направлениях, а в третьем — движению соответствует дискретный энергетический спектр. Следует подчеркнуть, что эти системы не являются двумерными в прямом смысле слова, поскольку и волновые функции зависят от трех координат, и электромагнитные волны распространяются в трех направлениях.

Отметим, что указанные системы относятся к активно изучаемым в настоящее время низкоразмерным структурам. Интерес к этой области связан как с принципиально новыми фундаментальными научными проблемами и физическими явлениями, так и с перспективами создания на основе уже открытых явлений совершенно новых устройств и систем с широкими функциональными возможностями для оптои наноэлектроники, измерительной техники, информационных технологий нового поколения, средств связи и пр. Результатом исследований низкоразмерных систем стало открытие принципиально новых, а теперь уже широко известных явлений, таких как целочисленный и дробный квантовый эффект Холла в двумерном электронном газе, вигнеровская кристаллизация квазидвумерных электронов и дырок, новые квазичастицы и электронные возбуждения с дробными зарядами, высокочастотные блоховские осцилляции и др. Не на последнем месте стоят и неравновесные фазовые переходы (НФП) в низкоразмерных структурах.

НФП в полупроводниках вызывают в настоящее время значительный интерес. В монографии [2] рассматриваются НФП в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационнами (ГР) процессами.

Неустойчивости в полупроводниках и диэлектриках сравнительно недавно стали рассматривать как ФП в сильно неравновесной физической системе. Так, в конце 60-х годов А. Ф. Волков и Ш. М. Коган [3] указали на аналогию между перегревной неустойчивостью электронного газа и НФП. Примерно в это же время Е. Питт и X. Томас [4] провели подобную аналогию в случае ганновской неустойчивости скорости дрейфа электронов. Как в экспериментальных наблюдениях, так и в теоретическом осмыслении ФП, вызванных ГР процессами, за последние десятилетия лет был достигнут большой прогресс, установлено существование множества новых явлений и разработаны математические модели. Указанные НФП лежат в основе работы ряда важных полупроводниковых приборов, используемых в современной техникетакже полупроводники представляют собой наиболее подходящие модельные системы для изучения нелинейной динамики [2]. (В настоящей работе исследуются НФП, обусловленные внутризонными процессами).

Для количественной характеристики изменения структуры тела при прохождении через точку фазового перехода можно ввести величину, называемую параметром порядка [5, 6], определяемую таким образом, чтобы она пробегала отличные от нуля (положительные или отрицательные) значения в несимметричной фазе и была равна нулю в симметричной фазе.

Параметр порядка определяется неустойчивыми модами, а устойчивые — адиабатически подстраиваются под изменения неустойчивых. Это дает возможность при анализе фазового перехода резко сократить число переменных по сравнению со стандартными методами статистической физики (оставив только те, которые отвечают за фазовый переход), а также обойти трудности, связанные с наличием скачков физических величин в точке фазового перехода.

Типичными примерами параметров порядка являются: плотность (для перехода жидкость — газ) — намагниченность (для перехода в ферромагнитное состояние) — поляризация (для перехода в сегнетоэлектрическое состояние) — волновая функция бозонных пар (для перехода в сверхпроводящее состояние) и т. д. По своему физическому смыслу параметр порядка — это корреляционная функция, определяющая степень дальнего порядка в системе. В [6] также показано, что параметр порядка появляется благодаря флуктуациям, возникающим при критическом переходе. И этот параметр диктует поведение упорядоченного состояния после фазового перехода.

Еще одна особенность НФП состоит в том, что система может обладать несколькими параметрами порядка и они могут взаимодействовать друг с другом, порождая новые структуры. В [7] отмечено, что НФП намного богаче равновесных ФП, так как они включают в себя возникновение предельных циклов, движение на торах, хаос и др. НФП изучались многими авторами, в частности, [8, 9, 10, 11] и др. Обратим также внимание на работу.

12], в которой показано, что особенности вольт-амперной характеристики (ВАХ) р-Ge находятся в согласии с теорией ФП Ландау.

Существуют два основных типа НФП [13] - первого и второго рода. В противоположность фазовым переходам первого рода, при которых состояние системы испытывает скачок, фазовые переходы второго рода являются непрерывными в том смысле, что состояние тела меняется непрерывным образом. Однако следует подчеркнуть, что симметрия в точке перехода меняется скачком, и в каждый момент можно указать к которой из двух фаз относится тело. В то время как в точке фазового перехода первого рода находятся в равновесии тела в двух различных состояниях, в точке перехода второго рода состояния обеих фаз совпадают. Отметим также, что существуют НФП, относящиеся к промежуточной области [13]. Введенное в.

13] понятие НФП аналогично понятию «катастрофа» в теории катастроф, которую предложил Том [14]. Но более близким к содержанию данной диссертации является то применение теории, которое изложено, например, в работах Хакена, Эбелинга [15,16].

Помимо указанных выше причин важности изучения ФП, необходимо отметить также, что в окрестности ФП поведение системы оказывается чувствительным к небольшим внешним воздействиям, например, слабым полям, что существенно с точки зрения технических приложений.

В настоящей работе речь идет об открытых системах [13], причем в качестве внешнего источника энергии выступает протекающий в образце электрический ток. Фундаментальное изучение открытых систем связано с именем И. Р. Пригожина и его сотрудников [8, 10, 16], отметим также [17, 9, 11, 18] и др. Ряд примеров и результатов, касающихся открытых систем, приведен в сборнике статей [19]. При этом важно отметить, что в теории открытых систем в неравновесных стационарных состояниях свободная энергия не обязательно имеет минимум, а энтропия — максимум. В теории открытых систем найдена функция, которая помогает отличить устойчивые неравновесные состояния от других состояний. Для нахождения этой функции был сформулирован принцип минимального производства энтропии или минимального убывания свободной энергии. В данной работе мы будем называть эту функцию синергетическим потенциалом.

Нелинейные эффекты, возникающие в проводниках с непараболическим законом дисперсии носителей (в том числе в CP) под действием сильных полей, изучались многими авторами [22 — 27]. Учет конечности ширины зоны проводимости 2СР приводит и к возникновению спонтанной поперечной (по отношению к протекающему в образце току) ЭДС. Данное явление влияет на разного рода кинетические эффекты в 2СР: вид ВАХ, поведение квазидвумерного газа в магнитном поле, релаксационно-диффузионные межфазные процессы [28] и др. В данной диссертации показано, в том числе, что спонтанное возникновение поперечного поля возможно и в модели 2СР с «параболическим» законом дисперсии [29, 30].

В диссертации также идет речь и о стохастическом резонансе (СтР) в 2СР. Явление СтР заключается в том, что при одновременном воздействии на бистабильную систему слабого периодического сигнала и шума обнаруживается, что с ростом шума некоторые интегральные характеристики системы (например, коэффициент усиления по мощности, отношение сигнал/шум) ведут себя аномально (увеличиваются, достигают максимума и затем спадают).

Данная диссертационная работа посвящена теоретическому исследованию НФП первого и второго рода в квазидвумерном электронном газе с «косинусоидальной» и «параболической» минизонами проводимости, а также изучению возможности стохастического резонанса в таких (бистабильных) системах.

Актуальность темы

Одна из причин, по которым низкоразмерные полупроводниковые структуры (квантовые ямы, проволоки, кольца, точки, CP и др.) в настоящее время привлекают значительное внимание, состоит в том, что такие системы начинают проявлять нелинейные и неравновесные свойства в сравнительно слабых полях, и, что весьма важно, эти свойства можно задавать и контролировать с помощью «зонной инженерии» .

Развитие направлений науки, техники и технологий, связанных с созданием, исследованиями и использованием объектов с низкоразмерными элементами, во многом определяет кардинальные изменения в материаловедении, электронике, медицине, связи и др. В развитых странах осознание ключевой роли, которую играют результаты работ по нанотехнологиям, привело к созданию крупномасштабных программ по их развитию на основе государственной поддержки. Такие программы приняты Европейским союзом, США, Японией, Китаем и рядом других стран. В.

России к настоящему времени разработаны несколько программ данного направления. Настоящая диссертация выполнена в соответствии с Российской государственной программой «Физика твердотельных наноструктур», а также — «Перечня приоритетных направлений фундаментальных исследований РАН» .

Сказанное определяет актуальность задач, теоретически решаемых в настоящей диссертации. Основное внимание в ней уделено полупроводникам с 2СР, а также — с одномерной CP (1СР), находящихся в постоянном электрическом поле и (при исследовании СтР) слабом переменном электрическом поле. В принципе, предсказываемые эффекты (НФП, СтР и др.) возможны не только в 2СР, но и в «обычных» объемных материалах, однако в CP эти эффекты требуют для своего существования значительно меньших величин напряженностей электрических полей. Конкретно решались следующие основные задачи:

• вывод и анализ формул для спонтанной поперечной («квазихолловской») ЭДС как функции тянущего поля, температуры и толщины 2СР;

• решение кинетического уравнения Больцмана (с интегралом столкновений Батнагара-Гросса-Крука) для функции распределения электронов в 1СР с «параболической» минизоной;

• решение стационарного уравнения Фоккера — Планка для функции распределения поперечного поля как случайной величины;

• расчет интегральных характеристик СтР в проводниках с узкой зоной проводимости и 2СР.

Научная новизна работы заключается в том, что в ней впервые: 1. Показано, что неравновесный электронный газ в разомкнутой в поперечном (по отношению к протекающему в образце току) направлении 2СР может вести себя как сегнетоэлектрик.

2. Предложен учитывающий особенности продольной вольтамперной характеристики 2СР вариант наблюдения поперечной спонтанной ЭДС.

3. Найдена функция распределения невырожденных электронов в «параболической» минизоне 1СР для произвольных температур, (квазиклассических) электрических полей и в линейном приближении по градиенту концентрации носителей.

4. Получено включающее диффузионную составляющую выражение для плотности тока вдоль оси 1СР с «параболической» минизоной.

5. Рассчитаны частота Крамерса, коэффициент усиления и отношение сигнал/шум в полупроводниковых 2СР с учетом толщины образца.

6. Обнаружен двойной СтР в проводниках с узкой зоной проводимости и разомкнутой в поперечном току направлении 2СР.

Основные положения диссертации, выносимые на защиту:

1. Учет толщины 2СР приводит к появлению НФП, в которых управляющими параметрами, кроме приложенного тянущего поля, выступают температура образца и его толщина.

2. В «параболических» 1СР температурная зависимость плотности тока и коэффициента диффузии существенно отличается от соответствующей для 1СР с «косинусоидальным» законом дисперсии минизоны. Зависимость положения максимума продольного тока от температуры совпадает с экспериментальными данными [31]: с ростом температуры максимум тока смещается в сторону меньших полей.

3. В полупроводниковых 2СР с «параболической» минизоной возможны НФП второго рода (НФП2), заключающиеся в спонтанном возникновении поперечной ЭДС. При этом положение точки бифуркации зависит от температуры образца.

4. В неравновесном квазидвумерном электронном газе с «параболическим» законом дисперсии возможны НФП нового типа: с ростом температуры возникает спонтанное поперечное электрическое поле (при фиксированном значении тянущего поля).

5. При учете конечности ширины зоны проводимости частота Крамерса как функция температуры имеет максимум. Это приводит к существованию двойного СтР.

Научная и практическая ценность работы. Представленные новые результаты могут быть полезными и для изучения других бистабильных систем, в частности, сегнетоэлектриков и ферромагнетиков. Обнаруженные эффекты, в принципе, должны учитываться и при исследованиях иных кинетических явлений, например, эффекта Холла в низкоразмерных структурах. Кроме этого, результаты работы могут быть использованы при конструировании различного рода устройств: переключатели, усилители слабых периодических сигналов, а также фильтрующие элементы.

Личный вклад автора. Постановка задач, обобщение полученных данных, интерпретация и обсуждение результатов осуществлены диссертантом совместно с научным руководителем и соавторами публикаций. Проведение ряда аналитических и всех численных расчетов, графическое представление результатов было выполнено, диссертантом самостоятельно.

Структура и объем. Диссертационная работа состоит из предисловия, трех глав, включающих обзорные параграфы, заключения и списка цитируемой литературы. Общий объем диссертации составляет 128 страниц, включая 72 рисунка.

Список литературы

содержит 135 наименований.

В предисловии обоснована актуальность решаемых в работе задач, сформулированы цель и задачи исследования, представлено краткое содержание диссертации.

В первой главе изучается спонтанная поперечная ЭДС в 2СР с «косинусоидальной» моделью минизоны проводимости. Рассматривается квадратная 2СР, оси ОХ и OY направлены под углом 45° по отношению к ее главным осям. В отличие от предшествующих работ здесь мы учитываем.

6 7 толщину 2СР (а), предполагая ее порядка 10″ -40″ см (именно такие значения имеют изготавливаемые 2СР). Соответственно в третьем направлении имеет место квантовый размерный эффект (КРЭ), влияние которого на НФП здесь исследуется. В данной главе также представлены результаты исследования указанной системы при учете замкнутости образца на некоторое сопротивление. Проанализировано влияние второго уровня размерного квантования. Выясняется, что такое влияние не приводит к принципиальным изменениям в характере НФП в 2СР, но существенно меняет величину продольного тока. Отмечено, что применительно к рассматриваемым системам теорема Пригожина о минимальности производства энтропии выполняется для любых состояний, в том числе для состояний, далеких от равновесия.

Во второй главе рассматриваются CP с «параболической» минизоной проводимости. В настоящее время становится технологически решаемой задача конструирования энергетического спектра электронов в низкоразмерных структурах, поэтому имеет смысл исследовать НФП для иного («некосинусоидального») спектра, что и делается в данной главе для «параболической» минизоны. Рассчитываются функция распределения электронов и плотность тока в 1СР с «параболической» минизоной в случае конечных температур.

Третья глава посвящена электрическим флуктуациям и СтР в 2СР. Рассчитана токовая корреляционная функция (ТКФ) в 1СР с «параболической» минизоной для невырожденных носителей. Найдено решение стационарного уравнения Фоккера — Планка для функции распределения поперечного поля как случайной величины. С помощью этого решения вычислен средний квадрат поперечного поля, и, тем самым, построена флуктуационная теория НФП. Показано, что роль тепловых флуктуаций при приближении к критической точке (точке бифуркации) усиливается. Спонтанное поперечное поле влияет на вид вольтамперной характеристики сверхрешетки. При этом имеет место следующее существенное обстоятельство. При детерминистическом описании поперечного поля ВАХ имеет излом в точке, соответствующей максимуму ВАХ, в то время как в рамках флуктуационной теории этот излом исчезает, в этом, в частности, проявляется роль электрических флуктуаций в формировании ВАХ. Кроме того, с возрастанием уровня шумов (т.е. с увеличением температуры) максимум ВАХ понижается. С помощы-о функции распределения поперечного поля как случайной величины определяется средняя частота перехода бистабильной системы из одного устойчивого состояния в другое — частота Крамерса, зная которую можно рассчитать коэффициент усиления по мощности и отношение сигнал/шум.

В заключение диссертации сформулированы основные результаты исследования.

Результаты, полученные в диссертации, докладывались на Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых ВНКСФ-11 (Екатеринбург, 2005), Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков BKC-XVII (Пенза, 2005), Международной научно-технической школы-конференции «Молодые ученые 2005» (Москва, 2005), IX межвузовской конференции студентов и молодых ученых Волгограда и Волгоградской области (Волгоград, 2004), II Международной конференции по физике электронных материалов (Калуга, 2005), Всероссийской научнопрактической конференции «Актуальные проблемы прикладной физики и методики преподавания физики в ВУЗе и школе» (Борисоглебск, 2005), Международной конференции «Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах» (Махачкала, 2005),.

Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых ВНКСФ-12 (Новосибирск, 2006), Международном семинаре «Физико-математическое моделирование систем» (Воронеж, 2006), VIII Международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» (Ульяновск, 2006).

Результаты диссертации опубликованы в 15 научных работах, в том числе в 7 статьях, 4 из которых опубликованы в журналах, включенных в список ВАК, и в 8 тезисах докладов [60−62], [70−71], [89−90], [93−94], [113], [120], [132−135].

Заключение

.

Приведем основные результаты исследования:

1. Получено аналитическое выражение для спонтанного поперечного электрического поля (Еу) в разомкнутой в OY-направлении 2СР с косинусоидальным" законом дисперсии электронов. Принципиальным здесь является учет толщины образца (а). При этом поле еу оказывается зависящим не только от тянущего поля (Ех), но и температуры (Т), и а. Эти зависимости, а также соответствующее поведение синергетического потенциала, характерны для НФП2. В случае, когда управляющим параметром является Т (Ex, a = fix), Еу~±Л[ТСТ — это есть точная аналогия температурной зависимости поляризации сегнетоэлектрика с той лишь разницей, что в нашем случае «температура Кюри» Тс определяется значениями Ех и а. «Сегнетоэлектрическое» поведение неравновесного электронного газа связано с зависимостью времени релаксации от температуры при взаимодействии электронов с акустическими фононами.

При Ex, T = fix спонтанное поле Еу~±д/а-ас, где точка бифуркации ас =ас (Ех, Т).

2. Установлено, что в случае, когда время релаксации не зависит от Т (рассеяние на примесях), межподзонное туннелирование электронов в электрическом поле также может приводить к «сегнетоэлектрическому» поведению 2СР.

3. Показано, что при подключении к образцу в поперечном направлении в качестве нагрузки полупроводниковой 1СР (OY — ось этой CP), продольная ВАХ 2СР может содержать ветвь с положительной дифференциальной проводимостью в области существования спонтанного поперечного поля. Данный результат определяет дополнительную возможность экспериментального наблюдения спонтанной поперечной ЭДС.

4. Найдено точное решение кинетического уравнения Больцмана для функции распределения электронов в 1СР с «параболической» минизоной в случае произвольных температур. При этом определена плотность тока, максимум которой смещается в сторону меньших полей при увеличении температуры.

5. Установлена возможность НФП2 в 2СР с «параболической» минизоной: Еу — параметр порядка, Ех и Т — управляющие параметры. Положение точки бифуркации зависит от температуры, когда управляющим параметром является Ех.

6. Решено кинетическое уравнение Больцмана с интегралом столкновений Батнагара — Гросса — Крука и получено аналитическое выражение для коэффициента диффузии в 1СР с «параболической» минизоной.

7. Найдено решение стационарного уравнения Фоккера — Планка для функции распределения поперечного поля (еу) как случайной величины и рассчитан средний квадрат флуктуаций е*. Тем самым построена флуктуационная теория НФП2 в квазидвумерном электронном газе с учетом а.

8. Рассчитаны интегральные характеристики (коэффициент усиления сигнала и отношение сигнал/шум) стохастического резонанса в 2СР с учетом ее толщины, а также в сегнетоэлектриках-полупроводниках.

9. Выявлены условия существования двойного стохастического резонанса в проводниках с ОЦК решеткой и конечной шириной зоны проводимости, а также в 2СР.

БЛАГОДАРНОСТИ.

Автор считает приятным долгом выразить искреннюю благодарность своему научному руководителю доктору физико-математических наук, профессору, заслуженному деятелю науки Российской Федерации Шмелеву Геннадию Михайловичу за постановку задач, постоянное внимание к работе и плодотворные научные консультации. Кроме того, автор хотел бы выразить свою признательность соавторам публикаций Э. М. Эпштейну, И. И. Маглеванному за полезное обсуждение содержания диссертации. Также автор выражает благодарность сотрудникам кафедры теоретической физики и всему физическому факультету Волгоградского государственного педагогического университета за внимание к работе.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , Т. Электронные свойства двумерных систем : пер. с англ. / Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. -М.: Мир, 1985.
  2. , Э. Самоорганизация в полупроводниках. Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационными процессами: пер. с англ. / Э. Шёлль. М.: Мир, 1991.
  3. , А. Ф. Физические явления в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью / А. Ф. Волков, Ш. М. Коган // Успехи физ. наук 1968. — Т.96. — С. 633−638
  4. Pytte, Е. Soft Modes, Critical Fluctuations, and Optical Properties for a Two-Valley Model of Gunn-Instability Semiconductors. / E. Pytte, H. Thomas // Phys. Rev. 1969. — V.179. — P. 431−436
  5. , JI. Д. Статистическая физика. 4.1 / Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц. -М. -.Наука, 1976.
  6. , Л. А. Вдали от равновесия / Л. А. Шелепин // Новое в жизни, науке и технике. Сер. Физика. № 8 — М.: Знание, 1987. — 16с.
  7. Синергетика: сб. статей- пер. с англ. / сост. А. И. Рязанов, А. Д. Суханов- под ред. Б. Б. Кадомцева. М.: Мир, 1984.
  8. , П. Термодинамическая теория структуры, устойчивости и флуктуаций / П. Гленсдорф, И. Пригожин. М.: Мир, 1973.
  9. Landauer, R. Entropy changes for steady-state fluctuations / R. Landauer // J. Stat. Phys. 1973. — V.9. — P. 351−371
  10. , Г. Самоорганизация в неравновесных системах / Г. Николис, И. Пригожин. М.: Мир, 1979.
  11. , Р. Л. Фазовые переходы в неравновесных радиофизических системах / Р. Л. Стратонович. // Изв. ВУЗов. Радиофизика. 1980. — Т.23. — С. 942−955.
  12. , В. •Nonequilibrium Critical and Multicritical Phase Transitions in Low-Temperature Electronic Transport ofp-Germanium / B. Rohricht, R. P. Huebener, J. Parisi, M. Weise // Phys. Rev. Lett. 1988. — V.61. — P. 26 002 603
  13. , P. JI. Нелинейная неравновесная термодинамика / P. Л. Стратонович. M.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1985.
  14. , Р. Прикладная теория катастроф. Кн.1 / Р. Гилмор М.: Мир, 1984.
  15. , Г. Синергетика / Г. Хакен М.: Мир, 1980.
  16. , И. Введение в термодинамику необратимых процессов / И. Пригожин. М.: ИИЛ, 1960.
  17. , Г. Н. Нелинейные стохастические модели осцилляторных систем. / Г. Н. Бочков, Ю. Е. Кузовлев // Изв. ВУЗов. Радиофизика. -1978. -Т.21. -С. 1467−1484.
  18. , Р. Л. К марковской флуктуационно-диссипативной теореме открытых радиофизических систем / Р. Л. Стратонович // Изв. ВУЗов. Радиофизика. 1982. -Т.25. — С. 779−789.
  19. Термодинамика и кинетика биологических процессов- сб. статей / под ред. А. И. Зотина. -М.: Наука, 1980.
  20. , Г. Ф. Твердотельные сверхструктуры / Г. Ф. Дёхлер // В мире науки. 1984. — № 1. — С. 50−57
  21. , А. П. Полупроводниковые сверхрешетки / А. П. Силин // Успехи физ. наук 1985. — Т. 147. — С. 485−498
  22. Friedman, L. Thermoelectric power of superlattices / L. Friedman // Surface Science- 1983.-V.142.-P. 241−245
  23. Friedman, L. Thermopower of superlattices as a probe of the density of states distribution / L. Friedman // J. Phys. С: Solid State Phys. 1984. — V. 17. — P. 3999−4008
  24. Tao, Z. Thermoelectric power of superlattices: II. / Z. Tao, L. Friedman // J. Phys. С: Solid State Phys. 1985. — V.18. -L455-L461
  25. Nieminen, R. M. Electronic Properties of Two Dimensional Systems / R. M. Nieminen // Physica Scripta. — 1988. — V.23. — P. 54−58
  26. , E. П. Латеральные сверхрешетки в сильном электромагнитном поле: самоиндуцированная прозрачность, мультистабильность, умножение частоты / Е. П. Додин, А. А. Жаров, А. А. Игнатов. // Журнал экспер. и теор. физики. 1998. — Т. 114. — С. 2246−2251.
  27. , А. В. Неравновесные фазовые переходы и S-образные вольтамперные характеристики в системе полупроводник-металл / А. В. Мелких и др. // Письма в журнал технич. физики 2001. — Т.27. -вып.6.-С. 19−25
  28. , Э. М. Релаксационно диффузионные межфазные процессы в неравновесном электронном газе / Э. М. Эпштейн, Г. М. Шмелев, О. Г. Ковалев // Полиматериалы — 2001: мат. Межд. научно-технической конф. -М.: МИРЭА, 2001.-С. 9−12
  29. , Ю. А. О дифференциальной проводимости полупроводниковых сверхрешеток / Ю. А. Романов. // Физика тв. тела -2003. Т.45. — вып.З. — С. 529−534.
  30. Romanov, Y. A. Negative high-frequency differential conductivity in semiconductor superlattices / Y. A. Romanov // ArXiv: cond-mat/209 365. -V.l.-2002−6p.
  31. Grahn, H. T. Electrical transport in narrow-miniband semiconductor superlattices / H. T. Grahn et al. // Phys. Rew. B. 1991. — V.43. — № 14. -P. 12 094−12 097
  32. , Г. M. Спонтанное возникновение поперечной ЭДС в проводнике с неаддитивным законом дисперсии / Г. М. Шмелев, Э. М. Эпштейн // Физика тв. тела 1992. — Т.38. — С. 2565−2571
  33. , Л. Д. Электродинамика сплошных сред / Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц-М.: Гостехиздат, 1957.
  34. , Г. М. Дифференциальная термо ЭДС сверхрешетки в сильном электрическом поле / Г. М. Шмелев, И. И. Маглеванный, А. С. Булыгин // Физика тв. тела — 1999. — Т.41. — вып.7. — С. 1314−1316
  35. , И. И. Спонтанная поперечная ЭДС при неупругом рассеянии квазидвумерных электронов / И. И. Маглеванный, Г. М. Шмелев // Изв. ВУЗов. Сер. Физика 1997. — № 7. — С. 99−102
  36. , Э. М. Неравновесные фазовые переходы в квазидвумерном электронном газе в электрическом поле / Э. М. Эпштейн, Г. М. Шмелев, И. И. Маглеванный // Физика тв. тела 1996. — Т.38. — С. 3478−3487
  37. Dorn, A. Electronic transport through a quantum dot network / A. Dorn et al. // ArXiv: cond-mat/411 300. V.l. -2004. — 5p.
  38. Reich, R. K. Transport in lateral surface superlattices / R. K. Reich, R. O. Grondin, D. K. Ferry // Phys. Rev. B. 1983. — У.27. — № 6. — P. 3483−3493
  39. , А. А. Микроволновая фотопроводимость в двумерной системе с периодическим потенциалом антиточек / А. А. Быков и др. // Письма в журнал экспер. и теор. физики. 1991. — Т.53. — № 8. — С. 407−410
  40. Farid, A. High-quality two-dimensional electron gas in AlGaAs/GaAs heterostructures by LP OMVPE / A. Farid et al. // IEEE Trans. Electron Devices — 1993.-У.40.-ЖЗ.-P. 502−506
  41. Xie, Y. H. Fabrication of high mobility two-dimensional electron and hole gases in GeSi/Si / Y. H. Xie et aJL. // J. Appl. Phys. 1993. — V.73. — № 12. -P. 8364−8370
  42. Epshtein, E. M. Ferromagnetic and ferroelectric properties of nonequilibrium electron gas / E. M. Epshtein, G. M. Shmelev, I. I. Maglevanny // Phys. Lett. A 1999. — V.254. — P. 107−111
  43. , Е. М. Electric-field-induced magnetoresistance of lateral superlattices / E. M. Epshtein, I. I. Maglevanny, G. M. Shmelev // J. Phys.: Condens. Matter. 1996. — V.8. — P. 4509−4514
  44. , Г. M. Эффект Холла в квазидвумерных сверхрешетках в неквантующих магнитном и сильном электрическом полях / Г. М. Шмелев, Э. М. Эпштейн, И. И. Маглеванный // Физика и техника полупроводников 1997. -Т.31. -№ 8. — С. 916−919
  45. , И. И. Квазидвумерный электронный газ в неквантующих магнитном и сильном электрическом полях / И. И. Маглеванный, Г. М. Шмелев, Э. М. Эпштейн // Изв. ВУЗов. Физика. 1996. — № 7. — С. 46−51
  46. Maglevanny, I. I. The non-equilibrium electron gas as a ferroelectric / I. I. Maglevanny, G. M. Shmelev // Phys. Stat. Sol. (b) 1998. — V.206. — P. 691 699
  47. Shmelev, G. M. Electric-field-induced ferroelectricity of electron gas / G. M. Shmelev, 1.1. Maglevanny // J. Phys.: Condens Matter. 1998. — V.10. — P. 6995−7002
  48. , Ю. А. Нелинейная проводимость и вольтамперные характеристики двумерных полупроводниковых сверхрешеток / Ю. А. Романов, Е. В. Демидов // Физика и техника полупроводников 1997. -Т.31.-№ 3.-С. 308−310
  49. Prigogine, I. Etude termodynamique des processus irreversible /1. Prigogine.- Liege: Desoer. 1947.
  50. Schlosser, T. Corrugation-induced transverse voltage in a lateral superlattice /
  51. T. Schlosser et al. // Phys. Rev. B. 1995. — V.51. — № 16. — P.10 737−10 742
  52. Аше, M. Горячие электроны в многодолинных полупроводниках / М. Аше и др. Киев: Наукова думка, 1982.
  53. Грибников, 3. С. Доменная структура многодолинного полупроводника при многозначном эффекте Сасаки / 3. С. Грибников, В. В. Митин // Труды симпозиума по физике плазмы и электрическим неустойчиво стям в твердых телах. Вильнюс: Минтис, 1972. — С. 130−133
  54. Грибников, 3. С. Устойчивые многодоменные структуры и аномальной эффект Холла при многозначном эффекте Сасаки в многодолинном полупроводнике с неоднородностями / 3. С. Грибников // Журнал экспер. и теор. физики 1983. — Т.84. — вып.7. — С. 388−399
  55. Грибников, 3. С. Многозначный эффект Сасаки в многодолинных полупроводниках / 3. С. Грибников, В. А. Кочелап, В. В. Митин // Журнал экспер. и теор. физики 1970.-Т.59. — вып.5(11).-С. 1828−1845
  56. Asche, М. Experimental proof of the multivalued Sasaki effecting n-Si / M. Asche, H. Kostial, O. G. Sarbey // J. Phys. С: Sol. Stat. Phys. 1980. — V.13.- L645-L649
  57. Бонч-Бруевич, В. Л. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках / В. Л. Бонч-Бруевич, И. П. Звягин, А. Г. Миронов. -М.: Наука, 1972.
  58. , Т. А. Неравновесный квазидвумерный электронный газ как сегнетоэлектрик / Т. А. Горшенина, Г. М. Шмелев // BKC-XVII: материалы XVII Всеросс. конф. по физике сегнетоэлектриков. Пенза, 2005.-С. 257−258.
  59. , Т. А. Неравновесный квазидвумерный электронный газ как сегнетоэлектрик / Т. А. Горшенина, Г. М. Шмелев // Нано- и микросистемная техника. 2006. — № 7 — С. 54−57
  60. , Б. А. Квантовые размерные эффекты в полупроводниковых и полуметаллических пленках / Б. А. Тавгер, В. Я. Демиховский // Успехи физ. наук 1968. — Т.96. — С. 61−76
  61. , V. К. Quantum size effect in semiconductor transport / V. K. Arora, F. G. Awad // Phys. Rew. B. 1981. — V.23. — № 4. — P. 5570−5575
  62. Arora, V. K. Quantum size effect in thin-wire transport / V. K. Arora // Phys. Rew. B. 1981.-V.23. — № 4. — P. 5611−5612
  63. , Л. В. О рассеянии электронов проводимости в очень тонких пленках / Л. В. Иогансен // Журнал экспер. и теор. физики 1966. — Т.50. — вып.З. — С. 709−716
  64. , Ф. Г. Высокочастотные свойства полупроводников со сверхрешетками / Ф. Г. Басс, А. А. Булгаков, А. П. Тетервов. М.: Наука, 1989.
  65. , Р. Ф. К теории электрических и электромагнитных свойств полупроводников со сверхрешеткой / Р. Ф. Казаринов, Р. А. Сурис // Физика и техника полупроводников 1972. — Т.6. — С. 148−155
  66. , G. Н. A new mechanism for negative differential conductivity in superlattices / G. H. Dohler, R. Tsu, L. Esaki // Solid. Stat. Com. 1975. -V.17.-P. 317−320
  67. , Г. М. Влияние размерного квантования на неравновесные фазовые переходы и ВАХ квазидвумерной сверхрешетки / Г. М. Шмелев и др. // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: труды VIII Межд. конф. Ульяновск, 2006. — С. 11−12
  68. , Г. М. Проводимость сверхрешетки при рассеянии электронов на оптических фононах / Г. М. Шмелев, Н. А. Енаки // Изв. ВУЗов. Физика. 1982. — вып. 1. — С. 81 -84
  69. , В. А. Электропроводность тонких полупроводниковых пленок в сильном электрическом поле / В. А. Маргулис // Физика и техника полупроводников 1969. — Т.8. — вып. 12. — С. 1869−1871
  70. , JI. В. О влиянии ультразвука на электронный спектр кристалла / Л. В. Келдыш // Физика тв. тела 1962. — Т.4. — № 8. — С. 2265−2269
  71. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры: пер. с англ. / под ред. Л. Ченга, К. Плога. М.: Мир, 1989.
  72. Esalci, L. Superlattice and negative differential conductivity in semiconductors / L. Esaki, R. Tsu // IBM J. Res. Develop. 1970. — V. 1. — P. 61 -65
  73. Esaki, L. Transport properties of GaAs/GaAlAs superlattice / L. Esaki et al. In: Proc. of 11th Intern. Conference on the Physics of Semiconductors. -Warsaw, 1972.-V.l.-P. 431−437
  74. Esaki, L. New transport phenomenon in a semiconductor 'superlattice' / L. Esaki, L. L. Chang // Phys. Rev. Lett. 1974. — V.33. — P. 495−498
  75. Шик, А. Я. Периодические полупроводниковые структуры / А. Я. Шик // Физика и техника полупроводников 1974. — Т.8. — вып. 10. — С. 18 411 864
  76. , В. Т. Полупроводниковые сверхрешетки / В. Т. Маслюк, П. А. Феннич // Зарубежная электронная техника 1981. — вып.8(241). — С. 160
  77. , М. Полупроводниковые сверхрешетки / М. Херман. М.: Мир, 1989.
  78. , Р. А. Сверхрешетки в решении проблемы создания материалов функциональной микроэлектроники / Р. А. Сурис // Электронная промышленность 1977. — вып.6(60). — С. 52−58
  79. , Ф. Г. Полупроводники со сверхрешетками / Ф. Г. Басс // Природа -1984,-№ 7.-С. 80−87
  80. , Ю. А. Блоховские колебания в сверхрешетках. Проблема терагерцового генератора / Ю. А. Романов, Ю. Ю. Романова // Физика и техника полупроводников 2005. — Т.39. — вып.1. — С. 162−170
  81. , С. В. Стабилизация формы солитона в сверхрешетке со спектром, выходящим за рамки учета «ближайших соседей», в поле нелинейной волны / С. В. Крючков, Э. Г. Федоров // Физика и техника полупроводников 2002. — Т.36. — вып.З. — С. 326−329
  82. Cooperman, G. Corrections to enhanced optical nonlinearity of superlattices / G. Cooperman, L. Fridman, L. Bloss // Appl. Phys. Lett. 1984. — Y.44. -№ 10.-P. 977−979
  83. Tamura, S. Acoustic-phonon transmission in quasiperiodic superlattices / S. Tamura, J. P. Wolfe//Phys. Rev. B. 1987. — V.36. -№ 6. — P. 3491−3494
  84. Wurtz, B. D. Quasiperiodic Kronig-Penney model on a Fibonacci superlattice / B. D. Wurtz, M. P. Soerensen, T. Schneider// Helvetica Phys. Acta. 1988. -V.61.-P. 345−362
  85. , Г. M. Поперечные электрические флуктуации в квазидвумерной сверхрешетке с «параболическим» законом дисперсии / Г. М. Шмелев, Т. А. Горшенина // Известия ВГПУ. Сер. Естеств. и физ.-мат. науки. 2005. — № 4 (13). — С. 3−6
  86. , G. М. Differential thermo-EMF of quasi-two-dimensional superlattice in high electric field / G. M. Shmelev, I. I. Maglevanny, A. S. Bulygin // J. Phys. Low-Dim. Struct. 1999. — V. l 1/12. — P. 7−14
  87. , Г. M. Сегнетоэлектрические свойства неравновесного электронного газа / Г. М. Шмелев, И. И. Маглеванный, Э. М. Эпштейн // Изв. ВУЗов. Сер. Физика 1998. — № 4. — С. 72−79
  88. , G. М. Nonequilibrium phase transitions in a quasi-two-dimensional superlattice with parabolic miniband / G. M. Shmelev, T. A. Gorshenina, E. M. Epshtein // ArXiv: cond-mat/602 292. 2006. — v. 1. — 9p.
  89. , Г. M. Спонтанная поперечная ЭДС в квазидвумерной сверхрешетке с «параболической» минизоной / Г. М. Шмелев, Т. А.
  90. Горшенина // Вестник ВолгГАСУ. Сер. Естеств. науки. 2005. — вып.5 (18).-С. 83−88
  91. , П. И. Функция вероятности / П. И. Хаджи. Кишинев: РИО АН МССР, 1971.
  92. , Н. Н. Специальные функции и их применения / Н. Н. Лебедев -М.: Физматгиз. 1968.
  93. , М. Справочник по специальным функциям / М. Абрамович, И. Стиган-М.: Наука, 1979.
  94. , П. И. Вычисление некоторых интегралов, содержащих функцию вероятности / П. И. Хаджи // Изв. АН Молдавской ССР. Сер. физ.-тех. и мат. наук.- 1968.-№ 2.-С. 81−104
  95. , Л. С. О статистическом рассмотрении динамических систем / Л. С. Понтрягин, А. А. Андронов, А. А. Витт // Журнал экспер. и теор. физики 1933.-Т.З.-вып.З.-С. 165−180
  96. Kramers Н. A. Brownian motion in a field of force and the diffusion model of chemical reactions / H. A. Kramers // Physica. 1940. — V.7. — P. 284−291
  97. , П. С. Теория флуктуационных переходов и ее приложения / П. С. Ланда // Радиотехника и электроника 2001. — Т.46. — № 10. — С. 11 571 197
  98. , Р. Л. Избранные вопросы теории флуктуаций в радиотехнике / Р. Л. Стратонович М.: Сов. радио, 1961.
  99. McNamara, В. Theory of stochastic resonance / В. McNamara, К. Wiesenfild // Phys. Rev. A. 1989. — V.39. — № 9. — P. 4854−4869
  100. , В. С. Стохастический резонанс как индуцированный шумом эффект увеличения степени порядка / В. С. Анищенко и др. // Успехи физ. наук 1999. -Т.169. ~№ 1. — С. 7−38
  101. Benzi, R. The mechanism of stochastic resonance / R. Benzi, A. Sutera, A. Vulpiani // J. Phys. A. 1981. — V. 14. — L453-L457
  102. Benzi, R. A theory of stochastice resonance in climatic change / R. Benzi et al. // Siam J. Appl. Math. 1983. — V.43. -№ 3 — P. 565−578
  103. Benzi, R. Stochastic resonance in the Landau-Ginzburg equation / R. Benzi, A. Sutera, A. Vulpiani // J. Phys. A: Math. Gen. 1985. — V.18. — P. 22 392 245
  104. Gammaitoni, L. Stochastic resonance / L. Gammaitoni et al. // Rev. Mod. Phys. 1998. — V.70. — P. 223−287
  105. Drozhdin, K. Stochastic Resonance in Ferroelectric TGS Crystal / K. Drozhdin // Dissertation zur Erlangung des akademischen Grades doctor rerum naturalium (Dr. rer. nat.). Halle, 2001.
  106. Diestelhorst, M. Stochastic Resonance and Domian Switching / M. Diestelhorst, K. Drozhdin // Ferroelectrics 2003. — V.291. — P. 217−224
  107. Ш. Шмелев, Г. M. Неравновесные фазовые переходы и стохастический резонанс в квазидвумерной сверхрешетке / Г. М. Шмелев и др. // Изв. АН. Сер. Физическая. 2003. — Т.67. — № 8. — С. 1110−1112
  108. , А. Е. О возможности стохастического резонанса в сегнетоэлектриках / А. Е. Дубинов и др. // Изв. РАН. Сер. Физическая. 1996. — Т.60 (10). — С. 76−77
  109. , Ю. JI. Введение в физику открытых систем / Ю. JI. Климонтович // Соросовский образовательный журнал. 1996. — № 8. -С. 109−113
  110. , С. А. О стохастическом резонансе с точки зрения фильтрующих свойств бистабильной системы / С. А. Решетняк, А. А. Щеглов // Квантовая электроника. 2003. — Т.ЗЗ. — № 2. — С. 142−148
  111. , А. Н. К теории фильтрации сигналов в бистабильной колебательной системе с умеренной диссипацией / А. Н. Домбровский, С. А. Решетняк, В. А. Щеглов // Квантовая электроника. 2005. — Т.35. -№ 11.-С. 1033−1038
  112. , J. М. G. Stochastic multiresonance / J. M. G. Vilar, J. M. Rubi // Phys. Rev. Lett 1997. — V.78. — № 15. — P. 2882−2885
  113. Berdichevsky, V. Stochastic resonance in a bistabile piecewice potential: analytical solution / V. Berdichevsky, M. Gitterman // J. Phys. A: Math. Gen. 1996. — V.29. — L447-L452
  114. , Г. М. Неравновесные электрические флуктуации в полупроводниковой сверхрешетке с «параболической» минизоной / Г. М. Шмелев, Т. А. Горшенина // Вестник ВГТУ. Воронеж, 2006. — 4с.
  115. , И. М. Явления переноса и флуктуации в полупроводниках / И. М. Дыкман, П. М. Томчук Киев: Наукова Думка, 1981.
  116. , А. А. Об эффекте отрицательной дифференциальной проводимости в квазидвумерных полупроводниковых сверхрешетках / А. А. Игнатов // Доклады АН СССР. 1983. — Т.273. — № 6. — С. 13 511 358
  117. Bonilla, L. L. Generalized drift-diffusion model for miniband superlattices / L. L. Bonilla, R. Escobedo, A. Perales // Phys. Rev. B. 2003. — V.68. -241 304® — 4p.
  118. Shmelev, G. M. Electron diffusion and harmonic generation in superlattice / G. M. Shmelev, E. M. Epshtein, E. N. Valgutskova // Изв. В ГПУ. Сер. Естеств. и физ.-мат. науки. 2004. -№ 4 (09). — С. 3−9
  119. , Ю. Л. Статистическая физика : учебное пособие / Ю. Л. Климонтович М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1982.
  120. G. М., Epshtein Е. М., Valgutskova Е. N. On the second harmonic generation in superlattices // ArXiv: cond-mat / 410 246. 2004. — 1 Op.
  121. , A. 3. Флуктуационная теория фазовых переходов / А. 3. Паташинский, В. Л. Покровский М.: Наука, 1975.
  122. , Е. М. Физическая кинетика- сер. Теоретическая физика, том X. / Е. М. Лифшиц, Л. П. Питаевский М.: Наука, 1979.
  123. Ван Кампен, Н. Г. Стохастические процессы в физике и химии / Н. Г. Ван Кампен -М.: Высшая школа, 1990.
  124. , М. Шумы в электронных приборах и системах / М. Букингем -М.: Мир, 1986.
  125. , Е. М. Double stochastic resonance in conductors with narrow conduction band / E. M. Epshtein, T. A. Gorshenina, G. M. Shmelev //
  126. Physics of electronic materials: proceedings of 2nd international conference Kaluga, Russia, May 24−27 2005. Kaluga 2005. — P. 268−270
  127. Epshtein, E. M. Double stochastic resonance in conductors with narrow conduction band / E. M. Epshtein, T. A. Gorshenina, G. M. Shmelev // ArXiv: cond-mat/503 092. 2005. — v.l. — 2p.
  128. , Т. А. Стохастический мультирезонанс в неравновесном квазидвумерном электронном газе / Т. А. Горшенина // Молодые ученые 2005: материалы Межд. научно-технической школы-конф. Москва. -2005.-С. 37−39
Заполнить форму текущей работой