Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Разработка технологии и создание GaAs СВЧ монолитных интегральных схем на основе самосовмещенных ионно-легированных полевых транзисторов Шоттки

Диссертация: Разработка технологии и создание GaAs СВЧ монолитных интегральных схем на основе самосовмещенных ионно-легированных полевых транзисторов Шоттки
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В диссертационной работе разработаны оригинальные технологические блоки формирования четырехслойного диэлектрического элемента самосовмещения, формирования высоколегированных областей стока и истока, формирования субмикронного металлического затвора ПТШ, формирования сквозных металлизированных отверстий в подложках ваАз, основанные на операциях осаждения и травления тонких плёнок диэлектриков… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. Современное состояние технологий изготовления коммутационных ОаАэ СВЧ монолитных интегральных схем
    • 1. 1. Обзор технологий изготовления ваАз СВЧ МИС
    • 1. 2. Обзор технологий изготовления СВЧ МИС на основе ваАэ МЕЗБЕТ
    • 1. 3. Обзор технологий изготовления СВЧ МИС на основе самосовмещенных ОаАБ МЕЭРЕТ
      • 1. 3. 1. Самосовмещенные технологии изготовления СВЧ МИС с затвором на основе соединений тугоплавких металлов
      • 1. 3. 2. Технологии изготовления СВЧ МИС с элементом самосовмещения на основе плёнок фоторезистов
      • 1. 3. 3. Технологии изготовления СВЧ МИС с элементом самосовмещения на основе диэлектрических пленок
    • 1. 4. Обзор технологий изготовления самосовмещенных гетероструктурных ваАэ МЕ8РЕТ
    • 1. 5. Выводы и постановка задачи
  • ГЛАВА 2. Разработка конструкции и технологии изготовления ионно-легированных ОаАэ ПТШ с самосовмещением по элементу на основе диэлектрических пленок
    • 2. 1. Выбор конструкции самосовмещенных ионно-легированных ПТШ для коммутационных ОаАБ СВЧ МИС
    • 2. 2. Разработка технологического маршрута изготовления самосовмещенных ионно-легированных ПТШ
      • 2. 2. 1. Разработка технологического блока высокотемпературного активационного отжига ионно-легированных слоев ОаАБ
      • 2. 2. 2. Разработка технологического блока формирования канала
      • 2. 2. 3. Разработка технологического блока формирования диэлектрического элемента самосовмещения
      • 2. 2. 4. Разработка технологического блока формирования высоколегированных областей стока и истока ПТШ
      • 2. 2. 5. Разработка технологического блока формирования омических контактов
      • 2. 2. 6. Разработка технологического блока формирования межэлементной изоляции
      • 2. 2. 7. Разработка технологического блока формирования субмикронного металлического затвора ПТШ
      • 2. 2. 8. Разработка технологического блока формирования двухуровневой металлизации
    • 2. 3. Исследование основных параметров самосовмещенных ионно-легированных ПТШ
    • 2. 4. Конструкция самосовмещенных ионно-легированных ПТШ
    • 2. 5. Построение СВЧ-моделей самосовмещенных ионно-легированных ПТШ
    • 2. 4. Выводы
  • Глава 3. Разработка технологии и создание ОаАБ СВЧ МИС на основе самосовмещённых ионно-легированных ПТШ
    • 3. 1. Разработка технологического маршрута изготовления ваАз СВЧ МИС
    • 3. 2. Квалификация технологии изготовления ваАэ СВЧ МИС
    • 3. 2. Комплект коммутационных ОаАБ СВЧ МИС Х-диапазона частот
    • 3. 3. Комплект коммутационных ваАБ СВЧ МИС Ь- и 8-диапазона частот
    • 3. 3. Выводы
  • Глава 4. Разработка технологии изготовления самосовмещённых гетероструктурных ОаАз ПТШ с ионно-легированными областями истока и стока
    • 4. 1. Разработка технологии изготовления ионно-легированных гетероструктурных ОаАБ ПТШ с самосовмещением по элементу на основе диэлектрических пленок
    • 4. 2. Разработка технологии изготовления самосовмещенных гетероструктурных ваАБ ПТШ с увеличенным напряжением пробоя затвор-сток
    • 4. 3. Выводы

Разработка технологии и создание GaAs СВЧ монолитных интегральных схем на основе самосовмещенных ионно-легированных полевых транзисторов Шоттки (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Разработка и производство современных радиолокаторов на основе активных фазированных антенных решеток (АФАР) бортового, наземного и морского базирования является сегодня стратегическим направлением развития научно-технического потенциала любого государства. Изготовление многоканальных приемных и приемопередающих модулей радаров на основе АФАР невозможно без налаженного промышленного производства ваАБ СВЧ монолитных интегральных схем (СВЧ МИС) усилителей мощности, малошумящих усилителей, а также коммутационных микросхем. Коммутационные СВЧ МИС (коммутаторы, дискретные аттенюаторы и фазовращатели) изготавливают как на основе гетероструктурных транзисторов с высокой подвижность электронов (рНЕМТ), так и гомоструктурных эпитаксиальных или ионно-легированных транзисторов с затвором Шоттки (ПТШ, МЕБРЕТ). Параметры ионно-легированных ПТШ могут быть значительно улучшены при формировании контактных областей истока и стока методом ионного легирования по элементу самосовмещения на основе тугоплавких металлических, фоторезистивных или диэлектрических пленок. Многослойные диэлектрические элементы самосовмещения объединяют достоинства элементов самосовмещения на основе тугоплавких металлических и фоторезистивных пленок. К моменту начала настоящей работы технологический блок формирования многослойных диэлектрических элементов самосовмещения был развит недостаточно и не позволял с помощью оптической литографии с разрешением в 1 мкм воспроизводимо формировать субмикронные металлические затворы. Это послужило причиной того, что технология производства ПТШ и СВЧ МИС с применением многослойного диэлектрического элемента совмещения к моменту начала настоящей работы не была создана. Потенциальные преимущества, характерные для данной технологии, и, в частности, простота технологического маршрута, отличные электрические параметры параметров ПТШ и МИС, а также их высокая воспроизводимость обуславливают актуальность работы в данном направлении.

Требуется отметить, что к началу данной диссертационной работы (2003 г.) состояние дел в данном разделе науки и техники в России соответствовало уровню разработки лабораторных технологий изготовления ваАз ПТШ и СВЧ МИС.

Цель работы. Целью настоящей работы является разработка физико-технологических основ и создание мелкосерийной технологии изготовления коммутационных ваАэ СВЧ МИС с использованием самосовмещения областей истока и стока ионно-легированного полевого транзистора Шоттки по многослойному диэлектрическому элементу самосовмещения, а также разработка технологии изготовления самосовмещённых гетероструктурных ваАБ ПТШ с использованием аналогичного элемента.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

1) исследовать особенности и оптимизировать режимы ионной имплантации при изготовлении самосовмещённых ОаАБ СВЧ ПТШ, а также исследовать закономерности процессов формирования субмикронного металлического затвора ПТШ с помощью многослойного диэлектрического элемента самосовмещения, имеющего исходный размер 1 мкм;

2) разработать физико-технологические основы и создать технологию изготовления самосовмещенных ионно-легированных ОаАз ПТШ и СВЧ МИС на их основе с использованием многослойного диэлектрического элемента самосовмещения;

3) создать масштабируемую малосигнальную модель транзистора и изготовить комплекты коммутационных СВЧ МИС на основе самосовмещенных ионно-легированных ваАз ПТШ для приемных и приёмопередающих модулей Ь-, и Х-диапазонов частот;

4) исследовать особенности и разработать технологию изготовления самосовмещённых гетероструктурных ваАБ СВЧ ПТШ.

Научная новизна работы.

1) Предложена конструкция и методика формирования четырёхслойного диэлектрического элемента самосовмещения с исходным размером 1 мкм, позволяющего воспроизводимо изготавливать металлический затвор ПТШ субмикронной длины.

2) Исследованы и оптимизированы режимы ионной имплантации областей канала, истока и стока ПТШ, а также наклонной имплантации стока и истока по маске четырёхслойного диэлектрического элемента самосовмещения, позволяющие изготавливать коммутационные ОаАв СВЧ ПТШ с напряжением пробоя затвор-сток 21 В и сопротивлением в открытом состоянии 3 Омхмм.

3) Разработана конструкция и созданы технологии изготовления коммутационных самосовмещённых ионно-легированных ОаАз ПТШ и СВЧ МИС на их основе для приёмо-передающих модулей Ь-, и Х-диапазонов частот.

4) Исследовано влияние режимов ионной имплантации стока и истока ПТШ по маске диэлектрического элемента самосовмещения на электрические параметры самосовмещенного гетероструктурного ПТШ с ваАБ каналом, полученным методом молекулярно-лучевой эпитаксиипроизведена оптимизация конструкции транзистора, позволяющая изготавливать коммутационные транзисторы с сопротивлением в открытом состоянии 2.5 Омхмм и усилительные ваАБ СВЧ ПТШ с напряжением пробоя затвор-сток до 45 В.

Практическая значимость полученных результатов заключается в следующем.

1) Разработана и внедрена в мелкосерийное производство технология изготовления дискретных ионно-легированных ОаАБ ПТШ с субмикронным затвором, а также комплектов СВЧ МИС, основанная на проведении ионной имплантации контактных областей ПТШ по четырехслойному диэлектрическому элементу самосовмещения.

2) Создана симметричная конструкция и масштабируемая малосигнальная модель коммутационного самосовмещенного ионно-легированного ОаАэ ПТШ.

3) Освоены и в режиме мелкосерийного производства изготовлены партии СВЧ МИС дискретных аттенюаторов, фазовращателей и двухпозиционных коммутаторов Ь-, и Х-диапазонов частот.

4) Проведены испытания МИС двухпозиционного коммутатора, которые позволили успешно аттестовать разработанную технологию по критериям надежности.

5) Выпущенные комплекты коммутационных СВЧ МИС были использованы при разработке и изготовлении приёмных модулей радиолокационного комплекса «Небо-М» и приёмо-передающих модулей радара ЖУК-АЭ истребителя МИГ-35, прошедших комплекс государственных и лётных испытаний, соответственно.

Научные положения выносимые на защиту.

1) Четырехслойный диэлектрический элемент самосовмещения двойной Т-образной формы, имеющий исходную длину 1.0 мкм и состоящий из четырех слоев 8ЮХ, различающихся содержанием кислорода и отличающихся скоростью жидкостного травления, позволяет с помощью ионной имплантации проводить самосовмещение областей стока и истока с затвором, а также формировать субмикронный затвор ПТШ с минимальной длиной 0.1 мкм, характеризующийся высокой степенью воспроизводимости геометрических размеров и электрических параметров.

2) Симметричная конструкция коммутационного ПТШ со слаболегированными переходными контактными областями, формируемыми с помощью наклонных имплантаций ионов БГ областей истока и стока по маске четырехслойного диэлектрического элемента самосовмещения, позволяет изготавливать транзисторы с повышенным напряжением пробоя затвор-сток {BVgd = 21 В) без ухудшения остальных параметров относительно транзистора без переходных областей.

3) Применение блоков технологических операций формирования четырехслойного диэлектрического элемента самосовмещения, активных областей ПТШ и сквозных отверстий в GaAs, позволяет создать оригинальную технологию изготовления GaAs ПТШ и СВЧ МИС на их основе, пригодную для мелкосерийного производства комплектов коммутационных СВЧ МИС Z-, Sи Х-диапазонов частот.

4) Ионное легирование областей стока и истока ПТШ с каналом, полученным методом молекулярно-лучевой эпитаксии, по маске четырехслойного диэлектрического элемента самосовмещения, позволяет объединить преимущества, создаваемые эпитаксиальным каналом и самосовмещенными ионно-легированными областями стока и истока, и приводит к улучшению характеристик гетероструктурных GaAs транзисторов, а так же к повышению однородности распределения электрических параметров ПТШ по площади пластины относительно самосовмещенных ПТШ с ионно-легированным каналом.

Апробация результатов работы. Основные результаты работы доложены на Международной конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (Севастополь, Украина 2008, 2010, 2011 гг.), 9th International Conference on Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows (Томск 2008 г.), International Siberian Conference on Control and Communications SIBCON-2009 (Томск 2009 г.), International School and Seminar on Modern Problems of Nanoelectronics, Microand Nanosystem Technologies INTERNANO-2009 (Новосибирск, 2009 г.), IEEE Region 8 International Conference on Computational Technologies in Electrical and Electronics Engineering SIBIRCON-2010 (Иркутск, 2010), International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices EDM (Эрлагол 2010, 2011 гг.), 9-й Научно-технической конференции «Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА» .

Звенигород 2010, 2011 гг.), 6-й Международной научно-практической конференции «Электронные средства и системы управления» (Томск, 2010, 2011 гг.), IEEE 2nd Russian School and Seminar on Fundamental Problems of Micro/Nanosystem Technologies Proceedings MNST'2010 (Новосибирск, 2010 г.), 17-й Международной научно-практической конференция студентов и молодых ученых «Современная техника и технологии» (Томск, 2011 г.).

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 31 работах, в том числе — три статьи опубликованы в журналах, входящих в перечень ВАК, одна статья в зарубежном журналедва патента РФ.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы. Объем работы составляет 135 страниц машинописного текста, включая 61 рисунок, 14 таблиц и списка литературы из 160 наименований. В соответствии с поставленными задачами вся диссертационная работа разделена на четыре главы. Первая глава посвящена обзору литературы, в котором представлены основные результаты, достигнутые в области технологий изготовления GaAs ПТШ и СВЧ МИС, как к моменту начала работы над диссертацией, так и к моменту её окончания. В конце первой главы приводятся выводы по обзору литературы и формулируются задачи исследований.

Основные результаты, полученные в данной работе, можно сформулировать следующим образом.

1) Диэлектрический элемент самосовмещения двойной Т-образной формы, позволяет при помощи ионной имплантации проводить самосовмещение областей стока и истока транзистора, а также с помощью оптической литографии с разрешением 1.0 мкм формировать затвор ПТШ с минимальной длиной 0.1 мкм.

2) Наклонная имплантация ионами Si+ областей истока и стока, проводимая под углом к поверхности подложки GaAs, создает симметричную структуру со слаболегированными переходными контактными областями, что позволяет изготавливать коммутационные ПТШ с повышенным до 21 В напряжением пробоя.

3) Разработанная оригинальная технология изготовления коммутационных ионно-легированных GaAs ПТШ на основе самосовмещения контактных областей истока и стока по четырехслойному диэлектрическому элементу самосовмещения, позволяет изготавливать транзисторы с характеристиками на уровне лучших мировых аналогов.

4) Разработанная конструкция коммутационных самосовмещенных ионно-легированных GaAs ПТШ обеспечивает напряжение пробоя затвор-сток BVgd не менее 20 вольт при сопротивлении открытого транзистора Ron не более 3 Ом/мм.

5) Масштабируемая малосигнальная модель коммутационного самосовмещенного ионно-легированного транзистора, созданная на основе статистических измерений параметров изготовленных ПТШ, в виде эквивалентной схемы хорошо согласуется с экспериментальными данными и может быть использована для проектирования и изготовления коммутационных СВЧ МИС с рабочими частотами вплоть до 20 ГГц.

6) Достигнутая повторяемость параметров ПТШ свидетельствует о высокой воспроизводимости разработанных технологических процессов и пригодности технологии к её интеграции в маршрут изготовления коммутационных GaAs СВЧ МИС, работающих в частотном диапазоне до 20 ГГц.

7) Разработанный технологический маршрут изготовления СВЧ МИС на основе самосовмещенных ионно-легированных ПТШ, включающий оригинальные технологические блоки формирования лицевой и обратной стороны подложек GaAs, позволяет изготавливать коммутационные GaAs.

СВЧ МИС с характеристиками на уровне лучших мировых аналогов.

8) Разработанная технология изготовления GaAs СВЧ МИС соответствует стандартам надежности Российской Федерации.

9) Разработанный технологический маршрут обеспечивает мелкосерийное промышленное производство комплектов GaAs СВЧ МИС X-, Lи-диапазона частот с выходом годных микросхем на уровне 50%.

10) Ионное легирование областей истока и стока, проводимое под углом к поверхности гетероструктуры GaAs/AlGaAs по маске четырехслойного диэлектрического элемента самосовмещения, позволяет объединить преимущества, создаваемые эпитаксиальным каналом и самосовмещенными ионно-легированными областями стока и истока.

11) Технологический блок формирования сильнолегированных областей стока и истока гетероструктурных транзисторов, основанный на применении наклонной ионной имплантации при самосовмещении области истока по маске диэлектрического элемента самосовмещения и области стока по фоторезистивной маске, позволяет создавать асимметричные конструкции ПТШ с пробивным напряжением до 45 В, предназначенные для применения в составе усилительных СВЧ МИС.

12) Разработанная технология изготовления самосовмещенных гетероструктурных ПТШ может быть интегрирована в технологию изготовления коммутационных и усилительных СВЧ МИС.

13) Новизна предложенной технологии подтверждается патентом на изобретение Российской Федерации. Практическая значимость разработанных технологий доказана их использованием при мелкосерийном производстве комплектов GaAs СВЧ МИС для приемо-передающих и приемных модулей бортовых и наземных радиолокаторов.

БЛАГОДАРНОСТИ.

Автор выражает благодарность Лиленко Ю. В. за постановку задач по диссертационной работе, руководство и поддержку, КагадеюВ.А. за руководство при анализе и обобщении представленных в диссертации результатов исследований и разработокКанаеву В.Г. за активное участие в разработке процессов осаждения и травления диэлектрических слоевБабакВ.П. за активное участие в разработке процесса жидкостного травления сквозных отверстий в GaAsБарову A.A. и Гусеву А. Н. за создание моделей элементов, проектирование комплектов МИС и активное участие при их изготовлениисотрудникам ИФП СО РАН за рост эпитаксиальных гетерострктур GaAsДедковой O.A., Умбрас Л. П. и Ющенко A.M. за технологическое сопровождение экспериментов и исследованийХану A.B. и Гюнтеру В. Я за постановку задач и организацию работ по развитию направления, а так же всему коллективу СКТБ «Микроэлектроника» НИИ полупроводниковых приборов за участие и помощь в работе.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В диссертационной работе разработаны оригинальные технологические блоки формирования четырехслойного диэлектрического элемента самосовмещения, формирования высоколегированных областей стока и истока, формирования субмикронного металлического затвора ПТШ, формирования сквозных металлизированных отверстий в подложках ваАз, основанные на операциях осаждения и травления тонких плёнок диэлектриков, использовании наклонной ионной имплантации в подложки ОаАБ и ОаАБ/АЮаАэ, операций планаризации поверхности и реактивно-ионного травления фоторезистов, а также жидкостном химическом травлении. С использованием данных технологических блоков созданы технологии изготовления дискретных гетероструктурных и ионно-легированных СаАз ПТШ с субмикронным затвором, а также комплектов СВЧ МИС, основанные на самосовмещении с помощью ионной имплантации областей истока и стока по четырёхслойному диэлектрическому элементу самосовмещения. Параметры транзисторов и МИС, изготовленных по разработанным технологиям, не уступают параметрам зарубежных аналогов, изготовленным по альтернативным технологиям. С помощью комплекса надёжностных испытаний, проведенных на разработанном и изготовленном двухпозиционном коммутаторе в 80−8 пластиковом корпусе, была квалифицирована технология создания ваАз СВЧ МИС. С использованием внедрённых технологий выпущены комплекты СаАз СВЧ МИС дискретных фазовращателей, аттенюаторов и коммутаторов Ь-, и Х-диапазонов частот.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Riley G. Semiconductor Technology Impact on Microwave and Millimeter Wave Markets // IEEE MTT-S International Microwave Symposium. 2010.
  2. Bartocci M. et al. 4W TX/RX Multi Chip Module for 6−18GHz Phased Array // Gallium Arsenide applications symposium 2001. — pp. 24−28.
  3. Teglia M. et al. Phased array systems and technologies in SELEX-Sistemi Integrati: State of art and new challenges // IEEE International Symposium on Phased Array Systems and Technology. -2010.
  4. Kallfass I. An All-Active MMIC-Based Chip Set for a Wideband 260−304 GHz Receiver // 5th European Microwave Integrated Circuits Conference.2010.-pp. 53−56.
  5. Campos-Roca Y. et al. A D-Band Balanced Subgarmonically-Pumped Resistive Mixer Based on 100-nm mHEMT Technology // ETRI Journal.2011.-Vol. 33.-pp. 818−823.
  6. Brukiewa Thomas F. Active Array Radar Systems Applied to Air Traffic Control // IEEE MTT-S Digest. 1994. — pp. 1427−1433.
  7. Hulsmann A. Advanced mHEMT technologies for space applications // 20th Int. Simp, on Terahertz Technology. 2009. — pp. 178−182.
  8. Moumita Mukherjee Advanced Microwave and Millimeter Wave Technologies: Semiconductor Devices, Circuits and Systems. In-Teh.2010.-642 p.
  9. Schlechtweg M. et al. Millimeter-wave Circuits and Modules up to 500 GHz Based on Metamorphic HEMT Technology for Remote Sensing and Wireless Communication Applications // IEEE 9th International New Circuits and Systems Conference. 2011. — pp. 269−272.
  10. Schmid U. et al. Advances on GaN Based Switch Mode Amplifiers for Communication Applications // 41st European Microwave Conference.2011.-pp. 163−166.
  11. Lin Ch. et al. The Development of 0.5pm High Linearity and Good Thermal Stability AlGaAs/GaAs HFET for Wireless Infrastructure // CS MANTECH Conference. 2010. — pp. 59−62.
  12. Sano H. et al. Development of a Power Amplifier Module for W-CDMA Base Stations // SEI Technical Review. 2003. — Vol. 53. — pp. 51−55.
  13. Fujii T. et al. Over 200W High Isolation GaN Switch for L-band Radar Module // 8th European Radar Conference. 2011. — pp. 25−28.
  14. Pearton S. J. Gallium Nitride Processing for Electronics, Sensors and Spintronics. Springer-Verlag London Limited. — 2006. — 374 p.
  15. O. 3G/4G Requirements for Wireless Systems and the Role of GaAs and GaN // CS MANTECH Conference. 2011.
  16. Milan M. J. Microwaves at Gilfillan Division, ITT Industries Past, Present, and Future // IEEE MTT-S Digest. 1999. — Vol. 3 — pp. 1177−1180.
  17. Behet M. et al. Low Cost and High Performance GaAs MMIC solutions for Automotive Radar // Microwave Engineering Europe. 2007.
  18. Siddiqui M. GaAs Components for 60 GHz Wireless Communication Applications // GaAs MANTECH Conference. 2002.
  19. Devlin L. Future Opportunities and Challenges for mm-Wave Amplifier MMICs // Microwave Journal. 2011. — Vol. 4.
  20. Kim Dae-Hyun Scalability of Sub-100 nm InAs HEMTs on InP Substrate for Future Logic Applications // IEEE Transactions on Electron Devices. 2010. -Vol. 57.-pp. 1504−1511.
  21. Suijker E. et al. Robust AlGaN/GaN Low Noise Amplifier MMICs for C-, Ku- and Ka-band Space Applications // Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium. 2009. — pp. 1−4.
  22. Balistreri A. et al. GaN and GaAs High Power Process Research Leads to Advances for Military Applications // Microwave Product Digest. 2008. -Vol. 6.
  23. Cory R. Ultra-Miniature High Linearity SPDT Switch for WLAN Applications // Microwave Product Digest. 2010. — Vol. 2.
  24. Liu Ch. et al. Progress in Antimonide Based III-V Compound Semiconductors and Devices I I Engineering. 2010. — pp. 617−624.
  25. Lin H. et al. 6 Inch 0.1 цт GaAs pHEMT Technology for E/V Band Application // CS MANTECH Conference. 2011.
  26. Jato Y. et al. High linearity MMIC amplifiers for on-board satellite S-DMB converters // 6th European Microwave Integrated Circuits Conference. -2011.-pp. 284−287.
  27. Van der Graaf M.W. L-Band MMICs for Space-based SAR system // 11th GAAS Symposium. 2003. — pp. 173−178.
  28. Bajgot Douglas A. Advanced Transmit/Receive Module Solutions Supported by Highly Integrated X-Band Chip Set // Microwave Product Digest. 2008. -Vol.2.
  29. Redus J. X-Band MMIC Products for Radar Systems from M/A-COM // Microwave Product Digest. 2005. — Vol. 9.
  30. Jung C. et al. Conception and Fabrication of GaAs Schottky diodes for Mixers // 20th International Symposium on Space Terahertz Technology. -2009.-pp. 255−256.
  31. A.M. и др. Комплект Широкополосных СВЧ-микросхем на Гетероструктурах АШВУ для ППМ АФАР Х-диапазона // Электронная техника. Сер. 1, СВЧ-техника (Фрязино). 2010. — № 2(505). — С. 30 — 49.
  32. A.M., Семенова JI.M. Пятиразрядный СВЧ Аттенюатор на Арсениде Галлия для Диапазона 5−6 ГГц // Сб. трудов 17-ой Междунар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» -Севастополь: Вебер, 2008. С. 118−119.
  33. С.Н. и др. GaAs МИС Дискретных фазовращателей X-диапазона Частот // Сб. докладов 4-ой Международной Научно-практической Конференции «Электронные Средства и Системы Управления». 2007.
  34. С.Н. и др. Комплект Управляющих СВЧ GaAs МИС для Систем АФАР // Сб. трудов 17-ой Междунар. Крымской конф. «СВЧтехника и телекоммуникационные технологии» Севастополь: Вебер, 2008.
  35. Drinkwine М. et al. Low-Cost, High-Performance Multifunction X-band Control MMICs Using Ion-Implanted FET Technology // CS MANTECH Conference. 2007. — pp. 199−202.
  36. Bettidi A. et al. X-Band TR Module in state-of-the-art GaN Technology // EuRAD Conf. 2009.
  37. Romanini P. et al. MMIC chipset for wideband multifunction T/R Module // IEEE MTT-S.-2011.
  38. Drinkwine M. A 8.5 to 11 GHz Highly Integrated Core Chip Provides High Degree of Functionality // Microwave Product Digest. 2011. — Vol. 1.
  39. Carosi D. et al. X-Band transmit/receive module MMIC chip-set based on emerging GaN and SiGe technologies // IEEE Int. Symp. on Phased Array Systems and Technology. 2010. — pp. 250−255.
  40. Информационный лист на микросхему CGY2170UH фирмы OMMIC Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.ommic.fr/prod/telechargement/Datasheets/CGY2170UHC1 .pdf, свободный (дата обращения 30.11.2011).
  41. Информационный лист на микросхему XZ1002-BD фирмы М/А-СОМ Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.macomtechasia.com/pdf/XZ 1002-BD.pdf, свободный (дата обращения 30.11.2011).
  42. Информационный лист на микросхему CHC3014-99 °F фирмы UMS Электронный ресурс. Режим доступа: http://ns21647.ovh.net/~csums/telechargement/2−5-l .pdf, свободный (дата обращения 30.11.2011).
  43. Сайт фирмы TriQuint Электронный ресурс. Режим доступа: www.triquint.com, свободный (дата обращения 30.11.2011).
  44. Сайт фирмы UMS Электронный ресурс. Режим доступа: www. ums-gaas.com, свободный (дата обращения 30.11.2011).
  45. Сайт фирмы OMMIC Электронный ресурс. Режим доступа: www.ommic.com, свободный (дата обращения 30.11.2011).
  46. Сайт фирмы Win Semiconductors Электронный ресурс. Режим доступа: www.winfoundry.com, свободный (дата обращения 30.11.2011).
  47. Отчет фирмы TNO Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.tno.nl/downloads/defmd algemeen MMIC S060402. pdf, свободный (дата обращения 30.11.2011).
  48. Ison С. et al. Reducing Cost, Size and Mass of MPAR Radar Arrays // MPAR Simposium. 2009.
  49. Chuter A. Selex Deal Will Put AESA Radars on RAF Typhoons // Defense News.-2010.
  50. Пресс-релиз фирмы TriQuint Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.triquint.com/contacts/press/dspPressRelease.cfm?pressid=401, свободный (дата обращения 30.11.2011).
  51. Статья в журнале Defense Update Электронный ресурс. Режим доступа: http://defense-update.com/features/du-1 -07/feature aesaradar. htm, свободный (дата обращения 30.11.2011).
  52. Информационный лист на микросхему CHS5100 фирмы UMS Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/UnitedMonolithicSemiconductors/ CHS5100-99 °F 00. pdf, свободный (дата обращения 30.11.2011).
  53. Информационный лист на микросхему TGS2306 фирмы TriQuint Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.triquint.com/prodserv/more info/proddisp.aspx?prod id=TGS230 6, свободный (дата обращения 30.11.2011).
  54. Информационный лист на микросхему TGS8250 фирмы TriQuint Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.triquint.com/prodserv/more info/proddisp.aspx?prod id=TGS825 0-SCC, свободный (дата обращения 30.11.2011).
  55. Информационный лист на микросхему НМС347 фирмы Hittite Электронный ресурс. Режим доступа: http ://www.hittite. com/products/vi ew. html/view/НМСЗ 47, свободный (дата обращения 30.11.2011).
  56. Информационный лист на микросхему MASWGM0002 фирмы М/А-СОМ Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.digchip.com/datasheets/parts/datasheet/270/MASWGM0002-DIE.php, свободный (дата обращения 30.11.2011).
  57. Информационный лист на микросхему MASW-8 322 фирмы М/А-СОМ Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.macomtech.com/datasheets/MASW-8 322.pdf, свободный (дата обращения 30.11.2011).
  58. Информационный лист на микросхему CSW0118-BD фирмы Mimix Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/145 867/MIMIX/CSW0118-BD.html, свободный (дата обращения 30.11.2011).
  59. Информационный лист на микросхему СНТ4016 фирмы UMS Электронный ресурс. Режим доступа: http://ns21647.ovh.net/~csums/telechargement/l-12−1 .pdf, свободный (дата обращения 30.11.2011).
  60. Информационный лист на микросхему A1000-BD фирмы Mimix Электронный ресурс. Режим доступа: http. y/datasheet.eeworld.com.cn/part/XA 1000-BD-EV1, MIMIX, 223 112. html, свободный (дата обращения 30.11.2011).
  61. Информационный лист на микросхему MAATGM0004 фирмы М/А-СОМ Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.datasheetarchive.com/MAATGM00Q4-DIE-datasheet.html свободный (дата обращения 30.11.2011).
  62. Информационный лист на микросхему TGL6425 фирмы TriQuint Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.triquint.com/prodserv/more info/proddisp.aspx?prod id=TGL64
  63. SCC, свободный (дата обращения 30.11.2011).
  64. Информационный лист на микросхему НМС424 фирмы Hittite Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.hittite.com/content/documents/data sheet/hmc424.pdf, свободный (дата обращения 30.11.2011).
  65. Информационный лист на микросхему СНР4511 фирмы UMS Электронный ресурс. Режим доступа: http://ns21647.ovh.net/~csums/telechargement/12−2-1 .pdf, свободный (дата обращения 30.11.2011).
  66. Информационный лист на микросхему НМС543 фирмы Hittite Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.hittite.com/products/view.html/view/HMC543, свободный (дата обращения 30.11.2011).
  67. Информационный лист на микросхему TGP2103 фирмы TriQuint Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.triquint.com/prodserv/moreinfo/proddisp.aspx7prod id=TGP210 3, свободный (дата обращения 30.11.2011).
  68. Информационный лист на микросхему CGY2172UH фирмы Ommic Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.ommic.fr/FS/FS stand main. htm, свободный (дата обращения 30.11.2011).
  69. Информационный лист на микросхему MAPCGM0004 фирмы М/А-СОМ Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.rell.com/resources/RellDocuments/SYS 8/MAPCGM0004-DIE.pdf, свободный (дата обращения 30.11.2011).
  70. Информационный лист на микросхему XS1000-BD фирмы Mimix Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.macomtechasia.com/pdf/xsl 000-bd ASIA. pdf, свободный (дата обращения 30.11.2011).
  71. Brophy M. et al. Implanted MESFETs Still Going Strong // GaAs MANTECH. — 2002.
  72. Feng M. et al. Process Development on 0.12 im Gate E/D MESFETs with Ft and Fmax>100 GHz Using Direct Ion Implantation for Low Power 1С Application // GaAs MANTECH. 2000.
  73. Hiroshi I. High power GaAs MESFET // Microwave Engineering Europe. -1997.-Vol.4.-pp. 4318.
  74. A.B. и др. СВЧ Полевые Транзисторы Средней Мощности Миллиметрового Диапазона Длин Волн // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2003. — № 6. — С. 27−31.
  75. Watanabe М. et al. 0.10 jim Ion-Implanted GaAs MESFETs with Low Cost Production Process // CS MANTECH Conference. 2007.
  76. Drinkwine M.J. An Ion-Implanted GaAs MESFET Process for 28V S-band MMIC Applications // CS MANTECH Conference. 2006.
  77. Macksey H. M. Optimization of the n+ Ledge Channel Structure for GaAs Power FETs // IEEE Transactions on Electron Devices. 1986. — Vol. 33. -pp. 1818−1824.
  78. Fukushi D. High Speed 0.18 цт Ion-implanted GaAs MESFET Process with High Uniformity & Excellent Reproducibility // GaAs MANTECH. 2003.
  79. Feng M. Process Optimization for RF Performance of Ion-Implanted E/D MESFETs // GaAs MANTECH. 2001.
  80. Adelseck B. A Monolithic 60 GHz Diode Mixer and IF Amplifier in Compatible Technology // IEEE Trans. MTT. 1989. — Vol. 37. — pp. 21 422 147.
  81. Caruth D. C. Low-Cost 38 and 77 GHz CPW MMICs Using Ion-Implanted GaAs MESFETs // IEEE MTT-S Digest. 2000. — pp. 995−998.
  82. Fumi F. et al. Multi-function Self-aligned Gate (MSAG) Process for Low Cost Increased Performance GaAs Integrated Circuits // GaAs Application Symposium. 1996.
  83. Wan C. Comparison of Self-Aligned and Non-Self- Aligned GaAs E/D MESFET’s // IEEE Trans. Electron Devices. 1989. — Vol. 36. — pp. 839 845.
  84. Fumi F. Effects of Implanted Carbon-buried p-layer on the Performance of Multifunction Self-aligned-gate (MSAG) GaAs MESFETS // GaAs Application Symposium. 1997.
  85. Geissberger A. et al. A New Refractory Self-Aligned Gate Technology for Microwave Power FETs and MMICs // IEEE Trans. Electron Devices. -1988. Vol. 35. — pp. 615−622.
  86. Onodera H. Et al. A High-Transconductance Self-Aligned GaAs MESFET Fabricated by Through-AIN Implantation // IEEE Trans. Electron Devices. -1984.-Vol. 31.-pp. 1808−1813.
  87. Onodera H. Et al. Effects of Neutral Buried p-Layer on High-Frequency Performance of GaAs MESFET’s // IEEE Trans. Electron Devices. 1991. -Vol. 38.-pp. 429−436.
  88. Steiner K. et al. Minimum-Size Effects in Asymmetric Tilt-Angle- Implanted LDD-WN-GaAs MESFET’s // IEEE Trans. Electron Devices. 1991. — Vol. 38.-pp. 1730−1736.
  89. Tamura A. et al. High K-Value LDDD GaAs MESFET’s with SiF3-Implanted Shallow Channels // IEEE Trans. Electron Devices. 1990. — Vol. 37.-pp. 297−299.
  90. Nishimura K. et al. High-Performance 0.1 pm-Self-Aligned-Gate GaAs MESFET Technology // IEEE Trans. Electron Devices. 1997. — Vol. 44. -pp. 2113−2119.
  91. Kasai N. et al. A High Power and High Efficiency GaAs BPLDD SAGFET with WSi/W Double-layer Gate for Mobile Communication Systems // GaAs Application Symposium. 1995.
  92. Nishihori K. Et al. A Self-Aligned Gate GaAs MESFET with P-Pocket Layers for High-Efficiency Linear Power Amplifiers // IEEE Trans. Electron Devices. 1998. — Vol. 45. — pp. 1358−1392.
  93. Hosogi К. et al. Super Low-noise Self-aligned Gate GaAs MESFET with Noise Figure of 0.87 dB at 12GHz // IEEE MTT-S Digest. 1990. -pp. 1257−1260.
  94. Balzan M. L. et al. GaAs MESFET with Source-Connected Field Plate for High Voltage MMICs // CS MANTECH Conference. 2008.
  95. Casu M.R. et al. Digital Circuits in a Multi-Functional SAGFET MMIC Technology // GaAs applications symposium. 2000.
  96. Griffin E. L. X-Band GaAs MMIC Size Reduction and Integration // IEEE MTT-S Digest. 2000. — pp. 70−712.
  97. Enoki T. et al. 0.3 |Ш1 Advanced SAINT FET’s Having Asymmetric n±Layers for Ultra-High-Frequency GaAs MMIC’s // IEEE Trans. Electron Devices. 1988.-Vol. 35.-pp. 18−24.
  98. Nakajima S. et al. High-Performance GaAs MESFET’s with Advanced LDD Structure for Digital, Analog, and Microwave Applications // IEEE Trans. Electron Devices. 1999. — Vol. 46. — pp. 38−47.
  99. Shikata Sh. A Novel Self-Aligned Gate Process for Half-Micrometer Gate GaAs IC’s Using ECR-CVD // IEEE Trans. Electron Devices. 1990. -Vol. 37.-pp. 1800−1803.
  100. Murai S. et al A High Power-added Efficiency GaAs Power MESFET Operating at a Very Low Bias Use in L-band Medium-power Amplifiers // GaAs symposium. 1992.
  101. X., Руге. И. Ионная имплантация. Наука. — 1983.
  102. Hagio M. et al. A New Self-Align Technology for GaAs Analog MMIC’s // IEEE Trans. Electron Devices. 1986. — Vol. 33. — pp. 754−758.
  103. Graf V. et al. High-temperature-stable SiN dummy T-gate and lift-off mask // Microelectronic Engineering. 1986. — Vol. 5. — pp. 395−401.
  104. K., Takahashi S., Umemoto Y., Nakamura M. // Int. Patent 4 503 599 «Method of fabricating field effect transistors». 1985.
  105. Т., Koshino Y., Hiraki S. // Int. Patent 4 532 004 «Method of manufacturing a semiconductor device». 1985.
  106. M., Takahashi S., Kohashi Т., Ueyanagi K. // Int. Patent 4 561 169 «Method of manufacturing semiconductor device utilizing multilayer mask». 1985.
  107. Buchman P., Graf V., Hoh P. // Int. Patent 4 561 169 «Process for producing undercut dummy gate mask profiles for MESFETs». 1988.
  108. Graf V. et al. Fully Self-aligned Shallow Implanted GaAs MESFET // Proc. 14th Int. Symp. GaAs and Related Compounds. 1988.
  109. У. Микролитография. M.: Мир. — 1990. — 605 с.
  110. Feng М. et al. Modification of Transconductance Characteristics for Ion-implanted GaAs/AlGaAs heterojunction MESFETs // Electronics Letters. -1989.-Vol.25.-pp. 713−715.
  111. Abrokwah J.K. et al. A Manufacturable Complementary GaAs Process // GaAs 1С Symposium. 1993. — pp. 127−130.
  112. Nakatsugawa M. Linearization Techniques for Amplifiers Using MESFETs Fabricated with a Self-align/selective Ion-implantation Process // Radio and Wireless Conference. 2001. — pp. 253−256.
  113. Baca A. G. et al. 0.5pm E/D AlGaAs/GaAs Heterostructure Field Effect Transistor Technology with DFET Threshold Adjust Implant // 26th State of the art Program on Compound Semiconductors. 1997. — pp. 186−189.
  114. Fujimoto H. New High Power Planar Gate GaAs MESFETs with Improved Gate-drain Breakdown Voltage // Electronics Letters. 1995. — Vol. 31. -pp. 137−139.
  115. Nishihori K. et al. Buried-Channel WN/W Self-Aligned GaAs MESFET Process with Selectively Implanted Channel and Undoped Epitaxial Surface Layers for MMIC Applications // Jpn. J. Appl. Phys. 1995. — Vol.34. -pp.1241−1245.
  116. Nishihori K. et al. A Self-Aligned Gate AlGaAs/GaAs Heterostructure Field-Effect Transistor with an Ion-Implanted Buried-Channel for use in High Efficiency Power Amplifiers // Jpn. J. Appl. Phys. 1998. — Vol.37. -pp. 3200−3204.
  117. Nakahata K. et al. Development of a High-Power, Low-Distortion Power FET with an Asymmetrical LDD Structure // SEI Technical Review. 2002. -Vol. 54.-pp. 106−111.
  118. Onodera K. et al. Symmetric and Asymmetric InGaP/InGaAs/GaAs Heterostructure MESFETs and Their Application to V-Band Amplifiers // IEICE Transactions on Electronics. 1998. — Vol. 81. — pp. 868−875.
  119. Hida H. et al. A High-Current Drivability i-AlGaAs/GaAs Doped-Channel MIS-Like FET (DMT) // IEEE Trans. Electron Device Letters. 1986. -Vol. 7. — pp. 625−626.
  120. Kim B. et al. Microwave Power GaAs MISFET’s with Undoped AlGaAs as An Insulator // IEEE Trans. Electron Device Letters. 1984. — Vol. 5. -pp.494−495.
  121. Hida H. et al. An Investigation of i-AlGaAs/n-GaAs Doped-Channel MIS-Like FET’s (DMT's) Properties and Performance Potentialities // IEEE Trans. Electron Devices. 1987. — Vol. 34. — pp. 1448−1455.
  122. Hida H. et al. A 760mS/mm N+ Self-Aligned Enhancement Mode Doped-Channel MIS-Like FET (DMT) // IEDM Conference. 1986. — pp. 759−762.
  123. Ibitaydo A. et al. A Self-Aligned Gate III-V Heterostructure FET Process for Ultrahigh-speed Digital and Mixed Analog/Digital LSI/VLSI Circuits // IEEE Trans. Electron Devices. 1989. — Vol. 36. — pp. 2204−2216.
  124. Chen C. L. et al. Self-Aligned GaAs MISFET’s with a Low-Temperature-Grown GaAs Gate Insulator // IEEE Trans. Electron Device Letters. 1995. -Vol. 16.-pp. 199−201.
  125. Akinwande A. et al. A Self-Aligned Gate Lightly Doped Drain AlGaAs/GaAs MODFET // IEEE Trans. Electron Device Letters. 1988. — Vol. 9. -pp.275−277.
  126. Devlin L. The design of integrated switches and phase shifters // IEE Tutorial Colloquium. 1999.-pp. 1−14.
  127. Murai S. et al. A high power-added efficiency GaAs power MESFET operating at a very low drain bias for use in L-band medium-power amplifiers // Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium. 1992. — pp. 139−142.
  128. Пат. 2 436 186 РФ, МПК H01L21/338. Способ изготовления полевых транзисторов с самосовмещенным затвором субмикронной длины / Арыков В.С.(РФ), Гаврилова А.М.(РФ), Дедкова О.А.(РФ), Лиленко Ю.В.(РФ). -№ 2 010 102 748/28- заявл. 27.01.2010- опубл. 10.08.2011.
  129. А.В. Метод ионной имплантации. М.: Наука. — 1992.
  130. Schroder D.K. Semiconductor Material and Device Characterization. John Wiley and Sons. — 2006.
  131. Ди Лоренцо Д. В. Полевые транзисторы на арсениде галлия. М: Радио и связь. — 1988.
  132. Selberherr S. Process and device modeling for VISI // Microelectronics Reliability. 1984. — Vol. 24. — pp. 225−257.
  133. Отчет по НИР «Исследование и разработка технологии перспективной элементной базы для телевизионных приемников». ОАО «НИИПП». -1993.-г. Томск.
  134. B.C., Гаврилова A.M., Дедкова О. А., Кагадей В. А., Лиленко Ю. В. Формирование субмикронного затвора GaAs ПТШ с использованием четырёхслойного диэлектрического макета // Микроэлектроника. 2012. — №. 3. — С. 1−7.
  135. Nummila К. et al. Short-channel effects in sub-100 nm GaAs MESFETs // Electronics Letters. 1991. — Vol.27, — pp. 1519−1521.
  136. Baca A.G. Fabrication of GaAs devices. The institution of electrical engineers. — 2005.
  137. Arvkov V.S., Boyko V.Ya., Lilenko Yu.V. Study of the formation of isolation by ion implantation process // 9th International Conference on Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows (9th CMM). -2008. pp. 462−464.
  138. B.C., Гаврилова A.M. Разработка мощных полевых транзисторов с субмикронным Т-образным затвором Шоттки, полученным методом оптической литографии // Доклады ТУСУРа. 2010. — № 2(22), часть 1. — С. 86−88.
  139. Williams R. Modern GaAs processing methods. Artech house. — 1990.
  140. Nakasha Y. et al. Ultra high-speed and ultra low-noise InP HEMTs // FUJITSU Sci. Tech. 2007. — Vol.43. — pp. 486−494.
  141. Wohlmuth W.A. et al. A 0.5-mkm InGaP Etch Stop Power pHEMT Process Utilizing Multi-Level High Density Interconnects // CS MANTECH Conference. 2004.
  142. Brown J. et al. Optimization and Characterization of a Photo Definable BCB for HV3S and HVHBT Technologies // CS MANTECH Conference. 2011.
  143. May G.S. Fundamentals of semiconductor manufacturing and process control. John Wiley and Sons. — 2006.
  144. Yuan C. et al. Advanced Full Periphery pHEMT Switch with Optimum Figure of Merit Ron Coff // IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS). 2010. — pp. 1−4.
  145. Bahl I. Microwave solid state circuit design. John Wiley and Sons. — 2003.
  146. Robertson I.D. RFIC and MMIC design and technology. The institution of electrical engineers. — 2001.
  147. Gardiner G.J. et al. Design techniques for GaAs MESFET switches // IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest. 1989. — Vol. 1. -pp. 405−408.
  148. Dambrine G. et al. A New Method for Determining the FET Small-Signal Equivalent Circuit // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques.- 1988.-Vol. 36.-pp. 1151−1159.
  149. Berroth M. Broadband Determination of the FET Small-Signal Equivalent Circuit // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 1990. -Vol. 38.-pp. 891−895.
  150. Wurtz L. T. GaAs FET and HEMT Small-Signal Parameter Extraction from Measured S-Parameters // IEEE Transactions on instrumentation and measurement. 1994. — Vol. 43. — pp. 234−236.
  151. Kayali S. GaAs MMIC Reliability Assurance Guideline for Space Applications // JPL Publication. 1996. — pp. 96−25.
  152. Huguet P. MMIC reliability and qualification // GaAs conference. 2000.
  153. B.C., Гаврилова A.M., Дедкова О. А., Кривчук A.C. GaAs МИС двухпозиционного переключателя DC-2,5 ГГц в SO-8 пластиковом корпусе // IX научно-техническая конференция «Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА». 2010. — С. 85−88.
  154. Фомин А. Первая активная // Взлёт. Национальный аэрокосмический журнал. 2007. — С. 32−38.
  155. B.C., Гусев А. Н., Дедкова О. А., Ющенко А. Ю. Монолитная интегральная схема защитного устройства L- и S- диапазонов на основе диодов Шоттки // 20-я Международная конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». 2010. — С. 147−148.
  156. Статья в журнале Военное обозрение Электронный ресурс. Режим доступа: http://topwar.ru/9187-voyska-vko-naraschivayut-potencial-rls-nebo-m.html, свободный (дата обращения 30.11.2011).
  157. Shur M. Compound semiconductor electronic. The age of mature. — World scientific. — 1996.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?