Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Генерационные характеристики лазеров с вертикальным резонатором на основе гетероструктур InGaAs-AlGaAs

Диссертация: Генерационные характеристики лазеров с вертикальным резонатором на основе гетероструктур InGaAs-AlGaAs
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В течение последних десяти лет ЛВР все шире используются в телекоммуникационных системах, в частности в локальных ВОЛС. Однако, и в настоящее время актуальной остается задача исследования физических процессов работы ЛВР, детального исследования их характеристик и улучшения их приборных параметров, исходя из требований конкретных новых применений. В частности весьма актуальной является разработка… Читать ещё >

Содержание

  • Содержание З
  • Глава 1. Лазеры с вертикальным резонатором
    • 1. 1. Принцип работы и структура мод J1BP
    • 1. 2. Лазеры с низким порогом
    • 1. 3. Миниатюрный атомный стандарт частоты на основе ЛВР
  • Глава 2. Методы расчета характеристик микрорезонаторов
    • 2. 1. Модель характеристических матриц
    • 2. 2. Модель собственных мод
  • Глава 3. Экспериментальное оборудование и методики
    • 3. 1. Методики измерения характеристик ЛВР и тестовых образцов
    • 3. 2. Изготовление ЛВР
  • Глава 4. Исследование характеристик ЛВР с длиной волны генерации 850 нм на основе GaAs квантовых ям
    • 4. 1. Дизайн структуры и расчет характеристик лазера с вертикальным резонатором на основе GaAs квантовых ям
    • 4. 2. Исследование генерационных характеристик ЛВР на основе
  • GaAs квантовых ям
    • 4. 3. Модель тонкой структуры линий излучения основной моды ЛВР
  • Глава 5. Разработка и исследование характеристик ЛВР основе InGaAs квантовых ям
    • 5. 1. Разработка ЛВР с малыми оптическими потерями
    • 5. 2. Исследование спектральных и генерационных характеристик лазеров с вертикальным резонатором на основе InGaAs квантовой ямы
  • Глава 6. Исследование характеристик ЛВР с длинной волны генерации 795 нм на основе АЮаАэ квантовых ям
    • 6. 1. Миниатюрный атомный стандарт частоты на основе ЛВР
    • 6. 2. Оптимизация режимов роста ЛВР с целью получения резонансной длины волны микрорезонатора с точностью ±1 нм
    • 6. 3. Исследование спектральных и генерационных характеристик лазеров с вертикальным резонатором
    • 6. 4. Анализ температурных зависимостей длины волны лазерного излучения в диапазоне температур 20 -г- 80 ° С

Генерационные характеристики лазеров с вертикальным резонатором на основе гетероструктур InGaAs-AlGaAs (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

.

Полупроводниковые лазерные диоды (ЛД) традиционной полосковой конструкции в настоящее время активно и успешно используются для самого широкого спектра практических приложений: в лазерных принтерах, волоконно-оптических линиях связи (ВОЛС), оптических системах записи и хранения информации, оптических датчиках и сенсорах, устройствах накачки твердотельных лазеров, медицинской аппаратуре, контрольно-измерительной аппаратуре, оптических системах обработки информации [С1]. Однако традиционные полосковые лазеры обладают несколькими принципиальными недостатками, обусловленными их конструкцией, к числу которых можно отнести: несимметричная диаграмма выходного излучения ЛД и её большая угловая расходимость, что приводит к малому коэффициенту ввода света в оптическое волокновысокая температурная нестабильность длины волны лазерного излучения (на уровне 0,35−0,4 нм/градус) — существенная температурная зависимость порогового тока ЛДневозможность тестирования приборных структур на подложке до их разделения на индивидуальные кристаллы и монтажа на радиатор;

Все возрастающие требования, предъявляемые к современным лазерам, используемым в системах передачи, обработки и хранения информации, обуславливают необходимость преодоления недостатков традиционных полосковых ЛД, что делает актуальным разработку новых конструкций приборов. На данный момент одним из наиболее перспективных типов полупроводниковых лазеров, лишенных перечисленных выше недостатков, является инжекционный лазер с вертикальным резонатором (ЛВР) [С1 — С5]. Современные варианты конструкции ЛВР основаны на использовании вертикальных оптических высокодобротных микрорезонаторов с зеркалами в виде распределенных брэгговских отражателей (РБО) [С1, С2]. При такой конструкции микрорезонатора оптическая волна распространяется в направлении, перпендикулярном к плоскости эпитаксиальных слоев, образующих лазерную структуру [С6], в качестве активной области в ЛВР используются квантово-размерные структуры, квантовые ямы (КЯ) или квантовые точки (КТ), помещаемые вблизи пучностей оптического поля микрорезонатора. Брэгговские отражатели обеспечивают эффективную локализацию электромагнитной волны в вертикальном направлении. Оксидные апертуры, получаемые с помощью селективного окисления слоев А1хОа1хАз с высоким содержанием А1, задают эффективную локализацию электромагнитной волны в латеральном направлении. Оксидные апертуры обеспечивают также эффективное токовое ограничение. К числу основных преимуществ ЛВР по сравнению с традиционными инжекционными лазерами полосковой конструкции можно отнести: малую угловую расходимость (единицы градусов) и симметричную диаграмму направленности выходного излучения ЛВР, обусловленную цилиндрической симметрией микрорезонаторасущественно меньший объем микрорезонатора (единицы мкм), что задает экономичность работы данного типа лазерных излучателей (пороговые и рабочие токи единицы мА и меньше [С7]), а также обеспечивает высокое быстродействие излучателей (частота токовой модуляции достигает десятков ГГц [С8]) — высокую температурную стабильность длины волны (на уровне 0,05 нм/градус) — групповую технологию изготовления, обеспечивающую возможность тестирования ЛВР непосредственно на пластине без разделения на отдельные кристаллы.

В течение последних десяти лет ЛВР все шире используются в телекоммуникационных системах, в частности в локальных ВОЛС. Однако, и в настоящее время актуальной остается задача исследования физических процессов работы ЛВР, детального исследования их характеристик и улучшения их приборных параметров, исходя из требований конкретных новых применений. В частности весьма актуальной является разработка лазеров с одномодовым режимом излучения, работающих на строго фиксированной длине волны, сверхминиатюрных лазеров с микроамперными пороговыми и рабочими токами, которые представляют интерес для создания оптоэлектронных систем нового поколения, таких как системы параллельной передачи и обработки данных, миниатюрных атомных стандартов частоты.

Цель настоящей работы заключается в исследовании физических процессов, разработки конструкции и технологии изготовления полупроводниковых JIBP на основе гетероструктур с квантовыми ямами GaAs, AlGaAs, InGaAs, представляющих интерес для создания оптоэлектронных устройств нового поколения.

Для достижения поставленной цели в ходе работы решались следующие основные задачи;

1. Проведение математического моделирования конфигурации электромагнитного поля в лазерных микрорезонаторах с использованием одномерных и трехмерных моделей. Исследование модового состава, параметров стабильности одномодового режима генерации. Разработка конструкции JIBP на основе полученных результатов.

2. Отработка базовых элементов технологии вертикально излучающих лазеров с селективно окисленными апертурами и различными вариантами используемых зеркал. Изготовление экспериментальных образцов JIBP.

3. Экспериментальное исследование и анализ модового состава JIBP с GaAs КЯ.

4. Реализация и исследование JIBP с микроамперным пороговым током на базе гетероструктур с InGaAs КЯ.

5. Изготовление и исследование характеристик одномодовых ЛВР для атомных стандартов частоты с длиной волны генерации 795 нм, соответствующей переходу 5si/2-«5pi/2 атомов 87Rb.

Научная новизна работы:

1. Экспериментально исследована и интерпретирована тонкая структура линий излучения основной моды в JIBP спектрального диапазона 850 нм с GaAs квантовыми ямами.

2. Разработаны и исследованы J1BP на основе одиночных Ino^Gao^As КЯ с высокодобротными микрорезонаторами, обеспечивающими сверхнизкие пороговые и рабочие токи излучателей.

3. Разработан и апробирован метод стабилизации поляризации лазерного излучения с использованием омического контакта асимметричной формы.

4. Разработаны и исследованы одномодовые ДВР на основе Alo, o7Gao, 93As КЯ с перестраиваемой длиной волны вблизи 795 нм, пригодные для использования в миниатюрных атомных стандартах частоты на основе переходов 5Si/2—"5Pm о7 атомов Rb.

Практическая значимость результатов заключается в следующем:

Разработаны экспериментальные образцы JIBP с различными вариантами активных областей и микрорезонаторов. Полученные решения могут быть использованы при создании JIBP, характеристики которых отвечают требованиям конкретных применений, таких как локальные BOJIC, атомные стандарты частоты. Основные научные положения, выносимые на защиту:

Положение 1.

В J1BP одновременная генерация близких по частоте фундаментальных мод с взаимно перпендикулярной поляризацией излучения, обусловлена встроенными электрическими полями на границах гетероструктуры, образующей J1BP. Положение 2.

При разработке одномодовых J1BP с прецизионной длиной волны генерации необходимо учитывать уменьшение длины волны генерации JIBP при уменьшении размера оксидной апертуры JIBP.

Положение 3.

Микрорезонаторы на основе полупроводниковых и гибридных брэгговских зеркал GaAs/AlGaO с малыми оптическими потерями и высокой добротностью пригодны для создания сверхминиатюрных JIBP с низкими пороговыми и рабочими токами на уровне десятков мкА. Положение 4.

Ассиметричная инжекция тока в брэгговский микрорезонатор JTBP является эффективным способом стабилизации направления поляризации лазерного излучения.

Достоверность и надежность представленных в диссертационной работе результатов обеспечиваются применением современных методов исследований, воспроизводимостью результатов, совпадением экспериментальных и расчетных результатов и реализацией на их основе действующих макетов J1BP.

Личный вклад соискателя в диссертационную работу заключается в активном участии в постановке задач и определении способов их решения, проведении экспериментов, анализе и интерпретации полученных данных, проведении модельных расчетов. Автор участвовал в обсуждении полученных результатов, подготовке докладов и публикаций.

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались на:

• «Совещание актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники», Новосибирск 2003, Россия.

• «VI Российская конференция по физике полупроводников», Санкт — Петербург 2003, Россия.

• «VI Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто — и наноэлектронике», Санкт — Петербург 2004, Россия.

• «6th International Siberian Workshop and Tutorial EDM'2005», Эрлагол 2005, Россия.

• «2nd International Conference on Advanced Optoelectronics and Lasers», Ялта 2005, Украина.

• «VII Российская конференция по физике полупроводников», Москва 2005, Россия.

• «7th International Siberian Workshop and Tutorial EDM'2006», Эрлагол 2006, Россия.

• «8th International Siberian Workshop and Tutorial EDM'2007», Эрлагол 2007, Россия.

• «10th International Siberian Workshop and Tutorial EDM'2009», Эрлагол 2009, Россия.

• «IX Конференция по физике полупроводников», Новосибирск 2009, Россия.

• «Нанофизика и Наноэлектроника, XIV международный симпозиум», Нижний Новгород 2010, Россия, а также на научных семинарах лаборатории № 37 ИФП СО РАН.

Публикации. Основные результаты работы опубликованы в 17 печатных работах, в том числе 5 в научных статьях и 11 в материалах конференций, получен 1 патент РФ.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, шести глав и заключения изложенных на 148 страницах машинописного текста. Диссертация включает в себя 59 рисунков 4 таблицы и списка литературы из 77 наименований. Общий объем диссертации 148 страниц.

Основные результаты диссертации опубликованы в работах:

Al. Haisler V. A. Ultralow-threshold cryogenic vertical-cavity surface-emitting laser with AlAs oxide — GaAs distributed Bragg reflectors / V. A. Haisler, I.A. Derebezov, A. I. Toropov, A. K. Bakarov, O. R. Bajutova, A. K. Kalagin, M. M. Kachanova, N. B. Kuzmin, A. S. Medvedev and A. S. Suranov // Journal of Applied Physics — 2004. — Vol. 96 — P. 1289 -1292.

A2. Гайслер B.A. Исследование генерационных характеристик лазеров с вертикальным резонатором на основе Ino.2Gao.8As квантовых ям / В. А. Гайслер, И. А. Деребезов, А. И. Торопов, А. К. Бакаров, O.P. Баютова, А. К. Калагин, М. М. Качалова, A.C. Медведева, Л. А. Ненашева, A.C. Суранов // Известия Академии Наук (Серия Физическая) — 2004. -Т. 68, № 18.-С. 18−20.

A3. Деребезов И. А. Одномодовые лазеры с вертикальным резонатором для миниатюрных атомных стандартов частоты / И. А. Деребезов, В. А. Гайслер, А. К. Бакаров, А. К. Калагин, А. И. Торопов, М. М. Качанова, Т. А. Гаврилова, A.C. Медведев, Л. А. Ненашева, В. М. Шаяхметов, О. И. Семенова, К. В. Грачев, В. К. Сандырев, Д. Б. Третьяков, И. И Бетеров, В. М. Энтин, В. М. Энтин // Автометрия. — 2009. — Т. 45, № 4. -С. 95 -102.

A4. Деребезов И. А. Одномодовые лазеры с вертикальным резонатором для миниатюрного атомного эталона частоты на основе атомов Rb87 / И. А. Деребезов, В. А. Гайслер, А. К. Бакаров, А. К. Калагин, А. И. Торопов, М. М. Качанова, Т. А. Гаврилова, О. И. Семенова, Д. Б. Третьяков, И. И Бетеров, В. М. Энтин, И. И. Рябцев // Физика и техника полупроводников. — 2010. — Т.44, № 11. — С. 1470 — 1474. А5. Гайслер В. А. Излучатели на основе полупроводниковых брэгговских микрорезонаторов" / В. А. Гайслер, И. А. Деребезов, А. И. Торопов, И. И. Рябцев // Автометрия. — 2011. — Т. 47, № 5. — С. 25- 32. А6. Гайслер В. А. «Лазер с вертикальным резонатором с длиной волны 795нм» / В. А. Гайслер, И. А. Деребезов, А. И. Торопов, А. К. Бакаров // Патент РФ на полезную модель № 91 782.

А7. Гайслер В. А. Низкопороговые полупроводниковые лазеры с вертикальным резонатором на основе АЮ — GaAs брэгговских зеркал / В. А. Гайслер, И. А. Деребезов, А. И. Торопов, А. К. Бакаров, O.P. Баютова, А. К. Калагин, М. М. Качалова, A.C. Медведева, Л. А. Ненашева, A.C. Суранов // Труды Совещания актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники Фотоника -2003 (Новосибирск, Россия, 28−31 августа 2003). С. 45.

А8. Гайслер В. А. Низкопороговые полупроводниковые лазеры с вертикальным резонатором на основе InO.2GaO.8As квантовых ям / В. А. Гайслер, И. А. Деребезов, А. И. Торопов, А. К. Бакаров, О. Р. Баютова, А. К. Калагин, М. М. Качалова, А. С. Медведева, JI.A. Ненашева, А. С. Суранов // Труды VI Российской конференции по физике полупроводников (Санкт — Петербург, Россия, 27−31 октября 2003). С. 496.

А9. Гайслер В. А. Исследование генерационных характеристик лазеров с вертикальным резонатором на основе GaAs и InGaAs квантовых ям / В. А. Гайслер, И. А. Деребезов // Труды VI Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто — и наноэлектронике (Санкт — Петербург, Россия, 6−9 декабря 2004), С. 114.

А10. Haisler V.A. basing characteristics of vertical — cavity surface — emitting lasers based on GaAs and InGaAs quantum wells / V.A. Haisler, I.A. Derebezov // Proceedings of 6th International Siberian Workshop and Tutorial EDM-2005 (Erlagol, Russia, 1−5 July 2005).-P. 30.

All. Haisler V.A. Mode characteristics of vertical-cavity surface-emitting lasers based on GaAs quantum wells / V.A. Haisler, I.A. Derebezov // Proceedings of 2nd International Conference on Advanced Optoelectronics and Lasers (Yalta, Crimea, Ukraine, 12−17 September 2005). -P. 237.

A12. Гайслер В. А. Исследование модовых характеристик микрорезонаторов на основе GaAs/AlGaAs и GaAs/AlO брэгговских зеркал / В. А. Гайслер, И. А. Деребезов И Труды VII Российской конференции по физике полупроводников (Москва, Россия, 18−23 сентября 2005). — С. 90.

А13. Derebezov I.A. Fine Structure of basing Modes Vertical Cavity Surface Emitting Laser Based on GaAs Quantum Well / I.A. Derebezov // 7th International Siberian Workshop and Tutorial EDM — 2006 (Erlagol, Russia, 1- 5 July 2006). P. — 95.

A14. Derebezov I.A. Linear electro-optic effect in vertical-cavity surface emitting lasers based on GaAs quantum well / I.A. Derebezov // 8th International Siberian Workshop and Tutorial EDM — 2007 (Erlagol, Russia, 1- 5 July 2007). P. — 115.

A15. Derebezov I.A. Single mode vertical cavity surface emitting laser for chip-scale atomic clock based on Rb87 / I.A. Derebezov, V.A. Haisler, A.K. Bakarov, A.I. Toropov, M.M. Kachanova, V.M. Entin, I.I. Ryabtsev // 10th International Siberian Workshop and Tutorial EDM — 2010 (Erlagol, Russia, 1- 5 July 2010). P. — 100.

A16. Деребезов И. А. Одномодовый лазер с вертикальным резонатором для миниатюрного атомного стандарта частоты / И. А. Деребезов, В. А. Гайслер, А. К. Бакаров, А.И.

Торопов, М. М. Качанова, В. М. Энтин, И. И. Рябцев // Труды IX Конференции по физике полупроводников (Новосибирск — Томск, Россия, 28 сентября — 3 октября 2009). С. 301.

А17. Деребезов И. А. Лазер с вертикальным резонатором для миниатюрного атомного эталона частоты на основе Rb87 / И. А. Деребезов, В. А. Гайслер //Труды XIV международного симпозиума «Нанофизика и Нанофотоника» (Нижний Новгород, Россия, 15 — 19 марта 2009). С. 437.

Заключение

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. CI. Coldren L.A. Diode lasers and photonic integrated circuits / L.A. Coldren, and S.W. Corzine // New York, Wiley, 1995. 594 p.
  2. C2. J. Cheng Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers: Technology and Applications / Cheng J. and Dutta N.K. // Amsterdam, Gordon and Breach Science Publishers, 2000. -323 p.
  3. C3. Т.Е. Sale Vertical Cavity Surface Emitting Lasers / Sale Т.Е.// New York, Wiley, 1995. 312 p.
  4. C4. C.W. Wilsmen Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers: Design, Fabrication, Characterization and Application / Wilsmen C.W., Temkin H. and Coldren L.// Cambridge University Press, 1999. 474 p.
  5. C5. H.E. Li Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Devices / Li H.E. and Iga K. // Berlin Heidelberg, Springer- Verlag, 2002. 386 p.
  6. Сб. H. Soda GalnAsP/InP surface emitting injection lasers / Soda H., Iga K., Kitahara C., Suematsu Y. // Jpn. Appl. Phys. 1979. — Vol.18. — P. 2329 — 2330.
  7. C7. G.M. Yang Ultralow threshold current vertical-cavity surface-emitting lasers obtained with selective oxidation / Yang G.M., MacDougal M.H. and Dapkus P.D.// Electronics Letters. 1995. — Vol.3l.N.l 1. — P. 886 — 888.
  8. C8. S. A. Blokhin Oxide-confined 850 nm VCSELs operating at bit rates up to 40 Gbit/s / Blokhin S. A., Lott J. A., Mutig A., Fiol G., Ledentsov N. N., Maximiv M. V.,
  9. A. M., Shchukin V. A., Bimberg D. // Electronics Letters. 2009. -Vol.45.N.10.-P. 501 -503. C9. K. Iga Surface—emitting laser-its birth and generation of new optoelectronics field / Iga
  10. K.// IEEE J. Select. Topics Quantum Electron. 2000, — V0I.6.N.6. — P. 1201−1215. C10. K. Iga Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser: Its Conception and Evolution / Iga
  11. J. D. Wynn, G. J. Zydzik, R. E. Leibenguth, M. T. Asom, K. Kojima, and R. A. Morgan // Applied Physics Letters.-1993-Vol.62.N. 13.-P. 1448−1450.
  12. CI8. Y. Satuby Small signal modulation of multitransverse modes vertical cavity surface emitting lasers/ Y. Satuby, M. Orenstein// IEEE Photonics Technology Letters.-1998-Vol.l0.N6.-P.757−759.
  13. CI9. K. H. Hahn Large area multitransverse mode VCSEL’s for modal noise reduction in multimode fiber systems/ K. H. Hahn, M. R. Tan, Y. M. Houng, S. Y. Wang// IEEE Electronics Letters.-1993-Vol.29.N.16.-P. 1482−1483.
  14. C21. G. C. Wilson Spatial hole burning and self-focusing in vertical cavity surface emitting laser diodes/ G. C. Wilson, D. M. Kuchta, J. D. Walker, and J. S. Smith// Applied Physics Letters.-1994-Vol.64 .N.5.-P.542−544.
  15. C22. A. Valle Spatial hole burning effects on the dynamics of vertical cavity surface emitting laser diodes/ A. Valle, J. Sarma, and K. A. Shore// IEEE Journal of Quantum Electronics.-1995-Vol.31.N.8.-P. 1423−1431.
  16. C23. J. Y. Law Effects of spatial hole burning on gain switching in vertical cavity surface emitting lasers/ J. Y. Law, G. P. Agrawal,// IEEE Journal of Quantum Electronics.-1997-Vol.33.N.3.-P.46268.
  17. C24. M. Ogura Transverse mode characteristics of a DBR surface emitting laser with buried heterostructure/ M. Ogura, S. Fuiji, T. Okada, M. Mori, K. Mori, T. Asaka, and H. Iwano// Japanese Journal of Applied Physics.-1991-Vol.30.N.-P.3879−3882.
  18. C25. R. A. Morgan Transverse mode control of vertical cavity top surface emitting lasers/ R. A. Morgan, G. D. Guth, M. W. Focht, M. T. Asom, K. Kojima, L. E. Rogers, and S. E. Callis// IEEE Photonics Technology Letters.-1993-Vol.4.N4.P.374−377.
  19. C26. M. A. Hadley High single transverse mode output from external cavity surface emitting laser diodes/ M. A. Hadley, G. C. Wilson, K. Y. Lau, and J. S. Smith// Applied Physics Letters.-l 993-Vol.63 .N. 12.-P. 1607−1609.
  20. C27. K. D. Choquette Polarization modulation of cruciform vertical cavity laser diodes/ K. D. Choquette, K. L. Lear, R. E. Leibenguth, and M. T. Asom// Applied Physics Letters.-1994-Vol.64.N.21.-P.2767−2769.
  21. C28. Y. A. Wu Transverse mode selection with a passive antiguide region in vertical cavity surface emitting lasers/ Y. A. Wu, C. J. Chang Hasnain, and R. Nabiev// IEEE Photonics Technology Letters.-1994-Vol.6.N8.-P.924−926.
  22. C29. B. S. Yoo Stable transverse mode emission in vertical cavity surface emitting lasers antiguided by amorphous GaAs layer/ B. S. Yoo, H. Y. Chu, M. S. Park, H. H. Park, and E. H. Lee// IEEE Electronics Letters.-1996-Vol.32.N.2.-P.l 16−117.
  23. C30. K. D. Choquette Leaky mode vertical cavity lasers using cavity resonance modification / K. D. Choquette, G. R. Hadley, H. Q. Hou, K. M. Geib, and B. E. Hammons// IEEE Electronics Letters.-1998-Vol.34.N. 10.-P.991 -993.
  24. C31. J. Dellunde Transverse mode selection in external-cavity vertical cavity surface emitting laser diodes/ J. Dellunde, A. Valle, and K. A. Shore// Journal of the Optical Society of America B.-1996-Vol.l3.N.ll.-P.2477−2483.
  25. C32. J. Y. Law Effects of optical feedback on static and dynamic characteristics of vertical cavity surface emitting lasers/ J. Y. Law, G. P. Agrawal// IEEE J. Select. Topics Quantum Electron.-1997-Vol.3.N.2.-P.353−358.
  26. C33. Y. G. Zhao Transverse mode control of vertical cavity surface emitting lasers/ Y. G. Zhao, J. G. Mclnerney,// IEEE Journal of Quantum Electronics.-1996-Vol.32.N. 11,-P.1950−1958.
  27. C34. C.J. Chang-Hasnain Transverse mode characteristics of vertical-cavity surface-emitting lasers/ C.J. Chang-Hasnain, M. Orestein, A. Von Lehmen, L.T. Florez, J.P. Harbison, N.G. Stoffel // Applied Physics Letters-1990-Vol.57.N.3.-P.218−220.
  28. C36. K.D. Choquette Control of vertical-cavity laser polarization with anisotropic transverse cavity geometries/ K.D. Choquette, R.E. Leibenguth// IEEE Photonics Technology Letters.-1994-Vol.6.N.l.-P.40−42.
  29. C37. K.D. Choquette Temperature dependence of gain-guided vertical-cavity surface emitting laser polarization/ K.D. Choquette, D.A. Richie, R.E. Leibenguth// Applied Physics Letters.-1994-Vol.64.N. 16.-P.2062−2064.
  30. C38. M. Travagnin Polarization behaviour of surface-emitting semiconductor lasers in an axial magnetic field/ M. Travagnin, M.P. van Exter, A.K. Jansen van Doom, J.P. Woerdman// Optics Communications.-1997-Vol.l33.N.l-6.-P.252−258.
  31. C39. J.H. Ser Polarization stabilization of vertical-cavity surface emitting lasers by inscription of fine metal-interlaced gratings/ J.H. Ser, Y.G. Ju, J.H. Shin, Y.H. Lee// Applied Physics Letters.-l 995-Vol.66.N21 .-P.2769−2801.
  32. C40. U. Fiedler Top surface-emitting vertical-cavity laser diodes for 10-Gb/s data transmission/ U. Fiedler, G. Reiner, P. Schnitzer K. Ebeling// IEEE Photonics Technology Letters.-1996-Vol.8.N.6.-P.746−748.
  33. C41. F. De Martini Anomalous spontaneous-stimulated-decay phase transition and zero-threshold laser action in a microscopic cavity/ F. De Martini, G. R. Jacobovitz//, Physical Review Letters.-l 988-Vol.60.N. 17.-P. 1711 -1714.
  34. C43. D. L. Huffaker Lasing characteristics of low threshold microcavity lasers using half-wave spacer layers and lateral index confinement/ D. L. Huffaker, J. Shin, and D. G. Deppe // Applied Physics Letters.-1995-Vol.66.N.14.-P.1723−1725.
  35. C44. D. L. Huffaker Ring and stripe oxide-confined vertical-cavity surface-emitting lasers/ D. L. Huffaker, H. Deng, Q. Deng, and D. G. Deppe// Applied Physics Letters.-1996-Vol.69.N.23.-P.3477−3479.
  36. C45. Z. Feit Low threshold PbEuSeTe/PbTe separate confinement buried heterostructure diode lasers/ Z. Feit, M. McDonald, R. J. Woods, V. Archambault, P. Mak// Applied Physics Letters.-l996-Vol.68.N.6.-P.738−740.
  37. C46. K. An Microlaser: A laser with One Atom in an Optical Resonator/ K. An, J. J. Childs, R. R. Dasari, M. S. Feld// Physical Review Letters.-1994-Vol.73.N25.-P.3375−3378.
  38. C47. V. Sandoghdar Very low threshold whispering-gallery-mode microsphere laser/ V. Sandoghdar, F. Treussart, J. Hare, V. Lefe’vre-Seguin, J.-M. Raimond S. Haroche// Physical Review Letters.-1996-Vol.54.N3.-P. 1777−1780.
  39. C48. G. P. Agrawal Intensity and phase noise in microcavity surface? emitting semiconductor lasers/ G. P. Agrawal, G. Gray// Applied Physics Letters.-1991-Vol.59.N.4.-P.399−401.
  40. C49. G. Bjo’rk On the linewidth of microcavity lasers/ G. Bjo’rk, A. Karlsson, and Y. Yamamoto// Applied Physics Letters.-1992-Vol.60.N.3.-P.304−306.
  41. C50. T. Baba Spontaneous emission factor of a microcavity DBR surface-emitting laser/ T. Baba, T. Hamano, F. Koyama, K. Iga// IEEE Journal of Quantum Electronics.-1991-Vol.27 .N.6.-P.1347−1358.
  42. C51. G. Bjork Modification of spontaneous emission rate in planar dielectric microcavity structures/ G. Bjork, S. Machida, Y. Yamamoto, and K. Igeta// Physical Review A.-1991-Vol. 44.N.1.-P.669−681.
  43. C52. F. De Martini Anomalous Spontaneous Emission Time in a Microscopic Optical Cavity/ F. De Martini, G. Innocenti, G. R. Jacobovitz, and P. Mataloni//, Physical Review Letters.-1987-Vol.59.N.26.-P.2955−2958.
  44. C53. G.M. Yang Ultralow threshold current vertical-cavity surface-emitting lasers obtained with selective oxidation/ G.M. Yang, M.H. MacDougal and P.D. Dapkus//, IEEE Electronics Letters.-l995-Vol31 .N. 11 .-P.886−888.
  45. C54. Z. Zou Ultralow-threshold cryogenic vertical-cavity surface-emitting laser/ Z. Zou, D. L. Huffaker and D. G. Deppe// IEEE Photonics Technology Letters.-2000-Vol.l2.N.l.-P.l-3.
  46. C55. C. H. Townes Atomic Clocks and Frequency Stabilization on Microwave Spectral Lines/ C. H. Townes// Journal of Applied Physics.-1951-Vol.22.N.ll.-P.1365−1372.
  47. C56. S. Knappe A microfabricated atomic clock/ S. Knappe, V. Shah, P.D. D. Schwindt, L. Hollberg, J. Kitching, L. Liew, J. Moreland// Applied Physics Letters.-2004-Vol.85.N.9.-P. 1460−1460.
  48. C57. P. R. Wallis Field Assisted Glass-Metal Sealing/ P. R. Wallis, D. I. Pomeranz// Journal of Applied Physics.-1969-Vol.40.N10.-P.3946−3949.
  49. C58. J. Kitching A microwave frequency reference based on VCSEL-driven dark line resonances in Cs vapor/ J. Kitching, S. Knappe, N. Vukicevic, L. Hollberg, R.
  50. C67. Z. Zou Ground state lasing from a quantum-dot oxide-confined vertical-cavity surface-emitting laser/ Z. Zou, D.L. Huffaker, S. Csutak, D.G. Deppe// Applied Physics Letters.-1999-Vol.75.N.22.-P.22−24.
  51. C68. S. Adachi Physical properties of III-V semiconductor compounds/ S. Adachi// New York, Wiley, 1992.-318p.
  52. C69. P. Yeh Optical Waves in Layered Media/ P. Yeh// New York, Wiley, 1991 ,-406p.
  53. C70. E. Goobar Highly-efficient vertical-cavity surface-emitting lasers optimized for low-temperature operation/ E. Goobar, M.G. Peters, G. Fish, and L.A. Coldren// IEEE Photonics Technology Letters.-1995-Vol.7.N.8.-P.851−853.
  54. C71. K. Iga Surface-emitting laser-its birth and generation of new optoelectronics field/ K. Iga// IEEE J. Select. Topics Quantum Electron.-2000-Vol.6.N.6.-P.1201−1215.
  55. C72. H.E. Li Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser Devices/ H.E. Li, K. Iga// New York, Springer, 2003.- 366p.
  56. Структура ЛВР на основе СаАв квантовых ям, послойное описание полной ЛВР структуры с
  57. ОаАэ квантовыми ямами с длиной волны генерации 850 нм.
  58. Состав: А^Са^Аэ Толщина слоя, нм Легирование, cm j Комментарии
  59. Общее число слоев 1138 (без учета буферного слоя)
  60. Структура ЛВР на основе ТпОаАэ квантовых ям, послойное описание полной ЛВР структуры с 1пОаАз квантовой ямой.
  61. Состав: А^Оа^АБ ¦пува^уав Толщина слоя, нм Легирование, сыТ1 Комментарии
  62. Общее число слоев 82 (без учета буферного слоя)
  63. Поверхность структуры Суммарная толщина структуры 5165нм (без учета толщины буферного слоя)1. Конец верхнего РБО 1. Х=0 42 нет
  64. Конец периода 5 периодов1. Х=0 56 нет1. Х=0.2 10 нет1. Х=0.94 136 нет1. Х=0.2 10 нет
  65. Начало периода 5 периодов1. Начало верхнего РБО 1. Конец активной области 1. Х=0 47 нет1. Х=0 48 Ве: 1е191. Х=0 193 Ве: 1е18
  66. Х=0.9 40 Ве: 2е18 Апертурный слой
  67. Х=1.0 10 Ве: 2е18 Апертурный слой
  68. Х=0.9 10 Ве: 2е18 Апертурный слой1. Х=0 38 нет1. У=0.2 8 нет Квантовая яма1. Х=0 60 нет1. Х=1.0 2.26 Si: 2е181. Х=0 62 Si: 1е171. Начало активной области 1. Конец верхнего РБО
  69. Конец периода 25 периодов1. Х=1.0 79 Si: 2e181. Х=0 65 Si: 2e18
  70. Начало периода 25 периодов1. Начало нижнего РБО 1. Х=0 (буфер) -500 Si: 2e18ваАв (001) (подложка) п-тип
  71. Структура ЛВР на основе АЮаАэ квантовых ям, послойное описание полной ЛВР структурыс длиной волны генерации 795 нм для миниатюрных атомных стандартов частоты.
  72. Состав: А1хСа1."А8 Толщина слоя, нм Легирование, см"1 Комментарии
  73. Общее число слоев 1156 (без учета буферного слоя)
  74. Поверхность структуры Суммарная толщина структуры 7985нм (без учета толщины буферного слоя)1. Х=0.00 5 С (Be): 2Е191. Х=0.23 15 С (Be): 2Е191. Х=0.23 21 С (Be): 2Е18
  75. Начало периода 27 периодов1. Х=0.24 2 С (Be): 5Е181. Х=0.29 2 С (Be): 5Е181. Х=0.38 2 С (Be): 5Е181. Х=0.52 2 С (Be): 5Е181. Х=0.67 2 С (Be): 5Е181. Х=0.80 2 С (Be): 5Е181. Х=0.88 2 С (Be): 5Е181. Х=0.93 2 С (Be): 5Е18
  76. Х=0.98 49 С (Be): 2Е18 Апертурный слой1. Х=0.93 2 С (Be): 5Е181. Х=0.88 2 С (Be): 5Е181. Х=0.80 2 С (Be): 5Е181. Х=0.67 2 С (Be): 5Е181. Х=0.52 2 С (Be): 5Е181. Начало верхнего РБО 1. Конец активной области 1. Х=0.50 68 нет1. Х=0.35 25 нет
  77. Х=0.07 8 нет Квантовая яма1. Х=0.35 10 нет
  78. Х=0.07 8 нет Квантовая яма1. Х=0.35 10 нет
  79. Начало периода 35 периодов1. Начало нижнего РБО 1. Х=0 (буфер) 500 Si: 2E18
  80. СаАв (001) (подложка) П-ТИП
  81. Тестовая структура для образцов № 1, № 2, № 3, послойное описание тестовой структуры.
  82. Х=0.07 8 нет Квантовая яма1. Х=0.35 10 нет
  83. Х=0.07 8 нет Квантовая яма1. Х=0.35 10 нет
  84. Начало периода 6 периодов1. Начало нижнего РБО 1. Х=0 (буфер) 500 Si: 2E18ваАв (001) (подложка) п-тип
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?