Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Особенности эмиссии атомных частиц при ионном облучении двухкомпонентных соединений

Диссертация: Особенности эмиссии атомных частиц при ионном облучении двухкомпонентных соединений
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Впервые методом МД моделирования изучены угловые и энергетические зависимости распыления упорядоченных бинарных соединений РЬТе и PbSe, имеющих простую кубическую решетку. Показано, что на угловых зависимостях распыления монокристаллов РЬТе появляются минимумы в направлениях открытых каналов для относительно быстрых ионов, которые пропадают для более медленных ионов, и вместо них появляются… Читать ещё >

Содержание

  • Актуальность темы
  • Цели и задачи работы
  • Научная новизна
  • Достоверность
  • Практическаязначимость
  • Основные положения, выносимые на защиту
  • Апробация работы
  • Список публикаций по теме работы
  • Личный вклад автора
  • Объем и структура диссертации
  • Глава 1. Обзор литературы. Экспериментальные данные по распылению двухкомпонентных" соединений и сплавов
    • 1. 1. Введение
    • 1. 2. Состав*поверхности, коэффициент распыления"
      • 1. 2. 1. Процесс установления состава поверхности
      • 1. 2. 2. Глубина-измененного слоя, распределение состава по глубине
      • 1. 2. 3. Соотношение масс атомов компонент мишени
      • 1. 2. 4. Концентрация компонент
      • 1. 2. 5. Температура мишени
    • 1. 216. Соотношение масс бомбардирующего иона и атомов мишени"
      • 1. 2. 7. Энергетическая зависимость
    • 1. 3. Энергетические спектры распыленных атомов
    • 1. 4. Угловые распределения распыленных атомов
      • 1. 4. 1. Поликристаллы
      • 1. 4. 2. Монокристаллы
    • 1. 5. Выводы к главе 1
  • Глава 2. Методика моделирования распыления бинарных соединений
    • 2. 1. '.:Физическая модель
    • 2. 2. Численные методы при моделировании распыления
    • 2. 3. Численные методы нахождения минимума функции нескольких переменных
    • 2. 4. Алгоритм построения моделей мишени
    • 2. 5. Потенциалы взаимодействия
    • 2. 6. Нахождение параметров потенциала взаимодействия
    • 2. 7. Данные численного эксперимента
    • 2. 8. Выводы к главе 2
  • Глава 3. Процесс распыления неупорядоченного соединения NiPd'
    • 3. 1. Введение
    • 3. 2. Методика моделирования
    • 3. 3. Закономерности распыления соединений Ni-Pd с разным содержанием компонентбЗ
      • 3. 3. 1. Никель и палладий
      • 3. 3. 2. Сплавы никеля с палладием
    • 3. 4. Влияние состава поверхностных слоев кристалла NiPd на процесс его распыления
      • 3. 4. 1. Зависимость распыления моно- и поликристалла NiPd от энергии облучающих ионов
      • 3. 4. 2. Угловая зависимость распыления грани (001) NiPd для разного состава поверхностных слоев
      • 3. 4. 3. Энергетические спектры
      • 3. 4. 4. Источник распыления
      • 3. 4. 5. Поколения распыленных частиц
      • 3. 4. 6. Глубина выхода распыленных частиц
    • 3. 5. Особенности энергетической зависимости распыления NiPd и его компонент для различных углов ионного облучения
      • 3. 5. 1. Энергетическая зависимость распыления NiPd при разных углах ионного облучения
      • 3. 5. 2. Энергетическая зависимость распыления компонент монокристалла NiPd
      • 3. 5. 3. Изменение с энергией ионов отношения выхода атомов никеля к палладию при распылении NiPd
    • 3. 6. Выводы к главе 3
  • Глава 4. Радиационная устойчивость упорядоченных бинарных соединений РЬТе и PbSe
    • 4. 1. Введени е
    • 4. 2. Методика расчета
    • 4. 3. Энергетическая зависимость распыления элементов, входящих в соединения
      • 4. 3. 1. Распыление свинца
      • 4. 3. 2. Распыление теллура и селена
    • 4. 4. Закономерности распыления сплавов
      • 4. 4. 1. Угловая зависимость
      • 4. 4. 2. Энергетическая зависимость
    • 4. 5. Выводы к главе 4
  • Глава 5. Пространственное распределение частиц, распыленных из неупорядоченных и упорядоченных двойных соединений
    • 5. 1. Введени е
    • 5. 2. Особенности пространственного распределения распыленных атомов из неупорядоченного сплава NiPd
      • 5. 2. 1. Распределение распыленных частиц по полярному углу вылета
      • 5. 2. 2. Азимутальные угловые распределения
      • 5. 2. 3. Картина пятен
    • 5. 3. Закономерности пространственных распределений частиц, распыленных из упорядоченных соединений РЬТе H’PbSe
      • 5. 3. 1. Полярные распределения
      • 5. 3. 2. Азимутальные угловые распределения
      • 5. 3. 3. Картина пятен
    • 5. 4. Выводы к главе 5.'
  • Выводы
  • Благодарность

Особенности эмиссии атомных частиц при ионном облучении двухкомпонентных соединений (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

.

В настоящее время возрос интерес к исследованию процесса ионного распыления твердых тел. Это связано как с необходимостью решения фундаментальных вопросов взаимодействия ионов с поверхностью, так и с быстрым ростом практического использования распыления для модификации и анализа состава различных материалов.

Ионная бомбардировка сопровождается сложными процессами в приповерхностной области мишени, изменяющими ее структуру и состав. Эти изменения, с одной стороны, является нежелательным эффектом, приводящим к систематическим ошибкам при диагностике поверхностис другой стороны, они составляют важный элемент технологии создания модифицированных слоев. И в том и в другом случае, необходимо четкое понимание механизмов' и особенностей протекания ионно-стимулированных процессов вблизи поверхности твердых тел, и в частности, бинарных соединений, которые широко применяются на практике.

Особый интерес для? исследования физики взаимодействия* ионов с поверхностью! твердого тела представляют бинарные ферромагнитные неупорядоченные соединения №-Рс1, которые используются в микроэлектронике и в медицине, например, при развитии методов магнитно-резонансной томографии и фиксировании необходимых участков для локального нагрева. Большое внимание уделяется также бинарным упорядоченным соединениям — РЬТе и РЬЭе, которые имеют широкое практическое использование: при создании фоторезисторов, работающих в инфракрасной области спектра, в производстве термоэлектрических генераторов и др. РЬ8е применяется также в солнечных батареях. Поскольку в ряде применений РЬТе и РЬ8е подвергаются ионному облучению, важно исследовать процесс их распыления. Помимо этого, исследование процессов при ионном облучении упорядоченных биметаллов РЬТе и РЬ8е, имеющих простую кубическую решетку, представляет несомненный интерес с физической точки зрения. Процессы, происходящие при ионной бомбардировке таких соединений (и в частности, анизотропия распыления), никогда не рассматривались ранее. Необходимо отметить важность исследования механизмов ионного распыления бинарных соединений для развития современного метода анализа состава поверхности — метода ВИМС (вторично-ионной масс-спектрометрии). Для совершенствования метода ВИМС и увеличения его разрешающей способности необходимо детальное теоретическое и модельное исследование процесса ионного распыления.

Вследствие значительных трудностей, возникающих при теоретическом исследовании взаимодействия ионов с атомами мишени для решениякак фундаментальных, так и прикладных задач, часто используется математическое моделирование. В настоящей работе поставленные задачи решались методом молекулярно-динамического (МД) моделирования. Были созданы и апробированы модели мишеней и методика численного расчета ионного распыления твердых тел с минимальной затратой машинного времени. МД моделированием исследованы различные аспекты ионного распыления бинарных соединений с неупорядоченной (№-Рс1) и упорядоченной (РЬТе и РЬ8е) структурой, имеющих большое практическое применение:

Цели и задачи работы.

Целью работы являлась изучение особенностей эмиссии атомных частиц при ионном облучении двухкомпонентных соединений методами МД моделирования. Для достижения этой цели были поставлены, следующие задачи:

— разработка МД программы расчета ионного распыления двухкомпонентных соединений;

— изучение угловых и энергетических распределений частиц, распыленных из неупорядоченных сплавов никеля с палладием с разным содержанием компонент;

— определение условий радиационной устойчивости упорядоченных бинарных соединений РЬТе и РЬ8е в процессе их распыления, построение угловых и энергетических распределений распыленных частиц;

— выявление особенностей пространственных распределений частиц, распыленных из неупорядоченных и упорядоченных двойных сплавов.

Научная новизна.

1. Разработаны физические модели и математическая МД модель прогнозирования изменений физических свойств бинарных соединений в зависимости от ионного распыления поверхности, позволяющие получать качественное и количественное согласие с экспериментальными данными.

2. Установлены физические свойства распыления неупорядоченных монокристаллов Ni-Pd с неизменённым составом поверхностных слоев и с учетом сегрегации при нормальном и наклонном падении ионов аргона в широком диапазоне энергий.

3. Выявлены факторы, определяющие форму угловых, пространственных и энергетических распределений частиц, распыленных из кристаллов неупорядоченных соединений Ni-Pd.

4. Впервые исследованы угловые зависимости и пространственные распределения распыленных атомов, выходящих из монои поликристаллов упорядоченных бинарных соединений РЬТе и PbSe с простой кубической решеткой под воздействием облучения ионами Аг+ с энергией от 0.1 до 60 кэВ. Определены механизмы, влияющие на закономерности их распыления.

Достоверность.

Достоверность разработанной физической и математической МД модели распыления бинарных соединений и сделанных на ее основе расчетов подтверждается качественным и количественным согласием расчетных и экспериментальных данных.

Практическая значимость.

1. Созданы модели мишеней и методика расчета распыления кристалла, позволяющие сократить время достоверного численного эксперимента в 2−4 раза по сравнению с обычным полным молекулярно-динамическим рассмотрением.

2. Установленные закономерности распыления? ферромагнитных соединений №-Рс1 важны при их использовании в микроэлектронике, медицине, например, при совершенствовании методов магнитно-резонансной томографии и фиксировании участков для локального разогрева.

3. Обнаружены особенности распыления, соединений №-Рс1 с разным, содержанием компонент, которые следует использовать при совершенствовании количественного ВИМС анализатвердого тела.,.

4. Полученные результаты, по ионному распылению полупроводниковых соединений РЬТе и РЬБе, важны для. конструирования солнечных батарей, а. также при создании фоторезисторовиспользуемых, например, при создании спектральных аналитических приборов регистрации в атмосфере опасных концентраций СО, С02 и ряда органических соединений.

Основные положения, выносимые на защиту.

Приисследовании ионного распыления бинарных соединений с неупорядоченной (№-Рс1) и упорядоченной (РЬТе и РЬ8е) структурой впервые получены следующие результаты.

1. Угловая зависимость коэффициента распылениям Г (а) соединений №Р<1, РЬТе и РЬ8е качественно различается для кристаллов с ПК и ГЦК решеткой, а также при распылении быстрыми и медленными ионами. Для быстрых ионов наблюдаютсяобычные минимумы У (а) в направлениях открытых каналов кристаллической решетки. Для медленных ионов минимумы в направлениях открытых каналов пропадают, и возникают максимумы в направлениях плотной упаковки.

2. Энергетическая, зависимость коэффициента распыления У (Ео) поликристаллов соединений №Рё и РЬТе имеет максимум при энергии Е0 ионов аргона, равной 40 кэВ, что совпадает с данными для других мишеней. Для грани (001) монокристаллов NiPd максимум: Y (Eo) расположен при Eq ~ 2 кэВ, а для РЬ, РЬТе и PbSe при более высокой энергии Eq ~ 15 кэВ, что объяснено особенностью распыления атомов большой массы. При наклонном падении ионов на монокристаллы NiPd и РЬТе происходит сдвиг максимумов" Y{Eq) в сторону больших энергий, по сравнению со случаем нормального падениям.

3. Пространственные распределения распыленных атомов (картина пятен), для монокристаллов бинарных соединений NiPd и РЬТе, характеризуются преимущественным выходом компонентов в одних и тех же направлениях плотной, упаковки- (<011> и <001>) и качественно меняются с энергией и углом падения облучающих ионов. Картина пятен при одинаковых условиях облучения различается для кристаллов NiPd (ГЦК-решетка) и РЬТе: (ПК-решетка).

4. Полярное распределение атомов, распыленных с грани (001) упорядоченного монокристалла РЬТе с простой кубической решеткойзависит от энергии Е выходящихчастиц и различается для атомов Те и РЬ. Вблизи направления: [011] эмитируют атомы с малыми энергиями (Е = 10 эВ), что характерно для фокусированных столкновенийДля частиц с энергией Е = 30 эВ происходит выход атомов при больших полярных углах, когда частицы распыляются из поверхностных слоев после малого числа столкновений.

Апробация работы.

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях:

1. 17-й Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью», г. Звенигород, 2005 г.;

2. 5th Iberian Vacuum Meeting RIVA 5-Portugal, 2005;

3. 18-й Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью», г. Звенигород, 2007 г.;

4. 19-й Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью», г. Звенигород, 2009 г.;

5. 20th International Conference on Ion Beam Analysis, Plaza Itapema Resort & Spa, Itapema, SC-Brazil, 10−15 April, 2011;

6. 20-й Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью», г. Звенигород, 2011 г.

Список публикаций по теме работы.

1. А. С. Мосунов, К. А. Толтм, М. Ю. Толпина, В. Е. Юрасова. Особенности распыления сплавов Ni-Pd с разным содержанием компонент // Труды 17-ой Международной' конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью», ВИП-2005, Звенигород. Т. Г. С. 143−146.

2. A.S.Mosunov, J.S.Colligon, KA. Tolpin, M.Yu.Tolpina, V.E.Yurasova. Sputtering of Ni-Pd alloys with varying ratio' of components // Abstracts of 5th Iberian Vacuum Meeting RIVA 5-Portugal, 18−21 September 2005. P. 15.

3. А. С. Мосунов, К. А. Толпин, М. Ю. Толпина, В. Е. Юрасова. Особенности распыления сплавов Ni-Pd с разным содержанием компонент // Поверхностьрентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2006. № 7. С. 13−17.

4. К. А. Толпин, М. Ю. Толпина, В.е.Юрасова. Влияние составаповерхностных слоев кристалла NiPd-напроцесс его распыления // Труды- 18-ой Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью», ВИП-2007, Звенигород. Т. 1.С. 201−204.

5. КА. Толпш, М. Ю. Толпина, В. Е. Юрасова. Влияние состава поверхностных слоев монокристалла NiPd на закономерности его распыления. // Поверхностьрентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2008. № 5. С. 17−24.

6. К. А. Толпин, М. Ю. Толпина, В. Е. Юрасова. Пространственное и энергетическое распределение частиц, распыленных из монокристалла NiPd. // Труды 19-ой Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью», ВИП-2009. Звенигород. Т. 1. С. 164−167.

7. К.А. Tolpin, Yu.A. Ryzhov, V.E. Yurasova. Spatial and energy distributions of particles sputtered from NiPd single crystals. // Vacuum. 2009. V. 84. 3. P 369−377.

8. K.A. Tolpin, V.I. Bachurin, V.E. Yurasova. Feature of energy dependence of NiPd xU sputtering for different ion irradiation angles. // Abstract for 20 International Conference on Ion Beam Analysis, Plaza Itapema Resort & Spa, Itapema, SC — Brazil, 10−15 April, 2011. PA2.

9. В. И. Бачурин, А. П. Кузъменко, K.A. Толпин, B.E. Юрасова. Пространственные распределения частиц, распыленных из монокристаллов NiPd и РЬТе. // Известия Юго-Зап. Гос. Унив. 2011. № 1. — С. 89−98.

10. К. А. Толпин, В. И. Бачурин, В. Е. Юрасова. Радиационная устойчивость РЬТе и PbSe бинарных соединений, Труды 20-ой Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью», ВИЦ-2011, Звенигород. Т. 1. С. 117 120.

Личный вклад автора.

Разработана молекулярно-динамическая программа расчета ионного распыления двухкомпонентных соединений, выполнен весь объем расчетов, построены угловые, энергетические ипространственные зависимости частиц, распыленных из двухкомпонентных соединений, проведены сравнения их с известными экспериментальными данными.

Объем и структура диссертации.

Работа содержит 150 страниц текста, включая 64 рисунка и библиографию из 213 наименований. По теме диссертации опубликовано 10 работ, список которых приведен в конце введения.

Диссертация состоит из введения, 5 глав и выводов.

Выводы.

1. Разработана математическая модель и программа расчета распыления упорядоченных и неупорядоченных монои поликристаллов различной структуры, которая сокращает время достоверного численного эксперимента в 24 раза по сравнению с обычным полным МД рассмотрением.

2. Методом МД моделирования изучено ионное распыление неупорядоченных соединений никеля с палладием с разным содержанием компонентов (NiPd, Ni5Pd и NiPd5). Показано, что распыление кристаллов Ni-Pd возрастает при увеличении содержания в них Pd, а преимущественный выход компонент зависит от энергии и угла падения бомбардирующих ионов и различается для исследованных соединений. Для угловой зависимости распыления отдельных элементов наблюдается смещение максимума коэффициента распыления в сторону больших углов падения ионов для Ni, по сравнению с Pd.

3. Исследованы закономерности распыления монокристаллов неупорядоченного соединения NiPd с неизменным составом" поверхностных слоев и с учетом сегрегации. Установлено, что угловая зависимость распыления для всех выходящих частиц и для компонент существенно различается при облучении кристалла быстрыми и медленными ионами. При энергиях ионов. более 0.5 кэВ существуют обычные минимумы в направлении открытых каналов кристаллической решетки, в то врет как для меньших энергий ионов наблюдаются лишь максимумы распыления вблизи плотноупакованных направлений <011>. Энергетические зависимости характеризуются смещением максимумов коэффициентов распыления в сторону больших энергий при увеличении угла падения ионов. Учет сегрегации приводит к заметному преимущественному распылению Pd по сравнению с Ni.

4. Впервые методом МД моделирования изучены угловые и энергетические зависимости распыления упорядоченных бинарных соединений РЬТе и PbSe, имеющих простую кубическую решетку. Показано, что на угловых зависимостях распыления монокристаллов РЬТе появляются минимумы в направлениях открытых каналов для относительно быстрых ионов, которые пропадают для более медленных ионов, и вместо них появляются максимумы в направлениях [001] и [011] плотной упаковки атомов. Наблюдаемые зависимости распыления свинцовых соединений объяснены особенностями процессов фокусировки атомных соударений и движением частиц по открытым каналам кристаллической решетки.

5. Показано, что для пространственных распределений компонентов соединений монокристаллов №Рс1 и РЬТе, облучаемых ионами Аг+ при нормальном и наклонном падении, преимущественный выход распыленных атомов происходит вблизи одних и тех же направлений плотной упаковки: <011> и [001].

6. Обнаружена зависимость вида полярных распределений атомов Те и РЬ, распыленных с грани (001) упорядоченного монокристалла РЬТе, от энергии выходящих частиц. Вблизи направления [011], преимущественно эмитируют атомы с малыми энергиями (Е = 10 эВ), что характерно для фокусированных столкновений. Для частиц с большей энергией (Е = 30 эВ) преобладает эмиссия вблизи поверхности, когда частицы выходят из верхнего слоя кристалла после малого числа столкновений.

7. Впервые рассчитаны картины пятен распыления для кристалла РЬТе с-простой кубической решеткой. Полученные картины не противоречат экспериментальным пятнам Венера для монокристаллов с ГЦК решеткой, но имеют свои особенности. Основное отличие картин пятен для №Рс1 (ГЦК) и для РЬТе (ПК) состоит в разной энергии облучающих ионов Е0, необходимой для появления центрального пятна Венера в направлении [001] при распылении грани (001).

8. Полученные результаты рекомендуется учитывать при прогнозировании изменения физических свойств и состава бинарных соединений под действием ионного облучения, при совершенствовании методов ионной диагностики поверхности и магнитно-резонансной томографии, а также при конструировании плазменных приборов, солнечных батарей и фоторезисторов.

Благодарность.

Искренне признателен Владимиру Ивановичу Бачурину за научное руководство, всестороннюю помощь и плодотворное обсуждение результатов настоящей работы.

Выражаю глубокое уважение, признательность и благодарность Вере Евгеньевне Юрасовой. Без ее идей, настойчивости и огромной помощи эта работа не появилась бы.

Отдельно хочется вспомнить A.C. Мосунова, сотрудничество с которым было очень плодотворным и просто необходимым на начальном этапе работ.

Я благодарен коллегам с кафедры электроники физического факультета МГУ им. М. В. Ломоносова и из Ярославского государственного университета им. П. Г. Демидова за обсуждение данной работы и ценные замечания.

Благодарю мою семью за понимание и поддержку во время работы над диссертацией.

Показать весь текст

Список литературы

  1. R., Опо М., Nakayama К. Quantative auger analysis of copper-nickel alloy surface after argon ion bombardiment. // Surf. Sci. 1973. V. 36. P. 817−821.
  2. Goto K, Koshikawa Т., Ishikawa K, Shimizu R. Estimation of the electron backscattering factor in AES. // Proc. 7th Intern. Vac. Congr. and 3d Int. Conf. on Sol. Surf. Vienna. 1977. P. 1493−1496.
  3. Farber W., Betz G., Braun P. Sputtering of the alloy systems Ag-Au, Au-Cu, and Ag-Cu studied by Auger electron spectroscopy. //Nucl. Instr. Meth. 1976. V. 132. P. 351−354.
  4. Tompkins H. G. Preferential sputtering in gold-nickel and gold-copper alloys. // J. Vac. Sci. Technol. 1979. V.16. P. 778−780.
  5. Poate J.M., Brown W.L., Homer R., Augustyaniak W.M., Mayer J. W., Tu K.N., Van der Weg W.F. The sputtering of PtSi andNiSi. //Nucl. Instr. Meth. 1976. V. 132. P. 345−349.
  6. Andersen H.H., Besenbacher F., Goddiksen P. Transients in the composition of the sputtered flux from CuAu and AgAu. // Proc. of SOS-8O, Perchtoldsdorf, Austria. 1980. P. 446−456.
  7. Liau-Z.L., Mayer J. W., Brown W.L., Poate J.M. Sputtering of PtSi. // J. Appl. Phys. 1978. V. 49. P. 5295−5305.
  8. Ho P. S. Effects of enhanced diffusion on preferred sputtering of homogeneous alloy surfaces. // Surf. Sci. 1978. V. 72. P. 253−263.
  9. Gillam E.J. The penetration of positive ions of low energy into alloys and composition changes produced in them by sputtering. // Phys. Chem. Solids 1959. V. 11. P. 55−58.
  10. Quinto D.T., Sundaram V.S., Robertson W.D. Auger spectra of copper-nickel alloys. // Surf. Sci. 1971. V. 28. P. 504−509.
  11. Goto K., Koshikawa Т., Ishikawa K., Shimizu R. Preferential sputtering of coevaporated Cu-Ni film associated with altered layer. // Surf Sci. 1978. V. 75. P. L373-L375.
  12. Brown W.L., LiauZ.L., Mayer J.M., PoateJ.M. Surface-layer composition changes in sputtered alloys and compounds. // Proc. 7th ICACS, Moscow. 1977. 1980. V. 2. P. 18−20.
  13. Chu W.K., Howard J. K., Laver R.F. Surface enrichment of copper due to keV Xe sputtering of an Al-Cu mixture. // J. Appl. Phys. 1976. V. 47. P. 4500−4503.
  14. Turos A., Vander Weg W.F., Sigurd D., Mayer J. W. Change of surface composition of SiC>2 layers during sputtering. // J. Appl. Phys. 1974. V. 45. P. 2777−2779.
  15. Betz G. Alloy sputtering. // Surf. Sci. 1980. V. 92. P. 283−309.
  16. Henrich V.E., Fan J. C. C. Differential sputtering of MgO/Au cermet films and its applications to high-yield secondary electron emitters. // Surf Sci. 1974. V. 42. P. 139−146.
  17. Liau Z.L., Brown W.L., Homer R., Poate J.M. Surface-layer composition changes in sputtered alloys and compounds. // Appl. Phys. Lett. 1977. V. 30. P. 626−628.
  18. Lewis J.E., Ho P. S. Abstract: Preferred sputtering on binary alloy surfaces of the Al-Pd-Si system. // J. Vac. Sci. Technol. 1979. V. 16. P. 772−773.
  19. Kelly R, Lam N.Q. The sputtering of oxides, parti: A survey of the experimental results. // Rad. Eff. 1973. V. 19. P. 39−47.
  20. Sigmund P. Theory of sputtering. I. Sputtering yields of amorphous and polycrystalline targets. // Phys. Rev. 1969. V. 184. P. 383−416.
  21. Andersen H.H., Bay H.L. Nonlinear effects in heavy-ion sputtering. // Rad. Eff. 1973. V. 19. P. 63−67.
  22. Wehner G. K, HajicekD.J. Cone Formation on Metal Targets during Sputtering. // J. Appl. Phys. 1971. V. 42. P. 1145−1148.
  23. Ho P. S., Lewis J.E., Wildman H.S., Howard J.K. Auger study of preferred sputtering on binary alloy surfaces. // Surf. Sci. 1976. V. 57. P. 393−405.
  24. Faber W., Braun P. AES studies of surface composition of Ag-Cu alloys. // Vac. Tech. 1974. V. 23. P. 239−242.
  25. Wehner G.K.-B. Methods of Surface Analysis. Ed. A.W. Czanderna, Elsevier. Amsterdam. 1975. P. 5−59. (Методы анализа поверхности. Под ред. А. Зандерны. М.: Мир. 1979.)
  26. Dahlgren S.D., McClanahan E.D. Reduced Sputtering Yields for Two-Phase Ag-Ni and Ag-Co Targets. // J. Appl. Phys. 1972. V. 43. P. 1514−1519.
  27. Koshikawa Т., Goto K., Saeki N., Shimizu R. II Proc. 7th Intern. Vac. Congr. and 3d Int. Conf. Sol. Surf. Vienna. 1977. P. 1489−1492.
  28. GoretzkiH., Muhlratzer A., Nichi J. I I Proc. 7th Intern. Vac. Congr. and 3d Int. Conf Sol. Surf. Vienna. 1977. P. 2387−2390.
  29. Kelley M.J., Swartzfager D.G., Sundaram V.S. Surface segregation in the Ag—Au and Pt-Cu systems. // J. Vac. Sei. Technol. 1979. V. 16. P. 664−667.
  30. Brongersma H.H., Spamaay M.J., Buck T.M. Surface segregation in Cu-Ni and Cu-Pt alloys- A comparison of low-energy ion-scattering results with theory. I I Surf. Sei. 1978. V. 71. P. 657−678.
  31. Bastasz R., Bohdansky J. Preferential sputtering in copper-gold alloys by low energy hydrogen ions. // Proc. of SOS-80. Perchtoldsdorf, Austria. 1980.* P. 430 445.
  32. Taglauer E., Heiland W. Changes of the surface compounds due to light ion bombardment. //Proc. of SOS-80. Perchtoldsdorf, Austria. 1980. P. 423−429.
  33. Winter H.F., Sigmund P. Sputtering of chemisorbed gas (nitrogen on tungsten) by low-energy ions. // J. Appl. Phys. 1974. V. 45. P. 4760−4766.
  34. Tarng M.L., Wehner G.K. Auger Electron Spectroscopy Studies of Sputter Deposition and Sputter Removal of Mo from Various Metal Surfaces. // J. Appl. Phys. 1972. V. 43. P. 2268.
  35. Taglauer E., Heiland W. Mass and energy dependence of the equilibrium surface composition of sputtered tantalum oxide. // Appl. Phys. Lett. 1978. V. 33. P. 950 952.
  36. Konnen G.P., Grosser J., Horing H., De Fries A.E., Kistemaker J. Hyperthermal beams sputtered from alkalihalide surfaces. // Rad. Eff. 1974. V. 21. P. 171−179.
  37. Bernhard F., Oechsner H., Stumpe E. Energy distributions of neutral atoms and molecules sputtered from polycrystalline silver. //Nucl. Instr. Meth. 1976. V. 132. P. 329−334.
  38. Oechsner H., Bartella J. Stoichiometry effects at NiMo surfaces under bombardment with Ar+ ions from 40 to 2000 eV. // Proc. 7th Int. Conf. on Atomic Collisions in Solids. Moscow. 1980. P. 55−57.
  39. Szymonski M" Battacharya R.S., Overeijnder H., De Vries A.E. Sputtering of an AgAu alloy by bombardment with 6 keV Xe+ ions. // J. Phys. 1978. V. 11. P. 751 758.
  40. Overeijner H., HaringA., De Vries A.E. The sputtering processes of alkali halides during 6 keV Xe ion bombardment. // Rad. Eff. 1978. V. 37. P. 205−210.
  41. Szymonski M., Overeijner H., De Vries A.E. The sputtering processes during 6 keV Xe ion beam bombardment of halides. // Rad. Eff. 1978. V. 36. P. 189−196.
  42. M.B., Лусников A.B., Мотавех Х. А., Юрасова В. Е. Форма барьера на поверхности и спектры распыленных атомов. // Письма в ЖТФ. 1979. Т. 5. С. 1200−1203.
  43. Olson R.R., Wehner G.K. Composition variation as a function of ejection angle in the sputtering of alloys. //1. Vac. Sei. Tech. 1977. V. 14/1. P. 319−321.
  44. Wehner G.K., Olson R.R., KingM.E. Mass effects on angular distribution of sputtered atoms. // Proc. 7th IVG and 3d ICSS. Vienna. 1977. P. 1461−1464.
  45. Wehner G.K. Isotope enrichment in sputter deposits. // Appl. Phys. Lett. 1977. V. 30/4. P. 185−187.
  46. Olson R.R., KingM.E., Wehner G.K. Mass effects on angular distribution of sputtered atoms. // J. Appl. Phys. 1979. V. 50/5. P. 3677−3683.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?