Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Электризация неорганических диэлектриков при импульсном электронном облучении

Диссертация: Электризация неорганических диэлектриков при импульсном электронном облучении
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Проведено экспериментальное исследование электризации большой группы различных по структуре и свойствам диэлектриков: ЩГК, плавленого и кристаллического кварца, ПММА в процессе облучения мощным импульсным электронным пучком при различных условиях. В образце 2п8е установлена пространственная структура электрического поля. Впервые показано, что специфической особенностью заряжения диэлектриков ИЭП… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Применение сильноточного электронного ускорителя ГИН-400 для исследования электризации твердых тел
    • 1. 1. Ускоряющее напряжение и ток диода ускорителя ГИН
    • 1. 2. Энергетический спектр пучка электронов
    • 1. 3. Пространственное распределение термализованных электронов пучка в веществе
    • 1. 4. Пространственное распределение поглощенной энергии пучка в веществе
  • Глава 2. Генерация, рекомбинация и захват неравновесных носителей заряда в ионных кристаллах
    • 2. 1. Материалы исследования
      • 2. 1. 1. Энергетические зоны щелочно-галоидных кристаллов
    • 2. 2. Энергетический спектр вторичных электронов
    • 2. 3. Средняя энергия создания электронно-дырочной пары
    • 2. 4. Термализация вторичных электронов
    • 2. 5. Относительный выход свободных носителей заряда в ионных кристаллах
    • 2. 6. Радиационно-индуцированная проводимость диэлектриков
    • 2. 7. Методика измерения РИП при рентгено- и фотовозбуждении
    • 2. 8. Рекомбинация носителей заряда
    • 2. 9. Температурная зависимость концентрации носителей заряда в ЩГК при возбуждении импульсным рентгеновским излучением
    • 2. 10. Время жизни носителей заряда в ЩГК при рентгено- и фотовозбуждении
    • 2. 11. Центры захвата носителей заряда в ионных соединениях
      • 2. 11. 1. Механизм нелинейности ВАХ в сильном электрическом поле
      • 2. 11. 2. Кинетика радиационно-индуцированной проводимости кристаллов Csl в сильных электрических полях при возбуждении импульсным рентгеновским излучением
      • 2. 11. 3. Мелкие центры захвата электронов в ЩГК

Электризация неорганических диэлектриков при импульсном электронном облучении (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность исследований. Явление электризации диэлектриков под действием ионизирующего излучения занимает важное место в радиационной физике твердого тела, обусловленное необходимостью разработки высокоэффективных электретов, нашедших широкое применение в различных областях техники и технологии. Установлено, что объемный заряд в ионных кристаллах влияет на каталитические и абсорбционные свойства веществ [1, 2]. Электретный эффект используется при создании электрофильтров, дозиметров, искусственных сосудов, поскольку наличие разности потенциалов уменьшает свертываемость крови, препятствует образованию тромбов [3, 4]. В большинстве современных микрофонов в качестве датчика сигнала используется электретная пленка [3]. Другим не менее важным вопросом являются создание научных методов прогнозирования поведения материалов и их защита в полях ионизирующих излучений. Опыт эксплуатации атомной и космической техники показал, что радиационная электризация определяет радиационную стойкость диэлектрических материалов [58]. Нельзя не отметить влияние даже очень слабых электрических полей на чувствительную электронную аппаратуру.

При изучении радиационного заряжения основное внимание уделено электризации материалов под действием коронного разряда [4], низкоинтенсивных квазистационарных потоков заряженных частиц [3, 4, 9] и уквантов [1, 3, 9, 10, 11]. Установлено, что накопление заряда при облучении органических соединений, стекол, керамики связано с локализацией заряженных частиц центрами захвата. Характерными особенностями электризации диэлектриков слаботочными электронными пучками являются высокая напряженность электрического поля, значения которой могут достигать пробивной (более~106 В/см), и медленные процессы релаксации заряда с характеристическим временем до суток и более [1, 3, 9, 12, 13]. Однако указанные исследования не исчерпывают наши потребности в знаниях о возможном поведении диэлектриков в поле радиации. Требуют оценки процессы электризации материалов при высоких уровнях инжекции электронов. Стимулом к таким исследованиям служит создание и интенсивное использование сильноточных электронных ускорителей. Сильноточные электронные ускорители обеспечивают мощное ~109-Ю10 Гр/с и сверхмощное свыше ~1016 Гр/с радиационное воздействие [14] и применяются для накачки газовых и твердотельных лазеров, радиационно-термической обработки материалов в технологических целях, генерации СВЧ колебаний, в термоядерных экспериментах и т. д.

Состояние вопроса. Имеющиеся к началу 1980 -1985 годов сведения об электризации диэлектриков под действием высокоинтенсивных пучков электронов были малочисленны и имели противоречивый характер. Это объясняется, в первую очередь, отсутствием прямых экспериментальных измерений напряженности электрического поля и накопленного заряда в процессе облучения. Так, из анализа результатов исследования радиацион-но-индуцированной проводимости (РИП) был сделан вывод о том, что электрический заряд в условиях высокоинтенсивного импульсного облучения не может существовать заметное время вследствие высоких значений проводимости, и в результате релаксационных процессов напряженность поля не превышает ~104 -105 В/см [15, 16]. С другой стороны, авторы [17, 18] считали, что в процессе воздействия импульсного электронного пучка (ИЭП) скорость накопления объемного заряда существенно превышает скорость его переноса за счет проводимости и, как следствие, напряженность электрического поля велика — до ~106 В/см. В существовании электрического поля высокой напряженности убеждены и авторы работ [19, 20], наблюдавшие пробои.

Существенно отметить, что при воздействии ИЭП на диэлектрические материалы изменяются не только уровень проводимости и зарядовое состояние вещества. Высокие скорости инжекции электронов приводят к возникновению термоупругих напряжений, генерации акустических и ударных волн, образованию плазмы [15, 18], что существенно усложняет изучение процесса электризации.

За пределом внимания исследователей остались вопросы электризации, связанные с локализацией носителей центрами захвата. Центры захвата существуют в диэлектрических материалах, и появляется неоднозначность в соотношении между значениями заряда, локализованного центрами захвата и свободного.

При использовании ИЭП сопротивление утечки вместе с сопротивлением облученного слоя определяет интенсивность релаксационных процессов и выступает фактором, способным задавать уровень накопления заряда.

В теоретическом плане для построения динамической модели электризации, описывающей пространственно-временное поведение избыточного заряда в образце, необходимо решение уравнения полного тока с учетом временной и пространственной зависимости наведенной радиационной проводимости и тока пучка в образце, что представляет большие математические трудности. Наиболее доступным для аналитических расчетов может служить приближение равномерной объемной высокоэнергетической инжекции заряда (РОВИ) [17, 18, 21]. В приближении постоянства амплитуды тока электронного пучка во времени выполнен аналитический расчет [22] и расчеты с использованием вычислений на ЭВМ [23, 24].

Первые исследования по электризации диэлектриков ИЭП показали определяющую роль радиационно-индуцированной проводимости в процессе накопления и релаксации объемного заряда. С точки зрения электризации материалов важны оценки концентрации, времени жизни электронов в зоне проводимости диэлектрика, зависимости изменения концентрации носителей от плотности тока электронного пучка.

В ионных кристаллах сильное электрон-фононное взаимодействие ограничивает длину свободного пробега электронов и их подвижность. В результате в генерируемых парах пространственное разделение электронов и дырок на стадии термализации достаточно мало. За счет кулоновского взаимодействия велика вероятность их парной рекомбинации, что может существенно снизить выход и время жизни свободных носителей [25, 26].

Теоретические исследования процессов генерации электронов и дырок в ионных кристаллах под действием ионизирующего излучения и их термализации, включая и полученные методом компьютерного моделирования, представлены в работах [25−32]. Процессы переноса носителей в щелочно-галоидных кристаллах изучались в [33, 34]. Экспериментальные исследования РИП в ЩГК при возбуждении наносекундным и пикосекундным электронными пучками приведены в работах [15, 34−39]. Авторами [34−39] в кристаллах NaCl, KCl, КВг получены зависимости изменения проводимости от плотности тока пучка до ~1000 А/см, в кристаллах KCl, Csl сделаны оценки энергии активации процесса термического разделения носителей. В тоже время, несмотря на значительные усилия исследователей, ряд вопросов требует более детальной проработки. Оказалось, что измерение времени жизни электронов в образцах NaCl, KCl, КВг, за исключением Csl, по методике, основанной на изучении кинетики спада амплитуды проводимости после окончания импульса возбуждения, ограничено временным разрешением аппаратуры, которое составляло ~2-Ю" 10с [36]. Отсутствуют значения энергии активации процесса термического разделения носителей при возбуждении импульсным рентгеновским излучением.

Интерес к радиационно-индуцированной проводимости вызван также тем, что явление РИП используется в методике исследования центров захвата. Поведение РИП при действии температуры, электрического поля, оптического излучения позволяет оценить концентрацию и глубину залегания энергетических уровней захвата в запрещенной зоне диэлектрика, способствует установлению природы центров захвата и механизма их освобождения. При фотои рентгеновском возбуждении концентрация носителей меньше, чем при электронном облучении, и уровень проводимости более чувствителен к захвату носителей ловушками.

В экспериментах по исследованию свойств радиационно-индуцированной проводимости высокоомных материалов, в оптоэлектрон-ных приборах используются структуры металл-диэлектрик-металл. При протекании радиационно-индуцированного тока проводимости в структуре металл-диэлектрик-металл происходит накопление положительного приповерхностного заряда у отрицательного электрода. Эффект накопления положительного заряда можно рассматривать как частный случай радиационного заряжения. Негативной стороной эффекта является экранирование внешнего электрического поля приповерхностным зарядом дырок, что приводит к снижению и полному прекращению тока проводимости в образце. Поэтому при измерении тока проводимости необходимы количественные данные по падению напряжения на переходе металл-диэлектрик и времени экранирования поля. Данные исследования по протеканию тока в структуре металл-диэлектрикметалл позволяют оценить степень омичности контактов металл-диэлектрик и диэлектрикметалл. Омическим контактом по определению [40] является контакт, который может поставлять носители заряда и отводить их из объема материала точно с требуемой скоростью, не вызывая накопления избыточных зарядов и не мешая их продвижению. Сопротивление контакта диэлектрикметалл играет важную роль в процессе релаксации инжектированного в образец заряда при электризации материалов электронным пучком.

С проблемой заряжения высокоомных материалов непосредственно соприкасаются вопросы, связанные с электроразрядными явлениями в облученных диэлектриках. В общем случае в процессе электризации диэлектриков заряженными частицами могут формироваться сильные электрические поля, которые приводят к электрическому пробою материала. Электрический пробой по отношению к заряжению диэлектрика, в свою очередь, выступает фактором, ограничивающим накопление заряда.

Особый интерес представляет импульсный пробой. Такой пробой наблюдается при взаимодействии ИЭП с диэлектриками [19, 20]. Для импульсного пробоя характерно более высокое пробивное напряжение по сравнению с квазистатическим (длительность приложения поля ~1 мкс). Структура канала анодного пробоя зависит от напряженности электрического поля. В кристалле ИаО при напряжениях, близких к пробивным в квазистатическом режиме, в анодной области формируется первичный канал пробоя, ориентированный по «катодному» направлению <100>. Затем канал разряда начинает распространяться по основному направлению <110>. Первичный участок прорастает с дозвуковой скоростью, скорость по основному направлению ~107 см/с. С увеличением напряжения протяженность первичного канала уменьшается до визуально неразличимых размеров [41−43].

Несмотря на значительное внимание, уделяющееся исследованию механизмов импульсного пробоя, является актуальным вопрос об источнике первичных электронов на стадии формирования канала основного пробоя. При высокой скорости пробоя и малом времени жизни носителей источник первичных электронов должен быть достаточно мощным, чтобы обеспечить начало развития процесса электрического разряда. Не менее важно найти решение проблемы кристаллографической направленности канала пробоя, так как данная проблема не решена до сих пор. Существует зависимость напряжения пробоя от длительности приложения поля.

Следует отметить, что хрупкое раскалывание кристаллических диэлектриков и стекол за счет термоупругих сил также ограничивает накопление заряда. Пороговый флюенс частиц хрупкого разрушения отличается для различных материалов и может быть больше или меньше чем пороговый флюенс электрического пробоя. Для ЩГК хрупкое разрушение наступает 2 при плотности тока импульсного электронного пучка~100−200 А/см [15], у электрический пробой -300 А/см .

Исходными данными при решении задачи накопления заряда служат функции прохождения электронов пучка в материале (кривая трансмиссии) и пространственного распределения поглощенной энергии пучка. Производная от кривой трансмиссии по пространственной координате определяет структуру термализованных электронов пучка в веществе, т. е. распределение избыточного заряда. Функция поглощенной энергии дает представление о пространственном распределении наведенной радиационной проводимости, позволяет оценить значение максимального пробега электронов пучка в материале и величину напряженности электрического поля по изменению профиля пространственного распределения поглощенной энергии. Функцию пространственного распределения поглощенной энергии пучка характеризуют профиль упругих волн и пространственное распределение центров окраски по глубине образца.

Цель работы. Установление закономерностей электризации неорганических диэлектриков в процессе мощного импульсного электронного облучения.

Достижение поставленной цели потребовало решения следующих основных задач.

1. Экспериментальное и теоретическое исследование процесса электризации диэлектриков при мощном импульсном электронном облучении, включая: измерения и теоретическое моделирование пространственных, амплитудно-временных характеристик напряженности электрического поля, оценки соотношения между захваченным и свободным зарядами первичных термализованных электронов пучка, зависимости напряженности поля от плотности тока пучка, геометрических размеров образца, сопротивления утечки.

2. Исследование процессов генерации, рекомбинации и захвата носителей заряда в ионных соединениях при импульсном рентгеновском возбуждении по данным измерения РИП.

3. Изучение процесса прохождения электронов через контакты металл-диэлектрик и диэлектрик-металл при протекании радиационно-наведенного тока проводимости в структуре металл-диэлектрик-металл.

4. Создание модели образования основного канала разряда в щелочно-галоидных кристаллах в импульсных электрических полях наносекундной длительности.

Научная новизна работы

1. В процессе облучения диэлектриков импульсным электронным пучком в диапазоне значений мощности дозы (109 — Ю10) Гр/с с наносекундным временным разрешением сделаны оценки амплитудно-временных значений напряженности электрического поля в некоторых щелочно-галоидных кристаллах, стеклообразном и кристаллическом кварце, полиметилметакрила-те. Для широкозонного полупроводника 2п8е получено пространственное распределение напряженности электрического поля с учетом функций пространственных распределений: термализованных электронов пучка и наведенной радиационной проводимости. Эти данные необходимы для воссоздания реальной картины накопления избыточного заряда и построения динамической модели электризации диэлектрических материалов.

2. Установлено, что в процессе облучения диэлектрика мощным электронным пучком происходит эффективное опустошение ловушек, захвативших термализованные электроны, за счет процесса ударной ионизации под действием первичных электронов пучка и вторичных электронов, а в явлении заряжения диэлектрика определяющую роль играют термализованные электроны пучка в зоне проводимости диэлектрика. Свободные термализованные электроны пучка, их электрическое поле и радиационно-индуцируемая проводимость определяют: вид функции пространственного распределения плотности заряда в образце с пиком плотности заряда, смещенным в область экстраполированного пробега электроновкинетику релаксации заряда по экспоненциальному временному закону с постоянной времени, определяемой эффективной емкостью образца и сопротивлениями объема и утечкизависимость напряженности электрического поля в образце от плотности тока пучка, которая, при квадратичном характере рекомбинации неравновесных носителей, пропорциональна корню квадратному от плотности тока пучка.

3. Получено решение дифференциального уравнения полного тока с учетом зависимости наведенной радиационной проводимости и плотности тока пучка в образце от пространственной и временной координаты, геометрических размеров и диэлектрической проницаемости с помощью методики эквивалентных схем.

4. В рамках исследования радиационно-индуцированной проводимости сделаны оценки значения приповерхностного положительного заряда в диэлектрике на переходе металл-диэлектрик (на примере кристаллов КВг, С81), возникающего при протекании тока проводимости в структуре металл-диэлектрик-металл под действием импульсного рентгеновского излучения. Установлено, что значения плотности заряда, переносимого током проводимости, и приповерхностного положительного заряда на момент завершения импульса радиации имеют близкие значения. Сделан вывод, что в процессе протекания тока проводимости на переходе метал л-диэлектрик отсутствует инжекция электронов из металла в диэлектрик, а на переходе диэлектрикметалл нет накопления электронов.

5. Для условий возбуждения ЩГК наносекундным рентгеновским излучением, в рамках модели процесса термически активированного разделения генетических электронно-дырочных пар, сделаны оценки: энергии активации разделения носителей заряда, относительного выхода носителей заряда, времени жизни электронов зоны проводимости в кристаллах Се!,

0, а также концентрации центров захвата электронов и положения их энергетического уровня в запрещенной зоне чистых кристаллов Сб1.

6. Предложена модель формирования канала электрического пробоя в щелочно-галоидных кристаллах. Генерация первичных электронов в зону проводимости диэлектрика осуществляется посредством каскадных Оже-переходов в валентной зоне кристалла. Модель объясняет кристаллографическую направленность и анодный характер пробоя, значение скорости движения канала пробоя, а также генерацию предпробойного тока без привлечения механизма ударной ионизации валентной зоны кристалла электронами зоны проводимости.

Положения, выносимые на защиту

1. Основные характеристики процесса заряжения диэлектрика при мощном электронном обучении: вид функции пространственного распределения напряженности электрического поля и плотности заряда в облученном объеме, зависимость напряженности электрического поля от плотности тока пучка в различных по структуре и свойствам диэлектриках и их физическая интерпретация с учетом зависимости удельной радиационно-индуцированной проводимости от координаты и времени, процессов локализации электронов на центрах захвата.

2. Возникающий при облучении диэлектрика мощным электронным пучком эффект опустошения ловушек, захвативших термализованные электроны, за счет процесса ударной ионизации под действием первичных электронов пучка и вторичных электронов, указывающий на определяющую роль свободных термализованных электронов пучка в явлении электризации диэлектрика.

3. Динамическая модель электризации диэлектрика в процессе облучения импульсным электронным пучком, основанная на положении об определяющей роли в накоплении заряда термализованных электронов пучка в зоне проводимости диэлектрика, проводимости зонного типа и решении уравнения полного тока с помощью методики эквивалентных схем.

4. Модель формирования канала электрического пробоя в щелочно-галоидных кристаллах, основанная на механизме генерации первичных электронов в зону проводимости диэлектрика посредством каскадных Оже-переходов в валентной зоне кристалла. Модель позволяет сделать прогноз кристаллографической направленности канала пробоя в этих диэлектриках.

Практическая значимость работы

1. Полученные данные по пространственному распределению, амплитудно-временным параметрам напряженности электрического поля, проводимости в совокупности с моделью заряжения и моделью электрического пробоя могут быть использованы для прогнозирования поведения материалов в условиях воздействия импульсного электронного пучка, в частности, при: разработке радиационно-стойких материалов для нужд космической и ядерной техникиразработке методов защиты изделий от действия импульсных электрических полейгенерации электронно-дырочной плазмы с целью ее использования в импульсных источниках излученияиспользования пробоя для разрушения материалов.

2. Явление накопления заряда при протекании радиационно-наведенного тока проводимости в структуре металл-диэлектрик-металл может быть применено для получения электретов.

3. Разработанные поляризационно-оптическая методика и методика исследования пространственного распределения короткоживущих центров окраски могут быть положены в основу дозиметрии поглощенной и распределенной в образце энергии электронного пучка.

Апробация работы. Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на: V, VI, и VII Всесоюзных и XIII, IX, X, XI Международных конференциях по радиационной физике и химии ионных кристаллов (Рига, 1983, 1986, 1989, Томск 1993, 1996, 1999, 2000, 2003), Всесоюзном семинаре «Интерференционно-оптические методы механики твердого деформируемого тела и механики горных пород» (Новосибирск, 1985), Прибалтийских семинарах по физике ионных кристаллов (Рига, 1985, 1989), Всесоюзной научно-технической конференции «Материаловедение в атомной технике» (Свердловск, 1986), Всесоюзных совещаниях по радиационным гетерогенным процессам (Кемерово, 1986, 1990, 1995), Международных конференциях «Физико-химические процессы в неорганических материалах» (Кемерово, 1998, 2001), VI Всесоюзной конференции по физике диэлектриков (Томск, 1988), I Региональном семинаре «Физика импульсных радиационных воздействий» (Томск, 1989), Международных конференциях «Модификация свойств конструкционных материалов пучками заряженных частиц» (Свердловск, 1991, Томск, 1994, 1996, 2003), Всесоюзной научно-практической конференции по НИР «Электризация» (Томск, 1990), III Всесоюзном семинаре по нелинейной физике твердого тела при сильных радиационных воздействиях (Томск, 1991), IX Совещании по дозиметрии интенсивных потоков ионизирующих излучений (Обнинск, 1992), I Международной конференции «Оптические методы исследования потоков» (Новосибирск, 1993), Международной конференции «KORUS» (Томск, 1998), «4th International conference on Electric Charges in Non-Conductive Materials (France, 2001), Международных конференциях по радиационно-термическим эффектам и процессам в неорганических материалах (Томск, 1998,2000, 2002, 2006).

Материалы диссертационной работы опубликованы в 60 работах. В коллективных работах автору принадлежат результаты и выводы, изложенные в диссертации.

Объем и структура диссертационной работы. Диссертация состоит из введения, восьми глав и заключения. Изложена на 275 страницах машинописного текста, содержит 76 рисунков, 6 таблиц и библиографию из 280 наименований.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Проведено экспериментальное исследование электризации большой группы различных по структуре и свойствам диэлектриков: ЩГК, плавленого и кристаллического кварца, ПММА в процессе облучения мощным импульсным электронным пучком при различных условиях. В образце 2п8е установлена пространственная структура электрического поля. Впервые показано, что специфической особенностью заряжения диэлектриков ИЭП является низкий уровень заполнения ловушек электронами за счет ионизационного процесса под действием первичных электронов пучка и вторичных электронов, а электризация связана с термализованными электронами пучка в зоне проводимости диэлектрика. Свободные термализованные электроны пучка, их электрическое поле и радиационно-индуцируемая проводимость определяют: вид функции пространственного распределения плотности заряда в образце с пиком плотности заряда, смещенным в область экстраполированного пробега электроновкинетику релаксации заряда по экспоненциальному временному закону с постоянной времени, определяемой эффективной емкостью образца и сопротивлениями объема и утечкизависимость напряженности электрического поля в образце от плотности тока пучка, которая, при квадратичном характере рекомбинации неравновесных носителей, пропорциональна корню квадратному от плотности тока пучка.

2. Впервые получено решение дифференциального уравнения полного тока с учетом зависимости наведенной радиационной проводимости и плотности тока пучка в образце от пространственной и временной координаты, геометрических размеров и диэлектрической проницаемости с помощью методики эквивалентных схем.

3. Разработана динамическая модель заряжения диэлектрика в процессе облучения ИЭП, основанная на положении об определяющей роли в накоплении заряда термализованных электронов пучка в зоне проводимости диэлектрика, проводимости зонного типа и решении уравнения полного тока с помощью методики эквивалентных схем. Модель позволяет проводить расчеты временного и пространственного поведения избыточного заряда в образце при различных условиях облучения. Модель применима к широкому классу диэлектрических твердых тел: ЩГК, плавленого и кристаллического кварца. Модель реализуется при граничных условиях плотности тока пучка: Л нижняя- 5−20 А/см, при которой можно пренебречь захватом носителей ловушками, верхняя — до наступления порога хрупкого разрушения и электрического пробоя образца. Экспериментально подтверждены основные положения концепции.

4. Для условий возбуждения ЩГК наносекундным рентгеновским излучением, в рамках модели процесса термически активированного разделения генетических электронно-дырочных пар, сделаны оценки: энергии активации разделения носителей заряда, относительного выхода носителей в кристаллах Сэ1, №С1. Предложена методика оценки времени жизни электронов зоны проводимости. Сделаны оценки концентрации центров захвата электронов и положения их энергетического уровня в запрещенной зоне в чистых кристаллах Сз1. Установлен механизм ударной ионизации ловушек электронами проводимости.

5. В рамках исследования радиационно-индуцированной проводимости изучен процесс формирования приповерхностного заряда на переходе металл-диэлектрик при протекании тока проводимости в структуре металл-диэлектрик-металл при возбуждении импульсным рентгеновским излучением. Сделаны оценки значения приповерхностного заряда на переходе ме-талл-щелочно-галоидный кристалл (на примере кристаллов КВг, Сз1) и времени экранирования электрического поля. Установлено, что значения плотности заряда, переносимого током проводимости, и поверхностного заряда на момент завершения импульса радиации имеют близкие значения: в пределах 10−30%. Сделан вывод, что в процессе протекания тока проводимости на переходе металл — диэлектрик отсутствует инжекция электронов из металла в диэлектрик, а на переходе диэлектрик — металл нет накопления электронов.

6. Обнаружена генерация-центров окраски в кристалле КВг в предпро-бойных электрических полях напряженностью -1.6−106 В/см. Факт генерации Т7- центров в предпробойных электрических полях свидетельствует о наличии эффективного механизма образования первичных электронов. Такие электроны необходимы для развития процесса ударной ионизации при пробое твердых диэлектриков.

7. Предложена модель формирования канала электрического пробоя в ще-лочно-галоидных кристаллах. Генерация носителей в зону проводимости осуществляется посредством каскадных Оже-переходов в валентной зоне диэлектрика. Изгиб зон в диэлектрике формируется электрическим полем положительных ионов галоидов на конце канала пробоя. Канал электрического пробоя состоит из твердой фазы заряженных слоев и расплава. Значение электрической прочности кристалла определяет начало протекания туннельного тока из диэлектрика в металл. Модель объясняет кристаллографическую направленность и анодный характер пробоя, а также генерацию предпробойного тока без привлечения механизма ударной ионизации валентной зоны кристалла электронами зоны проводимости.

8. Разработанные поляризационно-оптическая методика и методика исследования пространственного распределения короткоживущих центров окраски могут быть положены в основу дозиметрии поглощенной и распределенной в образце энергии электронного пучка.

Автор выражает искреннюю признательность научному консультанту проф. ТПУ А. Т. Овчарову и зав. каф Химии и физики ТСХИ проф. В. Н. Беломестных за поддержку данной работы, ценные советы и обсуждения, сотрудникам каф. ЛиСТ ТПУ за интерес к работе, товарищескую помощь и дискуссии.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В.В. Электрический заряд в облученных материалах. М.: Энер-гоиздат, 1982. 112 с.
  2. В.В. Распределение электрических зарядов в облученных ди-электриках//Изв. АН Латв. ССР. Сер. физ. и техн. наук. 1987. № 4. С. 87−94.
  3. Электреты / Под ред. Г. Сеслера. М.: Мир, 1983. 486 с.
  4. М.Э., Койков С. Н. Электретный эффект в диэлектриках// Изв. Вузов СССР, Физика. 1979. № 1. С. 74−89.
  5. А. И. Электроразрядные явления в облученных диэлектриках могут понизить надежность космического и термоядерного оборудования// Физ. и хим. обр. мат. 1997. № 5. С. 374.
  6. А.И. Электроразрядный механизм радиационных аномалий ИСЗ // Физ. и хим. обр. мат. 2002. № 4. С. 44−50.
  7. А.Н., Тютнев А. П., Саенко B.C., Пожидаев Е. Д. Проводимость внешних диэлектрических покрытий космических аппаратов при воздействии космических ионизирующих излучений// Перспективные материалы. 2001. № 2. С. 15−22.
  8. А.Н., Тютнев А. П., Саенко B.C., Пожидаев ЕД. Природа электростатических разрядов на внешней поверхности космических аппаратов// Физ. и хим. обр. мат. 2004. № 5. 32−37.
  9. С.Г., Ушаков В. Я. Радиационное накопление заряда в твердых диэлектриках и методы его диагностики. М.: Энергоатомиздат, 1991. 237 с.
  10. В.И., Громов В. В., Мамонов М. Н. и др. Электризация диэлектрика под воздействием гамма-излучения //Атомная энергия. 1987. Т. 62, вып. 2. С. 134−136.
  11. В.И., Громов В. В., Мамонов М. Н. и др. Кинетика релаксации поля объемного заряда гамма-облученных полимерных диэлектриков //Атомная энергия. 1987. Т. 62, вып. 2. С. 136−138.
  12. А.Г., Громов В. В. Особенности формирования и релаксацииобъемного заряда при электронном облучении некоторых диэлектриков //Журн. физ. химии. 1980. № 10. С. 2604−2606.
  13. А.И., Гончаров Ю. С., Пашин А. Е., Цепляев Л. И. О распределении объемного заряда в силикатных стеклах после облучения электронами //Изв. вузов СССР. Физика. 1977. № 5. С. 127−129.
  14. Д.И., Месяц Г. А., Семин Б. Н. Малогабаритные ускорители и радиационная физика //Труды Всесоюз. Совещ. «Диэлектрические материалы в экстремальных условиях». Суздаль. 1990. Т. 1. С. 25−33.
  15. Высокоэнергетическая электроника твердого тела / Под ред. Д. И. Вайсбурда. Новосибирск: Наука, 1982. 225 с.
  16. И.Н., Вайсбурд Д. И., Трофимом В. А. Прочность ионных кристаллов при импульсном облучении плотными пучками электронов в сверхсильных электрических полях//ЖТФ. 1984. Т.54. Вып.9. С.1804−1805.
  17. В.И., Евстигнеев В. В., Падерин В. А., Соловьев Ю. А. Формирование объемных зарядов в высокоомных материалах под действием интенсивных импульсных потоков электронов //Изв. вузов СССР. Физика. 1985. № 9. С. 46−50.
  18. В.И., Евстигнеев В. В. Введение в физику взаимодействия сильно-точных пучков заряженных частиц с веществом. М.: Энергоатомиз-дат, 1988. 137 с.
  19. В.М., Олешко В. И. Электрический пробой ЩГК при импульсном облучении сильноточными электронными пучками//Письма в ЖТФ. 1983. Т. 9, вып. 1. С. 15−18.
  20. В.И., Штанъко В. Ф. Генерация сильных электрических полей в области пробега мощного электронного пучка в LiFZ/ЖТФ. 1986. Т.56, вып. 6. С. 1235−1236.
  21. О.Б. Объемная высокоэнергетическая инжекция электронов в диэлектрики // Изв. вузов СССР. Физика. 1976. № 3. С. 7−12.
  22. А.П., Ванников A.B., Мингалеев Г. С., Саенко B.C. Электрические явления при облучении полимеров. М.: Энергоиздат, 1985. 174 с.
  23. Matsuoka S. Accumulated charge profile in polyethylene during fast electron irradiation // lEEE.Trans. Nucl. Sci. 1976. NS-23. № 5. P. 1447 1452.
  24. Tanaka R., Sunaga K, Tamura N. The effect of accumulated charge on depth dose profile in poly (methylmethacrylate) irradiated with fast electron beam // IEEE. Trans. Nucl. Sci. 1979. NS- 26.№ 4. P. 467(M675.
  25. Э.Д., Лусис Д. Ю., Чернов C.A. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов. Рига: Зинатне, 1979. 252 с.
  26. М.А. Элементарные неупругие радиационные процессы. М.: Наука, 1988. 150 с.
  27. Аусмеэс А. Х, Кикас А. Х., Jloopumc В.А. и др. Создание и термализа-ция носителей заряда в кристаллах NaCl при облучении ультрамягкими рентгеновскими лучами (компьютерный эксперимент) // Труды инст. физики АН Эстонской ССР. 1985. Т. 57. С. 129−146.
  28. Kikas A., Elango М. Monte-Carlo simulation of the production of charge carriers in NaCl crystals by XUV irradiation // Phys. stat. sol.(b). 1985. Vol. 130, № 1. P. 211−218.
  29. A.X., Кикас A.X., Пруулманн Я. Я., Эланго М. А. Электрон-фононная релаксация и ВРУФ-электронная эмиссия NaCl (компьютерный эксперимент) // Труды инст. физики АН Эстонской ССР. 1986. Т. 58. С. 159— 168.
  30. А.Х., Пруулманн Я. Я., Эланго М. А. Моделирование термали-зации и рекомбинации электрона в поле генетически связанной локализованной дырки в NaCl //ФТТ. 1985. Т.27, Вып. 12. С. 3692−3693
  31. Д.И., Королева О. С., Харитонова С. В. Мгновенный спектр ионизационно-пассивных электронов в диэлектрике, который облучается мощным электронным пучком //Изв. вузов. Физика. 1996. № 11. С. 136−144.
  32. Brown F.С. Conduction by polarons in ionic crystals // In: Point defects in solids. New York- London: Plenum Press, 1972. P. 491−549.
  33. Seager C.H., Emin D. High-temperature measurements of the electron Hall mobility in thealkali halides //Phis. Rev. В 1970. Vol. 2, № 8. P. 3421−3431.
  34. .П., Фомченко B.M., Швайко B.H. Влияние температуры на импульсную проводимость кристалла KCl при возбуждении пикосекунд-ными пучками электронов // ФТТ. 1999. Т. 41, вып. 3. С. 429−430.
  35. .П., Швайко В. Н. Проводимость ионных кристаллов при облучении пикосекундными пучками электронов // ФТТ. 1999. Т. 41, вып. 7. С.1200−1203.
  36. .П., Белокуров Г. М., Швайко В. Н. Релаксация проводимости Csl после возбуждения субнаносекундными импульсами электронов //ФТТ. 1995. Т.37, вып. 8. С. 2537−2539.
  37. .П. Быстропротекающие процессы в щелочно-галоидных кристаллах и азидах тяжелых металлов при импульсном облучении: Автореф. дис.. док. физ.-мат. наук. Кемерово, 1999. 43 с.
  38. .П., Швайко В. Н., Фомченко В. М. Пикосекундная радиацион-но-индуцированная проводимость щелочно-галоидных кристаллов с решеткой типа NaCl//h3b. Томского политехи, ун-та. 2000. Т. 303, вып.2. С. 26−34.
  39. Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и техническое применение. /Под ред. Г. Хасса, М. Франкомба, Р. Гофмана. М.: Мир, 1978. 359 с.
  40. Г. И. Физика диэлектриков (Область сильных полей). М.: Физматгиз, 1958. 907 с.
  41. А. А., Воробьев Г. А. Электрический пробой и разрушение твердых диэлектриков. М.: Высш. школа, 1966. 234 с.
  42. Ю.Н. Электронно-тепловые и детонационные процессы при электрическом пробое твердых диэлектриков. Екатеринбург: 2000. 258 с.
  43. Г. А. Генерирование мощных наносекундных импульсов. М.: Сов. радио, 1974. 256 с.
  44. С. Динамика импульсных сильноточных релятивистских электронных пучков//Атомная техника за рубежом. 1973. № 3. С. 29−36.
  45. А.Н., Григорьев В. П., Усов Ю. П. Мощные электронные пучки и их применение. М.: Атомиздат, 1977. 277 с.
  46. Сильноточные импульсные электронные пучки в технологии. Сб. статей /Под ред. Г. А. Месяца. Новосибирск: Наука, 1983. 169 с.
  47. С.П., Крейнделъ Ю. Е., Щанин П. М. Электронные пучки большого сечения. М.: Энергоатомиздат, 1984. 110 с.
  48. Куликов В Д., Ананьин П. С., Кривобокое В. П. и др. Регистрация акустических волн в твердых телах при мощном импульсном электронном облучении //Изв. вузов. Физика.1995. № 4. С. 120−121.
  49. Ю.Ф., Итин В. И., Лыков C.B. и др. Диссипация энергии волн напряжений и структурные изменения в сталях, облученных импульсным электронным пучком // ДАН СССР. 1991. Т. 321, № 6. С. 1192−1196.
  50. В.Н., Коваль H.H., Щанин П. М. Импульсный электронный источник на основе дуги низкого давления, инициируемой тлеющим разрядом // Труды 6 межд конф. «Модификация материалов пучками частиц иплазменными потоками» Томск. 2002. С. 61−65.
  51. Э.Д., Гаврилов В. В., Дейч Р. Г., Чернов С. А. Быстропротекаю-щие радиационно-стимулированные процессы в щелочно-галоидных кристаллах. Рига: Зинатне, 1987. 184 с.
  52. В.Д., Лисицын В. М. Зарядка диэлектриков при облучении импульсным электронным пучком. Деп. в ВИНИТИ 11.10.85, № 7202-В.
  53. В.Г. Измерение энергетических характеристик наносекундного электронного пучка, выведенного в воздух через фольгу //ПТЭ. 1980. № 3. С.165−167.
  54. C.B. Применение измерителя мощности оптического излучения ИМО-2 для дозиметрии электронного излучения //Хим. выс. энергий. 1984. Т. 18. № 2. С. 106−109.
  55. C.B., Романов A.M. Прохождение заряженных частиц через вещество. Ташкент: Изд. АН Узб. ССР, 1962. 228 с.
  56. A.A., Кононов В. А. Прохождение электронов через вещество. Томск: ТГУ, 1966. 179 с.
  57. В.И., Рыжов В. В., Турчановский И. Ю. Эффективность генерации характеристического излучения при торможении низкоэнергетических электронных пучков// Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24, № 4. С.77−79.
  58. .П. Дозиметрия и защита от ионизирующих излучений. М.: Атомиздат, 1976. 502 с.
  59. Sprinks J., Woods R. J. An Introduction to Radiation Chemistry. N.Y.: Wiley, 1976. 504 p.
  60. С.M., Викторова Ю.H., Ланда Л. М. Радиационные эффекты в стеклах. М.: Энергоиздат, 1982. С. 9.
  61. В.Д. Процесс заряжения диэлектриков при импульсном электронном облучении // Изв. АН Латв. ССР. Сер. физ. и техн. наук. 1990. № 5. С.97−105.
  62. К.А., Евдокимов О. Б., Кононов Б. А. Исследование пространственного распределения замедлившихся электронов в некоторых металлах// Труды межвузовской конф. по рад. физике. Томск: ТГУ, 1970. С. 350−353.
  63. В.Ф. Дозиметрия электронного излучения. М.: Атомиздат, 1974. 232 с.
  64. Tabata Т., Ito R. An Algorithm for the Energy Deposition by Fast Electrons //Nucl. Sei. Ing. 1974. № 53. P. 226−239.
  65. Г., Димитрова P., Бутова К. Цифровое моделирование проникновения быстрых электронов в твердые образцы //Болг. физ. журн. 1987. № 5. С. 446−456.
  66. А.Ф., Никитушев Ю. М., Ботеин В. А. Решение методом Монте-Корло задач переноса быстрых электронов в веществе. Алма-Ата: Наука, 1972. 152 с.
  67. С. С., Грачев Е. А., Зайцев С. И., Негуляев H.H., Черемухин Е. А. Моделирование процессов зарядки мишени, облучаемой электронным пуч-ком//Поверхность. 2004. № 11. С. 85−90.
  68. А.И., Романов С. Н., Токмаков И. Л. Прохождение электронных пучков через пластины материалов//Физ. и хим. обр. мат. 1982. № 2. С. 9−14.
  69. А.Н., Чистяков С. А., Яловец А. П. Взаимодействие сильноточного релятивистского пучка с веществом// Атомная энергия. 1979. Т.47, вып. 5. С. 328−332.
  70. А. П. Расчет течения среды при воздействии интенсивных потоков заряженных частиц //Прикл. мех. и технич. физика. 1997. № 1. С. 151 166.
  71. Н.Б., Кундикова Н. Д., Лейви А. Я., Майер А. Е., Яловец А. П. О воздействии мощных ультракоротких электронных пучков на металлические мишени // Письма в ЖТФ. 2007. Т. 33, вып. 2. С. 43−54.
  72. И.Г., Митерев A.M., Сухоносов В. Я. Моделирование прохождения быстрых электронов в жидкой воде и водяном паре//Хим. выс. энергий. 1986. Т.20, № 6. С. 495−500.
  73. A.M. Энергетические потери и линейные пробеги электронов в аморфных средах//Химия выс. энерг. 1996. Т.30, № 2 С. 98−100.
  74. В.В. Пространственное распределение плотности возбуждения в твердых телах, бомбардируемых электронами с энергией 0.5−500 кэВ//ЖТФ. 1978. Т. 48, вып. 3. С.551−555.
  75. Kuzminikh V.A., Plotnikov S. V., Vorobiev S.A. Study of generation of secondary electrons and radiation defects in alkali halides irradiation with swift electrons// Radiation effects. 1979. V. 40. P. 135−142.
  76. В.В., Романов Г. С., Сузденков М. В., Томащук Ю. Ф. Полуэмпирическая модель процессов взаимодействия потоков электронов с веществом// Док. АН БССР. 1987. С.434−439.
  77. Дж. Методы самосогласованного поля для молекул и твердых тел. М.: Мир, 1978. 347 с.
  78. Lipari N.D., Kunz А.В. Energy band and optical properties of NaCl // Phys. Rev. B. 1971. Vol. 3. № 2. P. 491−497.
  79. Kunz A.B. Study of the electronic structure of twelve alkali halide crystals // Phys. Rev. B. 1982. Vol. 26. № 4. P. 2056−2069.
  80. Kowalczyk S.P., McFeeley F.R., Ley L. et al. X-ray photoemission studies of the alkali halides // Phys. Rev. B.1974. Vol. 9, № 8. P. 3573.
  81. Onodera Y. Energy band in Csl // J. Phys. Soc. Japan. 1968. Vol. 25, № 2. P. 469−480.
  82. Satparthy S. Electron energy band and cohesive properties of CsCl, CsBr and Csl //Phys Rev. B. 1968. Vol. 33. № 12. P. 8706−8715.
  83. Ч. Б., Гаврилов Ф. Ф., Завт Г. С. и др. Электронные возбуждения и дефекты в кристаллах гидрата лития. М.: Наука, 1985. 215 с.
  84. В.Л. Вторичные электроны. М.: Энергоиздат, 1987. 177 с.
  85. Ritchie R.H., Tung C.J., Anderson V.E., Ashley J.C. Electron slowing-down spectra in solids // Radiation Research. 1975. Vol. 64. P. 181−204.
  86. Lotz W. An empirical formula for the electron impact ionization cross-section // Z. Phys. 1967. Vol. 206. № 2. P. 205−211.
  87. . Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973. 456 с.
  88. Э.Р., Лийдъя Г. Г., Лущик Ч Б. Фотонное умножение в кристаллах //Оптика и спектроскопия. 1965. Т. 18, вып. 3. С. 453−460.
  89. Beaumont J.H., Bourdillon A.J., Kabler M.N. Intrinsic luminescence excitation spectra in NaCl, NaBr, RbCl, and RbBr between 6 eV and 60 eV using synchrotron radiation //J. Phys. C. 1976. № 9. P. 2961.
  90. Ю.М., Васильченко E.A., Лущик H.E. и др. Распад анионных и катионных экситонов с рождением анионных и катионных дефектов в CsBr // ФТТ. 1982. Т. 21, вып. 2. С. 740−746.
  91. Ю.М., Махов В. П., Родный И. А. и др. Собственная люминесценция фторидов стронция и калия при импульсном возбуждении синхротронным излучением //ФТТ. 1988. Т. 28, вып. 9. С. 2853−2855.
  92. Уэрт Ч, Томсон Р. Физика твердого тела. М.: Мир, 1989. 559 с.
  93. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977. 672 с.
  94. Пожела Ю. К Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках. М.: Наука, 1977. 368 с.
  95. Ю.Н., Зотов Ю. А. Влияние акустического рассеяния на механизм нарушения электрической прочности ионных кристаллов //ФТТ. 1975. Т. 17, вып. 12. С. 3487−3494.
  96. Llacer J., Garwin E.L. Electron-phonon interaction in alkali halides. The transport of secondary electrons with energies between 0.25 and 7.5 eV //J. Appl. Phys. 1969. Vol. 40, № 7. P. 2766−2775.
  97. Sparks M., Mills D.L., Warren R. et al. Theory of electron-avalanche breakdown in solids //Phys. Rev. B. 1981. Vol. 24, № 6. P. 3519−3536.
  98. Williams R.T., Bradford J.N., Faust W.L. Short-pulse optical studies of exiton relaxation in F-center formation in NaCl, KC1 and NaBr // Phys .Rev. B-Solid State. 1978. Vol. 18, № 12. P. 7038−7057.
  99. Ч.Б., Витол И. К., Эланго M.A. Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах//УФН. 1977. Вып.2, С. 223−251.
  100. Ч.Б., Лущик А. Ч. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах. М.: Наука, 1989. 363 с.
  101. Fujiwara Н., Susuki Т., Tanimura К. Femtosecond time-resolved spectroscopy of the Frenkel-rail generation and self-trapped-exiton formation in KC1 and RbCl // J. Phys.: Condens. Mater. 1997. № 9. P. 923−936.
  102. В.В. Взаимодействие пространственно разделенных точечных дефектов и «эксимероподобные» состояния в щелочно-галоидных кристаллах: Автореф. дис.. д-ра физ.-мат. наук. Свердловск, 1988. 36 с.
  103. Н., Генри Р. Электронные процессы в ионных кристаллах. М.: Изд. иностр. лит., 1950. 304 с.
  104. А.В., Матвеев В. К., Сичкаръ В. П., Тютнев А. П. Радиационные эффекты в полимерах. Электрические свойства. М.: Наука, 1982. 273 с.
  105. А.П., Ванников А. В., Мингалеев Г. С. Радиационная электрофизика органических диэлектриков. М.: Энергоатомиздат. 1989. 192 с.
  106. А.П., Абрамов В. Н., Дубенсков И. И., Саенко B.C., Ванников А. В., Пожидаев ЕД. Наносекундная радиационно-импульсная электропроводность полимеров // Хим. выс. энергий. 1986. Том.20. № 6. С.509−514.
  107. А.П., Карпечкин А. И., Боев С. Г., Саенко B.C., Пожидаев ЕД. Радиационная электропроводность полимеров при непрерывном облучении// Хим. выс. энергий. 1993. Том.27. № 2. С.5−18.
  108. А.П., Архипов В. И., Никитенко В. Р., Садовничий Д. Н. Применимость геминального механизма к описанию электропроводности полимеров//Хим. выс. энергий. 1995. Том.25. № 5. С. 351−357.
  109. А.П. Радиационная электризация полимеров //Хим. выс. энергий. 1996. Том.ЗО. № 1. С.5−18.
  110. С. А., Едрисов А. Т., Турдыбеков K.M., Милинчук В. К. Особенности кинетики радиационно-индуцированной электрической проводимости в полимерах //Хим. высок, энергий. 1996. Т. 30, № 2. С. 118−123.
  111. А.П., Садовничий Д. Н., Боев С. Г. О природе квазистационарного состояния при заряжении полимеров ускоренными электронами// Хим. выс. энергий. 1998. Том.32. № 3. С. 194−201.
  112. А.П., Садовничий Д. Н., Саенко B.C., Пожидаев Е. Д. //Высокомолек. соед. А. 2000. Т. 42, № 1. С. 16.
  113. А.П., Саенко B.C., Пожидаев Е. Д. Электронный транспорт фото- и радиационно-генерированных носителей заряда в полимерах//Хим. физика. 2004. Т.23, № 12. С. 58−81.
  114. А.П., Саенко B.C., Пожидаев Е. Д., Костюков Н. С. Диэлектрические свойства полимеров в полях ионизирующих излучений. М.: Наука, 2005.454 с.
  115. Тютнев А. П, Саенко B.C., Колесников В. А., Пожидаев ЕД. Генерация и транспорт носителей заряда в поливинилкарбазоле. //Хим. выс. энергий. 2006. Т.47. № 1.С. 8−17.
  116. .Г., Епифанов A.C., Маненков A.A., Панов A.A. Лазерное возбуждение неравновесных носителей в широкозонных диэлектриках // Труды ИОФ АН СССР. М.: Наука, 1986. Т. 4. С. 99−151.
  117. В.П., Мурина Т. М., Прохоров A.M. Циклическая фотоин-жекция электронов и дырок примесными центрами в щелочно-галоидных кристаллах //Оптика и спектроскопия. 1997. Т. 83. № 3. С. 388−392.
  118. В. Д., Лисюк Ю. В. Проводимость щелочно-галоидных кристаллов в сильных электрических полях при рентгено- и фотовозбуждении. Деп. в ВИНИТИ 16.01.98, № 101-В98.
  119. Kulikov V.D. Radiation-induced conductivity of ionic crystals in strong electrical fields// Proceedings of 2 International conference KORUS. Tomsk, 1998.
  120. В.Д., Лисюк Ю. В. Радиационно-индуцированная проводимость щелочно-галоидных кристаллов в сильных электрических полях при рентгено- и фотовозбуждении //ЖТФ. 2000. Т. 70, вып. 9. С. 51−56.
  121. В.Д. Рентгеновская проводимость диэлектриков в сильных электрических полях // ЖТФ. 1996. Т. 66, вып. 8. С. 181−186.
  122. Куликов В Д. Рассеяние неравновесных носителей заряда в ионных кристаллах в сильных электрических полях. Деп. в ВИНИТИ 23.10.00, № 2681-В00.
  123. В.Д. Концентрация и время жизни неравновесных носителей в Csl, NaCl при рентгеновском возбуждении //ФТТ. 2001. Т. 43, вып. 9. С.1580−1583.
  124. В.Д. Кинетика радиационно-индуцированной проводимости кристаллов Csl в сильных электрических полях // Изв. вузов. Физика. 2001. № 7. С. 62−65.
  125. Куликов В Д. Влияние термообработки кристалла Csl на радиацион-но-индуцированную проводимость //Тез. докл. 8-й Межд. конф., «Физико-химические процессы в неорганических материалах». Кемерово, 2001. Т. 1. С. 62−64
  126. И.А., Пензина Э. Э. Электронные центры окраски в ионных кристаллах. Иркутск: ИГУ, 1977. 208 с.
  127. Д.Л., Яковлев Б. С. Определение функции начального распределения термализованных ионных пар в углеводородном стекле// Хим. высок, энерг. 1995. Т. 29. № 6. С. 410−416.
  128. Bambynek W., Crasemann В., FinkR. W. et. al. X-ray fluorescence yields, Auger and Coster-Kronig transition probabilities // Rev. Mod. Phys. 1972. Vol. 44, № 4. P. 716−813.
  129. Силинь A. P, Закис Ю. Р. Радиационно-стимулированные процессы в оптических стеклах// Изв. АН Латв.ССР. Сер. физич. и техн. наук. 1987. № 5. С. 68−73.
  130. .П., Лисицын В. М., Степанчук В. Н. Поглощение и люминесценция кристаллического кварца при наносекундном облучении электронами //ФТТ. 1981. Т.23, вып. 2. С. 393−396.
  131. В.Ф., Франгулъян Т. С. Резонанс в эффективности формирования проводящего состояния кристаллического кварца ионной бомбардировкой // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26, вып. 19. С. 24−29.
  132. A.B., Конусов Ф. В., Кураков А. Г., Лопатин В. В. Свойства оксидной и нитридной керамики после ионно-термической модификации //Перспективные материалы. 2001. № 1. С. 70−81.
  133. А.П., Чернявская A.B., Гынгазов С. А., Франгулъян Т. С. Диффузия магния в кристаллах LiF в условиях радиационно-термического нагрева// Перспективные материалы. 2004. № 2. С. 77−82.
  134. Dannefaer S. Positron Annihilation in Colored and Uncolored KCl and NaCl: Dis. Doc. Phyl. Lyngby, Denmark, 1973. 118 p.
  135. К.П., Воробьев С. А., Прокопъев Е. П. Позитроника в радиационном материаловедении ионных структур и полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1983. 88 с.
  136. Д.И., Месяц Г. А., Наминов В. Л., Таванов Э. Г. Проводимость ионных диэлектриков при импульсном облучении электронными и рентгеновскими пучками средней плотности //ДАН СССР. 1982. Т. 265, № 5. С. 1113−1116.
  137. М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973.416 с.
  138. Ю.А., Крячков В. А., Пель Э. Г., Санжарлинский Н. Г. Токи, ограниченные пространственным зарядом, в синтетическом полупроводниковом алмазе//ФТП. 2000. Т.34, вып. 10. С. 1166−1169.
  139. A.C., Мильман И. П., Кортов B.C. Эффект Онзагера в люминесценции кристаллов А1203 //ФТТ. 1991. Т. 33, вып. 8. С. 2258−2262.
  140. КВ. Физика полупроводников. М.: Энергия, 1976. 416 с.
  141. Прикладная электролюминесценция / Под ред. М. В. Фока. М.: Сов. радио, 1974. 414 с.
  142. В.М., Корепанов В.К, Яковлев В. Ю. Эволюция первичной радиационной дефектности в ионных кристаллах // Изв. вузов. Физика. 1996. № 11. С. 5−29.
  143. Е.С., Чернов С. А., Яковлев В. Ю. Создание экситонов и дефектов в кристаллах Csl при импульсном электронном облучении//ФТТ. 1998. Т. 40. Вып. 4. С. 640−644.
  144. A.B. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М.: Наука, 1971. 480 с.
  145. В.А., Попов В. Г. Фотоэлектрические МДП-приборы. М.: Радио и связь, 1983. 160 с.
  146. В.А., Литовченко В. Г., Попов В. Г., Сукач Г. А. Фотоэлектрические методы определения электрических характеристик МДП систем// Полупроводниковая техника и микроэлектроника. 1973. № 12. С. 32−49.
  147. В.Г., Горбанъ А. П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник. Киев. Наукова думка, 1976.
  148. Н.Ф. Электронные элементы на основе структур полупроводник-диэлектрик. М.: Энергия, 1976. 183 с.
  149. Зц С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, Книга 1. 1984. 456 с.
  150. П.Г., Резников Б. И., Царенков Г. В. Фотоэффект в структуре металл-полупроводник-металл на основе высокоомного полупроводника//Физ. и техн. полупроводников. 1992. Т. 26, вып. 8. С.1480−1492.
  151. В.А., Бобкова Я. А., Куликов В. Д., Санников В. А. Обработка поверхности германия //Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1983. Вып.7. С.75−76.
  152. A.B., Давыдов В. Н. Фотоэлектрические МДП- структуры из узкозонных полупроводников. Томск: Радио и связь, 1990. 328 с.
  153. A.B., Коханенко А. П., Волошин В. О., Голъман М. Б. Радиационная физика узкозонных полупроводников. Алматы: изд-во «Гы-лым» (Наука), Казахстан, 1998. 260 с.
  154. A.B., Коханенко А. П. Фотоэлектрические и рекомби-национные свойства МЛЭ-структур на основе HgCdTeZ/Известия вузов. Материалы электронной техники. 2000. № 1. С. 65−68.
  155. СТ., Кораблев В. В., Немченок Р. Л. Влияние электронного облучения на потенциал поверхности полупроводников//ЖТФ. 1986. Т. 56, вып. 11. С. 2231−2233.
  156. Moore W., Silver M. I Поит. Chem. Phys. 1960. V.33. P. 1671.
  157. Г. И. Релаксация объемного заряда в диэлектриках, накопленного в результате облучения их электронами: Автореф. дис.. к. физ.-мат. наук. Свердловск, 1979. 21 с.
  158. А.И., Гильман А. Б., Жуков A.A., Кузнецов A.A. Оценка глубины распределения заряда, инжектированного из плазмы разряда постоянного тока в пленки полиамида и полиэтилентерефталата// Хим. выс. энергий. 2004. Т.38, № 5. С. 387−390.
  159. Куликов В Д. Ток проводимости в структуре металл-диэлектрик-металл // ЖТФ. 2004. Т.74, № 10. С. 122−127.
  160. Е. М. Mathcad 2000 Pro. M.: ДМК Пресс, 2001. 570 с.
  161. A.M., Минаев С. М. Электронный ток, ограниченный пространственным зарядом в нитевидных КВг. Деп. в ВИНИТИ № 8852-В86.
  162. Таблицы физических величин. Справочник /Под ред. И. К. Кикоина. М.: Атомиздат, 1976. 1005 с.
  163. Выработка стандартных справочных данных о диэлектрических свойствах веществ и материалов. Отчет, Иркутск. № Б984 632, 1981.
  164. Введение в радиационную физикохимию поверхности щелочно-галоидных кристаллов/А.Б. Александров, Э. Д. Алукер, И. А. Васильев, А. Ф. Нечаев, С. А. Чернов. Рига: Зинатне, 1989. 244 с.
  165. Г. А., Проскуровский Д. И. Импульсный электрический разряд в вакууме. Новосибирск: Наука, 1984. 256 с.
  166. К.А., Евдокимов O.E., Кононов Б. А. Радиационная диагностика электрических потенциалов. М.: Атомиздат, 1978. 87 с.
  167. В.Я. Электрическое старение и ресурс монолитной полимерной изоляции. М.: Энергоатомиздат, 1988. 152 с.
  168. В.Я. Изоляция установок высокого напряжения. М.: Энергоатомиздат, 1994. 496 с.
  169. А.Г., Громов В. В. Акустическое зондирование объемного электрического заряда в облученных диэлектриках //Химия высоких энергий. 1983. Т. 17, № 3. С. 223−232.
  170. А.Г., Громов В. В. Акустическое зондирование новый метод измерения электрического заряда и поля в объеме диэлектрика//Известия АН. Сер. Физическая. 1986. Т. 50. № 3. С. 446−454.
  171. С.М., Гефле О. С., Кузьмин А. Н., Ушаков В. Я. Устройство для акустического зондирования электрического поля в твердых диэлектриках //ГГГЭ 1988. № 6. С. 165−168.
  172. В.Н., Ильинский A.B. Прямое исследование распределения электрического поля в кристалле BinGeOio с помощью поперечного электрооптического эффекта//ФТТ. 1982. Т. 24, вып. 1. С. 108−115.
  173. В.Н., Ильинский A.B., Киселев В. А. Стратификация объемного заряда при экранировании поля в кристаллах// ФТТ. 1984. Т. 26, вып. 9. С. 2843−2851.
  174. A.C. О стратификации объемного заряда при переходных процессах в полупроводниках // ФТТ. 1986. Т. 28, вып. 7. С. 2083−2090.
  175. Е.В., Уваров В. Л., Савченко А. Н., Сафронов Б. Г. Поляриметрическое исследование профиля пространственного заряда в диэлектриках //Вопросы атомной науки и техники. Сер. Техника физического эксперимента. 1978. № 1. С. 55−57.
  176. O.E., Орлов В. Л. Влияние толщины образцов на релаксацию зарядов в полиметилметакрилате //Изв. вузов. Физика. 1979. № 12. С. 97−99.
  177. В.А. Воздействие быстрых электронов на объемный заряд в диэлектриках: Дис.. канд. физ.-мат. наук. Томск, 1984. 154 с.
  178. Hikita M., Zahn M., Wright К.A., Cooke С.M., Brennan J. II IEEE Trans. Electr. Insul. 1988. V. 23. № 5. P. 861.
  179. В.Д., Лисицын В.M. Пространственное распределение электрического поля в полупроводнике ZnSe при облучении импульсным электронным пучком. Деп. в ВИНИТИ 11.06.85 № 4084−85.
  180. В.Д. Пространственное распределение электрического поля и заряда в монокристаллическом ZnSe при импульсном электронном облучении // Изв. вуз. Физика. 1995. № 5. С. 26−34.
  181. Е.Р., Парыгин В. Н. Методы модуляции и сканирования света. М.: Наука, 1970. 295 с.
  182. А. Квантовая электроника. 2-е изд. М.: Сов. радио, 1980. 488 с.
  183. Т. Фотоупругие и электрооптические свойства кристаллов. М.: Мир, 1984. С. 462.
  184. Акустические кристаллы / Под ред. М. П. Шаскольской. М.: Наука, 1982. 632 с.
  185. C.B., Кузминых В. А. Пространственное распределениерадиационных дефектов, генерируемых сильноточным электронным пучком// Изв. вуз. Физика. 1982. № 2. С. 117−118.
  186. В.Ф., Глыбин В. Г., Толмачев В. М. Негомогенное распределение поглощенной энергии в высокоомных материалах при воздействии импульсного электронного пучка // ЖТФ. 1998. Т.68. № 4 С.53−59.
  187. Dow. J., Nablo S.V. Time resolved electron deposition studies at high dose rates in dielectrics //IEEE Trans. Nuci. Sei. 1967. V. NS-14, № 6. P. 231 236.
  188. Watson A., Dow. J. Emission processes accompanying megavolt electron irradiation dielectrics //J. of Appl. Phys. 1968. V. 39, № 13. P. 5935−5940.
  189. И.Н., Вайсбурд Д. И., Геринг Г. И. Мощная эмиссия при импульсном облучении диэлектриков электронными пучками большой плот-ности//Изв. Вузов. Физика. 1975. № 3. С. 157−158.
  190. И.Н., Вайсбурд Д. И., Геринг Г. И. Мощная пороговая эмиссия диэлектриков при облучении наносекундными электронными пучками большой плотности// Письма В ЖТФ. 1976. Т. 2, № 7. С. 327−330.
  191. Д.И., Твердохлебов С. И., Тухватуллин Т. А. Критическая (взрывная) электронная эмиссия из диэлектриков, индуцированная инжекцией плотного пучка электронов// Изв. вуз. Физика. 1997. № 11. С. 45−67.
  192. С.И. Критическая мощная электронной эмиссия из диэлектрика, индуцированная инжекцией плотного наносекундного пучка электронов: Автореф. дис.. канд. физ.-мат. наук. Томск, 1997. 30 с.
  193. С.Г. О способности диэлектриков накапливать электрический заряд при облучении ускоренными электронами//ЖТФ. 1984. Т. 54, вып. 12.1. С.2403−2505.
  194. Little R. P., Whitney W.T. Electron emission preceding electrical breakdown in vacuum // J. Appl. Phys. 1963. Vol. 34, № 8. P. 2430−2436.
  195. С.П., Месяц Г. А. Импульсный разряд по диэлектрику в вакууме/Импульсный разряд в диэлектриках / Под ред. Г. А. Месяца. Новосибирск: Наука, 1985. С. 4−25.
  196. С.П., Исколъдский A.M., Месяц Г. А. Исследование механизма импульсного пробоя по поверхности диэлектрика в вакууме// ЖТФ. 1967. Т.37. вып. 10. С.1855−1880.
  197. A.A., Малое М. Д. Поверхностный пробой диэлектриков в вакууме// ЖТФ. 1977. Т.47. вып. 8. С. 1703−1711.
  198. Н. Электрический разряд вдоль поверхности твердых диэлектриков в вакууме. Ташкент: Фан, 1985. 257 с.
  199. В.Ф. Неравновесные процессы в диэлектриках и полупроводниках при импульсном электронном возбуждении. Дис.. док. физ.-мат. наук. Томск, 2000. 240 с
  200. В.Д., Лисицын В. М. Рентгенолюминесценция ионных кристаллов в сильных электрических полях// ФТТ. 1995. Т. 37, вып. 8. С. 24 242 427.
  201. В.Д., Лисюк Ю. В. Моделирование процесса заряжения диэлектриков при электронном облучении с помощью эквивалентных схем // ЖТФ. 1993. Т. 63, вып. 7. С. 74−86.
  202. В.Д. Накопление электрических зарядов в диэлектриках при электронном облучении// Тез. докл. 6-й Межд. конф. «Радиационные гетерогенные процессы». Кемерово, 1995. Т.1. С. 106−107.
  203. В.Д. Заряжение высокоомных материалов при импульсном электронном облучении: Дис.. канд. физ.-мат. наук. Томск, 1989. 186 с.
  204. В.Д. Особенности заполнения центров захвата электронами в диэлектрических материалах при интенсивном электронном облучении //
  205. ЖТФ. 2007. Т.77, вып.5. С. 23−29.
  206. А.П. Прохождение сильноточного релятивистского электронного пучка через вещество // Изв. вузов СССР. Физика. 1979. № 9. С. 67−74.
  207. С.А., Яловец А. П. Особенности поглощения энергии в тонких слабопроводящих мишенях при их облучении мощным электронным пучком// Физ. и химия обраб. материалов. 1986. № 1. С.3−7.
  208. Д.Н., Тютнев А. П., Хатипов С. А., Саенко B.C., Пожи-даев ЕД Накопление объемных зарядов при облучении эпоксидного компаунда электронами в вакууме // Высокомолек. Соединения. Сер. А. 2003. Том. 45, № 2. С. 230−236.
  209. Д.Н., Тютнев А. П., Милехин Ю. М. Электризация поли-метилметакрилата при облучении высокоэнергетическими электронами // Химия высоких энергий. 2005. Том. 39, № 3. С. 183−189.
  210. В.К. Накопление и релаксация заряда в диэлектрике при электронно-лучевой обработке// Физ. и хим. обр. мат. 1997. № 5. С.45−48.
  211. А.И., Цепляев Л. И. Оптическое обесцвечивание радиацион-но-окрашенных стекол при имитации космических условий// Физ. и хим. обр. мат. 2004. № 6. С. 30−33.
  212. И.Г., Ханефт A.B. Влияние длительности переднего фронта импульса напряжения на электрический пробой монокристаллов перхлората аммония //ЖТФ. 2000. Т. 70, вып. 4. С. 4215.
  213. Ю.Н., Водичев A.B., Петрухновский С.ИЛ Докл. АН СССР. 1998. Т. 309, № 2. С. 346−350.
  214. Gaspari M.E. Directional breakdown in alkali halide crystals// Phys. Rev. 1955. Vol. 98. № 6. P. 1679−1691.
  215. Л. А. Фононные струи-каналы стримерного пробоя кристаллов // Письма в ЖЭТФ. 1983. Т. 38, вып. 5. С. 225−228.
  216. В.В. «Фокусировка фононов» и ориентация неполного электрического пробоя в щелочно-галоидных кристаллах//ЖТФ.1991. Т.61, вып. 10. С. 82−85.
  217. Е.И., Тополов В. Ю., Турик A.B. Внутренние механические напряжения и электрический пробой кристаллических диэлектриков// Кристаллография. 1992. Т.27, вып. 6. С.1572−1574.
  218. А.Л., Зубарев А. И., Шпак В. Г., Быков В. В. Формирование длинных неветвящихся каналов пробоя в щелочно-галоидных кристаллах // ЖТФ. 1990. Т. 60, вып. 11. С. 203−206.
  219. В.Л. О механизме стримерной стадии пробоя твердых ди-электриков//ЖТФ. 1987. Т. 57, вып. 10. С. 2004−2006.
  220. В.Р., Лопатин В. В., Носков М. Д. Фрактальная модель трансформации разрядных структур в диэлектриках// Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18, вып. 19. С. 71−73.
  221. В.А., Окунев А. О., Дикун Д. Е. Направленные эффекты пробоя в кристаллах карбида кремния//Физ. и хим. обр. мат. 1999. № 6, С.63−67.
  222. А.И., Тютрин Ю. И. Электрический пробой радиационно-заряженных стекол определяется ступенчатым механизмом прорастания разрядных каналов// Физ. и хим. обр. мат. 2000. № 1. С. 44−46.
  223. Ю.В., Глебовский П. А. Критерий инкубационного времени в задачах импульсного разрушения и электрического пробоя//ЖТФ. 2004. Т.74, вып. 11. С. 53−57.
  224. Ю.Н., Ильичев Д. С. Морозов П.А. Влияние ударного сжатия твердых диэлектриков на процесс инжекции валентных электронов всильных электрических полях// ЖТФ. 2000. Т.70, вып.1. С. 85−87.
  225. Ю.Н., Плешанов A.C. О природе минимума вольт-секундной характеристики при пробое диэлектриков// Электричество. 1988. № 12. С. 54−57.
  226. Е.Ю., Иванов A.B., Левицкий P.C. Предпробойная генерация неравновесных электрон-дырочных пар. Эффект многофотоннай лавины// ЖЭТФ. 2005. Т. 128, вып. 2(8). С. 411−421.
  227. С.Г. К теории электрического пробоя диэлектриков// Вопросы атомной науки и техники. Сер. Теоретической и прикладной физики. 1989. Вып.2. С. 21−29.
  228. Г. А., Дацко Л. С., Дружинин А. П., Еханин С. Г., Морев С. Н., Несмелое Н. С. Эмиссия горячих электронов из тонких монокристаллических слоев ЩГК// ФТТ. 1978. Т.20, вып.4. С. 1059−1061.
  229. Г. А., Несмелое Н. С. Электрический пробой твердых диэлектриков// Изв. вузов. Физика. 1979. № 1. С. 90−104.
  230. Г. А., Еханин С. Г., Несмелое Н. С. Физика твердых диэлектриков, область сверхсильных электрических полей// Изв. вузов. Физика. 2000. № 8. С.26−35.
  231. С.Г., Несмелое Н. С., Солдатов Л. Ю. Влияние радиационных дефектов на электрическую прочность ЩГК//Труды 2 Межд. конф. Радиа-ционно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах. Томск. 2000. С. 95−296.
  232. С.Г., Несмелое Н. С., Солдатов Л. Ю. Механизмы генерации точечных дефектов в ЩГК в сверхсильном электрическом поле//Труды 3 Межд. конф. Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах. Томск. 2002. С. 295−296.
  233. С.Г. Дефектообразование, ударная ионизация и электрическая прочность микронных слоев щелочно-галоидных кристаллов. Автореф. дис.. док. физ.-мат. наук. Томск, 2002. 43 с.
  234. Г. А., Еханин С. Г., Несмелое Н. С. Электрический пробой твердых диэлектриков // ФТТ. 2005. Т.47, вып. 6. С. 1048−1052.
  235. А.А. Электрический пробой деформированных кристаллических диэлектриков// Труды СФТИ. 1945. Т. 6, вып. 2. С. 37−52.
  236. В.Д. Пробой ионных кристаллов в импульсных электрических полях. Деп. в. ВИНИТИ 29.06.99 № 2124-В99.
  237. В.Д. О механизме стримерной стадии пробоя кристаллических диэлектриков // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26, вып. 4. С. 77−82.
  238. Kulikov V.D. Breakdown of crystal dielectrics in pulse electrical fields. //th
  239. Proceedings of 11 International conference on Radiation physics and chemistry of condensed matter. Tomsk. Russia. 2000. P. 356−357.
  240. Kulikov V.D. The streamer stage of crystal dielectrics breakdown// Proceedings of «4th International conference on Electric Charges in Non-Conductive Materials. (France). 2001. P. 396−399.
  241. В.Д. Генерация носителей заряда в кристалле КВг в пред-пробойных импульсных электрических полях// Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28, вып. 3. С. 36−41.
  242. В.Д. Исследование механизма электрического пробоя ионных кристаллов в наносекундном диапазоне// ЖТФ. 2003. Т. 73, вып. 12. С. 26−30.
  243. В.В., Алешин В. Г. Электронная спектроскопия кристаллов. Киев: Наукова думка, 1976. 336 с.
  244. Ю.Н. Исследование электронной структуры и химической связи рядов преимущественно ионных и ионно-молекулярных кристаллов по методу подрешеток. Дис.. док. физ.-мат. наук. Кемерово, 2003. 375 с.
  245. Э.С. Эффект Оже. Ташкент: Фан, 1969. С. 191.
  246. .Г., Раджабов Ш. С., Саидханова Н. Г. Эмиссия многозарядных ионов с кристаллов КС1, КВг, LiF при электронном облучении// Изв. АН Сер. Физическая. 1998. Т.62, № 10. С.1935−1938.
  247. Perry F. L. Thermoelastik dosimetry of relativistic electron beams // Appl. Phys. Lett. 1970. Vol. 17. P. 408 411.
  248. Oswald R.B., McLean Ir.F.B., Schailhorn D.R., Buxton L.D. One-Dimensional Termoelastic response of solid to pulsed energy deposition // J. Appl. Phys. 1971.Vol. 42, № 9. P. 5463 3473.
  249. А.И., Лазурик-Элъцуфин В. Т. Возбуждение акустических колебаний пучком заряженных частиц//ЖЭТФ. 1973. Т. 65. С. 23 642 368.
  250. В.Д., Иванов С.И К вопросу о термоупругой дозиметрии пучков заряженных частиц//ЖТФ. 1975. №. 5. С. 1789−1791.
  251. A.M. Воловик В. Д., Петренко В. В., Пономарев В. Н. Возбуждение упругих волн потоками заряженных частиц в твердых телах//ФТТ. 1977.Т. 19, вып. 1. С. 320−321.
  252. А.И., Селезнев С. Б., Когай Л. И. Влияния условий ввода энергии на механические повреждения твердых тел различных классов мощными импульсными пучками электронов// Физ. и хим. обр. мат. 1982. № 2 С. 15−23.
  253. Голота В. Н, Карась В. Н О механизмах возбуждения упругих колебаний в веществе пучками заряженных частиц// Укр. физ. журн. 1985. Т.30, № 7. С. 1093−1097.
  254. А.Ф., Бушман A.B., Демидов Б. А. и др. Исследование динамики ударных волн, возбуждаемых сильноточным релятивистским электронным пучком в алюминиевых мишенях//ЖЭТФ. 1985. Т.85, вып.З. С. 852−860.
  255. А.Ф., Бушман A.B., Демидов Б. А. и др. Влияние размеразоны поглощения энергии на характеристики ударных волн, возбуждаемых сильноточным релятивистским электронным пучком в металлических ми-шенях//ЖЭТФ. 1986. Т.91, вып.5. С. 1762−1765.
  256. Л.М., Челноков Б. И. О некоторых особенностях генерации звука проникающим излучением в твердом теле// Письма в ЖТФ. 1982. Т.8, вып. 19. С. 1189−1192.
  257. Л.М., Челноков Б. И. Генерация звука в твердом теле проникающим излучением // Акуст. Журнал. 1983. Т. 29. № 3. С. 372−381.
  258. Л.М. Радиационная акустика. М.: Наука, 1996. 304 с.
  259. Я.Б., Райзер Ю. П. Физика ударных волн и высокотемпературных гидродинамических явлений. М.: Наука, 1966. 686 с.
  260. A.A. Механические и тепловые свойства щелочно-галоидных монокристаллов. М.: Высшая школа, 1968. 270 с.
  261. В.Н. Акустический параметр Грюнайзена твердых тел // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30, вып. 3. С. 14−19.
  262. Д.И., Матлис С. Б., Суржиков В. П., Оке Е.М., Щанин U.M. Зависимость среднего порога хрупкого разрушения кристаллов KCl электронным пучком от длительности импульса облучения// ЖТФ. 1986. Т. 56, вып. 10. С. 2049−2050.
  263. В.И., Геринг Г. И., Елисеев H.A. Роль статических и динамических напряжений при электронном разрушении твердых тел//ЖТФ. 1986. Т. 56, вып.11. С. 2228−2231.
  264. В.Д., Лисицын В. М. Поляризационно-оптическая регистрация акустических волн, генерированных сильными электронными пучками в твердых телах (КС1)//ЖТФ. 1983. Т. 53, вып. 12. С. 2417−2419.
  265. В.Д., Лисицын В. М. Распределение энергии импульсного электронного пучка в щелочно-галоидных кристаллах//Тез. док. 5 Всес. конф. По радиационной физике и химии ионных кристаллов. Рига. 1983. 4.2. С. 480.
  266. В.Д. Акустическая дозиметрия поглощенной энергии импульсного электронного пучка// Химия высоких энергий. 1994. № 2. С. 105−113.
  267. Куликов В. Д, Лисицын В. М. Пространственное распределение ко-роткоживущих центров окраски, генерированных сильноточным электронным пучком в щелочно-галоидных кристаллах. Деп. в ВИНИТИ 20.05.83, № 2714−83 Деп.
  268. В.Д. Возбуждение акустических волн импульсным электронным пучком в широкозонных полупроводниках// Тез. докл. II Всесоюз. конф. «Модификация свойств конструкционных материалов пучками заряженных частиц». Свердловск, 1991. Т. 2. С. 112−113.
  269. Куликов В Д., Ципилев В. П. Прохождение акустических волн высокой интенсивности через границу раздела сред// Тез. докл. IV Всесоюз. конф. «Модификация свойств конструкционных материалов пучками заряженных частиц». Томск, 1996. С. 338.
  270. В.В., Куликов В. Д., Чернов С. А. Радиационная тряска и макроакустические волны в щелочно-галоидных кристаллах//ФТТ. 1990. Т. 32, № 4. С. 1124−1127.
  271. Е.А., Хохлов Р. В. Квазиплоские волны в нелинейной акустике ограниченных пучков //Акуст. ж. 1969. № 5. С. 40−47.
  272. Физическая акустика /Под ред. У. Мэзона. М.: Мир, 1967. T. I. ч. Б. 321 с.
  273. A.A., Кузьминых В. А., Воробьев С. А., Плотников C.B. Генерация вторичных электронов и радиационных дефектов в веществе при поглощении электронов с энергией выше 1 МэВ //Изв. вузов. Физика. 1977.2754. С. 105—X11.
  274. Ю.П. Релаксация упругих постоянных алюминия вблизи поверхности ударного нагружения // Письма в ЖТФ. 1983.Т. 9, вып. 23. С. 1418−1422.
  275. Курс физики / Под ред. Н. Д. Папалекси. М.: ОГИЗ, 1948.Т. 1. 600 с.
  276. Куликов В Д. Электризация высокоомных материалов в мощных по лях импульсной радиации. Томск: Изд. ТГУ, 2004. 176 с.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?