Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Формирование и свойства полупроводниковых пленок и структур для приемников УФ излучения

Диссертация: Формирование и свойства полупроводниковых пленок и структур для приемников УФ излучения
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Тонкопленочные структуры на основе пленок a-SirH обладают высокой фоточувствительностью в обл’асти видимого излучения, а за счет проявления в a-Si:H эффекта ударной ионизации, также высокой чувствительностью в области ближнего УФ излучения. Кроме того, высокая технологичность получения пленок a-Si:H, связанная с низкими температурами осаждения, возможностью легирования в процессе осаждения… Читать ещё >

Содержание

  • Перечень условных обозначений и сокращений
  • Глава 1. Материалы и структуры для детектирования УФ излучения: состояние вопроса
    • 1. 1. Детектирование УФ излучения
      • 1. 1. 1. Актуальность проблемы детектирования УФ излучения
      • 1. 1. 2. Полупроводниковые фотоприемники УФ излучения
    • 1. 2. Свойства и получение пленок аморфного гидрогенизированного кремния
      • 1. 2. 2. Свойства пленок a-Si:H
      • 1. 2. 2. Получение аморфных и микрокристаллических пленок гидрогенизированного кремния
    • 1. 3. Пленки нитрида алюм^зк^г Свойства и получение
      • 1. 3. 1. Свойства пленок A1N .л*
      • 1. 3. 2. Получение пленок A1N

Формирование и свойства полупроводниковых пленок и структур для приемников УФ излучения (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Освоение ультрафиолетового (УФ) диапазона спектра имеет большое значение, как для научных, так и для практических целей. Многообразие прикладных задач, связанных с детектированием УФ излучения, требует постоянного расширения круга используемых материалов, улучшения характеристик и снижения стоимости фотоприемников [1]. Пленки аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si:H) и нитрида алюминия (A1N), формирование которых возможно на различных подложках при относительно низких температурах, можно отнести к числу перспективных материалов для УФ диапазона.

Тонкопленочные структуры на основе пленок a-SirH обладают высокой фоточувствительностью в обл’асти видимого излучения [2−5], а за счет проявления в a-Si:H эффекта ударной ионизации [6], также высокой чувствительностью в области ближнего УФ излучения. Кроме того, высокая технологичность получения пленок a-Si:H, связанная с низкими температурами осаждения, возможностью легирования в процессе осаждения и использования практически любых материалов подложек, позволяет значительно снизить стоимость фотоприемных устройств, а также обеспечить интеграцию с кремниевой электроникой [2−4]. Однако, наблюдаемый в этом материале эффект фотоиндуцированной деградации, известный как эффект Стеблера-Вронского, ограничивает возможности применения этого материала для УФ детекторов [3,4]. Использование пленок a-Si:H, содержащих малую объемную долю кристаллитов кремния размером несколько нанометров, позволяет повысить их стабильность [7,8]. Вместе с тем, механизмы влияния нанокристаллических включений на свойства пленок a-Si:H пока неопределенны. Это обусловлено отсутствием технологии получения пленок a-Si:H с нанокристаллическими включениями, которая позволяет управлять размером, объемной долей и пространственным распределением включений, а также скудностью информации о структурных особенностях, электрических и фотоэлектрических свойствах аморфных пленок a-Si:H с включениями нанокристаллической фазы [7−11]. Помимо этого, на сегодняшний день отсутствует единое мнение о механизме формирования кристаллических включений в пленках a-Si:H в процессе их осаждения при температурах не превышающих 300 °C [12−15].

Нитрид алюминия является одним из самых широкозонных полупроводниковых соединений (Eg=6,2 эВ), что обуславливает перспективность его использования не только для изоляции, защитных покрытий и создания акустоэлектронных устройств, но и как материала для оптических устройств, работающих в УФ области спектра [16−18]. Кроме того, A1N обладает повышенной радиационной и температурной стойкостью. Интерес к этому материалу также обусловлен возможностью получения методом реактивного магнетронного распыления текстурированных по направлению <0001> пленок A1N при температурах около 300 °C [19,20]. Однако, на сегодняшний день фотоэлектрические свойства пленок A1N практически не, исследованы [16,21]. Помимо этого отсутствуют сведения о возможности управления ориентацией текстуры пленок A1N, и ее влиянии на свойства пленок [22−25].

Целью данной работы является получение и комплексное исследование полупроводниковых пленок аморфного гидрогенизированного кремния, содержащего нанокристаллические включения, и нитрида алюминия, обладающих высокой фоточувствительностью и стабильностью параметровсоздание на основе полученных пленок фото приемных структур для работы в УФ диапазоне.

В соответствии с поставленной целью в работе решались следующие задачи:

— разработка технологии формирования пленок аморфного гидрогенизированного кремния, содержащих включения нанокристаллитов кремния;

— исследование процессов образования и роста нанокристаллических включений в пленках a-Si:H, а также определение технологических условий, обеспечивающих управление размером и долей нанокристаллических включений;

— исследование электрофизических свойств пленок a-Si:H, содержащих нанокристаллические включения;

— исследование влияния условий нанесения (технологические режимы, модификация оборудования) на структуру и свойства пленок A1N, разработка низкотемпературной технологии получения фоточувствительных пленок A1N;

— исследование электрических и фотоэлектрических свойств пленок A1N;

— формирование фотоприемных структур УФ диапазона на основе пленок a-Si:H и A1N.

Научная новизна работы: (.

1. Впервые при использовании промежуточного отжига в водородной плазме пленок a-Si:H в процессе их циклического осаждения получена слоистая структура пленок, границы слоев которых характеризуются повышенной концентрацией водорода и наличием нанокристаллических включений.

2. Показано, что формирование нанокристаллитов кремния при циклическом методе осаждения происходит непосредственно в процессе отжига в плазме за счет осаждения кремния из разбавленного водородом остаточного моносилана.

3. Выявлено, что повышение фоточувствительности слоистых пленок a-Si:H обусловлено снижением темновой проводимости, что связано с увеличением концентрации водорода.

4. Показано, что возникновение дублетов в спектрах фотопроводимости слоистых пленок a-Si:H связано с неоднородным распределением водорода по толщине пленок, приводящим к варизонной структуре. Дублеты на спектрах фотопроводимости сохраняются и после отжига пленок в вакууме при температурах до 450 °C. Теоретический анализ диффузии водорода, находящегося в сильных связях с кремнием, подтверждает сохранение неоднородного распределения водорода при этих температурах.

5. Обнаружено, что рост кристаллитов в процессе отжига в вакууме пленок a-Si:H, полученных циклическим методом, ограничен интерфейсами с повышенным содержанием водорода и их средний размер не превышает толщину слоев, осаждаемых за один цикл.

6. Обнаружено, что изменение электрического и магнитного полей у поверхности подложки при использовании метода реактивного магнетронного распыления позволяет получать поликристаллические пленки A1N с ориентацией полярной оси С перпендикулярной или параллельной поверхности подложки.

7. Показана возможность создания фотоприемных структур на основе пленок A1N, полученных методом магнетронного распыления при температурах подложки 300 °C, селективных в С области УФ излучения.

Практическая ценность работы:

1. Разработана технология получения слоистых пленок аморфного гидрогенизированного кремния, содержащих нанокристаллические включения, обладающих повышенной фоточувствительностью и стабильностью.

2. Продемонстрирована возможность получения пленок нанокристаллического кремния с требуемым размером и объемной долей нанокристаллитов, которая может быть использована цри создании люминесцентных пленок.

3. Разработана технология получения текстурированных поликристаллических пленок A1N при температурах подложки 300 °C, обладающих высокой.

4 2 фоточувствительностью (aph/crd более чем 10 при освещенности 0,5 мВт/см) с ориентацией полярной оси С перпендикулярной или параллельной поверхности подложки. .

4. На основе слоистых пленок аморфного гидрогенизированного кремния, содержащих нанокристаллические включения, созданы фотоприемные структуры с барьером Шоттки, обладающие высокой спектральной чувствительностью (не менее 0,04 А/Вт) в диапазоне 200−400 нм и максимальной чувствительностью 0,2 А/Вт на длине волны 480 нм.

5. Сформированы фоторезисторные структуры на основе пленок A1N, обладающие высокой чувствительностью и селективностью в С области УФ диапазона.. t.

6. Результаты работы были использованы при выполнении грантов Министерства образования РФ № ТОО-2.2−2259, Copernicus 1С 15-СТ 98−0819 (TIMOC) и INTAS№ 97−1910.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Промежуточный отжиг в водородной плазме пленок аморфного гидрогенизированного кремния в процессе их циклического плазмохимического осаждения приводит к формированию слоистой структуры, содержащей нанокристаллические включения на границах отдельных слоев, образование которых происходит непосредственно при отжиге в водородной плазме.

2. Появление дублета в спектрах фотопроводимости слоистых пленок a-Si:H, содержащих нанокристаллические включения, обусловлено неоднородным распределением водорода по толщине слоистых пленок.

3. Управление размером и объемной долей нанокристаллических включений в пленках a-Si:H, полученных методом циклического осаждения достигается за счет изменения толщины слоев, осаждаемых за одни цикл, и температуры последующей термообработки.

4. Изменение электрического и магнитного полей у поверхности подложки в процессе реактивного магнетронного распыления при температуре 300 °C позволяет получать поликристаллические текстурированные пленки A1N, обладающие высокой фоточувствительностью, с ориентацией полярной оси С перпендикулярной или параллельной поверхности подложки. 'I.

Аппробация результатов работы.

Основные результаты докладывались и обсуждались на следующих конференциях, симпозиумах и школах: Всероссийской научной конференции «Физика полупроводников и полуметаллов» ФПП-2002 (Санкт-Петербург, 4−6 февраля, 2002 г.) — International conference on amorphous and microcrystalline semiconductors ICAMS19 (27−3 Г August 2001, Nice, France) — ИХ Международном симпозиуме: «Тонкие пленки в электронике» (Харьков, апрель 2001 г.) — 11th European Conference «Diamond 2000» (3−8 September 2000, Porto, Portugal) — II Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (Санкт-Петербург, 3−5 июля 2000 г.) — Международном семинаре «Российские технологии для индустрии» IWRFRI'2000 (Санкт-Петербург, 29−31 мая 2000 г.) — Второй Российской конференции по ' материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния «Кремний 2000» (Москва, 9−11 февраля 2000 г.) — X Международном симпозиуме: «Тонкие пленки в электронике» (Ярославль, 20−25 сентября 1999 г.) — Всероссийской межвузовской 9 научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика — 99» (Зеленоград, 19−21 апреля 1999 г.) — Всероссийской конференции «Функциональные материалы, и структуры для сенсорных устройств» (Москва, 1719 ноября 1999 г.) — Всероссийском симпозиуме с участием ученых из стран СНГ «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (Санкт-Петербург, 5−9 июля 1998 г.) — научных молодежных школах «Твердотельные датчики», «Поверхность и границы раздела структур микрои наноэлектроники», «Физико-химические аспекты современного электронного материаловедения», «Наноматериалы, нанотехнологии, наноструктуры и методы их анализа» (Санкт-Петербург, 1998;2001 гг.) — I городской студенческой научной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой наноэлектронике (Санкт-Петербург, 28 ноября 1997 г.) — ежегодных научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава СПбГЭТУ «ЛЭТИ» (1998;2002 гг.).

Основные результаты работы сводятся к следующему:

1. Впервые с помощью метода циклического осаждения были получены слоистые пленки аморфного гидрогенизированного кремния, содержащие нанокристаллические включения на границах слоев, обладающие повышенной.

7 2 фоточувствительностью (aPh/c7d достигает 10 при освещенности 100 мВт/см) и стабильностью (изменение фотопроводимости в 2,5 раза меньше после воздействия дозы облучения 120 Дж/см по сравнению с однородными пленками).

2. Показано, что образование нанокристаллических включений в пленках a-Si:H происходит непосредственно в процессе отжига в плазме за счет осаждения кремния из разбавленного водородом остаточного моносилана.

3. Обнаружено, что пленки, получаемые циклическим методом осаждения, характеризуются неоднородным распределением водорода по толщине, что приводит к возникновению дублетов в спектрах фотопроводимости. Неоднородность распределения водорода сохраняется после отжига при температуре не более 450 °C в вакууме, что подтверждается теоретическим расчетом перераспределения концентрации водорода, находящегося в сильных связях с кремнием.

4. Выявлено, что средний размер нанокристаллических включений в слоистых пленках после отжига в вакууме вплоть до температур 750 °C не превышает толщину слоев пленок a-Si:H, осаждаемых за один цикл, что позволяет управлять размером и содержанием нанокристаллических включений в пленках a-Si:H.

5. Разработана низкотемпературная технология получения поликристаллических пленок A1N, текстурированных по направлению <0001> и обладающих высокой фоточувствительностью (apll/Gd более чем 104 при освещенности 0,5 мВт/см2), спектр которой лежит в диапазоне 200−290 нм.

6. Обнаружено, что модификация метода реактивного магнетронного распыления позволяет получать поликристаллические пленки A1N с ориентацией полярной оси С перпендикулярной или параллельной поверхности подложки.

7. На основе слоистых пленок аморфного гидрогенизированного кремния, содержащих нанокристаллические включения, созданы фотоприемные структуры с барьером Шоттки, обладающие высокой спектральной чувствительностью (не менее 0,04 А/Вт) в диапазоне 200−400 нм и максимальной чувствительностью 0,2 А/Вт на длине волны 480 нм.

8. Показана перспективность применения пленок A1N для селективных приемников С области УФ излучения (200−280 нм).

Заключение

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. И.Д., Викулин И. М., Заитов Ф. А., Курмашев М. Д. Полупроводниковые фотоприемники: УФ, видимый и ближний ИК диапазон спектра. — М. Радио и Связь, 1984.
  2. Аморфные полупроводники и приборы на их основе: Пер. с англ./ Под ред. Хамакавы Й. М.: Металлургия, 1986.
  3. А., Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников: Пер. с англ. М.: Мир, 1991.
  4. А.А., Будогян Б. Г., Вихров С. П., Попов Л. И. Неупорядоченные полупроводники:'Учебное пособие/ Под ред. А. А. Айвазова. М.: Издательство МЭИ, 1995.
  5. В.И., Кйльчицкая С. С. Солнечные элементы на основе контакта металл -полупроводник. СПб.: Энергоатомиздат, 1991.
  6. ., Васильев В. А., Волков А. С., Мездрогина М. М., Теруков Е. И. Фоточувствительность p-i-n структур и структур с барьером Шоттки на основе а-Si:H в области УФ излучения. ЖТФ, том 16, вып. 1, 1990, с. 47−50.
  7. Sheng S., Liabo X., Ma Z., Yue С., Wang Y., Kong G. Hydrogenated amorphous silicon films with significantly improved stability // Solar Energy Materials & Solar Cells. -2001.-v. 68. pp. 123−133.
  8. Hazar S. Ray S. Nanocrystalline silicon as intrinsic layer in thin film solar cells // Solid State Comunications. -1998. Vol. 109.- pp. 125−128.
  9. Roca i Caboracas P., Нащта S., Sharma S.N., Viera G., Bertran E., Costa J. Nanoparticle formation in low-pressure silane plasmas: bridging the gap between a-Si:H and pc-Si films-//. J. Non-Cryst. Solids. 1998. Vol. 227−230, — pp. 871−875.
  10. He Y., Yin C., Cheng G., Wang L., Liu X. The structure and properties of nanosize crystallne silicon films // J.Appl.Phys.-1994.- Vol. 75, — pp. 797−803.
  11. O.A., Казанин M.M., Куознецов A.H., Богданова Е. В. Наноструктурированные пленки a-Si:H, полученные методом разложения силана в магнетронной камере// ФТП.- 2000.- том. 34, № 9. с.1125−1128.
  12. Matsuda A. Growth mechanism of microcrystalline silicon obtained from reactive plasmas // Thin Solid Films.- 1999.- 337, — p. 1−6.
  13. Otobe M., Oda S. Preparation of microcrystalline silicon films by very-high-frequency digital chemical vapor deposition. Jpn. J. Appl. Phys. 1992. — Vol. 31, No 6 В, — pp. 1948−1952.
  14. Vetterl O. et al. Connection between hydrogen plasma treatment and etching of amorphous phase in layer-by-layer technique with very high frequency plasma excitation. J. Appl. Phys. 1999. — Vol. 85.-pp. 2439−2444.
  15. Asano A. Effects of hydrogen atoms on the network structure of hydrogenated amorphous and microcrystalline silicon thin films. Appl. Phys.- Letters. 1990. Vol. -56.-pp. 533- 535/
  16. Ю.Г., Ребане Ю. Т., Зыков B.A., Сидоров В. Г. Широкозонные полупроводники. С-Пб. «Наука», 2001.
  17. Yamashita Н., Fukui К., Misawa S., Yoshida S. Optical properties of A1N epitaxial thin films in the vacuum ultraviolet region // J. Appl. Phys. 1979. Vol. 50.- pp. 896 898.
  18. Belyanin A.F., Bouilov L.L., Zhirnov V.V., et al. Application of aluminum nitride films for electronic devices // Diamond and Related Materials.- 1999.- Vol. 8.- pp. 369 372.
  19. А.Ф., Бульенков H.A. и др. Строение и применение пленок A1N, полученных методом ВЧ магнетронного распыления// Техника средств связи-1990. сер. ТПО, вып. 3.- с. 4−24.
  20. Kim J.W., Kim Н.К. Low Temperature Epitaxial Growth of A1N Thin Films on A1203 (0001) by Reactive dc Faced Magnetron Sputtering // Journal of Korean Physical Society.- 1998. Vol. 32. — pp. S1664-S1666.
  21. Schwarz R., Niehus M., Koynov S., Melo L., Wang J., Cardoso S., Freitas P.P. Pulsed Subbandgap Photoexcitation of A1N // Diamond and Related Materials. 2001. -Vol. 10.-pp. 1326−1330.
  22. Okano H., Tanaka N., Takahashi Y., Tanaka Т., Shibata K. Preporation of aluminum nitride thin films by ractive sputtering and their applications to GHz-band surface acoustic devices //Appl. Phys. Lett.- 1994. Vol. 64. — pp.166−168.
  23. А.Ф., Бульенков H.A., и др. Структурные особенности пленок A1N, полученных высокочастотным магнетронным распылением// Техника средств связи, 1983, сер. ТПО, вып. 1, с. 41−45.
  24. Fujiki М., Takahashi М., Kikkawa S., Kanamaru F. Microstructure and preferred orientation in rf sputter deposition A1N thin films // J. Materials Science letters.- 2000. -Vol.19.-pp. 1625−1627.
  25. В.Г., Укроженко B.M. Полупроводниковые приемники ультрафиолетового излучения. ЗЭТ, 3(261), 1983, с. 96−114.
  26. Ф., Мотульски А. «Генетика человека», том 2, М., Мир, 1990, стр. 223 224.
  27. Проспект фирмы SafeSun, 1998.
  28. Massen F., Harpes N., Breuskin P. A comparison of three portable UV sensors// A meteo LCD report, January 1998.
  29. Каталог цветного стекла. -M.,"Машиностроение", 1967.
  30. А.С., Мочалкина' О.Р. Технология и конструирование интегральных микросхем. М. Радио и Связь, 1983.
  31. Каталог фирмы EG and G Electro-Optics, 2001.35. Каталог фирму UDT, 2000.
  32. Каталог фирмы Silicon Sensors GmbH, 2002.
  33. Каталог фирмы Hamamatsu, 2002.
  34. Каталог фирмы Laser Components GmbH, 2001.
  35. Веренчикова Р. Г,. Санкин В. И. Поверхностно барьерный диод Cr-SiC -фотодетектор УФ-излучения. — Письма в ЖТФ, том 14, вып. 19, с. — 1742−1745.
  36. В.В., Лубегин Г. В. и др. Серия инжекционных структур на основе2 6монокристаллов, А В // Сборник научных трудов/ Физические основы микроэлектроники, МИЭТД989, с. 80−83.
  37. А.А. «Седов В.Е. Спектры фоточувительности барьера Шоттки Au-n-GaPA при высоком коэффициенте поглощения света в полупроводниках // ФТП. -1979. Т. 9.-С. 1761−1765.
  38. И. Д. Головин Ю.М. и до. УФ фотоприемник на фосфиде галия для астрономичеких исследолоний. ОМП, 1983, № 12, с. 34−35.
  39. Moustakas T.D., Vaudo R.P., Singh R., Misra M., Sampath A., Goepfert I.D. Growth of III-V nitrides by ECR-assisted MBE and fabrication of opto-electronic devices// Inst. Phys. Conf. Ser. Nol42: Chapter 5, (1996) IOP Publishing Ltd., pp. 833- 838.
  40. Omnes F., Marenco N., Beaumont В., et al. Metalorganic vapor-phase epitaxy-grown AlGaN materials for visible-blind ultraviolet photodetector applications // J. Appl. Phys. 1999.-Vol. 86.-pp. 5286−5292.
  41. Mutze F., Seibel, B. Schneider K., Hillebrand M., Lule Т., Keller H» Rieve P., Wagner M., Bohm M. UV Imager in TFA technology // Material Research Society Spring Meeting, San Francisco, April 5−9, 1999.
  42. И. С., Головнер Т. М., Горшкова Г.Н. Au-Si поверхностно-барьерные детекторы с повышенной чувствительностью в ближней ультрафиолетовой области. — ПТЭ, 1976, № 2, с. 272, 273.
  43. Ю. И., Мамачан И. М., Масиян А. Р. Фотопремник для фотометрии. -ОМП, 1981, № 11, с. 54, 55.
  44. Kosyachenko L.A., Sklyachuck V.M., Sklyachuck Ye. F. Electrical and photoelectriciproperties of Au-SiC Schottky barrier diodes // Solid-State Electronics. 1998. — Vol. 42, No. 1,-pp. 145−151,
  45. Peng Т., Piper J. Band gap bowing and refractive index spectra of polycrystalline AlxIni. xN films deposited by sputtering. Appl. Phys. Lett. 1997. -Vol. 71, — pp. 2439.
  46. Peng Т., Piper J. Refractive index of AlGalnN alloys. Electronics letters. 1996. -Vol. 32, № 24. — pp. 2285−2286.
  47. Hochedez J.-F., Bergonzo P., Castex M.-C., Dhez P., et. al. Diamond UV detectors for future solar physics missions // Diamond and Related Materials. 2001. — Vol. 10. -pp. 673−680.
  48. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. -М.: Мир, 1984.
  49. Физика гидрогенизированного кремния. под ред. Дж. Джонуполоса и Дж. Люковски. Вып. II, Мир. 1988.
  50. Nakamura К., Yoshino К., et al. Roles of atomic hydrogen in chemical annealing. Jpn. J. Appl. Phys. 1995. — Vol. 34, No 2A, pp. 442−449.
  51. Аморфный кремний и родственные материалы: Пер. с англ./ Под ред. X. Фридше.-М.: Мир, 1991.
  52. Okamoto S., Hishikawa Y., Tsuge S. et al High-quality wide-gap hydrogenated amorphous silicon fabricated jusing hydrogen plasma post-treatment. Jpn. J. of Appl. Phys. 1994. — Vol. 33, No 4A. — pp. 1773−1777.
  53. Stutzmann M., Jackson W.B., Tsai C.C. MRS Proc. (D. Adler, A. Madan, M.J. Thompson, eds), Vol. 49, 1985, p.301.
  54. Street R.A. Hydrogen diffusion and electronic metastability in amorphous silicon// PhysicaB. 1991. — Vol. 170. — pp. 69−81
  55. Stutzmann M., Jackson W.B., Tsai C.C., AIP Conf. Proc. No. 20, 1985, p. 213.
  56. . И., Эфрос A. Jl. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979.
  57. Longeaud С., Kleider J.P., Gauthier М., Kaplan R., Butte R., Meaudre R., Roca i Cabarrocas P. A new type of material for photovoltaic devices: hydrogenated polymorphous silicon// Proc. of the 2nd Wold Conference on Photovoltaic Solar Energy Conversion.
  58. Longeaud C., Kleider J.P., Roca i Cabarrocas P., Hamma S., Meaudre R., Meaudre M. Properties of a new a-Si:H-like material: hydrogenated polymorphous silicon // J. Non-Crystalline Solids. 1998. — Vol. 227−230. — p. 96.
  59. Foncuberta i Morral A., I^renot R., Hamera E.A.G., Vanderhaghen R., Roca i Cabarrocas P. In situ investigation of polymorphous silicon deposition // J. Non-Crystalline Solids. 2000. — Vol. 266−269. — pp. 48−53.
  60. Nelson B. P., Crandall R.S., Iwaniczko E. et al. Low hydrogen content, high quality hydrogenated amorphous silicon grown by Hot-Wire CVD// Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1999,-Vol. 557,-pp. 97−102.
  61. Tsuda S., Takahama Т., Isomura M., et al. Preparation and properties of high-quality a-Si films with a super chamber (separated ultra-high vacuum reaction chamber)// Jpn. J. Appl. Phys. 1987.- Vol. 26.-pp.33−38.
  62. Chaudhuri P., Das U.K. Control of microstructure and optoelectronic properties of Si: H films by argon dilution in plasma-enhanced chemical vapor deposition from silane// Jpn. J. Appl. Phys.- 1995.- Vol. 34.- pp.3467−3473.
  63. Koh J., Ferlauto A. S, Rovira P.I., Koval R.J., Wronski C.R., Collins R.W. Evolutionary phase diagrams for the deposition of silicon films from hydrogen-diluted silane// J. Non-Crystalline Solids.- 2000, — Vol. 266−269, — pp. 43−47.
  64. Itoh Т., Yamamoto K., Ushikoshi K., Nonomura S., Nitta S. Characterization and role of hydrogen in nc-Si:H // J. Non-Crystalline Solids.- 2000, — 'Vol. 266−269, — pp. 201 205.
  65. Godet C., Layadi N., Roca i Cabarrocas P. Role of mobile hydrogen in the amorphous silicon recrystallization. Appl. Phys. Letters. 1995. -Vol 66 (23). — pp. 3146−3148.
  66. W.G.J.H.M van Sark, Bezemer J., et al. Chemical annealing of hydrogenated amorphous silicon. 12th European photovoltaic solar energy conf. 11−15 April 1994// Mat. Res. Proc., pp. 335 -338, Amsterdam (1994).
  67. Asano A., Ichimura Т., Sakai H. Preparation of highly photoconductive hydrogenated amorphous silicon carbide films with a multiplasma-zone apparatus. J. Appl. Phys.-1989. -Vol. 65 (6). pp. 2439−2444.
  68. Hong J. P., Kim С. O., et al. Structural and electrical characterezation of microcrystalline silicon films prepared by layer-by-layer technique with a plasma-enhanced chemical-vapor deposition system. J. Appl. Phys. 2000. — Vol. 87 (4), pp. 1676−1680.
  69. Shirai H., Drevillon В., Shimizu I. Role of hydrogen plasma during growth of hydrogenated microcrystalline silicon: in situ UV-Visible and infrared ellipsometry study. Jpn. J. Appl. Phys.- 1994. Vol. 33, No 10, pp.5590−5598.
  70. A. J. //Non-Ciyst. Solids.- 1983. Vol.- 59&60, p. 767.
  71. Robertson J. Deposition mechanism of hydrogenated amorphous silicon // J. Appl. Phys. -2000. Vol. 87. pp. 2608−2617.
  72. Tsai C. J. Non-Cryst. Solids.- 1989.- Vol.114.-p. 151
  73. Shirai H., Hanna J., Shimizu I. Very stable a-Si:H prepared by «chemical annealing». Jpn. J. Appl. Phys. 1991. — Vol. 30, No 5B, pp. L881-L884.
  74. Roca i Cabarrocas P., Layadi N., Heitz Т., Drevillon В., Solomon I. Substrate selectivity in the formation of microcrystalline silicon: Mechanisms and technological consequences // Appl. Phys. Lett. Vol. -1995. Vol. 66 (№ 26), pp. 3609−3611.
  75. Santos P.V., Jackson W.B. Trap-limited hydrogen diffusion in a-Si:H // Phys. Rev. B. 1992. -Vol. 46, pp. 4595−4606.
  76. Nevin A.W., Yamagishi H., Tawada Y. Improvement of the stability of hydrogenated amorphous siliconby plasma treatment. Jpn. J. Appl. Phys. 1994. — Vol. 33, P. l, No 9A, pp. 4829−4832.
  77. Perry P. B, Rutz R.F. The optical absorption edge of single-crystal A1N prepared by a close-spaced vapor process //Appl. Phys. Lett. 1978.- Vol. 33.- pp. 319−321.
  78. Scozzie C.J., Leis A.J., McLean F.B., Vispute R.D., Patel A., Enck R., Sharma R.P., Venkatesan T. High-Temperature Characterization of Pulsed-Laser Deposited A1N on 6H-SiC from 25- to 450 °C // Abstracts of ICSCRM'99 (October 10−15) (276).
  79. O.B., Сидоров В. Г., Соколов Е. Б., Соловьев Ю. П. Электрофизические свойства твердых растворов GaN-AIN // Эл. техн., сер. 3, Микроэлектроника, вып. 2, 1979, С. 358−359.
  80. Gadenne М., Plon J., Gadenne P. Optical propreties of A1N thin films correlated with sputtering conditions // Thin Solid Films. 1998. Vol. 333, pp. 251−255.
  81. Yaji Т., Tsukamoto H., Nakagawa Y., et al. Preparation of A1N and GaN thin films by reactive ion beam sputtering and optical properties // Inst. Phys. Conf. Ser. 1995. Vol. 142, pp. 911−914.
  82. Talyansky V., Vispute R.D., Ramesh R., et al. Fabrication and characterization of epitaxial AIN/TiN bilayers on sapphire // Thin Solid Films. 1998. — Vol. 323, pp. 37−41.
  83. Aita C. R, Kubiak, C.J.G., Shih, F.Y.H. Optical behavior near the fundamental absorption edge of sputter-deposited microcrystalline aluminum nitride// J. Appl. Phys.-1989.- Vol. 66.-pp. 4360−4367.
  84. Zarwasch R., Rille E., Pulker H.K. Fundamental optical absorption edge of reactively direct current magnetron sputter-deposited A1N thin films // J. Appl. Phys.- 1992, — Vol. 71,-pp. 5275−5277.
  85. Pasternak J., RoscocovaL. Phys. Stat. Sol. 1966. — Vol. 14, p. K5.
  86. Takeda F., Hata T. Low temperature deposition og oriented C-axis A1N films on glass1. ¦ isubstrates by reactive magnetrom sputtering // Jpn. J. Appl. Phys.- 1980. Vol. 19, N 5, pp. 1001−1002.
  87. Gerova E.V., Ivanov N.A., Kirov K.I. Deposition of thin films by magnetron reactive sputtering // Thin Solid Films. 1981. — Vol. 81, N3, pp. 201−206.
  88. Chin V.W.L., Tansley, T.L., Osotchan, T. Electron mobilities in gallium, indium, and aluminum nitrides // J. Appl. Phys.- 1994, — Vol. 75.-pp. 7365−7372.
  89. Edwards J., Kawabe K., Stevens G., Tredgold R.H., Sol. State Commun. 1965. — Vol. 3, pp. 99−100.
  90. Tansley T.L., Egan RJ. Point-defect energies in the nitrides of aluminum, gallium, and indium//Phys. Rev. B.-Vol. 45.-No 19.-pp. 10 942−10 950.
  91. В.Ф., Добрынин A.B., Найда Г. А. Оптические свойства эпитаксиальных слоев нитрида алюминия, легированного кислородом // Неорганические материалы. '1989. — Том 25, № 9, с. 1477−1481.
  92. Khan М.А., Yang J., Adivarahan V. and G. Simin. Low Temperature Deposited Layers of AlxGabxN for Device Applications // Abstracts of ICSCRM'99 (October 1015) (160).
  93. Shalish I. et al. Au metallization of A1N // Thin Solid Films. 1996. — Vol. 289, pp. 166−169.
  94. Savrun E., Toy С. An Aluminum Nitride Package for 600 °C and Beyond // Proceedings of the 4 Int. High Temperature Electronic Conference (June 14−18, 1998), Albuquerque, New Mexico, USA, P. 265−268.
  95. H.B., Добрынин A.B., Найда Г. А., Соколов Е. Б. Осаждение эиитаксиальных слоев A1N и его свойства // Техника средств связи, 1987, сер. ТПО, вып. 1, С. 45−55.
  96. Chu T.L., Ing D.W., Noreika A.J. Epitaxial growth of aluminum nitride // Solid-State Electronics. 1967. — Vol. 10, pp. 1023−1027.
  97. Callaghan M.P., Patterson E., Richards B. P., Wallace C.A. The growth, crystallographic and eletrical assessment of epitaxial layers of aluminum nitride on corundum substrates // J. Cryst. Growth. 1974. — Vol. 22, pp. 85−98.
  98. Morita M., Uesugi N., Isogai S., Tsubouchi K., Mikoshiba N. Epitaxial Growth of aluminum nitride on sapphire using metalorganic chemical vapor deposition // Jpn. J. Appl. Phys.- 1981. Vol. 20. N1'pp.17−23.
  99. Tanaka S., Kern R.S., Davis R.F. Initial stage of aluminum nitride film growth on 6H-silicon carbide by plasma-assisted, gas source molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett., 1995. — Vol. 66 (1), pp.37−39.
  100. Kotula P.G., Carter C.B., Norton M.G. Surface morphology of pulsed laser deposited aluminum nitride thin films // Journ. Of Mater. Sci. Let. 1994. — Vol. 13, pp. 1275−1277.
  101. Six S., Gerlach J. W., Rauschenbach B. Epitaxial aluminum nitride films on sapphire formed by pulsed laser deposition // Thin Solid Films. 2000. — Vol. 370, pp. 14.
  102. А.Ф., Семенов А. П., Халтанов B.M. Выращивание тонких пленок A1N реактивным распылением ионным пучком // Материалы 7-го Международного симпозиума тонкие пленки в электронике (Йошкар-Ола, 1−5 июля 1996 г.). -Москва Йошкар-Ола, 1996, С. 222−225.
  103. Dumiru V., Morosanu С., Sandu S., Stoica A. Optical and structural differences between RF and DC AIN magnetron sputtered films // Thin Solid Films. 2000. — Vol. 359, pp. 17−20.
  104. А.Ф., Тер-Макарян А.А., и др. Сильнотекстурированные пленки AIN, выращенные методом ВЧ магнетронного распыления// Техника средств связи, 1987, сер. ТПО, с. 35−43.
  105. А.Ф. Получение пленок A1N // Материалы 7-го Международного симпозиума тонкие пленки в электронике (Йошкар-Ола, 1−5 июля 1996 г.). -Москва-Йошкар-Ола, 1996, С. 167−212.
  106. Н.И., С.П. Филонов, B.JI. Хорошавин. Особенности строения и получения пленок A1N // Материалы 10-го Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике» (Ярославль, 20−25 сентября 1999 г.), С. 156−163.
  107. В.П., Лянгузов A.A., Сазанов А. П. Формирование фотопреобразовательных структур на основе a-Si:H. // Петербургский журнал электроники, 1995. N 2. — С.7 — 16.
  108. В.П., Гудовских А. С., Сазанов А. П., Сонг Я. В., Таиров Ю. М. Аморфные пленки a-Si:H, полученные методом циклического осаждения // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 1999. — № 4. — С. 29−32.
  109. В.П., Гудовских А. С., Коньков О. И., Коугия К. В., Сазанов А. П., Трапезникова И. Н., Теруков Е. И. Влияние термообработки на структуру и свойства пленок a-Si:H, полученных методом циклического осажденйя // ФТП. -2002. Т. 36, № 2 — С. 238−243.
  110. В.П., Гудовских А. С., Коньков О. И., Казанин М. М., Коугия К. В., Сазанов А. П., Трапезникова И. Н., Теруков Е. И. Структурные особенности и свойства пленок a-Si:H, полученных методом циклического осаждения // ФТП. -2000.-Т. 34,№ 4-С. 495−498.
  111. Swanepoel R. Determination of the thickness and optical constants of amorphous silicon // J. Phys. E: Sci.Instrum. 1983. — V.16. — P.1214−1222.
  112. И.А., Ормонт H.A., Теруков Е. И., Трапезникова И. Н., Афанасьев В. П., Гудовских А. С. Электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок а-Si:H и влияние на них термического отжига// ФТП. 2001. — Т. 35, № 3 — С. 367−370.
  113. Jackson W.B. and Tsai С.С. Hydrogen transport in amorphous silicon II Phys. Rev. В.- 1992, — Vol. 45, — pp. 6564−6579.
  114. Afanasjev V.P., Gudovskikh A.S., Kleider J.P., Sazanov A.P., Terukov E.I. Fabrication of a-Si:H/nc-Si multilayer films using Layer by Layer technique and their properties //Journal ofNon-Ciystalline Solids, 2002, Vol. 299−302, pp. 1070−1074.
  115. Longeaud C., Kleider J.P. Phys. Rev. В.- 1993.-Vol. 48,-p. 8715.
  116. Joint Committee of Powder (Diffraction Standards. Powder Diffraction File. 1998.
  117. А.И. Рентгеноструктурный анализ мелкокристаллических и аморфных тел. М.: Гос. изд. технико-теоретической литер, 1952.
  118. Guo Q., Yoshida A. Jpn. J. Appl. Phys. В. 1993. — Vol.185, pp. 410−141.
  119. В.П., Гудовских А. С., Сазанов А. П., Селюженок Н. А., Теруков Е. И. Фотоприемные структуры на основе аморфного гидрогенизированного кремния с нанокристаллическими включениями // Оптический журнал. 2001. — Т. 68, № 12. — С. 101−105.
  120. А.С. Анализ вольт-амперных характеристик тонкопленочных фотоприемных структур с барьером Шоттки на a-Si:H // Науч. молод, школа по твердотельным датчикам, С-Пб., 23−25 ноября 1998 г., Тез. докл. СПб.: СПбГЭТУ, 1998.-С. 13.
  121. A.M. Ландшман А. П. Полупроводниковые фотопреобразователи. -М., Советское Радио, 1971.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?