Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Исследование эффекта спонтанного упорядочения примесных комплексов в арсениде галлия n-типа

Диссертация: Исследование эффекта спонтанного упорядочения примесных комплексов в арсениде галлия n-типа
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Обнаружено, что в образцах с концентрацией свободных носителей заряда п0 ~ (3 — 4) х1018 см-3 при Т ~ 300 К наблюдается скачок на функциональных зависимостях удельной теплоемкости и электропроводности от температуры, характерный для фазовых переходов первого рода. Предполагается, что фазовый переход в исследуемых кристаллах имеет электронную природу. При образовании в кристалле крупномасштабной… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ЭФФЕКТЫ ПРОСТРАНСТВЕННОЙ ПРИМЕСНОЙ КОРРЕЛЯЦИИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ПРИ МАЛЫХ 1 АТ. %) КОНЦЕНТРАЦИЯХ ПРИМЕСНОГО КОМПОНЕНТА (ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР)
    • 1. 1. Примесная корреляция в твердых растворах. Модельные представления
    • 1. 2. Кулоновская примесная корреляция в полупроводниках. Модельные представления
    • 1. 3. Примесная корреляция как результат деформационного взаимодействия примесных комплексов. Модельные представления
  • Выводы
  • ГЛАВА 2. ОСОБЕННОСТИ СОБСТВЕННОЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬНОЙ РЕКОМБИНАЦИИ В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ п-ТИПА, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ УПОРЯДОЧЕНИЕМ ПРИМЕСНЫХ КОМПЛЕКСОВ
    • 2. 1. Методика эксперимента
    • 2. 2. Методика анализа спектров краевой фотолюминесценции
    • 2. 3. Анализ спектров фотолюминесценции монокристаллов ОаА8: Те
      • 2. 3. 1. Область концентраций п0< 2×1018см"
      • 2. 3. 2. Область концентраций п> 2×1018см"
    • 2. 4. Модельные представления
  • Выводы
  • ГЛАВА 3. ТЕМПЕРАТУРНАЯ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИХ И КИНЕТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ п-ТИПА ПРИ УПОРЯДОЧЕНИИ ПРИМЕСНЫХ КОМПЛЕКСОВ
    • 3. 1. Методика эксперимента
    • 3. 2. Влияние уровня легирования на температурное поведение удельной теплоемкости и электропроводности монокристаллов ОаАз: Те
    • 3. 3. Исследование концентрационной и температурной зависимостей подвижности свободных носителей заряда в ОаА8: Те
  • Выводы
  • ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ РАДИАЦИОННОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ НА ПРОЦЕССЫ УПОРЯДОЧЕНИЯ ПРИМЕСНЫХ КОМПЛЕКСОВ В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ п-ТИПА
    • 4. 1. Особенности радиационного дефектообразования в ОаАз при у-облучении
    • 4. 2. Влияние радиационного воздействия на фотолюминесценцию ОаАБ. 88 4.2.1. Эффекты радиационно-стимулированного упорядочения в ваАБ
    • 4. 3. Методика эксперимента
    • 4. 4. Влияние у-облучения на процессы примесного упорядочения в ОаАз: Те
  • Выводы
  • ЗАКЛЮЧЕНИЕ
  • СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Исследование эффекта спонтанного упорядочения примесных комплексов в арсениде галлия n-типа (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность проблемы.

Прогресс в области физики твердого тела и физики полупроводников в настоящее время в значительной мере обусловлен возможностями создания и изучения новых объектов пониженной размерности с квантовыми свойствами — квантовых точек, квантовых проволок и их пространственных комбинацийсверхрешеток. Однако, физические пределы традиционных способов получения таких объектов с характерными размерами 1−100 нм, при которых наиболее полно проявляются их квантовые свойства, ограничены. Поэтому большие надежды по созданию объектов пониженной размерности возлагаются на технологии, использующие эффекты их самоорганизации в определенных условиях выращивания, в условиях фазовых переходов, разделения фаз в гетерофазных системах и в процессе контролируемых внешних воздействий. Далеко не исчерпанным в этом отношении остается и традиционный подход к управлению свойствами полупроводниковых материалов, основанный на использовании процессов легирования их примесями. Упругое, кулоновское или химическое взаимодействие с участием атомов основного вещества, атомов легирующих примесей, а также собственных точечных структурных дефектов может приводить к образованию в полупроводнике различного рода комплексов. Многие из образующихся в результате таких взаимодействий комплексов обладают достаточно высокой устойчивостью и оказывают существенное влияние на свойства полупроводника, являясь эффективными центрами излучательной и безызлучательной рекомбинации, определяя степень компенсации, концентрацию и характер рассеяния носителей заряда, фоточувствительность и ряд других важных характеристик материала. Явления комплексообразования достаточно хорошо исследованы на примере германия, кремния, арсенида галлия. В то же время процессы упорядочения структурных комплексов в полупроводниках, эффекты спонтанного образования сверхструктур при определенных уровнях легирования, экспериментально обнаруженные в широком классе полупроводниковых материалов, не имеют сегодня достаточно полного физического обоснования несмотря на фундаментальный характер проблемы. Нет четкого представления о механизме процессов самоорганизации в легированных полупроводниках, о поведении самоорганизующихся систем при воздействии внешних факторов (электрических и тепловых полей, оптического излучения, радиационного воздействия). Поэтому большой интерес и актуальность представляет исследование эффектов упорядочения структурных комплексов в легированных полупроводниках, влияния упорядочения на фундаментальные свойства материала, изучение возможности получения упорядоченного состояния и его устойчивости при внешних воздействиях.

Целью настоящей диссертационной работы являлось исследование особенностей оптических и электрофизических свойств арсенида галлия п-типа, обусловленных образованием длиннопериодичной сверхструктуры примесных комплексов и влияния радиационного воздействия на процессы упорядочения в примесной подрешетке.

Для достижения этой цели в работе были поставлены и решались следующие задачи:

1. Исследование зависимости структуры спектров краевой фотолюминесценции монокристаллов ОаАз: Те от уровня легирования, температуры и интенсивности возбуждения фотолюминесценции.

2. Разработка качественной модели энергетической зонной схемы системы ОаАй-.Те при образовании сверхструктуры примесных комплексов.

3. Изучение влияния уровня легирования на температурное поведение термодинамических параметров и кинетических свойств носителей заряда в монокристаллах ОаАз: Т. е.

4. Исследование влияния у-облучения различной интенсивности на процессы упорядочения примесных комплексов в монокристаллах ОаАз: Т. е.

Научная новизна работы заключалась в следующем:

1. Обнаружено, что в монокристаллах арсенида галлия, легированного теллуром при концентрациях свободных носителей заряда п0 > 2×1018 см" 3 и уровнях возбуждения фотолюминесценции Ь > 1019 квант-см" 2с1 низкотемпературный спектр краевой фотолюминесценции имеет структуру, обусловленную наличием двух перекрывающихся полос излучения. На основе детального анализа формы спектра краевой фотолюминесценции, выполненного с использованием моделей ВВи ВТ-рекомбинации, установлено, что полосы фотолюминесценции относятся к межзонным оптическим переходам.

2. Показано, что структура спектра краевой фотолюминесценции при п0 > 2×1018 см" 3 обусловлена модификацией функции плотности состояний в зоне проводимости вследствие образования минизонного электронного энергетического спектра.

3. В монокристаллах ОаАз: Те в области критических концентраций свободных носителей заряда п0= (3 — 4) х1018 см" 3 впервые обнаружена нерегулярная зависимость теплоемкости и электропроводности от температуры при 300 К, характерная для фазовых переходов первого рода. Данное фазовое превращение идентифицируется как электронный фазовый переход.

4. В монокристаллах ОаАз: Те с критической концентрацией свободных носителей заряда п0= (3 — 4) х1018 см" 3 впервые обнаружено возрастание холловской подвижности свободных носителей заряда до значений, характерных для слабо легированных образцов. Показано, что увеличение подвижности носителей заряда обусловлено уменьшением вклада рассеяния на ионах примеси вследствие образования упорядоченной сверхструктуры примесных комплексов.

5. Обнаружен эффект радиационно-стимулированного упорядочения примесных комплексов в области предкритических концентраций свободных носителей заряда п0 = (1,2 — 2,5)х1018 см" 3.

Практическая значимость работы состоит в том, что расширяется возможность применения арсенида галлия, так как в области упорядочения примесных комплексов исследуемый материал представляет собой новый класс сильно легированных полупроводников, кинетические явления в которых не контролируются уровнем легирования. Обнаруженное явление открывает возможность создания новых технических решений (в том числе и объектов пониженной размерности) на базе модулированной структуры с малым (по сравнению с искусственными сверхрешетками) вектором трансляции. Твердотельная база современной электроники, опто-, акустоэлектроники, интегральной оптики использует переходы с градиентом концентрации в широком диапазоне, поэтому правильный учет явления фазовых переходов позволит организовать технологический процесс по детерминированному пути, обеспечить лучшую воспроизводимость параметров полупроводника.

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. Изменение структуры спектров собственной излучательной рекомбинации в ОаАз: Те при критических концентрациях свободных носителей заряда п0 ~ (3 — 4) х1018 см" 3 обусловлено модификацией функции плотности состояний в зоне проводимости вследствие образования минизонного электронного энергетического спектра;

2. Температурный фазовый переход в монокристаллах ОаАз: Те при критических концентрациях свободных носителей заряда и ~ (3 — 4) х 1018 см" 3, обусловленный процессом «электронного диспергирования».

3. Увеличение подвижности свободных носителей заряда в монокристаллах ОаАз: Те при критических концентрациях свободных носителей заряда п0~ (3 — 4) х1018 см" 3 обусловлено уменьшением вклада рассеяния на ионизированных примесях вследствие образования упорядоченной сверхструктуры примесных комплексов.

4. Эффект радиационно-стимулированного упорядочения в области предкритических концентраций свободных носителей заряда в 8 монокристаллах ОаАз: Т. е.

Основные результаты, изложенные в диссертации докладывались и обсуждались на Российских конференциях по физике полупроводников (Санкт-Петербург -1996 г., Москва -1997 г., Новосибирск -1999 г.), Седьмой Российской конференции «ОаАэ — 99» (Томск — 1999 г.), Международных конференциях по физике полупроводников (Берлин, Германия — 1996 г., Иерусалим, Израиль -1998 г.), Международной конференции «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах» (Ульяновск — 1997 г.), Международной конференции «Оптика полупроводников» (Ульяновск — 1998 г.), Международной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах» (Томск — 1998 г.).

По материалам диссертации опубликовано 16 печатных работ [94−109].

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы из 109 наименований и содержит 124 страницы машинописного текста, 56 рисунков и 3 таблицы.

Выводы.

1. Проведено экспериментальное исследование влияния у-излучения 60Со различной интенсивности (Р = 1,7×103 и 4,8×103 Гр-ч" 1) на параметры излучательной рекомбинации в монокристаллах ОаАз: Те с концентрациями свободных носителей заряда п0= (1,2 — 2,5)х1018см" 3.

2. Показано, что в образце с концентрацией свободных носителей заряда п= 1,3×1018 см" 3 при интенсивности у-излучения Р = 4,8×103 Гр-ч" 1 параметры ФЛ изменяются немонотонным образом. Основной причиной таких изменений является изменение безызлучательного времени жизни неосновных носителей заряда.

3. В образце с концентрацией свободных носителей заряда п0 = 2,4×1018 см" 3, при у-облучении дозами О = (0,38 — 0,46)х105 Гр обнаружен значительный спад интенсивности примесной полосы и возрастание краевой полосы ФЛ. Спектральные максимумы полос ФЛ одновременно сдвигаются в сторону меньших энергий на одно и тоже значение ЛЕ ~ 0,04 эВ. Аналогичные изменения в спектрах ФЛ обнаружены в образце с концентрацией свободных носителей заряда п0= 1,3×1018 см" 3 при интенсивности у-излучения.

Р = 1,7×103 Гр-ч" 1. При облучении дозой И = 0,05×105 Гр наблюдается.

108 существенное уменьшение интенсивности примесной полосы и возрастание интенсивности краевой полосы ФЛ с одновременным сдвигом ее спектрального максимума в длинноволновую область. Показано, что обнаруженные изменения в спектрах ФЛ вызваны появлением дополнительных полос ФЛ вследствие образования минизонного энергетического электронного спектра и связаны с процессами радиационно-стимулированного упорядочения примесных комплексов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

1. Проведено экспериментальное исследование зависимости структуры спектров краевой ФЛ монокристаллов арсенида галлия, легированного теллуром, от концентрации свободных носителей заряда, температуры и интенсивности возбуждения ФЛ.

На основе моделей ВТи ВВ-рекомбинации проведен детальный анализ формы экспериментальных спектров краевой ФЛ. Показано, что при концентрациях свободных носителей зарядап0< 2×1018 см" 3 и интенсивностях возбуждения ФЛ Ь < 1020 квант-см" 2с-1 форма спектра качественно согласуется с моделью для ВТ-рекомбинации, а при Ь > 1020 квант-см^с" 1 наблюдаемые спектры ФЛ являются результатом ВВ-переходов.

Обнаружено, что в образцах с концентрацией п0 > 2×1018 см 3 при уровнях возбуждения ФЛ Ь < 1019 квант-см" 2с1 спектр краевой ФЛ имеет структуру, обусловленную наличием двух перекрывающихся полос излучения. Показано, что полосы ФЛ относятся к межзонным оптическим переходам и являются результатом ВВ-рекомбинации. Показано, что структура спектра ФЛ обусловлена модификацией функции ПС в зоне проводимости. Модификация электронной плотности состояний обусловлена образованием минизонного энергетического спектра электронов в зоне проводимости вследствие эффекта спонтанного образования длиннопериодической сверхструктуры примесных комплексов в образцах с концентрацией свободных носителей заряда п0 ~ 3×1018 см" 3.

2. Проведено экспериментальное исследование зависимости удельной теплоемкости и электропроводности монокристаллов СаАБ: Те от концентрации свободных носителей заряда и температуры.

Проведено экспериментальное исследование зависимости холловской подвижности свободных носителей заряда в монокристаллах ОаАз: Те от концентрации и температуры.

Обнаружено, что в образцах с концентрацией свободных носителей заряда п0 ~ (3 — 4) х1018 см-3 при Т ~ 300 К наблюдается скачок на функциональных зависимостях удельной теплоемкости и электропроводности от температуры, характерный для фазовых переходов первого рода. Предполагается, что фазовый переход в исследуемых кристаллах имеет электронную природу. При образовании в кристалле крупномасштабной упругой сверхструктуры заряженных примесных комплексов периодическое распределение кулоновского и деформационного потенциала стимулирует процесс «электронного диспергирования» — неоднородного периодического распределения электронной плотности, имеющего характер фазового перехода первого рода. Кристаллы ОаА&:Те в области упорядочения в примесной подрешетке характеризуются сильным электрон-фононным взаимодействием через деформационный потенциал. Следствием этих процессов является резкое уменьшение электропроводности и возрастание теплоемкости монокристаллов ОаАз: Те в области фазового перехода.

В образцах с концентрацией свободных носителей заряда п0~ {3 — 4) х1018 см" 3 обнаружено возрастание холловской подвижности свободных носителей заряда до значений, характерных для слабо легированных образцов. Такое поведение подвижности объясняется уменьшением вклада рассеяния на ионах примеси вследствие образования упорядоченной сверхструктуры примесных комплексов. Доминирующим, как и в случае слабо легированных кристаллов становится рассеяние на колебаниях решетки, что согласуется с исследованиями по поглощению ИК-излучения свободными носителями заряда и поляритонным эффектам.

3. Проведено экспериментальное исследование влияния у-излучения 60Со различной интенсивности на параметры излучательной рекомбинации в монокристаллах ОаАз: Те с концентрациями свободных носителей заряда п0= (1,2 — 2,5)х1018см" 3.

Показано, что в образце с концентрацией свободных носителей заряда.

Ill n0= 1,3×1018 см" 3 при интенсивности у-излучения Р = 4,8×103 Гр-ч" 1 параметры ФЛ изменяются немонотонным образом. Основной причиной таких изменений является изменение времени жизни неосновных носителей заряда.

В образце с концентрацией свободных носителей заряда nQ= 2,4×1018 см" 3, при у-облучении дозами D = (0,38 — 0,46)х 105 Гр (Р = 4,8×103 Гр-ч1) обнаружен значительный спад интенсивности примесной полосы и возрастание краевой полосы ФЛ. Спектральные максимумы полос ФЛ одновременно сдвигаются в сторону меньших энергий на одно и тоже значение ЛЕ ~ 0,04 эВ. Аналогичные изменения в спектрах ФЛ обнаружены в образце с концентрацией свободных носителей заряда nQ = 1,3×1018 см" 3 при интенсивности у-излучения Рг = 1,7×103 Гр-ч" 1. При облучении дозой D = 0,05×105 Гр наблюдается существенное уменьшение интенсивности примесной полосы и возрастание интенсивности краевой полосы ФЛ с одновременным сдвигом ее спектрального максимума в длинноволновую область. Показано, что обнаруженные изменения в спектрах ФЛ вызваны появлением дополнительных полос ФЛ вследствие образования минизонного энергетического электронного спектра и связаны с процессами радиационно-стимулированного упорядочения примесных комплексов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. .И., Эфрос A.JI. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979, 416 с.
  2. JI.M., Павлова JI.M. Химическая темодинамика и фазовое равновесие. М.: Металлургия, 1988, 426 с.
  3. Rogacheva E.I. Critical phenomena in highly doped semiconductor compounds. Jpn. J. Appl. Phys., Pt. l, 1993, Vol. 32, Suppl. 32−3, pp. 775−777.
  4. Д. Введение в теорию протекания. Пер. с англ. М.: Мир, 1987, 243 с.
  5. Kossut J., Dobrowolski W., Wilamowski Z., Dietl Т., Swiatek K. Correlation of donor electrons in diluted magnetic semiconductors with iron. Semicond. Sci. TechnoL, 1990, Vol. 5, pp. 260−265.
  6. Mycielski J. Formation of a superlattice of ionized resonant donors or acceptors in semiconductors. Solid State Commun., 1986, Vol. 60, No. 2, pp. 165−168.
  7. Maude D.K., Portal J.C., Dmowski L., Foster Т., Eaves L., Nathan M., Heiblum M., Harris J.J., Beal R.B. Investigation of DX center in heavily doped n-type GaAs. Phys. Rev. Lett., 1987, Vol. 59, No. 7, pp. 815−817.
  8. O’Reilly E.P. Pressure dependence of DX center mobility in highly doped GaAs. Appl. Phys. Lett., 1989, Vol. 55, No. 14, pp. 1409−1412.
  9. Dietl Т., Dmowski L., Kossut J., Litwin-Staszewska E., Piotrzkowski R., Suski Т., Swiatek K., Wilamowski Z. Inter-donor interaction source of electron mobility increase under pressure. Acta Phys. Polon. A, 1990, Vol. 77., No. 1, pp. 2931.
  10. Kossut J., Wilamowski Z., Dietl Т., Swiatek K. Spatial correlation of impurity charges induced by Coulomb interactions application to DX centers in GaAs. ActaPhys. Polon. A., 1991, Vol. 79., No. l, pp. 49−58.
  11. Monroe D. Intersite Coulomb repulsion and intrasite attraction for DX centers in GaAs. Appl. Phys. Lett., 1991, Vol. 59, No. 18, pp. 2293−2295.
  12. JI.В., Прошко Г. П. Инфракрасное поглощение в сильнолегированном германии. ФТТ, 1963, Том 5, № 3, с. 3378−3382.
  13. .И., Эфрос А. Л. Хвосты плотности состояний в сильно легированных полупроводниках. ФТП, 1970, Том 4, № 2, с. 305−316.
  14. В. А., Доманевский Д. С., Жоховец C.B., Красовский В. В., Прокопеня М. В. Природа неосновных примесных состояний в сильно легированных кристаллах. ФТП, 1985, Том 19, № 9, с. 1660−1665.
  15. В.А., Доманевский Д. С., Жоховец C.B., Прокопеня М. В. Энергетический спектр электронных состояний в сильно легированных кристаллах арсенида галлия. ФТП, 1984, Том 18, № 12, с. 2193−2198.
  16. Ф. Химия несовершенных кристаллов. Пер. с англ. М.: Мир, 1969, 654 с.
  17. Е. А. Греков Ю.Б., Кравченко А. Ф., Прудникова И. А., Прудников В. В., Семиколенова H.A. Изменение механизма рассеяния в арсениде галлия n-типа с легированием. ФТП, 1985, Том 19, № 9, с. 1566−1570.
  18. Jensen В. Quantum theory of free carrier absorption in polar semiconductors. News of Physics, 1973, Vol. 80, No. 3, pp. 284−360.
  19. И.Г. К природе инфракрасного поглощения свободными носителями тока. ФТТ, 1973, Том 15, № 7, с. 2136−2142.
  20. А.Г. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов. М.: Наука, 1974, 384 с.
  21. В.А., Семиколенова H.A. Фотолюминесценция сильно легированного арсенида галлия при упорядоченном распределении примесных комплексов. ФТП, 1992, Том 26, № 5, с. 818−821.
  22. Williams E.W. Evidence for self-activated luminescence in GaAs: the galliunvacancy donor center. Phys. Rev., 1968, Vol. 168, No. 3, pp. 922−928.
  23. Glinchuk K.D., Prokhorovich A.V., Zayats N.S. A new (non-copper-induced) 1.35 eV emission band in n-type GaAs. Phys. Status Solidi (a)., 1984, Vol. 82, No. 2, pp. 503−510.
  24. H.C., Коваленко В. Ф., Лисовенко В. Д., Мильвидский М. Г., Прохорович А. В. Кристаллография, 1991, Том 36, № 4, с. 958−961.
  25. СемиколеноваН.А. Поляритоны в арсениде галлия n-типа. ФТП, 1988, Том 22, № 1, с. 137−140.
  26. Chandrasekhar H.R., Ramdas А.К. Nonparabolisity of the conduction band and the coupled plasmon-phonon modes in n-GaAs. Phys. Rev., 1980, Vol. 21, No. 4, pp. 1511−1515.
  27. Kukharski A. A. Plasmon-phonon coupling in GaAs. Solid State Commun., 1973, Vol. 13, No. 4, pp. 1761−1765.
  28. E.A. Греков Ю. Б., Кравченко А. Ф., Прудникова И. А., Семиколенова Н. А., Шляхов А. Т. Природа фазового перехода в арсениде галлия, легированном элементами VI группы. Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1986, Том 22, № 4, с. 540−543.
  29. В.В., Прудникова И. А. Фазовые переходы в пьезоэлектриках, обусловленные системой дипольных центров. Кристаллография, 1992, Том 37, № 5, с. 1093−1099.
  30. Prudnikov V.V., Prudnikova I.A., Semikolenova N.A. Phase transition in heavily doped gallium arsenide. Phys. Status Solidi (b)., 1994, Vol. 181, No. 1, pp. 87−96.
  31. Hurle D.T.J. Revised calculation of point defect equilibria and non-stoichiometry in GaAs. J. Phys. Chem. Solids, 1979, Vol. 40, No. 3, pp. 613−623.
  32. Mullin J.B., StraughanB.M., Driskoll C.M.H., Willoughby A.F.W. Lattice superdilation phenomena in doped GaAs. J. Appl. Phys., 1976, Vol. 47, No. 6, pp. 2584−2587.
  33. SemikolenovaN.A., Bogdanova V.A., Semikolenov A.S. The ordering phenomenon in highly doped III-V semiconductor materials. Phys. Status Solidi (a)., 1990, Vol. 120, No. l, pp. 121−123.
  34. Bogdanova V.A., Dubovik V.I., Prudnikov V.V., Semikolenova N.A. Ordering phenomenon in highly doped III-V semiconductor materials. Extended abstract of the Int. Conf. on Solid State Dev. and Mater., 1995, Osaka Japan, pp. 10 571 058.
  35. И.М., Семиколенова H.A., Хабаров Э. Н. Исследование механизма взаимодействия примесей в арсениде индия. ФТП, 1978, Том 12, № 10, с. 1915−1520.
  36. Е.А., Несмелова И. М., Семиколенова Н. А., Хабаров Э. Н. Упорядочение примесей в арсениде индия n-типа. В кн.: Физика соединений АШВУ, Л., 1979, с. 140−143.
  37. Н.А. Аномальное изменение свойств монокристаллов арсенида индия, легированного теллуром. Изв. ВУЗов СССР, Физика, 1984, Том 17, № 5, с. 51−57.
  38. Е. А. Греков Ю.Б., Прудникова И. А., Семиколенова Н.А.,
  39. В.П. Поглощение инфракрасного излучения свободными носителями1.I vв соединениях типа, А В. ФТП, 1984, Том 18, № 6, с. 1011−1015.
  40. В.Г., Сидоров Д. В., Соколов В. И. Влияние внутренних механических напряжений на характеристики светодиодов из арсенида галлия. ФТП, 1998, Том 32, № 11, с. 1393−1398.
  41. В.Г., Сидоров Д. В., Соколов В. И. Светодиод из GaAs:Si как квазисверхструктура туннельно связанных квантовых точек. Материалы Седьмой Российской конференции «GaAs 99», 1999, Томск Россия, pp. 106−108.
  42. Casey H.C., Stern Jr., Stern F. Concentration-dependent absorption and spontaneous emission of heavily doped GaAs. J. Appl. Phys., 1976, Vol. 47, No. 2, pp. 631−643.
  43. Olego D., Cardona M. Photoluminescence in heavily doped GaAs. Temperature and hole-concentration dependence. Phys. Rev. B, 1980, Vol. 22, No. 2, pp. 886−893.
  44. De-Sheng J., Machita Y., Ploog K., Queisser H.J. Electrical properties and photoluminescence of Te-doped GaAs grown by molecular beam epitaxy. J. Appl. Phys., 1982, Vol. 53, No. 2, pp. 999−1006.
  45. Borhgs G., Bhattacharyya K., Deneffe K., Van Mieghem P., Mertens R. Band-gap narrowing in highly doped n- and p-type GaAs studied by photoluminescence spectroscopy. J. Appl. Phys., 1989, Vol. 66, No. 9, pp. 4381−4386.
  46. Lideiskis T., Treideris G. Near band-gap photoluminescence of the MOCVD-grown heavily Si-doped GaAs. Semicond. Sci. Technol., 1989, Vol. 4, pp. 938−942.
  47. Szmyd D.M., Porro P., Majerfeld A., Lagomarsino S. Heavily doped GaAs: Se. Photoluminescence determination of the electron effective mass. J. Appl. Phys., 1990, Vol. 68, No. 5, pp. 2367−2375.
  48. Kim S.I., Kim M.S., Min S.K., Lee C. Experimental and theoretical photoluminescence study of heavily carbon doped GaAs grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition. J. Appl. Phys., 1993, Vol. 74, No. 10, pp. 6128−6132.
  49. Lee N.-Y., Lee K.Y., Lee C., Kim J.-E, Park H. Y, Kwak D.-H, Lee H.-C., Lim H. Determination of conduction band tail and Fermi energy of heavily Si-doped GaAs by room-temperature photoluminescence. J. Appl. Phys., 1995, Vol. 78, No. 5, pp. 3367−3370.
  50. Jiang G.-C., Chang Y., Chang L.-B., Juang Y.-D., Lu S. Near-band-edge photoluminescence of sulfur-doped GaAs prepared by liquid phase epitaxy. Jpn. J. Appl. Phys., 1995, Vol. 34, No. 1, pp. 42−47.
  51. Д.С., Жоховец С. В. Влияние корреляции в распределении легирующих примесей на спектр краевой люминесценции сильно легированного арсенида галлия. Ф777, 1989, Том 23, № 4, с. 693−697.
  52. А.А., Саблина Н. И. Рекомбинационное излучение сильно легированного германия. ФТТ, 1966, Том 8, № 5, с. 691−695.
  53. В ebb Н.В., Williams E.W. Semiconductors and Semimetals. New York: Academic Press, 1972, 376 pp.
  54. А.П., Осипов В. В. Теория люминесценции сильно легированных полупроводников. ФТП, 1973, Том 7, № 6, с. 1058−1067.
  55. А.П., Осипов В. В. Краевая люминесценции прямозонных полупроводников. УФН, 1981, Том 133, № 3, с. 427−477.
  56. Л.П., Негашев С. М. Прямое измерение ширины запрещенной зоны в сильно легированных полупроводниках. ФТП, 1976, Том 10, № 3, с. 564 570.
  57. Jain S.C., Roulston D.J. A simple expression for band gap narrowing in heavily doped Si, Ge, GaAs and GexSil x strained layers. Solid State Electron., 1991, Vol. 34, No. 5, pp. 453−465.
  58. Lowney J. R. The effect of electron-hole plasmas on the density of states of silicon and GaAs. J. Appl. Phys., 1989, Vol. 66, No. 9, pp. 4279−4283.
  59. Van Mieghem P. Theory of band tail in heavily doped semiconductors. Rev. Mod. Phys., 1992, Vol. 64, No. 3, pp. 755−793.
  60. Lee N.-Y., Lee K.Y., Lee C., Kim J.-E., Park H.Y., Lee H.-C. Concentration dependent electron distribution in heavily Si-doped GaAs. Solid State Commun., 1996, Vol. 99, No. 8, pp. 571−575.
  61. Bignazzi A., Bosacchi A., Magnanini R. Photoluminescence study of heavy doping effects in Te-doped GaSb. J. Appl. Phys., 1997, Vol. 81, No. 11, pp. 75 407 547.
  62. Choquette K.D., Misemer D.K., McCaughan L. Third-order optical susceptibility in short-period GaAs doping superlattices. J. Appl. Phys., 1989, Vol. 66,1. No. 9, pp. 4387−4392.
  63. Choquette K.D., Misemer D.K., McCaughan L. Electronic structure of short-period n-p GaAs doping superlattices. Phys. Rev. B, 1991, Vol. 43, No. 9, pp. 7040−7045.
  64. Maciel A.C., Tatham M., Ryan J.F., Worlock J.M., Nahory R.E., Harbison J. R, Flores L.T. Raman scattering from electronic excitations in periodically 5-doped GaAs. Surface Science, 1990, Vol. 228, No. 2, pp. 251−254.
  65. Dohler G.H., Fasol G., Low T.S., Miller J.N. Observation of tunable room temperature photoluminescence in GaAs doping superlattices. Solid State Commun., 1986, Vol. 57, No. 8, pp. 563−566.
  66. Tan C.M., Xu J.M., Zukotynski S. Electronic properties of n-i-n-i doping superlattices. J. Appl Phys., 1993, Vol. 73, No. 6, pp. 2921−2933.
  67. M.A., Карасевский А. И. Гетерогенные состояния вырожденных полупроводников в области фазового перехода первого рода. ЖЭТФ, 1975, Том 69, № 1, с. 297−310.
  68. М.А., Карасевский А. И. Особенности гетерогенных состояний в вырожденных полупроводниковых растворах и ферромагнитных полупроводниках. ФТТ, 1975, Том 17, № 9, с. 2565−2577.
  69. Schubert E.F., Horikoshi Y., Ploog К. Radiative electron-hole recombination in a new sawtooth semiconductor superlattice grown by molecular-beam epitaxy. Phys. Rev. B, 1985, Vol. 32, No. 2, pp. 1085−1089.
  70. Schubert E. F., Cunningham J. E., Tsang W. T. Realization of the Esaki-Tsu-type doping superlattice. Phys. Rev. B, 1987, Vol. 36, No. 2, pp. 1348−1351.
  71. Lowney J.R., Bennett H.S. Majority and minority electron and hole mobilities in heavily doped GaAs. J. Appl. Phys., 1991, Vol. 69, No. 10, pp. 71 027 110.
  72. И.В. Структурные и термодинамические особенности арсенида галлия, легированного элементами VI группы периодической системы. Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук., Новосибирск, 1989, 88 с.
  73. А.И. Введение в теорию полупроводников. М.: Наука, 1978,615 с.
  74. В.Ф., Левинсон И. Б. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках. М.: Наука, 1984, 318 с.
  75. С. В. Романов A.M. Взамодействие гамма-излучения с веществом. Т.: ФИАНУзССР, 1964, 213 с.
  76. В.В., Машовец Т. В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь, 1981, 248 с.
  77. Т.Ф. Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках. М.: Энергоатомиздат, 1991,288 с.
  78. Aukerman L.W., Davis P.W., Graft R.D., Shilliday T.S. Radiation effects in GaAs. J. Appl. Phys., 1963, Vol. 34, No. 12, pp. 3590−3599.
  79. Coates R. and Mitchell E.W.J. The optical and electrical effects of high concentrations of defects in irradiated crystalline gallium arsenide. Adv. in Phys., 1975, Vol. 24, No. 5, pp. 593−644.
  80. Т.П., Ломако B.M. Электрические свойства арсенида галлия, облученного электронами и нейтронами. ФТП, 1975, Том 9, № 9, с. 1757−1760.
  81. Н.А., Емельяненко О. В., Лагунова Т. С., Машовец Т. В., Мустафакулов Д. Образование донорно-акцепторных пар в арсениде галлия при низко темпрературном гамма-облучении. ФТП, 1978, Том 12, № 10, с. 19 791 985.
  82. Pons D., Bourgoin J.C. Irradiation-induced defects in GaAs. J. Phys. C, 1985, Vol. 18, No. 20, pp. 3839−3871.
  83. Pons D., Bourgoin J.C. Anisotropic-defect introduction in GaAs by electron irradiation. Phys. Rev. Lett., 1981, Vol. 47, No. 18, pp. 1293−1296.
  84. Loualiche S., Guillot G., Nouailhat A., Bourgoin J. Defect identification in electron-irradiated GaAs. Phys. Rev. B, 1982, Vol. 26, No. 12, pp. 7090−7093.
  85. Lang D.V. Review of radiation-induced defects in III-V compounds, in
  86. Rad. Eff. in Semicond., Bristol-London, 1977, 346 p.
  87. К.Д., Лукат К., Прохорович А. В. Влияние внешних воздействий (термообработки, деформации, облучения) на люминесценцию GaAs. Оптоэлектрон. и полупровод, техн., 1982, Том 1, с. 39−54.
  88. В.Г., Корбутяк Д. В., Лашкова Е. Г., Садофьев Ю. Г. Обнаружение радиационно-стимулированного структурного упорядочения гетеросистем GaAs-Si по спектрам низкотемпературной фотолюминесценции. ФТП, 1985, Том 19, № 9, с. 1704−1706.
  89. О.Ю., Дмитрук Н. А., Литовченко В. Г., Мищук О. И. К модели радиационно-стимулированного упорядочения в полупроводниках AinBv. ФТП, 1989, Том 23, № 2, с. 207−212.
  90. В.В., Коротченко В. А., Мамонтов А. П., Ржанов А. В., Смирнов Л. С., Шаймеев С. С. Радиационные эффекты в полупроводниках при малых дозах облучения частицами. ФТП, 1980, Том 14, № 11, с. 2257−2260.
  91. Л.С., Болотов В. В., Васильев А. В. Роль неравновестности кристаллов полупроводников при радиационных обработках. ФТП, 1979, Том 13, № 7, с. 1443−1445.
  92. В.И., Глинчук К. Д., Лукат К. Изменение рекомбинационных свойств глубоких центров люминесценции при у-облучении GaAs. ФТП, 1980, Том 14, № 9, с. 1834−1836.
  93. Г. П., Коваленко В. Ф., Куценко В. Н. Люминесцентные методы контроля параметров полупроводниковых материалов и приборов. К.: Техника, 1986,152 с.
  94. Bogdanova V.A., Davletkildeev N.A., Dubovik V.I., Semikolenova N.A.
  95. Photoluminescence of a natural long-periodic superstructure in heavy doped GaAs: Te. Proceedings of the 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors, 1996, Berlin Germany, Vol. 2, p. 1377.
  96. B.A., Давлеткильдеев H.A., Дубовик В. И., Семиколенова H.A. Фотолюминесценция естественных длиннопериодических сверхструктур в сильно легированном GaAs. Вестник Омского университета, 1997, № 1, с. 38−40.
  97. В.А., Давлеткильдеев H.A., Дубовик В. И., Семиколенова H.A., Шутяк O.A. Влияние радиационно-термического воздействия на фотолюминесценцию GaAs:Te. Вестник Омского университета. 1997, № 2, с. 20−22.
  98. В.А., Давлеткильдеев H.A., Дубовик В. И., Семиколенова H.A., Шутяк O.A. Влияние интенсивности у-излучения на фотолюминесценцию GaAs:Te. ФТП, 1998, Том 32, № 1, с. 38−39.
  99. H.A. Фотолюминесценция у-облученных монокристаллов GaAs:Te. Сборник тезисов докладов Всероссийской научной конференции «Радиоэлектроника, микроэлектроника, системы связи и управления" — РЭС-97,1997, Таганрог, с. 206−207.
  100. H.A. Примесное упорядочение в сильнолегированных полупроводниковых соединениях AIIBV. Сборник тезисов докладов VI Международной конференции молодых ученых по физике конденсированных сред ФКС-VI, 1998, Гродно Беларусь, с. 54.
  101. В.А., Давлеткильдеев H.A., Дубовик В. П., Елизаров М. С., Семиколенова H.A. Концентрационный и температурный фазовые переходы в GaAs n-типа. Материалы Седьмой Российской конференции «GaAs-99», 1999, Томск, с. 34.
  102. В.А., Давлеткильдеев H.A., Дубовик В. И., Семиколенова H.A. Дозиметрические свойства монокристаллов GaAs:Te. Материалы Седьмой Российской конференции «GaAs-99», 1999, Томск, с. 138.
  103. H.A. Спонтанное упорядочение примесных123комплексов в GaAs n-типа. Сборник тезисов докладов Всероссийской конференции молодых ученых по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике, 1999, Санкт-Петербург, с. 111.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?