Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Фазовые равновесия и особенности электронных спектров системы T1InS2-CuInS2

Диссертация: Фазовые равновесия и особенности электронных спектров системы T1InS2-CuInS2
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Георгобиани А. Н., Матиев А. Х., Хамхоев Б. М. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов Tli. xCuxGaSe2/TlInS2 (0 < X < 0,02). // Труды XI Всероссийской конференции «Строение и свойства металлических и шлаковых расплавов». Екатеринбург. — Сентябрь. — 2004. — Т.4. — С.230−233. 17. Георгобиани А. Н., Матиев А. Х., Хамхоев Б. М. Фазовые равновесия в системах TlGaSe2 — CuGaSe2 и TlInS2 — CuInS2… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА I. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СОЕДИНЕНИЙ-TlInS2 и CuInS2 и твердых растворов на их основе
    • 1. 1. Физико-химические особенности полупроводниковых фаз /?-THnS2 и CuInS
    • 1. 2. Кристаллическая структура и характер химической связи в соединениях Т1В3С и А*В3С^
      • 1. 2. 1. Структура соединения типа/?-TlInS
      • 1. 2. 2. Структура соединения CuInS
    • 1. 3. Обзор физических свойств соединений классов
  • Т1В3С< и А’В3С!
    • 1. 3. 1. Соединение ^-TlInS
    • 1. 3. 2. Соединение типа А1 В3 С

Фазовые равновесия и особенности электронных спектров системы T1InS2-CuInS2 (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность работы. Прогресс в физике полупроводников и полупроводниковой технике тесно связан с получением новых материалов и структур. Получение этих материалов, в свою очередь, основывается на детальном исследовании и интерпретации их свойств. Возможности получения новых материалов существенно расширяется при использовании твердых растворов. Проблема создания твердых растворов является одной из центральных в физике полупроводников, что подтверждается неослабевающим потоком информации, посвященной как уже хорошо себя зарекомендовавшим на практике твердыми растворами на основе соединения А3В5 и А2В5, так и твердыми растворами на основе, сравнительно недавно открытых новых перспективных классов соединений А3В3С6 и А’В3С62. Интерес к изучению сложных полупроводников обусловлен необходимостью расширения наших представлений относительно формирования зонной структуры кристаллов по мере усложнения состава и изменения объема элементарной ячейки, а также вытекающих в этой связи особенностей физических свойств.

3 3 6 13 6.

Соединения ABC и, А В С 2 являются изоэлектронными аналогами.

3 3 2 6 известных полупроводников групп, А В и, А В, соответственно. Определенную перспективу в этом плане с нашей точки зрения, имеют твердые растворы на основе TlInS2 и CuInS2. Эти соединения являются перспективными материалами для разработки на их основе приемников излучения для видимой, ближней-ИК и рентгеновской областей спектра, а также для солнечных элементов с высоким КПД. В частности, монокристаллы соединений типа TlInS2 обладает яркой выраженной анизотропной структурой, и отличается по физическим свойствам от таких классических полупроводников как германий, кремний и от соединений типа А3В5. Кристаллы данной группы обладают уникальными свойствами: прозрачны в широком спектральном диапазоне, обладают слабой чувствительностью электрических свойств к вводимым примесям, низкой подвижностью и концентрацией свободных носителей заряда по сравнению с вышеуказанными полупроводниками.

Анализ литературных данных показывает, что исследования физических свойств исходных соединений TlInS2 и CuInS2 находится фактически на начальном этапе. Объем и глубина этих исследований носят не достаточный, а порой и противоречивый характер, не позволяющий сделать адекватные обобщения, а тем более дать практические рекомендации. Поэтому возникает необходимость систематических исследований электрических, оптических и фотоэлектрических свойств указанных кристаллов, определяющих весь комплекс происходящих в них физических процессов, а также выявление реальных закономерностей изменения физических параметров с целью разумного управления ими. С этой точки зрения тема настоящей диссертационной работы «Фазовые равновесия и особенности электронных спектров ситемы TlInS2-CuInS2» представляется весьма актуальной.

Целью настоящей работы. Являлось изучение фазовых равновесий в системе /?-TlInS2-CuInS2 и комплексное исследование твердых растворов в плане выявления закономерностей физических свойств этой группы материалов. Такое исследование приводилось в следующих направлениях:

— изучение фазовых равновесий в системе TlInS2-CuInS2 во всем концентрационном интервале и определении областей взаимной растворимости исходных соединений;

— выращивание монокристаллов как исходных соединений, так и твердых растворов из областей взаимных растворимостей и выяснение характера распределения атомов меди в твердых растворах микрозондовыми исследованиями;

— определение характера и особенностей оптических переходов и оптических констант монокристаллов /?-TlInS2-CuInS2;

— изучение неравновесных процессов в кристаллах /?-Tli.xCuxInS2 (0<�Х<0,015);

— выявление основных закономерностей взаимосвязи фундаментальных параметров изученных кристаллов и перспективы их практического использования.

Объектами для исследования являлись образцы монокристаллов /?-TlInS2, CuInS2 и твердых растворов на их основе, выращенных методом Бриджмена-Стокбаргера. Полученные монокристаллы обладали моноклинной (псевдотетрагональной) слоистой структурой.

Научная новизна состоит в следующем:

1. На основе физико-химических исследований изучены фазовые равновесия в системе /?-TlInS2-CuInS2 и построена диаграмма состоянияразработаны технологии получения монокристаллов твердых растворов-Tl,.xCuxInS2 (0<�Х<0,015).

2. В монокристаллах /?-TlInS2 обнаружены экситоны и определены их основные параметры, пороговые энергии прямых переходов, а также параметры экситон-фотонного взаимодействия. Построена энергетическая картина экситонных состояний в твердых растворах ^-Tl!.xCuxInS2 (0<�Х<0,015) и показана идентичность оптических переходов в них с /?-TlInS2.

3. Установлен механизм формирования края собственной полосы поглощения в монокристаллах /?-Tli"xCuxInS2 (0<�Х<0,015). Показано, что смещение края собственной полосы поглощения в монокристаллах твердых растворов /?-Tl|.xCuxInS2 (0<�Х<0,015) обусловлено образованием примесной зоны у потолка валентной зоны.

4. Изучены неравновесные процессы в кристаллах /?-Tli.xCuxInS2 (0<�Х<0,015). Исследованием примесной фотопроводимости установлено наличие неконтролируемых глубоких примесей в кристаллах-Tl, xCuxInS2(0.

5. Измерениями ТСП и ТСД в интервале температур 100−300 К определены параметры уровней прилипания в кристаллах /?-TlInS2.

6. Разработаны и исследованы фоторезисторы на основе монокристаллов /?-Tli.xCuxInS2 (0 < X < 0,015) для видимой, ближней ИКобластей спектра, а также эффективные гетеропереходы Tli. xCuxGaSe2 / /?-TlInS2 (0<�Х<0,02).

Практическую ценность в данной работе имеют: Сведения о механизмах электронных процессов, происходящих в полупроводниках TII11S2 и CuInS2 и твердых растворах на их основе, что способствует более глубокому пониманию их специфических свойств позволяет рекомендовать данные материалы для создания на их основе:

— приемников излучения в видимой и ближней ИК областях спектра;

— гетероконтактов Tl,.xCuxGaSe2//?- TlInS2 (0 < X < 0,02) — Результаты работы используются в лабораторном спецпрактикуме на кафедре общей физики ИнгГУ.

Основные положения представленные к защите:

1. Диаграмма состояния (Т-Х) псевдобинарной системы /?-TlInS2 — CuInS2, построенные во всем концентрированном интервале с использованием методов дифференциально-термического (ДТА), микрозондового, рент-генофазового (РФА), рентгеноструктурного (РСА) анализов, а также измерениями удельного сопротивления, плотности и установлены границы областей твердых растворов, и режимы выращивания монокристаллов.

2. Механизм формирования края собственной полосы поглощения в кристаллах /?-Tl|.xCuxInS2 (0<�Х<0,015).

3. Перспективность использования выращенных кристаллов /?-Tli.xCuxInS2 (х<0,015) для создания на их основе фотоприёмников для видимой и ближней ИКобласти спектра.

Личный вклад автора.

Диссертация представляет собой законченную работу, результаты которой полученны автором в соавторстве с сотрудниками кафедры физики Грозненского нефтяного института им. М. Д. Миллионщикова, кафедры общей физики Ингушского государственного университета, а также ФИ им. П. Н. Лебедева РАН, ЛФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН. Все положения, выносимые на защиту, были доказаны лично автором настоящей работы. Автором проведены экспериментальные исследования и интерпретация полученных данных.

Апробация работы. Результаты исследований докладывались на:

Всесоюзном совещании «Химическая связь, электронная структура и физико-химические свойства полупроводников и полуметаллов», Калинин, октябрь, 1985 г., Н-ой Международной конференции «Оптика полупроводников», УГУ, Ульяновск, 2000 г., IV-ой Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии», УГУ, Ульяновск, 2002 г., V-ой Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии», УГУ, Ульяовск, VI-ой Международной конференции «Опто-наноэлекторника, нанотехнологии и микросистемы»., УГУ, Ульяновск-Астрахань, 2004 г., XI Всероссийская конференция «Строение и свойства металлических и шлаковых расплавов». Екатеринбург, 2004 г.

Результаты диссертационной работы опубликованы в 17 научных работах.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, 4 глав, приложения, заключения и выводов. Она содержит 191 страниц компьютерного текста, 52 рисунка и 21 таблицув списке литературы 196 наименований.

Основные результаты исследований, изложенные в диссертации, опубликованы в следующих работах:

1. Заргарова М. И., Мальсагов А. У., Хамхоев Б. М. Физико-химический анализ систем TlInS2 — CuInS2, TlInS2 — AgInS2- // Всесоюзное совещание «Химическая связь, электронная структура и физико-химические свойства полупроводников и полуметаллов». Тезисы докладов. — Калинин. -Октябрь. — 1985.-С.92.

2 Мальсагов А. У., Кульбужев Б. С., Хамхоев Б. М. Рентгенографическое исследование соединений TlInS2, TlGaS2 и твердых растворов Tl0,985Cu0,oi5 InS2, Tl0,98Cu0,02 GaS2 при 93 — 293 К. //Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. — 1989. — Т.25. — № 2. — С.216−220.

3. Матиев А. Х., Хамхоев Б. М. Фазовые равновесия в некоторых системах Т1В3С62 — А’В^^. // Первая Международная научно-техническая конференция «Материаловедение алмазоподобных и халькогенидных полупроводников». Украина. — Черновцы. — 1994.

4. Матиев А. Х., Хамхоев Б. М. Спектры поглощения монокристаллов Tl]xCuxInS2. // Тезисы докладов научно-практической конференции, посвященной 80-летию Грозненского государственного нефтяного института им. М. Д. Миллионщикова. Грозный. — Ноябрь. — 2000. — С. 18. 2000. — С. 18−19.

5. Матиев А. Х., Хамхоев Б. М. Спектры поглощения и отражения монокристаллов Tl[.xCuxInS2. // Тезисы докладов Международной конференции «Оптика полупроводников». УлГУ. — Ульяновск. — Июнь. — 2000. — С.22.

6. Матиев А. Х., Хамхоев Б. М. Спектры поглощения монокристаллов Tlj. xCuxInS2. // Тезисы докладов научн. конференции ИнгГУ. — 2000.-С.245.

7. Георгобиани А. Н., Матиев А. Х., Хамхоев Б. М. и другие. Микрозондо-вый анализ системы Tl]. xCuxInS2. // Труды Грозненского государственного нефтяного института им. М. Д. Миллионщикова. — Грозный. Вып.1. -Ноябрь,-2001.-С.124−136.

8. Георгобиани А. Н., Матиев А. Х., Хамхоев Б. М. и другие. Фотоэлектрические характеристики Tl|xCuxInS2 (X = 0 — 0,015). // Труды Грозненского государственного нефтяного института им. М. Д. Миллионщикова. -Грозный. Вып.1. — Ноябрь. -2001. — С. 136−140.

9. Матиев А. Х., Хамхоев Б. М., Кодзоев И. С. и другие. Фотопроводимость в кристаллах твердых растворов Tli. xCuxGaSe2, /?-Tli.xCuxInS2 и TlixAgxGaS2. // Труды Международной конференции «Оптика, оптоэлек-троника и технологии». УлГУ. — Ульяновск. — Июнь. — 2002. — С. 123.

10. Матиев А. Х., Хамхоев Б. М., Аушев А.А.-Х. Формирование края собственной полосы поглощения в кристаллах TlixCuxGaSe2, /?-Tli.xCuxInS2 и Tli. xAgxGaS2. // Труды Международной конференции «Оптика, оптоэлек-троника и технологии». УлГУ. — Ульяновск. — Июнь. — 2002. — С. 124.

11. Матиев А. Х., Хамхоев Б. М. Диаграмма состояния системы TlInS2-CuInS2. // Труды ИнгГУ. — 2002. — Вып.1. — С.466−470.

12. Матиев А. Х., Хамхоев Б. М. Край собственной полосы поглощения в кристаллах Tli. xCuxGaSe2, Tli. xCuxInS2 и Tli. xCuxInSe2. // Труды Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии». УлГУ. -Ульяновск. — Июнь. — 2003. — С. 14.

13. Матиев А. Х., Хамхоев Б. М., Магомадов P.M. Диаграмма состояния системы TlInS2-CuInS2. // Изв. РАН. Сер. Неорганические материалы. -2004. -Т.40. — № 10.-С.1168−1170.

14. Матиев А. Х., Георгобиани А. Н. Термостимулированная проводимость и деполяризация в кристаллах TlGaSe2 и /?-TlInS2. // Изв. Вузов. СевероКавказский регион. Естественные науки. — 2004. -№ 10. — С.37−44.

15. Матиев А. Х., Георгобиани А. Н., Хамхоев Б. М. Фотопроводимость ^-Tli.xCuxInS2(0.

16 Георгобиани А. Н., Матиев А. Х., Хамхоев Б. М. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов Tli. xCuxGaSe2/TlInS2 (0 < X < 0,02). // Труды XI Всероссийской конференции «Строение и свойства металлических и шлаковых расплавов». Екатеринбург. — Сентябрь. — 2004. — Т.4. — С.230−233. 17. Георгобиани А. Н., Матиев А. Х., Хамхоев Б. М. Фазовые равновесия в системах TlGaSe2 — CuGaSe2 и TlInS2 — CuInS2. // Труды XI Всероссийской конференции «Строение и свойства металлических и шлаковых расплавов». Екатеринбург. — Сентябрь. — 2004. — Т.4. — С.233−238.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Offegeld G.D. Semiconductive materials containing thallium. // Patent USA. № 3 110 685.
  2. Guseinov G.D., Abdullayev G.B. and others. Constitutional diagram and physical properties of TlSe2 InSe pseudabinary system. — Mater.Ress.Bull. — 1972. — V.7. -№ 12. -P.1497−1504.
  3. Г. Д. Поиск и физические исследования новых полупровод-ковых-аналогов. Диссертация на соиск. уч. ст. докт. физ.-мат. наук. Баку, 1969.-360с.
  4. Г. Д., Абдуллаев Г. Б. и другие. О сложных аналогах полупроводников типа TISe. // Деп. в ВИНИТИ, № 6398, 1973. 12с.
  5. Г. Д., Сеидов Ф. М. и др. О псевдобинарной системе TlSe-GaSe // Журнал физической химии. 1972. — № 3.- С.803−804.
  6. Hahn Н., Frank G., and others. Uber einige ternare chalkogenide mit chalcopyrite structur. HZ. anorg. allg. Chem.-1953.- V.271.- P.153−170.
  7. JI.C., Рогачева Е. И. Диаграммы равновесия и структура некоторых полупроводниковых сплавов А'2С6- В32С6з. // Доклады АН СССР.- 1967.-Т. 174.-№ 1.- С.80−83.
  8. Н.А. Химия алмазоподобных полупроводников. Л.: Изд-во ЛГУ.- 1963.-260 с.
  9. A.B., Штрум Е. Л. Теплопроводность и химическая связьсоединений АВХ2. // ФТТ. 1962. Т.4. — № 6. — С. 1442−1446.
  10. С.И. Исследование теплового расширения GaAs и ZnSe. //ФТТ.-1961,-Т.З.-№ 1. -С.178−181.
  11. Л.И., Боднарь С. А. и др. Термодинамические свойства группы тройных соединений А’В3^. // Сб. «Химическая связь в кристаллах полупрводников и полуметаллов». Минск: «Наука и техника». -1973.- С.248−254.
  12. Guseinov G.D., Ramazanzade A.M. and others. Abaut a group of three component compounds being analogous to binary semiconductors of the A3B6 type. // Phys. stat. solidi. 1967. — V.22. — № 2. — P. kl 17-kl22.
  13. Guseinov G.D., Mooser and others. On some properties of TlInSe2(S2,Te2) single crystals. // Phys.Stat.Sol. 1969.- V.34. — № 1. — P.33−34.
  14. Guseinov G.D., Abdullayev G.B., and others. Constitutional diagram and physical properties of TISe InSe pseudobinary system. // Mat. Res. Bull.- 1972. V.7. — № 12. — P.1497−1504.
  15. М.Б., Кулиев А. А. Исследование систем TlGaS2 TlGaTe2, TlInSe2 — TlInTe2. // Азерб. Хим. Журнал. — 1977. — № 4. — С. 110−112.
  16. Г. Д. Некоторые итоги и перспективы поиска сложных полупроводниковых аналогов. // УФЖ. 1969. — Т.99. — № 3. — С.508.
  17. Hahn Н., Weltman. Uber ternare chalkogenid des Thalliums mit gallium and indium. // Die Naturwss. 1967. V.54. № 2 — Ps.42.
  18. Miiller V., Eulenberger C., Hahn H. Uber ternare Thalliums chalkogenid mit Thallium selenid structur. // Z.anarg.Chem. — 1973.V.398. — № 2 -P.207−220.
  19. Muller D., Poltmann E. and Hahn H. Zur structur ternarer Chalkogenide des Thalliums mit Aluminium and Indium. // Z. Naturforsch. 1974. — V.29. -№ 1. — P. l 17−118.
  20. Hahn H. and Wellmann. Uber ternare chalkogenid des Thalliums mit Gallium und Indiuv. // Naturwlesenahften. 1967. — V.54.- № 1 — P.42.
  21. Isayev T.J. Crystal data crowth for thallium, gallium diselede TlGaSe2. // J. Appl. Cryst.allogr. 1973. — V.6. — № 5. — P.413−414.
  22. Isayev T.J. and Hopkins B.H. Crystal growth, symmetry and physical properties of thallium, gallium disulphide TlGaSe2. // J. of Crystal Crowth. -1975. V.29.-№ 1.-P.121−122.
  23. Isayev T.J. and Felchtner J.D. Crowth and ohtical properties of TlGaSe2 and-TlInS2. // J. of Solid St.Chemistry. 1975. — V. 14. — № 3. — P.260−263.
  24. Muller D.V. and Hahn. Zur Struktur des TlGaSe2. // Z. anorg. allg.chem.-1978. V.438. — № 3. — P.258−272.
  25. М.Б., Кулиев A.A. Оценка теплот и энтропий плавления халькогенидов типа Т12С6(С S, Se, Те) и Т1В3С62(В — Ga, In- С — S, Se, Те). // Уч. зап. Азерб.гос.ун-та, сер. химич. наук.- 1976. — № 1. — С.31−36.
  26. Joffe J.E. Zanger A. Electrical structure of the ternary Chalcopyrite seviconductors CuA1S2, CuGaS2, CuInS2, CuAlSe2 and CuInSe2. // Phys. Rev.(B). 1983. — V.28. — № 10. — P. 5822−5847.
  27. Phillips J.C. In. Festkoperprobleme XVI. // Advn. Solid State Phys. Frankfurt: Pergamon. Press. 1977. P.35.
  28. Shukat A., Singh R.D. Tetragonal distortion for A’B3C62 Chalcopyrite Compjunds. //Phys. Chem. Solids. 1978. — V.39. — № 12. P. 1269−1272.
  29. В.П., Сергеева В. М., Штрум E.JI. Полупроводниковые соединения с общей формулой АВХ2. // Журнал технической физики. 1958. Т.28. -№ 10.-С. 2093−2108.
  30. Muller A., Mcknnon A., Weare D. Beyond the binaries the Chalcopyrite and related Semiconducting Compounds. // Phys. State Solid: Phys. Adv. Rev. and Appl. 1980. -V.36. — №V. -P.l 19−125.
  31. A.A. О ширине запрещенной зоны TlGaSe2. // Учен. зап. Горь-ковского ун-та, сер. физ.- 1972. № 149. — С. 16−18.
  32. И.А., Червова А. А., Демидова А. И. Ширина запрещенной зоны TlGa(S, Se)2 и TlIn (S, Se)2. // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1974. Т. 10. № 12. — С.2216−2218.
  33. A.M. и др. Оптические и фотоэлектрические свойства твердых растворов TlInSxSe2.x. // ФТП.- 1978. Т. 12.- № 3. — С.520−523.
  34. А.Э., Ахмедов A.M. и др. Температурная зависимость краяполосы поглощения TlInSxSe2.x. // Изв. ВУЗов. Физика. Рук. деп. в ВИНИТИ. — № 404−77 от 1 февраля 1977. — 6с.
  35. Guseinov G.D., Abdullayeva S.G., Godzhaev F.M. and others. Electro-absorption of TlInS2 single crystals. // Phys. St.Sol.(b). 1977. — V.81. — № 1 — P. k47-k50.
  36. А.Э., Ахмедов A.M. Диаграммы состояния и диаграммы состав свойства TlGaS2 — TlGaSe2 и TlInS2 — TlInSe2. // Изв. АН СССР. Неоргган. матер. — 1979.-Т.15. -№ 3.-С.417−420.
  37. Abdullayeva S.G., Belenkii G.L., Godzhaev F.M. and others. Excitons in TlGaSe2. // Phys.St.Sol.(b). 1981. — V. 103. — P. k61 -k63.
  38. Abdullayeva S.G., Belenkii G.L. and Mamedov N.T. Near Band — Edge Optical properties of TlGaS2xSe2(i.x) mixsed crystals. // Phys.St.Sol.(b). -1980. — V.102. -P.kl9-k22.
  39. А.Э., Халафов З. Д., Салманов B.M. и др. Исследование оптических и фотоэлектрических свойств монокристаллов TlGaS2. // ФТП. -1976. -Т.10. -С.1950−1952.
  40. А.Э., Лебедев А. А., Халафов З. Д. и др. Оптические и фотоэлектрические исследования кристаллов. TlGaS2. // ФТП. 1978. — Т. 12. № 3. — С.555−557.
  41. В.И., Бахышев А. Э., Собеих М. А. и др. Фотопроводимость и люминесценция TlInSe2. // Изв.ВУЗов. Физика. -1978.- № 11.-С. 131−132.
  42. А.Э., Ахмедов А. М., Самедов С. Р. и др. Характер края основной полосы поглощения твердых растворов TlInS2xSe2(ix). // V Всесоюзная конференция по химии, физике и техн. применению халькогенидов Тезисы докладов. Баку. 1979. — С.74.
  43. А.Э., Гасанова Л. Г., Лебедев А. А. и др. Исследование длинноволнового края TlInSe2 по поглощению и фотопроводимости. // ФТП. 1981. — Т. 15. — № 4. — С.808−810.
  44. Р., Веицкас Д., Зейналов Н. и др. Фотопроводимость и дифракция света в монокристаллах TlInS2. // ФТП. 1982. — Т. 16. -№ 9.- С.1696−1697.
  45. Р., Жукаускас А., Зейналов Н. и др. Люминесценция монокристаллов TlInS2 при лазерных уровнях возбуждения. // ФТП. -1983. -Т.17. -№ 10. С.1898−1900.
  46. М.Я., Абуталибов Г. И., Зейналов Н. М. Ширина запрещенной зоны и энергия связи экситона в монокристаллах TlInS2- // ФТП. 1983.- Т.17. № 7. — С.1357.
  47. Г. И., Абдуллаева С. Г., Зейналов Н. М. Оптическиесвойства монокристаллов TlInS2. // ФТП. 1982. — Т. 10. — № 11. -С.2086−2088.
  48. С.Г., Абдуллаев Н. А., Беленький Г. Л. и др. Температурный сдвиг экситонной полосы и деформационные эффекты в слоистых кристаллах TlGaS2. // ФТП. 1983. — Т.17. — № 11. — С.2068−2069.
  49. ТереховаС.Ф., Онищенко Н. А., Гусейнов Г. Д. Силы осцилляторов экситонных переходов монокристаллов TlInS2, ТЮаБг, TlGaSe2. // Укр.физ.журнал. 1983. -Т.28. -№ 10.- С. 1557−1560.
  50. И.А., Червова А. А., Демидова М. И. и др. Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов TlGaS2, TlGaSe2 и TlInS2. // Изв. АН СССР. Неорган, матер. 1872. — Т.8. — С.70−72.
  51. М.И., Карпович И. А., Червова А. А. Некоторые электрические и фотоэлектрические свойства пленок TlIn(S2,Se2). //.Учен. зап. Горьковского университета, сер. физ.-мат.наук. 1975. № 1.- С.58−62.
  52. Guseinov G.D., Abdullayev G.B. and others. The piezoresitive effect in the p- TlInSe2 single crystals. // Matt.Ress.Bull. 1977. — V. 12. № 1. — P. 115 118.
  53. Guseinov G.D., Guseinov G.G., Kerimova and others. Structure and growth poculiaritiec of TlSe2 TlInSe2. // Matt.Ress.Bull.- 1978.- V.13. № 9. -P.975−082.
  54. Ф.М., Оруджев Г. С. Расчет энергетического спектра электронов тройных полупроводниковых соединений со структурой селенида таллия. // Докл. АН Азерб. ССР. 1980. — Т.36. — № 12. — С. 18−23.
  55. Г. С. Расчет электронного спектра полупроводниковых соединений типа TISe: Автореферат диссертации на соиск. учен. степ, канд. физ.-мат. наук. Баку. -1981.
  56. Goodman C.H.L. and Dougeas R.W. New semiconducting compounds of diamod type, structure. //Physica. 1954. — v.20 — № 11. — P.-1107−110.
  57. JI.C., Кошкин M.A., Гальчинский Л. П. О механизмеупорядочения в трехкомпонентных полупроводниковых системах. // ФТТ. 1962. — Т.9. — № 9. -С.2365.
  58. Gorska М., Loferski J.J., Rossler В. The utilization of I-III-VI6 ternfry compounds semiconductors in solar celles. // Phys. Semiconduct.Compound. Proc. 10. Conf. Apr. 22−30. 1980. Wroclaw. 1981. — P.286−289.
  59. Wagner S. The utilization of ternary compounds. // Inst. Phys. Conf. Ser.1977. № 35. -P.205−215.
  60. Binsma .J.J.M. Defect chemistry of CuInS2 invectigated by electrical measure meuts and mossbayer spectroscopy. // J. Phys. and Chem. Solids. -1983. V.44. — № 3. — P.237−244.
  61. Gorska M., Beaulien R., Loftrsky J.J. and others. CuInS2 films prepared byspray pyrolysis. //Solar Energy Matt. 1979. — V.l. — № 3−4. — P.313−317.
  62. Hwang H.L., Sun C.Y. Yang M.H. and others. A brief summary of researchat Tsing Xua on CuInS2 a new photovoltaic material. // 15 IEEE Photovoltaic Spec. Conf. Kissinmufla. New York. -1981. — P. 1277−1282.
  63. Т.К., Мамедов Ф. И., Рагимов И. Ф. и др. Фотопроводность вмонокристаллах CuInS2. // Рукоп. деп. В ВИНИТИ № 6420 — 83 от 30 ноября 1983.
  64. Gonzales J., Alberto Torres J., Sancher Peres G. Photoconductivity spectrum of p-type CuInS2 singl crystals. // Phys. Status solidi. 1982. — A69. -№ 1. — P. k 37-k 41.
  65. Neuman H., Hogrig W., Savelev and others. The optical properties of CuInS2thim films. // Thin Solid Films Electronics and optics. 1981. — V.79. -№ 2.-P.167−171.
  66. Neuman H., Hogrig W., Savelev and others. The optical properties of CuInS2thim films. // Thin Solid Films. 1981. — V.79. — № 2. — P. 167 — 171.
  67. Joshi N. V. Experimental detection of missing (3i modin CuInS2 single crystal. // J. Roman Spectros. 1981. — V. 11. — № 6. — P.517−518.
  68. Binsma J.J., Giling L.J., Bloem J. Luminescence of CuInS2. //Exciton andnear edge emission. // Luminescence. 1982. — V.27. — № 1. — P.55−72.
  69. Vecchi N.P., Ramos J. Radioactive recombination measurements in p-type
  70. CuInS2.// J. Appl.Phys. -1981. V.52. — № 4. -P.2958−2960.
  71. Lahlou N., Masse G. Donor-acceptor pain transitions in CuInS2.// J. Appl.
  72. Phys. 1982. — V.52. — № 2. — P.978−981.
  73. Masse G., Lahlou N., Butti C. Luminescence and lattice defects in CuInS2.
  74. Chem. Solids. -1981. V.42. -№ 6. — P.449−454.
  75. Tell В., Thlee E.A. Photovoltaic properties of p-n junctions in CuInS2.
  76. J. Appl. Phys. 1979. — V.50. — № 7. — P.5045−5046.
  77. П.А., Симашкевич А. В. Тройные полупроводники- материалысолнечной энергии. // Труды V Всесоюзной конференции «Тройные полупроводники и их применение». Кишинев. 1987. -т.1.- С. 11−12.
  78. Г. А ., Рудь Ю. В. Физические свойства и перспективыприменения полупроводников I-III-VI2 в солнечных элементах. //Труды V Всероссийской конференции «Тройные полупроводники и их применение». Кишинев. -1987. Т.1.- С.34−35.
  79. Технология тонких пленок (Под редакцией Мейесела П., Глэнга P.M.) — М.: «Советское радио». 1977. — T.I.- 662 с.
  80. А.Н. Давление пара химических элементов. М.:АН1. СССР.- 1961.-396 с.
  81. В.П., Караман М. И. Оптические свойства халькогенидовгаллия и индия.- Кишинев: Штиница. 1973. — 114с.
  82. В., Керимова Э. М. и др. Влияние примесей на электрическиеи фотоэлектрические свойства монокристаллов TlInSe2- Tllns2. // Всесоюзная конф. по физ., хим. и техн. применению халькогенидов. Тезисы докл. -Баку.- «Элм.». 1979. — С.119.
  83. С.М., Гусейнов Г. Д. и др. Оптические свойства твердых растворов TlInxGai.xSe2 (Х=0,1: 0,5) в области края фундаментального поглощения. // Изв. АН Азерб. ССР, сер. физ.-техн. и мат.наук.-1980.-№ 4.-С. 123.
  84. Э.М., Мамедов В. А. и др. Система TlInSe2 TlGaSe2.
  85. Журнал неорганической химии. 1978. — Т.23.- № 1. — С. 160−163.
  86. A.M. Определение термодинамической функции образования соединений TlGa(In)Se2 и ТЮа (1п)Т12. //ДАН Азерб. ССР.- 1978.-Т.34. № 4. — С.44−47.
  87. А.А., Асадов М. М. и др. Фазовые равновесия и межмолелярные взаимодействия в системе Т12Те- TlGa(In)S2(Se2). // Азерб.хим. журнал. 1978. — № 2. — С.90−93.
  88. Bakhyshov А.Е., Safuat boules and others. The fundamental optic absorptioneolge of TlGaSe2xS2(i-X) solid solution. //Phys.stat.sol. 1979.-V.95. — № 2 .- P. kl21-kl25.
  89. Allakhverdiev K.R., Nizametdinova M.A. and others. Raman scattering in TlInSexS,.x Crystals. // Phys.Stat.sol.(b). 1980. — V.102. — № 2. -P.kl02-kl05.
  90. B.A., Илбичева Л. Ф. и др. Программное устройство к терморегуляторам. // Приборы и техника эксперементов. 1979. — № 6.-С.1949−1950.
  91. В.Я., Озерова М. И., Фиалков 10. Я. Основы физико-химического анализа.- М.: «Наука». 1976.- С. 124−126.
  92. А.А. Металловедение. М.: «Металлургиздат». — 1956.
  93. Г. Д., Мальсагов А. У., Матиев А. Х. Исследование области гомогенности системы CuxTli.xInSe2 (0<�х<1).// Изв.Вузов. Физика.-1981.-№ 8,(Рук. Деп. В ВИНИТИ, Per. № 3113−81 Деп.).
  94. Г. Д., Мальсагов А. У., Матиев А. Х. Диаграмма состояния системы TlInSe2-CuInSe2. // Изв. АН СССР, Неорганические материалы. 1984. — Т.20. — № 10. — С.1618−1620.
  95. К.Т. Выращивание кристаллов. М.: «Недра». — 1977. — 600с.
  96. Р., Паркер Р. Рост монокристаллов. М.: «Мир». — 1974. — 540с.
  97. А.У. Исследование физико-химических свойств тройных полупроводниковых соединений А1 В111C2VI и A1 Bv C2VI при плавлении в жидкой фазе : Дисс. на соиск. уч. ст. канд. техн. наук.- Москва.-1967.- 140с.
  98. В.М., Мальсагов А. У., Крестовников А. Н. Тепловое расширение и объемные изменения при плавлении некоторых соединений группы А1 В111 C2V1. // Изв. АН СССР Неорганические материалы.1. Т.6.- № I.- C.143−145.
  99. Чаммерс Б. Теория затвердевания. М.: «Металлургия». — 1968. — 250с.
  100. И.В. Выращивание монокристаллов и исследование свойств твердых растворов CuGaxIni.xS2. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1981.- Т. 17.- № 4. — С.583−587.
  101. Guseinov G.D., Abdullayev G.B. and others. Anisotropy of lattice conductivity of complex Cha leogenide. // Phys. Letters. 1976. — V.54.-(a). — № 5. — P.379−380
  102. JI.H., Гинзбург В. Л. и др. Проблема высокотемпературной сверхпроводимости. М.: «Наука», 1977,400 С.
  103. Л.В., Леонов В. И. Сверхрешетки. М.: Знание, 1977.
  104. Kuhn О.A., Chevy A. and others Crystal structure and interatomic distance GaSe Phys Stat Sol., 1975. v. (a) 31, p. 469−473.
  105. Hahn H., Wellmann B. Uber ternary chalkogenide des Thalliums mit gallium und indium. Naturwissien., 1967, v. 54, № 2, p. 42.
  106. Guseinov G.D., Mooser E., Kerimova E.M. and others. On same properties of TlInS2 (Se2, Te2) singl crystals. Phys. Stat. Sol., 1969, v. 34, № 34, № 1, p. 33−44.
  107. Guseinov G.D., Abdullaev G.B., Izmailov M.Z. and others. On new analog TISe-type semiconductor componuds. Phys Latters, 1970 A33, № 7, p. 121−122.
  108. Muller D., Hahn H. and others Zur structur ternarer chalkogenide das Thalliums, mit aliminium, gallium und indium. Z. Naturforsch, 1974, v. 29B, № 1−2, p. 117−118.
  109. Isaacs T.J. Interminatich of the crystal symmetry of the polymorphs of thallium indium disulphide TlInS2. Z. Crystallags. 1975, v. 147, № 1−2, p. 104−108.
  110. K.P., Нани P.X. и др. Оптические фононы в TlInS2.
  111. Изв.АН. Азерб. ССР, серия физ.-тех. и мат. и. 1975. 1 т. С. 21−25.
  112. Wieting T.J. Verile J.L. Interlayer landing and the lattice vibrations of-GaSe. Phys. Rev., 1972 v. B5, p. 1473−1479.
  113. Zallen R., Slade M.T. and others Lattice vibrations and interlayer interactions in crystalline As2S3. Phys. Rev., 1971, v. B3, p. 4257−4273.
  114. A.C. Теория спектра поглощения молекулярных кристаллов. ЖЭТФ, 1948, т. 18, № 2, С. 210−218.
  115. Gasnly N.M., Mavrin В.М. and others. Roman stude of Layer TlGaSe2, p-TlInS2 and TlGaS2 crystals. Phys Stat Sol., B86, № 1 p. kl9 — k83
  116. Balsev J. Piezooptical effects Semiconductors and Semimetals. //Academik Press, N. Y-London. 1972. — № 9. — P.403−456.
  117. Aspnes D.E., Bottka N. Electric Field on the Dielectrik Fubction of Semiconductors and Insulator. // Semiconductors and Semimetals. Academic Press. N. Y. London. — 1972. — № 9. — P.457−542.
  118. Sari S.O., Schnatterly S.E. Optical spectroscopy in semiconductors in High magnetic field using polarization modulation. // Proc. Of I Int. on Conf. Motul. Spectroscopy. North-Holland.Pub. Co. Amsterdam. 1973. — P.328−339.
  119. Г. С. Динамические эффекты электро- и пьезоотражения света кристаллами. //УФЖ. 1986. — Т.94. — Вып.1. — С. 143−154.
  120. Fishner J.E. New directions in modulation spectroscopy. // Proc. Of I. Inr. on Conf. Modul Spectroscopy. North-Holland. Pub Co. Amsterdam. -1973. P.473−493.
  121. Rehn V. Interband critical point symmetry from dectroreflectance spectra. // Proc. Of I Int. on Conf. Modul Spectroscopy. North-Holland.Pub.Co. Amsterdam. 1973. — P.443−472.
  122. Aspnes D.E. Third derivative modulation spectroscopy with low-field electroreflectance. // Proc. of I Int. on Conf. Modul Spectroscopy. North
  123. Holland. Pud. Co. Amsterdam. 1973. — P.418−442.
  124. Dow J.D. Effects of final-state interactions on modulation spectra of semiconductor. // Proc. Of I Int. on Conf. Modul Spectroscopy. North-Holland. Pub. Co. Amsterdam. 1973. — P.786−803.
  125. Sell D.D. Review of piezomodulation Spectroscopy. // Proc. Of I Int. on Conf. Modul Spectroscopy. North-Holland. Pub. Co. Amsterdam. 1973.-P.896−913.
  126. Dond S.F. Electroreflectance from flatband. //Proc of I Int on Conf. Modul Spectroscopy. North-Holland.-Pub. Co. Amsterdam. 1973. — P.596−616
  127. M. Модуляционная спектроскопия. M.: Мир. — 1972. — 416с.
  128. А.Н., Озеров Ю. В., Тигиняну И. М. Исследование фундаментальных переходов в широкозонных полупроводниках методами модуляционной спектроскопии.// Труды Физического института им. П. Н. Лебедева АН СССР. 1985. — Т.163. — С. 3−38.
  129. Friedrich Н., Ozerov Yu. V., Strehlow R. Optical method for the deter mination of the modulation depth of wavelength modulation spectrometers. // Exp.Techn. Phys. 1978. — V.26. — № 3. — P.275−284.
  130. Cardona M., Shaklee K.L., Pollak F.H. Electroreflectance at Semiconductor. // Phys. Rev. 1967. — V.154. — № 3. — P.696−722.
  131. . Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир.-1973.-451с.
  132. Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника. -М.: Мир. 1976.-2428с.
  133. М.П. Спектрофотометрический метод исследования дисперсии и поглощения твердых веществ. // Докл. АН СССР. 1956. — Т.З. -С.803−805.
  134. Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука.-1977.-366с.
  135. Urbach F. The long wavelength edge of photographic sensitivity and of the electronic absorptions of solide. //Phys.Rev. 1953. — V.92. — № 5. — P. 1324.
  136. А.Э., Ахмедов А. И., Рзаева JI.А. и другие. Температурная зависимость края полосы поглощения TlInSxSe2.x. // Изв. Вузов СССР.-Физика.- 1977.-№ 4.-С. 169.
  137. Е. Поглощение вблизи края фундаментального поглощения.-В кн.: Оптические свойства полупроводников. М.: Мир. — 1970.1. С. 166−277.
  138. Ю.П., Курик В. Н. Экситон-фононное взаимодействие в монокристаллах CdSe и CdS-CdSe. // Оптика и спектроскопия. 1970.-Т.29. — № 2. — С. 339−341.
  139. В.М., Малинко В. П., Рожко А. Х. и другие. Температурная зависимость края поглощения в РЬТе. // Укр. физ. журн. 1969. — Т. 14. — № 7.-0.1221−1223.
  140. Ю.П., Курик В. М. Экситон-фононное взаимодействие в CdS. // ФТТ. 1970. — Т. 12. — № 4. — С.1143−1149.
  141. Ю.П., Курик В. М. Экспериментальные закономерности правила Урбаха в полупроводниках А111BVI. // ФТП. 1971. — Т.5. -№ 7. — С.1347−1350.
  142. В.Д. Теория длинноволнового края поглощения света в полупроводниках и диэлектриках. Правило Урбаха. // ФТТ. 1973. -Т.17.-№ 9.-С.2578−2584.
  143. Toyozawa Е. Theary of line shapes of the exciton absorption bonds. //Prog. Theor. Phys. 1958. — V.20. — № 1. — P.53−31.
  144. Toyozawa Y. Aproposed model for the explanation of the Urbach rule.-// Prog. Theor. Phys. 1959. — V.22. — № 3. — P.455−459.
  145. Е.Ф., Перель В. И., Шехмаметов P. H. Обратная водородопо-добная серия при оптическом возбуждении легких заряженных частиц в кристалле йодистого висмута (BiJ3). // Письма в ЖЭТФ. 1971.Т. 13. — № 6. — С.320−325.
  146. Р. Полупроводники. М.: HJI. — 1982. — 467с.
  147. Н.М., Маврин В. М., Халафов З. Д. Спектры комбинационного рассеивания света в монокристаллах TlGaS2, TlGaSe2 и TlGaSo^Se^. // Уч. зап. MB и ССО Аз. ССР, сер.физ.- мат.наук. 1976. — № 4. -С.130−131.
  148. Durn D. Urbach’s rale in an electron phonon model. // Phys.Rev. — 1968. -V.174. — № 3. — P.855−858.
  149. Casanly N.M., Maurin B.N., Stenin Kh.E. and others. Raman study of layer TlGaS2, /?- TlInS2, and TlGaSe2 crystals. // Phys. St. Sol.(b). 1978. -V.65. — № 1. — P. k49-k58.
  150. Casanly N.M., Dzhavadov B.M., Rakhimov A.S. and others. Infrared reflectivity spectra of TlGaS2- type layer crystals. // Physica. 1982. — 112 В. — P.73−32.
  151. Toyozawa Y. The Urbach rule and exciton-lattice interaction. // Techn. Rept. ISSP, A. -1964. № 119. — P.68.
  152. Д.М. Основы квантовой механики. М.: Высшая школа, — 1983.- 628 С.
  153. Belenkii G.L., Abdulaeyva S.G., Solodukhin A.V. and others. Peculiarities of tremal expansion of layered crystals. // Solid State Communications. 1982. — V.44. — № 12. — P.1613−1615.
  154. В.П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках. // Минск: Наука и техника. 1975. — 460с.
  155. Мотт Н, Девис Э. Электронные процессы в поликристаллических веществах. // М.: Мир. 1974. — 472с.
  156. Бонч-Бруевич B.JI. Вопросы электронной теории сильно легированных полупроводников. // В кн.: Физика твердого тела. М.: Изд. АН1. СССР. 1965,-С.127−336.
  157. И.М. Теория флуктуациониых уровней в неупорядоченных системах. //ЖЭТФ. 1987. — Т.53. — № 81. — С.743−753.
  158. .М., Эфрос А. Л. Глубокие хвосты плотности состояний и поглощение света в полупроводниках. // ЖЭТВ. 1970. — Т.58. — № 2.- С.657−665.
  159. А.Л. Плотность состояний и межзонное поглощение света в полупроводниках. // УФН. 1973. — Т. 111. — № 3. — С.451−482.
  160. Бонч-Бруевич В. Л. Вопросы электронной теории неупорядоченных полупроводников. // В кн.: Труды шестой международной конференции по аморфным и жидким полупроводникам. // Л.: Наука. 1976. -С.259−288.
  161. Фэн Г. Фотон-электронное взаимодействие в кристаллах. // М.: Мир. -1969.- 126с.
  162. Guseinov G.D., Abdullaeva S.G., Godzhaev Е.М. and others. Electroab-sorption of TlInS2 single crystals. // Phys. St. Sol. (b). 1977. — V.81. — № 1. P k.47-k.50.
  163. Bakirov M.Ya., Zeinalov N.M., Abdullaeva S.G. and others. Electroab-sorption in TlInS2. // Solid State Communications. 1982. — V.44. — № 2. -P.205−207.
  164. Г. Б., Абуталыбаев Г. И., Алиев A.A. и др. Свободные и связанные экситоны в монокристаллах TlInS2. //Письма ЖЭТВ. 1983.- Т.38. № 11. — С.525−526.
  165. .И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полупроводников. // М. 1979. — 416с.
  166. Бонч-Бруевич В. Л. Квазиклассическая теория движения частиц в случайном поле. // В кн.: Статистическая физика и квантовая теория поля. М.: Наука. 1973. — С.337−391.
  167. Elliot R.S. Intensity of optical absorption by creations. // Phys. Rev. 1957.- V.108.-№ 6.-P.1384−1389.
  168. Muller D.V. und Hahn H. Zur struktur des TiGaSe2. // Z. Anore. Allg. Chem. 1978. — V.438. — № 3. — P.258−272.
  169. А.Э., Мусаева Л. Г., Лебедев A.A., Якобсон М. А. Исследование оптических и фотоэлектрических свойств кристаллов TlGaSe2. //ФТП. 1975. Т. 9. № 8. С. 1548- 1551.
  170. Dow S.D., Rodfield D. Electroabsortion in semiconductors, the excitonic absorption edge. // Phys. Rev. B. Sol Stat. (a). 1970. — V.l. — № 8. -P.3358−3371.
  171. Ralph H.I. On The Theory of Franz-Kedysh effect. // J. Phys. (Proc. Phys. Soc.) c.l. 1968. — V.l. — № 2. — P.378−386.
  172. Blossy D.P. Wennier Exciton in an Electric Field. // Phys. Rev. (b). 1970. V.2. — № 10. — P.3976−3990.
  173. Franz W. Einfluss eines elektrischen Feldes auf eine optisch Absorption Skante. // Z. Naturforsch. 1958. — V.13a. — № 6. — P.484−490.
  174. Л.В. О влиянии сильного электрического поля на оптические характеристики непроводящих кристаллов. // ЖЭТВ. 1958. — Т. 34.1. B.5. С.1138−1141.
  175. В.М. Сегнетоэлектрики полупроводники. // М.: Наука.- 1976.-402с.
  176. А.А., Гнчаров Э. Г., Козлов С. В. и другие. Структурные фазовые переходы в кристаллах TlInS2. // ФТП. 1983. — Т.36. — № 12.1. C.3583−3585.
  177. Г. А., Алиева М. Х., Абдуллаева С. Г. и другие. О процессах рекомбинации и применения в монокристаллах TlGaSe2. // Изв. АН Азерб. ССР. сер. физ.-мат. наук. 1979. — № 4 — С.63−68.
  178. Mott N.D. On the transition to metallic conduction in semiconductors. //
  179. Can. J. Phys. 1956. — V.34. — № 12A. — P.1356−1360.
  180. Pallak M., Geblle Т.К. Low-Freguency conductivity due to Hoppins Process in Silicon. // Phys. Rev. 1961. — V. 122. — № 6. — P. 1742−1753.
  181. Pollak M. Approximation to the AC impurity hepping conduction. // Phys. Rev. 1954. — V. 133. — № 2A. — P.564−579.
  182. А.А. Спектральное распределение фотопроводимости монокристаллов и пленок TlGaSe2. // Уч. зап. Горьковского университета, сер. физика. -1971. № 126. — С.30−32.
  183. Karpovich I.A., Chervona A.A., Leonov D.K. and others. Properation and some properties of TlGaSe2 thin films. // Phys. Status. Solidi. (a). -1971.- V.4. № 1. — P. kl3-kl5.
  184. С. Г. Денев В.А. Определение параметров центров рекомбинации в кристаллахр- TlGaSe2. // Докл. АН Азерб. ССР. 1983. -Т.39. — № 5. — С.28−32.
  185. П.Г., Устьянов В. М. Определение параметров уровней прилипания в полупроводниках методом термостимулированной проводимости. // В кн. Актуальные вопросы физики полупроводниковых приборов. Вильнюс. 1969. — С. 153−177.
  186. В.Н., Соныман Е. С. Термостимулированные токи в неорганических веществах. // Новосибирск: Наука. 1979. — С.332.
  187. Ч.Б. К теории термического высвечивания. // Докл. АН СССР, сер. физ. 1955. — Т. 101. — № 4. — С.641−644.
  188. Littfeld H.J., Voigt G.J. Vereloichende untersuchungsa ven leitfanigkeitsglackurven on CdS-Eirkrictallen. // Phys. St. Sol.- 1965. V.3. — № 10. — P.1941−1954.
  189. Nicholas K.H., Woods J. The evalustion of electron trapping parameters from conductivity glow curves in cadmium sulphide. // Br. J. Appl. Phys. -1984. V.15. — № 7. — P.783−795.
  190. Haering R.R., Adums F.N. Theory and Application of Thermally Stimulated Currents in Photoconductors. // Phys. Rev. 1960. — V. l 17. -№ 2. — P.451−454.
  191. Randell S.T., WilkinsM.T. Phosphorescence and electron traps.// Proc. R. Soc. A. London. 1945. — V. l84. — № 999. — P.365−407.
  192. Halperin A., Braner A.R. Evaluation of Thermal Activation Energives from Glow Curves. // Phys. Rev. 1960. — V. l 17. — P.433−445.
  193. Bohun A. Termoemission und photoemission natrium-chlorid. // Czech. J. Phys. 1954. — V.4.- № 1. — P.91−93.
  194. Booth A.H. Calculation of electron trap depts from thermaluminescence maxims. // Can. J. Chem. 1954. v. 32. № 2. p. 214 215.
  195. Croseweirner L.J. Note on the Analysis of First-order Glew Curves. // J. Appl. Phys. 1953. — V.24. — № 10. -P.1306−2307.
  196. Ч.Б. Исследования центров захвата в щелочногалоидных кристаллофорах. // Тр. Института физ. и астр. АН ЭССР. 1966. -№ 3. — С.3−88.
  197. Л. Характеристики фотопроводников. В сб.: «Полупроводниковые преобразователи энергии излучения». М.: ИЛ. — 1959. — С.9−75.
  198. Corlick G.J., Gibson A.M. The electron trap mechanism of luminescence in sulphido and silicate phosphors. // Proc. Phys. Soc. 1948. — V. A60. -№ 342. — P.574−581.
  199. P. Фотопроводность твердых тел. // M.: ИЛ. 1962. — 534с.
  200. Boer N.W., Oberlander S., Voist J. Uber dio luswertung von Loitfahgkcits glowkuren. // Ann. Physik. 1958. — V.2. — № 3−4. — P.130−145.
  201. E.H., Рыбкин C.M. Исследование уровней прилипания Sb2S3 методом термостимулированного тока. // ФТТ. 1959. — Т.1. — № 9. -С.1460−1461.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?