Исследование планарных полупроводниковых структур методами линейного и нелинейного отражения света
Диссертация
Эллипсометрический метод основан на анализе изменения поляризации пучка поляризованного света при его прохождении через исследуемую оптическую систему. Изменение поляризации света зависит от свойств поверхности и приповерхностных областей исследуемой системы. Для измерения параметров малых структур используется метод лазерной эллипсометрической микроскопии, который основан на локальных… Читать ещё >
Содержание
- Глава 1. Методы исследования и контроля элементов поверхности планарных полупроводниковыхктур с использованием отражения лазерного излучения
- 1. 1. Эллипсометрический метод исследования полупроводниковых структур малых размеров
- 1. 2. Метод исследования поверхности полупроводников с помощью генерации второй гармоники лазерного излучения
- 1. 2. 1. Нелинейно-оптические свойства поверхности твердого тела. Случай центросимметричной среды
- 1. 2. 2. Исследование электрофизических свойств поверхности полупроводников методом нелинейного электроотражения. Теория метода
- 1. 3. Методы исследования поверхности металлизированных полупроводниковых и диэлектрических слоев
- 1. 3. 1. Эллипсометрический метод
- 1. 3. 2. Оптические методы исследования и контроля шероховатости поверхности металлизированных полупроводниковых и диэлектрических слоев
- 1. 3. 3. Прямые методы исследования алюминиевой металлизации на полупроводниковых и диэлектрических слоях
- 2. 1. Эллипсометрический контраст изображения исследуемых структур
- 2. 1. 1. Теоретическая модель зллипсометрического контраста
- 2. 1. 2. Экспериментальные исследования влияния соотношений толщин оксидов измеряемой структуры и ее окружения на эллипсометрический контраст
- 2. 1. 3. Автоматизированная контрастная эллипсометрическая микроскопия
- 2. 2. Физические ограничения микроэллипсометрии
- 2. 3. Локальные эллипсометрические исследования
- 2. 3. 1. Микроэллипсометрическая приставка к эллипсометру
- 2. 3. 2. Измерения параметров оксидной пленки кремния на структурах малых размеров
- Глава 3. Исследование электрофизических свойств поверхностей центросимметричных полупроводников методом нелинейного электроотражения (НЭО) лазерного излучения
- 3. 1. НЭО-диагностика многозарядных центров на поверхно сти кремния
- 3. 1. 1. Теория НЭО от центросимметричных полупроводников с многозарядными центрами на поверхности
- 3. 1. 2. Численное моделирование НЭО от кремния с ионами золота на поверхности
- 3. 2. Экспериментальная установка и результаты исследований
- 3. 2. 1. Экспериментальная установка
- 3. 2. 2. Использование коронного разряда в методе НЭО
- 3. 2. 3. Методика подготовки образцов
- 3. 2. 4. Автоматизированная обработка экспериментальных данных
- 3. 3. Экспериментальные результаты
- Глава 4. Исследование свойств и контроль качества алюминиевой металлизации полупроводниковых и диэлектрических слоев в планарных полупроводниковых структурах
- 4. 1. Эллипсометрические исследования
- 4. 2. Экспрессный эллипсометрический метод контроля качества алюминиевой металлизации полупроводниковых и диэлектрических слоев
- 4. 3. Исследование шероховатости поверхности алюминиевой металлизации полупроводниковых и диэлектрических слоев
Список литературы
- Аззам Р., Башара В. Эллипсометрия и поляризованный свет. М.: Мир, 1981.
- Основы эллипсометрии / Под ред. А. В. Ржанова. Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1979, 424 с.
- Горшков М.М. Эллипсометрия. М.: Сов. Радио, 1974.
- Громов В.К. Введение в эллипсометрию: Учеб. пособие. J1.: Изд. Ленинград. Университет, 1986,192 с
- Greef R. Ellipsometry Compr, Treatise Electrochem., vol. 8, New York, London, 1984, Pp.339−371.
- Пшеницин В.И., Абаев М. И., Лызлов Н. Ю. Эллипсометрия в физико -химических исследованиях , Л.: Химия, 1986, -152 с.
- Концевой К).А. Кудрин В. Д. Методы контроля технотогии производства полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1973.
- Резвый P.P. Эллипсометрия в микроэлектронике. М: Радио и связь, 1983, -120 с.
- Концевой К).А. Эллипсометрические методы контроля в микроэлектронике. В кн./ Современные проблемы эллипсометрии. Новосибирск: Наука, 1980. — с. 11−20.
- Matsuda Shi го. Sugimoto Katsuhisa. Spectroscopic ellipsometry and microscopic ellipsometry. Nippon Kin/oku Carrai Kaiho. 1981. 20(7), Pp. 617−620.
- Лонский Э.С. Эллипсометрия : теория, методы, приложения. Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1991. — с. 138.
- Концевой Ю.А., Резвый P.P., Гололобов В. М. Заводская лаборатория. -1971.-т.37,№ 2.-с.184.
- Анциферов А.П. и др. /Микроэлектроника. 1975. — т.4,№−3. — с.273.
- Mishima Teruhito. Као Kwanc. Jmpoved lateral resolutions in the thickness measurement of thin films by ellipsointer ferometry. — Appl., Opt., 1982. 21, № 23, Pp. 4203−4204.
- Mishima Teruhito, Kao Kwanc. Detection of thickness uniformity of film layers in semiconductor devices by spatially resobvec ellipsointerferometry.- Opt. Eng.-1982,Vol. 21, N6 p. 1074.
- Mishima T. Recent trends of studies on ellipsointerferometry. Bull. Fac. Eng. Horraido Univ. — 1983., N112.-p.47 .
- Cohn R. et al. /J.Appl.Opt. 1988 , — Vol. 27, N 22.-p.4664.
- Paduchek P. et al./ Microel. Manuf. Test.-1988, Vol.11, N8.-p.13.
- Свиташев К.К., Семененко А. И., Семененко Л. В., Соколов В.К./ Оптика и спектроскопия, — 1971. T.30.N3.-c.532.
- Семененко А.И. ./ Оптика и спектроскопия, — 1971, — Т.39.N3.-с.587.
- Свиташев К.К., Семененко А. И., Семененко Л. В., Соколов В.К./ Оптика и спектроскопия,-1973,т.34№ 5. с. 941.
- Erman М&bdquo- Theeten J.B. Spatially reselved ellipsometry, J. Appl. Phys.1986. Vol.60,N3. — p.859.
- Спесивцев E.B., Федоринин B.H. Эллипсометрия: теория, методы, приложения. Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1991.-е.84.
- Егорова Г. А., Лонский Э. С., Потапов Е. В., Раков А. В. Эллипсометрия дифрагированного света- Микроэлектронника, 1980. Т.9,№−4, — с. 319−329.
- Егорова Г. А., Лонский Э. С., Потапов Е. В. Определение линейных размеров микросхем методом дифракрационной эллипсометрии.- Эллипсометрия: теория, методы, приложения. Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1987.-е. 117 120.
- Егорова Г. А., Лонский Э. В., ЛонскаяЕ.Э. Метод дифракционной эллипсометрии для определения линейных размеров элементов микросхем. Эллипсометрия: теория, методы, приложения. — Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1987.-c.120.
- Волкова Л.В., Кривенко Ю. В., лонский Э.С./ Метрологическая служба в СССР. № 3. — с.21.
- Егорова Г. А., Лонский Э. С., Потапов Е. В., Раков А. В. Дифракционная эллипсометрия для определения толщины остаточных пленок в окнах малыхразмеров при контроле структур СБИС- Микроэлектронника, 1982. Т.11,№−5, -с. 387−392.
- ЛонскийЭ.С. Основное уравнение эллипсометрии для тестовых дифракционных решеток, применяемых при контроле структур БИС. Микроэлектроника, 1981, т.10,вып.6 с.537−542.
- Uri Ben J. Polarization ant interference in optics. VIII. Reflection from metal gratings. Surface smoothness. Optic, 1983, 63, N3,191−201.
- Егорова Г. А., Капаев В. В., Потапов Е. В. Эллипсометрические аномалии дифракционных порядков на решетках. Эллипсометрия: теория, методы, приложения. — Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1987.-е. 111−117.
- Федоринин В.Н. Метод эллипсометрического анализа периодических структур. Эллипсометрия: теория, методы, приложения. — Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1987.-е.123−126.
- Волкова Л.В., Кривенков Ю. В., Лонский ЭюС. Виноградова Н. М. Эллипсометрия: теория, методы, приложения. Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1991-е.79.
- Егорова Г. А., Капаев В. В., Потапов Е. В. Эллипсометрия: теория, методы, приложения. Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1987.-е. 117−120.
- Интегральная оптика / Под. ред. Т. Тамира, — М.: Мир, 1978. с. 130.
- Егорова Г. А., РезвыйР.Р., Шишко В. А. Эллипсометрия: теория, методы, приложения. Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1991.-е.200.
- Lee С.Н., Chang R.K., Bloembergen N. Nonlinear electroreflectance in silicon and silver / Phys. Rev. Lett. 1967. V. 18. N 5. Pp. 167−170.
- Bloembergen N., Chang R.K., Jha S.S., Lee C.H. Optical second-harmonic generation by reflection from media with invertion symmetry / Phys. Rev. 1968. V. 174. N3. Pp. 813−822.
- Tom H.W.K., Heinz T.F., Shen Y.R. Second-harmonic reflection from silicon surface and its relation to structural symmetry / Phys. Rev. Lett. 1983. V. 51. N 21. Pp.1983−1986.
- Guidotti D., Driscoll T.A. Second-harmonic generation in centro-symmetric semiconductors / II Nuovo Cimento. 1986. V 8D. N 4. Pp. 385- 416.
- Акципетров О. А. Мишина У.Д. Нелинейно-оптическое электроотражение в германии и кремнии . ДАН СССР. 1984. Т. 274. N 1. С. 62−65.
- Ахманов С.А., Галяутдинов М. Ф., Коротеев Н. И. и др. Определение степени разупорядочения поверхности нецентросимметричного полупроводника по генерации оптических гармоник и суммарных частот. Письма в ЖТФ. 1984. Т. 10. Вып. 18. С. 1118−1122.
- Ахманов С.А., Емельянов В. И., Коротеев Н. И., Семиногов В. Н. Воздействие мощного лазерного излучения на поверхность полупроводников и металлов: нелинейно-оптические эффекты и нелинейно-оптическая диагностика. УФН. 1985. Т. 147. Вып. 4. С. 675−745.
- Richmond G.L., Robinson J.M., Shannon V.L. Second harmonic generation studies of interracial structure and dynamics / Progress in Surface Science. 1988. V/ 28(1). Pp. 1−70.
- Liipke G. Characterization of semiconductor interfaces by second-harmonic generation // Surface Science Reports. 1999. V. 35. Pp. 75−161.
- Анисимов А.Н., Перекопайко Н. А., Петухов А. В. Связь анизотропии излучения отраженной второй гармоники с ориентацией поверхности кристалла. Квантовая электроника. 1991. Т. 18. N 1. С. 91−94.
- Акципетров О.А., Баранова И. М., Ильинский Ю. А. Вклад поверхности в генерацию отраженной второй гармоники для центросимметричных полупроводников / ЖЭТФ. 1986. Вып. 1(7). С. 287−297.
- Акципетров О.А., Баранова И. М., Есиков Д. А. и др. Нелинейно-оптический отклик поверхности в центросимметричных полупроводниках / ДАН СССР. 1987. Т. 294. N 3. С. 579−583.
- Sipe J.Е., Mi/.rahi V., Stegeman G.I. Phenomenological theory of optical second- and third-harmonic generation from cubic centrosymmetric crystals / Phys. Rev. B. 1987. V. 35. N 3. Pp. 1129−1141.
- Heinz T.F., Loy M.M., Thompson W.A. / Study of Si (l 11) surfaces by optical second-harmonic generation: reconstruction and surface phase transformation / Phys. Rev. Letts. 1985. V. 54. N 1. Pp. 63−66.
- Ильичев Э.А., Краснов В. Ф. и др. Неразрушающий экспресс-контроль пластин арсенида галлия методами нелинейной оптики / Электронная промышленность. 1990. N 10. С. 46−48.
- Акципетров О.А., Баранова И. М., Григорьева Л. В., Евтюхов К. Н. и др. ГВГ на границе раздела полупроводник-электролит и исследование поверхности кремния методом нелинейного электроотражения / Квантовая электроника. 1991. Т. 18. N8. С. 943−948.
- Акципетров О.А., Баранова И. М., Евтюхов К. Н., Мурзина Т. В., Черный И. В. Отраженная вторая гармоника в вырожденных полупроводниках нелинейное электроотражение при поверхностном вырождении / Квантовая электроника. 1992. Т. 19. N 9. С. 869−876.
- Dadap J.I., Xu Z" Hu X.F., Downer M.C., Russel N.M., Ekerdt J.G., Aktsipetrov O.A. Second-harmonic spectroscopy of a Si (OOl) surface during calibrated variations in temperature and hydrogen coverage / Phys. Rev. B. 1997. V. 56. N 20. Pp. 13 367−13 379.
- Aktsipetrov O.A., Fedyanin A.A., Melnikov A.V. et al. Dc-electric-field-induced and low-frequency electromodulation second-harmonic generation spectroscopy of Si (001)-Si02 interfaces / Phys. Rev. B. 1999. V. 60. N 12. Pp. 8924−8938.
- Fisher P.R., Daschbach J.L. Gragson D.E., Richmond G.L. Sensitivity of second harmonic generation to space charge effects at Si (11 l)/electrolyte and Si (ll 1)/Si02/ electrolyte interfaces / J. Vac. Sci. Technol. A. 1994. V. 12. N 5. Pp. 2617−2624.
- Fisher P.R., Daschbach J.L., Richmond G.L. Surface second harmonic studies of Si (l 1 l)/electrolyte and Si (l 1 iySi02/ electrolyte interfaces / Chemical Physics Letters. 1994. V. 218. Pp. 200−205.
- Павлов JI.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа. 1975. 206 с.
- Акцигтетров О.А., Баранова И. М., Кулюк Л. Л. и др. Нелинейно-оптическое электроотражение в фосфиде кадмия / 1986. Т. 28. N 10. С .32 283 230.
- Баранова И.М., Евтюхов К. Н. Генерация второй гармоники и нелинейное электроотражение на поверхности центросимметричных полупроводников / Квантовая электроника. 1995. Т. 22. N 12. С. 1235−1240.
- Баранова И.М., Евтюхов К. Н. Генерация второй гармоники и нелинейное отражение на поверхности полупроводниковых кристаллов класса m3m /Квантовая электроника. 1997. Т. 24. N 4. С. 347−351.
- Келих С. Молекулярная нелинейная оптика. М.: Наука. 1981. 670 с.
- Ландау Л.Д., Лившиц Е. М. Электродинамика сплошных сред. М.: Наука. 1982. 108 с.
- Сиротин Ю.И., Шаскольская М. П. Основы кристаллографии. М.: Наука. 1979. 639 с.
- Борн М&bdquo- Вольф Э. Основы оптики. М.: Наука. 1973. 719 с.
- Тягай В.А., Снитко О. В. Электроотражение света полупроводниками. Киев: Наукова думка. 1980. 302 с.
- Кринчик Г. С. Динамические эффекты электро- и пьезоотражения света кристаллами / УФН. 1968. Т. 94. Вып. 1.С. 143−154.
- Гуревич Ю.Я., Плесков Ю. В. Фотоэлектрохимия полупроводников. М.: Наука. 1983.312 с.
- Aspnes D.E., Studna A.A. Dielectric functions and optical parameters of Si, Ge, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, and InSb from 1.5 to 6/0 eV / Phys. Rev. B. 1983. V. 27. N2. Pp. 985−1009.
- Киреев П.С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа. 1969. 592 с.
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Т. 2. М.: Мир. 1984. 446 с.
- Резвый P.P., Буйко Л. Д., Концевой Ю. А., Пилипенко В. А. Применение эллипсометрических методов контроля на различных этапах технологического процесса изготовления интегральных схем/ Микроэлектроника. 1976. Т.5. Вып.4. С.334−337.
- Резвый P.P., Шевчук А. В., Бузовкина В. А. Исследование возможностей определения качества вскрытия контактных окон под жесткие выводы в эпи-таксиально планарных полупроводниковых приборах / Электронная техника. Сер.2. 1975.№ 1. С.34−36.
- Arsov L., Popov В., Prusi A. Optical properties of oxide film on the electro-polished metallic surfaces in visible spectral range. /31 st.Meet. Jnt. Soc. Electro-chem. Venice. 1980. Extend. Abstr. Vol. 2. S.l. P.581−583.
- Grimblot J., Eldridge J.M. II. Oxidetion of A1 Films./ J. Soc. Electrochem. 1982. N10. P.2369−2372.
- Katoh Y., Tanade K., Nichikami O. An ellipsometric study of oxide growth on Nb, A1 and Nd3Al films by rf. plasma / Jap. J. Appl. Phys. 1982. 21 N2. Part2. P. 100−102.
- Hayden B.E., Wyrobisch W., Oppermenn W., Hachicha S., Hofmann P., Bradshaw A.M. The interaction of oxygen with aluminum: Mainly ellipsometric aspects./ Surface Sci., 1981. 109. N1. P.207−220.
- Szucs В., Adam J., Jakab P. Ellipsometric stady of semiconductor metal end metal oxide thin films system./ Acta phys. Acad. Sci. Hung. 1981. 49. N1−3. 156−166.
- Grimblot J., Eldridge J.M. I. Interaction of Al films with 02 at low pressures./ J. Electrochem. Soc., 1982. 129 N10. P.2366−2368.
- Pedinoff M.E., Stafsudd O.M., Multiple angle ellipsometric analysis of surface layers and surface layer contaminants. / Appl. Opt. 1982. 21 .N3 P.518−521.
- Greet R., Norman C.F.W. Ellipsometry of the growth and dissolution of anodic oxide film on aluminum in alkaline Solution./ J. Electrochem. Soc. 1985. Vol.132. N10. P.2362−2369.
- Егорова Г. А., Потапов E.B., Раков А. В. Эллипсометрия тонких прозрачных пленок на алюминии. / Оптика и спектроскопия. 1976. Т.41. Вып.4. С.643−647.
- Громов В.К. Введение в эллипсометрию. / JL: Из-во Ленинградского унта. 1986. С. 192.
- Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения: Сб. статей: в 8 т. Пер. с англ./ под. Ред. Хасса Г., Туна Р. Э. / М.: Мир. 1967. Т.2. С. 172.
- Allen Т.Н. Study of Al With combined Auge electron spectrometer ellip-someter system / J. Vac. Sci. Technology. 1976. Vol.13. N1. P. l 12−115.
- Жарковский E.M., Вощукова E.A., Шутов Д. Г., Концевой Ю. А., Резвый P.P. Исследование качества алюминиевой контактной системы транзисторных структур эллипсометрическим методом / Электронная техника Сер.2, Полупроводниковые приборы. 1991. Вып.1. С.54−58.
- Антонов В.А., Пшеницин В. И. Отражение поляризованного света шероховатой поверхностью./ Оптика и спектроскопия, 1984. Т.56.Вып.1.С. 146−154.
- Чураева М.Н., Зорин З. М. Исследование поверхности алюминия и определение его оптических постоянных методом эллипсометрии./ Поверхность. Физика, Химия. Механика. 1985.№ 11. С.69−73.
- Егорова Г. А., Потапов Е. В. Экспериментальные исследования возможностей измерения диэлектрических пленок на алюминиевых пленках . / Эллипсометрия: теория, методы, приложения. Новосибирск.: Наука. Сиб. отд-ние 1991 г. С.195−199.
- Лукьянов B.C., Рудзит Я. А. Параметры шероховатости поверхности ./ М.: Издательство стандартов. 1979. С. 162.
- Топорец А.С. Оптика шероховатой поверхности. / Л.: Машиностроение. Ленингр. Отд-ние. 1988. С. 191.
- Bennet J.M., Dancy J.H. Stilus profiling instrument measuring statistical properties of smooth optical surfaces/ Applied Optics. 1981. V.20/ N1 O.P.I 785−1802.
- Кучин А.А., Обрадович К. А. Оптические приборы для измерения шероховатости поверхности./Л.: Машиностроение. 1981. С. 198.
- Vorburger T.V., Ludema К.С. Ellipsometry of rough surfaces./ Applied Optics. 1980. V.19. N4. P.561 -573.
- Белдерс P.Б. Калныня P.П. Фелтынш И. А. Эллипсометрические исследования шероховатых поверхностей кремния./ Оптика и спектроскопия. 1982. Т.53.№−3. С.507−511.
- Зорин З.М., Чураева М. Н. Влияние шероховатости поверхности на значение оптических постоянных металла, определяемые методом эллипсометрии./ Оптика и спектроскопия. 1982. Т.52. №−6.С. 1046−1051.
- Зорин З.М., Чураева М. Н. Построение оптической модели отражающей системы при эллипсометрическом исследовании физико-химических процессов./ В кн.: Эллипсометрия методы исследования поверхности. Новосибирск 1983. С.66−70.
- Ржанов А. В. Свиташева С.Н., Свиташев К. К. Графический метод интерпретации результатов эллипсометрических измерений на шероховатых поверхностях./ Докл. АН СССР. 1983. Т.273. № 5. С. 1123−1126.
- Ohira F. Ellipsometric characterization of Si Surface damage induced by sputter et ching./J.Electrochem. Soc.1983.130. N5. P.1201−1206.
- Smith Т., Crane R., NDE and effect of contamination and process errors on bond strength and durability ./Natl. SAMPE Symp. Exhib. 1980. P.25−38.
- Smith T. The effect of gross roughness on ellipsometry./ J.Electroanal. Chem. Interfacial Electrochem. 1983.150. N1−2. P. 277−290.
- Vorburger Т. V., Ludemz K.C. Ellipsometry of rough surfaces. / Appl. Opt. 1980. 19. N4.P.591−593.
- Мардежов А.С., Швецов В. А. К вопросу об интерпретации результатов эллипсометрических измерений./ Эллипсометрия: теория, методы, приложения. Новосибирск: Наука Сиб. отд-ние. 1987.С.83−86.
- Гайнер А.В., Сурдутович Г. И. О критериях шероховатости и неоднородности поверхностного слоя при эллипсометрических измерениях./ Эллипсометрия: теория, методы, приложения. Новосибирск: Наука Сиб. отд-ние. 1987.С.50−53.
- Пшеницин В.И., Храмцовский И. А. Методы эллипсометрического анализа неонородных поверхностных слоев и шероховатых поверхностей./ Эллипсометрия: теория, методы, приложения. Новосибирск: Наука Сиб. отд-ние.1987.С.20−33.
- Глинский И.А., Брагинский Л. С. Отражение света от неровностей металлической поверхности: случайных пологих и малых непологих неровностей./ Машиностроение. 1992.С.135.
- Воронов Б.Н., Финарев М. С. Исследование шероховатости поверхности алюминиевой металлизации методом фотометрии рассеянного излучения./ Заводская лаборатория. 1982.№−7.С.45−47.
- Платник Л.С., Никитский В. П., Черемский П. Г. и др./ Ф.М.М. 45. 1978. Вып.6. С. 1205.
- Платник Л.С., Черемский П. Г., Фукс М. Я. Поры в объектах./М. Энерго-издат. 1982.216 с.
- Vercerk M.J., Vander Kolk G.J./ J.Vac. Sfei.Technol. 1986 A.G. N6, P.3101.
- Vercerk M.J., Bgankaert W. A.M.C. Thin lolid films./ 1986. 239 p.
- Vander Kolk G.J., Vercerk M.J./J. Appl. Phys. 59. N 12. P.4062.
- Точицкий Э.И. Кристаллизация и термообработка тонких пленок./ Минск. Наука и Техника. 1976.С.376.
- Эдельман Ф.Л. Структура компонент БИС./Новосибирск. Наука. 1980. 255 с.
- Гершинский А.Е., Хоменко А. А., Черепов Е.И./ Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1976. Т. 12. № 4. С.627−631.
- Pgabriputaloong К., Piggott G.J./ Electrochem. 1979 Foe. 121. N3. P.430−434.
- Cavanagh E., Franko J., Walson de Reca N.E. Japan./ J. Appl. Phys. 15. 1976. N10. P.1877−1882
- Платник А.С., Бойко Б. Т., Лебедева М. В. /' Известия АН СССР. Серия Физическая. 1974.38.№ 11.
- Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. Под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мей ера. // М. Мир. 1982. 576 с.
- Lu N.C.C., Lu C.Y., Lee V.K. Cfal ./ J. Electrochem. 1984. Vol.131. N4. P. 897−902.
- Практическая растровая электронная микроскопия. Под ред. Го. истей на Дж., Яковица X. / М.: Мир. 1978. 656 с.
- Геллер Ю.А., Ракттадт А. П. Материаловедение./ М.: Металлургия. 1989. С. 283.
- Gland С.С. / J. Electrochem. 1984. Vol.48. N14. Р.909.
- Михеев В.И. Рентгенометрический определитель минералов./ М.: Наука. 1957. 740 с.
- Бобков В.А., Буйко Л. Д., Лесникова В. П. и др. / Микроэлектроника. 1988. Т.17. С.377−379.
- Милне.А., Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках./ М.: Мир. 1977. 562 с.
- Morse P.M., Rubenstein P.I. Phys. Rev. 1938. v. 54. p. 895.
- Жарковский Е.М., Шутов Д. Г., Черенова Н. С., Концевой Ю. А., Резвый P.P. Структура и свойства алюминиевой контактной системы эпитаксиально -планарных транзисторов. / Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1991 .-Вып.3(210)-с.58−67.
- Dantsev O.N., Jarkovskii E.M., Kontsevoy Yu. A., Shutov D.G., Resvyi R.R. About laser ellipsometric microscopy resolution method / International conference ALT'92. Moscow, 1992 — Book of summaries. Part 3 — p. 133−136.
- Жарковский E.M., Концевой К).Д. Резвый P.P. Шутов Д. Г. Экспрессный эллипсометрический метод контроля качества алюминиевой металлизации / Заводская лаборатория. 1992 — № 4 — с.41−42.
- Концевой Ю.А., Жарковский Е. М., Шутов Д. Г., Резвый P.P. Контраст и разрешающая способность метода эллипсометрической микроскопии ' Заводская лаборатория. 1993 — № 9 — с.26−29.
- Баранова И.М., Евтюхов К.Н, Жарковский Е. М., Концевой Ю. А., Шутов Д. Г. Оптический метод контроля качества алюминиевой металлизации полупроводниковых структур / Заводская лаборатория. 1994 — № 11 — с.32−35.
- Шутов Д.Г. Использование коронного разряда в методе нелинейного электроотражения / Там же, с.286−288.
- Шутов Д.Г. Исследование зарядового состояния поверхности кремния с многозарядными поверхностными состояниями / Там же, с.289−291.
- Шутов Д.Г., Концевой Ю. А. Повышение точности и разрешающей способности микроэллипсометрических измерений / Заводская лаборатория. 2002 -№ 5 — с.36−39.