Исследование и разработка методов моделирования характеристик ИМС в условиях воздействия радиации

ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Содержание

ГЛАВА 1. ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ, ВОЗНИКАЮЩИЕ В МИКРОСХЕМАХ, ПРИ ЭКСПЛУАТАЦИИ В ПОЛЯХ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ И СРЕДСТВА МОДЕЛИРОВАНИЯ
- 1. 1. Характеристики дестабилизирующих факторов, воздействующих на радиоэлектронную аппаратуру
- 1. 2. Взаимодействие ионизирующего излучения с биполярными ИМС и возникающие при этом эффекты
- 1. З.Критерии оценки стойкости и надежности биполярных ИМС
  - 1. 4. Методология единого комплексного подхода для прогнозирования показателей радиационной стойкости
  - 1. 5. Цель и задачи исследования
ГЛАВА2. МОДЕЛИРОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ ТЕПЛОВЫХ И ТЕРМОМЕХАНИЧЕСКИХ ЭФФЕКТОВ, ВОЗНИКАЮЩИХ В МАТЕРИАЛАХ ИМС ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ИЗЛУЧЕНИЯ С БОЛЬШИМ ПОГЛОЩЕНИЕМ
- 2. 1. Общие физические принципы моделирования тепловых и термомеханических эффектов
- 2. 2. Моделирование тепловых и термомеханических эффектов в материалах микросхем
  - 2. 2. 1. Тепловые эффекты
  - 2. 2. 2. Термомеханические эффекты
ГЛАВА 3. МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭФФЕКТОВ В МИКРОСХЕМАХ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ СТАТИЧЕСКИХ ВИДОВ ИЗЛУЧЕНИЯ С МАЛОЙ МОЩНОСТЬЮ
- 3. 1. Общие принципы моделирования
- 3. 2. Математическая модель деградации электропараметров микросхем в полях ионизирующего излучения малой мощности в различных термотоковых режимах
ГЛАВА 4. МОДЕЛИРОВАНИЕ ИОНИЗАЦИОННЫХ ЭФФЕКТОВ И ЭФФЕКТОВ СМЕЩЕНИЯ
- 4. 1. Общие принципы моделирования ионизационных эффектов и эффектов смещения с помощью макромоделирования
- 4. 2. Математические модели прогнозирования ионизационных эффектов и эффектов смещения
ГЛАВА 5. ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ПАРАМЕТРОВ РАДИАЦИОННО-СТОЙКИХ ИМС В ТИПОВЫХ АРМ ПРОЕКТИРОВАНИЯ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ
- 5. 1. Архитектура и развитие технических средств типовых АРМ
  - 5. 1. 1. Обзор уровня и перспектив развития САПР изделий электронной техники
  - 5. 1. 2. Архитектура АРМ проектирования ИЭ и ВТ
  - 5. 1. 3. Состояние и пути развития отечественных АРМ
- 5. 2. Структура программных средств проектирования микросхем в типовых АРМ на ПЭВМ
- 5. 3. Базовые графические средства описания проектов типовых АРМ
  - 5. 3. 1. Особенности структуры базовой графической подсистемы
  - 5. 3. 2. Особенности реализации лингвистических и информационных средств
  - 5. 3. 3. Возможности основных алгоритмов
  - 5. 3. 4. Особенности программной реализации базовой графической подсистемы
- 5. 4. Программные модули, обеспечивающие учет радиационных эффектов в подсистеме моделирования цифровых радиационно-стойких микросхем
  - 5. 4. 1. Комплекс программ расчета стойкости микросхем по тепловым и термомеханическим эффектам
  - 5. 4. 2. Комплекс программ расчета электропараметров микросхем при воздействии импульсных видов излучения
  - 5. 4. 3. Комплекс программ расчета электропараметров микросхем при воздействии статических видов излучения малой мощности
- 5. 5. Системный подход к моделированию параметров радиационно-стойких цифровых микросхем в АРМ проектирования изделий электронной техники и режимы работы подсистемы
  - 5. 5. 1. Реализация системного подхода при проектировании радиационно-стойких ИМС в разработанной подсистеме
  - 5. 5. 2. Режимы работы подсистемы
ГЛАВА 6. ЭФФЕКТИВНОСТЬ СРЕДСТВ МОДЕЛИРОВАНИЯ ЦИФРОВЫХ РАДИАЦИОННО-СТОЙКИХ МИКРОСХЕМ
- 6. 1. Экспериментальная оценка точности и эффективности разработанных средств моделирования
- 6. 2. Внедрение средств моделирования
- 6. 3. Разработка методического обеспечения

Исследование и разработка методов моделирования характеристик ИМС в условиях воздействия радиации (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность проблемы. Расширение сферы применения элементной базы в различных системах управления и контроля на космических летательных аппаратах, в ядерных энергетических установках на судах, космических кораблях и т. п., атомных электростанциях (АЭС), для которых возможны, кроме нормального режима работы, и нештатные ситуации, требует создание целого класса ра-диационно-стойких ИМС.

Известные отечественные и зарубежные программные комплексы, системы и подсистемы, предназначенные для автоматизированного проектирования ИМС или не позволяют прогнозировать работоспособность ИМС в условиях воздействия ионизирующего излучения (ИИ), или прогнозируют ее не полностью. Это связано прежде всего с тем, что такие автоматизированные САПР не имеют проблемно-ориентированных подсистем с соответствующей информационной базой, математическим и программным обеспечением.

Кроме того, постоянно меняются требования по составу и параметрам ИИ. Недавно проведенный анализ внешней дестабилизирующей обстановки реальных условий эксплуатации ИМС в космическом пространстве, на АЭС и т. п. показал, что требуется существенная корректировка параметров ИИ по спектрально-энергетическим и амплитудно-временным характеристикам. Это приводит к модификации, а в некоторых случаях и пересмотру, физических моделей, определяющих воздействие радиации на ИМС, что ведет к необходимости соответствующей математической и программной модификации САПР в части учета влияния ИИ.

Одним из ключевых моментов модификации САПР является новый подход к физической стороне процессов, протекающих в ИМС. Исследования, проведенные в последнее время, подтвердили, что существует глубокая связь между процессами, связанными с деградацией электропараметров от радиации и естественного старения. Это проявляется при моделировании факторов космического пространства, для которого характерна низкая интенсивность воздействия радиации. В существующих САПР практически отсутствуют средства моделирования, которые способны моделировать комплексное воздействие естественного старения и радиации.

Следует отметить, что также недостаточно освещены вопросы моделирования тепловых и термомеханических эффектов, характерных для рентгеновского излучения, особенно в части соответствующего математического и программного обеспечения. Причем комплексное моделирование тепловых эффектов и эффектов, связанных с процессами ионизации и необратимой деградацией параметров, решено не достаточно полно на уровне физического моделирования и тем более на математическом и программном уровне в системе автоматизированного проектирования.

Недостаточно отработаны методы проектирования на схемотехническом уровне БИС и СБИС, учитывающие процессы радиационного воздействия и естественного старения. Это связано, с одной стороны, с увеличением числа компонентов системы и функциональных связей между ними, а с другой стороны, с постоянным уточнением радиационного воздействия.

В этой связи следует отметить то, что увеличение степени интеграции и функциональной сложности ИМС поставило задачу совершенствования технических средств проектирования.

Проектирование ИМС на функционально-логическом уровне также требует своего решения в части учета необратимых эффектов радиации и переходных эффектов. В настоящее время для этой цели применяются различные подходы, но они не учитывают комплексного характера изменений характеристик логических параметров, вызванных различными процессами деградации.

Таким образом, для создания радиационно-стойких ИМС, в области теории и разработки САПР были выдвинуты актуальные задачи, которые потребовали комплексного подхода к автоматизированному проектированию, начиная от совершенствования технических средств и физических моделей процессов и заканчивая математическим обеспечением и программной реализацией.

Цель работы: создание и исследование автоматизированной подсистемы моделирования ИМС при эксплуатации в полях ионизирующего излучения, которая обеспечивает комплексный подход и учитывает последние требования в части характеристик воздействия ИИ.

Эта подсистема должна прогнозировать показатели радиационной стойкости и параметрической надежности в различных режимах эксплуатации и проводить анализ работоспособности ИМС с целью оптимизации параметров ИМС по критерию радиационной стойкости.

Для решения поставленной цели должны быть решены следующие основные задачи:

— формирование методологии единого системного подхода при прогнозировании работоспособности ИМС в условиях ИИ;

— разработка моделей физических процессов, происходящих в конструкции ИЭТ при воздействии ИИ с сильной степенью поглощения (рентгеновское излучение), которые учитывают изменение тепловых и термомеханических процессов во времени и в зависимости от габаритных размеров конструкции;

— создание модели деградации электропараметров ИМС при воздействии статических видов ИИ с учетом мощности дозы, температуры среды и режима работы ИМС;

— создание моделей активных компонентов биполярных ИМС, которые зависят от конструктивно-технологических особенностей исполнения, режимов работы ИМС, спектрально-энергетических и амплитудно-временных характеристики гамма-, рентгеновского и нейтронного излучений с учетом последних требований к параметрам воздействующей радиации;

— разработка алгоритмов и программного обеспечения для моделирования реакции ИМС на импульсное ИИ;

— разработка алгоритмов и программного обеспечения, позволяющих моделировать тепловые и термомеханические процессы, происходящие в конструкции ИЭТ при импульсном ИИ;

— разработка алгоритмов и программного обеспечения, позволяющих моделировать поведение электропараметров ИМС к статическим видам ИИ;

— создание программного и информационного обеспечения для комплексного автоматизированного моделирования работоспособности ИМС в составе САПР;

— разработка АРМ для проектирования ИМС в условиях воздействия ИИ и интеграция программно-технического комплекса в состав автоматизированных средств сквозного проектирования.

Методы исследования. При решении поставленных задач использованы физические методы исследования поведения ИМС в условиях ИИ, теории системного анализа, методы вычислительной математики, структурного и системного программирования, теории цепей, методы теории графов, а также новые информационные технологии.

На защиту выносятся следующие основные научные положения:

1. Методология единого системного подхода при прогнозировании поведения ИМС в условиях воздействия ИИ, основанная на комплексном подходе к процессам: энерговыделения, взаимодействия процессов естественного старения и радиационной деградации. Разработка методики поэтапного подхода к прогнозированию поведения ИМС в условиях ИИ.

2. Модели тепловых и термомеханических процессов, происходящих в конструкции ИЭТ при воздействии ИИ с сильной степенью поглощения (рентгеновское излучение), которые учитывают изменение характера этих процессов во времени и в зависимости от габаритных размеров конструкции, а также возможность определения температуры активных компонентов в любой момент времени для моделирования работоспособности ИМС на схемотехническом уровне.

3. Модель деградации электропараметров ИМС при воздействии статических видов ИИ с учетом мощности дозы, температуры среды и режима работы ИМС, а также взаимного влияния процессов деградации от радиации и естественного старения.

4. Модель активных компонентов биполярных ИМС и макромодель выходного биполярного элемента цифровых логических ИМС ТТЛ и ТТЛШ, определяющие работоспособность в полях ИИ, учитывающие конструктивно-технологические особенности исполнения, режимы работы ИМС, спектрально-энергетические и амплитудно-временные характеристики ИИ, включая последние требования к параметрам радиации.

5. Алгоритмические процедуры и программное обеспечение автоматизированного определения показателей стойкости и надежности, а также их зависимостей от амплитудно-временных и спектрально-энергетических характеристик ИИ.

6. Подсистема моделирования характеристик ИМС, применяемых в полях ИИ, которая обеспечивает комплексный подход к радиационному воздействию и учитывает последние требования в части характеристик воздействия ИИ.

Научная новизна состоит в следующем:

1. Развита методология единого системного подхода при прогнозировании поведения ИМС в условиях ИИ, которая использует предложенные принципы: единства процессов энерговыделения различных видов ИИ и единство рассмотрения процессов деградации ИМС от естественного старения и радиации с учетом зависимости от широкого набора входных воздействий, включая радиационное воздействие, состоящее из нескольких видов ИИ, разнесенных во времени.

2. Разработаны модели физических процессов, происходящих в конструкции ИЭТ при воздействии ИИ с сильной степенью поглощения (рентгеновское излучение), которые отличаются учетом динамики тепловых и термомеханических процессов и зависимостью термомеханического напряжения от габаритных размеров конструкции, а также возможностью определения температуры активных элементов в любой момент времени.

3. Разработана модель деградации электропараметров ИМС при воздействии статических видов ИИ, в которой предложен принцип учета мощности дозы, температуры среды и режима работы ИМС, включая взаимодействие процессов естественного старения и деградации электропараметров от радиации.

4. Разработаны модели активных компонентов биполярных ИМС и предложена макромодель выходного биполярного элемента цифровых логических ИМС ТТЛ и ТТЛШ, отличающиеся не только учетом конструктивно-технологических особенностей исполнения и режимов работы ИМС, но и влиянием спектрально-энергетических и амплитудно-временных характеристик ИИ на показатели стойкости, включая последние требования к характеристикам воздействующей радиации.

5. Разработаны алгоритмы для прогнозирования поведения ИМС в условиях ИИ и программное обеспечение автоматизированного определения показателей стойкости и надежности, а также их зависимостей от амплитудно-временных и спектрально-энергетических характеристик ИИ.

6. Модифицированы технические средства и создана подсистема САПР для анализа и проектирования радиационно-стойких ИМС.

Практическая ценность работы.

Разработанный комплекс методов, алгоритмов и созданная автоматизированная подсистема позволяет существенно расширить класс решаемых прикладных задач по радиационной стойкости ИМС. Основной практический вывод диссертационной работы заключается в создании единой методологии анализа радиационной стойкости ИМС при воздействии различных видов ИИ и разработке на ее основе инструментария для заказчиков и инженеров служб, отвечающих за радиационную стойкость ИМС.

Методы, алгоритмы и комплексы программ, взаимодействующих в автоматизированной подсистеме, разработанные в диссертации, внедрены на ряде предприятий, выпущены отраслевые руководящие материалы (РМ) и документы (РД), которые позволяют не только определить показатели стойкости ИМС, но и проектировать радиационно-стойкие ИМС. Использование этих методов дает ценную информацию по анализу поведения компонентов ИМС в условиях ИИ, которую практически невозможно получить в эксперименте.

Данная подсистема моделирования более адекватно отражает реакцию ИМС на ИИ, так как в нее включены уточненные характеристики ИИ и физические модели, которые наиболее точно соответствуют реальным процессам. Внедрение этих методов позволило разработать ряд новых серий ИМС, обладающих повышенной радиационной стойкостью, в НИИ Электронной техники.

Реализация и внедрение результатов работы.

Представленные в диссертации исследования являются результатом научной работы, проведенной на ряде отечественных предприятий и предприятий ближнего зарубежья (НИИ электронной техники, Воронежском заводе полупроводниковых приборов, НИИ Приборов, Нововоронежской Атомной Станции, Ужгородском Государственном Университете, Ташкентском институте ядерной физики). Работы выполнялись в рамках более чем 80 научно-исследовательских работ, выполняемых по заказам министерства электронной промышленности (МЭП). Реализацию данной работы также можно представить двумя направлениями: первоесвязано с определением показателей стойкости, второе — с разработкой радиаци-онно-стойких ИМС.

Результаты проведенных исследований по первому направлению позволили разработать ряд методик для прогнозирования стойкости и параметрической надежности биполярных ИМС. Данные методики согласованы с НИИ Приборов, Центральным институтом испытаний Министерства обороны, утверждены РНИИ «Электронстандарт» и внедрены в НПО «Электроника». Кроме того, разработана типовая методика испытаний и оценки стойкости ИМС биполярного технологического исполнения, которая конкретизирует ГОСТ в части определения показателей стойкости. Расчетные значения показателей стойкости нашли отражение в отраслевом справочнике.

Исследования, связанные с проектированием радиационно-стойких ИМС, применялись в НИИ Электронной техники, при разработке ряда серий биполярных ИМС — 1505, 1504, Б1505, Б1504, 582, 1804, 1838, всего более 100 типономи-налов. Основные рекомендации и правила создания радиационно-стойких ИМС нашли отражение в ряде РД, выпущенных как НПО «Электроника», так и отраслью в целом.

Кроме того, научные результаты работы включены в методические пособия «Физические процессы, модели, методы ЭРИ при раздельном и последовательном действии ИИ», «Методы прогнозирования и оценки стойкости и надежности изделий электронной техники в условиях длительного НИИ» .

Апробация работы. Научные результаты и положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на научно-технических конференциях и совещаниях по выполнению более чем 60 НИР и ОКР в РНИИ «Электронстандарт» (г. С. Петербург), в НИИП (г.Лыткарино Московской области), в 22 ЦНИИИ МО и на предприятиях электронной промышленности за период с 1985 по 1998 год.

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на конференциях и семинарах. В том числе: на II межотраслевой научно-технической конференции «Влияние низкоинтенсивных излучений космического пространства и атомных станций на элементы и устройства радиоэлектроники и электротехники» (г.Лыткарино Московской области, 1996г) — на III межотраслевой научно-технической конференции «Влияние низкоинтенсивных излучений космического пространства и атомных станций на элементы и устройства радиоэлектроники и электротехники» (г.Лыткарино Московской области, 1997г) — на Российской конференции «Радиационная стойкость электронных систем (Стойкость 98)» (г.Лыткарино Московской области, 1998г) — на международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы анализа и обеспечения надежности и качества приборов, устройств и систем» (Пенза 1998г) — на 5-ой научно-технической конференции в военном институте радиоэлектроники (г.Воронеж, 1998 г.) — на XXXVI отчетной научной конференции в ВГТА (г.Воронеж, 1998г).

Публикации результатов работы. По теме диссертации опубликовано 47 печатных работ, в том числе монография «Система проектирования биполярных радиационно-стойких ИМС» .

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения, списка литературы и приложения.

Основные выводы шестой главы:

1. Исследованы вопросы точности представленной подсистемы прогнозирования поведения ИМС в условиях ИИ, которые показали удовлетворительную корреляцию расчетных и экспериментальных данных.

2. Проведен анализ эффективности представленного программного обеспечения.

3. Получены расчетные значения поведения в различных условиях ИИ транзисторов, транзисторных сборок и ИМС различных серий.

Заключение

Создана автоматизированная подсистемы моделирования ИМС при эксплуатации в полях ионизирующего излучения, которая обеспечивает комплексный подход и учитывает последние требования в части характеристик воздействия ИИ. Эта подсистема прогнозирует показатели радиационной стойкости и параметрической надежности в различных режимах эксплуатации, а также проводит анализ работоспособности ИМС с целью разработки радиационно-стойких ИМС.

В ходе выполнения указанной работы были решены следующие задачи:

1. Сформулирована методология единого системного подхода при прогнозировании поведения ИМС в условиях ИИ, которая позволяет различные виды воздействия представлять сравнительно ограниченным набором характеристик, проводить моделирование ИМС к комплексному воздействию ИИ (состоящему из нескольких видов ИИ, разнесенных во времени), с учетом единства процессов деградации ИМС от естественного старения и радиации.

2. Разработаны модели физических процессов, происходящих в конструкции ИЭТ при воздействии ИИ с сильной степенью поглощения, с этой целью были решены следующие задачи:

— изменение температурного профиля со временем в структуре материалов, обладающих различными теплофизическими характеристиками и имеющими сложный начальный профиль температур;

— динамическое изменение напряжения между слоями структуры, имеющими различные теплофизические характеристики и сложный начальный профиль температур.

3. Определены математические соотношения, позволяющие рассчитывать характеристики процессов, связанных с перераспределением тепла и с неоднородным расширением и последующей деформацией материалов вследствие их нагрева.

4. Разработана физическая модель деградации электропараметров ИМС при воздействии статических видов ИИ, которая рассматривает деградацию параметров как от естественного старения, так и от радиации.

5. Определены математические соотношения, позволяющие определять деградацию критериальных параметров ИМС при воздействии статических видов ИИ с учетом мощности дозы, температуры среды и режима работы ИМС, включая взаимодействие процессов естественного старения и деградации электропараметров от радиации.

6. Разработана модель оценки показателей стойкости цифровых биполярных ИМС ТТЛ и ТТЛШ при воздействии на них импульсного ИИ (гамма-,.

СЖРи нейтронного излучений), основанная на макромодели выходного биполярного элемента цифровых логических ИМС ТТЛ и ТТЛШ и моделях активных компонентов биполярных ИМС.

7. Определены математические соотношения, определяющие реакцию моделей активных компонентов биполярных ИМС и макромодели выходного биполярного элемента цифровых логических ИМС ТТЛ и ТТЛШ к ИИ на схемотехническом уровне, учитывающие конструктивно-технологические особенности исполнения, режимы работы ИМС, спектрально-энергетические и амплитудно-временные характеристики ИИ, включая последние требования к характеристикам воздействующей радиации,.

8. Разработаны модели компонентов ИМС и их параметры при моделировании работоспособности ИМС на логическом уровне, учитывающие комплексное изменение параметров от широкого набора входных характеристик для переходных процессов и процессов, связанных с необратимыми изменениями;

9. Разработаны алгоритмы и программное обеспечение автоматизированного определения показателей стойкости и надежности, а также их зависимостей от амплитудно-временных и спектрально-энергетических характеристик ИИ, для чего были решены следующие задачи:

— разработан метод, алгоритм и программное обеспечение для расчета тепловых и термомеханических эффектов, которые нашли практическую реализацию в типовой методике расчета тепловых и термомеханических эффектов, внедренной в НИИЭТ, согласованной с 22 ЦНИИИ МО и НИИП и утвержденной РНИИ «Электронстандарт» ;

— разработан метод, алгоритм и программное обеспечение для расчета переходных процессов, которые нашли практическую реализацию в типовой методике расчета переходных процессов, внедренной в НИИЭТ, согласованной с 22 ЦНИИИ МО и НИИП и утвержденной РНИИ «Электронстандарт» ;

— разработан метод, алгоритм и программное обеспечение для расчета необратимых эффектов, которые нашли практическую реализацию в типовой методике расчета необратимых эффектов, внедренной в НИИЭТ, согласованной с 22 ЦНИИИ МО и НИИП и утвержденной РНИИ «Электронстандарт» .

10. Модифицированы технические средства и создана интегрированная подсистема САПР для анализа и проектирования радиационно-стойких ИМС, способная проводить оптимизацию параметров ИМС по критерию радиационной стойкости.

11. С помощью разработанной методики и программ расчета был проведен расчет типовых представителей ИМС, транзисторов и диодов различного конструктивного исполнения, который позволил определить их показатели стойкости и надежности и причины выхода изделий из строя.

12. Анализ поведения ИМС в условиях ИИ позволил оптимизировать технологические, конструктивные и схемотехнические параметры по критерию радиационной стойкости, что нашло отражение в отраслевом РД по разработке радиационно-стойких ИМС биполярного технологического исполнения.

Показать весь текст

Список литературы

Винецкий В.Л., Холодарь Г. А. Радиационная физика полупроводников. — Киев: — Наукова думка, 1979.
Коршунов Ф.П., Гатальский Г. В., Иванов Г. М. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. Минск. Наука и техника, 1978. — 232 с.
Вавилов B.C., Ухин H.A. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.:Атомиздат, 1969. — 312 с.
Действие проникающей радиации на изделия электронной техники /Под ред. Е. А. Ладыгина. М.:Советское радио, 1980.-224 с.
Мырова Л.О., Чипиженко А. З. Обеспечение радиационной стойкости аппаратуры связи. М.: Радио и связь, 1983. — 216 с.
Коршунов Ф.П., Богатырев Ю. В., Вавилов В. А. Виздействие радиации на интегральные микросхемы. Минск: Наука и техника, 1986. — 254 с.
Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е. Р., Скоробогатов П. К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах / Под ред. Т. М. Агаханяна. -М.:Энергоатомиздат, 1989. 256 с.
Вавилов B.C. Действие излучений на полупроводники. М.:Атомиздат, 1974.-232 с.
Rickits L.W. Fundamentals of Nuclear Hardening of Electronic Equipment. -N.Y.:Wiley Interscience, 1972.
Проектирование электронных схем с учетом радиационных воздействий/ Е. Р. Аствацатурьян, О. Н. Голотюк, Ю. А. Попов и др. М.: Изд-во МИФИ, 1984.-76 с.
П.Першенков B.C., Попов В. Д., Шальнов A.B. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М.:Этомэнергоиздат, 1988.-256 с.
Хаффнер Дж. Ядерное излучение и защита в космосе. М.: Атомиздат, 1971.
Ширшев Л.Г. Ионизирующие излучения и электроника. М.:Сов. Радио, 1969.
Акишин А.И., Новиков Л. С. Воздействие окружающей среды на материалы космических аппаратов // Новое в жизни науки и техники. Сер. «Космонавтика и астрономия». М.:3нание, — 1983 — № 4.
Максименко Б.П. Использование ядерных реакторов в космосе //Атомная техника за рубежом. 1985. — № 2. — С. 10−15.
Раевский И. И. Тищенко В.А., Смирнов Б. В. Разработка космических ядерных установок в США //Атомная техника за рубежом. 1985.- № 8. С.3−9.
Bennet G.L., Lombardo J.L., Rock B.L. US radioisotope thermoelectric generation in space // The Nuclear Engineer. 1984. — Vol.25. — N2. — P.49−59.
Звездные войны иллюзии и опасности. — М.:Воениздат, 1985.
Действие ядерного оружия. Пер. с англ. М.:Воениздат, 1965.
Ядерное оружие (физические основы): Сб. Статей / Под ред.
В.Ф.Петрова. M.: Воениздат, 1963.
ГОСТ 18 298–79. Термины и определения.
Броуд Г. Д. Действие ядерного взрыва // Действие ядерного взрыва. -М.:Мир, 1971 -С.9−88.
Larin F. Radiation Effects in Semiconductor Device. N.Y.John Wiley and Sons Inc., 1968.
Мощные наносекундные импульсы рентгеновского излучения / Г. А. Месяц, С. А. Иванов, Н. К. Комяк и др. -М.:Энергоатомиздат, 1983.
Технические средства рентгенодиагностики / Под ред. И. А. Переслегина. -М.:Медицина, 1981.
Вавилов С.П., Горбунов В. И. Импульсное рентгеновское излучение в дефектоскопии. -М.:Энергоатомиздат, 1985.
Дине Дж., Виньярд Дж. Радиационные эффекты в твердых телах. -М.:Изд-во иностр.лит., 1960.
Gregory B.L., Sander H.H. Transient Annealing of defects in irradiated silicon devices // Proc. IEEE. 1970. — V.58. — № 9. — P. 1328−1341.
Вавилов B.C. Действие излучений на полупроводники. M.: Физматгиз, 1963.
Патрикеев Л.Н., Подлесный Б. И., Попов В. Д. Радиационная стойкость полупроводниковых приборов и интегральных схем. М.:Изд-во МИФИ, 1975.
Chadsey W.L. X ray dose enhancement. — IEEE Trans. 1978, NS-25, № 6. P.1591−1597.
Коноплева Р.Ф., Литвинов В. Л., Ухин H.A. Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий. М.:Атомиздат, 1971.
Патрикеев Л.Н., Попов В. Д. Радиационная стойкость полупроводниковых приборов и интегральных схем. М. Изд. МИФИ, 1975.
Методы повышения радиационной стойкости электронных схем и устройств вычислительной техники / Е. Р. Аствацатурьян, О. Н. Голотюк, Ю. А. Попов, Ю. В. Самойлов и др.- М.: Изд-во МИФИ, 1986. 88 с.
Анализ электронных схем на ЭВМ с учетом радиационных воздействий / Е. Р. Аствацатурьян, О. Н. Голотюк, Ю. А. Попов, Ю. В. Самойлов и др.- М.: Изд-во МИФИ, 1986.-92 с.
Платонов П.А. Релаксация напряжений в металлах под действием нейтронного облучения, возврат и отжиг радиационных дефектов // Действие ядерных излучений на материалы. -М.: Изд. АН СССР, 1962. С. 106.
Попов В.Д. Радиационная физика приборов со структурой металл диэлектрик — полупроводник. -М.: Изд-во МИФИ, 1984. — С.854−858.
Кулаков В. М. Шаховцев В.И. Шаховцева С. И. Сравнительная эффективность воздействия ядерных излучений на полупроводниковые материалы // Физические основы радиационной технологии твердотельных электронных приборов. Киев: Наукова думка, 1974. — 199 с.
Аствацатурьян Е.Р., Беляев В. А., Зайцев В. Л. Остаточные радиационные эффекты в цифровых БИС// Зарубежная электронная техника. 1986. -№ 2(297). — С.62−99.
Проектирование устройств вычислительной техники с учетом радиационных воздействий / Е. Р. Аствацатурьян, О. Н. Голотюк, Ю. А. Попов и др. -М.: Изд-во МИФИ, 1985. 84 с.
Pierce Е.Т. Nuclear Explosion Phenomena and Their Bearing on Radio Detection of the Explosions // Proc.IEEE. 1965. — V.53 — P.2211−2226.
Исследование кинетики отжига радиационных дефектов в биполярных ИМС / В. К. Зольников, А. В. Гвоздевский, Д. Е. Соловей // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиаэлектронную аппаратуру, 1997. — Вып 1−2. — С.43−49.
Зольников В.К., Кузьмин Е. А., Мануковский О. Н. Метод оценки стойкости интегральных схем к факторам И4, И5// Специальная электроника. 1991. -Сер 8. Вып. 1(37).-С. 13−18.
Зольников В.К. Подсистема прогнозирования стойкости ИМС, работающих в полях ионизирующего излучения / Материалы XXXVI ежегодной отчетной научной конференции за 1998 г // Тез.докл. науч.-техн. конф. Воронеж: ВГТА, 1998.-С.90.
Зольников В.К., Афонин H.H., Мануковский О. Н. Модель перераспределения температуры в структуре ИМС при воздействии излучения с большой степенью поглощения// Вопросы радиоэлектроники. Сер. ТПО, 1991. Вып. 1. -С. 51−55.
Ашмянский P.A., Гиленко М. С. и др. Методика расчетной оценки стойкости полупроводниковых приборов к действию поражающих факторов СЖР-излучения ЯВ // Специальная электроника. Сер.8. — 1984. — Вып 2(23).1. С.58−62.
Зольников В.К., Соловей Д. Е. Исследование механизмов восстановления электропараметров биполярных ИМС после гамма-облучения под воздействием высокой температуры: Сб.научн.тр. Воронеж ВГТА. — 1998. — С.33−35.
Петров А.И., Полевич С. А. Оценка поглощения энергии СЖР-излучения в тонких многослойных структурах // Специальная электроника. Сер. Электроника СВЧ. 1985. — Вып 2. — С.25−31.
Карташов Э.М. Аналитические методы в теории теплопроводности твердого тела. М.:Высш. шк., 1985 — 269 с.
Пехович А.И., Жидких В. М. Расчеты теплового режима твердых тел. -Л. Энергия, 1976.-352 с.
Кулаков В.М., Андреев Ю. Н. Расчетные методы оценки стойкости материалов и изделий электронной техники к воздействию СЖР-излучения ЯВ // Специальная электроника. Сер.8.-1982. Вып 1(16). — С.74−79.
Каминский А.В. и др. Оценка термомеханических эффектов в конструкционных материалах резисторных микросхем при воздействии СЖР-излучения // Специальная электроника. Сер.8. 1982. — Вып 1(10). — С.74−79.
Зольников В.К. Исследование нелинейных процессов в полупроводниковых структурах в импульсных полях гамма-излучения большой мощности // Оптимизация и моделирование технологических процессов: Сб.научн.тр. Воронеж: ВГЛТА, 1998. — С.33−35.
Моделирование и расчет механических напряжений в структурах инте-гралных схем. / А. А. Горбацевич, Ю. А. Парменов, А. А. Резник, С. Н. Чайка // Микроэлектроника. -1989. -Т18. -N5 -С. 399−405
Зольников В.К. / Программное обеспечение для моделирования работоспособности ИМС в полях гамма-излучения малой мощности // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиа-электронную аппаратуру. 1998. — Вып 1. — С.38−39.
Зольников В.К. / Исследование кинетики изменения электропараметров биполярных ИМС в полях гамма-излучения малой мощности // Сб.научн.тр. -Воронеж: ВГТА. 1998. — С.25−28.
В.К.Зольников, Д. Е. Соловей Расчетная оценка электропараметров биполярных ИМС при эксплуатации в полях гамма-излучения малой мощности в различных термотоковых режимах- Сб.научн.тр. Воронеж: ВГТА. 1998. — С.29−32.
Зольников В.К. Моделирование параметров надежности ИМС в полях гамма-излучения малой мощности / Материалы XXXVI ежегодной отчетной научной конференции за 1998 г.: Тез.докл. науч.-техн. конф. Воронеж: ВГТА, 1998. -С.91.
Зольников В.К. Отбраковка потенциально-ненадежных ИМС с использованием радиационного метода // Оптимизация и моделирование технологических процессов: Сб.научн.тр. Воронеж: ВГЛТА. — 1998. — С.36−39.
Зольников В.К. Модель перераспределения температуры в структуре ИМС при воздействии рентгеновского излучения // Оптимизация и моделирование технологических процессов: Сб.научн.тр. Воронеж: ВГЛТА. — 1998. — С.40−45.
Шагурин И.И. Транзисторно-транзисторные схемы М.: Сов. радио, 1974. — 160 с.
Зольников В.К., Афонин H.H., Межов В. Е. Моделирование ионизационных процессов в цифровых ИМС при воздействии импульсного излучения// Вопросы радиоэлектроники Сер. ТПО. -1991. Вып. 1. — С. 73−78.
Зольников В.К., Кузьмин Е. А., Межов В. Е. Моделирование ионизационных процессов в ИМС ТТЛ и ТТЛШ при воздействии импульсных видов ИИ. // Специальная электроника 1991 г. -Сер. 8 Вып. 1(37). -С. 23−29.
Зольников В.К. Моделирование и расчет термомеханических напряжений, возникающих в структуре корпуса ИМС, при воздействии рентгеновского излучения // Оптимизация и моделирование технологических процессов: Сб.научн.тр. Воронеж: ВГЛТА. — 1998. — С.46−50.
Межов В.Е., Зольников В. К., Соловей Д. Е. Исследование механизмов отжига радиационных дефектов в биполярных ИМС // Оптимизация и моделирования в автоматизированных системах: Межвуз. сб. науч. трудов. Воронеж, -1998.-С. 105−110.
Моделирование поведения радиационно-стойких ИМС / В. Е. Межов,
B.К.Зольников, A.B. Межов // Актуальные проблемы анализа и обеспечение надежности и качества приборов, устройств и систем: Тез. докл. международной науч.-тех.конф. Пенза. — 1998. — С.64−66.
В.К.Зольников Прогнозирование стойкости ИМС, работающих в полях ионизирующего излучения // Проблемы обеспечения надежности и качества приборов, устройств и систем: Тез. докл. науч.-тех.конф. Воронеж. — 1998.1. C.48.
М.М.Малышев, В. Г. Малинин и др. Методология оценки радиационной надежности ИЭТ в условиях низкоинтенсивных ионизирующих излучений // Радиационно-надежностные характеристики ИЭТ в экстремальных условиях эксплуатации. -С-Пб, 1994.-С.4−15.
Эффекты космической радиации в микроэлектронике ТИИЭР, 1988.
Т.76, N11 (тематический выпуск).
Миллер Ю.М., Гуров К. П. Влияние температуры в условиях низкоинтенсивного гамма-излучения на электрические параметры микросхем // Радиаци-онно-надежностные характеристики ИЭТ в экстремальных условиях эксплуатации. -С-Пб, 1994.-С.36−40.
Lin J.J., Hwa J.G. Application of Irradiation then Anneal Treatment on the Improvement of Oxide Properties in Metal Oxide Semiconductor Capacitors. II Jap.J. Appl.Phys. Pt. 1 -1992. -V.31, N 5A. -P. 1290−1297.
Моделирование и расчет параметров радиационно-стойких ИМС/ Телец A.B., Малилин В. Г., Малышев М. М., Зольников В. К., Нисков В.Я./1 Радиационная стойкость электронных систем: Науч.-тех. сборник. М.: СПЭЛС-НИИП. — 1998. -С.23.
В.К. Зольников, Программное обеспечение для моделирования работоспособности ИМС в полях гамма-излучения малой мощности II Радиационная стойкость электронных систем: Науч.-тех. сборник. М.: СПЭЛС-НИИП. — 1998. -С.61.
Зольников В.К. Моделирование параметров радиационно-стойких ИМС //Тез. докл. науч.-тех.конф. Воронеж: ВГТУ, 1998. С. 48.
Зольников В.К. Оценка показателей стойкости и надежности биполярных ИМС, работающих в полях гамма-излучения малой мощности. // Тез. докл. науч.-тех.конф. Воронеж: ВГТУ, 1998. С. 49.
Система проектирования биполярных радиационно-стойких ИМС /В.Е.Межов, В. К. Зольников, Д. Е. Соловей, А. В. Межов. Воронеж. ВГЛТА, 1998. -255 с.
Лихолет Н.П., Зольников В. К. О применении в качестве изолирующих покрытий соединений, образующих непрерывный ряд твердых растворов // Полупроводниковая электроника: Межвуз. сбор. науч. тр. Воронеж: ВГПИ — 1985. — Т.239. — С.26−32.
Малинин В.Г. Радиационно-стойкие и надежные изделия электронной техники для народного хозяйства // Петербургский журнал электроники. 1993. -№ 1.-С.76−78.
Лопатин B.C., Харин В. Н., Межов В. Е. и др. Унифицированные программно-технические комплексы для САПР и ЭТ и СВТ // Электронная промышленность. -1994. -№ 4,5- Москва.- С. 211−215.
Левов Ю.А., Межов В. Е. и др. Системы ускоренного проектирования БИС //Электронная промышленность -1994.- № 4,5 С. 216−218.
Лопатин B.C., Межов В. Е. и др. Программное обеспечение системы ускоренного проектировния БИС // Электронная промышленность. -1994. -№ 4.5 -С. 145−149.
Аврашков П.П., Беляков Ю. И., Егоров Ю. Б. Входной язык и принципы организации транслятора системы САМРИС 11 // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника. -1978.-Вып.4 (76), -С.30−37.
Артемьев В.И., Строганов В. Ю. Разработка САПР: В 10 кн. Книга 5. Организация диалога в САПР // М.: Высш. шк. 1990. 162 с.
Климов В.Е. Разработка САПР. В 10 кн. Книга 5. Графические системы САПР // Под ред. Петрова A.B. М.: Высш. шк. 1990. 142 с.
Норенков И.П., Маничев В. Б. Системы автоматизированного прокти-рования электронной и вычислительной аппаратуры. -М.: Высш. шк. 1983. -272 с.
Савельев П.В., Конехин В. В. Автоматизация проектирования БИС. В 6 кн. Практическое пособие. Книга 2. Функциональное логическое проектирование БИС. Под ред. Казенкова Г. Г. М.: Высш. шк. 1984. 295с.
Селютин В.А. Автоматизация проектирования топологии БИС // М.: Радио и связь, 1983. -112 с.
Ю2.Рындин A.A., Межов A.B., Зибров A.A. Универсальная информационная среда проектирования для создания интегрированных САПР БИС // Вопросы радиоэлектроники. Серия ЭВТ. -1994. -Вып. 2. -С. 51−56.
ЮЗ.Рындин A.A., Чевычелов Ю. А., Межов A.B. Развитие графических средств системы ускоренного проектирования БИС // Высокие технологии в технике и медицине: Межвуз. сб. науч. тр.МУВТ. Воронеж, 1994. — С. 27−31.
Межов В.Е., Питолин В. М., Чевычелов Ю. А., Кононыхина H.A. Интерактивные графические средства подцержки проектирования МЭА : Учеб. пособие. Воронеж: Воронеж, гос. техн. ун-т. 1994. 104 с.
Межов A.B. Моделирование пользовательского графического интерфейса в системах ускоренного проектирования БИС // Оптимизация и моделирование в автоматизированных системах: Межвуз. сб. науч. тр.- Воронеж, 1994. -С. 169−173.
Межов В.Е., Медведкова И. Е. Некоторые особенности реализации пакета программ иерархического моделирования // Методы искусственного инте-лекта в САПР: Тез. докл. Всесоюзной школы-семинара молодых ученых. Гурзуф, 1990. -С. 74−77.
Межов В.Е., Кононыхина H.A. Программная среда событийного ускорителя логического моделирования // Методы искусственного интелекта в САПР: Тез. докл. Всесоюзной школы-семинара молодых ученых. Гурзуф, 1990. -С. 64−67.
Межов В.Е., Питолин В. М., Плотников В. В., Харин В. Н. Проектирование САПР и АРМ изделий электронной и вычислительной техники : Учеб. пособие. -Воронеж: Воронеж, политехи, тн-т, 1989. -101с.
Кононыхина H.A., Лопатин B.C., Межов A.B., Питолин В. М. Графический интерфейс системы ускоренного моделирования // Автоматизация проектирования РЭА и ЭВТ: Тезисы докладов региональной конференции. Пенза, 1992.-С. 40−41.
Дыбой В.А., Межов В. Е., Рындин A.A. Автоматизация функционально-логического проектирования микроэлектронных устройств и аппаратуры на мини-ЭВМ :Учеб. пособие. -Воронеж: Воронеж, политехи, ин-т. 1990. -78 с.
Толстых Б.Л., Талов И. Л., Харин В. Н., Межов В. Е., Черняев Ю. Н. Унифицированные интерактивные средства проектирования изделий электронной техники : -М.: Радио и связь, 1984. -136 с.
Базилевич Р.П. Декомпозиционные и топологические методы автоматизированного конструирования электрических устройств. -Львов:Высш. шк., 1981.-С.168.
Бененсон З.М., Кравченко C.B. Анализ электронных схем по методу функционального программирования // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника,-1975.-Вып.2. -С. 16−24.
Крон Г. Исследование сложных систем по частям диакоптика . -М.: Наука, 1972.-542 с.
Сергеев А.А. Алгоритм выделения повторного сходящихся и циклических путей в схемном графе// Вопросы радиоэлектроники. -1977. -N11. -С. 86−91.
Айверсен У. Аппаратный акселератор моделирования с быстродействием 1.1 млрд. событий в секунду//Электроника. -1987. -Т60. -N13. -С.83.
Сопроцессорная плата, утраивающая скорость работы систем на базе машин VAX // Электроника. -1987. -Т60. -N13. -С. 83.
Bloom М. More needed in accelerators for multilevel simulation // Computer Design. -1987. -V26. -N7. -P.26−32.
Byers guide to PCB CAE/CAD tools // Computer Design. -1987. -V26. -N12. -P. 81−89,92−113.
Сох P.A.O. Circuit partitioning for parallel processing // ICCD 86. P. 86−89.
Rao V.B. Trick T.N. Network partitioning and odering for MOS VLSI Circuits // IEEE Trans, on CAD. -1987. -V. CAD-6. -Nl. -P. 128−144.
Dash: V.A.O. Simulater drives digital designs // Computer Design. -1985. -V33. -N26. -P.97.
Dunn L. IBM s engineering design System support for VLSI design and verification// IEEE Design Test of Computers. -1984. -VI. -Nl. -P. 30−40.
Fzeeman E. Physical modeling system let you Plug ULSI chips in to your workstations logic // EDN. -1984. -N15. -P. 69.
Howard I.O.A. Introduction to the IBM Los-Gatos logic simulation Mahine // In Proc. IEEE Int. Conf. on Comput. Des.: VLSI in Computers. Ost., 1983.
Ishiura N.A.O. High-Speed logic simulation Using a vector // VLSI 85 Eisevier Science Publishers, 1986. -P. 73−82.
Jonson D. Simulation, Verification S test package for logic design // Electronic Engng. -1980. -V52. -N633. -P. 81, 85, 87,89.
Sazin H.A.O. Simulator environment handler mixed designs // Compufer Design. -1987. -V.26. -N2. -P.67−72.
Tang В., Munich S. Benchmarking steers logic simulation selection // Computer Design. -1986. -V.25. -N10. -P.69−73.
Буль В.А. Оперативные графические диалоговые системы и их применение // Зарубежная радио-электроника. -1985. -N1. -С. 57−85.
Сибиряков С.А., Одеянко Б. Н. Инженерные рабочие станции: стандартизация и унификация технических и программных средств // Обзоры по электронной технике, Вып. 4 (1157), М.: ЦНИИ «Электроника», 1985. -56 с.
Адаптация и обучение в системах управления и принятия решений. -Новосибирск: Наука, 1984. 205 с.
Лобанов Ю.И. Инструментальные средства экспертно-обучающих систем. М.: ИПИАН, 1988. -103 с.
Машбиц Е.И., Андриевская В. В., Комиссарова Е. Ю. Диалог в обучающей системе. -Киев: Высш. шк., 1989. -184 с.
Мухарский A.M., Зеленков Н. И., Карнилович В. Ю. Графическое обеспечение автоматизированной обучающей системы. М.: ВИИВШ, 1985. -132с.
Довгялло A.M., Ющенко Е. Л. Обучающие системы нового поколения //Управляющие системы и машины. -1988, -N1. -С. 83−86.
Талызина Н.Ф. Управление процессом усвоения знаний. -М.: Изд-во Моск. ун-та, 1985. -343 с.
Применение ЭВМ в учебном процессе. Методика обучения. Инструментальные системы. / Под ред. Петрова О. М. М.: ВЗМИ, 1986. -156 с.
Токарева B.C., Кольцова Н. Е., Руденко Т. К. Методика представления учебной информации в экспертно-обучающей системе. -М.: ИПИАН, 1988. -121с.
Баурн С. Операционная система Unix . -М.: Мир, 1986. -461 с.
Эванчук С.И. Широкие перспективы операционной системы Unix // Электроника. -1983. -Т56. -N15. -С. 24−31.
Радиационные эффекты в КМОП ИС / А. Ю. Никифоров, В. А. Телец,
A.И.Чумаков.-М.:Радио и связь, 1994. -164 с.
Методы разработки конструктивно-технологического базиса для создания радиационно-стойких ИМС / Малилин В. Г., Малышев М. М., Зольников
B.К., Нисков В .Я.// Радиационная стойкость электронных систем: Науч.-тех. сборник. М.: СПЭЛС-НИИП. — 1998. — С.24.

Заполнить форму текущей работой