Влияние субмонослойных металлических пленок на работу выхода полупроводниковых материалов
Следствием такой иерархии взаимодействий является также принятое в работе бесструктурное приближение, учитывающее лишь плотность адатомов в слое, но не его реальную кристаллографию. Действительно, диполь-дипольное взаимодействие пропорционально р~2 (радиус р определяет местоположение адатома) и, в среднем, слабо зависит от геометрических особенностей субмонослойной пленки. (То же самое, вообще… Читать ещё >
Содержание
- Некоторые обозначения
- ГЛАВА 1. Изменение работы выхода полупроводниковых подложек при адсорбции металлических атомов
- 1. 1. Работа выхода как основная макроскопическая характеристика адсорбционной системы
- 1. 2. Взаимодействие атомов в адсорбированных слоях и его влияние на работу выхода
- 1. 2. Кристаллографическая и электронная структуры чистых граней кремния, арсенида галлия и диоксида титана
- 1. 4. Постановка задачи
- ГЛАВА 2. Адсорбция атомов щелочных металлов на кремнии и арсениде галлия
- 2. 1. Формулировка модели
- 2. 2. Адсорбция 1л, N8, К, ЯЬ и Се на (100)
- 2. 3. Адсорбция Се на ОаАэ (100) и К, Шэ и Се на ОаАз (110). 62 Краткие
- выводы
- ГЛАВА 3. Адсорбция бария и редкоземельных атомов на кремнии и ванадия на диоксиде титана
- 3. 1. Адсорбция Ва на 81(111)
- 3. 2. Адсорбция Бш, Ей и УЬ на 81(111)
- 3. 3. Адсорбция V на ТЮ2(110)
- Краткие
- выводы
ГЛАВА 4. Зависимость зарядов, сдвигов квазиуровней адатомов и времен жизни электрона на адатоме от степени покрытия. Энергетические барьеры для переходов электронов с адатома в подложку и на соседний адатом (обзор результатов Гл. 2 и 3).
4.1. Зависимость заряда адатома от степени покрытия.
4.2. Зависимости сдвигов квазиуровней адатомов и времен жизни электрона на адатоме от степени покрытия.
4.3. Оценки высоты энергетических барьеров для перехода электрона с адатома в подложку и на соседний адатом.
ГЛАВА 5. Некоторые вопросы физики субмонослойных металлических покрытий на полупроводниковых субстратах.
5.1. Об условиях появления минимума на зависимости работы выхода от степени покрытия.
5.2 Влияние температуры на адсорбцию редкоземельных атомов на поверхностиSi (111).
5.3 Связь электронного состояния субмонослойной металлической пленки с высотой барьера Шоттки и величиной изгиба зон.
5.4. Заряд изолированного адатома в рамках модели связывающих орбиталей Харрисона.
Список литературы
- Monch, W. On the physics of metal-semiconductor interface / W. Monch // Rep. Prog. Phys. -1990. V.53, N. 3. — P.221 — 278.
- Physics and Chemistry of Alkali Metal Adsorption / H.P. Bonzel, A.M. Bradshaw, G. Ertl // Amsterdam. Elsevier, 1989. — 28lp.
- Бехштедт, Ф. Поверхности и границы раздела полупроводников / Ф. Бехштедт, Р.Эндерлейн. М.: Мир, 1990. — 488 с.
- Pick, S. Instabilities and reconstructions on solid surfaces: basic theoretical notions and examples / S. Pick // Surf. Sei. Rep. 1990. — V. 12, N. 3. — P. 99 -131.
- Srivastava, G.P. Theory of semiconductor surface reconstruction / G.P.Srivastava // Rep. Prog. Phys. 1997. — V.60, N. 5. — P.561 — 613.
- Haneman, D. Surface of silicon / D. Haneman // Rep. Prog. Phys. 1987. — V.50, N.8.-P.1045- 1086.
- Schmidt, W.G. Adsorption of group V elements on III-V (110) surface / W.G. Schmidt, F. Bechstedt, G. Srivastava // Surf. Sei. Rep. — 1996. — V.25, N.2. — P. 141 223.
- Henrich, V.E. The Surface Science of Metal Oxides / V.E. Henrich, P.A. Cox // Cambridge. Cambridge University Press, 1994. — 464 p.
- Diedold U. The surface science of titanum dioxide / U. Diedold // Surf. Sei. Rep. 2003. — V.48, N. 2. — P. 53 — 229.
- Добрецов, JI.H., Эмиссионная электроника / Jl.H. Добрецов, M.B. Гомоюнова. M.: Наука, 1966.
- Фоменко, B.C. Эмиссионные свойства материалов: Справочник. / B.C. Фоменко. -4-е изд. Киев: Наукова Думка, 1981.
- Зандберг, Э.Я. Поверхностная ионизация / Э. Я. Зандберг, Н. И Ионов. -М.: Наука, 1969.
- Вудраф, Д. Современные методы исследования поверхности / Д. Вудраф, Т. Делчар. М.: Мир, 1989. — 564 с.
- Wigner, Е. Theory of work functions of monovalent metals / E. Wigner, J.
- Bardeen // Phys. Rev. 1935. V.48, N.l. — P.84 — 87.
- Bardeen, J. Theory of work function / J. Bardeen // Phys. Rev.- 1936. V.49, N9. P.653 — 663.
- Lang, N.D. The Density-Functional Formalism and the Electronic Structure of Metal Surfaces / N.D. Lang, H. Ehrenreich, F. Seitz, D. Turnbull // Solid State Physics. 1973. — V.28, P.225 — 300.
- Теория хемосорбции. M.: Наука, 1983. -334 с.
- Feibelman, P.J. Static quantum-size effects in thin crystalline, simple-metal 1* films / P.J.Feibelman // Phys. Rev. B. 1983. — V. 27, N. 4. — P. 1991 — 1996.
- Halas S., Durakiewicz T. // J. Phys.: Condens. Matter. 1998. V.22, — P. 10 815 — 10 826.
- Киреев, П.С. Физика полупроводников / П. С. Киреев. М.: Высшая школа, 1969. — 592 с.
- Харрисон, У. Теория твердого тела / У. Харрисон, — М.: Мир, 1972. 616 с.
- Каллуэй, Дж. Теория энергетической зонной структуры / Дж. Каллуэй. -М.: Мир, 1969.-360 с.
- Харрисон, У. Электронная структура и свойства твердых тел / У. ** Харрисон. М.: Мир, 1983. — Т. 1. — 383 с.
- Adamowitcz, L. LMTO calculations of surface energy and work function for GaAs / L. Adamowitcz, M. Zbroszczyk // Surf. Sci. 1996. — V. 352−354, N. 3. — P. 730 — 733.
- Harrison, W.A. Theory of two-center bond / W.A.Harrison// Phys. Rev. B. -1983. Vol.27, N6.-P.3592.
- Олфрей, Г. Ф. Физическая электроника / Г. Ф. Олфрей. М.: Мир, 1966.
- Grimley, Т.В. The electron density in metal near a chemisorbed atom or molecule / T.B.Grimley // Proc. Phys. Soc. 1967. — V. 92, N.577. — P.776 — 782.
- Bennet, A.J. Theory of electronic configuration of a metallic surface -adsorbate system / A.J.Bennet, L.M.Falicov // Phys. Rev. 1966. V.151, N 2. -P.512−520.
- Gadzuk, J.W. Approach to alkali metal chemisorption within the Anderson model / J.W.Gadzuk, J.K.Hartman, T.N.Rhodin // Phys. Rev. B. — 1971.- V.4, N. 2. -P. 241 -255.
- Anderson, P.W. Localized magnetic states in metals / P.W.Anderson // Phys. Rev. 1961. — V.124, N.l. — P.41 — 53.
- Newns, D.M. Self-consistent model of hydrogen chemisorption / D.M.Newns // Phys. Rev. -1969. V. 178, N. 3. — P. 1123 — 1135.
- Киттель, Ч. Квантовая теория твердых тел / Ч. Киттель.- М.: Наука, 1967. -491 с.
- Haldane, F.D.M. Simple model of multiple charge states of transition-metal impurities in semiconductors / F.D.M.Haldane, P.W.Anderson // Phys. Rev. B. -1976. V.13, N.6. — P.2553 — 2559.
- Давыдов, С.Ю. Роль дефектов в формировании локальных состояний, наведенных атомами, адсорбированными на поверхности полупроводников / С. Ю. Давыдов // Физика и Техника Полупроводников. 1997. — Т.31, Вып. 10. -С.1236- 1241.
- Браун, О.М. Взаимодействие между частицами, адсорбированными на поверхности металлов / О. М. Браун, В. К. Медведев // Успехи Физической Науки. 1989. — Т. 157, Вып.4.- С. 631 — 666.
- Muscat, J.P. Atomic theory of work-function variation in alkali adsorption on transition metals / J.P.Muscat, D.M.Newns // J. Phys. C. 1974. — V.7, N. l5. -P.2630 — 2644.
- May, J.W. Ionic monolayers on metals. II. Neutral mixed layers and surface reconstruction / J.W.May, C.E.Carrol // Surf. Sci. 1972. — Vol.29, N 1. — P.85 -113.
- Большое, Л.А. Монослойные пленки на поверхности металлов / JI.A. Большое, А. П. Напартович, А. Г. Наумовец // Успехи физической науки. -1977. Т. 122, Вып. 1. — С.125 — 145.
- Davydov, S.Y. On the specific features of work function coverage dependence for Na adatoms on the Cs substrate / S.Y.Davydov // Appl. Surf. Sci. 1999. -Vol.140, N 1.-P.52−57.
- Займан, Дж. Принципы теории твердого тела / Дж. Займан. М.: Мир, 1972.-472 с.
- Давыдов, С.Ю. Косвенное взаимодействие атомов в упорядоченных и аморфных слоях, адсорбированных на поверхности металлов / С. Ю. Давыдов // Физика Металлов и Металловедения. 1979. — Т.47, Вып.З. — С.481 -486.
- Давыдов, С.Ю. Электронное состояние адатомов при больших концентрациях /С.Ю.Давыдов // Физика Твердого Тела. 1978. — Т.20, Вып.6. -С.1752- 1757.
- Over, Н. Surface atomic geometry of Si (001)-(2xl): A low-energy electron-diffraction structure analysis / H. Over, J. Wasserfall, W. Ranke, C. Ambiatello, R. Sawizki, D. Wolf, W. Moritz // Phys. Rev. B. 1997. — V.55, N.7. — P.4731 -4736.
- Kriiger, P. Dimer reconstruction of Diamond, Si, and Ge (001) surfaces / P. Krtiger, J. Pollman // Phys. Rev. Lett. 1995. — V.74, N.7. — P. l 155 — 1158.
- Jeon, D. Structural and electronic properties of ordered single and multiple layers of Na on Si (lll) surface / D. Jeon, T. Hashizume, T. Sakurai, R.F.Willis // Phys. Rev. Lett. 1992. — V.69, N.9. — P.1419 — 1422.
- Erwin, S.C. New Structural model for alkali-induced Si (lll)-(3xl) reconstruction from first principles / S.C.Erwin // Phys. Rev. Lett. 1995. — V.75, N.10.-P.1973 — 1976.
- Jeong, S. Buckled reconstruction of alkali-metal (Na, K)-adsorbed Si (lll)-(3×1) surfaces / S. Jeong, M.-H.Kang // Phys. Rev. B. 1996. — V.54, N.ll. -P.8196 — 8201.
- Lottermoser, L. New bonding configuration on Si (lll) and Ge (lll) surface induced by the adsorption of alkali metals / L. Lottermoser, E. Landemark, D.-M. Smilgles // Phys. Rev. Lett. 1998. — V.80, N.18. — P.3980 — 3983.
- Schmidt, W.G. GaAs (OOl) surface reconstructions: geometries, chemical bonding and optical properties / W.G.Schmidt, F. Bechstedt, J. Bernhole // Appl. Surf. Sci. 2002. — V.190, N/1−3/. — P.264 — 268.
- Cakmak, M. Ab initio study of adsorption of Se on the Si (001) surface /
- M.Cakmak, G.P.Srivastava, S. Ellialtioglu, K. Colakoglu // Surf. Sci. 2002. -V.507−510, N.1.-P.29−33.
- Wang, G.M. Interaction of silver adatoms and dimers with graphit surfaces / G.M.Wang, J.J.BelBruno, S.D.Kenny, R. Smith // Surf. Sci. 2002. — V.541, N.I.-P.91 — 100.
- Cakmak, M. Adsorption of GeH2 on the Si (001) surface / M. Cakmak, G.P.Srivastava // Surf. Sci. 2001. — V.482−485, N. 1. — P.26 -31.
- Seino, K. Structure and energetics of Ga-rich GaAs (OOl) surfaces / K. Seino, * W.G.Schmidt, F. Bechstedt, J. Bernhole // Surf. Sci. 2002. — V.507−510, N. l-3.1. P.406 410.
- Calzolari, A. First-principle investigation of the formation of Cs dimer chains upon adsorption on InAs (llO) / A. Calzolari, C.A.Pignedoli, R. DiFelice, C.M. Bertoni, A. Catellani // Surf. Sci. 2000. — V.454−456, N. l-3. — P.207 — 212.
- Gay, S.C.A. Ab initio investigation of Bi-covered GaSb (llO) surfaces / S.C.A.Gay, G.P.Srivastava // Phys. Rev. B. 2000. — V.61, N.4. — P.2688 — 2698.
- Schmidt, W.G. Atomic structure of InP (001)-(2×4): A dimer reconstruction / W.G.Schmidt, F. Bechstedt, N. Esser, M. Pristovsek, Ch. Schultz, W. Richter // Phys. Rev. B. 1998. — V.57, N.23. — P.14 596 — 14 599.
- Sohn, S.H. Charge transfer in core-level shifts at (110) surfaces of compound semiconductors / S.H.Sohn, K.S.Sohn // Surf. Sci. 2000. — V.461, N. l-3. — P.208 -212.
- Afanasieva, T.V. Adsorption of V-group elements and oxygen on Si (001)2xl surface / T.V.Afanasieva, I.F.Koval, N.G.Nakhodkin // Surf. Sci. 2002. — V.507−510, N. l-3.-P.787−794.
- Давыдов, С.Ю. К расчету изменения работы выхода при адсорбции металлических атомов на полупроводниках / С. Ю. Давыдов, А. В. Павлык // Физика и Техника Полупроводников. 2001. — Т.35, Вып.7. -С.831 — 834.
- Ortega, J.E. Cs and О adsorption on Si (100) 2×1: Amodel system for promoted oxidation of semiconductors / J.E.Ortega, E.M.Oellig, J. Ferron, R. Miranda // Phys. Rev. B. 1987.- V.36, N.ll. — P.6213 -6216.
- Ishida, H. Coverage dependence of electronic structure of potassium adatoms on the Si (001)-(2×1) surface / H. Ishida, K. Terakura // Phys. Rev. B. 1989. -V.40,N.17. — P.11 519 — 11 535.
- Kato, T. Coverage dependence of density of states and work function of a random adsorbate-substrate system: application to alkali-metal / Si (001)2×1 surface / T. Kato, K. Ohtomi, M. Nakayama // Surf. Sci. 1989. — V.209, N 1. -P.131 -150.
- Tikhov, M. Sodium adsorption on Si (001)-(2×1) surface / M. Tikhov, G. Boishin, L. Surnev // Surf. Sci. 1991. — V. 241, N.l. — P. 103 — 110.
- Johanson, L.S.O. Electronic structure of the Na-adsorbed Si (100)2xl surface studied by inverse and direct angle-resolved photoemission / L.S.O.Johanson, B. Reihl // Phys. Rev. B. 1993. — V.47, N.3. — P.1401 — 1406.
- Ко, Y.-J. Atomic structure of Na-adsorbed Si (100) surfaces / Y.-J.Ko, K.J.Chang // Phys. Rev. B. 1995. — V.51, N.7. — P.4329 — 4335.
- Kim, C.Y. Lithium-induced reconstructions of the Si (001) surface / C.Y.Kim, K.S.Shin, K.D.Lee, J.W.Chung // Surf. Sci. 1995. — V. 324, N. l/2. — P.8 — 16.
- Klein, H. Mean residence time of Li atoms adsorbed on Si (100) and Si (lll) surfaces / H. Klein, M. Eckhardt, D. Fick // Surf. Sci. 1995. — V.329, N. l/2. — P.7176.
- Chao, Y.-C. Coverage-dependent study of the Cs/ Si (100) 2×1 surface using photoelectron spectroscopy / Y.-C.Chao, L.S.O.Johanson, R.I.G.Uhrberg // Phys. Rev. B. 1996. — V.54, N.8. — P.5901 — 5907.
- Ko, Y.-J. Atomic and electronic structure of Li-adsorbed Si (100) surfaces / Y.-J.Ko, KJ. Chang, J.-Y.Yi // Phys. Rev. B. 1997. — V.56, N.15. — P.9575 — 9582.
- Chao, Y.-C. Coverage-dependent study of the Cs/ Si (100) 2×1 surface using ^ photoelectron spectroscopy / Y.-C.Chao, L.S.O.Johanson, R.I.G.Uhrberg // Phys.
- Rev. B. 1997. -V.55,N.ll. — P.7198 — 7205.
- Chao, Y.-C. Adsorption of Rb on Si (100) 2×1 at room temperature studied with photoelectron spectroscopy / Y.-C.Chao, L.S.O.Johanson, R.I.G.Uhrberg // Appl. Surf. Sci. 1998. — V.123/124, N.l. — P.76 — 81.
- Johanson, L.S.O. Electronic structure of the Rb-adsorbed Si (100)2×1 surface studied by direct and inverse angle-resolved photoemission / L.S.O.Johanson, T. Diitemeyer, L. Duda, B. Reihl // Phys. Rev. B. 1998. — V.58, N.8. — P.5001 -5008.
- Kan, T. Secondary ion emission processes of sputtered alkali ions from alkali/Si (100) and Si (lll) / T. Kan, K. Mitsukawa, T. Ueyama, M. Takada, T. Yasue, T. Koshikawa // Surf. Sci. 2000. — V. 460, N. l-3. — P. 214 — 222.
- Sakamoto, K. Photoemission study of the Si (lll) 3×1 surface / K. Sakamoto, V' T. Okuda, H. Nashimoto, H. Daimon, S. Suga, T. Kinoshita, A. Kakizaki // Phys. Rev.
- B. 1994. — V.50, N.3. — P.1725 — 1732.
- Ч-S 76. Komai, M. Microscopical analysis of structure and work function of Bacovered Si (l 1 l)-(7×7) surface / M. Komai, M. Sasaki, R. Ozawa, S. Yamamoto // Appl. Surf. Sci. 1999. — V.146, N. l-3. — P.158 — 161.
- Kamaratos, M. Interaction of Cs with the GaAs (lOO) surface / M. Kamaratos, E. Bauer// J. Appl. Phys.- 1991. V.70, N.12. — P.7564 — 7572.
- Yamada, K. Co-adsorption of cesium and oxygen on GaAs (OOl) surfaces studied by metastable de-exitation spectroscopy / K. Yamada, J. Asanari, M. Naitoh, S. Nishigaki // Surf. Sci. 1998. — V. 402, N. l-3. — P.683 — 686.
- Derrien, J. Adsorption of cesium on gallium arsenide (110) / J. Derrien, ^ A. D'Avitaya // Surf. Sci. 1977. — V.65, N.3. — P.668 — 686.
- Ortega, J.E. Growth of K, Rb and Cs on GaAs (l 10) / J.E.Ortega, R. Miranda // Appl. Surf. Sci. 1992. — V. 56−58, N. l/2. — P.211 — 217.
- Kim, J.W. Surface electronic properties of Na/Ge (l 1 l)-3xl / J.W.Kim, J. Seo, S. Kim // Surf. Sci. 1996. — V. 351, N. l-3. — P. L239 — L244.
- Osterlund, L. Potassium adsorption on graphite (0001) / L. Osterlund, D.V.Chakarov, B. Kasemo // Surf. Sci. 1999. — V.420, N. l-3. — P. 174 — 189.
- Кравчино, T.B. Термически активированные процессы перестройки в тонкопленочных структурах Yb-Si(lll) / Т. В. Кравчино, М. В. Кузьмин, М. В. Логинов, М. А. Митцев // Физика Твердого Тела. 1997. Т.39, Вып.9. -С.1672- 1678.
- Кравчино, Т.В. Влияние температуры и степени покрытия на взаимодействие самария с поверхностью Si(lll) / Т. В. Кравчино, М. В. Кузьмин, М. В. Логинов, М. А. Митцев // Физика Твердого Тела. 1998. -Т.40, Вып.10.-С.1937- 1944.
- Кравчино, Т.В. Адсорбционная стадия формирования тонкопленочных структур Eu Si(lll) / Т. В. Кравчино., М. В. Кузьмин, М. В. Логинов, х М. А. Митцев // Физика Твердого Тела.- 2000. Т.42, Вып.З. С. 553 — 563.
- Onishi, Н. Modification of surface electronic structure on ТЮ2(110) and Ti02(441) by Na deposition / H. Onishi, T. Aruga, C. Egawa, Y. Iwasawa // Surf. Sci.- 1988.-V. 199, N.l. P.54 — 66.
- Casanova, R. Potassium adsorption on ТЮ2(100) / R. Casanova, K. Prabhakaran, G. Thornton // J. Phys.: Condens. Matter. 1991. — V.3, N.l. -P.S91 — S92.
- Phys. Rev. В. 1992.- V.55, N.3. — P.1844 — 1851.
- Zhang, Z. Adsorption of vanadium on the Ti02(l 10) / Z. Zhang, V.E.Heinrich // Surf. Sci. 1992. — V.227. N. l-3. — P.263 — 272.
- Давыдов, С.Ю. Зависимость электронного состояния адатомов от их ^ концентрации / С. Ю. Давыдов // Физика Твердого Тела. 1977.- Т. 19, Вып.11.- С.3376 3380.
- Gadzuk, J.W. Resonance-tunneling spectroscopy of atoms adsorbed on metal surfaces. Theory / J.W.Gadzuk // Phys. Rev. B. 1970. — V. l, N.5. — P.2110 -2129.
- Сивухин, Д.В. Общий курс физики. Т. III. Электричество. Часть первая / Д. В. Сивухин. М.: Наука, 1996. -320 с.
- Физические величины: Справочник. М.: Энергоатомиздат, 1991. -1232 с. ^ 97. Давыдов, С. Ю. Переходы металл — полупроводник, вызванныеадсорбцией щелочных металлов на поверхности (001) кремния /
- И С. Ю. Давыдов // Физика Твердого Тела. 2000. — Т.42, — Вып.6. — С. 1129 -1133.
- Давыдов, С.Ю. Приближение когерентного потенциала в задаче об адсорбции / С. Ю. Давыдов // Физика Твердого Тела. 1978. — Т.20, Вып.7. -С.1998 — 2001.
- Давыдов С.Ю. О неоднородном зарядовом упорядочении в адсорбированном слое / С. Ю. Давыдов // Физика Твердого Тела. 1979. — Т.21, Вып.8. — С.2283 -2291.
- Davydov, S.Y. On the concentration dependence of alkali metal desorption f*4 from the oxygen monolayer-covered tungsten surface / S.Y.Davydov // Surf. Sci.1998. V.407, N. l-3. — P. L652 — L656.
- Davydov S.Y. Universal features of the concentration dependence of alkali ions desorption induced by electronic transitions // Surf. Sci. 1998. — V.411, N. l-3. — P. L878 — L881.
- Давыдов, С.Ю. О магнитной структуре адсорбированного слоя / С. Ю. Давыдов, А. П. Попов, В. И. Троян // Физика Металлов и Металловедения. -1981. Т.51, Вып.1. — С.25 — 29.
- Давыдов, С.Ю. Адсорбция щелочных металлов на поверхности (100) ^ кремния: расчет заряда адатомов и работы выхода / С. Ю. Давыдов,
- А.В.Павлык // Журнал Технической Физики. 2004. — Т.74, Вып.8. — С.95 — 99.
- Киттель, Ч. Введение в физику твердого тела / Ч.Киттель. М.: Наука, -1978.-702 с.
- Давыдов, С.Ю. Адсорбция атомов щелочных металлов на поверхности арсенида галлия / С. Ю. Давыдов, А. В. Павлык // Журнал Технической Физики. 2004. — Т.74, Вып.4. — С.98 — 101.
- Давыдов, С.Ю. О концентрационной деполяризации адатомов /, С. Ю. Давыдов // Поверхность.-1991. Вып.8. — С. 17.
- И 107. Klepeis, J.E. Electronic structure of small coverages of column III metals on silicon (100) / J.E.Klepeis, W.A.Harrison // J. Vac. Sci. Technol. B. 1988. — V.6, N.4. -P.1315- 1319.
- Klepeis, J.E. Charge-state-dependent atomic geometries for isolated metal adatoms on GaAs (llO) / J.E.Klepeis, W.A.Harrison // Phys. Rev. B. 1989. -V.40, N.8.-P. 5810−5813.
- Давыдов, С.Ю. Адсорбция редкоземельных металлов на кремнии: изменение работы выхода / С. Ю. Давыдов, А. В. Павлык // Физика Твердого Тела. 2003. — Т.45, Вып.7. — С.1325 — 1328.
- Harrison, W.A. Coulomb interactions in semiconductors and insulators / W.A.Harrison // Phys. Rev. B. 1985. — V.31, N.4. P.2121 — 2132.
- Harrison W.A., Wills J.M. Interionic interactions in simple metals // Phys. Rev. B. 1982. — V.25, N.8. — P.5007 — 5017.
- Wills, J.M. Interionic interactions in transition metals / J.M.Wills, V W.A.Harrison // Phys. Rev. B. 1983. — V.28, N.8. — P.4363 — 4373.
- Wills, J.M. Further studies on interionic interactions in simple metals and transition metals / J.M.Wills, W.A.Harrison // Phys. Rev. B. 1984. — V.29, N.10. -P.5486 — 5490.
- Davydov, S.Yu. On the cohesive approach to the calculation of d-metal on d-metal adsorption properties / S.Yu.Davydov, S.K.Tikhonov // Surf. Sci. 1997. -V.371, N. l-3. — P. 157- 167.
- Давыдов, С.Ю. Адсорбция ванадия на рутиле: изменение работы выхода v / С. Ю. Давыдов, А. В. Павлык // Письма в Журнал Технической Физики.2003. Т.29, Вып. 12. — С. ЗЗ — 36.
- Давыдов, С.Ю. К расчету изменения работы выхода при адсорбции атомов цезия на поверхности (110) Ti02 / С. Ю. Давыдов, И. В. Носков // Письма в Журнал Технической Физики. 2001. — Т.27, Вып.20. — С.1 — 6.
- Давыдов, С.Ю. Влияние адсорбции атомов щелочных металлов на работу выхода рутила / С. Ю. Давыдов, И. В. Носков // Письма в Журнал Технической Физики. 2001. — Т.27, Вып.20. — С.1 — 6.
- Дуглас, Д. Энергетическая щель в сверхпроводниках / Д. Дуглас, Л. Фаликов // Сверхпроводимость. М.: Наука, 1967. — 167 с.
- Ландау, Л.Д. Квантовая механика / Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц // М.: -Наука. 1974. 752 с.
- Давыдов, С.Ю. Теория температурной зависимости работы выхода адсорбционной системы / С. Ю. Давыдов // Физика Твердого Тела. 2003. -Т.45, Вып.5. — С.925 -928.
- Кузьмин, М.В. Влияние температуры на электронное состояние адсорбированных пленок Eu, нанесенных на поверхность вольфрама и кремния / М. В. Кузьмин, М. А. Митцев // Письма в Журнал Технической Физики. 2001. — Т.27, Вып. 10. — С.86 -94.
- Мигдал А.Б. Качественные методы в квантовой теории / А. Б. Мигдал.-М.: Наука, 1975. 336 с.
- Anderson, S.G. Schottky-barrier formation and atomic mixing at Au/ZnSe (100) and Co/ZnSe (100) interfaces with Со and Au interlayers / S.G.Anderson, F. Xu, M. Vos, J.H.Weaver // Phys. Rev. B. 1989. — V.39, N.8. -P.5079 — 5090.
- Muret, P. Unpinning of the Fermi level at erbium silicide/silicon interface / P. Muret, T.A.Nguyen Tan, N. Frangis // Phys. Rev. B. 1997. — V.56, N.15. -P.9286 — 9289.
- Betti, M.G. Metal-induced gap states at InAs (llO) surface / M.G.Betti, G. Bertoni, V. Corrandi, V. De Renzi // Surf. Sci. 2000. — V.454−456, — P.539−542.
- Savchenkov, A. Initial stages of Cu/Si interface formation / A. Savchenkov, P. Shukrinov, P. Mutombo, J. Slezak // Surf. Sci. 2002. — V.507−510, — P.539 — 542.
- Nienhaus, H. Detection of chemically induced hot charge carriers with ultrathin metal film Schottky contacts / H. Nienhaus, B. Gergen, W.H.Weinberg // Surf. Sci. 2002. — V.514, N. l-3. — P.172 — 181.
- Metal-Insulator Interfaces. Tokyo, Ohmsha Ltd, 1995. — 395 p.
- Spicer, W.E. New and unified model for Schottky barrier and III-V insulator interface states formation / W.E.Spicer, W. Chye, P.R.Skeath, C.Y.Su // J. Vac. Sci. Technol. 1979. — V.16, N.5. — P.1422 — 1432.
- Heine, V. Theory of surface states / V. Heine // Phys. Rev. 1965. — V.138, N.6A. — P. A1689 — A1696.
- Ludeke, R. Derealization effects at metal-semiconductor interface / R. Ludeke, G. Jezequel, A. Taleb-Ibrahimi // Phys. Rev. Lett. 1988. — V.61, N.5. -P.601 — 604.
- Ludeke, R. Defects and metal states: towards a perspectiv model for the Schottky barrier / R. Ludeke // Phys. Rev. B. V.40, N.3. — P. 1947 — 1949.
- Давыдов, С.Ю. О барьере Шоттки на контакте металла с карбидом кремния / С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, С. К. Тихонов // Физика и Техника Полупроводников. 1997. — Т.31, Вып.5. — С.597 — 599.
- Давыдов, С.Ю. К расчету высоты барьера Шоттки на начальной стадии формирования контакта (карбид кремния) (субмонослойная пленка металла) / С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, С. К. Тихонов // Физика и Техника Полупроводников. — 1998. — Т.32, Вып. 1. — С.68 — 71.
- Давыдов, С.Ю. Контакт металл карбид кремния: зависимость высоты барьера Шоттки от политипа SiC / С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, Ю. М. Таиров // Физика и Техника Полупроводников. — 2001. — Т.35, Вып. 12. — С. 1437 -1439.
- Давыдов, С.Ю. Роль вакансий кремния в формировании барьеров Шоттки на контактах Ag и Аи с ЗС- и 6Н- SiC / С. Ю. Давыдов, А. АЛебедев, Ю. М. Таиров // Физика и Техника Полупроводников. 2002.- Т.36, Вып.6. -С.690 — 692.
- Monch, W. Tight-binding model of surface donor state induced by metal adatoms on GaAs (llO) surfaces / W. Monch // Europhy. Lett. 1988. — V.7, N.3. -P.275 — 279.
- Monch, W. Chemical trends in Schottky barriers: Charge transfer into adsorbate-induced gap states and defects / W. Monch // Phys. Rev. B. 1988. -V.37, N.12.-P. 7129−7132.
- Давыдов, С.Ю., Тихонов C.K. О поверхностных донорных состояниях, наведенных металлическими атомами, адсорбированными на широкозонных полупроводниках / С. Ю. Давыдов, С. К. Тихонов // Физика Твердого Тела. -1995. -Т.37, Вып.9. С. 2749 -2754.
- Elsbergen, van V. Electronic properties of cesium on 6H-SiC surfaces / Elsbergen van V., T.U.Kampen, W. Monch // J. Appl. Phys. 1996. — V.79, N.l. -P.316 — 321.
- Monch, W. Chemical trends of barrier hights in metal-semiconductor contacts: on the theory of slope parameter / W. Monch // Appl. Surf. Sci. 1996. -V.92, N. l-3. — P.367 -371.
- Waldrop, J.R. Schottky barrier height of metal contacts to /"-type alpha 6H-SiC / J.R.Waldrop // J. Appl. Phys. 1994. — V.75, N.9. — P.4548 — 4550.
- Андреев, A.H. Высота барьера в диодах Шоттки, сформированных на основе «-SiC-6H / А. Н. Андреев, А. А. Лебедев, М. Г. Растегаева, Ф. М. Снегов, С А.Л.ыркин, В. Е. Челноков, Л. Н. Шестопалов // Физика и Техника Полупроводников. 1995.- Т.27, Вып.З. — С. 162 — 168.
- Бонч-Бруевич, B.JI. Калашников С. Г. Физика полупроводников / В.Л.Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников.- М.: Наука, 1977. -672 с.
- Бонч-Бруевич, В. Л. Сборник задач по физике полупроводников / В.Л.Бонч-Бруевич, И. П. Звягин, И. В. Карпенко. М.: Наука, 1968. — 112 с.
- Prietsch, M. Photoemission study of alkali/GaAs (110) interfaces / M. Prietsch, M. Domke, C. Laubschat, T. Mandel, C. Xue, G. Kaindl // Z. Phys. B. 1989. — V.74, N.1.-P.21 -33.
- Waldrop, J.R. Formation and Schottky barrier height of metal contacts to SiC / J.R.Waldrop, R.W.Grant // Appl. Phys. Lett. 1990. — V.56, N.6. — P.557 -559.
- Waldrop, J.R. Metal Schottky barrier contacts to alpha 6H-SiC / J.R.Waldrop, R.W.Grant // J. Appl. Phys. 1992. — V.72, N.10. — P.4757 — 4760.
- Waldrop, J.R. Schottky barrier height and interface chemistry of anneald metal contacts to alpha 6H-SiC: Crystal face dependence / J.R.Waldrop, R.W. Grant // Appl. Phys. Lett. 1993. — V.72, N.21. — P.2685 — 2687.
- Einstein, T.L. Indirect interaction between adatoms on a tight-binding solid / T.L.Einstein, J.R.Schrieffer // Phys. Rev. B. 1973. — V.7, N.8. — P.3629 — 3648.
- Gurney, R.W. Theory of electrical double layers in adsorbed films / R.W.Gurney // Phys. Rev. 1935. — V.47, N.6. — P.479 — 482.