Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Формирование террасированных поверхностей арсенида галлия в равновесных условиях

Диссертация: Формирование террасированных поверхностей арсенида галлия в равновесных условиях
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Ширина террас на такой поверхности определяется углом отклонения от сингулярной грани. Поверхности кремния с близкой к идеальной «террасированной» морфологией могут быть получены отжигом в вакууме. Применение этого метода к полупроводниковым соединениям АШВУ затруднено, поскольку, из-за высокой и различной летучести элементов III и V групп, для выглаживания в вакууме трудно подобрать диапазон… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
    • 1. 1. описание рельефа поверхности
    • 1. 2. Термодинамические и кинетические факторы, определяющие морфологию поверхности
    • 1. 3. Кинетика формирования террасированной поверхности
    • 1. 4. Экспериментальные методы создания атомно-гладких поверхностей полупроводников
    • 1. 5. Влияние сурфактантов на морфологию поверхности полупроводников
    • 1. 6. разупорядочение поверхности при высоких температурах
    • 1. 7. Влияние релаксации механических напряжений на морфологию поверхности
    • 1. 8. Постановка задачи
  • ГЛАВА II. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Образцы
    • 2. 2. Отжиг ОаАб в равновесных условиях
    • 2. 3. Измерение рельефа поверхности и обработка данных
    • 2. 4. Влияние окисления и химического удаления оксида на рельеф поверхности
    • 2. 5. Определение близости условий выглаживания к равновесию

Формирование террасированных поверхностей арсенида галлия в равновесных условиях (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Атомно-гладкие поверхности полупроводников АШВУ необходимы как для научных исследований в области физики поверхности, так и для практических применений. Только на атомно-гладкой поверхности можно воспроизводимо создавать наноразмерные структуры благодаря явлениям самоорганизации при росте кристаллов или с помощью современных атомных зондовых методов. Такие наноструктуры в настоящее время являются объектом интенсивных научных исследований, а в будущем могут стать основой приборов наноэлектроники и нанофотоники. Прикладное значение атомно-гладких поверхностей полупроводников АШВУ обусловлено также возможностью их использования для совершенствования оптоэлектронных приборов. Атомно-гладкие поверхности применяются в качестве подложек для выращивания эпитаксиальных структур, используемых в дальнейшем для создания различных приборов оптоэлектроники, в том числе полупроводниковых фотокатодов с эффективным отрицательным сродством.

Стандартным методом получения гладких поверхностей является метод химико-механического полирования (ХМП). Методом ХМП можно получить поверхности с очень малой величиной среднеквадратичной шероховатости Яд, сравнимой с межатомным расстоянием. Однако механическое воздействие при полировании приводит к формированию разупорядоченного поверхностного слоя с нарушенной координацией поверхностных атомов и, как следствие, с большой концентрацией структурных дефектов и оборванных связей. Таким образом, несмотря на малую величину Яд, поверхность, приготовленная методом ХМП, является разупорядоченной на атомном уровне. Диффузия атомов при повышенных температурах позволяет «залечить» дефекты нарушенного поверхностного слоя и получить поверхности, состоящие из регулярных атомно-гладких террас, разделённых прямолинейными ступенями моноатомной высоты.

Ширина террас на такой поверхности определяется углом отклонения от сингулярной грани. Поверхности кремния с близкой к идеальной «террасированной» морфологией могут быть получены отжигом в вакууме [1,2]. Применение этого метода к полупроводниковым соединениям АШВУ затруднено [3], поскольку, из-за высокой и различной летучести элементов III и V групп, для выглаживания в вакууме трудно подобрать диапазон температур, в котором поверхностная диффузия уже достаточно эффективна, а сублимация всё ещё мала. Считается, что получить атомно-гладкие поверхности полупроводников можно с помощью эпитаксиальных методов. Однако эпитаксиальный рост проводится, как правило, в неравновесных условиях, поэтому поверхности эпитаксиальных слоёв далеко не всегда оказываются атомно-гладкими вследствие кинетических нестабильностей.

Для того чтобы избежать ухудшения рельефа вследствие кинетических нестабильностей, термическое «выглаживание» поверхности кристаллов следует проводить в условиях, близких к термодинамически равновесным, когда нет ни роста, ни сублимации [4]. В работе [5] показано, что отжиг эпитаксиальных пленок GaAs (OOl) in situ, в установке молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) в условиях достаточно больших давлений паров AS4 и относительно низких температур приводит к формированию атомно-гладких террас, разделённых моноатомными ступенями, в то время как уменьшение давления As4 и повышение температуры ведёт к огрублению рельефа поверхности. Отжиг в ростовых камерах установок эпитаксии из металлорганических соединений может также приводить к формированию упорядоченной террасированной поверхности GaAs [6].

Существенным недостатком методов выглаживания в ростовых камерах сверхвысоковакуумных установок является их трудоёмкость и дороговизна. В работе [7] был предложен более эффективный и экономичный метод термического выглаживания поверхности GaAs в условиях, близких к равновесным, с помощью отжигов в кварцевом реакторе установки жидкофазной эпитаксии в потоке молекулярного водорода.

Равновесие поверхности с парами галлия и мышьяка достигалось в узком зазоре («капилляре») между двумя подложками GaAs. Хотя возможность получения террасированной поверхности GaAs (OOl) этим методом была показана экспериментально [7], многие вопросы, касающиеся термического выглаживания GaAs, оставались открытыми. Не был выяснен вопрос о степени близости условий выглаживания к равновесным. Отклонение условий от равновесных в сторону роста или сублимации может привести к кинетическим нестабильностям, которые затрудняют получение упорядоченной террасированной поверхности. Недостаточно развиты адекватные методы описания эволюции рельефа в процессе формирования террасированной поверхности. Развитие таких методов откроет возможности для сопоставления результатов с теорией, установления микроскопических механизмов выглаживания и определения соответствующих параметров. Для приборных применений актуальна задача поиска сурфактантов, которые позволили бы снизить температуру выглаживания за счёт увеличения эффективности поверхностной диффузии компонент полупроводника. Представляет интерес вопрос о влиянии стехиометрии и кристаллографической ориентации поверхности GaAs на процесс выглаживания. Известно, что при высоких температурах выглаживание поверхности сменяется её разупорядочением, то есть разрушением системы упорядоченных, регулярных террас и увеличением среднеквадратичной шероховатости (этот процесс называют также «огрублением» рельефа поверхности). Вопросы об условиях и механизмах высокотемпературного «огрубляющего перехода» («roughening transition») на поверхности кристаллов изучены недостаточно. Помимо научного интереса, эти вопросы имеют важное практическое значения для оптимизации методов термического выглаживания, поскольку для ускорения поверхностной диффузии и, следовательно, повышения эффективности выглаживания температура отжига должна быть по возможности высокой, однако заведомо ниже температуры огрубляющего перехода. Наконец, ранее не был выяснен вопрос о возможности термического выглаживания поверхности «полупрозрачных» ОаАэ/АЮаАз фотокатодных структур, приваренных на стеклянные подложки и о возможном влиянии дислокаций, возникающих при релаксации термомеханических напряжений в таких структурах, на морфологию поверхности ОаАБ.

Цель данной работы заключалась в развитии метода получения атомно-гладких поверхностей арсенида галлия путём отжига в равновесных условиях и выяснении механизмов выглаживания и разупорядочения поверхности.

Для достижения этой цели, в данной работе решались следующие конкретные задачи:

1. Экспериментально определить степень близости условий выглаживания поверхности ОаАэ к равновесным;

2. Разработать методы описания формирования террасированной поверхности кристалла при термическом выглаживании;

3. Изучить влияние потенциального сурфактанта — сурьмы, на выглаживание поверхности ваАэ;

4. Выяснить особенности выглаживания ОаАв подложек с различными кристаллографическими ориентациями, в частности, (111)А и (111)В;

5. Изучить роль термодинамических и кинетических факторов в разупорядочении поверхности ОаАз (001) при высоких температурах и определить механизмы разупорядочения;

6. Выяснить влияние дислокаций, возникающих при релаксации термомеханических напряжений в АЮаАз/СаАз фотокатодных структурах, приваренных на стекло, на морфологию поверхности ваАз.

Объём и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы. Диссертация содержит 122 страницы и включает 40 рисунков и список литературы из 93 наименований. Во введении обосновывается актуальность темы, сформулированы цель,.

Основные результаты и выводы работы состоят в следующем:

1. Экспериментально показано, что условия получения атомно-гладких поверхностей СаАБ (001) с помощью отжигов в присутствии раствора-расплава ва-АБ близки к равновесным. При температурах Т<650 °С скорость роста (или сублимации) не превышает 3 * 10″ 5 монослоя в секунду.

2. Установлено, что при отжигах в равновесных условиях формирование поверхностей ОаАБ (001) с атомно-гладкими террасами, разделёнными моноатомными ступенями, происходит в диапазонах температур 520−650 °С и времен отжига от 10 минут до 10 часов.

3. С использованием избыточной длины моноатомных ступеней, а также Фурье и автокорреляционного анализа, описана кинетика формирования ступенчато-террасированной поверхности при термическом выглаживании ер1-геас!у подложек СаАз (001).

4. Установлено, что добавление сурьмы в раствор-расплав Оа-Аэ не способствует, а препятствует получению атомно-гладкой поверхности ОаАБ (001). Возможной причиной является формирование устойчивой БЬ-стабилизированной поверхностной реконструкции 8Ь/ОаАз (001)-(2×4).

5. Показано, что на Оа-терминированной поверхности ОаА8(111)А формирование системы террас, разделённых атомными ступенями, происходит при температуре на ~100 °С ниже, чем на As-терминированной поверхности GaAs (l 11) В.

6. Установлено, что разупорядочение (огрубление) рельефа поверхности GaAs (OOl) при высоких температурах обусловлено кинетической нестабильностью при отклонении условий отжига от равновесных. Предложен механизм разупорядочения, основанный на ступенчато-слоевой сублимации (росте) и образовании устойчивых островков (озёр) многоатомной высоты (глубины).

7. Установлено, что в результате отжига в равновесных условиях на поверхности гетероструктур GaAs/AlGaAs, приваренных на стекло, формируется ортогональная сетка прямолинейных моноатомных ступеней, обусловленных образованием дислокаций при релаксации термомеханических напряжений.

Диссертационная работа была выполнена в лаборатории неравновесных явлений в полупроводниках ИФП СО РАН (зав. лаб., д.ф.-м.н. A.C. Терехов) при обучении на кафедре физики полупроводников физического факультета Новосибирского государственного университета и в аспирантуре ИФП СО РАН. Развитие методики выглаживания поверхности GaAs в равновесии с парами галлия и мышьяка, большая часть экспериментов по выглаживанию, обработка экспериментальных данных выполнялись автором лично. Интерпретация полученных результатов, подготовка докладов и написание статей проводились совместно с соавторами опубликованных работ. Результаты работы [9] вошли в диссертацию в части разработки метода приготовления атомно-гладких поверхностей GaAs в равновесных условиях. Измерение морфологии поверхности методом атомно-силовой микроскопии проводилось в Центре коллективного пользования «Наноструктуры» (директор ЦКП член-корр. РАН A.B. Латышев).

Автор считает своим приятным долгом выразить благодарность заведующему лабораторией Александру Сергеевичу Терехову, который предложил методы атомного выглаживания поверхности ваАэ в равновесных условиях, за внимание и поддержку данной работы. Я благодарен Виталию Львовичу Альперовичу за научное руководство, а также всем сотрудникам лаборатории за постоянную помощь и поддержку при выполнении работы, и в особенности Нине Сергеевне Рудой, которая помогла мне освоить методику выглаживания. Выражаю благодарность директору ЦКП «Наноструктуры» Александру Васильевичу Латышеву, а также сотрудникам центра Дмитрию Владимировичу Щеглову, Екатерине Евгеньевне Родякиной и Антону Сергеевичу Кожухову, которые выполняли измерения рельефа поверхностей методом атомно-силовой микроскопии, изготовили структурированную подложку, использовавшуюся в экспериментах по определению степени близости условий выглаживания к равновесным, помогали мне советами и ценными замечаниями при выполнении работы и написании диссертации. Я благодарен Александру Ивановичу Торопову, Людмиле Ивановне Фединой, Юрию Борисовичу Болховитянову, Леониду Валентиновичу Соколову, Сергею Александровичу Тийсу, Андрею Васильевичу Васеву и Валерию Владимировичу Преображенскому за полезные обсуждения результатов работы и ценные замечания.

Заключение

.

В данной диссертационной работе развит метод термического выглаживания поверхности ваАэ в условиях, близких к равновеснымэкспериментально изучена кинетика формирования поверхностей СаАз (001) с атомно-гладкими террасами, разделёнными моноатомными ступенямивыяснены особенности разупорядочения поверхностей ОаАз (001) при высоких температурахизучена эволюция морфологии поверхности фотокатодных ОаАз/АЮаАэ структур, приваренных на стеклянные подложки, при отжигах в равновесных условиях.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Latyshev A.V. Transformations on clean Si (lll) stepped surface during sublimation / A.V. Latyshev, A.L. Aseev, A.B. Krasilnikov, S.I. Stenin // Surf. Sei. 1989. Vol. 213. P. 157−169.
  2. Jeong H.-C. Steps on surfaces: Experiment and theory / H.-C. Jeong and E. D. Williams // Surface Sei. Reports. 1999. Vol. 34. P. 171−294.
  3. Fan Y. Atomic scale roughness of GaAs (100)2*4 surfaces / Fan Y., Karpov I., Bratina G., SorbaL., Gladfelter W., Franciosi A. // J. Vac. Sei. Tecnol. B. 1996. Vol. 14. P. 623−631.
  4. Pimpinelli A., Villain J. Physics of crystal growth // Cambridge university press. 1998. P. 373.
  5. Ding Z. Atomic-scale observation of temperature and pressure driven preroughening and roughening / Z. Ding, D.W. Bullock, P.M. Thibado, V.P. LaBella, K. Mullen // Phys. Rev. Lett. 2003. Vol. 90. P. 21 6109(4).
  6. Epler. J.E., Jung T.A., Schweizer H.P. Evolution of monolayer terrace topography on (100) GaAs annealed under an arsine/Hydrogen ambient / Appl. Phys. Lett. 1993. Vol. 62. P. 143−145.
  7. Bakin V.V. Semiconductor surfaces with negative electron affinity / V.V. Bakin, A.A. Pakhnevich, A.G. Zhuravlev, A.N. Shornikov,
  8. Akhundov, O.E. Tereshechenko, V.L. Alperovich, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov // e-J. Surf. Sei. Nanotech. 2007. Vol. 5. P. 80−88.
  9. B.JI. Атомное выглаживание поверхностей GaAs в равновесных условиях / B.JI. Альперович, И. О. Ахундов, Н. С. Рудая,
  10. A.C. Кожухов, Д. В. Щеглов, A.B. Латышев, A.C. Терехов // Тезисы докладов XV международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород. 2011. С. 190−191.
  11. И.О. Формирование упорядоченных террасированных поверхностей арсенида галлия в равновесных условиях / И. О. Ахундов,
  12. B.Л. Альперович, A.C. Кожухов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев,
  13. A. С. Терехов // Тезисы докладов X российской конференции по физике полупроводников. Нижний Новгород. 2011. С. 17.
  14. И.О. Формирование сетки дислокаций в напряженных фотокатодных GaAs/AlGaAs гетероструктурах на стеклянных подложках / И. О. Ахундов, С. Н. Косолобов, Н. С. Рудая, Д. В. Щеглов,
  15. B. Л. Альперович, А. В. Латышев, А. С. Терехов // Тезисы докладов российской конференции «Фотоника-2011». Новосибирск. 2011. С. 96.
  16. Akhundov I.O., Kozhukhov A.S., Alperovich V.L. Characterization ofth
  17. GaAs (OOl) step-terraced morphology formation // Proceedings 13 Int. Conf. and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. EDM. Erlagol-Altai. P. 9−12.
  18. Akhundov I.O. Kinetics of atomic smoothing GaAs (OOl) surface in equilibrium conditions / I.O. Akhundov, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, and A.S. Terekhov// Appl. Surf. Sci. 2013. Vol. 269. P. 2−6.
  19. П.А., Толстнхина A.JI. Феноменологическое описание характеристик поверхности, измеряемых методом атомно-силовой спектроскопии //Кристаллография. 1998. Т. 43. С. 524−534.
  20. Zhao Y., Wang G.-C., Lu T.-M. Characterization of amorphous and crystalline rough surface: principles and applications. Academic Press, 2001, p. 13.
  21. Kruithof G.H., Klapwijk T.M., Bakker S. Temperature and interface-roughness dependence of the electron mobility in high-mobility Si (100) inversion layers below 4.2 К // Phys. Rev. B. Vol. 43. 1991. P. 6642−6649.
  22. Дж.В. Термодинамические работы // Перевод под редакцией Семенченко В. К. M.-JL: Гостехиздат. 1950. С. 492.
  23. Э. Физика поверхности // Перевод под редакцией Киселева В.Ф.1. М.: Мир. 1990. 536 с.
  24. Burton W.K., Cabrera N., Frank Р.С. The growth of crystals and the equilibrium structure of their surfaces / Phil. Trans. Roy. Soc. London. Ser. A. 1951. Vol. 243. P. 299−358.
  25. Zandvliet H.J.W., ElswijkH.B. Morphology of monatomic step edges on vicinal Si (001) // Phys. Rev. B. 1993. Vol. 48. P. 14 269 14 275.
  26. Suris R.A., Korsakov V. B / Second nearest neighbors interaction andequilibrium shape of steps on kossel crystal vicinal surface // International Journal of Nanoscience. 2004. Vol 3. P. 29−37.
  27. Mullins W.W. Theory of thermal grooving // J. Appl. Phys. 1957. Vol. 28. P. 333 339.
  28. Huo S., Schwarzacher W. Anomalous scaling of the surface width during Cu electrodeposition // Phys. Rev. Lett. 2001. Vol. 86, P. 256 259.
  29. Gheorghiu S., Pfeifer P. Nonstandard roughness of terraced surfaces // Phys. Rev. Lett. 2000. Vol. 85. P. 3894 3897.
  30. A.B., Асеев А. Л. Моноатомные ступени на поверхности кремния // Успехи физ. наук. 1998. Т. 168. № 10. С. 1117 1127.
  31. Tmar М. Critical Analysis and Optimisation of the Thermodynamic Properties and Phase Diagrams in the III-V Compounds: The In-P and Ga-P Systems / M. Tmar, C. Gabriel, C. Chatillon, J. Ansara // J. Cryst. Growth. 1984. Vol. 68. P. 557−580.
  32. Chatillon С. Re-assessment of the thermodynamic properties and phase diagram of the Ga-As and In-As systems / C. Chatillon, I. Ansara, A. Watson,
  33. B.B. Argent // Calphad.1990.Vol. 14. P.203 214.
  34. C., Chatain D. / Congruent vaporization of GaAs(s) and stability of Ga (l) droplets at the GaAs (s) surface // J. Cryst. Growth. 1995. Vol. 151. P. 91 101.
  35. B.M., Долгинов Л. М., Третьяков Д. Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Советское радио. 1975.1. C. 328.
  36. Л., Плог К. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. // Перевод под редакцией Алферова Ж. И., Шмарцева Ю. В. М.: Мир. 1989. С. 582.
  37. Arthur J.B. Vapor pressures and phase equilibria in the GaAs-As system. // J. Phys. Chem. Solids. 1967. Vol. 28. P. 2257 2267.
  38. Ю.П. Давление паров мышьяка над растворами GaAs в Ga при 700−1000° С / Ю. П. Хухрянский, В. П. Кондауров, Е. П. Николаева, В. И. Пентелеев, М. И. Щевелев // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1974. Т. 10. № 10. С. 1877 1878.
  39. Y.P. / Y.P. Khukhryanskii, V.P. Kondaurov, F.P. Nikolaeva, V.I. Pantelev // Rus. J. Phys. Chem. 1974. Vol. 48. P. 909.
  40. Vasev A.V. Ellipsometric detection of GaAs (OOl) surface hydrogenation in H2 atmosphere // Surf. Sci. 2008. Vol. 602. P. 1933 1937.
  41. Li L. Gallium arsenide and indium arsenide surfaces produced by metalorganic vapor-phase epitaxy / L. Li, B.-K. Han, D. Law, M. Begarney, R.F. Hicks // J. Cryst. Growth. 1998. Vol. 195. P. 28 33.
  42. Bray A.J. Theory of Phase Ordering Kinetics // Adv. Phys. 1994. Vol. 43. P. 357−459.
  43. Lifshitz I.M., Slyozov V.V. The kinetics of precipitation from supersaturated solid solutions // J. Phys. Chem. Solids. 1961. Vol. 19. P. 35 50.
  44. C. Wagner. Theorie der Alterung von Niederschlagen durch Umlosen // Z. Elektrochem. 1961. Vol. 65. P. 581−591.
  45. Bartelt N.C. Brownian motion of steps on Si (lll) / N.C. Bartelt, J.L. Goldberg, T.L. Einstein, E. D. Williams, J.C. Heyraud, J.J. Metois // Phys. Rev. B. 1993.Vol. 48. P. 15 453 15 456.
  46. Khare S.V., Einstein T.L. Brownian motion and shape fluctuations of single-layer adatom and vacancy clusters on surfaces: Theory and simulations // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 54. P. 11752(10).
  47. A.M., Сурис P.A. Роль одномерной диффузии в модели роста поверхности кристалла Косселя // ФТТ. 2006. Т. 40. № 3. С. 372 379.
  48. Allwood D.A. Monitoring epi-ready semiconductor wafers / D.A. Allwood, S. Cox, N.J. Mason, R. Young, P. J Walker // Thin Solid Films. 2002. Vol. 412. P. 76−83.
  49. Sadowska D. Optimisation of the epi-ready semi-insulating GaAs wafer preparation procedure / D. Sadowska, A. Gladki, K. Mazur, E. Talik // Vacuum. 2003. Vol. 72. P. 217−223.
  50. Snyder C.W. Surface transformations on annealed GaAs (OOl) / C. W Snyder, J. Sudijono, C.-H. Lam, M.D. Johnson, B.G. Orr // Phys. Rev. B. 1994. Vol. 50. P. 18 194- 18 199.
  51. Weishart Н. Monomolecular steps of ultra-low density on (100) growth faces of liquid phase epitaxial GaAs / H. Weishart, E. Bauser, M. Konuma, H.-J. Queisser // J. Cryst. Growth. 1994. Vol. 137. P. 335−346.
  52. Alperovich V.L. Surface passivation and morphology of GaAs (100) treated in HCl-isopropanol solution / V.L. Alperovich, O.E. Tereshchenko, N.S. Rudaya, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, A.S. Terekhov // Appl. Surf. Sci. 2004. Vol. 235. P. 249 259.
  53. Nishida Т., Kobayashi N. Formation of a lOO-pm-wide step free GaAs (l 11) B surface obtained by finite area metalorganic vapor phase epitaxy. // Jpn. J. Appl. Phys. 1998. Vol. 37. P. L13-L14.
  54. OhkuriK. Multiatomic step formation on GaAs (OOl) vicinal surfaces during thermal treatment / K. Ohkuri, J. Ishizaki, S. Нага, T. Fukui // J. Cryst. Growth. 1996. Vol. 160. P. 235 -240.
  55. Okada Y., Harris J.S. Basic analysis of atomic-scale growth mechanisms for molecular beam epitaxy of GaAs using atomic hydrogen as a surfactant // J. Vac. Sci. Technol. B. 1996. Vol. 14, P. 1725 1728.
  56. Nannarone S., Pedio M. Hydrogen chemisorption on III-V semiconductor surfaces // Surf. Sci. Reports. 2003. Vol. 51. P. 1 149.
  57. Morishita. Y. Effect of hydrogen on the surface-diffusion length of Ga adatoms during molecular-beam epitaxy / Y. Morishita, Y. Nomura, S. Goto, Y. Katayama // Appl. Phys. Lett. 1995. Vol. 67. P. 2500 -2 502.
  58. Copel M. Influence of surfactants in Ge and Si epitaxy on Si (001) / M. Copel, M.C. Reuter, M. Horn von Hoegen, R.M. Tromp // Phys. Rev. B. 1990. Vol. 42. P. 11 682- 11 689.
  59. LeGoues F.K., Copel M., Tromp R.M. Microstructure and strain relief of Ge films grown layer by layer on Si (001) // Phys. Rev. B. 1990. Vol. 42. P. 11 690 -11 700.
  60. Cheah W.K. Co-doping carbon tetrabromide (CBr4) and antimony (Sb) on GaAs (OOl) in solid source molecular beam epitaxy / W.K. Cheah, W.J. Fan, S.F. Yoon, R. Liu, A.T.S. Wee //J. Cryst. Growth. 2004. Vol. 267. P. 364−371.
  61. Zinck J.J. Desorption behavior of antimony multilayer passivation on GaAs (001) / J.J. Zinck, E.J. Tarsa, B. Brar, J.S. Speck // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 82. P. 6067 6072.
  62. MaedaF, Watanabe Y, OshimaM. Sb-induced surface reconstruction on GaAs (OOl)//Phys. Rev. B. 1994. Vol. 48. P. 14 733 14 736.
  63. Kosterlitz J.M., Thouless D.J. Ordering, metastability and phase transitions in two-dimensional systems // J. Phys. C: Solid State Phys. 1973. Vol. 6. P. 1181 -1203.
  64. Chui S.T., Weeks J.D. Phase transition in the two-dimensional Coulomb gas, and the interfacial roughening transition // Phys. Rev. B. 1976. Vol. 14. P. 4978 4982.
  65. J. Lapujoulade. The roughening of metal surfaces // Surf. Sci. Reports. 1994. Vol. 20. P. 195 249.
  66. DenNijsM., RommelseK. Preroughening transitions in crystal surfaces and valence-bond phases in quantum spin chains // Phys. Rev. B. 1989. Vol. 40. P. 4709 4734.
  67. Bartelt N.C. Step capillary waves in equilibrium island shapes on Si (001)/ N.C. Bartelt, R.M. Tromp, E. D. Williams // Phys. Rev. Lett. 1994.Vol. 73. P. 1656- 1659.
  68. Andrews A.M. Development of cross-hatch morphology during growth of lattice mismatched layers / A.M. Andrews, A.E. Romanov, J.S. Speck, M. Bobeth, W. Pompe // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 77. P. 3740 3742.
  69. Lutz M.A. Influence of misfit dislocations on the surface morphology of Sii-xGex films / M.A. Lutz, R.M. Feenstra, F.K. LeGoues, P.M. Mooney, J.O. Chu // Appl. Phys. Lett. 1995. Vol. 66. P. 724 726.
  70. Kvam E.P., Maher D.M., Humpreys C.J. Variation of dislocation morphology with strain in GexSii-x epilayers on (100)Si // J. Mater. Res. 1990. Vol. 5. P. 1900- 1907.
  71. Gosling T.J. Mechanism for the formation of 90° dislocations in high-mismatch (100) semiconductor strained-layer systems // J. Appl. Phys. 1993. Vol. 74. P. 5415 5420.
  72. Ю.Б., Пчеляков О. П., Чикичев С. И. Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур // Успехи физ. наук. Т. 171, № 7. С. 589 715.
  73. Matthews J.W., Blakeslee A.E. Defects in epitaxial multilayers: I. Misfit dislocations // J. Cryst. Growth. 1974. Vol. 27. P. 118 125.
  74. Hirth J.P., Lothe J. Theory of Dislocations // Edited by Wiley J. New York. 1982. P. 435.
  75. D.A.Orlov, C. Krantz, A. Wolf, A.S.Jaroshevich, S.N.Kosolobov, H.E.Scheibler, A.S. Terekhov. Long term operation of high quantum efficiency GaAs (Cs, 0) photocathodes using multiple recleaning by atomic hydrogen. J.Appl.Phys. 2009, v.106, p.5 4907(7).
  76. .Ф. Введение в физическую химию и кристаллофизику полупроводников / М.: Высшая школа. 1968. С. 488.
  77. В.В., Москвин П. П., Сорокин B.C. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твёрдых растворов // М.: Металлургия. 1991. С. 175.
  78. Nasimov D.A. AFM and STM studies of quenched Si (lll) surface / D.A. Nasimov, D.V. Sheglov, E.E. Rodyakina, S.S. Kosolobov, L.I. Fedina, S.A. Teys, and A.V. Latyshev // Phys. Low-Dim. Struct. 2003. Vol. 3−4. P. 157 164.
  79. Sheglov D.V. Peculiarities of nanooxidation on flat surface / D.V. Sheglov, A.V. Prozorov, D.A. Nasimov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev // Phys. Low-Dim. Struct. 2002. Vol. 5−6. P. 239−246.
  80. Sheglov D. Application of Atomic Force Microscopy in Epitaxial Nanotechnology / D. Sheglov, S. Kosolobov, E. Rodyakina, A. Latyshev // Microscopy and Analysis. 2005. Vol. 19. No. 5. P. 9−11.
  81. Yang Y.N. Effects of annealing on the surface morphology of decapped GaAs (OOl) / Y.N. Yang, Y.S. Luo, J.H. Weaver, L.T. Florez, C.J. Palmstram // Appl. Phys. Lett. 1992. Vol. 61. P. 1930 1932.
  82. Bell G.R., Jones T.S., Joyce B.A. Direct observation of anisotropic step activity on GaAs (OOl) // Surf. Sci. 1999. Vol. 429. P L492 L496.
  83. Charles M., Hartmann J.M. Modification of the surface morphology of silicon (111) with growth temperature // Surf. Sei. 2013. Vol. 608. P. 199−203.
  84. Zinke-Allmang M., Feldman L.C., van Saarloos W. Experimental Study of Self-Similarity in the Coalescence Growth Regime // Phys. Rev. Lett. 1992. Vol. 68. P. 2358−2361.
  85. Lowes T.D., Zinke-Allmang M. Microscopic study of cluster formation in the Ga on GaAs (OOl) system // J. Appl. Phys. 1993. Vol. 73. P. 4937 4941.
  86. Tersoff J., JessonD.E., Tang W.X. Running Droplets of Gallium from Evaporation of Gallium Arsenide // Science. 2009. Vol. 324. P. 236 238.
  87. Д. Введение в дислокации // Под редакцией Быкова В. Н. М.: Атомиздат. 1968. С. 280.
  88. Speck J.S. Scaling laws for the reduction of threading dislocation densities in homogeneous buffer layers / J.S. Speck, M.A. Brewer, G. Beltz, A.E. Romanov, W. Pompe//J. Appl. Phys. 1996. Vol. 80. P. 3808−3816.
  89. L.B. Freund. A criterion for arrest of a threading dislocation in a strained epitaxial layer due to an interface misfit dislocation in its path // J. Appl. Phys. 1990. Vol. 68. P. 2073- 2080.
  90. Chang K.H., Bhattacharya P.K., Gibala R. Characteristics of dislocations at strained heteroepitaxial InGaAs/GaAs interfaces // J. Appl. Phys. 1989. Vol. 66. P. 2993- 2998.
  91. Samavedam S.B., Fitzgerald E.A. Novel dislocation structure and surface morphology effects in relaxed Ge/Si-Ge (graded)/Si structures // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 81. P. 3108−3116.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?