Электрические и фотоэлектрические характеристики и свойства кремниевых МДП-структур с диэлектрическими слоями из оксидов иттрия, гадолиния и европия
Диссертация
Методом кинетических зависимостей МДП-емкости определены значения скорости поверхностной генерации неосновных носителей заряда на границе раздела кремний — оксид РЗЭ, которые составили 1,6 -г 3,1 см/с для структур с оксидом иттрия, 2-й 2 см/с для структур с оксидом гадолиния, 1,1-г 10 см/с для структур с оксидом европия. Значения скорости поверхностной генерации в исследуемых структурах с тонкими… Читать ещё >
Содержание
- ПЕРЕЧЕНЬ ИСПОЛЬЗУЕМЫХ СОКРАЩЕНИЙ
- СПИСОК УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
- 1. СВОЙСТВА ОКСИДОВ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
- 1. 1. Общая характеристика и свойства редкоземельных элементов
- 1. 2. Структура оксидов редкоземельных элементов
- 1. 3. Электрофизические свойства оксидов редкоземельных элементов
- 2. МЕТОДИКА ПОЛУЧЕНИЯ ОБРАЗЦОВ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ УСТАНОВКИ
- 2. 1. Методика изготовления кремниевых МДП-структур с диэлектрическими слоями из оксидов редкоземельных элементов
- 2. 2. Экспериментальные установки для исследования электрических характеристик МДП-структур
- 2. 3. Экспериментальные установки для исследования фотоэлектрических характеристик МДП-систем
- 3. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРЕМНИЕВЫХ МДП-СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИМИ ПЛЕНКАМИ ИЗ ОКСИДОВ ИТТРИЯ, ЕВРОПИЯ И ГАДОЛИНИЯ
- 3. 1. Механизм прохождения тока на постоянном напряжении в кремниевых МДП-структурах с ОРЗЭ в качестве диэлектрика
- 3. 2. Проводимость и диэлектрические потери в кремниевых МДП-структурах с оксидами иттрия, гадолиния и европия на переменном сигнале
- 3. 3. Вольт-фарадные характеристики кремниевых МДП-структур с ОРЗЭ в качестве диэлектрика
- 3. 4. Исследование генерационных процессов в кремниевых МДП-структурах методом Цербста
- 3. 5. Исследование влияния температуры окисления пленки РЗЭ на характеристики МДП-структур
- 3. 5. 1. Влияние температуры получения оксида иттрия на электрические параметры МДП-структур
- 3. 5. 2. Влияние температуры получения диэлектрических пленок на генерационные параметры
- 3. 6. Характеристики электрического пробоя пленок оксида иттрия, гадолиния и европия в кремниевых МДП-структурах
- 3. 6. 1. Кинетические характеристики электрического пробоя
- 3. 6. 2. Температурные характеристики пробоя
- 4. 1. Методика определения высот энергетических барьеров на межфазных границах МДП-систем методом внутренней фотоэмиссии
- 4. 2. Анализ спектральной зависимости фотоинжекционного тока
- 4. 3. Анализ вольтаической зависимости фотоинжекционного тока
- 5. 1. Методика определения локализации и плотности захваченного заряда в объеме диэлектрика
- 5. 2. Плотность и локализация захваченного заряда в диэлектрических пленках оксида иттрия и европия
- 5. 3. Энергетическая глубина залегания электронных ловушек в диэлектрических пленках оксида иттрия и европия
- 5. 4. Влияние ультрафиолетового излучения на электрофизические свойства структур Al-Y203-Si и Al-Eu203-S
Список литературы
- Oerlein G. S. Oxidation temperature dependence of the electrical conduction characteristics and dielectric strength of thin Ta2Os films on silicon //J. Appl. Phys. 1986.V.59. № 5.-P.1587.
- Manchanda L., Gurvith M. Yttrium oxide/Silicon dioxide: a new dielectric structure for VLSI/ULSI // IEEE Electron device letters. -1988. V. 9. № 4. -P. 180−182.
- Вдовин О. С., Кирьяшкин 3. И., Котелков В. Н. и др. Пленки оксидов редкоземельных элементов в МДМ- и МДП-структурах. Саратов: Сарат. Госун-т, 1983.- 160 с.
- Серебренников В. В. и др. Редкоземельные элементы и их соединения в электронной технике. Томск: Томск. Госун-т, 1979. — 144 с.
- Кутолин С. А., Чернобровкин Д. И. Пленочное материаловедение редкоземельных соединений. М.: Металлургия, 1981. — 180 с.
- Жузе В. П., Шелых А. И. Оптические свойства и электронная структура полуторных сульфидов и оксидов РЗМ // ФТП. 1989. Т.23. Вып.З. — С.293−415.
- Дей К., Селбин Д. Теоретическая неорганическая химия. М.: Химия, 1969. — 432 с.
- Rajnak К., Approximate excited eigenfunction for Pr3+ and Tm3+ // J. Chem. Phys. 1962. V. 37. № 10. — P. 2440 -2444.
- Серебренников В. В., Алексеенко JI. А. Курс химии редкоземельных элементов. Томск: Томский госуниверситет, 1963. — 441 с.
- Рябчиков Д. И., Скляренко Ю. С., Сенявин М. М. Редкоземельные элементы и общие способы их получения // Редкоземельные элементы. М.: АН СССР, 1958.-С. 9.
- Бандуркин Г. А. О связи между структурными и каталитическими свойствами редкоземельных соединений // Изв. АН СССР. Сер. Неорганич. матер. -1965. Т. 9.-С. 1569- 1572.
- Бандуркин Г. А. О нерегулярном изменении свойств редкоземельных элементов И Геохимия. 1964. Т. 1. Вып. 1. — С. 3 — 8.
- Бандуркин Г. А., Джмуринский Б. Ф. О закономерностях в структурных свойствах соединений редкоземельных элементов в связи со строением их атомов//Докл. АН СССР. 1966. Т. 168.-С. 1315−1318.
- Yost D. М. et al. The rare earth elements and their compounds. — New York -London: John Wiley Sonc Inc, 1947. — 92 p.
- Коттон Ф., Уилкинсон Дж. Современная неорганическая химия. Т. 3. М.: Мир, 1969. — 500 с.
- Гшнейдер Г. А. Сплавы редкоземельных металлов. М.: Мир, 1965. — 427 с.
- Савицкий Е. М., Бурханов Г. С. Монокристаллы тугоплавких и редких металлов и сплавов. М.: Наука, 1972. — 259 с.
- Успехи в химии и технологии редкоземельных элементов / Под ред. J1. Айринга. М.: Металлургия, 1970. — 485 с.
- Физические свойства халькогенидов редкоземельных элементов / Под ред. Жузе В. П. Л.: Наука, 1973. — 304 с.
- Яценко С. П., Федорова Е. Г. Редкоземельные элементы. Взаимодействие с р металлами. — М.: Наука, 1990. — 300 с.
- Гордиенко С. П., Феночка Б. В., Виксман Г. Ш. Термодинамика соединений лантаноидов: Справочник. Киев: Наукова думка, 1979. — 373 с.
- Gasgnier М. Rare earth metals, rare earth hydrides and rare earth oxides as thin films // Phys. stat. sol. (a). 1980. V. 57. № 1. — P. 11 — 57.
- Gasgnier M. Rare earth compounds (oxides, sulfides, boron, .) as thin films and thin crystals // Phys. Stat. Sol. (a). 1989. V. 114. № 1. — P. 11 — 71.
- Тейлор К., Дарби M. Физика редкоземельных соединений. М.: Мир, 1974.- 375 с.
- Физика и химия редкоземельных элементов: Справ, изд. / Под ред. К. Гшнайднера, JI. Айринга. М.: Металлургия, 1982. — 336 с.
- Данилин Б. С. Вакуумное нанесение тонких пленок. М.: Энергия, 1967. -312с.
- Слуцкая В. В. Тонкие пленки в технике сверхвысоких частот. М.: Сов. радио, 1967. — 456 с.
- Палатник JI. С. и др. Электронографическое исследование субструктуры тонких конденсатов алюминия методом микропучка // Физика мет. и металловед. 1961. Т. 11.-С. 864−874.
- Палатник Л. С. и др. Рентгенографическое исследование дефектов упаковки в конденсированных пленках кобальта // Физика мет. и металловед. 1965. Т. 20. Вып. 2. — С. 280 — 287.
- Палатник Л. С., Фукс М. Я., Козьма А. А. Рентгенографическое исследование ориентированной микродеформации в конденсированных пленках пер-малоя и никеля // Физика мет. и металловед. 1965. Т. 19. — С. 675 — 681.
- Глушкова В. Б. Полиморфизм окислов редкоземельных элементов. Л.: Наука, 1967. — 134 с.
- Андреева А. Ф., Гильман И. Я. Полиморфные превращения в окислах редкоземельных элементов, полученных реакционным испарением. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1978. Т. 14. № 13. — С.502−508.
- Портной К. И., Тимофеева Н. Л. Кислородные соединения редкоземельных элементов. М.: Металлургия, 1986. — 479 с.
- Боганов А. Г., Руденко В. С. О природе необратимых полиморфных превращений редкоземельных окислов. // Доклады АН СССР. 1965. Т. 161. № 3. -С. 590−593.
- Портной К. И., Фадеева В. И., Тимофеева Н. И. Полиморфизм некоторых окислов редкоземельных элементов и их взаимодействие с водой. М.: Атомная энергия, 1963. Т. 14. Вып. 6. — С.559−562.
- Руденко В. С., Боганов А. Г. Стехиометрия и фазовые превращения редкоземельных окислов. // Изв. АН СССР Неорганические материалы. 1976. Т.4. № 12.-С. 2158−2165.
- Браун С. М. Полиморфизм окислов редкоземельных элементов. // Порошковая металлургия. 1970. № 6. — С.82−113.
- Воррес и др. Окисление редкоземельных металлов при высоких температурах.// Новые исследования редкоземельных металлов: сборник. М.: Мир, 1964. — С. 177−183.
- Ущаповский JI. В., Ильин А. Г. Особенности кристаллизации аморфных пленок окислов РЗМ и железогадолиниевых пленок. // Изв. АН СССР. Сер. Физическая. 1977. Т.41. № 7. — С. 1495−1497.
- Ильин А. Г. Структура пленок окислов редкоземельных элементов и явления переноса заряда в металл-диэлектрик-металл системах на их основе: Дисс. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07.-Иркутск, 1979. 161 с.
- Вдовин О. С. Исследование структуры и электрических свойств пленок редкоземельных металлов и их окислов.: Автореф. канд. дисс. Саратов, 1974. -22 с.
- Заичкин Н. Н Структура и электрические свойства пленок двуокиси церия. // Изв. Вузов. Физика. 1971. № 8. — С. 133−135.
- Рожков В. А., Вдовин О. С., Котелков В. Н., Свердлова А. М. Электрофизические структуры Al-Y203-Si. // Микроэлектроника. 1973. Т.2. Вып.З. — С.267−270.
- Андреева А. Ф., Химич Е. Г., Смирнов Ю. Г. Структура и оптические свойства пленок окиси иттрия, полученных реакционным синтезом// Получение и свойства тонких пленок: сборник. Киев, 1982.-С. 12−15.
- Rieman Е., Young L. Conduction, permittivity, internal photoemission, and structures of electron-beam-evaporated yttrium oxide films. // J.Appl.Phys. 1973. Vol. 44. № 3.-P. 1044−1049.
- Kalkur T. S., Lu Y.C. Erbium-oxide-based metal-insulator-semiconductor structures on silicon. // Thin Solid Films. 1990. Vol. 188. — P. 203−211.
- Dutta C. R., Ваша K. Electrical conduction in evaporated Er203 films. // Thin Solid Films. 1983. Vol.104. — P. 69−70.
- Dharmadhikari V. S., Goswami A. Dielectric properties of electron-beam-evaporated Nd203 thin films. // Thin Solid Films. 1982. Vol. 87. — P. 119−126.
- Вдовин О. С. Рожков В. А., Котелков В. Н., Свердлова А. М. Получение и электрические свойства на основе окислов редкоземельных элементов. // Электронная техника. Сер. Материалы. 1973. Вып. 2. — С. 77−81.
- Чернобровкин Д. И., Бахтионов В. В., Сахаров Ю. Г. Исследование диэлектрических пленок на основе окиси неодима// Радиоприборостроение и микроэлектроника: сборник. Омск, 1971. — С. 191−197.
- Богородицкий Н. П. и др. Электрические свойства окислов редкоземельных элементов//Докл. АН СССР. 1965. Т. 160. № 3. — С. 578−581.
- Дербенева С. С., Бацанов С. С. Ширина запрещенной зоны окислов редкоземельных металлов // Докл. АН СССР. 1967. Т. 175. № 5. — С. 1062 — 1063.
- Noddach W., Watch Н., Dobner W. Leitfahigkeitsmessunden an Oxiden der Seltenen // Erden I. Z. phys. chem (DDR). 1959. B. 211, H. ¾. — S. 180 — 207.
- Зырин А. В., Дубок В. А., Тресвятский С. Т. Электрические свойства окислов РЗЭ и некоторых их соединений // Химия высокотемпературных материалов. Л.: Наука, 1967. — С. 59- 65.
- Смирнов М. А., Крикоров В. С., Красов В. Г. Исследование электрических параметров окисных материалов// Электронная техника. 1970. Сер. 14. № 6. -С. 86−90.
- Dutta С. R., Ваша К. Dielectric properties of Er203 films // Thin Solid Films. -1983. Vol.100.-P.149−154.
- Каджоян P. А., Егиян К. А. Диэлектрические свойства пленочных окислов редкоземельных элементов // Изв. АН Арм. ССР. Физика. 1968. № 3. -С. 348 -354.
- Каджоян Р. А., Егиян К. А., Авагян Л. А. Исследование диэлектрических свойств пленок окислов тяжелых редкоземельных элементов // Вопросы радиоэлектроники. Сер. Технология произв-ва и оборудование. 1973. Вып. 1. — С. 43 -46.
- Самсонов Г. В., Орешкин П. Т., Перелыгин А. И. и др. Электрические свойства пленок ОРЗЭ в структурах МДМ// Получение и свойства тонких пленок: сборник. Киев: ИПМ АН УССР, 1974. Вып.2. — С. 20−24.
- Осипов К. А., Красов В. Г., Орлов И. И. и др. Получение и исследование электрофизических свойств ОРЗЭ. // Изв. АН СССР Неорганические материалы. 1976. Т.12. № 1 — С.125−127.
- Чернобровкин Д. И, Бахтинов В. В., Сахаров Ю. Г. Испарение окислов редкоземельных металлов электронным лучом // Приборы и техн. эксперим. 1971. № 3. -С. 159- 160.
- Javaraj М. К., Vallahaban С. Н. G. Dielectric properties of electron beam evaporated samarium oxide films. //Thin Solid Films. 1991. Vol. 197. — P. 15−19.
- Кирьяшкина 3. И., Самохвалов М. К., Свердлова А. М. Влияние технологических факторов на свойства границы раздела кремний-окисел редкоземельного элемента // Получение и свойства тонких пленок: сборник. Киев, 1982. -С. 16−21.
- Заичкин Н. Н., Сачавский А. Ф., Афанасьев К. JI. Диэлектрические пленки на основе двуокиси церия // Изв. ВУЗов. Физика. 1970. № 2. — С. 156 — 158.
- Латухина Н. В., Рожков В. А., Селиверстова Н. В. Химическое травление пленок оксидов редкоземельных металлов // Физика и химия обработки материалов. 1996. № 5. — С. 78−81.
- Чернобровкин В. И., Бахтионов В. В. Влияние толщины диэлектрического слоя на электрическую прочность диэлектрических пленок. // Изв. ВУЗов. Физика. 1971. № 11.-С. 148−149.
- Чернобровкин Д. И., Бахтионов В. В. Диэлектрические пленки из окиси празеодима и церия// Радиоприборостроение и микроэлектроника Омск, 1971.- С. 205−207.
- Basak D., Sen S. К. Electrical, dielectric and optical properties of M/Y2O3/M devices. // Thin Solid Films. 1995. Vol. 254. — P. 181- 186.
- Чернобровкин Д. И., Сахаров Ю. Г. Выбор диэлектрика для емкостных элементов интегральных схем. // Микроэлектроника. 1973. Т.2 Вып.1.- С. 82−84.
- Латухина Н. В., Рожков В. А., Романенко Н. Н. Кремниевые МДП структуры с оксидом диспрозия и лютеция и диффузия редкоземельных элементов в кремний // Микроэлектроника. -1994. Т. 23. Вып. 1. — С. 59−64.
- Рожков В. А., Петров А. И. Исследование электрофизических свойств кремниевых МДП-структур на основе окиси гадолиния // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1982. Т. 170. Вып. 9. — С. 27−29.
- Рожков В. А., Петров А. И. Электрофизические свойства пленок двуокиси церия и кремниевых МДП-структур на их основе // Электронная, техника Сер. 2. -1984. Т.167. Вып. 1. С. 13−16.
- Рожков В. А., Петров А. И., Милюткин Е. А. Эффект переключения проводимости с памятью в структуре А1 СеОг — Si // ЖТФ. — 1983. Т. 57, № 7. -С. 1404- 1405.
- Рожков В. А., Петров А. И., Милюткин Е. А. Переключение проводимости и память в кремниевых МДП структурах на основе пленок двуокиси церия // Микроэлектроника. — 1984. Т. 13. № 3. — С. 247 — 251.
- Рожков В. А., Петров А. И. Эффект переключения проводимости и память в структуре А1 Gd203 — Si // Письма в ЖТФ. — 1985. Т. 11. Вып. 1. — С. 49−52.
- Неуймин А. Д., Балакирева В. Б., Пальгуев С. Ф. Электропроводность и характер проводимости ОРЗЭ // Докл. АН СССР. -1973. Т. 209. № 5.-С. 1150 -1153.
- Wiktorczyk Т., Wesolowska С. Dielectric behavior of Yb203 thin film capacitors. //Thin Solid Films. 1984. Vol. 120. — P. 171−178.
- Gzanderna A. W., Honig J. M. The compositic, resistivity and thermoelectric power of cerium oxides below 500° C. // Phys. Chem. Sol. 1958. V. 6. № 1.- P. 96 97.
- Kevane C. J., Holverson E. L., Watson R. D. Electrolytic conduction in calcium- doped solid cerium oxide // J. Appl. Phys. 1963. V. 34. № 7. — P. 2083 — 2087.
- Гордиенко С. П., Феночка Б. В., Фесенко В. В. Редкоземельные металлы и их тугоплавкие соединения. Киев: Наукова думка, 1971. — 431 с.
- Богородицкий Н. П. и др. Электрические свойства окислов редкоземельных элементов // Докл. АН СССР. 1965. Т. 160. № 3. — С. 578 — 581.
- Заичкин Н. Н., Сачавский А. Ф., Афанасьев К. JI. Диэлектрические пленки на основе двуокиси церия // Изв. ВУЗов. Физика. 1970. № 2. — С. 156 — 158.
- Крикоров В. С., Красов В. Г., Макарянц А. Е. Получение и исследование качества тонкопленочных конденсаторов на основе окислов редкоземельных элементов//Электрон, техн. Сер. 12. 1971. Т. 7. Вып. 1. — С. 79 — 83.
- Ильин А. Г., Ущаповский J1. В. Бистабильное переключение в МДП -структурах на основе пленок окислов редкоземельных элементов //Получение и свойства тонких пленок. Киев, ИПМ АН УССР. 1978. — С. 52−57.
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1973.- 656 с.
- Корнфельд М. И. Погрешность и надежность простейших экспериментов. // УФН. 1965. Т. 85. Вып. 3.- С. 533−542.
- Goetzberger A. Ideal MOS-curves for silicon. // Belt System technical Journal.- 1966. Vol. 45. № 7. P. 1097−1121.
- Zerbst M. Relaxations effekte an halbeiter-isolater-grenzflachen. // Z. Angew. Phys. 1966. Vol. 22. № 1.- P. 3039−3046.
- Powell R. J., Berglund C. N. Photoinjection studies of charge distribution in oxide of MOS structures. // J. Appl. Phys. 1971. Vol. 42. № 11. — P. 4390−4397.
- Przewlocki H.M. Theory and applications of internal photoemission in the MOS system at low electric fields // Solid State Electronics. 2001. Vol. 45. -P. 1241−1250.
- Рожков В. А, Пирюшов В. А Электрофизические свойства кремниевых МДП-систем с диэлектрической пленкой из оксида иттрия // Физика волновых процессов и радитехнические системы. 2001. Т. 4. № 3. — С. 49−52.
- Литовченко В. Г., Горбань А. П. Основы физики микроэлектронных систем МДП. Киев: Наукова думка, 1978. -313 с.
- Рожков В. А., Гончаров В. П., Петров А. И. Электрический пробой пленок оксида лютеция. // ФТТ. 1995. Т. 37. № 2.- С. 491−498.
- Рожков В. А., Гончаров В. П., Трусова А. Ю. МДП варикапы и фотоварикапы на основе структуры Al-Lu203-Si. // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. Вып. 2. -С. 6−10.
- Рожков В. А., Трусова А. Ю., Гончаров В. П., Бережной И. Г. МДП-варикапы и фотоварикапы на основе структуры Al-Sm203-Si // ЖТФ. 1995. Т. 65. Вып. 8. — С.183−186.
- Рожков В. А., Пирюшов В. А., Родионов М. А. Кремниевые МДП-структуры на основе тонких диэлектрических пленок из оксидов РЗЭ // Труды Международной конференции Оптика, оптоэлектроника и технологии.- Ульяновск: УлГУ, 2002. С. 104.
- Rozhkov V. A., Trusova A.Yu., Berezhnoy I. G. MlS-structures with Ytterbium Oxide films. // Phys. Low-Dim. Struct. 7/8 (1998), P. 7−16.
- Бережной И. Г., Гончаров В. П., Рожков В. А., Трусова А. Ю. Кремниевые МДП-варикапы с диэлектриком из оксида самария, иттрия и лютеция // Электродинамика слоисто-неоднородных структур СВЧ: Межвуз. научно-техн. сборник. Самара: СамГУ, 1995. — С.82−88.
- Рожков В. А., Трусова А. Ю., Бережной И. Г. Электрофизические свойства МДП-структуры Al-Sm203-Si при нестационарном истощении поверхности полупроводника основными носителями заряда // Вестник СамГУ. 1996. № 2.- С.113−121.
- Рожков В. А., Труеова А. Ю., Гончаров В. П., Бережной И. Г. МДП-варикапы и фотоварикапы на основе структуры Al-Sm203-Si // ЖТФ. 1995. Т. 65. Вып. 8. — С.183−186.
- Рожков В. А., Гончаров В. П., Труеова А. Ю., Бережной И. Г., Македошин Е. Ю. Кремниевые варикапы и фотоварикапы с диэлектриком из ОРЗЭ. // Тез. Докл. Российской научно-технической конф. «Новые материалы и технологии». -М., 1994.-С. 53.
- Rozhkov V. A., Trusova A. Yu., Berezhnoy I. G. Silicon MIS-structures using Samarium oxide films // Thin Solid Films. 1998. Y. 325 — P. 151−155.
- Rozhkov Y. A., Trusova A.Yu., Berezhnoy I. G. Silicon MIS-structures with Rare-Earth Oxide Films as Insulator. // Dielectric and Related Phenomena DRP'98. Abstracts. Szczyrk. Poland, 1998. — P. 206−207.
- Рожков В. А., ПирюшовВ. А Диэлектрические структуры для БИС и СБИС на основе тонких пленок из оксидов РЗЭ. //Тезисы докладов девятой Международной конференции «Физика диэлектриков» (Диэлектрики 2000). Т. 1. — С. Петербург, 2000. -С. 225−227.
- Muller J., Schiek В. Transient responses of a pulsed MIS-capacitor // Solid State Electronics. 1970. V. 13. — P. 1319−1332.
- Hofstein S. R. Minority carrier lifetime determination from inversion layer transient response. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1968. V. ED-14. — P. 785−786.
- Heiman F. P. On the determination of minority carrier lifetime from the transient response of an MOS capacitor // IEEE Trans. Electron. Devices. 1967. V. 14. № 11. -p. 781 -784.
- Schroder D. К., Guldberg J. Interpretation of surface and bulk effects using the pulsed MIS capacitor// Solid State Electronics. 1971. V. 14. — P. 1285−1297.
- Mui David S. L., Coldren L. A. Effects of surface recombination on carrier distributions and device characteristics // J. Appl. Phys. 1995. V. 78. № 5. -P. 3208−3215.
- Buchanan D. A. On the generation of interface states from electron-hole recombination in metal-oxide-semiconductor capacitors // Appl. Phys. Lett.- 1994. V. 65. № 10. -P. 1257−1259.
- Гавриленко В. И., Зуев В. А., Сукач А. Г., Рожков В. А. Исследование границы раздела Si-Y203 оптическими методами. // Полупроводниковая техника и микроэлектроника.- 1976. Вып. 23- С. 53−58.
- Гольдман Е. И., Ждан А. Г. Генерация неосновных носителей заряда у реальных границ раздела полупроводник-диэлектрик // Микроэлектроника.- 1994. Т. 23. № 2.- С. 3−20.
- Ржанов А. В. Физика поверхности и тонких пленок полупроводников.- Новосибирск, 1970. 100 с.
- Булярский С. В., Грушко Н. С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. М.: Моск. ун-т, 1995. — 399 с.
- Кропман Д. И., Патрикеев А. К., Попов В. Д. Влияние температуры нанесения диэлектрика на плотность поверхностных состояний МДП-структур при воздействии радиации II Микроэлектроника. 1976. Т. 5. Вып. 6. — С. 552−554.
- Петров А. И. Электрический пробой и переключение проводимости с памятью в структурах с оксидами редкоземельных элементов: Дисс. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 Самара, 1992.- 149 с.
- Жуков С. В., Закревский В. А., Кабин С. П., Сударь Н. Т. Электрическая прочность полимеров в условиях линейного подъема напряжения. // Изв. ВУЗов. Физика. 1988. Т. 316. № 4.- С. 86−90.
- Ершова Н. Ю., Ивашенков О. И., Ильин А. Е. Транспорт заряда и пробой МНОП структур с нитридом кремния, полученным при пониженной температуре. //ЖТФ. 1996. Т. 66. Вып. 8.- С. 92−98
- Петров А. И., Рожков В. А. Электрический пробой пленок оксида диспрозия.//Известия ВУЗов. Физика. 1995. № 8. — С. 95−101.
- Шмидт Т. В., Гуртов В. А., Лалэко В. А. Временные характеристики пробоя пленок двуокиси и нитрида кремния. // Микроэлектроника. -1988. Т. 17. Вып. 3.- С. 244−248.
- Гриценко В. А., Кольдяев В. И. Влияние пространственного заряда на проводимость МНОП-структур. // Микроэлектроника. 1984. Т. 13. Вып. 5.. с. 466−468.
- Поспелов Б. С. и др. Новые перспективы использования МДП-структур.//Известия ВУЗов СССР. Радиоэлектроника.-1973. Т. 16. № 4 -С. 2325.
- Дороднев В. Н. Исследование электрофизических процессов в системе кремний двуокись кремния методом фотоинжекции: Дисс. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07., Л. 1979.-201 с.
- Powell R. J. Interface barrier energy determination from voltage dependence of photoinjected current //J. Appl. Phys. 1970. Vol. 41. № 6. — P. 2424−2432.
- Powell R. J. Photoinjection into Si02: use of optical interference to determine electron and hole contribution //J. Appl. Phys. 1969. Vol. 40. № 13.- P. 1093−1101.
- Deal В. E., Snow E. H., Mead C. A. Barrier energies in metal-silicon dioxide-silicon structures. // J. Phys. Chem. Sol. 1966. Vol. 27. № 11/12. — P. 1873−1879.
- Goodman A.M. Photoemission of holes from silicon into silicon dioxide. // Phys. Rev. 1966. V.152. — P. 780−784.
- Berglund C. N., Powell R. J. Photoinjection into Si-Si02: electron scattering in the image force potential well. // J. Appl. Phys. -1971. Vol. 42. № 2. P. 573−581.
- Рожков В. А., Пирюшов В. А Фотоэлектрические свойства кремниевых МДП-систем с диэлектрической пленкой из оксида редкоземельного элемента.// Труды Международной конференции «Оптика полупроводников». Ульяновск УлГУ, 2000. -С. 143.
- Емельянов А. М. Ловушки для электронов в термических пленках Si02 на кремнии. // Микроэлектроника, 1986 Т. 15.- Вып. 5.- С. 434−441.
- Di Maria D. J. Determination of insulator bulk trapped charge densities and centroid from photocurrent voltage characteristics of MOS structures. // J. Appl. Phys. — 1976. Vol. 47. № 9. — P. 4073−4077.
- Патрикеев Л. H., Подлецкий Б. И., Попов В. Д. Изменение заряда в диэлектрике и проводимости МДП-структур под действием радиации. //Физикадиэлектриков и перспективы ее развития: Тез докл. Всесоюзной конф. -Л., 1973.-С. 226−227.
- Гуртов В. А. Влияние ионизирующего излучения на свойства МДП-приборов. // Обзоры по электронной технике. Сер. 2. 1978. Вып. 14(595).- 31 с.
- Гурский Л. И., Румак Н. В., Куксо В. В. Зарядовые свойства МОП-структур.- Минск: Наука и техника, 1980.- 200 с.
- Далиев X. С., Лебедев А. А., Экке В. Исследование электрофизических свойств кремниевых МДП структур, облученных у квантами при наличии электрического поля в диэлектрике.// ФТП. — 1987. Т.21. Вып. 1- С. 23−29.
- Акулов А. Ф., Гуртов В. А., Назаров А. И. Пространственная локализация радиационного заряда в нитриде кремния. // Микроэлектроника. 1985. Т. 14. Вып. 5.-С. 447−451.
- Гуртов В. А., Евдокимов В. Д., Назаров А. И., Хрусталев В. А. Накопление радиационно-индуцированного заряда в МНОП-структурах с различной толщиной. // Микроэлектроника. 1985. Т. 14. Вып. 5. — С. 431−434.
- Верлан А. И., Малков С. А. Особенности накопления заряда в слое As2S3 при объемном фотовозбуждении. // Стеклообразные полупроводники для опто-электроники. -Кишенев: Штиинца, 1991. С. 172−181.
- Ширшов Ю. М., Набок А. В., Голтсвянский Ю. В., Дубчак А. П. Пространственное распределение захваченного заряда в пленках нитрида кремния в ЭНОП-структурах. //Микроэлектроника. 1982. Т. 11. Вып. 3.- С. 441−445.
- Аганин А. П., Масловский В. М., Нагин А. П. Определение параметров центров захвата в нитриде кремния МНОП-структуры при инжекции электронов из полевого электрода. // Микроэлектроника. 1988. Т. 17. Вып. 4. — С. 348−352.
- Михайловский И. П., Овсюк В. Н., Эпов А. Е. Неоднородное накопление положительного заряда в кремниевых МДП-структурах в сильных полях. // Письма в ЖТФ. 1996. Т.9. Вып. 17.- С. 1051−1054.
- Solomon P. High-field electron trapping in Si02 // J. Appl. Phys. 1977. Vol. 48. № 9.-P. 4566−4571.
- Thompson S. E., Nishida T. A new measurement method for trap properties in insulators and semiconductors: using electric field stimulated trap-to-band tunneling transitions in Si02. // J. Appl. Phys. -1991. Vol. 70. P.6864−6876.
- Buchanan D. A., Abram R. A., Morant M. J. Charge trapping in silicon-rich Si3N4 thin films. // Solid State Electronics. 1987. Vol. 30. № 12.- P. 1295−1301.
- Nissan-Cohen Y., Shappir J., Frohman-Bentchkowsky D. High-field and current-induced positive charge in thermal Si02 layers. // J. Appl. Phys. 1985. Vol. 57. № 8.-P. 2830−2839.
- Nissan-Cohen Y., Shappir J., Frohman-Bentchkowsky D. High field current induced-positive charge transients in Si02. // J. Appl. Phys. 1983. Vol. 54. № 10.- P. 5793−5800.
- DiMaria D. J., Theis T. N., Kirtley J. R., Pesavento F. L., Dong D. W. Electron heating in silicon dioxide and off-stoichiometric silicon dioxide films. // J. Appl. Phys. 1985. Vol. 57. № 4. — P. 1214−1237.
- Барабан А. П., Булавинов В. В., Коноров П. П. Электроника слоев Si02 на кремнии. JL: Ленингр. ун-т, 1988. — 304 с.
- Ning Т. Н., Yu Н. N. Optically injection of hot electrons into Si02. J. Appl. Phys. — 1974. Vol. 45. № 12 — P. 3802−3804.
- Гильман Б. И., Громовой Л. И., Закс М. Б. Оптическое стимулирование накопления заряда в МНОП-структурах. // Микроэлектроника. 1973. Т. 2. Вып. 5.-С. 421−425.
- Fazan P., Dutoit М., Martin С., Ilegems М. Charge generation in thin Si02 polysilicon-gate MOS capacitors. // Solid State Electronics. 1987. Vol. 30. № 8.- P. 928−834.
- Ricksand A., Engstrom O. Thermally activated capture of charge carriers into irradiation induced Si/Si02 interface states. // J. Appl. Phys. 1991. Vol. 70.- P. 6927−6933.
- Chang S. Т., Lyon S. A. Location of positive charge trapped near the Si-Si02 interface at low temperature. // Appl. Phys. Lett. 1986. Vol. 48. № 2.- P. 136−138.
- Buchanan D. A., Di Maria D. J. Interface and bulk trap generation in metal-oxide-semiconductor capacitors. // J. Appl. Phys. 1990. Vol. 67. № 12. -P. 7439−7451
- Гороховатский Ю. А., Бордовский Г. А. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков. М.: Наука, 1991.- 248 с.
- Рожков В. А., Петров А. И. Исследование процессов образования заряда в пленочных оксидах редкоземельных элементов при воздействии УФ-облучения на МДП-структуры. // Электрофизика слоистых структур: Тез. докл. конф. Вып. 5.-Томск, 1988.-С. 21−25.
- Рожков В. А. Накопление заряда в кремниевых МДП-структурах с диэлектриком из оксида диспрозия при воздействии УФ-излучения. // Изв. ВУЗов. Физика.- 1994. № 7. С. 99−135.
- Барабан А. П., Булавинов В. В., Сергиенко М. В., Аскинази А. Ю. Влияние изменений зарядного состояния структуры Si-Si02 на кинетику сквозного тока. // Вестник СПбГУ. Сер. 4. 1996. Вып. 3. № 18. — С. 94−96.
- Горбань А. П., Литовченко В. Г., Серба А. А. Об эффектах фотопамяти в МДП-структурах // Сб. научн. тр. по пробл. микроэлектроники Моск. ин-т электронной техн., 1977. № 34.- С. 3−9.
- Рожков В. А., Гончаров В. П. Накопление заряда в пленочных оксидах редкоземельных элементов при УФ облучении МДП-структур. II Тез. докл. Российской научно-техн. конф. по физике диэлектриков с Международным участием. Ч. 2.- Л., 1993. С. 130−131.