Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе

Диссертация: Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В третьей главе представлены полученные в данной работе результаты по влиянию АВ-обработки на свойства поверхности и приповерхностной области эпитаксиального n-GaAs при температурах обработки Ttr=10(H400 °С и длительностях ttr=l+50 минут (Рд~10~2 Па, Q/^700 см3/час), а именно: пассивация поверхности и поверхностных дефектовизменение химической активности материала n-GaAs под воздействием… Читать ещё >

Содержание

  • Список сокращений и условных обозначений
  • 1. Обзор литературы
    • 1. 1. Способы получения атомарного водорода и его внедрение в полупроводниковые мателы
    • 1. 2. Методы контроля атомарного водорода
    • 1. 3. Взаимодействие атомарного водорода с поверхностью полупроводников
    • 1. 4. Диффузия атомарного водорода в полупроводники
    • 1. 5. Влияние водородной обработки на электрофизические свойства полупроводников
    • 1. 6. Влияние водородной обработки на характеристики полупроводниковых приборов
    • 1. 7. Стабильность эффектов
    • 1. 8. Конфигурационно-зарядовое состояние водорода в полупроводниках
    • 1. 9. Постановка задачи
  • 2. Методики экспериментов по обработке образцов в потоке атомарного водорода
    • 2. 1. Экспериментально-технологическая установка
    • 2. 2. Технологический маршрут приготовления образцов и условия их обработки в потоке атомарного водорода
    • 2. 3. Численное моделирование
  • 3. Влияние обработки атомарным водородом на свойства поверхности и приповерхностной области эпитаксиального n-GaAs
    • 3. 1. Влияние диэлектрической плёнки Si02 на процессы, происходящие на границе раздела SiOiln-GaAs и в приповерхностной области n-GaAs во время обработки в потоке атомарного водорода
    • 3. 2. Изменение структуры поверхности n-GaAs под воздействием атомарного водорода
    • 3. 3. Аморфизация поверхности и приповерхностной области n-GaAs
    • 3. 4. Изменение химической активности материала n-GaAs под воздействием атомарного водорода
  • 4. Влияние обработки атомарным водородом на электрофизические свойства n-GaAs
    • 4. 1. Пассивация мелкой донорной примеси
    • 4. 2. Стабильность эффекта пассивации мелкой донорной примеси
    • 4. 3. Пассивация электрически активных центров в n-GaAs, дающих глубокие уровни в запрещённой зоне
  • 5. Влияние обработки атомарным водородом на приборные статические электрические арактеристики
  • Au/n-n+ GaAs структур с барьером Шоттки
    • 5. 1. Статические электрические характеристики
  • Аи/n-n+ GaAs структур с барьером Шоттки
    • 5. 2. Причины, приводящие к изменеию статических приборных характеристик под воздействием атомарного водорода

Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Обработка полупроводниковых структур атомарным водородом (гидрогенизация или АВ-обработка) — одно из популярных направлений полупроводникового материаловедения [1, 2]. Влияние обработки в водородной плазме на свойства полупроводниковых материалов интенсивно исследуется с начала 80-х годов. В результате установлено, что оно обусловлено, в основном, взаимодействием атомарного водорода (АВ) с расположенными на поверхности и в объёме структурными дефектами, примесными центрами, создающими глубокие и мелкие энергетические уровни в запрещённой зоне. Следствием этого взаимодействия является пассивация (понижение электрической активности) указанных дефектов и центров, сопровождаемая существенным изменением оптических [3, 410], электрофизических характеристик и свойств материала: концентрации основных носителей заряда N [1, 2, 5, 11−23, 35], электрической активности центров, дающих глубокие уровни в запрещённой зоне энергий [16, 24−40], подвижности электронов, интенсивности люминесценции [41−43], активности границ зерен [44], электрической активности дислокаций [21, 45, 46], однородности [47]. К этому следует добавить, что взаимодействие атомарного водорода с поверхностью полупроводника приводит к удалению поверхностных оксидов и травлению материала [48−59].

Естественно, что столь сильное воздействие гидрогенизации на свойства полупроводников представляет большой практический интерес. Выполненные работы показали, что обработка атомарным водородом может быть использована при выращивании кристаллических [25, 27, 34, 60] и аморфных [14, 29, 44, 52, 61, 62, 63] полупроводников, для пассивации поверхности кремниевых [60, 64, 65] и арсе-нидогаллиевых [66] диодов, повышения эффективности кремниевых солнечных батарей [67, 68], улучшения прямых и обратных вольтамперных характеристик (ВАХ) диодов с барьером Шотгки (ДБШ) [69−79], существенного улучшения (в комплексе с другими технологическими процессами) характеристик полевых кремниевых приборов [71, 80]. Таким образом, водородная обработка полупроводниковых материалов к настоящему времени приобрела статус нового полноправного направления физического материаловедения полупроводников. То обстоятельство, что водород может благоприятно влиять как на объёмные, так и на поверхностные свойства материала, делает эту обработку особенно привлекательной для приборов, использующих поверхностно-барьерные структуры. Вместе с тем следует признать, что число работ, посвященных технологическому использованию водородной обработки полупроводников, довольно ограничено и говорить о широком практическом использовании гидрогенизации в технологии полупроводниковых приборов не приходится. Причина видится в недостаточном объёме проведённых в данном направлении исследований. В частности, неполно исследованы происходящие при гидрогенизации полупроводников и структур на их основе физические процессы, что ведёт к неполному пониманию происходящих при гидрогенизации явлений и, как следствие, отсутствию практически значимых технологических процессов и приёмов. Кроме того, основное внимание было уделено изучению гидрогенизированного кремния, тогда как арсенид галлия и другие полупроводники на основе соединений АзВ5 исследованы в гораздо меньшей степени.

Целью предлагаемой работы является исследование влияния атомарного водорода на поверхностные и объёмные свойства эпитаксиалыюго n-GaAs, структур SiOiln-GaAs, а также на электрические характеристики контактов Au/n-GaAs с барьером Шотгки.

Цель достигалась решением следующих задач:

— формирование на поверхности эпитаксиального арсенида галлия тонких защитных диэлектрических плёнок БЮг и исследование их проницаемости для атомарного водорода;

— исследование влияния атомарного водорода на структурные и химические свойства поверхности и приповерхностной области эпитаксиального арсенида галлия, как при наличии, так и при отсутствии защитной плёнки SiOi во время водородной обработки;

— исследование влияния атомарного водорода на концентрацию электрически активных мелких и глубоких центров эпитаксиального арсенида галлия;

— исследование влияния изменений свойств эпитаксиалыюго арсенида галлия под воздействием атомарного водорода на приборные характеристики контактов Auln-n-GaAs с барьером Шотгки (БШ).

Объекты и методы исследования.

В работе исследовались: эпитаксиальные структуры n-n±GaAs, структуры SiOiln-n-GaAs и диодные структуры с барьером Шотгки на их основе. Обработка образцов эпитаксиалыюго n-GaAs осуществлялась в удалённой плазме, производимой генератором атомарного водорода. Образцы исследовались с привлечением методов вторичной ионной масс-спектроскопии, нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней, сканирующей туннельной микроскопии и атомно-силовой микроскопии, методов вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик, электронной микроскопии, высокоэнергетической электронографии, эллипсомет-рии.

Научная новизна.

В работе получены следующие новые результаты:

1. Выявлены защитные свойства тонких плёнок Si02 на поверхности эпитак-сиального n-GaAs при обработке в водородной плазме.

2. Обнаружено изменение свойств поверхности электронного арсенида галлия после обработки в атомарном водороде: аморфизация поверхности и тонкой приповерхностной области, микрополировка поверхности, пассивация электрической активности поверхности атомарным водородом, уменьшение скорости химического травления и скорости электрохимического осаждения золота.

3. Обнаружено изменение энергетического состояния комплексов Sn-H и EL2-# в n-GaAs под воздействием температуры и электрического поля, проявляющееся во взаимном перестраивании пиков в НЕСГУ-спектрах. Обнаружены возвратный пассивационный эффект при пассивации ЕЬ2-центра и более низкая энергия активации развала водородных комплексов с мелкой донорной примесью (Stiff). Экспериментально подтверждено изменение энергетического состояния активной мелкой донорной примеси при образовании водородного комплекса, заключающееся в смещении мелкого энергетического уровня к середине запрещённой зоны эиергий.

4. Обнаружены изменение вида статической ВАХ, увеличение обратного напряжения и уменьшение показателя идеальности контактов Au/n-GaAs под воздействием атомарного водорода. Определены режимы АВ-обработок, при которых наблюдаются наиболее сильные изменения статических приборных характеристик.

Au/n-GaAs структур с барьером Шоттки. Показано влияние защитных пленок SiOi на статические приборные характеристики Au/n-GaAs структур с барьером Шоттки. Выяснены причины, приводящие к наблюдаемым изменениям.

5. Предложена модель токопереноса в КМП с БШ, учитывающая движение носителей заряда, как над потенциальным барьером, так и под ним, позволяющая с единых позиций описывать поведение прямых и обратных ВАХ в широком интервале смещений вплоть до близких к пробивным напряжениям.

Положения выносимые на защиту:

1. Тонкая (10 нм), проницаемая для атомов водорода защитная пленка SiOi па поверхности эпитаксиального слоя электронного арсенида галлия во время обработки в потоке атомарного водорода приводит к более эффективному наводора-живанию материала и исключает «жёсткое» воздействие на поверхность арсенида галлия со стороны водородной плазмы.

2. Изменение химических и электрофизических свойств эпитаксиального п-GaAs при обработке в потоке атомарного водорода связано с очисткой поверхности от органических загрязнений и собственного оксида, изменением её структуры и морфологии, а также с аморфизацией приповерхностной области полупроводника.

3. Механизм пассивации атомарным водородом электрически активной мелкой донорной примеси олова и «глубокого» ЕЬ2-центра в электронном GaAs заключается в образовании водородных комплексов Sn-H и EL2-Я, что приводит к смещению энергетического уровня мелкой донорной примеси к середине запрещённой зоны, а в случае EL2-Я центра — к образованию новых глубоких уровней. Изменение концентрации активных ЕЬ2-центров с ростом температуры и длительности обработки атомарным водородом характеризуется возвратным пассивацион-ным эффектом, обусловленным процессом развала комплексов EL2-Я и механизмами, ограничивающими диффузию атомарного водорода в объём полупроводника. Электрическое поле оказывает сильное влияние на стабильность Sn-Hи ЕЬ2-Я-комплексов, что связано с особенностями их конфигурационно-зарядового состояния.

4. Обработка атомарным водородом структур n-n±GaAs приводит к устойчивым изменениям статических электрических характеристик барьерных контактов Au/n-n±GaAs. Для не защищённых плёнкой SiOi образцов максимальное изменение электрических характеристик наблюдается в небольших временном (~5 мин) и температурном (+150+200 °С) интервалах обработки. Для защищенных — сильное изменение имеет место во всех исследованных режимах при длительностях обработки от 5 до 50 минут и температурах от 100 до 400 °C.

Практическая ценность.

1. Исследованы защитные свойства плёнок Si02 на поверхности эпитакси-ального n-GaAs при АВ-обработке, что позволяет управлять свойствами поверхности и приповерхностной области гидрогенизированного n-GaAs в более широком интервале температур обработки.

2. Исследовано влияние режимов обработки в атомарном водороде на структуру и морфологию поверхности эпитаксиального n-GaAs, его химические и электрофизические свойства, что необходимо для использования в технологических процессах при изготовлении полупроводниковых приборов.

3. Достигнуто значительное улучшение статических приборных характеристик контактов Meln-GaAs под воздействием атомарного водорода, и выяснены причины, приводящие к наблюдаемым изменениям.

4. Созданная модель токопереноса в контактах металл-полупроводник с БШ позволяет более точно описывать поведение прямых и обратных вольтамперных характреистик в более широком интервале смещений — до близких к пробивным напряжениям.

Апробация работы. Материалы диссертации представлены на 15 конференциях [179−193].

Основные результаты диссертации опубликованы в 11 печатных работах, перечень которых представлен в списке цитируемой литературы [168−178].

Структура и объём работы. Диссертация состоит из списка сокращений и условных обозначений, введения, пяти глав, заключения, списка цитируемой литературы и приложения, содержит 43 рисунка, 38 формул и 3 таблицы. Библиографический список включает 193 наименование — всего 134 страницы.

Список сокращений и условных обозначений включает в себя сокращения и условные обозначения, часто применяемых в работе терминов. Не представленные в списке условные обозначения стандартны, либо введены по ходу текста с соответствующими пояснениями и действуют в пределах одного раздела.

Во введении обоснована актуальность исследуемой проблемы, сформулирована цель работы и пути её осуществления, представлены выносимые на защиту положения, описана структура диссертации.

Первая глава носит обзорный характер, в ней представлена известная к началу выполнения данной работы информация относительно способов наводоражи-вания полупроводниковых материалов, методов обнаружения в них атомарного водорода, изменений физических свойств поверхности и самого полупроводникового материала (Si, и GaAs) под воздействием атомарного водорода, конфигурационно-зарядовых состояний водорода, стабильности наблюдаемых явлений. Определяется круг наиболее важных неисследованных явлений и процессов, приводящих к изменению свойств эпитаксиального арсенида галлия.

Во второй главе описана схема разработанной в ОАО «НИИПП» экспериментально-технологической установки по обработке полупроводниковых образцов в потоке атомарного водорода, методика проведения экспериментов по обработке образцов n-GaAs в потоке атомарного водорода и технологический маршрут приготовления n-GaAs образцов, а также используемые в работе аналитические и теоретические методы исследования.

В третьей главе представлены полученные в данной работе результаты по влиянию АВ-обработки на свойства поверхности и приповерхностной области эпитаксиального n-GaAs при температурах обработки Ttr=10(H400 °С и длительностях ttr=l+50 минут (Рд~10~2 Па, Q/^700 см3/час), а именно: пассивация поверхности и поверхностных дефектовизменение химической активности материала n-GaAs под воздействием АВаморфизация поверхности и приповерхностной областиизменение морфологии поверхности n-GaAs под воздействием АВвлияние диэлектрической плёнки SiOi на процессы, происходящие на границе раздела SiO^n-GaAs и в приповерхностной области n-GaAs во время обработки в потоке атомарного водорода.

В четвёртой главе исследовано влияние АВ-обработки в указанных выше температурном и временном диапазонах на электрофизические свойства плёнок п-GaAs: пассивация электрической активности мелкой донорной примеси и электрически активных центров, дающих глубокие уровни в запрещённой зоне. Описан возвратный пассивационный эффект, появление в результате АВ-обработки новых глубоких уровней (ГУ) и их перестраивание.

В пятой главе приводятся данные по исследованию влияния АВ-обработки на статические электрические характеристики Аи-n-n+ GaAs структур с барьером Шотгки в диапазоне температур 100-М00 °С и длительностей К50 минут (Р//~10″ 2 Па, Q//=700 см3/час): зависимость высоты барьера фь, показателя идеальности ВАХ п и обратного напряжения при токе 10 мкА Ur от температуры обработки и от наличия или отсутствия на поверхности во время АВ-обработки защитной плёнки БЮг, а также исследуются причины, приводящие к изменению статических приборных характеристик под воздействием АВ.

В заключении приводятся основные результаты и выводы.

Список цитируемой литературы включает в себя пронумерованный перечень наименований использующихся в работе научных статей.

В приложении изложены основы метода матрицы переноса и приведены аналитические выражения, использующиеся для расчёта параметров прохождения электроном барьера Шоттки при расчёте статических ВАХ.

1. Обзор литературы.

Заключение

.

В результате комплексных исследований по влиянию атомарного водорода на поверхностные и объёмные свойства эпитаксиального арсенида галлия и границ раздела Si02/n-GaAs, а также на электрические характеристики арсенидогаллиевых контактов с барьером Шотгки получены следующие основные результаты:

1. Тонкие (-10 нм) защитные пленки Si02 влияют на свойства поверхности и приповерхностной области эпитаксиального арсенида галлия во время обработки атомарным водородом, а также на приборные характеристики диодных арсенидогаллиевых структур.

2. Изменение химической активности электронного арсенида галлия под воздействием атомарного водорода, которое проявляется в изменении скорости травления материала в растворе диметилформамид: моноэтаноламии, а также в изменении скорости электрохимического осаждения золота и в пассивации выходящих на поверхность линейных дефектов. Предложен механизм, объясняющий изменение под воздействием атомарного водорода свойств защищённой и незащищённой плёнкой Si02 поверхностей эпитаксиального арсенида галлия.

3. Обработка атомарным водородом приводит к изменению структуры и морфологии поверхности, к аморфизации узкой (8 нм) приповерхностной области эпитаксиального арсенида галлия и образованию тонкого приповерхностного слоя, препятствующего проникновению атомарного водорода в объем полупроводника.

4. В НЕСГУ-спектрах гидрогенизированных образцов обнаружено появление новых глубоких уровней энергии, соответствующих разным энергетическим состояниям Sn-H и ЕЬ2-Я комплексов, и их взаимное перестраивание под воздействием электрического поля.

Показано сильное влияние электрического поля на стабильность конфигурационно-зарядового состояния водородных комплексов, дающих мелкие и глубокие уровни в запрещенной зоне.

5. Возвратные пассивационные эффекты: 1) при пассивации электрической активности глубокого ЕЬ2-цеитра с увеличением температуры обработки- 2) при пассивации мелкой донорной примеси в зависимости от времени отжига.

6. Установлено влияние температуры и длительности обработки атомарным водородом, а также защитной плёнки SiOi на статические характеристики диодных арсенидогаллиевых структур с барьером Шоттки.

7. Показана возможность увеличения пробивного напряжения за счёт изменения профиля легирования при обработке атомарным водородом. Предложены оптимальные режимы обработки, обеспечивающие максимальные значения обратных напряжений и близкое к единице значение показателя идеальности. Установлены причины, приводящие к изменению статических приборных характеристик диодов с барьером Шоттки под воздействием атомарного водорода.

В заключении автор выражает большую благодарность своему научному руководителю профессору, доктору технических наук Владимиру Григорьевичу Божкову за выбор темы, всестороннюю помощь в организации, планировании, проведении исследований по данной тематике и обсуждении, а также: доктору физ.-мат. наук, зав лаб. СКТБ-М ОАО «НИИПП» Валерию Алексеевичу Кагадей за предоставленную возможность использовать генератор АВ, доктору физ.-мат. наук Алексею Владимировичу Папину за помощь в проведении измерений на туннельном и атомно-силовом микроскопах, доктору физ.-мат. наук Ивану Варфоломеевичу Ивонину за помощь в проведении электронографических измерений, а также Евгению Викторовичу Черникову за проведение измерений ВИМС.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Э.М., Поляков А. Я. Пассивация примесей и дефектов атомарным водородом перспективный метод повышения эффективной чистоты полупроводниковых кристаллов // Высокочистые вещества.-1988.-№ 5.-С.5−19.
  2. Chevallier J. and Aucouturier M. Hydrogen in cristalline semicoductors // Ann. Rev. of Mater. Sci.-1988.-№ 18.-C.219−256.
  3. A.B., Русавский A.B., Лысенко B.C., Назаров A.H., Кушниренко В. И., Старик С. П., Степанов В. Г. Влияние температуры вакуумного отжига на край фундаментального поглощения и структурную релаксацию пленок a-SiC:H II ФТП.-2005.-Т.39.-№ 5.-С.602.
  4. Yaron G., Goldstein Y., Many A. Large photoenhancement of hydrogen-implanted quantized accumulation layers on ZnO surfaces // Appl. Phys. Lett.-1986.-T.49.-C.561−63.
  5. Stavola M., Pearton S.J., Lopata L., Dautremont-Smith W.C. Vibrational characteristics of acceptor-hydrogen complexes in silicon // Appl. Phys. Lett.-1987.-T.50.-C.1086−88.
  6. Zavada J.M., Jenkinson H.A., Sarkis R.G., and Wilson R.G. Hydrogen depth profiles and optical characterization of annealed, proton-implanted n-type GaAs II J. Appl. Phys.-1985,-№ 58.-C.3731.
  7. Pearton S.J., Dautremont-Smith W.C., Chevallier J., Tu C.W., Cummings K.D. Hydrogen of shallow-donors levels in GaAs // J.Appl.Phys.-1986.-T.59.-№ 8.-c.2821−2827.
  8. Weber J., Pearton S.J., Dautremont-Smith W.C. Photoluminescence study of the shallow donor neutralization in GaAs (Si) by atomic hydrogen // Appl. Phys. Lett.-1986.-T.49.-№ 18.-C.1181−1183.
  9. Pancov J.I., Wance R.O., Berkeyheiser J.E. Neutralization of acceptors in silicon by atomic hydrogen // Appl. Phys. Lett.-1984.-№ 45.-C.l 100.
  10. Stutzmann M. Hydrogen passivation of boron acceptors in silicon: Raman studies // Phys. Rev. B.-1987.-T.35.-C.5921−24.
  11. Chevallier J., Dautremont-Smith W.C., Tu C.W., Pearton S.J. Donor neutralization in GaAs (Si) by atomic hydrogen // J. Appl. Phys. Lett.-1985.-T.47.-№ 2.-C.108-l 10.
  12. Vardhireddy Manorama, Didhe P.M., Bhoraskar S.V., Rao V.J., Prabhat Singh, Belhekar A.A. Hydrogen-passivated amorphous gallium arsenide thin films // J. Appl. Phys.-1990.-T.68.-№ 2.-C.581.
  13. Э.М., Пахомов A.B., Поляков А. Я., Говорков А. В., Бородина О. М., Брук А. С. Факторы, определяющие профиль пассивации дефектов при введении атомарного водорода в GaAs II ФТП.-1988.-Т.22.-№ 7.-С.1203−1207.
  14. Э.М., Пахомов А. В., Поляков А. Я. Влияние атомарного водорода па свойства арсеиида галлия // ФТП.-1987.-Т.21.-№ 5.-С.842−847.
  15. Pankove J.I., Wance R.O., Berkeyheiser J.E. Neutralization of acceptors in silicon by atomic hydrogen // Appl. Phys. Lett.-1984.-T.45.-№ 10.-C.l 100.
  16. Sathya Balasubramanian and Vikram Kumar, N. Balasubramanian. Revers-bias annealing kinetics of Mg-H complexes in InP II J.Appl. Phys.-1993.-T.74.-№ 7.-C.4521−4526.
  17. Э.М., Пахомов A.B., Поляков, А .Я., Куликова J1.B. Пассивация мелких примесных центров в арсениде галлия с помощью атомарного водорода // ФТП.-1987.-Т.21.-№ 10.-С. 1762−1764.
  18. Э.М., Пахомов А. В., Поляков А. Я. Влияние атомарного водорода на свойства арсенида галлия // ФТП.-1987.-Т.21.-№ 5.-С.842.
  19. Chevallier J., Jalil A., Azoulay R., Mircea A. Defects in Semiconductors // Presented at Mater. Sci. Forum.
  20. Yuan M.H., Wang L.P., Jin S.X., and Chen J.J. Negativ charge state of hydrogen species in n-type GaAs // Appl. Phys. Lett.-1991.-T.58.-№ 9.-C.925.
  21. Leitch A.W.R., Prescha Th., Stutzmann M. Hydrogen passivation and reactivation of shallow Zn acceptors in GaAs // Appl. Surfaces Sci.-1991.-T.50.-C.390.
  22. Yoichi Kamiura, Makoto Tsutsue, Yoshifumi Yamashita, Fumio Hashimoto, Okuno K. Deep center related to hydrogen and carbon in p-type silicon // J. Appl. Phys.-1995.-V.78.-№ 7.-C.4478−4486.
  23. Hoon Young Cho, Eun Kyu Kim, Suk-Ki Min, Jae Boong Kim, Jin Jang. Creation of deep levels in horizontal Bridgman-grown GaAs by hydrogenation // Appl. Phys. Lett.-1988.-T.53.-№ 10.-C.856−858.
  24. Hoon Young Cho, Eun Kyu Kim, Suk-Ki Min. A relation between EL2 (Ec-0.81 eV) and EL6 (Ec-0.35 eV) in annealed HB-Ga5 by hydrogen plasma exposure // J. Appl. Phys.- 1989.-T.66.-№ 7.-C.3038−3041.
  25. Dautremont-Smith W.C., Chevallier J., Tu C.W., Nabity J.C., Swaminathan V., Stavola M., and Pearton S.J. Passivation of deep level defects in molecular beam epitaxial GaAs by hydrogen plasma exposure // J. Appl. Phys. Lett.-1986.-T.49.-№ 17.-C.1098.
  26. .Н., Тамендаров М. Ф., Колодин Л. Г., Смирнов В. В., Токомолдин С. Ж. Пассивирование водородом дефектных состояний на поверхности и в объеме кремния // ФТП.-1986.-Т.20.-№ 4.-С.773−775.
  27. Cho H.Y., Kim Е.К., Suk-ki Min. Creation of deep levels in horisontal Bridgman-grown GaAs by hydrogenation // Appl. Phys. Lett.-1988.-T.53.-№ 10.-C.586.
  28. .Н., Тамендаров М. Ф., Токомолдин С. Ж. Состояния водорода и механизмы пассивации примесей и радиационных дефектов в кристаллическом кремнии // ФТП.-1992.-Т.26.-№ 6.-С.1124−1134.
  29. Pearton S.J. Hydrogen passivation of copper-related defects in germanium // Appl. Phys. Lett.-1982.-T.40.-№ 3.-C.253.
  30. Lagowski J., Kaminska M., Parsey J.M. Passivation of the dominant deep level (EL2) in GaAs by hydrogen // Appl. Phys. Lett.-1982.-T.41.-№ 1 l.-C. 1078−1080.
  31. Chen X.D., Ling C.C., Gong M., Fung S., Beling C.D., Brauer G., Anwand W., and Skorupa W. Anomalous behaviors of Е! Ег deep level defects in 6H silicon carbide // Appl. Phys. Lett.-2005.-№ 86.-C.31 903.
  32. Dautremont-Smith W.C., Nabity J.C., Swaminathan V., Stavola M., Chevallier J., Tu C.W., and Pearton S.J. Passivation of deep level defects in molecular beam epitaxial GaAs by hydrogen plasma exposure // Appl. Phys. Lett.-1986.-T.49.-№ 17.-C.1098−1100.
  33. А.А., Головинская К. С., Кампс К., Омельяповский Э. М., Пахомов А. В., Поляков А. Я. Пассивация электрически активных центров, а арсениде галия потоком водородной плазмы // Письма в ЖТФ.-1986.-Т.12.-№ 24.-С.1486−1488.
  34. С.В., Носенко С. В., Якимов Е. Б. Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом // ФТП.-1988.-Т.22.-№ 5.-С.922−924.
  35. Morrow R.A. Silicon donor-hydrogen complex in GaAs: A deep donor? // J.Appl. Phys.-1993.-T.74.-№ 10.-C.6174−6177.
  36. Conibear A.B., Leitch A.W.R., and Ball C.A.B. Dissociation kinetics of the EL-2-hydrogen complex in passivated GaAs II Phys. Rev. B.-1994.-T.49.-№ 7.-C.5069−5072.
  37. Chantre A" Pearton S.J., Kimerling L.C., Cummings K.D., Dautremont-Smith W.C. Interaction of hydrogen and thermal donor defects in silicon // Appl. Phys. Lett.-1987.-T.50.-№ 9.-C.513−515.
  38. Capizzi M., Mittiga A. Hydrogen in crystalline silicon: A deep donor? // Appl. Phys. Lett.-1987.-T.50.-№ 14.-C.918−920.
  39. Yasuo Koide, D.E. Walker. Jr., B.D. White, L.J. Brillson, Masanori Murakami, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki. Simultaneous observation of luminescence and dissociation processes of Mg-H complex forMg-doped GaNII J.Appl.Phys.-2002.-№ 92.-V.7.-C.3647.
  40. Paves L., Martelli F., Martin D., Reinhart F.K. Photoluminescence enhancement in postgrowth hydrogenated Ga (1 -х)Л/(х)Лх (0≤х≤0.32) and GaAs/GaAlAs multilayer structures // Appl.Phys.Lett.-1989.-V.54.-№ 16.-С. 1522.
  41. Thewalt M.L., Lightowlers E.C., Pankove J.I. Photoluminescence studies of the neutralization of acceptors in silicon by atomic hydrogen // Appl. Phys. Lett.-1985.-T.46.-№ 7.-C.689.
  42. Seager C.H., Ginley D.S. Passivation of grain boundaries in polycrystalline silicon //Appl. Phys. Lett.-1979.-T.34.-C.337−39.
  43. Ю.А., Ртищев A.M., Штейнман Э. А. Взаимодействие дислокаций с водородом и кислородом в кремнии // ЖЭТФ.-1982.-Т.82.-№ 2.-С.509−514.
  44. Corbett T.J.W., Peak D., Pearton S.J., Sganga A.G. Hydrogen in disordered and amorphous solids // NATO. Adv. Study Inst. Ser. B.-1986.-№ 136.-C.61−79.
  45. Chang R.P.H. and Darack S. Hydrogen plasma etching of GaAs oxide // Appl. Phys. Lett.-1981.-V.3 8.-№ 11 .-C.898−900.
  46. Schaefer J.A., Persch V., Stock S., Th. Alinger and A. Goldmann. Etching of GaAs (100) by Activated Hydrogen // Evrophys. Lett.-1990.-V.12.-№ 6.-C.563−568.
  47. Lu Z., Schmidt M.T., Chen D., Osgood R.M., Jr., Holber W.M., Podlesnik D.V. Forster J. GaAs-oxide removal using an electron cyclotron resonance hydrogen plasma //Appl. Phys. Lett.-I991.-V.58.-№ 1 l.-C.l 143.
  48. Noriyuki Watanabe, Takumi Nittono, Hiroshi Ito, Naoto Kondo, Yasushi Nanishi. Surface cleaning of C-doped p±GaAs with hydrogen electron cyclotron resonance plasma//J. Appl. Phys.-1993.-V.73.-№ 12.-C.8146−8150.
  49. Mahan A.H., Xu Y., Williamson D.L., Beyer W., Perkins J.D., Vanecek M., Ged-vilas L.M., Nelson B.P. Structural properties of hot wire a-Si:H films deposited at in excess of 100 A/s // J.Appl.Phys.-2001.-V.90.-№ 10.-C.5027.
  50. Akihiro Kishimoto, Ikuo Suemuni, Kazuhiko Hamaoka, Tomoaki Koui, Yoshiski Honda and Masamichi Yamanishi. In-Situ RHEED Monitoring of Hydrogen Plasma Cleaning on semiconductor Surfaces // J. Journal Appl. Phys.-1990.-T.29.-№ 10.-C.2273−2276.
  51. Takeshi Aiba, Ken Yamauchi, Y. Shimizu, N. Tate, M. Katayama and T. Hattori. Initial stage of oxidation of hydrogen-terminated 5/(100)-2xl surface // Jpn. J. Appl. Phys.-1995.-T.34.-№ 2B.-C.707.
  52. Katsuyoshi Endo, Kenta Arima, Kikuji Hirise, Toshihiko Kataoka and Yuzo Mori. Atomic image of hydrogen-terminated 5/(001) surfaces after wet cleaning and its first-principles study // J.Appl.Phys.-2002.-T.91.-№ 7.-C.4065.
  53. Nakamura К., Yoshino К., Takeoka S., and Shimizu Isamu. Roles of atomic hydrogen in chemical annealing // Jpn. J. Appl. Phys.-1995.-T.34.-№l.-4.2A.-C.442−449.
  54. Takahiro Kimura, Chikashi Yamada. GaAs oxid removal using hydrogen plasma studied by surface second-harmonic generation // Jpn. J. Appl. Phys.-1995.-T.34.-C.1498−1501.
  55. Schafer J.A., Persch V., Stock S., Allinger Th. and Goldman A. Etching of GaAs (100) by Activated Hydrogen. // Europhys. Lett.-1990.-№ 12(6).-C.563.
  56. Jl.К., Смыслова Т. Н. Десорбция водорода с поверхности в условиях эпитаксиалыюго наращивания слоев кремния из моносилана в вакууме // ФТП.-2005.-Т.39.-№ 11 .-С. 1320.
  57. Smets А.Н.М., Kessels W.M.M., and Van de Sanden M.C.M. Surface-diffusion-controlled incorporation of nanosized voids during hydrogenated amorphous silicon film growth // Appl. Phys. Lett.-2005.-№ 86.-C.41 909.
  58. Stephen K. O’Leary, Saad M. Malik. A simplified joint density of states analysis of hydrogenated amorphous silicon // J.Appl.Phys.-2002.-V.92.-№ 8.-C.4276.
  59. Pankove J.I., Tarng M.L. Amorphous silicon as a passivant for crystalline silicon // Appl. Phys. Lett.-1979.-V.34.-№ 2.-C. 156−157.
  60. .Б. Обратимое изменение электрических характеристик металл-нитрид-окись-полупроводник под воздействием водорода и кислорода // Радио-техн. и электрон. М.-1990.-Т.35.-№ 12.-С.2647−2649.
  61. Pearton S.J., Haller Е.Е., Elliot A.G. Nitridization of gallium arsenide surfaces: Effects on diode leakage currents //Appl. Phys. Lett.-1984.-V.44.-№ 7.-C.684.
  62. Seager C.H., Ginley D.S., Zook J.D. Improvement of polycrystalline silicon solar cells with grain-boundary hydrogenation techniques // Appl. Phys. Lett.-1980.-V.36,-№ 10.-C.831.
  63. Hanoka J.I., Seager C.H., Sharp D.J., Panitz J.K.G. Hydrogen passivation of defects in silicon ribbon grown by the edge-defined film-fed growth process // Appl. Phys. Lett.-1983.-V.42.-№ 7.-C.618.
  64. Paccagnella A. and Callegari A., Latta E., Gasser M. Schottky diodes on hydrogen plasma treated n-GaAs surfaces // Appl. Phys. Lett.-1989.-V.55.-№ 3.-C.259−261.
  65. Chakrabarti U.K., Pearton S.J., Hobson W.S., Lopata J. and Swaminathan V. Hy-drogenation of GaAs-on-InP//Appl Phys. Lett.-1990.-V.57.-№ 9.-C.887−889.
  66. Overhauser Albert W., Maseijian Joseph. Hydrogen-stabilized semiconductor devices // Пат. 4 857 976 США. МКИ H 01 L 29/78/ California Institute of Technology.-№ 284 832- Заявл. 13.12.1988- Опубл. 15.08.1989- НКИ 357/23.
  67. Meirhaeghe R.L.Van, Laflere W.H., Cardon F. Influence of defect passivation by hydrogen on the Schottky barrier height of GaAs and InP contacts // Appl. Phys.-1994.-T.76.-№ 1 .-C.403.
  68. Wang Y.G. and Ashok S. A study of mtXaMGaAs interface modification by hydrogen plasma // J. Appl. Phys.-1994.-T.75.-№ 5.-C.2447.
  69. Singh U.P., Srivastava P. S., Chandra S. Donor states in Pd/p-GaAs devices and the effect of hydrogenation. // Semicond. Sci. Technol.-1995.-№ 10.-C.1368−1375.
  70. Nie H.-Y., Nannichi Y. Schottky and ohmic contacts of Pd on p-type GaAs distinguished with hydrogen // J. Appl. Phys.-1994.-T.76.-№ 7.-C.4205−4208.
  71. Plieninger R., Wanka H.N., Kuhnle J., Werner J.H. Efficient defect passivation by hot-wire hydrogenation // Appl. Phys. Lett.-1997.-T.71.-№ 15.-C.2169−2171.
  72. Wittmer M., Freeouf J.L. Ideal Schottky diodes on passivated Silicon // Phys. Rev. Lett.-1992.-T.69.-№ 18.-C.2701−2704.
  73. B.B., Ковешников C.B., Носенко C.B., Якимов Е. Б., Сурма A.M. // Микроэлектроника.-1995.-Т.24.-№ 3 .-С. 198.
  74. Hiroshi I to. Hydrogen Diffusion in C-Doped InGaAs И Jpn. J. Appl. Phys.-1996.-№ 35.-C.l 155−1157.
  75. Tavendale A.J., Williams A.A., Pearton S.J. Hydrogen injection and neutralization of boron acceptors in silicon boiled in water // Appl. Phys. Lett.-1986.-V.48.-№ 9.-C.590.
  76. Oehrlein G.S., LindstromJ.L., Corbett G.W.// Phys. Lett.-1981.-T.81A.-C.246.
  77. Pearton S.J., Hansen W.L., Haller E.E., Kahn J.M. J. // Appl. Phys.-1984.-V.55.-№ 4.-C.1221.
  78. Chu W.K., Kastl R.H., Lever R.F., Mader S., Masters B.J. Ion implantation in semiconductors 1976 // eds. F. Chernow, J.A. Borders, D.K. Brice. Plenum, N.Y.-1977.-C.484.
  79. Sah C.T., Sun J.Y.T., Tzou J.J.T., Pan S.C.S. Deactivation of group III acceptors in silicon during KeV electron irradiation // Appl. Phys. Lett.-1983.-T.43.-C.962,
  80. Bech Nielsen B. Interaction of deuterium with defects in silicon studied by means of channeling// Phys. Rev. B.-1988.-№ 37.-C.6353.
  81. Johnson N.M., Biegelsen D.K., and Moyer M.D., Deline V.R. and Evans C.A. Deuterium at the Si-SiOi interface detected by secondary-ion mass spectrometry // Appl. Phys. Lrtt.-1981.-T.38.-№ 12.-C.995−997.
  82. Muller J.C., Barhdadi A., Ababou Y., Siffert P. H Rev. Phys. Appl.-1987.-T.22.-C.649−54.
  83. Aucouturier M., Rallon 0., Mautref M., Belouet C. J. // Phys.-1982.-T.43.-4.C1.-C.l17−23.
  84. V.V., Labusch R., Ossipyan Y.A. // Phys. Status. Solidi.-1984.-№A84.-C.149−56.
  85. В., Newman R.C., Murray R., Jalil A., Chevallier J., Azoulay R. // Phys. Rev. B.-1988.
  86. Hajime Shirai. Surface morfology and cristallite size during grouth of hydrogenated microcrystalline silicon by plasma-enhanced chemical vapor deposition // Jpn. J. Appl. Phys.-1995.-T.34.-№l.-4.2A.-C.450−458.
  87. Deki H., Fukuda M., Miyasaki S. and Hirose M. Surface morfologies of hydrogen amorphous silicon at the early stages of plasma-enhanced chemical vapor deposition // Jpn. J. Appl. Phys.-1995.-T.34.-№ 2.-4.8B.-C.L 1027-L1030.
  88. Chun Y.J., Nakajima S. and Kawabe M. Array of the self-organized InGaAs quantum dots on GaAs (311)B substrates by atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy//Jpn. J. Appl. Phys.-1996.-T.35.-№ 2.-4.8B.-C.L1075.
  89. Balasubramanian S. and Kumar V., Balasubramanian N. Reduced phosphorus loss from InP surface during hydrogen plasma treatment // Appl. Phys. Lett.-1994.-T.64.-№ 13.-C.1696-.
  90. Lord S.M., Roos G., Jr. Harris J.S., Johnson N.M. Hydrogen passivation of nonra-diative defects in InGaAs/AlxGaj.xAs guantum wells // J. Appl. Phys.-1993.-T.73.-№ 2.-C.740−748.
  91. Dautremont-Smith W.C., Lopata J., Pearton S.J., Koszi L.A., Stavola M., Swami-nathn V. Hydrogen passivation of acceptors in p-InP // J. Appl. Phys.-1989.-T.66.-№ 5.-C.1993−1996.
  92. Corbett J.W., Pearton S.J., Stavola M. Hydrogen in semiconductors // Elsevier Science Publishers B.V. (North-Holland).-1990.-C.53−63.
  93. Johnson N.M., Moyer M.D. Absence of oxygen diffusion during hydrogen passivation of shallow-acceptor impurities in single-crystal silicon // Appl.Phys.Lett.-1985.-T.46.-№ 8.-C.787−789.
  94. H.C. Образование молекул водорода в арсениде галия n-типа при его гидрогенизации // ФТП.-1991.-Т.25.-№ 6.-С.1078−1080.
  95. Stoneham A.M. Quantum or classical motion of H in Si: B! II Phys. Rev. Lett.-1989.-T.63.-№ 9.-C.1027.
  96. Muro K., Sievers A.J. Tunneling with millielectronvolt energies at the Be-H acceptor complex in silicon // Phys.Rev.Lett.-1986.-№ 7.-C.897.
  97. Morrow R.A. Modeling the diffusion of hydrogen in GaAs I/ J. Appl. Phys.-1989.-Т.66.-Ж7.-С.2973−2973.
  98. Н.С. Анализ диффузионных профилей водорода, образующихся при гидрогенизации полупроводниковых образцов // ФТП.-1991.-Т.25.-№ 6.-С.990−996.
  99. Cheng Y.M., and Stavola М. Non-Arrenius reorientation kinetics for the B-H complex in Si: Evidence for Thermally Assisted Tunneling // Phys. Rev. Lett.-1994.-T.19.-№ 25.-C.3419.
  100. S.K., Jones R. {H, P}0<�—>{H, P}+ transitions: A new look at donor-hydrogen pairs in Si И Appl. Phys. Lett.-1994.-T.64.-№ 13.-C.1670.
  101. B.B., Камаев Г. Н., Носков A.B., Черняев С. А., Росликов В. Е. Влияние состояния водорода в решетке на эффективность введения донорных центров в кислородсодержащем кремнии // ФТП.-2006.-Т.40.-№ 2.-С.129.
  102. Stavola М., Bergman К., Peartomiox S.J., and Lopata J. Hydrogen Motion in Defect Complex: Reorientation Kinetics of the B-H Complex in Silicon // Phys. Rev. Lett.-1988.-T.61.-№ 24.-C.2786−2789.
  103. Pankove J.I., Zanzucchi P.J., Magee C.W. Hydrogen localization near boron in silicon //Appl. Phys. Lett.-1985.-T.46.-№ 4.-C.421.
  104. Pankove J.I., Zanzucchi P.J., Magee C.W. Hydrogen localization near boron in silicon // Appl. Phys. Lett.-1985.-T.46.-№ 4.-C.421.
  105. Г. П., Тулинов А. Ф., Попов В. П., Фридман В. Б. Исследование плоских водородных дефектов в кремнии методом каналирования // Поверхность.-2005.-№ 3.-С.59.
  106. Stavola М., Pearton S.J., Lopata J., Abernathy C.R., and Bergman K. Structure and dynamics of the Be-H complex in GaAs // Phys. Rev. B.-1981.-T.39.-№ll.-C.8051−8053.
  107. Benton J.L., Doherty C.J., Ferris S.D. Hydrogen passivation of point defects in silicon // Appl. Phys. Lett.-1980.-T.36.-№ 8.-C.670.
  108. B. // Phys. Stat. Sol. (a).-1981.-№ 67.-C.K75.
  109. Sun C.T., Sun J.Y.C. и Tzou J.J.T. // Appl. Phys.-1983.-T.54.-№ 10.-C.5864.
  110. A., Chevallier J., Azoulay R., Mircea A. J. // Appl. Phys. Lett.-1986.-T.59,-№ 11.-C.3774.
  111. Hayashi S., Bruno D., and Goorsky M.S. Temperature dependence of hydrogen-induced exfoliation of InP// Appl. Phys.-2004.-T.85.-№ 2.-C.236.
  112. Wei J. Formation of hydrogenated carbon nitride films by reactive sputtering // J.Appl.Phys.-2002.-T.92.-№i i .-C.6525.
  113. Seager C.H., Myers S.M., Wright A.F., Koleske D.D. and Allerman A.A. Drift, diffusion and trapping of hydrogen in p-type GaN II J.Appl.Phys.2002.-T.92.-№ 12.-C.7246.
  114. C.E., Чудинов Д. В., Ханин Д. В. Влияние водорода на электронную структуру и свойства нитрида бора // ФТП.-2000.-Т.38.-№ 1.-С.61.
  115. Tavendale A.J., Alexiev D., Williams A.A. Field drift of the hydrogen-related, acceptor-neutralizing defect in diodes from hydrogenated silicon // Appl. Phys. Lett.-1985.-№ 46.-C.317.
  116. Johnson N.M., Hahn S.K. Hydrogen passivation of the oxygen-related thermal-donor defect in silicon //Appl.Phys. Lett.-1986.-T.48.-№ 11.-C.709−711.
  117. Corbett J.W. Pearton S.J. and Stavola M. Hydrogen in semiconductor. Defect Control in Semiconductors / Elsevier Science Publishers.-1990.-C.53.
  118. Tavendale A.J., Williams A.A., Alexiev D., Pearton S.J. Oxygen, Carbon, hydrogen and Nitrogen in c-Silicon / Materials Res. Soc. Pittsburgh.-1986.-C.469.
  119. B.C., Киселев В. Ф., Мукашев Б. Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности // М.:Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит.-1990.-С.216.
  120. Mogro-Campero A., Love R.P., Schubert R. // J. Electrohem. Soc.-1985.-T.132.-№ 8.-C.2006.
  121. Pearton S.J., Abernathy C.R., Lopata J. Thermal stability of dopant-hydrogen pairs in GaAs II Appl. Phys. Lett.-1991.-T.59.-№ 27.-C.3571−3573.
  122. N.M., Herring C., Chadi D.I. // Phys. Rev. Lett.-1986.-№ 56.-C.769.
  123. Pearton S.J., Dautremont-Smith W.C., Chevallier J., C.W. Tu, Cummings K.D. Hydrogenation of shallow-donor levels in GaAs И J. Appl. Phys.-1986.-T.59.-№ 8.-C.2821.
  124. А.А., Голованивский Л. С., Кампс К. // Докл. АН СССР.-1987.-Т.297.-№ 3.-С.501.
  125. Zavada J.M., Pearton S.J., Wilson R.G., Wu C.S., Stavola M., Ren F., Lopata D., Dautremont-Smith W.C., Novak S.W. Electrical effects of atomic hydrogen incorporation in GaAs-on-SiII J. Appl. Phys.-1989.-T.65.-№l.-C.347−353.
  126. Pankove J.I., Lampert M.A., Tarng M.L. Hydrogenation and dehydrogenation of amorphous and crystalline silicon // Appl. Phys. Lett.-1978.-T.32.-№ 7.-C.439−441.
  127. Os Van, C. F. A.- Leung, K. N.- Kunkel, W. B. // Appl. Phys. Lett.-2005.-T.57.-№ 9.-C.861.
  128. Van C.C. de Walle, Denteneer P.J.H., Bar-Yam Y., Pantelides S.T. // Phys. Rev.1. B.-1989.-№ 39.-C.10 791.
  129. Wieringen A. Van, Warmoltz N. // Physica.-1956.-№ 22.-C.849.
  130. Stavola M., Pearton S.J., Dautremont-Smith W.C. // Phys. Rev. B.-1988.-№ 37.1. C.8313.
  131. В., Chari A., Aucouturier M., Astier M., Chantre A. // Solid. State Comm.-1988.-№ 67.-C.855.
  132. Stutzman M., Herrero C.P. Defects in Electronic Materials, ed M. Stavola, S.J. Pearton, G. Davies. / MRS, Pittsburgh-1987.-C.271.
  133. Ю.В., Невинный H.H. // Письма ЖТФ.-1987.-№ 13.-С105.
  134. Johnson N.M., Herring С., Chadi D.I. Physics of semiconductors. 2 / Singapore: World Scientific.-1987.-C.991.
  135. K.J., Chadi D.J. // Phys. Rev. Lett.-1989.-№ 62.-C.937.
  136. K., Stavola M., Pearton S.J., Lopata J. // Phys. Rev. B.-1988.-№ 37.-C.2770.
  137. В.А., Проскуровский Д. И., Троян O.E. Генератор атомарного водорода // Патент России № 2 088 056.
  138. В.А., Проскуровский Д. И., Регер С. Д., Ромась Л. М. // Микроэлектроника, — 1998.-Т.27 .-№ 1 .-С. 10.
  139. Ponce F.A., Johnson N.M., Tramontane J.C., Walker J. Microscopy of semiconducting materials ed. A.G. Cullins, Adam Hilger.-1987.-C.49.
  140. Akira Watanabe, Masashi Unno, Fusao Hojo and Takao Miwa. // Jpn. J. Appl. Phys.-2000.-T.10A.-№ 2.-C.961.
  141. Sze S.M. Modern Semiconductor Device Physics. John Wiley & Sons Inc.-1997.
  142. Weeglels L.M., Saitoh Т., and Kanbe H. Temperature-dependent dry cleaning characteristics of Са/15(111)В surfaces with a hydrogen electron cyclotron fesonance plasma// Appl. Phys. Lett.-1995.-T.66.-№ 21.-C.2870.
  143. H.JI. Туннелирование в одномерной системе N одинаковых потенциальных барьеров // ФТП.-1996.-Т.З 0.-№ 3 .-С.443.
  144. Mao-Hua Du and Zhang S.B. Topological defects and the Staebler-Wronski effect in hydrogenated amorphous silicon // Appl. Phys. Lett.-2005.-T.87.-C.191 903.
  145. K., Hattory T. // Surface Sci.-1986.-№ 168.-C.652.
  146. B.C., Киселев В. Ф., Мукашев Б. Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности // М.:Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит.-1990.-С.216.
  147. К., Hattory Т. // Surface Sci.-1986.-T.168.-C.652.
  148. ., Ланно М. Точечные дефекты в полупроводниках.- М. Мир. 1985.
  149. Hwang Ki-Hyun, Park Jin-Won, and Yoon Euijoon, Whang Ki-Woong, J.Y. Lee. Amorphous (100) platelet formation in (100) Si induced by hydrogen plasma treatment // J. Appl. Phys.-1997.-T.81.-№l.-C.74−77.
  150. Yuan M.H., Wang L.P., Jin S.X., and Chen J.J. Negativ charge state of hydrogen species in n-type GaAs II Appl. Phys. Lett.-1991.-T58.-№ 9.-C.925−927.
  151. Gottscho R.A., Preppernau D.L., Pearton S. J., Emerson A.B., Giapis K.P. Realtime monitoring of low-temperature hydrogen plasma passivation of GaAs И J. Appl. Phys.-1990.-T.68.-№ 2.-C.440.
  152. Sze S.M. Modern Semiconductor Device Physics. John Wiley&Sons Inc.-1997.
  153. . L. // IEEE Journal of Quantum Electronics.-1986.-T.22.-№ 9.-C.1611.
  154. Collins S.D., Lowet D., Barker J.R.// J. Phys. C: Solid State Phys.-1987.-T.20.-C.6213.
  155. H.A., Божков В. Г. Влияние атомарного водорода на свойства поверхности эпитаксиального n-GaAs II Поверхность.-2001.-№ 8.-С.100.
  156. Н.А., Еремеев С. В. Пассивация поверхности GaAs атомарным водородом // ФТП.-2000.-Т.34.-№ 2.-С. 186−193.
  157. Н.А., Еремеев С. В. Влияние обработки атомарным водородом на свойства поверхности n-n±GaAs структур // ФТП.-1999.-Т.32.-№ 11.-С.1209.
  158. А.В., Торхов Н. А. Влияние защитных плёнок SiOi на диффузию атомарного водорода при гидрогенизации эпитаксиального n-GaAs II ФТП.-2000.-Т.34.-№ 6.-С.698.
  159. В.Г., Кагадей В. А., Торхов Н. А. Влияние гидрогенизации на свойства контактов металл-Ga^s с барьером Шоттки // ФТП.-1998.-Т.ЗЗ.-№ 11.-С.1343.
  160. В.Г., Кагадей В. А., Торхов Н. А. Влияние атомарного водорода на свойства контактов металл-СяЛя с барьером Шоттки // Изв. ВУЗов. Физика.-1997.-№ 8.-С.115.
  161. Н. А. Еремеев С.В. Токопереиос В Ме-п-п+ структурах с барьером Шоттки // ФТП.-2000.-Т.34.-№ 1 .-С. 106.
  162. Н.А. Причины, приводящие к изменению статических В АХ гидроге-пизировацных Me-n-n+ GaAs диодных структур с барьером Шоттки // ФТП.-2002.-Т.36.-№ 4.-С.437.
  163. Н.А. Эффект баллистического переноса электронов в Me-n-n+ GaAs структурах с Барьером Шоттки // ФТП.-2001.-Т.35.-№ 7.-С.823−830.
  164. Н.А. Формирование структуры собственного оксида на поверхности n-GaAs при естественном окислении на воздухе // ФТП.-2003.-Т.37.-№ 10.-С.1205.
  165. Н.А., Ивонин И. В., Черников А. В. Аморфизация приповерхностной области эпитаксиального n-GaAs под воздействием атомарного водорода // ФТП.-2002.-Т.36.-№ 7.-С.885.
  166. Н.А. Торхов, В. Г. Божков, В. А. Кагадей, И. В. Ивонин. Тез. докл. второй международной конф. «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах» / Россия, Максимиха.-2000.-С.86.
  167. Н.А. 4-Th International conference on actual problems of electronic instrument engineering proceedings / «APEIE-98» Rassia. Novosibirsk. September 23−26.-1998.-Ч.2.-С.217.
  168. Н.А., Панин А. В. Самоафинная природа собственного оксида эпитаксиального n-GaAs / Труды III Международной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах» Томск, Горный Алтай 29 июля-З августа.-2002.-С.301.
  169. Н.А., Божков В. Г., Ивонин И. В., Сохарева В. В. Стабильность эффекта пассивации мелкой донорной примеси / Девятая конференция «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V», Томск, Россия 3−5 октяб-ря.-2006.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?