Исследование зарядопереноса в структурах металл-анодный окисел металла-полупроводник
Диссертация
Первая глава диссертации является литературным обзором, в котором изложены современные представления о зонной структуре и характере переноса заряда в неупорядоченных материалахрассмотрены возможности определения параметров локализованных состояний из исследования токов, ограниченных пространственным зарядом (ТОПЗ) — обсуждены эффекты, приводящие к сверхлинейной зависимости плотности тока от поля… Читать ещё >
Содержание
- Глава I. Современные представления о зонной структуре и характере переноса заряда в тонкопленочных структурах
- I. I. Электрические свойства некристаллических веществ
- 1. 2. Токи, ограниченные пространственным зарядом
- 1. 2. 1. Интегральная инжекционная спектроскопия
- 1. 2. 2. Дифференциальная инжекционная спектроскопия
- 1. 2. 3. Энергия активации ТОПЗ
- 1. 3. Эффекты сильного поля
- 1. 3. 1. Эффект Пула-Френкеля (ЭПФ)
- 1. 3. 2. Перколяционная электропроводность в сильных электрических полях
- 1. 4. Обзор оригинальных работ по исследованию анодных окислов тантала и ниобия
- 1. 5. Влияние сильного электрического поля на проводимость тонкопленочных структур
- 1. 2. Токи, ограниченные пространственным зарядом
- I. I. Электрические свойства некристаллических веществ
- 2. 1. Приготовление образцов
- 2. 2. Комплекс измерительной аппаратуры
- 2. 3. Методика измерений
- 3. 1. Исследование механизма переноса заряда в структуре Та-Та205-Мп
- 3. 1. 1. Область слабых полей
- 3. 1. 2. Область сильных полей
- 3. 2. Модель проводимости
- 3. 2. 1. Сильнокомпенсированный полупроводник
- 3. 2. 2. Слабокомпенсированный полупроводник
- 3. 3. О размерной и полевой зависимости энергии активации стационарных ТОПЗ в материалах с распределенными по энергии ловушками
- 3. 3. 1. Экспоненциальное распределение ловушек по энергии
- 3. 3. 2. Ограниченное распределение ловушек
- 3. 3. 3. Энергия активации ТОПЗ с учетом омической проводимости
- 3. 3. 4. Определение параметров ловушек и подвижности носителей из ВАХ ТОПЗ и величины энергии активации проводимости
- 3. 4. Экспериментальное исследование энергии активации ТОПЗ в структуре Та-Та205-Мп0?
- 3. 5. Исследование влияния ряда технологических факторов на характер переноса заряда и спектр локализованных состояний окисла тантала
- 3. 5. 1. Исследование проводимости окисла тантала в MOM структуре
- 3. 5. 2. Влияние термообработки на свойства анодного окисла тантала
- 3. 5. 3. Легированные образцы
- 3. 6. Исследование деталей зонной структуры и переноса заряда в окисле ниобия. III
- 3. 6. 1. Исследование инжекционных токов в анодном окисле ниобия в MOM структуре. .. III
- 3. 6. 2. Влияние термообработки на свойства анодного окисла ниобия
- 3. 6. 3. Исследование окисла ниобия в МОП-структуре
- 3. 7. Развитие дифференциального метода анализа
- 3. 8. Выводы и следствия
- 4. 1. Исследование переноса заряда в структуре Та-Та20срМп02 при положительной полярности тантала
- 4. 1. 1. Результаты эксперимента
- 4. 1. 2. Модель
- 4. 2. Исследование необратимых изменений проводимости (деградации) окисных пленок на тантале в сильных электрических полях
- 4. 2. 1. Результаты эксперимента
- 4. 2. 2. Модель
- 4. 3. Кинетика необратимых изменений проводимости
- 4. 3. 1. Результаты эксперимента
- 4. 3. 2. Модель
- 4. 4. Исследование особенностей механизма проводимости деградированных структур
- 4. 4. 1. Изменение спектра локализованных состояний
- 4. 4. 2. Влияние операции подформовки на проводимость МОП структур
- 4. 4. 3. Параллельный механизм проводимости
- 4. 4. 4. Влияние отжига и жесткого режима деградации на проводимость МОП структур
- 4. 5. Выводы и следствия
Список литературы
- Агафонов А. И. Плотников А.Ф., Селезнев В. Н. О возможном механизме деградационных явлений в МНОП-структурах.-Микроэлектроника, 1981, т.10, с.127−131.
- Агафонов А. И. Плотников А.Ф., Селезнев В. Н. Модель деградационных явлений МНОП-элементов памяти.-В кн.:Всесоюзный симпозиум по электронным процессам на поверхности полупроводников. Новосибирск, 1980, ч.2, с.159−160.
- Адлер Д. Приборы на аморфных полупроводниках.- УФН, 1978, т.5, с.707−730.
- Алешина JI.A. Дерккенен ЭЛ., Петрова В. В., Яковлева Н. М. Исследование анодных окисных пленок УУ^О^ и Та20^ методом малоуглового рассеяния рентгеновских лучей.-В кн.: Анодные окисные пленки. Петрозаводск: изд. ПГУ, 1980, с.36−43.
- Архипов В.И., Руденко А. И. О размерной и полевой зависимости энергии активации дрейфовой подвижности в аморфных полупроводниках. -Письма в ЖТФ, 1979, т.5, с.614−616.
- Архипов В.И., Руденко А. И. Аномальный перенос заряда в аморфных полупроводниках.-ФТП, 1979, т.13, с.1352−1358.
- Бару В. Г. Демницкий Ю.Н. Переходные фотоинжекционные токив изоляторе, ограниченные пространственным зарядом и контактом.-ФТП, 1971, т.5, с.2142−2150.
- Безверхняя Н.С. .Васильев Л. М. Дмитриевский Ю.П., Мельник Ю. М. Термометрические характеристики кремниевых полупроводниковых диодов. -ПТЭ, 1976, № 5, с.278−279.
- Бокий Л. П. Дъяконов М.Н.Костров Д. В. Башмаков П.Г. Влияние анионов электролита на электропроводность анодных окислов ниобия.-Электронная техника, сер. Радиодетали и радиокомпоненты, 1976, вып.6(19), с.3−10.
- Бокий А. П. Данилюк Ю.Л. Дьяконов М. Н. Дотоусова И.С., Мир-зоев Р.А., Муждаба В. М., Розенберг Л. А. Данин С .Д. Дефекты анодных окисных пленок и электроперенос в системе тантал (ниобий)-окисел-электролит.-Электрохимия, 1979, т.15,с.1307--1312.
- Бонч-Бруевич В. Л. Вопросы электронной теории сильно легированных полупроводников.-В кн.: Итоги науки. Физика твердого тела. М: изд. ВИНИТИ, 1965, с.127−236.
- Бродовой В.А., Максимович Н. А. Дрейф дефектов в электрическом поле и бистабильное переключение в S62 53 .-ФТПД979, т.13, с.2354−2359.
- Брыксин В. В. Дьяконов М.Н.Ханин С. Д. Прыжковый перенос в некристаллическом окисле тантала.-ФТТ, 1980, т.22, с.1403--1410.
- Булавинов В. В. Дарантов Ю.А., Барабан А. П. О механизме увеличения проводимости нитрида кремния при деградации МНОП-элементов памяти.-Письма в 1ТФ, 1981, т.7, с. 235−238.
- Венкин Г. В. Дулюк Л.Л., Малеев Д. И. Схема прецизионного термос татирования на интегральной микросхеме.-ПТЭ, 1975, № 4, с.222−223.
- Вертопрахов В.Н., Сальман Е. Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах.-Новосибирск:Наука, 1979, с. 336.
- Гершензон Е.М.Дитвак-Горская Л.Б., Луговая Г. Я. Влияние компенсации на примесную проводимость п Ge в случае промежуточного легирования.-ФТП, 1981, т.15, с.1284−1292.
- Гиновкер А. С. Долосанов В.А.Дурышев Г. А. Релаксация заряда в МНОП-транзисторах при многократных переключениях.-Микроэлектроника, 1976, т.5, с. 411.
- Гороховатский Ю.А. Основы термополяризационного анализа.М: Наука, I98I, c. I76.
- Гузев А.А., Ефимов В. М., Колосанов В. А. Генерация ловушек в нитриде кремния при переключениях МВДП структур.-Электронная техника. Сер.3,Микроэлектроника, 1979, вып.2(80), с.27--31.
- Губанов А.й. Эффект Френкеля-Пула для экранированного куло-новского потенциала.-1ТФ, 1954, т.24, с. 308.
- Джоншер А. К. Дилл P.M. Электропроводность неупорядоченных неметаллических пленок.-В кн.-.Физика тонких пленок. М: Мир, 1978, т.8, с.180−263.
- Дель’Ока С. Д1., Пулфри Д. Л., Янг Л. Анодные окисные пленки.-В кн.-.Физика тонких пленок. М: Мир, 1973, т.6, с.7−96.
- Дерий В.А. Линейный преобразователь температуры.-Измерительная техника, 1979, № 3, с.23−24.
- Дирнлей Дж., Стоунхэм А., Морган Д. Электрические явления в аморфных пленках окислов.-Успехи физ.наук., 1974, т.112, с.83−128.
- Дьяконов М.Н., Замысловский М. Г., Костров Д. В., Муждаба В. М., Ханин С.Д., Шелехин Ю. Л. Исследование электронного спектра окисла N6 оптическими и термическими методами.-ФТТ, 1978, т.20, с.2801−2803.
- Житарь В.Ф., Молдовян Н. А., Радауцан С. И. Отрицательное сопротивление S -типа кристаллов Z/? 1пг S^ .-ФТП, 1979, т.13, с .1886−1890.
- Житарь В.Ф., Молдовян Н. А., Радауцан С. И. Влияние распределения электрического поля на эффект переключения в кристаллах Кп Jnz S4 .-^ТП, 1980, т.14, с.595−598.
- Жукова И.С., 0дынец Л. Л. Электрические свойства оксидных пленок на вентильных металлах и механизм электролитического выпрямления.-В кн.:Физика полупроводников и металлов. М-Л: Наука, 1964, с.18−40.
- Закгейм Л.Н., Яковлева Р. М. Донехин В.Е., Столов Л. А. Влияние термообработки на электрические свойства оксидированного тантала.-Электронная техника. Серия 5. Радиодетали, 1972, вып.2(27), с.3−15.
- Зудова Л.А., Зудов А. И., Стерхов В. А. К вопросу об определении параметров электронных ловушек в анодных окисных пленках.- Томск, 1975 г.-12 с-Рук.предст.редк.ж."Изв.ВУЗ СССР. Физика".Деп.в ВИНИТИ 8 июля 1975 г.,№ 2218−75.
- Иванов Л.П., Коренман М. Е. Дахтикова В.Г., Приходько Г. Л., Хлудков С. С. Диод для измерения температуры.-ПТЭ, 1976,№ 2, с.247−248.
- Иоффе В.А. Процессы переноса в неорганических диэлектриках. -Изв.ВУЗов СССР, Физика, 1979, № I, с.40−55.
- Коломиец Б.Т., Лебедев Э. А. Изучение локальных центров в стеклообразном селениде мышьяка методом токов, ограниченных пространственным зарядом,-ФТП, 1967, т.1, с. 815.
- Коломиец Б.Т., Лебедев Э. А., Казакова Л. П. Особенности переноса носителей заряда в стеклообразном As2 Sfy-ФТП, 1978, т.12, с.1771−1776.
- Костров Д.В. Энергетическая структура локализованных состояний электронов в анодных окисных пленках.-Дис.канд.физ. наук.-Ленинград, 1980, с. 160.
- Костылев С.А., Шкут В. А. Электронное переключение в аморфных полупроводниках.-Киев:Наукова Думка, 1978.
- Кулибаба В.Д. Локальные состояния и эффект переключения в конденсатах (S62 53) q jva2s) q q^.-ФТП, 1979, т.13, с.152−155.
- Кунин В.Я., Розова М. Н. Токи, ограниченные объемным зарядом, в тонких диэлектрических пленках с кулоновскими центрами захвата.-Радиотехника и электроника, 1980, т.25, с.1697--1701.
- Кучинский П. В. Домако В.М. Стабилизатор температуры для области 77^-340 К.-ПТЭ, 1976, № 4, с.261−262.
- Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах.-М: Мир, 1973.
- Малиненко В.П. Исследование пиролитических окислов марганца и системы металл-окисел-двуокись марганца.-Дис.канд. физ.-мат.наук.-Ленинград, 1977, с. 151.
- Марахонов В.М., Сейсян Р. П. Токи, ограниченные объемным зарядом (ТОПЗ) в пленках сульфида кадмия.-ФТП, 1973, т.7, с.1141−1147.
- Масловский В.М., Нагин А. П., Поспелов В. В., Тюлькин В. М. Исследование нестабильности проводимости МНОП структуры, связанной с величиной протекшего заряда.-lit, 1979, т.49, с.1855--1861.
- Масловский В.М., Нагин А. П. Поспелов В.В.Дюлькин В. М. Кинетика необратимых изменений проводимости нитрида кремния.-Письма в ЖТ£, 1978, т.4, с.1237−1239.
- Масловский В.М., Нагин А. П., Влияние сильного поля на проводимость пленок нитрида кремния.-Письма в IT?, 1976, т.2, с.777−779.
- Масловский В.М., Нагин А. П. Характер проводимости и необратимые изменения в МНОП структурах.-Микроэлектроника, 1978, т.7, с.531−537.
- Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках.-М: Мир, 1977.
- Мотт Н., Герни Р. Электронные процессы в ионных кристаллах.-ИЛ., 1950.
- Мотт Н. Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М: Мир, 1974.
- Мусабеков Т.Ю., Сандомирский В. Б. Токи в диэлектриках, ограниченные пространственным зарядом.-В кн.: Вопросы пленочной электроники, М: Сов. Радио, 1966, с.83−144.
- Одынец Л. Л. Райкерус П.А. Исследование электропроводности анодных окисных пленок на тантале.-Электронная техника. Серия 5. Радиодетали, 1972, вып.2(27), с.23−28.
- Отчет по НИР. Исследование структуры ближнего порядка в анодных окисных пленках, механизма униполярной проводимости и электрического пробоя в системах металл-окисел-Мп02.-Петрозаводск, 1980.
- Палатник Л.С., Копач В. Р., Поздеев Ю. Л., Скатков И. Б. Механизм изменения электропроводности аморфных окисных пленок при их термообработке.-Радиотехника и электроника, 1978, т.23, с.870−872.
- Палатник Л.С., Бойко Б. Т., Скатков И. Б., Копач В. Р., Фриман Ю. Л. Особенности процесса зарядопереноса в аморфных пленках Та^О^. -Микроэлектроника, 1974, т. З, с.271−273.
- Панасюк Л.М., Мапушевич Г. Н., Гоглидзе Т. И., Провоторов В. Л. Влияние температуры на вольтамперные характеристики тонких слоев Asz Se3 ФТП, 1980, т.14, с.62−68.
- Плотников А.Ф., Садыгов 3.Я.Селезнев В. Н. Влияние величины протекшего заряда на скорость разрядки захваченного заряда в МНОП-элементах памяти.-Письма в 1ТФ, 1980, т.6,с.431−434.
- Плотников А.Ф., Садыгов 3.Я.Селезнев В. Н. О механизме изменения энергии активации проводимости в МНОП-элементах памяти.-Письма в ШФ, 1980, т.6, с.1220−1222.
- Плотников А.Ф., Сагитов Р. Г., Садыгов 3.Я.Селезнев В. Н. Нестационарная проводимость МНОП-структур в области высоких электрических полей.- Крат.сообщ.по физ., 1980, т.6, с.10−15.
- Плотников А.Ф., Селезнев В. Н. Докарчук Д.Н. Деградация МНШ-структур под действием УФ-облучения.-Микроэлектроника, 1979, т.8, с.554−558.
- Райкерус П.А. Токи в диэлектриках, ограниченные пространственным зарядом, при наличии ловушек, обладающих кулоновским потенциалом.-Радиотехника и электроника, 1971, т.16,с.609--612.
- Райкерус П.А. Токи в диэлектриках, ограниченные пространственным зарядом, с учетом эффекта Френкеля.-Радиотехника и электроника, 1972, т.17, с.835−840.
- Райкерус П.А. Исследование электрических свойств окисных пленок на тантале.-Дис.канд.физ-мат.наук.-Ленинград, 1973, с. 108.
- Розенталь А. Некоторые особенности тока, ограниченного объемным зарядом, в твердом теле.- Автореферат, канд.физ.-мат.наук, Тарту, 1974 г.
- Роуз А. Основы теории фотопроводимости. М: Мир, 1966.
- Рябинкин Ю.С. Влияние напряженности электрического поля на ток, ограниченный пространственным зарядом, в диэлектриках и полупроводниках.-ФТТ, 1964, т.6, с.2989−2997.
- Савинова Н.А. Электропроводность аморфной и кристаллической пятиокиси тантала.-ФТТ, 1979, т.21, с.2889−2892.
- Сандомирский В. Б. Суханов А.А. Явление электрической неустойчивости (переключение) в стеклообразных полупроводниках. -Зарубежная радиоэлектроника, 1976, № 9, с.68−101.
- Симмонс Дж.Г. Прохождение тока сквозь тонкие диэлектрические пленки.-В кн.:Технология тонких пленок. Справочник. М., Советское Радио, 1977, ч.2, с.345−400.
- Синица С.П. Стационарные ТОПЗ в аморфных диэлектриках в сильных электрических полях.-В кн.-.Тонкие диэлектрические пленки и МДП структуры, Новосибирск, 1978, с.13−20.
- Такачи Кохэй. Исследование дефектов, возникающих на поверхности танталовых анодных окисных пленок при термическом осаждении двуокиси марганца.-ДЭНКИ кагаку, 1976, 44, р.713--717.
- Туннельные явления в твердых телах. Пер. с англ.под ред. Пере-ля В.И.-М:Мир, 1973.
- Усанов Д.А., Скриналь А. В. К теории инжекционных токов в диэлектриках с предельным заполнением ловушек.-Радиотехника и электроника, 1979, т.24, с.2103−2106.
- Френкель Я.И. К теории электрического пробоя в диэлектриках и электронных полупроводниках.-1ТФ, 1938, т.5, с. 685.
- Чжан. Полупроводниковые ЗУ с сохранением информации при отключении питания.-ТИЦ, ЭР, 1976, т.64, с.20−44.
- Шкловский Б.И. Перколяционная электропроводность в сильных электрических полях.-ФТП, 1979, т.13, с.93−97.
- Шкловский Б.И., Эфрос А. Л. Полностью компенсированный кристаллический полупроводник как модель аморфного полупроводника. -1ЭТ1, 1972, т.62, с.1156−1165.
- Шкловский Б.И., Эфрос А. Л. Теория протекания и проводимость сильно неоднородных сред.-УФН, 1975, т.117, с.401−435.
- Шкловский Б.И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полупроводников.-М.: Наука, 1979.
- Электронные явления в некристаллических полупроводниках.-Труды У1 междунар.конф.по аморфным и жидким полупроводникам.- Л. СССР, 18−24 ноября 1975 г. Л.: Наука, 1976.
- Эфрос А.Л. Локализация электронов в неупорядоченных системах.(Переход Андерсона).- Успехи физ.наук., 1978, т.126, с.41−65.
- Юнг Л. Анодные окисные пленки. Л.: Энергия, 1967, с. 82.
- Anderson P.W. L6kal moments and localized states Science, 1978, v.201, p.307−316.
- Aris F.C., Lewis P.J. Steadi and transient conduction processes in anodic tentalum oxide. J. Phys D: Appl. Phys., 1973, v.6, p.1067−1083.
- Axelrod Н.Ш., Schwartz N. Assymmetric Condustion in than films Та-Ox-Me structures: interstitial and substitutional impurity effects and direct detection at haw breakdown. -J.Electroch.Soc., 1969, v.116, pp.460−465.
- Balich T.G., Goll P.M. Optimization of tantalum-magganese oxide capacitor.- Electronic Сотр. Conference, 1972, N 4, p.456.
- Bean C.P., Pischer J.C., Vermilyea D.A. Jonic conductivity of tantalum oxide at very high fields. Phys.Rev., 1956, v.101, p.551.
- Bernard W.J. Developments in Electrolytic Capacitors. J. of the Electrochem. Soc., 1977, v.24, p.403.
- Bispinck H., Ganschow 0., Wedmann L., Benninghoven A. Combined YIMS, AES and XPS Investigation of tantalum oxide layers. Appl.Phys., 1979, v.18, p.113−117.
- Caper M.J., Luff P.P., White M. Steady conduction processesin anodic tantalum oxide thin films with Al-counter electrodes. Thin Solid Films, 1970, v.5, p.23.
- Connel G.A.N., Camphausen D.L., Paul W. Theory of Poole-Frenkel Conduction in Low-mobility Semiconductors. Phil. Mag., 1972, v.26, p.541.
- Dean P.J., Choyke W.J. Kecombination-enhanced defect reactions. Strong new evidence for an old concept in semiconductors. Adv. in Phys., 1977, v.26, p.1−30.
- Dignam M.J. Mechanism of ionic transport through oxide films. Oxide and Oxide Films, 1971, v.1, N 4, p.91.
- Esher В., Moulin J.C. Les condensateurs au tantale a dielec-trique dope. Oude Electr., 1976, v.56, p.114−118.
- Frank R.J., Simmons J.G. Space-charge effecta on emission-limited current flow in insulators. J.Appl.Phys., 1967″ v.38, p.832−840.
- Gartner W., Schultz M. Electronic Conduction Mechanisms of Cs-and B-Implanted Si02 Films. — Appl.Phys., 1977, v.12, p.137−148.
- Gritsenko V.A., Meerson E.E., Sinitsa S.P. Unsteady Silicon Nitride Conductivity in high Electric Fields. Phys.Stat. Sol.(a), 1978, v.48, p.31−37.
- Gritsenko V.A., Meerson E.E., Mogelnikov K.P., Sinitsa S.P. High-Field Conductivity of Amorphous Insulator Films. -Phys.Stat.Sol.(a), 1979, v.52, p.47−57.
- Griscom D.L. Defects in amorphous insulators. J. of Non-Cryst.Sol., 1978, v.31, p.241−266.
- Grundner M., Halbritter J. X.P.S. and AES studies on oxide growth and oxide coatings on niobium. J.Appl.Phys., 1980, v.5U1), p.397−405.
- Gubanski S.M., Hughes D.M. Conduction processes in anodic tantalum oxide thin films with gold counter electrodes. -Thin Solid Films, 1978, v.52, p.119−127.
- Hartke J.L. The Three-Dimensional Poole-Frenkel Effect-«-- J.Appl.Phys., 1968, v.39, p.4871.
- Helfrich W. Jn: „Physics and Chemistry of the Organic solid state“ eds.D.Fox., M. Lobes, A. Weissberger, v.3, New York, 1967, p.1.
- Hickmott T.W. Low frequency negative resistance in thin anodic oxide films. J.Appl.Phys., 1962, v.33, p.2669−2682.
- Hill R.M. Charge transport in band tails. Thin Solid Films, 1978, v.51, p.133−14o.
- Hill R.M. The Poole-Frenkel constant. Thin Solid Films, 1971, v.8, p.21−24.
- Hill R.M. Analises of high field conduction by localized carriers. Thin Solid Films, 1971, v.7, p.57−62.
- Hill R.M. Poole-Frenkel conduction in Amorphjras solids. -Phil.Mag., 1971, v.23, p.59−86.
- Hill R.M. Hopping conduction in amorphous Solids. Phil. Mag., 1971, v.24, p.1307−1325.
- Homann C. A method of analysis of steady state space-chargelimited current-voltage characteristics.- Phys.Stat.Sol., 1968, v.26, p.311.
- Hughes D.H., Jfcnes M.W. Electrical conduction in reactively sputtered tantalum oxide thin films. J.Phys.D: Appl.Phys. 1974, v.7, p.2081−2096.
- Ioffe A.P., Regel A.R. Hon crystalline amorphous and liquid: electronic seniconductors. — In: Progress in semiconductors, 1960, London, v.4, p.231−238.
- Jaeger N.I., Klein G.P., Murvaagnee B. Electron infection into anodic value metal oxides. II. Further experimental results for TagOjj, Ш>2°5 ^ A2°3* ~ J*Elec, fcrocbeil:1"Soc•» 1972, v.110, p.1531.
- Jeppson K.O.,. Svensson C.M. negative bias stress of MOS devices at high electric fields and degradation of MHOS devices. J.Appl. Phys., 1977, v.48, IT 5, p.2004−2014.
- Jones M.W., Hughes D.M. The investigation of conduction in anodic tantalpm oxide films formed on sputtered tantalum.-J.Phys.D: Appl.Phys., 1974, v.7., p.112−119.
- Jonscher A.K., Loh G.K. Poole-Frenkel conduction in alternating electric fields. J.Phys.C., 1971, v.4, p.1341−1347.
- Klein G. P, Jaeger H.I. Electron injection and interfacial reaction at valve metal oxides. Thin Solid Films, 1971, v.43, p.103.
- Klein G.P., Jaeger Ж.I. Electron injection into anodic tantalum oxide enhanced by ionic interface polarization.-J.Electrochem. Soc., 1970, v.117, p.1483.
- Koda П., Hirata K., Nishimura Y. Current-voltage characteristics of tantalum solid electrolytic capacitors. Fujitsu Sci. and Techn.J., 1974, v.10, p.139−155.
- Loh E. Physical interpretation of the tantalum chip capacitor life-test results. — JEEE Trans.Comp.Hybr. Manufас t Techn., 1980, v. CHMT-3.
- Mc.Lean A., Power P. Tantalum solid electrolytic capacitors. Proc.I.R.E., 1956, v.44, p.872−878, 943.
- Mark P., Hartmann J.E. On Distinguishing between the Schott-ky and Poole-Frenkel effects in insulators.- J.Appl.Phys. 1968, v.39, p.2163−2164.
- Matsumoto H., Suzuki A., Jabumoto T. Effect of heat treatment on the coefficient Bpf for the Poole-Frenkel effect and the cfinductiviti in TagO^ Films. Jap.J.Appl.Phys., 1980, v. 19, p.71−77.
- Mead C.A. Electron Transport Mechanism in Shin Insulatiig Films.- Phys.Rev., 1962, v.128, p.2088−2093.
- Mott H.F. States in the gap in non-crystalline semiconductors. J.Phys.С: Solid St.Phys. 1980, v.13, p.5433−5471.
- Mycielski W., Lipinski A. SCL currents and trap distribution in polycristalline Tetracene. Phys.stat.Sol (a), 1978, v.49, p.41−42.
- Muller R.S. A unified approach to the theory of space-chargw--limited currents in an insulator with traps. Sol.St.Electron., 1963, v.6, p.25−32.
- Murgatroyd P.N. Theory of space-charge-limited current enhanced by Frenkel effect. J.Phys.D: Appl.Phys., 1971, v.4, p.2412.
- Nagels P. Electronic Transport in amourphous semiconductors Amorphous Semiconductors. Berlin, e.a., 1979, p.113−158.
- Nakhmanson R.S., Roizin Ya.O. The conduction channels on Mis and MOM structure. Thin Solid Films, 1978, v.55, p.169−178.
- Uespurek S., Sworakowski J. A differential method of Steady stae space-charge limited current voltage characteristics Phys. Status Sol (a), 1977, v.41, p.619−627.
- Nespurek S., Obrda J., Sworakowski J. A study of traps forcurrent carriers in organic solids. Phys.Stat.Sol.(a), 1978, v.46, p.273−280.
- Nespjnrek S., Sworakowski J. Evaluation of the validity of analytical equations describung steadi-state space-charge-limited current voltage characteristics. Czechoslovak journal of physics, 1980, v.830, p.1148−1156.
- Nespurek S., Sworakowski J. Use of space-charge-limited current measurements to determine the properties of energetic distributions of bulk traps. J.Appl. Phys., 1980, v.51, p.2098−2102.
- Pfister J.C. Bote on the interpretation of space charge limited current with traps. Phys.stat.sol (a), 1974, v.24, k.15−17.
- Posa J.G. A special report: what to expect next in dynamik RAMs? Electronic, 1980, v.53, p.119−129.
- Rose A. Space-charge-limited currents in solids. Phys. Rev., 1955, v.97, p. 1538−1544.
- Simmons J.G. Poole-Frenkel Effect and Shottky Effect in Met&L-Insulator-Metal Systems. Phys.Rev., 1967, v.155, p.657−660.
- Smyth D.M., Shirn G.A. Conduction and stoic-biometry in heat-treated anodic oxide films. J.Electrochem.Soc., 1968, v.115, p.186−192.
- Smyth D.M., Pripp T.B. The Heat-treatment of anodic oxide films of niobium. J.Electrochem.Soc., 1969, v. 116, p.1048−1052.
- Stockmann P. An exact evaluation of steadi state space-charge-limited currents for arbitrary trap distributions.-Phys.Stat.Sol (a), 1981, v.64, p.475−483.
- Schnittle* Ch- Asimplified approach to the SCLC characteristic of homogeneons solids with traps distibuted in energy. Phys.Stat.Sol (a), 1978, v.48, p.357−368.
- Schug J.C. Lilly A.C., Lowitz D.A. Shottky current in dielectrics. Phys. Rev: B, Solid State, 1970, v.1, p.4811−4818.
- Taylor R.L., Haring H.E. A metal-semiconductor capocixor.-J.Electrochem.Soc., 1956, v.103, p.611−613.
- Yeargan J.R., Taylor H.L. The Poole-Frenkel Effekt with Compensation Present. J.Appl.Phys., 1968, v.39, p.5600--5604.
- Young L., Smith D.J. Models for ionic conduction in anodic oxide films. J.Electrochem.Soc., 1979, v.126, p.765--768.
- Young P.L. D.C. electrical conduction in thin Ta2(c)^ films.-1. Bulk-limited conduction. J.App.Phys., 1976, v.47, p.235--241.