Анализ фотоприемных монокристаллических и поликристаллических слоев на основе халькогенидов свинца методами атомно-силовой микроскопии
Предложена и разработана методика для исключения необратимых процессов изменения структуры образца за счет локального разогрева при-контактной областисущность новой методики заключается в том, что при сканировании поверхности образца за один проход зонда регистрируется как информация о топологии поверхности объекта, так и интенсивность сигнала по току при различном приложенном напряжении, затем… Читать ещё >
Содержание
- Глава 1. Современные фотоприемники на основе соединений группы А4В6 (литературный обзор)
- 1. 1. ИК — фотоприемники на основе халькогенидов свинца
- 1. 1. 1. Охлаждаемые ИК — фотодетекторы на основе монокристаллических слое соединений А4В6 на кремнии
- 1. 1. 2. Высокоселективные ИК — фотодетекторы с микрорезонатором
- 1. 1. 3. Неохлаждаемые фото детекторы на основе поликристаллических слоев халькогенидов свинца
- 1. 2. Особенности оптических, электрофизических и структурных свойств халькогенидов свинца
- 1. 2. 1. Основные физико-химические свойства халькогенидов 28 свинца
- 1. 2. 2. Особенности зонной структуры халькогенидов свинца
- 1. 2. 3. Основные кристалл о физические свойства халькогенидов свинца
- 1. 2. 4. Дислокации в эпитаксиальных пленках РЬХ с кристаллографической ориентацией (111)
- 1. 2. 5. Влияние деформации на электрические свойства соединений 34 РЬХ
- 1. 3. Применение атомно-силовой микроскопии для диагностики материалов и создания структур микро- и оптоэлектроники
- 1. 3. 1. Принцип работы и основные режимы АСМ
- 1. 3. 2. Латерально-силовая микроскопия
- 1. 3. 3. Картографирование сил адгезии и особенности кривых отвода -подвода зонда АСМ
- 1. 3. 4. Исследование механических характеристик нанотрубок воздействием зонда АСМ
- 1. 3. 5. Исследование топографии квантовых точек PbTe/PbSe
- 1. 4. Сканирующая микроскопия сопротивления растекания (SSRM)
- 1. 4. 1. Определение удельного сопротивления по данным SSRM
- 1. 4. 2. Факторы, влияющие на измерения в режиме SSRM
- 1. 4. 3. Определение параметров полевых транзисторов с помощью 50 SSRM
- 1. 4. 4. Исследование влияния структурных характеристик на свойства диодов Шоттки методами С-АСМ
- 1. 5. Особенности проведения измерений АСМ, обусловленные малым размером зонда
- 1. 5. 1. Локальная наноразмерная электротермическая декомпозиция
- 1. 5. 2. Бесконтактное формирование нанорельефа поверхности 54 подложек
- 1. 5. 3. Локальная «глубинная» модификация полупроводников
- 1. 5. 4. Локальная электродинамическая модификация поверхности
- 1. 5. 5. Фазовый переход в Si под влиянием давления зонда АСМ
- 1. 1. ИК — фотоприемники на основе халькогенидов свинца
- 2. 1. Напряжения упругодеформированных эпитаксиальных слоев РЬТе
- 2. 2. Молекулярно-лучевая эпитаксия РЬТе (111)
- 2. 3. Методика исследования топографии эпитаксиальных слоев РЬТе с помощью атомно-силовой микроскопии
- 2. 4. Особенности топографии ростовой поверхности PbTe/BaF2 (111)
- 2. 5. Развитие модельных представлений о природе возникновения трубчатых дефектов в PbTe/BaF
- 2. 6. Исследование процессов релаксации напряжений несоответствия в PbTe/BaF2 и PbTe/CaF2/S
- 2. 6. 1. Исследование топографии слоев PbTe/CaF2/S
- 2. 6. 2. Развитие модельных представлений о природе возникновения 30°-террасах на поверхности PbTe/CaF2/Si 84 после релаксации
- 2. 6. 3. Активизация скольжения в PbTe/BaF
Глава 3. Математическое моделирование процессов, сопровождающих токопрохождения в системе зонд АСМ — Ме/РЬТе 92 3.1. Устройство и конструкционные особенности атомно-силовых микроскопов, использованных в работе
3.1.1. АСМ для измерений в вакууме и при криогенных 93 температурах
3.1.2. Выбор зонда АСМ
3.2. Невоспроизводимость В АХ контактов металл — халькогенид свинца при стационарном положении зонда АСМ
3.3. Моделирование распределения поля и разогрева в системе зонд
АСМ- халькогенид свинца
3.3.1. Моделирование распределение электростатического поля
3.3.2. Моделирование распределения плотности тока и нагрева приконтактной области под зондом АСМ
3.4. Анализ возможности возникновения условий для пластической 107 модификации
3.5. Комбинированный способ построения локальных В АХ
Выводы к главе
Глава 4. Исследование электрофизических свойств фотоприемников на основе монокристаллических слоев РЬТе
4.1. Специфика формирования интерфейса выпрямляющих контактов к халькогенидам свинца
4.2. Технология формирования наноконтактов 1п/РЬТе
4.2.1. Формирование системы наноконтактов
4.2.2. Анализ рельефа системы наноконтактов
4.3. Методика контроля условия изолированности наноконтактов
4.4. Эволюция каналов протекания тока при вариации напряжения
4.4.1. Методика оценки эволюции каналов протекания тока при вариации напряжения
4.4.2. Методика выделения шунтов и локальных областей с особенностями токопрохождения
4.5. Эволюция В АХ наноконтактов при термоциклировании
Выводы к главе
Глава 5. Атомно-силовая микроскопия фоточувствительных и излучающих поликристаллических слоев на основе PbSe
5.1. Современные модельные представления о природе фотопроводимости в поликристаллических слоях на основе соединений
РЬХ при комнатной температуре
5.2 Технология получения фоточувствительных поликристаллических слоев на основе PbSe
5.3. Исследование поликристаллических слоев на основе PbSe методами атомно-силовой микроскопии в зависимости от условий получения и 140 обработки
5.3.1. Исследование топологии фоточувствительных поликристаллических слоев на основе PbSe и PbCdSe
5.3.2. Латерально-силовая микроскопия поликристаллических слоев 144 на основе PbxCdi"xSe
5.3.3. Сопротивление растекания поликристаллических слоев PbSe после различных обработок
5.4. Исследование изменения. электрофизических свойств поликристаллических пленок PbCdSe по глубине
5.5. Развитие модельных представлений о процессах токопереноса в фоточувствительных поликристаллических слоях PbCdSe по глубине
5.6. Исследование свойств поликристаллических слоев PbSe на кремнии с буферным слоем пористого кремния
5.6.1. Получение буферных слоев por-Si и-исследование их структуры
5.6.2. Исследование структурных свойств por-Si с помощью рамановской спектроскопии и методом FIB
5.6.3. Исследование вольт-амперных характеристик структур por-Si/Si
5.6.4. Получение и исследование свойств структур PbSe/por-Si/Si
5.7. Создание сетчатых диэлектрических подложек на основе высокоупорядоченных слоев рог-А12Оз
Выводы к главе
Список литературы
- Two-Dimensional Monolithic Lead Chalcogenide 1. frared Sensor Arrays on Silicon ReadOut-Chips and Noise Mechanisms / H. Zogg, K. Alchlabi, D. Zimin, K. Kellermann // IEEE, Transactions on Electron Devices.- January 2003.-V. 50, N0.1.- P. 209−213.
- Zogg, H. IV-VI (Lead Chalcogenide) Infrared Sensors and Lasers/ H. Zogg, A. Ishida // Infrared Detectors and Emitters: Materials and Devices (ed. P. Capper, С. T. Elliott).- Boston: Kluwer Academic Publishers, 2000.- 478p.
- Голубченко, H.B. Кинетика и механизмы окисления поликристаллических слоев се-ленида свинца, легированных висмутом / Н. В. Голубченко, В. А. Мошников, Д. Б. Чеснокова // Материалы электронной техники. 2005.- № 1.- С. 23 — 28.
- В. Г. Буткевич, В. Д. Бочков, Е. Р. Глобус «Фотоприемники и фотоприемные устройства на основе поликристаллических и эпитаксиальных слоев халькогенидов свинца» // Прикладная физика, 2001, № 6, с.66−112.
- Rogalski A. New trends in semiconductor infrared detectors // Opt. Engin. 1994.- V.33.-P.1395−1412.
- Пихтин A.H. Оптическая и квантовая электроника M., ВШ, 2001, 573с.
- Перегуд Е.А., Горелик Д. О. Инструментальные методы контроля загрязнения атмосферы. -Л.: Химия, 1981.
- Zogg Н., Maissen С., Masek J., Bluniev S., Hoshino Т. Monolithic IR sensor arrays in het-eroepitaxial narrow gap lead chalcogenides on Si for the SWIR MWIR and LWIR range // SPIE conf. Orlando (USA) April 1990 1308−22, 8 p.
- De Neve H., Blondelle J., Demeester P. and etc. High Efficiency Planar Microcavity LEDs // 23rd International Conference on The Physics Of Semiconductors, vol.4, Berlin, Germany, July 21−26, 1996, VII.A.3., P 3079−3095
- Arnold M., Zimin D., Zogg H. Resonant-Cavity-Enhanced Photodetectors For The Mid-Infared // Appl. Phys, Lett. 87,141 103 (2005).
- Z. Yu, G. Veronis, S. Fan, M.L. Brongersma, Design of midinfrared photodetectors enhanced by surface plasmons on grating structures, Applied Physics Letters 89,151 116 (2006).
- Felder F., Arnold M., Rahim M., Ebneter C., Zogg H. Tunable lead-chalcogenide on Si resonant cavity enhanced mid-infrared detector // Appl. Phys. Lett. 91, 2007,101 102, 3 pages.
- W. Heiss, T. Schwarzl, G.Springholz. Above-room-temperature mid-infrared lasing from vertical cavity surface-emitting PbTe quantum-well lasers // Appl.Phys.Lett., vol.78,No.l2, 2001, 862−864.
- Springholz G., Schwarzl Т., Boberl M., Heiss W. Continuous Wave Mid-Infrared IV-VI Vertical Cavity Surface Lasers // Proceedings of the GMe Forum. 2005. P. 51−56.16. www.tfp.ethz.ch|-
- S. Schartner, S. Golka, C. Pflugl, W. Schrenk, A. M. Andrews, T. Roch, G. Strasser, Band structure mapping of photonic crystal intersubband detectors, Applied Physics Letters, 89, 15 1107(2006)
- T. Ishi, J. Fujikata, K. Makita, T. Baba, K. Ohashi, Si Nano-Photodiode with a Surface Plasmon Antenna, Japanese Journal of Applied Physics, 44, 12, L364-L366 (2005).
- K.T. Posani, V. Tripathi, S. Annamalai, N.R. Weisse-Bernstein, S. Krishna, R. Perahia, O. Crisafulli, О J. Painter, Nanoscale quantum dot infrared sensors with photonic crystal cavity, Applied Physics Letters 88, 151 104 (2006).
- Голубченко, H.B. Фоточувствительные структуры на основе поликристаллических слоев селенида свинца / Н. В. Голубченко, М. А. Иошт, В. А. Мошников, Д. Б. Чеснокова // Перспективные материалы. 2005. № 3. С.31−35.
- Bondokov R.Tz., Dimitrov D.Tz., Moshnikov V.A. and others. Photoelectrical properties of polycrystalline layers based on halcogen doped PbTe // Proseeding of SPIE.-1999, V.3890. P. 241−247.
- Martin Y. M., Hermandez Y. L. Arrays of thermally evaporated PbSe infrared photodetec-tors deposited on Si substrates operating at room temperature // Semicond. Sci. Technol., 1996. V. 11. P. 1740—1744.
- Гамарц, E.M. Кинетические характеристики сенсибилизирующих отжигов поликристаллических слоев селенида свинца / Е. М. Гамарц, Н. В. Голубченко, В. А. Мошников, Д. Б. Чеснокова // Петерб. журн. Электроники. -2003, № 4, С. 25−33.
- Неустроев Л.Н., Осипов В. В. Физические процессы в фоточувствительных поликристаллических пленках хальконенидов свинца // Микроэлектроника. Т. 17, вып. 5. -1988.-С. 399−416.
- Неустроев Л.Н., Осипов В. В. О механизме протекания тока и фототока в поликристаллах PbS / ФТП, 1984, Т. 18, № 2, С. 359−362.
- Гамарц, А.Е. Определение профиля диффузии кислорода в поликристаллических слоях селенида свинца методами ядерного микроанализа /А.Е. Гамарц, В. М. Лебедев, В. А. Мошников, Д. Б. Чеснокова // ФТП.-Т.38, вып. 10. -2004.- С. 1195−1198.
- Зломанов В.П. Получение и исследование некоторых физико-химических свойств селенида свинца. Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук, М. 1962.
- Справочник по электротехническим материалам. Под ред. Ю. В. Корицкого, В.В. Па-сынкова, Б. М. Тареева, в 3 томах. Л., «Энергоатомиздат», 1988.
- Сорокин B.C. Мошников В. А. Разбегаев В.Н. Румянцева А. И. Инжекционные лазеры: учебное пособие / СПбГЭТУ «ЛЭТИ». СПб., 1999.
- Martinez G., Schluter М., Cohen M.L. Electronic Structure. of PbSe and PbTe. Band structure densities of states and effective masses // Phys. Rev. B. 1975. — V. l 1, N 2. — P.651−659.
- Зыков, В.А. Особенности явления самокомпенсации в пленках PbSe:Cl:Seex /
- B.А. Зыков, Т. А. Гаврикова, С. А. Немов // ФТП, т. ЗО, вып.4. 1996.-С.717−721.
- Немов, С.А. Особенности электрической компенсации примеси висмута в PbSe /
- C.А. Немов, Т. А Гаврикова, В. А. Зыков и др. // ФТП. т.32, № 7. — 1998, — С.775−777.
- Волков Б.А., Панкратов О. А., Сазонов А. В. Зонная структура полупроводников группы AIVBVI в приближении сильной связи на р- орбиталях // ФТП, 1982, т. 16, № 10, с. 17 341 742.
- Соболев В.В. Энергетическая структура узкозонных полупроводников // Кишинев: Штииница. -1983. -288С.
- Ocio М., Albany H.J. Band structure parameters in PbojSno^Te, Pbo^Sno^Te // Phys. Lett. -1969. -V. 30A.-№ 7.-P. 169−170.
- Исследование дефектов в тонких пленках металлов. Учеб.-метод. Пособие. / Кемеровский государственный университет- Сост. С. А. Созинов Кемерово, 2004. — 44 с.
- Шаскольская М.П. Кристаллография. М., 1976. С. 327 343.
- P. Muller, Н. Zogg, A. Fach, and others. Reduction of threading dislocation densities in heavily lattice mismatched PbSe on Si (lll) by glide // Phys. Rev. Lett.- vol. 78.- 1997. P. 3007.
- Zimin D. Growth and Properties of Optoelectronic Structures Based on IV-VI Materials / Disser. Thesis, ETH, Zurich, 2004.
- Zogg H., Fach A., Maissen C. et al. Photovoltaic lead-chalcogenide on silicon infrared sensor arrays // Optical Engineering, vol. 33(5).- 1994. p. 1440−1449.
- Калюжная Г. А., Киселева K.B. Проблема стехиометрии в полупроводниках переменного состава типа А2Вб и А4В6 // Труды ФИАН им. П. Н. Лебедева, М.: Наука, 1987, Т.77, с. 5−84.
- Равич Ю.И., Ефимова Б. А., Смирнов И. А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS М., «Наука», 1968, 384с.
- Рыков С.А. Сканирующая зондовая микроскопия полупроводниковых материалов и наноструктур / Под ред. А. Я. Шика. СПб.: «Наука», 2001. 52с.
- Зондовые нанотехнологии в электронике. Неволин В. К., М.: Техносфера. 2005. 148с.
- Мошников В. А., Федотов А. А., Румянцева А. И. Методы сканирующей зондовой микроскопии в микро- и наноэлектронике: Учеб. пособие, СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭ-ТИ», 2003. 84 с.
- Бухараев, А.А. Диагностика поверхности с помощью сканирующей силовой микроскопии (обзор) / А. А. Бухараев, Д. В. Овчинников, А. А. Бухараева // Заводская лаборатория, № 5.-1996. -С. 10−27.
- В.Л. Миронов. Основы сканирующей зондовой микроскопии. Учебное пособие для студентов старших курсов высших учебных заведений. РАН, Институт физики микроструктур, г. Нижний Новгород, 2004. С. 114.
- Carban O.V., Salamatov E.I., Bystrov S.G., Zhikharev A.V. Image contrast in Lateral Force Mode in Multiphase Nanomaterials //Phys. Low-Din. Struct., ¾.-2001.-P.31−38.
- Sahoo N.K., Thakur S., Tokas R.B., Senthilkumar M. Correlation of Atomic Force-Distance Microscopy and Spectrophotometric Techniques in the Analysis of Optical Multilayer Spectral Aging Process // Thin Sol. Films.- 500. -2006. -P. 152−163/
- Salerno M., Bykov I. Tutorial: Mapping Adhesion Forces and Calculating Elasticity in Contrast Mode AFM // Microscopy and Analysis, 20(2). -2006. — S5-S8. -8P.
- Hoffmann S., Utke I., Moser B. et al. Measurement of the Bending Strength of Vapor-Liquid-Solid Grown Silicon Nanowires // Nano Lett. Vol. 6, № 4. -2006. — P. 622−625.
- Alchabi K., Zimin D., Kostorz G and Zogg H. Self-Assembled Quantum Dots with Nearly Uniform Sizes // Phys. Rev. Lett. 2003, v.90, N 2, 2 6104(1−4).
- Alexeev A., Loos J. Conductive Atomic Force Microscopy (C-AFM) analysis of photoactive layers in inert atmosphere // Organic Electronics. -9. -2008. -P. 149−154.
- Calleja M., Tello M., Garci’aa R. Size Determination of Field-induced Water Menisci in Noncontact Atomic Force Microscopy // J. Appl. Phys. Vol.92, № 9. — 5539−5542.
- Calleja M., Garci’aa R., Rohrer H. Patterning of Silicon Surfaces With Noncontact Atomic Force Microscopy: Field-induced Formation of Nanometer-size Water Bridges // J. Appl. Phys. -Vol.86, № 4.-1896−1903.
- Eyben P., Xu M., Duhayon N., etc. Scanning Spreading Resistance Microscopy And Spectroscopy For Routine And Quantitative Two-Dimensional Carrier Profiling // J. Vac. Sci. Technol. В 20.1., Jan/Feb 2002. P. 471−478.
- Wolf P.De., Clarysse Т., Vandervorst W., Hellemans. Low Weight Spreading Resistance Profiling of Ultrashallow Dopant Profil // J.Vac. Sci. Technol. В., 16(1). -1998. P. 401−405.
- Wolf P.De., Clarysse Т., Vandervorst W. et al. One- and two-dimensional carrier profiling in semiconductors by nanospreading resistance profiling // J.Vac. Sci. Technol. В., 14 (1). -1996.-P. 380−385.
- Shiojima K., Suemitsu T. and Ogura M. Correlation between current-voltage characteristics and dislocations for n-GaN Schottky contacts // Appl.Phys.Lett., vol.78, No.23,2001, p.3637−3638.
- Sheglov D.V. et al, The Deepness Enhancing of an AFM-tip Induced Surface Nanomodifi-cation // Appl. Surf. Sci. 2005,243, 138.
- Основы туннельно-зондовой нанотехнологии. Неволин В. К., М.: МГИЭТ. 1996. 90с.
- Неволин В.К. Пластическая нанодеформация образцов в туннельном микроскопе // Письма в ЖТФ. 1988. — Т.14. Вып. 16. — С. 1458 — 1460.
- Неволин В.К. Физические основы туннельно-зондовой нанотехнологии // Электронная промышленность. 1993. № 10. С. 8 11.
- Гринько В.В., Неволин В. К. Локальная модификация металлических пленок // Электронная промышленность. 1993. № 10. С. 21 -23.
- Неволин В.К. Пластическая нанодеформация образцов в туннельном микроскопе// Письма в ЖТФ. 1988. — Т.14, вып. 16. — С. 1458−1460.
- Неволин В.К. Локальная «глубинная» модификация полупроводниковых подложек в туннельном микроскопе // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника. 1990. -Вып.З (137).-С.71−72.
- Арбузов М.А., Неволин В. К. Локальная глубинная модификация полупроводниковых материалов // Электронная промышленность. 1993. № 10. С. 17 20.
- Стриха В.И. Теоретические основы работы контакта металл полупроводник. — Киев: Наукова думка, 1974. — 263 с.
- Аменадзе Ю.А. Теория упругости. М.: Высшая школа, 1976. — 227 с.
- Owen А.В. Memory switching in amorfhons silicon devices // J. of Non.-Cryst Solids. -1983. N 59−60. — P. 1273−1280.
- J.Jahanmir, P.E.West, S. Hsich a. o. Surface Modification of a-Si-H with a STM Operated in Air// J. Appl. Phys. 1989. — Vol.65, N5. — P.2064−2068.
- Неволин В.К. Локальная электродинамическая модификация поверхности подложек // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника. 1991. — Вып. 2 (141). — С.78 — 80.
- Неволин В.К. Локальная электродинамическая модификация поверхности подложек //Электронная промышленность. 1993. № 10. С. 23−25.
- Clarysse Т., De Wolf P., Bender H. And Vandervorst W. Recent insights into the physical modeling of the spreading resistance poin contact // J. Vac. Sci. Technol. В 14(1), Jan/Feb 1996. P. 358−368.
- Ho Sh.-T., Chang Yu-H., Lin H.-N. Conducting Atomic Force Microscopy Study of Phase Transformation in Silicon Nanoindentation // JAppl.Phys. -vol.96, № 6. -2004. P.3562−3564.
- Горелик C.C., Дашевский М. Я., Материаловедение полупроводников и диэлектриков: Учебник для вузов. М.: МИСИС, 2003. 480с.
- Тхорик Ю. А., Хазан J1. С. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. Киев, Наукова Думка, 1983.
- Александрова О. А., Мошников В. А. Физика и химия материалов оптоэлек-троники и наноэлектроники: Практикум. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2007, 68с.
- Ishizaka A., Shiraki Ya. Low Temperature Surface Cleaning of Silicon and Its Application to Silicon MBE // J. Electrochem. Soc., Volume 133, Issue 4, pp. 666−671 (April 1986).
- Zogg H., Blunier S., Fach A. et al. Thermal-mismatch-strain relaxation in epitaxial CaF2, BaF2/CaF2 and PbSe/ BaF2/CaF2 layers on Si (111) after many temperature cycles // Phys. Rev. B, 15 October 1994, Vol. 50 № 15, P. 10 801−10 810.
- Бартон В., Кабрера Н., Франк Ф. Элементарные процессы роста кристаллов. М.: Изд-во иностр. лит. 1959. С. 10.
- Schwoebel R. L. Step Motion on Crystal Growth // J. Appl. Phys., 40, 614, P. 46−52, (1969).
- Бойко A.M., Сурис P.A. Роль одомерной диффузии в модели роста поверхности кристалла Косселя // ФТП, 2006, т. 40, вып. 3, с. 372−379.
- Krug J. Spiral growth, two-dimensional nucleation, and the Ehrlich-Schwoebel effect // Institute of Theoretical Phusics, University of Koln, Germany, 2007, 8 pages, http://arxiv.org/abs/0709.2049.
- Pirouz P. On Micropipes and Nanopipes in SiC and GaN // Philosophical Magazine A, 1998, Vol. 78, № 3, P. 727−736.
- Dorsch W., Eckstein R., Heidi J. et al. Formation of Micropipes in SiC Under Kinetic Aspects//J. Cryst. Growth, vol. 179 (3-), 1997. P. 510−514.
- Сорокин B.C. Методы формирования полупроводниковых сверхрешеток и квантово-размерных структур: Учеб. пособие / ГЭТУ. СПб., 1996. — 68с.
- Springholz G., Ueta A.Y., Frank N. and Bauer G. Spiral Growth and Treading Dislocations for Molecular Beam Epitaxy of PbTe on BaF2(lll) Studied by Scanning tunneling microscopy //Appl. Phys. Rev., vol.69, No.19,1996, P. 2822−2824.
- Matthews J.W., Blakeslee A.E., Mader S. Use of Misfit Strain to Remove Dislocations from Epitaxial Thin Films // Thin Solid Films, 33, 1976, P. 253−266.
- Даварашвили О.И., Дарсавелидзе Г. Ш., Енукашвили М. И. и др. Исследование внутреннего трения в полупроводниках IV- VI // Материалы Международной конференции «Физика-2005», Баку, Азербайджан, 7−9 июня 2005 года, с.97−101.
- Канагеева Ю.М. Релаксация механических напряжений в эпитаксиальных структурах на основе PbTe (111) по данным атомно-силовой микроскопии// Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ», серия «Физика твердого тела и электроника», вып. 1, 2007, с.33−38.
- Roberts R.B., White G.K. Thermal Expansion of Fluorites at High Temperatures // J. Phys. C: Solid State Physics, 19. 1986. P. 7167−7172.
- Gerlich D. Elastic Constants of Barium Fluoride Between 4.2 and 300°K // Phys. Rev., 135, 1964. A1331-A1333.
- Guo D.-Z., Hou S.-M., Zhang G.-M., Xue Z.-Q. Conductance fluctuation and degeneracy in nanocontact between a conductive AFM tip and a granular surface under small-load conditions // Appl. Surf. Sci. -vol. 252, № 14. 2006. — P.5149−5157.
- Bietsch A., Schneider M.A., Welland M.E., Michel B. Electrical Testing of Gold Nanos-tructures by Conducting Atomic Force Microscopy //J. Vac. Sci. Technol. В 18(3) (2000)1160.
- Hattab A., F. Meyer, Yam V. et al. Electrical properties of W/Si interfaces with embeded Ge/Si islands // Microelectronic Engineering. vol. 70, is. 2−4.- 2003. -P.240−245.
- Стриха В.И., Бузанева E.B., Радзиевский И. А. Полупроводниковые приборы с барьером Шотгки (физика, технология, применение) / Под ред. В. И. Стрихи. М.: Сов. Радио, 1974.
- Jurgen Н. Werner and Herbert Н. Guttler. Barrier inhomogeneities at Schottky contacts //J. Appl. Phys., 69 (3), 1991, P. 1522−1533.
- Гришина Т.А., Драбкин И. А., Костиков IO.П. и др. Оже-спектроскопическое исследование процессов на границе металл-полупроводник в системе In-Pbl-xSnxTe // Изв. АН СССР, Неорганические Материалы, 1982, т. 18, № 10, с. 1709−1713.
- Бондоков Р.Ц. Формирование и свойства границ раздела фоточувствительных структур на основе пленок халькогенидов свинца, автореферат дисс. к.ф.-м.н. СПб: СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 1999.
- Кайданов В.И., Равич Ю. И. Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа А4Вб // УФН, 1985, Т. 145, № 1, С. 51−86.
- Калюжная Г. А., Киселева К. В. Проблема стехиометрии в полупроводниках переменного состава типа А2В6 и А4В6 // Труды ФИАН им. П. Н. Лебедева, М.: Наука, 1987, Т.77, с. 5−84.
- Берченко H.H., Заридзе Д. Ш., Матвеенко A.B. Формирование барьеров Шотгки и гетероструктур ннв халькогенидах свинца и твердых растворах на их основе // Зарубежная электронная техника, 1979, № 4, С.34−51.
- Трофимов В.Т., Селиванов Ю. Г., Чижевский Е. Г. Фотопроводимость тонких эпи-таксиальных слоев селениа свинца // ФТП, 1996., т. ЗО, № 4, с. 755−763.
- Ормонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников: — М.: «Высшая школа», 1982.
- Канагеева, Ю.М. Исследование свойств матриц на основе In/PbTe методами атомно-силовой микроскопии с помощью специальной системы наноконтактов / Ю. М. Канагеева (Спивак), В. А. Мошников // Вакуумная техника и технология.- 2008.- Т. 18, № 2.-С. 87−94.
- Коротченков Г. С., Молоден И. П. Барьеры Шотгки, собственные окислы и МОП структуры на фосфиде галлия: Кишинев, Изд-во «Штиинца», 1984, 115с.
- Давыдов С.Ю., Лебедев O.A., Посредник О. В. Физика поверхности и границ раздела.: Учеб. пособие, СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2005, 66с.
- Зломанов В.П. Получение и исследование некоторых физико-химических свойств селенида свинца. Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук, М. 1962.
- Гамарц, Е.М. Кинетические характеристики сенсибилизирующих отжигов поликристаллических слоев селенида свинца / Е. М. Гамарц, Н. В. Голубченко, В. А. Мошников, Д.Б. Чеснокова// Петерб. журн. электроники. -2003.- № 4.-С.25−33.
- Гамарц А.Е. Автореферат диссертации «Фотолюминесценция в поликристаллических слоях на основе твердых растворов селенида свинца-селенида кадмия» на соискание степени кандидата физико-математических наук. Санкт-Петребург, 2005.
- Lopez Otero A. Hot well epitaxy // Thin solid films. -V.49.,№ 1. -1978.-P.3−57.
- Равич Ю.И., Ефимова Б. А., Смирнов И. А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS M., «Наука», 1968, 384с.
- Davydov D.N., Lyanda-Geller Yu., Rykov S.A. and others. Nanometer scale modification and characterization of lead telluride surface by scanning tunneling microscopy at 4,2 К // Journ. Appl. Phys. 1996. Vol. 79, Ns 5, P. 2435−2438.
- Гамарц, А.Е. Определение концентрации носителей заряда в поликристаллических слоях селенида свинца на основе спектров отражения / А. Е. Гамарц, Ю.М. Канагее-ва, В. А. Мошников // Физика и техника полупроводников.-2004.- Т.39, Вып. 6.-С.667−668
- Медведев, Ю.В. Фазовые равновесия в системах Pb-Sn-Te-O, Pb-Sn-Se-O, Pb-Te-Se-0 / Медведев Ю. В., Берченко Н. Н., Костиков Ю. П. // Неорганические материалы. -т.23, № 1.-1987. -с.108−111.
- Бондаренко В.П., Борисенко В. Е., Глиненко Л. Н., Райко В. А. Новые области применения пористого кремния в полупроводниковой электронике // Зарубежная электронная техника, вып. № 9, М.: изд-во ЦНИИ «Электроника», 1989 г., с. 55−83.
- Lazarouk, P. Jaguiro, V. Borisenko. Integrated Optoelectronic Unit Based on Porous Silicon. Physica of Status Solodi (a) 165, 87−90 (1998)
- Афанасьев, A.B. Особенности технологии и свойств фотодетекторов на основе структур «металл пористый карбид кремния» / А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, Н. М. Коровкина, А. Ю. Савенко //Письма в ЖТФ, 2005, т. 31, вып. 15, С. 1−6.
- V. Yakovtseva, N. Vorozov, L. Dolgyi and others, Porous Silicon: A Buffer Layer for PbS Heteroepitaxy//Phys. Stat. Sol. (a) 182,2000.-P.195−199s. 36 (2003), p.2705−2708.
- Л.В. Беляков, И. Б. Захарова, Т. И. Зубкова и др. Исследование ИК фотодиодов на основе РЬТе, полученных на буферном подслое пористого кремния.
- Imai К., Unno H. FIPOS technology and its application to LSI’s // IEEE Trans. On Electron. Dev. 1984. — v. ED-31. — P.297−302.
- Smith R.L., Collins S.D. Porous Silicon Formation Mechanisms // J. Appl. Phys. 1992, v. 71, N 8, P. R1-R22.
- V. Parkhutik. Porous silicon mechanisms of growth and applications // Solid-State Electron.- 1999.- V.43.-P.1121−1141.
- Изучение структурно-морфологических особенностей макропористого кремния при препарировании образцов остросфокусированным ионным пучком / Ю. М. Каганеева и др. // Петербургский журнал электроники.-2007.- № 1.- С.30−34.
- Зимин, С.П., Электрофизика пористого кремния и структур на его основе // Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук, Ярославль, 2003.
- Рассеяние света в твердых телах, под. ред. М. Кардоны, изд-во «Мир», М., 1979.
- C.B. Гайслер, О. И. Семенова, Р. Г. Шарафутдинов, Б. А. Колесов. Анализ раманов-ских спектров аморфно-нанокристаллических пленок кремния // Физика твердого тела, 2004, т. 46, в.8, с. 1484−1488
- Мынбаева М.Г. Пористые карбид кремния и нитрид галлия: получение, свойства, применение. Автореферат кандидатской диссертации. Санкт-Петербург, 2003.
- А.Н. Белов, С. А. Гаврилов, В. И. Шевяков. Особенности получения наноструктури-рованного анодного оксида алюминия //Российские нанотехнологии, т.1 ,№ 1−2,2006.
- Jessensky О., Muller F., Gosele U. Self-organized formation of hexagonal pore arrays in anodic alumina. Appl. Phys. Lett., 1998,72,10, pp. 1173−1175.
- Wood J. Turning insulating nanocrystal films into semiconductors // Materials Today, 2005, v.8, № 12, p.9.
- Zhang X., Нао Yu., Meng G. and Zhang L. Fabrication of Highly Ordered InSb Nanowire Arrays by Electrodeposition in Porous Anodic Alumina Membranes // Journal of The Electrochemical Society, 152 (10), C664-C668 (2005).
- Molchan L.S., Gaponenko N.V., Kudrawiec R. and others. Luminescence from Sol-Gel-Derived Europium-Doped Films Confined in Mesoporous Anodic Alumina // Journal of The Electrochemical Society, 151 (1), H16-H20 (2004).
- Masuda Н. et al. Highly ordered nanochannel-array architecture in anodic alumina. Appl. Phys. Lett. 71 (19), 10 November 1997, pp. 2770−2772.