Генерационные процессы в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка, легированного марганцем
Диссертация
Вид распределений плотности заполненных состояний от энергии носит монотонный возрастающий характер, не достигающих максимума, что свидетельствует о значительных потенциальных возможностях увеличения эмитированных с заполненных ПС электронов и заряда в слой люминофора, что в соответствии с может обеспечить значительное повышение яркости. Требуемое для этого увеличение поля в прианодной области… Читать ещё >
Содержание
- ПЕРЕЧЕНЬ УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
- 1. ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ ZnS: Mn
- 1. 1. Структура и параметры тонко пленочных электролюминесцентных излучателей
- 1. 2. Основные характеристики ТП ЭЛИ
- 1. 3. Физические процессы, протекающие в ТП ЭЛИ
- 1. 4. Глубокие центры в сульфиде цинка, легированном марганцем
- 1. 5. Выводы
- 2. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПРОЦЕССОВ ТУННЕЛИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ И УДАРНОЙ ИОНИЗАЦИИ В
- ТП ЭЛИ НА ОСНОВЕ ZnS: Mn
- 2. 1. Методика определения основных характеристик туннелирования и ударной ионизации в ТП ЭЛИ на основе ZnS: Mn
- 2. 2. Уточнение методики определения основных характеристик туннелирования и ударной ионизации в ТП ЭЛИ на основе ZnS: Mn
- 2. 3. Анализ методической погрешности определения основных характеристик туннелирования и ударной ионизации в ТП ЭЛИ на основе ZnS: Mn
- 2. 4. Выводы
- 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ УСЛОВИЙ ВОЗБУЖДЕНИЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ТУННЕЛИРОВАНИЯ И УДАРНОЙ ИОНИЗАЦИИ В ТП ЭЛИ НА ОСНОВЕ ZnS: Mn
- 3. 1. Описание исследуемых образцов и эксперимента излучателях
- 3. 3. Экспериментальное исследование характеристик туннелирования и ударной ионизации в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях с использованием уточненной методики
- 3. 4. Выводы
- 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОВЕРХНОСТНЫХ СОСТОЯНИЙ НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА ДИЭЛЕКТРИК — ПОЛУПРОВОДНИК В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ ИЗЛУЧАТЕЛЯХ НА ОСНОВЕ ZnS: Mn
- 4. 1. Методика определения основных характеристик поверхностных состояний на катодной границе раздела диэлектрик-полупроводник
- 4. 2. Экспериментальное исследование основных характеристик поверхностных состояний на катодной границе раздела диэлектрик-полупроводник
- 4. 3. Выводы
Список литературы
- Электролюминесцентные источники света / под ред. И. К. Верещагина, М.: Энергоатомиздат, 1990.-168с.
- Bringuier.E. Charge transfer in ZnS-type electroluminescence // J.Appl.Phys.-1989.-V.66.-№ 3.-P. 1314−1325
- Noboru Miura, Mitsuhiro Kawanishi, Hironaga Matsumoto and Ryutaro Nakano. High-Luminance Blue-Emitting BaAl2S4: Eu//Thin-Film Electroluminescent Devices// Jpn. J. Appl. Phys. -1999.- V.38 .-Part.2.- №>.1IV, — P. L1291- L1292
- Smet P. F., Poelman D., and Ban Meirhaeghe R. L. Blue Electroluminescence from multilayered BaS: Eu/Al203 thin films//J. Appl. Phys.-V.95.-№ 1.- P.184−190
- Власенко H.A. Электролюминесцентные устройства отображения информации. — Киев: Общество «Знание» Украины, 1991.- 24с.
- Турин Н.Т. Основы организации и функционирования многоэлементных плоских индикаторов. Учебное пособие. -Ульяновск: Изд-во Средневолжского научного центра, 1996. 84с.
- Лямичев И.Я. Устройства отображении информации с плоскими экранами. М.: Радио и связь, 1983. — 239 с.
- Быстров Ю.А., Литвак И. И., Персианов Г. М. Электронные приборы для отображении информации. М.: Радио и связь, 1985. — 239 с.
- Мах Р. Электролюминесценция в поликристаллических полупроводниках // Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применение / Под ред. Г. Харбеке. М.: Мир, 1989. — 314с.
- Ю.Гурии Н. Т., Соломин Б. А. Перспективные средства отображения информации.-Саратов: изд. СГУ, 1986. 116с.
- Н.Гурин Н. Т., Сабитов О. Ю. Гибридный пленочный электролюминесцентный излучатель переменного тока//Журнал технической физики,-1996.- Т.66.- №.11.-С.201−202
- King С. 11 th International Workshop and Inorganic and Organic Electroluminesce and 2002 International Conference on the Science and Technology of Emissive Displays and Lighting EL Ghent. Sept. 23−26, 2002.- Ghent: Universiteit Ghent, 2002, — Р.5-Ю
- King С. Electroluminescent Displays. www.planar.com/Advantages/White Papers/docs/ELD 2 003 307. pdf
- Sano Y., Nunomura K., Koyama N., et all. A novel TFEL device using high dielectric constant multilayer ceramic substrate //Conf.Rec.Int. Display Res.Conf. San Diego, Calif., Oct. 15−17, 1985. N.-Y.-1985.-P.173−176
- Sano Y., Nunomura K., Koyama N., et all. A novel TFEL device using high dielectric constant multilayer ceramic substate// IEEE Trans. Electron Devices.-1986.-V.ED 33.-№ 8. P. l 156−1158
- Рахлин М.Я., Родионов B.E. Исследование вольт-яркостных характеристик тонкопленочных электролюминесцеитных структур с керамическим диэлектриком// Письма в ЖТФ.-1988.-Т.14, — № 23.- С.2144−2147
- Мозжухин Д.Д., Бараненков И. В. Тонкопленочные электролюминесцентные индикаторные устройства // Зарубежная радиоэлектроника.-1985.- № 7.- С.81−94
- Haaranen, J., R. Tornqvist, J. Koponen, T. Pitanen, M. Surmaaho, W. Barrow and C. Laakso. A 9in Diagonal High-Contrast Multi-Color TFEL Display //SID 92 Digest.-1992.- P. 348−351
- Minami T. Oxide phosphor thin-film electroluminescent devices// Display and Imaging.-1999.- V. 8, — P. 83−93
- Nire Т. et al., Multicolor TFEL Display Panel with a Double Heterointerface-Structured Active Layer// SID 92 Digest.-1992, — P. 352
- Heikenfeld J.C., Steckl A, J. Inorganic EL Displays at the Crossroads//Information Display.- 2003, — № 12, — P.20−25
- Seale D., Rodriges L., Werner C. et all. Self Alignet Phosphor Patterning Techniques for EL Display// www.iFire.com
- Yano Y., Oike Т., and Nagano K. New RGB phosphors for full color inorganic EL display // Extended abstracts of the 11 th international workshop on inorganic and organic electroluminescence.- Academia Press.-2002.- P. 225−230
- Wu X., Carkner D., Hamaeta H., et all. Large-Screen Flat Panely Display based on iFire’s Thick-Dielectric Electroluminescent (TD EL) Technology. //www.iFire.com / images/Tech Papers/Large29. Mileslones www.iFire.com
- Alt P.M., Dove D.B., Howard W.E. Experimental results on the stability of AC thin-film electroluminescent device//J.Appl. Phys.-1982.-V.53.- № 7.-P.5186−5199
- Пат. Россия. № 2 034 363. 1995.
- Sung K.P., Jeong I.H., Won K.K., Min G.K. Deposition of indium-tin-oxide films on polymer substrates for application in plastic-based flat panel displays // Thin Solid Films.- 2001.- V.397.- P.49−55
- Yang Meng, Xiliang Yang, et all. A new transparent conductive thin film 1п2Оз: Мо // Thin Solid Films.- 2001.- V.394.- P.219−223
- Mergela D., Schenkela M., Ghebrea M., Sulkowskib M. Structural and electrical properties of In203: Sn films prepared by radio-frequency sputtering.// Thin Solid Films.-2001.- V.392.- P.91−9735.Pat. USA. № 5 411 792. 1995.
- Gurumurugan K., Mangalaraj D., Narayandass Sa.K. Magnetron sputtered transparent condutinf CdO thin films // Abstr. Electron. Mater. Conf., Charlotssesville, Va, June 2123, 1995 // J. Electron. Mater.- 1995.-V.24.- № 7.- P. A29
- Thomas J.A., Rapkine D.H., Carter S.A., Kwo J., Phillips J.M., Cawa R.J. Electrical and optical characterization of transparent conducting oxides // Abstr. Electron. Mater.
- Conf., Charlotssesville, Va, June 21−23, 1995 / J. Electron. Mater.- 1995.-V. 24, — № 7. -P. A4-A5
- Messaoudi C., Sayah D., Abd-Lefdil M. Transparent conducting undoped and indium-doped zinc oxide films prepared by spray pyrolysis // Phys. Stat. Sol. A.- 1995.- V.151, № 1.- P.93−97
- Kawazoe H., Hosono H., Ueda N. New transparent conducting oxides with spinel or pyrochlore structure // Abstr. Electron. Mater. Conf., Charlotssesville, Va, June 21−23, 1995 / J. Electron. Mater.- 1995.- V.24.- № 7.- P. A29
- Coutts T.J., Wu X., Muligan W., Webb J.M. High-perfomance transparent conductors based on cadmium oxide // Abstr. Electron. Mater. Conf., Charlotssesville, Va, June 2123, 1995 / J. Electron. Mater, 1995.-V.24, № 7, — P. A29-A30
- Tueta R. Films d’oxydes conducters transparents pour electroluminescents//LC vide les couches minces.-1983.-№ 218.-P.439−441
- Smith F.T.J., Lyn S.L. Influence of thermal annealing on ITO films properties.// J.Electrochem.Soc.-1981 .-V. 128.-№ 11 .-P.23 88−2394.
- Randawa H.S., Mattews M.D., Bunshuh R.F. Film Sn02, prepared by RF-sputtering Method//Thin Solid Films.- 1981.-V.83.-№ 2.-P.267−271
- Hope L.L., Plumb I.L., Mellor Ch.E. Fabrication of very large electroluminescent devices//Proc.Soc.Photo-Opt. Instreem.Eng.-1983.-V.386.-P.58−62
- Abe A., Fujita Y., Tohda T. Large-scale highly resoluble AC thin film EL flat panel Display.//Nat.Techn.Report. 1984.- V.30.- № 1.-P.186−192
- Гурии H.T. Взаимосвязь параметров диэлектрических слоев и порогового напряжения тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов // Электронная техника. Сер. Микроэлектроника.- 1990.- №.1(135).- С.88−90
- Турин Н.Т. Анализ параметров тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов с разными диэлектрическими слоями // Лазерная техника иоптоэлектроника.- 1992.-№ 3−4.-1 С.74−77
- Бригаднов И.Ю., Турин Н. Т. Тонкопленочные электролюминесцентные структуры с композиционным жидким диэлектриком // Письма в ЖТФ.- 1990.-Т.16.- №.23.- С.71−74
- Бригаднов И.Ю., Турин Н. Т., Рябинов Е. Б. Исследование тонкопленочных электролюминесцептных индикаторов с композиционным жидким диэлектриком // ЖПС.- 1993.- Т.59.- №.1−2, — С.175−181
- Самохвалов М.К. Вольт-яркостная характеристика и светоотдача тонкопленочных электролюминесцентных структур // ЖТФ, — 1996.- Т.66.-№.10.- С. 139−144
- Турин Н.Т. Энергетический анализ тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов //ЖТФ.- 1996.- Т.66, — №.5.- С.77−85
- Uede Н., Kanatani Y., Kishishita Н., et al. Thin film Electroluminescent Display units// Digest 1981 SID Int. Symp., New York.- 1981.- P. 28
- Suntola T. Perfomance of atomic layer epitaxy devices. // Digest 1981 SID Int. Symp., New York, 1981
- Minami T. Oxide phosphors for Electroluminescent Devices. // Ghent: Universiteit Ghent.-2002.- P.219−224
- Minami Т., Kobayashi H., Miyata T. et all. High-Luminance Thin film Electroluminescent Devices using ((Y203)0.6-(Ge02)0.4):Mn Phosphors. // Jpn. J. Appl. Phys.- 2002.- V.41.- Part.2.- № 5B.- P. L577-L579
- Mikami A-, Yamamoto K. Red Electroluminescence from MgS: Eu and MgixCaxS: Eu Thin-Film Phosphors Prepared by RF-Sputtering Technique. // Ghent: Universiteit Ghent.- 2002.- P.231−234
- Xiao Т., Kitai A. H., Liu G., and Nakua A. Bright green oxide phosphors for el displays// SID Digest.-1997.-V.28.- P. 415−418
- Nakgawa R., Kinoshita Y., Kawanishi M. et all. Mn2+ and Eu2+ Doped Barium Zinc Sulphide Phosphors. // Ghent: Universiteit Ghent.- 2002.- P.61−64
- Kim Y., Yun S. Photoluminescence properties of Pb2+ centers in CaS: Pb thin films. // J. Phys. Cond. Mater.- 2004, — V.16.- P.569−579
- Liu G., Acchione J. High-Luminance Green Electroluminescence of Sputtered ZnS: TbOF. // iFire.com.
- Nakua A., Cheong D., Wu X. Development of new Luminance green EL Devices based on Eu-doped Calcium Thioaluminate Materials System. // iFire.com.
- Cheong D., Nakua A., Wu X. A Filter-less MgxCal-xA12S4:Eu Green Phosphor for Thick Dielectric EL Displays. // iFire.com.
- Yun S., Kim Y., Park S. Fabrication of CaS: Pb Blue Phosphor by incorporating dimeric Pb2+ luminescence centers. // Appl. Phys. Lett.- 2001.- V.78.- № 6.-P.721−723
- Mikami A., Terada K., Okibayashi К., Tanaka K., Yoshida M., and Nakajima S. Aging characteristics of ZnS: Mn electroluminescent films grown by a chemical vapor deposition technique//Journal of Applied Physics.-1992.- V. 12.- № 2.-P.773−782 1992
- Miura N., Sasaki Т., Matsumoto H. ct all. Band-Gap Energy Dependence of Emission Spectra in Rare Earth-Doped Zn! xCdxS Thin-Film Electroluminescent Devices// Jpn. J. Appl. Phys.-1992.- V.31, Part. l, №.2A.- P.295−300
- Abe Y., Onisawa K., Tamura K. et all. Multicolor Electroluminescent Device Utilizing SrS: Pr, Ce Phosphor Layers and Color Filters. // Electroluminescence. Proc. 4th Int. Workshop Tottori, Oct. 11−14.- 1988.- P. 199−202
- Abe Y., Onisawa K., Tamura K. et all. Multicolor Electroluminescent Device Utilizing SrS: Pr, Ce Phosphor Layers and Color Filters. // Electroluminescencc. Proc. 4th Int. Workshop Tottori, Oct. 11−14.- 1988.- P. 199−202
- Белецкий А.И., Власенко H.A. Автоволны в тонкопленочных электролюминесцентных структурах с собственной памятью // Письма в ЖТФ.-1993.- Т. 19.-Вып.1.- С.33−37
- Белецкий А.И., Велигура Л. И., Власенко Н. А., КононецЯ.Ф. Собственная память в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS-MnF2 // Письма в ЖТФ.- 1993, — Т. 19, — Вып. 12.- С.80−87
- Wang Zong-Xin, Cardon Felix. A method evaluating the frequency characteristics of ac thin film electroluminescent devices // J. Phys. D.- 1995, — V.28.- № 10.- P.2144−2149
- Bruc L., Chetrus P., Kopotkov V., Neaga A., Simaschevici A. Crane luminescente cu straturi subtiri bazate pe ZnS: Mn // Rap. 1 Simp, optoelectron. Inst, optoelectron., Magurele, 28 sept., 1993 / Optoelectronica.- 1993.-V.1.- № 4, — P.35−40
- Zeinert Andreas, Barthou Charles, Benalloul Paul, Benoit Jacques. Transient measurements of the excitation efficiency in ZnS-based thin film electroluminescent devices // Jap. J. Appl. Phys. 1996, — V.35.- № 7.- P.3909−3913
- Vlasenko N.A., Kopytko Yu.V., Pekar V.S. Concentration and Field Dependences of Electroluminescence Decay Kinetics in ZnS: Mn Thin Film Structures // Phys. stat. sol. (a).-V.81.-№ 10.- P.661−667
- Aguilera Alberto, Singh Vijay P., Morton David C. Electron energy distribution at the unsulator-semiconductor interface in AC thin film electroluminescent display devices // IEEE Trans. Electron Devices.- 1994.-V.41.- № 8.- P. 1357−1363
- Corlatan D., Neyts K.A., De Visschere P. The influence of space charge and electric field on the excitation efficiency in thin film electroluminescent devices // J. Appl. Phys.- 1995.- V.78.- № 12.- P.7259−7264
- Streicher K., Plant Т.К., Wager J.F. Hot-electron impact excitation of ZnS: Tb alternating-current thin film electroluminescent devices // J. Appl. Phys.- 1995.-V.78.-№ 3.- P.2101−2104
- Shih S., Keir P.D., Wager J.F., Viljanen J. Space charge generation in ZnS: Mn alternating-current thin film electroluminescent devices // J. Appl. Phys.- 1995, — V.78.-№ 9.- P.5775−5781
- Abu-Dayah A., Kobayashi S., Wager J.F. Internal charge-phosphor field characteristics of alternating-current thin-film electroluminescent devices // Appl.Phys.Lett.- 1993.-V.62.- № 7, — P.744−746
- Abu-Dayah A., Wager J.F., Kobayashi S. Electrical characterization of atomic layer epitaxy ZnS: Mn alternating-current thin-film electroluminescent devices subject to various waveforms // J.Appl.Phys. 1993, — V.74.- № 9, — P.5575−5581
- Abu-Dayah A., Wager J.F. Aging studies of atomic layer epitaxi ZnS: Mn alternating-current thin-film electroluminescent devices // J. Appl.Phys. 1994.- v.75.- № 7.-P.3593−3598
- Жигальский A.A., Нефедцев E.B., Троян П. Е. Временные характеристики люминесценции структур Al-ZnS:Mn-InxOy, возбуждаемых одиночными импульсами напряжения // Изв. ВУЗов. Физика.- 1995.- № 2.- С.37−41
- Berstein Е., Lundquist S. Tunneling Phenomena in Solids. New York: Plenum Press, 1969.-5 82p.
- Davidson J.D., Wager J.F. and Kobayashi S. Aging studies of evaporated ZnS: Mn alternating current thin film electroluminescent devices. J. Appl.Phys.-1992.-V.71.-P.4040−4047
- Vincent G., Chantre A., and Bois D. Electric field effect on the thermal emission of traps in semiconductor junctions// J. Appl. Phys.-1979.- V.50.- P. 5484−5487
- Singh V.P., Xu Q., McClure J.C., Morton D.C. Phosphor currents in ZnS: Mn ac thin film electroluminescent display device //J. Appl. Phys.-1992.- 4148−1453
- Conley J.F. and Lenahan P.M. Room Temperature Reactions Involving Silicon Dangling Bond Centers and Molecular Hydrogen in Amorphous Si02 Thin Films on Silicon// Appl. Phys. Lett.-1993-V.62.-P. 40−47
- Ludeke R., Wen H.J. Localized electron trapping and trap distributions in Si02 gate oxides// Appl. Phys. Lett.-1997.-V.71.№ 21.-P.3123−3126
- Thioulouse P., Chang I.F., and Giess E.A. Comparative study of phosphorescence and photostimulated luminescence in zinc silicate phosphors and their description by a tunneling model// J. Electrochem. Soc.-1983.-V.130.-P.2065−2071
- Hsu С.-Т., Su Y.-K. Electroluminescent devices with different insulator /semiconductor interfaces prepared by radio-frequency sputtering//Opt. Eng.-1993.- V.32.-1803−1808
- Bhaskaran S., Singh V.P., McClure J.C., Morton D.C. An investigation of electron ejection mechanisms at the insulator-phosphor interface in ZnS: Mn ACTFEL devices // SID International Symposium Proceedings.-1994.-P. 133−136
- Krasnov A., Bajcar R.C., Hofstra P.G. Electrical characterization of alternating-current thin-film electroluminescent devices// Appl. Phys. Lett.-1998.-V.73, — P.351−354
- Hsu C.T., Su Y.K., Yokoyama M. Electroluminescent devices with different insulator/semiconductor interfaces prepared by rf sputtering (Proc. Pap.) //Display Technologies.-1992.-V. 1815.-P.288−291
- Hsu C.T., Li J.W., Liu C.H., Su Y.K., Wu T.S., Yokoyama M. High luminous efficiency thin-film electroluminescent devices with low resistivity insulating materials// J.Appl. Phys.-1992.-V.71.-1509−1512
- Krasnov A. Selection of dielectrics for alternating-current thin-film electroluminescent device // Thin solid films. -1999.-V.347- P. 1−13
- Muller G.O., Mach R., Selle B. and Schulz G. Measuring on thin film electroluminescent deviccs // Phys stat. sol. (a).- 1988.- V. l 10.- P.657−669
- Smith D.H. Modeling a.c. thin-film electroluminescent devices//J.Luminescence.-1981.-V.23.- № 1.- P.209−235
- Davidson J. D., Wager J. F., Khormaei R. I., King C. N. and Williams R. Electrical characterization and modeling of alternating-current thin-film electroluminescent devices// IEEE Trans. Electron Devices.-1992, — V. 39.-P.1122−1128
- Ruhle W., Marello V., Onton A. Filamentary AC electroluminesccnce in ZnS: Mn// J. Electron.Mater.-1979.-V.8.-№ 6.-P.839−853
- Howard W.E., Sahni O., Alt P.M. A simple model for the hysteretic behavior of ZnS: Mn thin film electroluminescent devices // J. Appl. Phys.-1982.-V.53.-№ 1.-P.639−647
- Васильчеико В.П. Уровни захвата носителей в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS // ЖПС.- 1996.- Т.63.- №.3, — С.461−465
- Hitt J.S., Kcyr P.D., Wager J.F. Sun S.S. Static space charge in evaporated ZnS: Mn alternating-current thin-film electroluminescent devices // J. Appl. Phys.- 1998- V.83.-№ 2- P. l 141−1145
- Neyts K.A. and De Visschere P. Analytical model for thin-film electroluminescent devices// J. Appl. Phys.-1990.- V. 68.- P. 4163−4171
- Petre D., Pintilie I., Ciurea M.L., Bolita T. Interface trapping states in M1SIM structures with ZnS: Mn// Thin solid films.-1995.-V.260, — P.54−57
- Goldenblum A. and Oprea A. The Time Dependence of Currents in MISIM Structures with ZnS: Mn Active Layers// Phys. status solidi A.-1992.-V.132.-№ 2.-P.381−395
- Goldenblum A., Oprea A., and Bogatu V. Time behavior of currents in ZnS: Mn metal-insulator-semiconductor-insulator-metal structures// J. Appl.Phys.-1994.- V.75.1. P. 5177−5185
- Zuccaro S., Raker Th., Niedernostheide F.-J., Kuhn Т., Purwins H.-G. Physical processes in thin-film electroluminescent structures based on ZnS: Mn showing self-organized patterns// Chaos, Solitons and Fractals.-2003.-V.17.-P.231−236
- Hitt J.C. and Wager J.F. Insulator issues in alternating-currcnt thin-film electroluminescent devices// J. Appl.Phys.-2001.-V.90.- № 6, — P.2711−2712
- Ang W.M., Pennathur S., Pham L., Wager J.F., and Goodnick S.M. Evidence for band-to-band impact ionization in evaporated ZnS: Mn alternating current thin-film electroluminescent devices//J. Appl. Phys.-1995.- V. 77.- P. 2719- 2724
- Bringuier E. Electron multiplication in ZnS-type electroluminescent devices// J.Appl.Phys.-1990.-V.67.-P.7040−7044
- Keir P.D., Ang W.M. and Wager J.F. Modeling space charge in alternating current thin film electroluminescent devices using a singlesheet charge model //J.Appl. Phys.-1995.- V.78 .-P.4668−4680
- Физика соединений AnBvl. // Под ред. А. Н. Георгобиани, М. К. Шейнкмана. -М.: Наука, Гл. ред. Физ-мат. лит., 1986. 320 с.
- Морозова И.К., Кузнецова В. А. Сульфид цинка: получение и свойства. -М.: Наука, 1987.-200 с.
- Георгобиани А.Н., Котляревский М. Б., Михаленко В. Н. Структура дефектов ZnS с собственно дефектной дырочной проводимостью // Изв. АН СССР, Неорган, материалы.- 1982.- Т. 17.- № 7.-С.1329−1334
- Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров.- М.: Высш. шк., 1982.-376 с.
- Грузинцев А.Н. Сложные центры свечения в сильнолегированных примесью сульфидах кадмия, цинка, стронция и кальция: дисс. док. физ.-мат.наук.-Черноголовка, 1999.-373с.
- Георгобиани А.Н., Котляревский М. Б. Люминесценция ZnS с собственно-дефектной и примесной дырочной проводимостью // Изв. АН СССР, сер. физическая.- 1982.- Т.46.- С.259−265
- Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. // Под ред. Полторака О.М.-М.: Мир, 1969.-654 с.
- Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. -М.: Высш. шк., 1982−376 с.
- Joseph J.D., Neville R.C. Some optical properties of high-resistivity zinc sulfide. // J. Appl. Phys.- 1977.- V.48.- № 5.- P. 1941−1945
- Георгобиани A.H., Маев Р. Г., Озеров Ю. В., Струмбан Э. Е. Исследование глубоких уровней в монокристаллах сульфида цинка. // Изв. АН СССР, сер. физическая. -1976.- Т.40.- № 9.- С.1079−1083
- Берченко Н.Н., Кревс В. Е., Средин В. Г. Полупроводниковые твердые растворы и их применение. Справочные таблицы.- М.: Воениздат, 1982.- 208с.
- Vlasenko N.A., Chumachkova М.М., Denisova Z.L. et all. On nature of centers responsible for inherent memory in ZnS: Mn thin-film electroluminescent devices. // J. Cryst. Growth.- 2000.- V.216.- P.249−255
- Neyts K.A., Corlatan D., De Visschere P. et all. Observation and simulation of space-charge effects and histeresis in ZnS: Mn as thin-film electroluminescent devices // J.Appl.Phys. -1994.- V.75.-№ 10.- P.5339−5346
- Yang K.-W., Owen S.J.T. Mechanisms of the negative-resistance characteristics in AC thin-film electroluminescent devices // IEEE Trans. On Electron. Devices.- 1983.1. V. ED-30.- № 5, — P.452−459
- Douglas A.A., Wager J.F., Morton D.C. et all. Evidence for space charge in atomic layer epitaxy ZnS: Mn alternating-current thin-film electroluminescent devices // J. Appl. Phys.- 1993.- v.73, № 1, — P.296−299
- Howard W.E., Sahni O., Alt P.M. A simple model for the hysteretic behavior of ZnS: Mn thin film electroluminescent devices // J. Appl. Phys.- 1982.- V.53.- № 1.-P.639−647
- Турин H.T., Рябов Д. В., Сабитов О. Ю., Афанасьев A.M. Туннелирование электронов в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях на основе ZnS:Mn // Письма в Журн. техн. физ. -2005. Т.31.-№.3. — С.79−85
- Турин Н.Т., Сабитов О. Ю., Шляпин А. В. Влияние объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка // Журн. техн. физ. 2001. — Т.71.- №.8. — С.48−58
- Турин IT.T., Шляпин А. В., Сабитов О. Ю. Кинетика электролюминесценции тонкопленочных излучателей на основе сульфида цинка на ультранизких частотах // Журн. техн. физ. 2002. — Т.72.- №.2. — С.74−83
- Георгобиани А.Н., Пипинс П. А. Туннельные явления в люминесценции полупроводников.- М.:Мир, 1994.- 224 с.
- Турин Н.Т., Рябов Д. В. Инфракрасное тушение электролюминесценции тонкоплепочных электролюминесцентных структур на основе ZnS :Мп//ЖТФ,-2005.- Т.75.- №. 1. -С.45−54
- Турин Н.Т., Шляпин А. В., Сабитов О. Ю. Квантовый выход и светоотдача тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка // Журн. техн. физ. 2003. — Т.73, — №.4. — с. 100−112
- Турин Н.Т., Шляпин А. В., Сабитов О. Ю., Рябов Д. В. Влияние фотовозбуждения на электрические характеристики тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS:Mn // Журн. техн. физ. 2003. — Т.73.- №.4. — С.90−99
- Турин Н.Т., Рябов Д. В. Инфракрасное тушение электролюминесценции тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе ZnS:Mn// письма ЖТФ, — 2004.- Т.30.- №.9.- С.88−95
- Турин Н.Т., Сабитов О. Ю. Влияние формы возбуждающего напряжения на яркость свечения тонкопленочных электролюминесцентных излучателей // Журн. техн. физ. 1999. — Т.69, — №.2. — С.64−69.
- Shih S., Keir P.D., Hitt J., and Wager J. F. Offset of the electrical characteristics of alternating-current thin-film electroluminescent devices// Appl. Phys. Lett.-1995.-V.78.-№ 9.-P. 1223−1227
- Zeinert A., Barthou C., Benaloul et all. Excitation efficiency and field non-uniformity in ZnS-based thin-film electroluminescent devices grown by atomic layer epitaxy // Semicond. Sci. Technol. 1997, — V.12.- P. 1479−1486
- Турин H.T., Сабитов О. Ю. Определение параметров и характеристик электролюминесценции в топкопленочных излучателях на основе ZnS:Mn // Журн. техн. физ. 2006. — Т.76.- Вып.8. — С.50−62
- Дворяншин Б.В. Метрология и радиоизмерения: Учеб. пособие для студ.высш.учеб.заведений.-М.: Издательсктй центр «Академия», 2005.-304 с.
- Bringuier Е. Tentative anatomy of ZnS-type electroluminescence// J. Appl.Phys.-1994.- V.75.- № 9.- P. 4291−4312
- Wager J.F., Hitt J.C., Baukol B.A., Bender J.P., Keszler D.A. Luminescent impurity doping trends in alternating-current thin-film electroluminescent phosphors// J. Lumin.-2002.- v. 97.- P. 68−81
- ОвсюкВ.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. -Новосибирск. Наука. 1984. 254с.
- Турин Н.Т., Сабитов О. Ю. Релаксация параметров тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS:Mn при выключении//ФТП.-2008.-V.42-№ 8.-C.692−705
- Heikenfeld J.C., Dorey R., Wharmore R., Bender J.P. et all. High brightness ZnS and GaN electroluminescent devices using PZT thick dielectric layers// IEEE Trans. On Electron Devices.-2005.-V.52.-№ 2.-P. 194−203