Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Дефектообразование в кремнии при облучении альфа-частицами с энергией 5, 4 МэВ

Диссертация: Дефектообразование в кремнии при облучении альфа-частицами с энергией 5, 4 МэВ
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Основные теоретические положения разработаны совместно с д. ф.-м. н., профессором С. В. Булярским. Облучение исследуемых образцов проводилось в ГНЦ РФ НИИАР г. Димитровград. Экспериментальное исследование вольт-фарадных, вольт-амперных характеристик и термо-стимулированной емкости проведено автором самостоятельно на установках, разработанных сотрудниками кафедры оптики и спектроскопии твердого… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. РАДИАЦИОННОЕ ОБЛУЧЕНИЕ КРЕМНИЯ
    • 1. 1. Дефектообразование в облученном кремнии
    • 1. 2. Разупорядоченные области в кремнии
    • 1. 3. Облучение кремния протонами и альфа-частицами
    • 1. 4. Влияние интенсивности облучения и температуры на процессы радиационного дефектообразования
    • 1. 5. Изменение параметров полупроводниковых приборов под воздействием радиационного облучения
    • 1. 6. Радиационное легирование кремния
    • 1. 7. Выводы
  • ГЛАВА 2. АМОРФИЗАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ ОБЛУЧЕНИЯ АЛЬФА-ЧАСТИЦАМИ ВЫСОКИХ ЭНЕРГИЙ
    • 2. 1. Методика проведения облучения
    • 2. 2. Исследование аморфизации поверхности кремния методом комбинационного рассеяния света
    • 2. 3. Измерение времени жизни методом поверхностной фото-ЭДС
    • 2. 4. Эксперименты по измерению времени жизни на кремнии
    • 2. 5. Изменение времени жизни носителей заряда в кремнии под воздействием облучения альфа-частицами
    • 2. 6. Выводы
  • ГЛАВА 3. ИЗМЕНЕНИЕ ЕМКОСТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК СТРУКТУР МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК ПОСЛЕ ОБЛУЧЕНИЯ АЛЬФА-ЧАСТИЦАМИ
    • 3. 1. Методика и погрешности измерения распределения концентрации дефектов вблизи контакта металл-полупроводник
    • 3. 2. Изменение распределения концентраций центров рекомбинации при облучении
    • 3. 3. Теоретическая модель изменения концентрации центров рекомбинации в облученном кремнии с учетом диффузии дефектов
    • 3. 4. Выводы
  • ГЛАВА 4. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ГЛУБОКИХ ЦЕНТРОВ МЕТОДОМ ТЕРМОСТИМУЛИРОВАННОЙ ЕМКОСТИ
    • 4. 1. Методика измерения термостимулированной емкости
    • 4. 2. Термостимулированная генерация с глубоких уровней ОПЗ в р-и-переходах
    • 4. 3. Вычисление параметров глубоких уровней с учетом температурных зависимостей коэффициентов захвата электронов
    • 4. 4. Модель распада комплексов
    • 4. 5. Выводы
  • ГЛАВА 5. ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ОБЛУЧЕННЫХ ОБРАЗЦОВ
    • 5. 1. Модели переноса заряда в облученных структурах. Применение метода рекомбинационной спектроскопии для определения параметров глубоких уровней
    • 5. 2. Методика измерения вольт-амперных характеристик
    • 5. 3. Двойные поверхностно-барьерные диоды Шоттки на основе кремния
    • 5. 4. Выводы

Дефектообразование в кремнии при облучении альфа-частицами с энергией 5, 4 МэВ (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность работы.

Кремний является наиболее применяемым и дешевым материалом твердотельной электроники, самым распространенным материалом для изготовления различных полупроводниковых приборов. Проблемам выращивания монокристаллов и отклонения их от стандартов посвящено большое число монографий, публикаций и докладов на международных конференциях. В меньшей степени исследованы процессы дефектообразования под действием облучения. Однако и эта проблема является важной для практического использования кремния в электронике.

Облучение кремния протонами и альфа-частицами приводит к образованию в кристалле первичных точечных радиационных дефектов — вакансий и связанных с ними межузельных атомов кремния (пар Френкеля), которые генерируются вдоль траектории пробега ионов в результате развития каскадов столкновений ионов с атомами решетки кристалла. В процессе облучения при комнатной температуре основная часть образованных пар Френкеля исчезает в результате взаимной аннигиляции, а разделившиеся компоненты пар в процессе их миграции взаимодействуют друг с другом и с примесными атомами кристалла, создавая более сложные и стабильные вторичные радиационные дефекты. Вторичные дефекты впоследствии трансформируются, например, при температурном воздействии может происходить распад сложных комплексов на составляющие.

Так как радиационное дефектообразование сопровождается появлением в запрещенной зоне полупроводника локальных энергетических уровней, то облучение кремния альфа-частицами изменяет в широких пределах электрофизические характеристики полупроводника, такие как электропроводность, тип проводимости, концентрация, подвижность и время жизни носителей заряда.

Несмотря на большое количество работ, посвященных радиационному облучению кремния, лишь немногие из них рассматривают взаимодействие кремния с альфа-частицами. Большинство работ, исследующих свойства облученного кремния, ввиду сложности изучаемых процессов носят экспериментальный характер.

В данной работе, в процессе изучения дефектообразования при радиационном облучении кремния, ставится задача не только определения энергетических параметров образующихся рекомбинационных центров, но и разработки моделей возникновения дефектов при облучении и их дальнейшего поведения, что позволит предсказать характеристики образцов, без проведения длительных экспериментов по их облучению. В связи с этим тема диссертации является весьма актуальной.

Цель работы.

Целью данной работы является исследование процессов вторичного дефектообразования в кремнии и в полупроводниковых приборах на его основе при облучении альфа-частицами.

Для достижения данной цели решались следующие задачи: •изучение механизмов изменения вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик кремниевых барьеров Шоттки после облучения;

•определение параметров дефектов методом термостимулированной емкости до и после облучения /7-л-переходов на основе кремния;

•моделирование процесса дефектообразования в кремнии под воздействием облучения альфа-частицами;

•моделирование процесса развала сложных комплексов, возникающих в кремнии при его облучении альфа-частицами.

Научная новизна.

1) Было обнаружено, что при облучении кремния альфа-частицами возрастает концентрация-центров и этот процесс приводит к уменьшению времени жизни неосновных носителей заряда.

2) Различными методами были определены параметры вторичных дефектов, возникающих при облучении кремния альфа-частицами. На основе проведенных экспериментов, была создана математическая модель распределения заряженных дефектов в кремнии вблизи поверхности при его облучении альфа-частицами с учетом диффузии первичных и вторичных дефектов и показано, что профили обусловлены увеличением концентрации А-центров и комплексов с участием вакансий, включая дивакансии.

3) Предложена модель распада сложных комплексов, образующихся при облучении кремния альфа-частицами. Поведено численное моделирование зависимости емкости от температуры, обусловленной распадом сложных комплексов, и показано, что в результате распада комплексов высвобождается межузельный кремний.

4) Экспериментально определена пороговая доза облучения кремния альфа-частицами, свыше которой начинаются процессы аморфизации.

Практическая ценность работы.

1) Получена эмпирическая зависимость времени жизни неосновных носителей заряда в кремнии от дозы облучения альфа-частицами, позволяющая оценить граничную дозу облучения, после которой происходит деградация приборов.

2) Методом термостимулированной емкости были определены энергетические параметры центров рекомбинации, образующихся после облучения кремниевых /7-и-переходов альфа-частицами: мелкие донорные центры — 0,08±0,03 эВ, 0,02±0,03 эВ, 0,04±0,03 эВ,-центры — 0,16±0,03 эВ,-центры или дивакансии 0,40±0,03 эВ, центры с энергией активации, соответствующей энергии миграции межузельного кремния 0,90±0,03 эВ, термодоноры первого типа 0,14±0,03 эВ.

3) Разработана модель распада сложных комплексов, описывающая производную термостимулированной емкости по температуре и позволяющая определить энергетические характеристики распада и параметры распадающихся комплексов.

4) Из вольт-амперных характеристик определены энергетические уровни центров рекомбинации, образующихся при облучении кремния: 0,538±0,009 эВ (вакансионно-кислородные комплексы) — 0,345±0,056 эВ (акцепторное состояние дивакансии) — начиная с дозы 1−1011 частиц/см2 -0,237±0,043 эВ, а начиная с дозы 2−1012 частиц/см2 — 0,138±0,026 эВ.

Положения, выносимые на защиту.

1) Время жизни в кремнии, облученном альфа-частицами с энергией 5,4 МэВ, контролируется J-центрами. Уменьшение времени жизни при.

1 «Я О облучении дозами в диапазоне от 4−10 до 2−10 частиц/см, вплоть до начала процессов аморфизации, обусловлено возрастанием концентрации этих центров.

2) Облучение кремния альфа-частицами с энергией 5,4 МэВ дозами в диапазоне от 4-Ю10 до 8−1011 частиц/см2 может приводить к развитию в приповерхностной области компенсирующего слоя, обусловленного избыточными концентрациями-центров и комплексов на основе вакансий, включая дивакансии.

3) Сложные комплексы, образующиеся при облучении кремния альфа-частицами, распадаются при нагреве с высвобождением межузельного кремния.

Апробация работы.

По материалам диссертации были представлены доклады и опубликованы тезисы докладов на следующих конференциях: IV всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2002), IV международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии» (Ульяновск, 2002), VI международной конференции «Опто-, нано-электроника, нанотехнологии и микросистемы» (Ульяновск, 2004).

Личное участие автора.

Основные теоретические положения разработаны совместно с д. ф.-м. н., профессором С. В. Булярским. Облучение исследуемых образцов проводилось в ГНЦ РФ НИИАР г. Димитровград. Экспериментальное исследование вольт-фарадных, вольт-амперных характеристик и термо-стимулированной емкости проведено автором самостоятельно на установках, разработанных сотрудниками кафедры оптики и спектроскопии твердого тела Ульяновского государственного университета. Также автор принимал участие в разработке установки и методики для измерения времени жизни и самостоятельно выполнял численное решение систем дифференциальных уравнений (главы 2,3,4).

Публикации.

Основные результаты исследований отражены в 7 печатных работах, список которых приведен в заключении.

Объем и структура диссертации.

Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав и заключения. Материал изложен на 128 страницах, содержит 41 рисунок, 6 таблиц, 129 наименований в списке литературы.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1. Булярский С. В., Насибов А. С., Светухина О. С., Скаляух О. В., Радчен-коВ.М. Туннельно-рекомбинационные процессы в облученных полупроводниковых структурах // Краткие сообщения по физике ФИАН. — 2004. — № 7. с. 53−58.

2. Булярский С. В., Скаляух О. В., Трифонов О. А., Радченко В. М., Топоров Ю. Г. Исследование изменения времени жизни носителей заряда в кремнии под воздействием облучения альфа-частицами // Уч. зап. УлГУ. Сер. Физическая. — 2004. — В. 1 (16). — С. 14−19.

3. Булярский С. В., Скаляух О. В., Радченко В. М., Топоров Ю. Г. Изменение концентрации свободных носителей при облучении кремниевых структур потоком альфа-частиц // Уч. зап. УлГУ. Сер. Физическая. — 2004. — В. 1 (16). -С. 19−23.

4. Кувырченкова О. В. (Скаляух О.В.), Светухин В. В. Разработка установки для измерения времени жизни неосновных носителей заряда методом фото-ЭДС // Уч. зап. УлГУ. Сер. Физическая. — 2004. — В. 2 (11). — С. 47−50.

5. Трифонов О. А., Кувырченкова О. В. (Скаляух О.В.), Амброзевич А. С., Светухин В. В. Исследование однородности времени по кремниевой пластине методом поверхностной фото-ЭДС // Тр. IV междунар. конф. «Оптика, оптоэлектроника и технологии». — Ульяновск, 2002. — С. 52.

6. Кувырченкова О. В. (Скаляух О.В.) Разработка установки для исследования распределения времени жизни неравновесных носителей по кремниевой пластине методом фото-ЭДС // Тез. докл. IV всероссийской конф. по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике. — СПб.: -Изд-во СПбГПУ, 2002. — С. 107.

7. Булярский С. В., Скаляух О. В., Радченко В. М., Топоров Ю. Г. Исследование электрических характеристик кремниевых структур при облучении альфа-частицами // Тр. VI междунар. конф. «Опто-, наноэлекгроника, нано-технологии и микросистемы». — Ульяновск, 2004. — С. 146.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. B.C., Черлядииский А. Р. Ионная имплантация примесей в мо-нокристаллы кремния: эффективность метода и радиационные нарушения // Успехи физических наук. 1995. — Т. 165, № 3. С.347−350.
  2. К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. Пер. с англ. М.: Мир, 1984. — 475 с.
  3. М.Г., Освенский В. Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984. -345 с.
  4. B.C., Киселев В. Ф., Мукашев Б. Н. Дефекты в кремнии и на егоповерхности М.: Наука, 1990. — 212 с.
  5. Бор Н. Прохождение атомных частиц сквозь вещество М.: ИЛ, 1950.150 с.
  6. М.А., Комаров Ф. Ф. Энергетические потери и пробеги ионов втвердых телах. Минск: Изд-во БГУ, 1979. — 319 с.
  7. А.Ф., Комаров Ф. Ф., Кумахов М. А., Темкин М. М. Таблицыпараметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей. Минск: Изд-во БГУ, 1980. — 352 с.
  8. В.А., Козловский В. В., Легирование полупроводников радиационными дефектами при облучении протонами и альфа-частицами // ФТП. 2001. — Т. 35, в.7. — С. 769 — 795.
  9. И.В., Ефремов Г. А., Козловский В. В., Ломасов В. Н., Иванов B.C. Радиационные процессы в технологии материалов и изделий электронной техники. / Под ред. B.C. Иванова и В. В. Козловского. -М.: Энергоатомиздат, 1997. 232 с.
  10. Дж., Виньярд Дж. Радиационные эффекты в твердых телах. М.: ИЛ, 1960.-523 с.
  11. Дж., Бургуэн Ж., Точечные дефекты в твердых телах. / Под ред. Б. И. Болтакс, Т. В. Машовец, А. Н. Орлова. М.: Мир, 1979. — 305 с.
  12. J. // J. Appl. Phys. -1954. 25 — P. 961.
  13. B.C., Кив A.E., Ниязова O.P. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981. — 368 с.
  14. М.И., Лущик Ч. Б., Машовец Т. В. и др. // Успехи физических наук. 1985. — Т. 147, № 3. — С. 523−558.
  15. Т.Д. Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках. М.: Энергоатомиздат, 1991. — 228 с.
  16. .И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1972.-384 с.
  17. B.C., Ухин Н. А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат, 1969. — 312 с.
  18. B.C., Кекелидзе НП., Смирнов Л. С. Действие излучений на полупроводники. М.: Наука, 1988. — 190 с.
  19. Винецкий В Л., Холодарь Г. А. Радиационная физика полупроводников. Киев: Наукова думка, 1979 — 336 с.
  20. Т.Д. Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах. -Л.: Наука, 1978.- 128 с.
  21. Д., Виниард Д. Радиационные эффекты в твердых телах: / Пер с англ.- Под ред. Г. С. Жданова. М.: Изд-во иностр. лит., 1960 — 40 с.
  22. В.В., Машовец Т. В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь, 1981. — 248с.
  23. Р.Ф., Литвинов ВЛ., Ухин Н. А. Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий. М.: Атомиздат, 1971. — 234 с.
  24. Физические процессы в облученных полупроводниках. / Под ред. Л. С. Смирнова. Новосибирск: Наука, 1977. — 256 с.
  25. Seitz F., Kochler J.S. Displacement of atoms during irradiation //Solid State Phys. 1956. V. 2. Ed. Seitz F., Turnbull D. — P. 305−442.
  26. B.B., Захаренков Л. Ф., Шустров Б. А. Трансмутационноелегирование полупроводников под действием заряженных частиц. И ФТП. 1992. — Т. 26, вып. 1. — С. 3−21.
  27. Watkins G.D. EPR Studies of the Lattice Vacancy and Low Temperature Damage Processes in Silicon. // In: Lattice Defects in Semiconductors. Conf. Ser. № 23, Inst, of Phys. London Bristol. — 1975. — P. 1−22.
  28. Watkins G.D. The Interaction of Irradiation Produced Defects with Impurities and Other Defects in Semiconductors. EPR Studies in Silicon. // In: Radiation Effects in Semiconductor Components. Toulouse, Journees D’Elec-tronique. — 1967. — P. A1-A9.
  29. M.A., Кив A.E., Ниязова O.P. Методы радиационных воздействий в исследовании твердых тел. Ташкент: Фан, 1971. — 32 с.
  30. Радиационно-активируемые процессы в кремнии. / Под ред. Ш. А. Ва-хидова. Ташкент: Фан, 1977. — 119 с.
  31. И.Д., Семенюк А. К., Хиврич В. И. Радиационные эффекты в кремнии. Киев: Наукова думка, 1974. — 199 с.
  32. Э.Н., Жукова Г. А., Мордкович В. Н. // ФТП. 1972. — Т.6. -С. 1306.
  33. G. // Phys. Rev. 1958. — III. — P. 1500.
  34. G. // J. Appl. Phys. -1959. 30. — P. 1166.
  35. Вопросы радиационной технологии полупроводников. / Под ред. JI.C. Смирнова. Новосибирск: Наука, 1980. — 296 с.
  36. Дж., Эриксон JL, Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников. М.: Мир, 1973. — 296 с.
  37. Р.Ф., Остроумов B.II. Взаимодействие заряженных частицвысоких энергий с германием и кремнием. М.: Атомиздат, 1975. -127 с.
  38. Г. М., Сирота Н. Н. К вопросу об относительной роли разупоря-доченных областей и повреждении кремния при электронном облучении. / В кн.: Радиационные дефекты в полупроводниках. Минск: Изд-воБГУ, 1972.-С. 56−57.
  39. Винецкий B. JL, Кондрачук А. В. О пороге образования кластера радиационных дефектов в полупроводнике // Физ. и техн. полупр. 1976. -Т. 10, вып. 2. — С. 366 — 367.
  40. С.М., Крейнин Л. Б. Влияние областей разупорядочения на рекомбинацию в облученном /?-кремнии // Физ. и техн. полупр. 1974. -Т. 8, вып. 4. — С. 667−671.
  41. Crawford J.H., Cleland J.W. Nature of Bombardment Damage and Energy Levels in Semiconductors //J. Appl. Phys. -1959. V.30, № 8. — P. 12 041 213.
  42. Gossik B.R. Disordered Regions in Semiconductors Bombarded by Fast Neutrons //J. Appl. Phys. -1959. V. 30, № 8. — P. 1214−1218.
  43. В.П., Ухин H.A. Влияние примесного состава на скорость изменения подвижности электронов при нейтронном облучении // Совещание по радиационной физике неметаллических кристаллов. Тез. докл., дополн. вып., Киев. 1969. — С. 9.
  44. И.К., Резников М. Я. Взаимодействие лития с областями разупорядочения, созданными быстрыми нейтронами в «-германии // Физ. и техн. полупр. -1973. Т. 7, вып. 9. — С. 1689−1692.
  45. А.И., Смирнов JI.C. Резонансное рассеяние носителей заряда на разупорядоченных областях в полупроводниках // Радиационные дефекты в полупроводниках. Минск: Изд-во БГУ. — 1972. — с. 237−238.
  46. .И., Диффузия в полупроводниках. М.: Физматлит. — 1961. -462 с.
  47. Stein H.J., Vook F.L., Brice D.K., Borders J.A., Picraux S.T. Infrared Studies of the Crystallinity of Ion Implanted Si // Rad. Eff. 1970. — V. 6, № 1. -P. 19−26.
  48. H.H., Двуреченский A.B., Лебедев Г. П. Взаимодействие дефектов, введенных ионной бомбардировкой // Физ. и техн. полупр. -1973. Т. 7, № 12. — С. 2297−2300.
  49. Н.В., Смирнов JI.C. Особенности накопления радиационных дефектов при бомбардировке кристаллов ионами // Физ. и техн. полупр. -1971.-Т. 5,№ 1.-С. 166−168.
  50. Н.Н., Двуреченский А. В., Смирнов JI.C. Исследование дефектообразования в облученном ионами кремнии методом ЭПР // Физ. и техн. полупр. -1971. Т. 5, № 9. — С. 1700−1705.
  51. С.И., Смирнов JI.C. Образование разупорядоченных слоев при бомбардировке кристаллов ионами // Физ. и техн. полупр., т. 6, № 8, 1972, с. 1631−1634.
  52. Gerasimov A.I., Zorin Е.1., Pavlov P.V., Tetelbaum D.I. On the Peculiarities of Silicon Amorphization at Ion Bombardment // Phys. Stat. Sol. (a). -1972. -V. 12,№ 2.-P. 679−685.
  53. B.H., Герасименко H.H. Двуреченский А. В., Смирнов JI.C. Профили дефектов при имплантации ионов в кремний // Физ. и техн. полупр. -1975. Т. 9, № 5. — С. 835−839.
  54. И.А., Титов А. И., Хлебалкин А. В. Образование приповерхностного пика структурных нарушений при ионном облучении // Физ. и техн. полупр. 1977. — Т. 11, № 6. — С. 1204−1206.
  55. Crowder B.L., Title R.S., Brodsky М.Н., Pettit G.D. ESR and Optical Studies of Ion, Implanted Silicon // Appl. Phys. Lett. 1970. — V. 16, № 5. -P. 205−208.
  56. Dvurechensky A.V. Smirnov L.S. Production and Rearrangment of Radiation Defects in Ion Implanted Semiconductors // Rad. Eff. -1978. V. 37,3.4.-P. 173−178.
  57. Morehead F.F., Growder B.L. Model for the Formation of Amorphous Si by Ion Bombardment // Rad. Eff. 1970. — V. 6, № 1−2. — P. 27−32.
  58. Dennis J.R., Hale E.B. Amorphization of Silicon by Ion Implantation: Homogeneous or Heterogeneous Nucleation // Rad. Eff. 1976. — V. 30. -P. 219−225.
  59. Dennis J.R., Woodward G.K., Hale E.B. Vacancy Motion in Ion Implanted Silicon // In: Lattice Defects in Semiconductors. Conf. Ser. № 23, Inst, of Phys. London Bristol, 1975.
  60. Dennis J.R., Hale E.B. Grystalline to Amorphous transformation in Ion Implanted Silicon: a Composite Model //1. Appl. Phys. -1978. V. 49, № 3. -P. 1119−1127.
  61. .Н., Абдуллин X.A., Горелкинский Ю. В. Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии // Успехи физических наук. 2000. -Т. 170, № 2. — С. 143−155.
  62. B.C., Горин Б. М., Данилин Н. С., Кив А.Е., Нуров Ю. Л., Ша-ховцов В. И. Радиационные методы в твердотельной электронике. М.: Наука, 1990- 184 с.
  63. Palmetshofer L., Reisinger J. Defect levels in H±, D± and He±bombarded silicon // J. Appl. Phys. 1992. — Vol. 72, № 6. — P. 2167−2173.
  64. Hallen A., Keskitalo N., Masszi F., Nagl V. Lifetime in proton irradiated silicon // J. Appl. Phys. 1996. — Vol 79, № 8. — P. 3906−3914.
  65. Irmscher K., Klose H., Maass L. Hydrogen-related deep levels in proton-bombarded silicon//J. Phys. C.- 1984.-Vol. 17, № 35. P. 6317−6329.
  66. Hallen A., Sundgvist B.U.R., Paska Z., Svensson B.G., Rosling M., Tiren J. Deep level transient spectroscopy analysis of fast ion tracks in silicon // J. Appl. Phys. 1990. — Vol. 67, № 3. — P. 1266−1271.
  67. Wondrak W., Bethge K., Silber D. Radiation defect distribution in proton-irradiated silicon // J. Appl. Phys. 1987. — Vol. 62, № 8. — P. 3464−3466.
  68. Wondrak W., Silber D. Buried recombination layers with enhanced «-type conductivity for silicon power devices // Physica. 1985. — Vol. 129B+C, № 1.-. P. 322−326.
  69. Hazdra P., Vobecky J. Nondestructive defect characterization and engineering in contemporary silicon power devices // Solid State Phenomena. 1999.- Vol. 69−70. P. 545−550.
  70. Cheng L.J., Lord Characteristics of neutron damage in silicon // J. Phys. Rev.- 1968.- 171, № 3.- P. 856−862.
  71. R.N., Petrashen P.V., Sorokin M.L. // Phys. Status Solidi. 1980. -A60.-P. 381.
  72. J.A., Tucker T.N., Moyer N.E., Bacchert R.C. // J. Appl. Phys. -1968.-39.-P. 4365.
  73. A.C., Ковешников C.B. ПрепринтЫ 1342 ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН-Л.- 1989.
  74. A.M., Строкан Н. Б., Шуман В. Б. Свойства р±л-структур с заглубленным слоем радиационных дефектов // ФТП. 1998. — Т. 32, № 3.- С.359−365
  75. Е.М., Еремин В. К., Иванов A.M., Ли 3., Шмидт Б. Генерация радиационных дефектов в высокоомном кремнии при циклическом облучении и отжиге // ФТП. 1997. — Т. 31, № 2. — С. 235−241.
  76. Е.М., Еремин В. К., Иванов A.M., Строкан Н. Б., Ли 3., Шмидт Б., // ФТП. 1993. — Т. 27. — С.1136.
  77. В.М., Воронков В. Б., Грехов И. В., Гусинский Г. М., Козлов В. А., Найденов В. О. // ЖТФ. -1987. Т. 57. — С. 1925.
  78. В.М. Об активации смещений при релаксации электронных возбуждений в твердых телах // Физ. тверд, тела. -1969. Т. 11, вып. 3. -С. 799−801.
  79. Ф.П., Богатырев Ю. В., Вавилов В. А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. Минск: Наука и техника, 1986. — 256 с.
  80. JI.O., Чепиженко А. З. Обеспечение стойкости аппаратуры связи к ионизирующим и электромагнитным излучениям. М.: Радио и связь, 1988.-259 с.
  81. А.А. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Радио и связь, 1988. — 254 с.
  82. В.Я., Литвинов P.O. Радиационно-стимулированная гетерогенность электрофизических параметров МДП-структур // Оптоэлектро-ника и полупроводниковая техника. Киев: Наук, думка. 1987. — В. 12. -С. 9−12.
  83. В.Я., Кондратьев Н. В., Корнюшин С. И. Радиационные изменения электрофизических параметров окисленной поверхности кремния, облученной в условиях повышенной температуры // Электронная техника. -1983. Сер. 4, вып. 6. — С. 34−37.
  84. Passenheim В. С, Ginaven R.O. A Radiation Tolerant Photodetector // IEEE Trans. 1987. — V. NS-34, № 6. — P. 1588−1591.
  85. И.А., Андронов A.M., Титов А. И. Физические основы электронной и ионной технологии: Учебное пособие. М.: Высш. школа, 1984−320 с.
  86. Litovchenko V. C, Kiblik V.Ya., Georgiev S.S. Radiation Induced Changes in Low-Temperature Oxide MOS Structures (Al-Si02-Si) // Rad Effects.1982.-№ l.-P. 1−5.
  87. В.П., Татеосов В. Г., Хабибуллаев П. К. Радиационные методы технологического контроля некоторых параметров диодных структур // Тез. докл. Всесоюз. конф. Радиационная физика полупроводников и родственных материалов. Ташкент, 1984, с. 142.
  88. Grunthaner F.J., Grunthaner P.J. Maseijian J. Radiation-Indused Defects in Si02 as Determined with XPS // IEEE Trans. 1982. — V. NS-29, № 6. -P. 1462−1466.
  89. O’Loughlin M.J. Radiation Effects in High Electron Mobility Transistors: Total Dose Gamma Irradiation // IEEE Trans. 1987. — V. NS-34, № 6. -P. 1808−1811.
  90. Brayer J.D. Mc, Pastorek R.A., Jones R.V., Ochoa A. Jr. A Model Describing Hot-Carrier and Radiation Effect in MOS Transistors // IEEE Trans. 1987. V. NS-34, № 6. — P. 1647−1651.
  91. Winkler E. Strahlungsempfindlichkeit von MOS-Bouelement // Radio -Fernsehen Electron. — 1987/ - V. 37, № 3. — P. 178−180.
  92. Schmitz W., Young D.R. Radiation Induced Electron Traps in Silicon Oxide // J. Appl. Phys. 1983. — V. 54, № 11. p. 6443−6449.
  93. O.B., Симонов Б. М., Коледов JI.A. Физические основы функционирования изделий микроэлектроники. М.: Высш. школа, 1987- 167 с.
  94. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: / Пер. с англ.- Под ред. Р. А. Суриса. М.: Мир, 1984 — 240 с.
  95. Borany J. von, Schmidt В., Grotzschel R. // Nucl. Instrum. Meth. 1996. -A377.-P.514.
  96. J., Haas E., Raithel K. // Sol. St. Electron. 1966. — 9. — P. 83.
  97. A.M., Ильяшенко И. Н., Строкан Н. Б., Шмидт Б. // ФТП. -1995.-Т. 29.-С. 543
  98. В.В., Машовец Т. Б., Михнович В. В. // ФТП. 1992. — Т. 26,1. С. 22.
  99. М.К. Фотохимические реакции и явления деградации в полупроводниках // Тез. докл. I Всесоюз. конф. по деградации и надежности микроэлектронных приборов. Кишинев, 1982. — С. 87.
  100. Неупорядоченные полупроводники: / Под ред. М. Бродски. М.: Мир, 1982.-419с.
  101. Рассеяние света в твердых телах: / Под ред. М. Кардоны. М.: Мир, 1979.-390 с.
  102. Физика гидрогенизированного аморфного кремния. Вып. И. (электронные и колебательные свойства) под ред. Дж. Джоунопулоса и Дж. Люковски. М.: Мир, 1988. — 444 с.
  103. Т.А. Исследование рекомбинационных центров в облученных кристаллахр-Si // ФТП. 2004. — Т. 38, вып.6. — С. 665−669.
  104. В.В. Модифицирование полупроводников пучками протонов. СПБ.: Наука, 2003. — 268с.
  105. С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963. — 496 с.
  106. JI.C. Емкостные методы исследования полупроводников. -М.: Наука, 1972.- 125 с.
  107. С.В. Глубокие центры в полупроводниках. Кишинев: Штиинца, 1987. — 121 с.
  108. С.В., Грушко Н. С. Физические принципы функциональной диагностики /^-«-переходов с дефектами. -Кишинев: Штиинца, 1992. -256 с.
  109. Seeger A. and Chik К.Р. Vacancy migration in silicon // Phys. Status Solidi. 1968. — Vol. 29. — P. 455−462.
  110. . А. Глубокие уровни в полупроводниках. М.: Мир, 1987. -576 с.
  111. Yip K.L. The latties vacancy in Si and Ge.// Phys. Stat. Solidy (b). 1987.- V.66, № 2. -Р.619−624.
  112. Lois S.G., Schuter M., Chelikowskii L. Self consistent electronic state to reconstructed Si vacancy models // Phys.Rev.B. 1971. — V.3. — P.2556−2561.
  113. Watkins G.D., Troxel J.R., Chatterjes A.P. Vacancies and iterstitials in silicon // Defects and Radiation Effects in Semiconductors, The Institute of Phys., 1979.-P. 16−34,
  114. Lindstrom L.G., Dehriein G.S. Mechanism of the enhancement in diva-cansy production by oxygen during electron irradiation of silicon // J. Appl. Phys. 1982. — Vol.53. — P.8686 — 8690.
  115. Е.Г., Шипатов Э. Т. Ядерная физика твердого тела Ульяновск, УлГУ, 2000. — 505с.
  116. С.В., Радауцан С. И. Определение параметров глубоких ре-комбинационных центров с помощью модифицированного метода термостимулированной емкости // ФТП. 1981. — Т. 15. — С.1443−1446.
  117. С.В., Грушко Н. С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. М.: МГУ, 1995. — 399 с.
  118. В.М., Блецкан Н. И., Венгер Е. Ф. Кислород в монокристаллах кремния. Киев: Интерпресс ЛТД, 1997. — 239 с.
  119. Cindro V., Kramberger G., Mikuz M., Zontar D. Bias dependent annealing of radiation Damage in Neutron — irradiatiated silicon p±n-n±diodes // University of Luiblyana. — 1999. -P. 124.
  120. С.В., Светухин В. В. Физические основы управления де-фектообразованием в полупроводниках. Ульяновск, УлГУ, 2002. -386с.
  121. Sah С.Т., Noyce R., Shockley W. Carrier generation and recombination in p-n-junction characteristics. // Proc. IRE. 1957. — Vol.45. — P.1228−1241.
  122. C.B., Грушко Н. С. Обобщенная модель рекомбинации в неоднородных полупроводниковых структурах // ЖЭТФ. 2000.
  123. Т. 118, вып 5(11). С.1222−1229.
  124. ЦебстМ. Контрольно-измерительная техника, — М.: Энергоатомиздат, 1989.- 102 с.
  125. Д.А., Грушко Н. С. Поверхностно-барьерные диоды Шоттки на основе кремния. // Микроэлектроника. 2001. -В. 7. -С.70−76.
  126. Н.С., Дону B.C., ЖитарьВ.Ф., РадауцанС.И. Электрические характеристики двойных поверхностно-барьерных диодов на основе CdGa2S4 // Сб. Получение и исследование новых материалов полупроводниковой техники. Кишинёв.: Штиинца. — 1980. — С.90−98.
  127. С.В., ЖеляповГ.И., Наградова И. А., Невский О. Б., Чичу-лин А. В. Определение параметров глубоких уровней в эпитаксиальных слоях GaP: ZnO с помощью двойных поверхностно-барьерных диодов // ФТП. 1981. — Т.15. — С.1660 — 1662.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?