Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Микроструктурированные стеклообразные и кристаллические оптические материалы

Диссертация: Микроструктурированные стеклообразные и кристаллические оптические материалы
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В последние годы одними из наиболее интересных и важных областей знания в области физики, химии, биологии и медицины являются нано-технологии, открывающие принципиально новые возможности применения известных и, казалось бы, уже давно хорошо изученных веществ. Связующим звеном, объединяющим макромир и наночастицы, выступают микроструктурированные материалы, в которые и осуществляется интеграция… Читать ещё >

Содержание

  • 1. Микроструктурированные материалы
    • 1. 1. Микроструктурированные материалы в современной науке и технике
    • 1. 2. Методы создания тонких пленок
    • 1. 3. Импульсное лазерное осаждение тонких пленок
      • 1. 3. 1. Материалы для получения пленок методом ИЛО
      • 1. 3. 2. Лазерные источники для ИЛО
    • 1. 4. Халькогенидные стеклообразные тонкие пленки
    • 1. 5. Фотоиндуцированные изменения в тонкопленочных структурах ХГС
    • 1. 6. Кристаллические пленки LiNbOs
    • 1. 7. Выводы
  • 2. Экспериментальные установки
    • 2. 1. Экспериментальная установка по импульсному лазерному осаждению
      • 2. 1. 1. Оптическая схема установки по импульсному лазерному осаждению
      • 2. 1. 2. Вакуумная схема установки по импульсному лазерному осаждению
    • 2. 2. Методы и оборудование по исследованию структуры
      • 2. 2. 1. Комбинационное рассеяние света
      • 2. 2. 2. Рентгеновская дифрактометрия
    • 2. 3. Методы и оборудование по исследованию оптических свойств
      • 2. 3. 1. Спектроскопия поглощения и отражения
      • 2. 3. 2. Измерение показателя преломления
    • 2. 4. Выводы
  • 3. Импульсное лазерное осаждение стеклообразных пленок
    • 3. 1. Исследование свойств мишени состава 15(Ga2Ss) — 85(GeS2) для импульсного лазерного осаждения
    • 3. 2. Импульсное лазерное осаждение стеклообразных халькоге-нидных пленок
      • 3. 2. 1. Образование дефектов в пленках при импульсном лазерном осаждении
      • 3. 2. 2. Исследование структуры халькогенидных стеклообразных пленок
      • 3. 2. 3. Оптические свойства халькогенидных пленок
      • 3. 2. 4. Фотоиндуцированные изменения в пленках ХГС
    • 3. 3. Выводы
  • 4. Импульсное лазерное осаждение кристаллических пленок
    • 4. 1. Исследование свойств мишени состава ЫЫЬОз для импульсного лазерного осаждения
    • 4. 2. Импульсное лазерное осаждение LiNbC^Fe тонких пленок
      • 4. 2. 1. Напыление на аморфную Si02 подложку
      • 4. 2. 2. Напыление на Si (111) подложку
    • 4. 3. Выводы

Микроструктурированные стеклообразные и кристаллические оптические материалы (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Объект исследования и актуальность темы. Микроструктурированные оптические материалы представляют собой широкий класс оптических диэлектриков и полупроводников, стекол и кристаллов, на основе которых построена элементная база интегральной оптики. Хорошо изучены и широко применяются в интегральной оптике планарные волноводы, развет-вители, источники оптического излучения (планарные лазеры), усилители, линзы и т. д. Все большую популярность обретают оптические планарные микрочипы, на основе которых создаются датчики изменения давления, селективного обнаружения элементов в атмосфере. Интересным и многообещающим представляется развитие химических и биологических микролабораторий на основе планарных интегральных оптических схем.

В последние годы одними из наиболее интересных и важных областей знания в области физики, химии, биологии и медицины являются нано-технологии, открывающие принципиально новые возможности применения известных и, казалось бы, уже давно хорошо изученных веществ. Связующим звеном, объединяющим макромир и наночастицы, выступают микроструктурированные материалы, в которые и осуществляется интеграция наноразмерных источников оптического излучения, нано-детекторов, нано-сенсоров.

Микроструктурированные материалы широко используются в современной науке и технике. Поэтому актуальными задачами на сегодняшний день являются как разработка новых видов оптических стекол и кристаллов, так и разработка и усовершенствование методов создания и новых, и достаточно хорошо изученных микроструктурированных материалов. Одним из наиболее привлекательных методов создания тонких пленок представляется импульсное лазерное осаждение (ИЛО). Метод широко известен и достаточно хорошо изучен, чтобы рекомендовать его для создания сложных многокомпонентных многослойных тонко пленочных структур. Однако, учитывая широкие возможности управления процессом напыления пленок, а так же многообразие оптических материалов, необходим систематический подход к вопросу о создании различных микроструктурированных материалов методом импульсного лазерного осаждения.

В связи с вышеизложенным, целью диссертационной работы является развитие метода создания многокомпонентных микроструктурированных стеклообразных и кристаллических оптических материалов методом импульсного лазерного осаждения. Исследование оптических свойств полученных стеклообразных и кристаллических пленок.

В соответствии с целью исследования были поставлены следующие конкретные задачи:

I] Развить метод импульсного лазерного осаждения для создания многокомпонентных стеклообразных тонких пленок;

II] На основе полученного метода создать тонкопленочные структуры системы Ga-Ge-S и исследовать их оптические свойства;

III] Развить метод импульсного лазерного осаждения для создания многокомпонентных кристаллических тонких пленок;

IV] На основе полученного метода создать тонкопленочные структуры кристалла LiNbOs: Fe и исследовать их оптические свойства.

Научная новизна:

I] В диссертации впервые получены стеклообразные пленки 15(Ga2Ss)-85(GeS2), химический состав которых идентичен составу мишени, высокого оптического качества методом импульсного лазерного осаждения.

II] Показано, что при облучении стеклообразных халькогенидных пленок состава 15(Ga2Ss)-85(GeS2) лазерным излучением в атмосфере кислорода происходит их окисление.

III] Продемонстрирована возможность создания многокомпонентных ориентированных поликристаллических пленок состава LiNb03):Fe высокого оптического качества методом импульсного лазерного осаждения.

Научная и практическая ценность. В настоящей работе развиты методы создания микроструктурированных стеклообразных и кристаллических материалов импульсным лазерным осаждением. Предложено два типа материалов для оптической записи информации. Положения, выносимые на защиту:

I] Усовершенствован метод импульсного лазерного осаждения тонких пленок, что позволило решить проблемы неоднородности потока вещества, полученного в результате абляции, и формирования микроскопических капель вследствие взрывного характера лазерного испарения.

II] Получены тонкие пленки полупроводникового халькогенидного стекла системы Ga-Ge-S, химический состав которых идентичен составу мишени, методом импульсного лазерного осаждения.

III] Обнаружен эффект модификации структуры и изменения оптических свойств полученных стеклообразных пленок под воздействием лазерного излучения при нормальных атмосферных условиях. Показано, что в результате модификации структуры сульфидная матрица стекла становится оксидно-сульфидной, показатель преломления уменьшается на 0.3, положение края оптического поглощения смещается в сторону УФ длин волн на 100 нм.

IV] Показана возможность использования метода импульсного лазерного осаждения для формирования ориентированных поликристаллических оксидных пленок на основе LiNbOs.'Fe.

Апробация работы. Результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях:

I] На международной конференции «First International Conference on Laser Optics for Young Scientists» (Санкт-Петербург, Россия, 2000 г.);

II] На всероссийской конференции «2 всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой оптои на-ноэлектронике» (Санкт-Петербург, Россия, 2000 г.);

III] На всероссийской конференции «7 Всероссийская научная конференция студентов-физиков» (Санкт-Петербург, Россия, 2001 г.);

IV] На международной конференции «International Conference for Young Scientists and Engineers IQEC/LAT-YS» (Москва, Россия, 2002 г.);

V] На международной конференции «13 international symposium on non-oxide glasses and new optical glasses» (Пардубице, Чешская Республика, 2002 г.);

VI] На международной конференции «Tulip Graduate School Modern Developments in Spectroscopy» (Нурдвайг, Голландия, 2003 г.);

VII] На международной конференции «2 International Conference on Laser Optics for Young Scientists» (Санкт-Петербург, Россия, 2003 г.);

VIII] На международной конференции «Third Russian-French Laser Symposium» (Москва, Россия, 2003 г.);

IX] На международной конференции «The 5th Italian-Russian Laser Symposium» (Санкт-Петербург, Россия, 2003 г.);

X] На международной конференции «First Russian-French Laser Physics Workshop for Young Science» (Санкт-Петербург, Россия, 2004 г.);

XI] На международной конференции «3d International Symposium on Ultrafast Intense Laser Science» (Палермо, Италия, 2004 г.);

XII] На международной конференции «ICONO/LAT School for Young Scientists» (Санкт-Петербург, Россия, 2005 г.);

По теме диссертации опубликованы 5 статей и 12 тезисов докладов.

Список основных публикаций приведен в конце диссертации.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, основных результатов и выводов и списка литературы. В первой главе диссертации описывается современные тенденции в использовании микроструктурированных материалов и обсуждаются методы их изготовления. На основе литературных данных систематизированы методики создания тонкопленочных структур. Показана перспективность использования метода импульсного лазерного осаждения для формирования тонкопленочных материалов. Вторая глава посвящена описанию методов и экспериментальных установок для создания и исследования тонкопленочных структур.

Основные результаты и выводы.

I] Усовершенствован метод напыления тонкопленочных структур с помощью импульсного лазерного испарения. Метод позволяет создавать однородные по толщине и химическому составу пленки из многокомпонентных мишеней: — с химической структурой идентичной структуре мишени- - с однородными по площади пленки оптическими свойствами- - с оптическими свойствами, близкими к свойствам мишени.

II] Разработана методика получения тонких пленок халькогенидных стекол состава 15(Ga2S3) — 85(GeS2) методом импульсного лазерного осаждения. Полученные пленки характеризуются однородными по площади оптическими свойствами, хорошей адгезией к подложке и высокой степенью воспроизводимости при серийном изготовлении.

III] Исследованы оптические свойства и химическая структура пленок халькогенидных стекол состава 15(Ga2S3) — 85(GeS2) методами спектроскопии поглощения и колебательной спектроскопии. Показатель преломления полученных пленок определялся методом призмы. Показано, что оптические свойства пленок близки к свойствам мишени.

IV] Проведено исследование фотоиндуцированных изменений свойств пленок ХГС при облучении азотным и аргоновым лазерами.

V] Показано, что воздействие лазерного излучения приводит к окислению халькогенидных пленок. При этом наблюдается эффект фотопросветления (сдвиг края оптического поглощения в коротковолновую область на величину до 100 нм) и уменьшение показателя преломления (до 14%).

VI] Разработана методика получения ориентированных поликристаллических пленок LiNb03: Fe методом импульсного лазерного осаждения. Использование методики позволило создать на основе LiNbC>3:Fe аморфные пленки на стеклообразных подложках и кристаллические пленки на кристаллических подложках.

VII] Исследованы оптические свойства пленок LiNbC^Fe. Показано, что пленки характеризуются однородными по площади оптическими свойствами.

VIII] На основе анализа данных рентгеновской дифрактометрии показано, что полученные поликристаллические пленки LiNb03: Fe содержат кристаллическую фазу Nb02- Причиной появления фазы NbC>2 в продуктах лазерного распыления LiNbC>3:Fe является изменение степени окисления ниобия в условиях высокого вакуума.

Автор выражает благодарность основателю института «Российский центр лазерной физики» Смирнову Валерию Борисовичу, под влиянием которого сформировался интерес автора к лазерной физикенаучному руководителю доктору химических наук, профессору Тве-рьяновичу Юрию Станиславовичуколлегам по работе Борисову Е. Н., Курочкину А. В., Маныниной А. А., Ивановой Т. Ю., Иванову Д.А.- сотрудникам кафедры общей физики I СПбГУсотрудникам химического факультета СПбГУ Тверьяновичу А. С., Григорьеву Я. Г. за предоставление образцов для исследованиясотрудникам кафедры кристаллографии геологического факультета СПбГУ Грунскому О. С., Денисову А. В., Трофимову В. В. за помощь в проведении кристаллографических исследований и интерпретации результатовруководителям и сотрудникам лабораторий, где проводились совместные исследования — Бивона С. (департамент физики и технологий университета Палермо, Италия), Челино В., Фазио Б. (институт физико-химических процессов, Мессина, Италия).

Работы с участием автора.

Al. Ivanova T.Yu., Povolotskiy A. V, Manshina A.A. Crosss-relaxation processes and structural modifications in Ga-Ge-S:Er3+// Journal of Non-Cryst. Solids, 351, 2005, p. 1403−1409.

A2. Курочкин А. В., Иванова Т. Ю., Манынина A.A., Поволоцкий А. В. Исследование халькогенидных стекол, активированных редкоземельными ионами, методом комбинационного рассеяния света //2 всерос. молодежная конф. по физике полупровдников и полупроводниковой оптои нано-электронике, С-Петербург, 2000, с. 99.

A3. Иванова Т. Ю., Манынина А. А., Поволоцкий А. В. Исследование халькогенидных стекол методом комбинационного рассеяния света //7 Всерос. научн. конф. студентов-физиков, С-Петербург, 2001, с. 490−491.

А4. Ivanova T.Yu., Vorobev D.A., Povolotskiy A.V. Ga-Ge-S:Er3+ glasses and film investigation by the Raman scattering methods // International Conference for Young Scientists and Engineers IQEC/LAT-YS, Moscow, 2002, p. 68.

A5. Ivanova T.Yu., Manshina A.A., Povolotskiy A.V., Tveryanovich Yu.S. Chalcogenide glasses: multifunctional properties and practical application // The 5th Italian-Russian Laser Symposium, St. Petersburg, 2003, p. 191−194.

A6. Иванова Т. Ю., Курочкин А. В., Маньшина A.A., Поволоцкий А. В., Смирнов В. В., Тверьянович Ю. С. Процессы безызлучательной передачи энергии в стеклах системы Ga-Ge-S:Er3+ // Лазерные исследования в.

Санкт-Петербургском государственном университете. 2-й выпуск. — СПб.: НИИ «Российский центр лазерной физики 2003.

А7. Tverjanovich A., Grigoriev Ya.G., Degtyarev S.V., Kurochkin A.V., Manshina A.A., Ivanova T.Yu., Povolotskiy A.V., Tveryanovich Yu.S. Up-conversion luminescence efficiency in Er-doped chalcogenide glasses // Journal of Non-Cryst. Solids, 326&327, 2003, p. 311−315.

A8. Иванова Т. Ю., Курочкин А. В., Манынина А. А., Поволоцкий А. В., Тверьянович Ю. С. Полупроводниковые свойства халькогенидной системы Ga-Ge-S-Se:Er3+ // Лазерные исследования в Санкт-Петербургском государственном университете. 3-й выпуск. — СПб.: НИИ «Российский центр лазерной физики 2005, с. 213−221.

А9. Tverjanovich A., Grigoriev Ya.G., Degtyarev S.V., Kurochkin A.V., Man’shina A.A., Ivanova T.Yu., Povolotskiy A.V., Tveryanovich Yu.S. The increasing of the up-conversion luminescence efficiency for chalcogenide glasses //13 international symposium on non-oxide glasses and new optical glasses, Czech Republic, 2002, p. 585.

A10. Povolotskiy A.V. Investigation of the chalcogenide glass and film structure // Tulip Graduate School Modern Developments in Spectroscopy, Netherlands, 2003, p.57.

All. Sokolova O.A., Borisov E.N., Ivanova T.Yu., Povolotskiy A.V., Tverjanovich A.S. Pulsed laser deposition of erbium-doped Ga-Ge-S chalcogenide thin films //2 International Conference on Laser Optics for Young Scientists, St. Petersburg, 2003, p. 126.

A12. Borisov E.N., Ivanova T.Yu., Tverjanovich A.S., Manshina A.A., Povolotskiy A.V. Integrated optical elements: laser deposition, photobleaching and photoconductivity // Third Russian-French Laser Symposium, Moscow,.

2003.

A13. Povolotskiy A.V., Borisov E.N., Ivanova T.Yu., and Manshina A.A. Photoinduced phenomena in thin films of chalcogenide system Ga-Ge-S: a role of oxidation // Laser Phys. Lett. 1−5 (2005) / DOI 10.1002/lapl.200 510 083.

A14. Povolotskiy A.V., Borisov E.N., Grigoriev Ya.G., Man’shina A.A. Chalcogenide thin films: UV laser deposition and photobleaching // First Russian-French Laser Physics Workshop for Young Science, St. Petersburg,.

2004, p. 35.

A15. Povolotskiy A.V., Ivanova T.Yu., Man’shina A.A. Integrated optical elements: laser deposition and photobleaching //3d International Symposium on Ultrafast Intense Laser Science, Palermo, Italy, 2004.

A16. Povolotskiy A., Shimko A., Ferrante G., Manshina A. Laser writing of 2D and 3D structures in chalcogenide glassy materials // International conference ICONO/LAT, St. Petersburg, 2005.

A17. Povolotskiy A. Research of LiNbOs crystals by Raman scattering //First international conference on laser optics for young scientists, St. Petersburg, 2000, p.48.

Показать весь текст

Список литературы

  1. N. М. Jokerst, М. A. Brooke, S.-Y. Cho et al. // Optics & Photonics News. — 2003. — Vol. 14, no. 2. — Pp. 26−31.
  2. R. Zia, J. A. Schuller, A. Chandran, M. L. Brongersma // Materials Today. 2006. — Vol. 9, no. 7−8. — Pp. 20−27.
  3. Li L. // Optics & Photonics News. 2003. — Vol. 14, no. 9. — Pp. 24−30.
  4. J. Sheuer, G. T. Paloczi, J. K. S. Poon, A. Yariv // Optics & Photonics News. 2005. — Vol. 16, no. 2. — Pp. 36−40.
  5. J., Nielsen M. L., Berg T. W. // Optics & Photonics News.— 2003. Vol. 14, no. 7. — Pp. 42−48.
  6. A., Morichetti F., Martinelli M. // Optics & Photonics News. — 2003, — Vol. 14, no. 11.- Pp. 44−48.
  7. H. // Optics & Photonics News. 2003, — Vol. 14, no. 12.— P. 29.
  8. M. // Optics & Photonics News.- 2003.- Vol. 14, no. 9,-Pp. 38−41.
  9. J. // Optics & Photonics News. 2003. — Vol. 14, no. 4. — Pp. 4247.
  10. N., Norwood R. A. // Optics & Photonics News.— 2005. Vol. 16, no. 2. — Pp. 30−35.
  11. Samuel I. D. W., Turnbull G. A. // Materials Today. 2004. — September. — Pp. 28−35.
  12. C. Reese, M. Roberts, M. Ling, Z. Bao // Materials Today. 2004,-September. — Pp. 20−27.
  13. G. Т., Png С. E. // Materials Today. 2005. — January. — Pp. 4050.
  14. J. E., Crouch С. H., Mazur E. // Optics & Photonics News.— 2003. Vol. 14, no. 2. — Pp. 32−36.
  15. Farg E.-S. M. // Opt. & Laser Tech. 2006. — Vol. 38. — Pp. 14−18.
  16. V. Vassilev, C. Popov, S. Boycheva et al. // Materials Lett — 2004. — Vol. 58. Pp. 3802−3806.
  17. E. Marquez, T. Wagner, J. M. Gonzalez-Leal et al. //J. Non-Cryst. Solids. 2000. — Vol. 274. — Pp. 62−68.
  18. H. Yang, X.-j. Zhang, Z. Jiang et al. // Thin Solid Films. 2006. — Vol. 514. — Pp. 344−349.
  19. M., Burst J. M., Diebold U. // Thin Solid Films.- 2005.- Vol. 484. Pp. 132−139.
  20. Lee S., Dobrowolska M., Furdyna J. // J. Crystal Growth. — 2006. — Vol. 292.-Pp. 311−314.
  21. J. Son, Y. Yuen, S. S. Orlov et al. 11 J. Crystal Growth. 2005. — Vol. 280.-Pp. 135−144.
  22. D. Callejo, S. Manotas, M. D. Serrano et al. // J. Crystal Growth.— 2001. Vol. 226. — Pp. 488−492.
  23. M. Li, A. Kursumovic, X. Qi, J. L. MacManus-Driscoll // J. Crystal Growth. 2006. — Vol. 293. — Pp. 128−135.
  24. В., Tagliente M. A., Passaseo A. // J. Non-Cryst. Solids. 2006. -Vol. 352. — Pp. 2332−2334.
  25. X. Wang, T. Yang, G. Du et al. // J. Crystal Growth.- 2005, — Vol. 285.-Pp. 521−526.
  26. E. Chikoidze, Y. Dumont, F. Jomard et al. // Materials Research Bulletin. 2006. — Vol. 41. — Pp. 1038−1044.
  27. L., Hatanaka Y., Aoki T. // Appl. Surf. Science. — 2005.— Vol. 244.-Pp. 408−411.
  28. K. A. Abdullin, A. B. Aimagambetov, N. B. Beisenkhanov et al. // Materials Science and Engineering B. — 2004. — Vol. 109. — Pp. 241−244.
  29. S. Venkataraj, H. Kittur, R. Drese, M. Wuttig // Thin Solid Films.— 2006. Vol. 514. — Pp. 1−9.
  30. С. А. Кулинич, Т. Yamaki, H. Miyazoe и др. // Физика твердого тела. 2006. — Т. 48. — С. 658−665.
  31. Н., Kulinich S. A., Terashima К. // Thin Solid Films.— 2001.-Vol. 390.-Pp. 1−6.
  32. W. M. M. Kessels, I. J. Houston, K. Nadir, M. С. M. van de Sanden // J. Non-Cryst. Solids. 2006. — Vol. 325. — Pp. 915−918.
  33. S. Kulinich, J. Shibata, H. Yamamoto et al. // Appl. Surf. Sci. — 2001. — Vol. 182. Pp. 150−158.
  34. T. Majima, H. Yamamoto, S. Kulinich, K. Terashima //J. Cryst. Growth. 2000. — Vol. 220. — Pp. 336−340.
  35. J., Afonso C. N., Ballesteros J. M. // Appl. Surf. Science.— 1997. Vol. 109−110. — P. 473−477.
  36. J. A. Chaos, A. Perea, J. Gonzalo et al. // Appl. Surf Science. — 2000. — Vol. 154−155. Pp. 915−918.
  37. J. M., Afonso C. N., Perriere J. // Appl. Surf Science.— 1997. Vol. 109−110. — P. 322−326.
  38. R. del Coso, A. Perea, R. Serna et al. // Appl. Phys. A.— 1999. — Vol. 69. Pp. 553−556.
  39. A. Perea, J. Gonzalo, C. N. Afonso et al. // Appl. Surf. Science. — 1999. — Vol. 138−139. P. 533−537.
  40. X. Wang, Z. Ye, G. Wu et al. // Materials Letters. 2005. — Vol. 59. -Pp. 2994−2997.
  41. A. Heinrich, A. L. Horner, A. Wixforth, B. Stritzker // Thin Solid Films. 2006. — Vol. 510. — Pp. 77−81.
  42. T. J., Palmer S. B. // Physica D. 1994. — Vol. 27. — Pp. 15 811 594.
  43. Sun X. W., Kwok H. S. // J. Appl. Phys. 1999. — Vol. 86. — Pp. 408 411.
  44. B. Major, R. Ebner, P. Zieba, W. Wolczynski // Appl. Phys. A. 1999. -Vol. 69. — Pp. S921-S924.
  45. H. Kim, J. S. Horwitz, G. P. Kushto et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. -Vol. 79. — Pp. 284−286.
  46. Z. M. Ren, Y. F. Lu, H. Q. Ni et al. // J. Phys. Lett. 2000. — Vol. 88. -Pp. 7346−7350.
  47. R. D. Vispute, R. Enck, A. Patel et al. // Materials Science Forum. — 2000. Vol. 338. — Pp. 1503−1506.
  48. M. B. Guseva, V. G. Babaev, V. S. Guden et al. // Diamond and Related Materials. 2001. — Vol. 10. — Pp. 1385−1389.
  49. T. Szorenyi, F. Antoni, E. Fogarassy, I. Bertoti // Appl. Surf. Science. — 2000. Vol. 168. — Pp. 248−250.
  50. M. Yoshimoto, K. Yoshida, H. Maruta et al. // Nature. 1999.- Vol. 399. — Pp. 340−342.
  51. F. Kokai, K. Takahashi, M. Yudasaka, S. Ijima // J. of Phys. Chem. В.— 1999. Vol. 103. — Pp. 8686−8693.
  52. G., Adams P.M. Ц Appl Phys. A. 1999. — Vol. 69. -Pp. S33-S38.
  53. Z., Aschke L., Kunze H. J. // Appl. Surf. Science. — 2000. — Vol. 153. Pp. 235−239.
  54. Y. G. Mourzina, M. J. Schoning, J. Schubert et al. // Analytica Chimica Acta. 2001. — Vol. 433. — Pp. 103−110.
  55. M. Weinelt, S. Schwarz, H. Baier et al. // Phys. Rev. B. 2001. — Vol. 63, no. 20. — P. 5413.
  56. Rubahn H. G. in Laser Applications in Surface Science and Technology. — John Wiley and Sons, England, 1999.
  57. В. Ф., Яковленко С. И. // Квантовая Электроника.— 1997. Т. 24, № 12. — С. 1145−1153.
  58. Kik P. Energy transfer in erbium doped optical waveguides based on silicon. — Universiteit Utrecht, 2000. — Ph.D. thesis.
  59. Ю. С. // Петербургский журнал электроники. — 1993. № 6. — С. 66−72.
  60. К. // Физ. и Техн. Полупр. 1998. — Т. 32, № 8. — С. 964−969.
  61. Н., Тапака К., Isima S. // Sold State Commun. — 1977.— Vol. 23. Pp. 63−65.
  62. H., Тапака K. // Opt. Lett. 1995. — Vol. 20. — Pp. 958−960.
  63. M. Vlcek, C. Raptis, T. Wagner et al. // J. Non.-Cryst. Solids. 1995. -Vol. 192 & 193. — Pp. 669−673.
  64. K., Kolobov A., Elliott S. R. // Adv. Phys.- 1995.-Vol. 44. Pp. 475−588.
  65. Zallen R. The Physics of Amorphous Solids. — N.Y.: John Wiley&Sons, 1983.
  66. К. Shimakawa, N. Yoshido, A. Ganjoo et al. // Philos. Mag. Lett.— 1998. Vol. 77. — Pp. 153−158.
  67. P. Nemec, J. Jedelsky, M. Frumar, M. Munzar et al. //J. Non-Cryst. Solids. 2003. — Vol. 326 к 327. — Pp. 53−57.
  68. R., Vlcek M., Jain H. // J. Non-Cryst. Solids.- 2003, — Vol. 326 к 327. Pp. 220−225.
  69. I. Noiret, J. Lefebvre, J. Schamps et al. //J. Phys.: Condens. Matter.— 2000. Vol. 12. — P. 2305−2316.
  70. Ниобат лития / H. Сидоров, Т. Волк, Б. Маврин, В. Калинников.— Наука, 2003.
  71. Lee S., Feigelson R. // J. Cryst. Growth. 1998. — Vol. 186. — Pp. 594 606.
  72. Bornand V., Gautier В., Pa-pet P. // Mater. Chem. Phys.- 2004. — Vol. 86. Pp. 340−346.
  73. M. Ishihara, T. Nakamura, F. Kokai, Y. Koga // Diamond Relat. Mater. —2002,-Vol. 11.-Pp. 408−412.
  74. V., Papet P. // Mater. Chem. Phys.- 2005.- Vol. 92.-Pp. 424−430.
  75. Bornand V., Huet /., Papet P. // Mater. Chem. Phys.- 2002. — Vol. 77. Pp. 571−577.
  76. M. Ishihara, T. Nakamura, F. Kokai, Y. Koga // Diamond Relat. Mater. —2003.-Vol. 12.-Pp. 1809−1813.
  77. D. Lim, В. Jang, S. Moon et al. // Solid-State Electron.- 2001.— Vol. 45.-Pp. 1159−1163.
  78. X. Wen, X. Jiang, L. Han, Y. Tan // Vacuum.- 2004, — Vol. 75.-Pp. 99−104.
  79. D. Callejo, S. Manotas, M. Serrano et al. // J. Cryst. Growth. — 2001.— Vol. 226. Pp. 488−492.
  80. Kim R.-H., Park H.-H., G.-T. J. // Appl. Surf. Sci. 2001. — Vol. 169 170. — Pp. 564−569.
  81. M. Takahashi, K. Yamauchi, T. Yagi et al. // Thin Solid Films. 2004. -Vol. 458.-Pp. 108−113.
  82. R., Schneller Т., Waser R. // C. R. Chimie. 2004. — Vol. 7. -P. 433−461.
  83. V. Joshkin, K. Dovidenko, S. Oktyabrsky et al. // J. Cryst. Growth. — 2003. Vol. 259. — Pp. 273−278.
  84. V. Bouquet, E. Leite, E. Longo et al. // J. Eur. Ceram. Soc.— 2001. — Vol. 21.-Pp. 1521−1524.
  85. S. Hirano, T. Yogo, W. Sakamoto et al. Ц J. Eur. Ceram. Soc. — 2004. — Vol. 24. Pp. 435−440.
  86. A. Simoes, A. Gonzalez, A. Ries et al. // Mater. Charact.— 2003. — Vol. 50. Pp. 239−244.
  87. A. Simoes, M. Zaghete, B. Stojanovic et al. // Mater. Lett.— 2003.— Vol. 57. Pp. 2333−2339.
  88. S. Hirano, Y. Takeichi, W. Sakamoto, T. Yogo Ц J. Cryst. Growth.2002. Vol. 237−239. — Pp. 2091−2097.
  89. A. Simoes, M. Zaghete, B. Stojanovic et al. // J. Eur. Ceram. Soc. — 2004. Vol. 24. — Pp. 1607−1613.
  90. N. Vasconcelos, J. Vasconcelos, V. Bouquet et al. // Thin Solid Films.—2003. Vol. 436. — Pp. 213−219.
  91. Lam H., Dai J., Chan H. // J. Cryst. Growth.- 2004, — Vol. 268,-Pp. 144−148.
  92. Lee G., Aiyer H. // Solid State Commun. 2001. — Vol. 118. — Pp. 441 444.
  93. R. Tomov, T. Kabadjova, P. Atanasov et al. // Vacuum.— 2000.— Vol. 58. Pp. 396−403.
  94. A. Boulle, L. Canale, R. Guinebretiere et al. // Thin Solid Films.— 2003. Vol. 429. — Pp. 55−62.
  95. Z. Ye, J. He, L. Ye et al. // Mater. Lett. 2002. — Vol. 55. — Pp. 265−268.
  96. Lee G., Shin В., Min B. // Mater. Sci. Eng., В. 2002, — Vol. 95.-Pp. 137−140.
  97. J. Chaos, A. Perea, J. Gonzalo et al. // Appl. Surf. Sci 2000.- Vol. 154−155. — Pp. 473−477.
  98. M. Tagliente, L. De Caro, A. Sacchetti et al. // J. Cryst. Growth.— 2000. Vol. 216. — Pp. 335−342.
  99. H., Tanaka К., Isima S. // Solid State Commun. — 1977. — Vol. 23. Pp. 63−65.
  100. F. L., Leadbetter A. Y., Stringfellow M. W. // Phys. Rev. B. — 1983. Vol. 27. — Pp. 1052−1078.
  101. A. M. // J. Non-Cryst. Solids. 1999. — Vol. 253. — Pp. 95−118.
  102. R., Gammon R. W. // Phys. Rev. Lett.- 1970, — Vol. 25.-Pp. 222−225.
  103. Kharlamov A. A., Almeida R. M., Heo J. // J. Non-Cryst. Solids.— 1996. Vol. 202. — Pp. 223−240.
  104. M. Kruger, M. Soltwisch, I. Petscherizin, D. Quitmann // J. Chem. Phys. 1992. — Vol. 96. — Pp. 7352−7363.
  105. R., Iliev Т., Petkov K. // J. Non-Cryst. Solids.- 2003.- Vol. 326 & 327. Pp. 263−267.
  106. J. J. Ruiz-Perez, J. M. Gonzalez-Leal, D. A. Minkov, E. Marquez // J. Phys. D: Appl. Phys. 2001. — Vol. 34. — Pp. 2489−2496.
  107. T. Wagner, J. Gutwifth, M. Krbal et al. // J. Non-Cryst. Solids. 2003. -Vol. 326 к 327. — Pp. 238−242.
  108. Введение в интегральную оптику / Под ред. М. Барноски. — М.: Мир, 1977.
  109. Heo J., Yoon J. М., Ryou S.-Y. // J. Non-Cryst. Solids.- 1998.- Vol. 238.-Pp. 115−123.
  110. S. Amoruso, M. Armenante, R. Bruzzese et al. // Appl. Surf. Science.— 2003. Vol. 208−209. — Pp. 39−44.
  111. I., Milosevic S. // Chem. Phys. Lett.- 2002, — Vol. 352.~ Pp. 226−233.
  112. E., Malfreyt P. // Polymer. 2004. — Vol. 45. — Pp. 4565−4575.
  113. С. И. Лукъянчук Б. С. // Успехи физических наук.— 2002. Т. 172, № 3. — С. 301−333.
  114. Волоконно оптические линии связи / Под ред. С. В. Свечникова, JI. М. Андрушко. — Киев: Техника, 1988.
  115. R. D., Elliott S. R. // Phys. Rev. B. 1998. — Vol. 58, no. 22. -P. 14 791−14 803.
  116. Mernagh T. P., Liu L. g. // Phys. Chem. Minerals.- 1997.-Vol. 24.-Pp. 7−16.
  117. Kim Y., Saienga J., Martin S. // J. Non-Cryst. Solids. 2005, — Vol. 351.-Pp. 1973−1979.
  118. B. Mihailova, I. Savatinova, I. Savova, L. Konstantinov // Solid State Comm. 2000. — Vol. 116. — Pp. 11−15.
  119. V., Gautier В., Papet P. // Mat. Chem. Phys.- 2004,-Vol. 86. Pp. 340−346.
  120. V., Huet I., Papet P. // Mat. Chem. Phys. 2002. — Vol. 77. -Pp. 571−577.
  121. Natl. Bur. Stand. 1968. — Vol. 6, no. 25. — P. 22.
  122. H., Gruehn R. // Z. Naturforsch., B: Anorg. Chem., Org. Chem. 1982. — Vol. 37. — Pp. 1361−1368.
  123. West A. ICDD Grant in Aid. Old Aberdeen, Scotland: University of Aberdeen, 1985.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?