Электрофизические процессы в диспергированных электрографических слоях на основе окиси-двуокиси (Рb3О4) и полифазной моноокиси (РbОn) свинца
Диссертация
П — показатель степени полевой зависимости подвижности, ГЦ — концентрация свободных носителей, R — коэффициент диффузного отражения, S — электрофотографическая чувствительность или скорость поверхностной рекомбинации, St — сечение захвата, Т — температура, t — время, t3ap — время зарядки, tnp — время пролета, U — потенциал слоя, llo — начальный потещиал, ЦПр — предельный' потенциал зарядки, Y… Читать ещё >
Содержание
- Глава I. Высокоомный полупроводник (сурик)
- 1. 1. Общие сведения о сурике и методы его получения
- 1. 2. Электрические свойства Р83О
- 1. 3. Поглощение света и фотоэлектрические свойства
- Выводы к главе I. Оценка параметров Р&Д в свете требований, предъявляемых к электрофотографическим слоям
- Глава II. Методика получения диспергированных электрофотографических слоев Р6Д и измерений в электрофотографическом режиме. Создание слоев оптимальной структуры
- 2. 1. Получение диспергированных слоев и таблеток
- ИД, нанесение диэлектрических пленок
- 2. 2. Методика измерений электрофотографических параметров слоев
- 2. 3. Зависимость параметров ЭФС Р63О4 от технологии их изготовления. Получение высокочувствительных слоев
- Выводы к главе П
- Глава. Ш. Спектр локальных состояний и механизм темновой разрядки ЭФС Р630,
- 3. 1. Энергия активации локальных состояний ЭФС
- Рб30,
- 3. 2. Механизм темноюй разрядки электрофотографических слоев на основе P^ Q^
- Выводы к главе Ш
- Глава 1. У. Особенности фоторазрядки слоев Р83 ft,
- 4. 1. Квантовая эффективность и абсолютный квантовый выход фоторазрядки слоев Р$ 3 О
- 4. 2. Анализ моделей фоторазрядки электрофотографических слоев и механизм световой релаксации поверхностного потенциала ЭФС РБ
- Выводы к главе 1У
- Глава V. Электрофотографические свойства полифазных окисносвинцовых слоев
- 5. 1. Темновые характеристики полифазных ЭФС
- 5. 2. Особенности фоточувстштельности полифазных
- 5. 3. Зависимость параметров окисносвинцовых ЭФС от режима их эксплуатации
- Выводы к главе У
- Выводы к диссертации
Список литературы
- Извозчиков В.А. Криоталлохимичеокая модель фотопроводящих окислов свинца. — В кн.: Фотоцроводашще окислы свинца. Л., ЛПШ, 1976. с.4−37.
- Бокий Г. Б. Введение в кристаллохимию. — Л.: ЛГУ, 1954.491 с.
- Окисление металлов /Под ред. Ж.Бенара. T. I, — М.: Металлургия, 1968. — 499 с.
- Справочник химика /Под ред. Б. П. Никольского. Т.2.Л., Химия, I97I. — II68 с.
- Извозчиков В.А. Исследование электронных процессов в энантиотропных фотопроводящих окислах свинца, — Автореф, докт. дисс. — Л.: ЛГПИ, 1973.
- Кишмария Р. Исследование фазовых переходов в системеи электронных процессов в — Автореф. канд. дисс, — Л.: ЛГПИ, 1972.
- Шамба Э. М, Исследование оптических, электрических и фотоэлектрических свойств окислов состава г Ох Uy. — Автореф. канд.дисс. — Л.: ЛГПИ, 1976.
- Памфилов А. В, Иванчева Е, Г., Драгомирецкий П, Г, Электрические свойства окислов свинца. —рн.физич.химии, 1967, т.41, Ш 5, C. I072-I078.
- Бордовский Г. А., Извозчиков В. А., Кишмария С, Р. Об однойвозможности определения длины диффузии носителей заряда. В кн.: Физическая и полупроводниковая электроника: ХХ1У Герц.чтения. — Л.: ЛГПИ, I97I, с, 35−38.
- Извозчиков В. А, Ломасов В, П., Паландузян Ю. Х, Дрейфовыеподвижности носителей заряда в тонких слоях i Ои и ^D^ , — В кн.: Физическая электроника: XXX Герц.чтения. — Л.: ЛПШ, 1977, с.47−50. — 140
- Бордовский Г. А., Извозчиков В. А., Шамба Э. М. Исследованиеуровней прилипания в монокристаллах и пленках 1 63 и^, . В кн.: Физическая и полупроводниковая электроника: XXIX Герц.чтения. — I.: ЛГШ, 1976, с.41−44.
- Извозчиков В.А. ,• Шамба Э. М., Паландузян Ю. Х. и др. Электрические и фотоэлектрические свойства слоев %щ — сурика. — В кн.: Физическая электроника. Ч.1: Физика высокоомных полупроводников: ХХУП Герц.чтения. — Л.- ЛГПИ, 1974, с. 15−22.
- Извозчиков В.А., Паландузян Ю.Х, Саксеев Д, А. и др. Влияние технологии получения на структуру и фотоэлектрические свойства пленок сурика. — В кн.: Фотопроводшцие окислы свинца. Л.: ЛГПИ, 1976, с.127−136.
- Бордовский Г. А. Получение и исследование фотопроводящихмонокристаллов окиси свинца. — Автореф.канд.дисс. — Л., ЛГПИ, 1968.
- Колесова О.й. Фотоэлектрические свойства окиси свишр.В кн.: Вопросы физики полупроводников и диэлектриков- Уч. записки ЛГПИ. — Л.: ЛГПИ, I95I, т.207, с.71−80.
- Сюше Ж, П. Физическая химия полупроводников. — М.: Металлургия, 1969. — 224 с.
- Майдзинский B.C., Извозчиков В. А., Ануфриев Ю. П. и др.Холловская дрейфовая подвижность носителей заряда в окислах свинца. — В кн.: Физическая и полупроводниковая электроника: ХХ1У Герц. чтения, — Л.: ЛГПИ, I97I, с.18−21.
- Извозчиков В.А. Оптические и фотоэлектрические свойстваэнантиотропных окислов свинца. — В кн.: Вопросы физики полупроводников и диэлектриков: Науч. труды Курского гос. — 141 пед. ин-та, т. 15. — Белгород, КПШ, 1974, с. 3−27.
- Мотт Н., Дэвис Э, Электронные процессы в некристаллическихтелах. — М.: Мир, 1974. — 472 о.
- Ануфриев Ю.П., Извозчиков В. А. Об аппаратуре дога измеренияэффекта Холла в высокоомных полупроводниках. — В кн.: Физическая и полупроводниковая электроника: ХХ1У Герц.чтения. — Л.: ЛГПИ, I97I, с.17−18.
- Извозчиков В.А., Косман M.G. Фотоэлектрические и оптическиесвойства окиси свинца. — Изв. вузов: Физика, 1963, № 4, с.128−135.
- Извозчиков В.А., Кишмария С Р . Температурная зависимостьоптической энергии активации сурика. — В кн.: Физическая и полупроводниковая электроника: XXI Герц, чтения. — Л.: ЛГПИ, 1968, с.81−84.
- Антонов-Романовский В. В. Определение коэффициента поглощения порошкообразных фосфоров. — 1урн. экспер, и теор, физики, 1954, т.26, № 4, с.459−472.
- Бордовский В.А. Исследование фотоэлектрического состоянияи пироэлектрических токов в окислах свища. — Автореф.канд. дисс. — л.: ЛГПИ, 1974.
- Бордовский Г. А., Кишмария Р. Термостимулированные токив Ъ^Щ . — в Кн.: Физическая и полупроводниковая электроника: ХХ1У Герц.чтения. — Л.: ЛГПИ, I97I, с, 40−43.
- Бордовский Г. А., Извозчиков В. А. Квазинепрерывное распределение ловушек и «тонкая» структура примесной полосы в монокристаллах окиси свинца. — Изв. вузов: Физика, 1970, № 9, C. I4I-I44.
- Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. — М.: ИЛ, 1962.558 с. — 142
- Литовченко П.Г., Уотьянов В. И. Оцределение параметровуровней прилипания в полупроводниках методом ТСП. — В кн.: Актуальные вопросы полупроводников и полупроводниковых приборов. — Вильнюс: Минтис, 1969, c, I53-I7I.
- Бордовский Г. А. О разрешащей способности кривых термолкьминесцентной термодеполяризации и термостимулированной цроводимости, — Оптика и спектроскопия, 1974, т.37, В 6, C. II82-II85.
- Галанцева М.Л., Извозчиков В. А., Шамба Э. М. Релаксацияфотопроводимости и параметры ловушек в некоторых продуктах разложения Г б U2 . — В кн.: Физическая и полупроводниковая электроника: ХХУ1 Герц.чтения. — Л.: ЛГШ, 1973, с.71−77.
- Рывкин С М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках.- М.: Физматгиз, 1963. — 494 с.
- Роуз А. Основы теории фотопроводимости. -^ М.: Мир, 1966.192 с.
- Ламперт М. Инжекционные токи в диэлектриках. — Труды ин-тарадиоинж., 1962, т.50, В Q, с.1820−1836.
- Ламперт М., Шркс П. Инжекционные токи в твердых телах.М.: Мир, 1973. — 416 с.
- Гренишин Г. Электрофотографичеокий процесс. — М: Наука, 1970. — 375 с.
- Шафферт Р. Электрофотография. — М.: Мир, 1968. — 448 с.
- Гайдялис Б.И., Маркевич Н. Н., Монтримао Э. А. Физическиепроцессы в электрофотографичеоких слоях ZnO . — Вильнюс, Минтис, 1968. — 367 с.
- Гайдялис В.И., Монтримао Э. А., Матуленис Ю. А., Вшцакас Ю.К.Емкость электрофотографичеоких слоев 5е и Zn О. Литовский физ.сб., 1966, т.6, J? 2, с.277−285.
- Богословский В.И. Исследование физических процессов вокионосвинцовых электрофотографичеоких слоях. — Автореф. канд.дисс. — Л.: ЛГШ, 1974.
- Архипов В.И., Берков А. В., Руденко А. И. Разрядная характеристика фотоприемника в режиме непрерывной экспозиции в случае объемной генерации. — %рн. науч. и прикл. фотогр. и кинематогр., 1978, т.23, В I, с.6−12.
- Гасанов O.K. Получение и исследование фоторезистивных ифотодиодных слоев тетрагональной окиси свинца. — Автореф. канд.дисс. — Л., ЛГПЙ, 1974.
- Гренишин Г., Черкасов Ю. А. Исследование абсолютногоквантового выхода внутреннего фотоэффекта в высокоомных полупроводниках. — Физика твердого тела, 1964, т.6, № 9, с.2831−2836. — 144
- Таурайтене С, А., Таурайтис А. С, Балюяис В. А., МонтримасЭ.А. Электрофотографический процесс с квантовым выходом больше I. — В кн.: Электрофотографические копировальномножительные аппараты и материалы к ним. — Вшгьшэс: НИИэлектрографии, 1970, с.153−156.
- Черкасов Ю.А. Экситонные эффекты в неупорядоченных полупроводниках. — Изв. вузов: Физика, 1976, J5 2, с. 86−101. 48. 1^тман Ф., Лайонс Л. Органические полупроводники. — М.: Мир, 1970. — 696 с.
- Еременко В.В., Медведь B.C. О зависимости фотопроводимости и интенсивности люминесценции кристаллов антрацена от дяины волны возбуждающего света. -- Физика твердого тела, 1.60, т.2, В 7, C. I572-I575.
- Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках.- М.: Ми р, 1977. — 562 с.
- Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника. — М.: Мир, 1976. — 432 с.
- Теренин А.Н. Фотоэлектроника органических соединений.Радиотехн. и электрон., 1956, т.1, Ih 8, с.1127−1134,
- Нюнько Л.И. Влияние предварительного освещения на свойстваэлектрофотографических слоев из окиси цинка. — Вопросы радиоэлектроники, 1964, сер. 12, }Ь 25, с.81−86.
- Нюнько Л.И. Вяияние длительности электростатической зарядки на свойства электрофотографических слоев. — В кн.: Электрофотография и магнитография. — Вильнюс, Респ. ин-т Н И и П, 1965, с. 192−201.
- Нюнько Л.И. К вопросу об усталости электрофотографическихслоев. — SypH. науч. и прикл. фотогр. и кинематогр., 1962, — 145
- Поцгоо З.В., Липскис К. К., Дракшас П.-Р.П., КараваускаоЯ.И. Исследование восстановления свойств «усталых» слоев окиси цинка. — Литовский физ.сб., 1977, т.17, № 3, с.377−383.
- Губкин А.Н. Электреты. — М.: Наука, 1978. — 192 с.
- Туб1ШЕ А. Ы, Общая феноменологическая теория электретногоэффекта. — В кн.: Электретный эффект и электрическая релаксация в твердых диэлектриках- Труды ШЭМ, вып. 34. М.: ШЭМ, 1976, с. 193−205.
- Лущейкин Г. А. Полимеры электреты. — М.: Хиглия, 1976.224 с.
- Гороховатский Ю.А. Термостииулированная деполяризация.Изв. АН Латв. ССР: Физич. и техн. науки, 1972, !Ь 3, с.15−22.
- Волькенштейн Ф.Ф. Физико-химия поверхности полупроводников. — М.: Наука, 1973. — 399 с.
- Извозчиков В.А. Электронные процессы в ионно-ковалентных соединениях о естественной кристаллической разупорядоченностью (на примере окислов свинца). — Изв. вузов: Физика, 1976, В 2, с.146−158.
- Бонч-Бруевич В. Л., Миронов А. Г. Введение в электроннуютеорию неупорядоченных полупроводников. — М.: Наука, 1972. — 109 с. — 146
- Пикус Г. В. Контактные явления. — В кн.: Полупроводникив науке и технике. T.I. — М.-Л.: АН СССР, 1957, с.148−230.
- Богословский В.И. Формирование скрытого электрофотографического изображения на слоях . — В кн.: Фотопроводящие окислы свинца. — Л.: ЛПШ, 1976, с.38−58.
- Цуцейко Е.К. Применение метода конденсатора к изучениювнутреннего фотоэффекта сенсибилизаторов. — ДАН СССР, 1948, т.59, i^ 3, с.471−474.
- Цуцейко Е.К. Фотоэлектрическая чувствительность и оптическое поглощение галоидных солей таллия, — Д/Ш СССР, 1951, Т.78, № 3, с.453−456.
- Цуцейко Е.К. Применение метода конденсатора к исследованию спектрального распределения фотоэлектрической чувстсительности в полупроводниках. — Изв. АН СССР: Физика, 1952, т.16, В I, с.34−45.
- Ц/цейко Е. К. Взшяние паров и газов на внутренний фотоэффект окисных полупроводников и сенсибилизация их хлорофиллом. — Радиотех. и электрон., 1952, т. 1, J^ 10, C. I364-I373. — 147
- Извозчиков В.А. Оорбционные процессы на фотопроводящейокиси свинца. — Физика твердого тела, I96I, т. З, ^ 10, с.3230−3238.
- Гренишин Г. Методы изготовления электрофотографических слоев. — В кн.: Электрофотография. — Л.: ЦБТИ, 1958, с.6−14.
- Тихонов Б.И. Измерение электрических потенциалов селеновых электрофотографических слоев. — В кн.: спектрофотография ж магнитография. — Вильнюс, 1959, Респ. ин-т НТИиП, 1959. C. I6I-I69.
- Имянитов М. М, Приборы и методы изучения электричестваатмосферы. — М.: Гостехиздат, 1957. — 483 с.
- Бонч-Бруевич A.M. Применение электронных ламп в экспериментальной физике, -г. М.: Гостехиздат, 1955. — 655 с.
- Гайсин В.А., Нансак Л., Недзвецкий Д. С. Спектры поглощения и люминесценции красной моноокиси свинца. — Физика твердого тела, 1972, т.14, В 9, 0.2752−2753.
- Крамаренко Н.М., Милославский В. К., Набойкин Ю. В. Оптические свойства слоев т желтой и красной модификаций. — Оптика и спектроскопия, 1968, т.24, Ш 6, с.971−975.
- Извозчиков В.А., Шамба Э. М., Кишмария С Р . Влияние разупорядоченности структуры на электронные переходы в rO^ U/, — Sj^ PH. прикл. спектроскопии, 1974, т.20, J^ 6, с.902−904.
- Кубашевский 0., Гопкинс В, Окисление металлов. — М.:Металлургия, 1965. — 428 с. — 148
- Рябинкин Ю. С, Влияние напряженности электрического поляна ток, ограниченный пространствием зарядов. — Физика твердого тела, 1964, т.6, Л 10, с. 2989−2997.
- Шейкман М.К., Шик А.Я. Долговременная релаксация и остаточная проводимость в полупроводниках. — Физика твердого тела, 1976, т.10, ^ 2, с.209−233.
- Уманский Я.С. Рентгенография металлов и полупроводников.- М.: Металлургия, 1969. — 496 с.
- Подвигалкин П.М. Об электрических и фотоэлектрическихсвойствах аморфного селеш. — В кн.: Электрофотография. I.: ЦБТИ, 1958, с.19−32.
- Бойцов В.Г., Рычков А. А. Исследование полимерных электретов методом комбинированной деполяризации. — В кн.: Электрическая релаксация и электретный эффект в твердых диэлектриках. — Л., ЛПМ, 1980, с.53−61.
- Богословский В.И., Бордовский Г. А., Извозчиков В. А. и др.О влиянии структуры на механизм фоторазрядки электрофотографических слоев окиси свинца со связующим. — В кн.: Физические основы электрофотографии. — Вильнюс, НИИэлектрографии, 1969, с.36−40,
- Мешкуотене Э.А., Плавина И.З, О сенситометрических характеристиках скрытого электрофотографического изображения на слоях из окиси цинка. —рн. науч. и прикл. фотогр, и кинематогр., 1962, т.7, il 5, с.380−385.
- Извозчиков В.А., Тимофеев О. А. Фотоцроводшцие окислы свинца в электронике. — Л.: Энергия, 1979. — 142 с.
- Нюнько Л.И., Сидаравичус И. Б., Усе В.Г. О квантовой эффективности фототермопластических слоев, содержащих поли- N -винилкарбазол. —рн. науч. и прикл. фотогр. и кинематогр., 1974, т. 19, J^ 2, O. I27-I3I.
- Гренишин Г., Черкасов Ю. А., Винокурова Л. В. и др.Электрофотографические свойства слоев органических фотодиэлектриков для коротковолновой области спектра. — Докл. Межд. конф. по фотогр. науке: Секц.Е. — М., 1970, с. 240 243.
- Поцюо З.В., Липскис К. К., Дракшао П.-Р.П., КараваускасЯ.И. Исследование «усталости» электрофотографических слоев окиси цинка. — Литовский физ.сб., 1977, т.17, № 3, с.369−377.
- Ракаускас Ю.К., Каладе Ю. А., Монтримас Э. А. Механизмусталости слоев Se дри ойлучении ронтгеновокши лучами. — Литовский физ.сб., 1972, т.12, J? 4, с. 6II-62I.
- Вищакас Ю.К. О механизме разрядки электрофотографических слоев. — Докл. Межд. конф. по фотогр. науке: Секц.Е. — М., 1970, с.228−231.
- Анисимов A.M., Богословский Б. И., Извозчиков В. А., Сельдяев Б. И. Сравнительные параметры моно- и полифазных окисносвинцовых электрофотографических слоев. —рн. науч. и црикл. фотогр. и кинематогр., I98I, т.26, В 3, C. I6I-I63.
- Комплексное рентгеноструктурное и электрофизическое ису следование композиционных мишеней. — Отчет по НИР, Ш гос. регистрации 81 054 592, инв. J^ 0282.86 208, науч. — 153 рук., проф. В. А. Извозчиков. — Л., 1982.
- Анисимов A.M., Богословский В. И. Спектр локальных состояний в электрофотографических слоях на основе окислов свинца. — В кн.: ФотоцроБОдники. — Л.: ЛГПИ, 1983, с.90−96.
- Анисимов A.M., Богословский В. И. Спектральное распределение квантовой эффективности и электрофотографической чувствительности окисносвинцовых слоев. — В кн.: Фотопроводники. — Л.: ЛПШ, 1983, с.96−102.
- Богословский В.И., Извозчиков В. А., Анисимов A.M. и др.Композиция неорганического фотопроводника электрофотографического слоя. — Авт.свид. СССР № 938 243.
- Clark G.L., Rowan R, Studies on lead oxides, J. Amer. Chem, Soc, 1941, v.63, No.5, p.1305−1310,
- Wite W, Roy K. Phase relation in the sistem leadoxygen. — J. Amer. Geram, Soc, 1964, v, 47, No, 5, p, 242−249.
- Vratny F., Kokalas J.S. The reflectance spectra ofmetallic oxides in the 300 to 1000 millimicron region, — Appl, Spectroscopy, 1962, v, 16, No.6, p.176−184.
- Moss S, T, Photoconductivity in the elements. — L: BSP, 1952, — p.263. 124″ Rondal R, V/ilkins M. Phosphorescence and electron traps. — Proc. Roy, Soc, 1945, A-186, No, 999, p.366−389,
- Dussel G.A., Buhe R. H, Theory of thermally stimulatedconductivity in a previously photoexcites crystal, Phys. Rev, 1967, v, 155, No.3, p.764−779.
- Freeman T, R, Kallman H. p, Silver M, Persistent internal polarization. — Rev* Mod. Phys, 1961, v, 33, — 154 No.4, p.553−573*
- Bonch-Bruevich Y/.L. Interband optical transition indisordered semiconductors" - Phys. Stat. Sol., 1970, V.42, N0.1, p"35−42″ 130. de Vore H.V. Spectral distribution of photoconductivity. — Phys. Rev., 1956, V.102, No. l, p.86−91.
- Seki H., Batra I.P., Gill W.D. et al. A quasy-steady-state analisis for the electrophotographic discharge process. — IBM J, Res. Dev., 1971f v.15″ N0.3, p.213−221.
- Kao CO., Chen I. Xerographic discharge characteristics of photoreceptors with bulk generation* I. Plash — 155 exposure. — J, Appl. Phys., 1973″ v.44″ No.6, p. 2708−2717.
- Koramander J., Koriner G.J., Schneider W.G. Photoconductivity of some polynuclear aromatic hydrocarbons. — Can. J. Chem., 1958, v.36, No.4, p.607−614.
- Lyons L.E., Mackie J.C. Photo- and semi-conductancein organic cristals. Part VII. Space-charge effects in antracene. — J. Chem. Soc. i Dec.I960, No.12, p. 5186−5192.
- McGlynn S.P. Energetics of molecular complexes.Chem. Rev., 1958, v.58, No.6, p.1113−1156.
- Northrop D.G., Simpson 0. Electronic properties ofaromatic hydrocarbons. — Proc. Roy. Soc, 1955"A-234″ No.916, p.124−135.
- Gaidelis V., Meskuotiene E., Jurevicius D., Pocius Z. Model of electrophotographic binder layers. — Current problems in electrophotography. — В., N.-Y., 1972, p.116−125.
- Tove P.A., Andersson L.G. Transient cpace charge limited currents light-puls excited silicon. — Sol. St. Electron., 1973, v.16. No.9, p.961−971.
- Spear W.E. Drift mobility techniques for the studyof electrical transport properties in insulating so lids. — J. Noncryst. Sol, 1969, v.1, No.3, p.197 214.
- Bednarczyk J., Bednarczyk D. Effective mobility inpolycrystalline semiconductors. — Acta Phys. Pol., 1969, V.36, No.6, p.1011−1016.
- Bednarczyk J., Bednarczyk D. Limitation of mobilityintercrystallite-potential barriers. — Acta Phys. Pol., 1974, A-46, No.6, p.685−693.
- Petritz R.L. Theory of photoconductivity in semiconductors films. — Phys. Rev., 1956, v.104, No.6, p. — 157 1508−1516. 155″ Perries-Prabhu A"V" Charge transfer in layered insulators. — Sol. St" Electron., 1973″ v.16, Ho.9″ P" 1086−1087.
- Young’CJ., Green H-G. «Electrofax» direct electrophotographic printihg on paper. — RCA Rev., 1954″ v. 15, По.4″ p.469−484.
- Giairao E: C. A dynamic-capacitor electrometer suitable for measuring electrophotographic recording media. — RCA Rev., 1961, v.22, No.4, p.780−790.
- Izvozchicov 7.A. Cristaliochemical pecualiaritiesand shapt of the absorption edge of lead oxide. Phys, Stat. Sol.(A), 1972, v.14, Wo.1, p.161−170.
- Sato H., Ikeda M. Photoinduced voltage-decay characteristics of dye-sensitized poly-N-vinylcarbazole. J. Appl. Phys., 1972, V.43″ No.10, p.4108−4113.
- Amick J.A. A volume-charge capasitor model for «Electrofax» layers. — RCA Rev., 1959, v.20, No.4″ p.770 784.
- Li Т.Н., Regensburger P.J. Photoinduced discharge characteristics of amorphous selenium plats. — J, Appl. Phis., 1963, V.34, No.6, p.1730−1735.
- Meier H., Albrecht V/., Tschirwitz U. On the mechanismof dye sensitization and doping of electrophotographically used organic semiconductors. — Int. Cong. of Phot. Sciens: Papars. — M., 1970, p.264−268-
- Является ли данная тема частью проблемы/выполняемой организацией (предп!ЛГПи или совместно- наименование этой проблемы и кому. она поручена (организаци! или совместно): является частью пробдемы. -разрабатываемой в ГОИ имени И. Вавилова '.
- Общая оценка полученных результатов и основных технологических (конструктивных)шностей процессов (конструкций) отработэра методикэ подучения гетерофазр. труутур, полунены слои приближающиеся по интегральной светочув" тельности к селеновым слоям.
- Какие технические и экономические преимущества дают перечисленные отличительныеенности (данные о научной ценности полученных результатов) __^_