Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Аномальный транспорт и спиновая динамика в двумерных полупроводниковых системах

Диссертация: Аномальный транспорт и спиновая динамика в двумерных полупроводниковых системах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В баллистических 2Б структурах с продольным размером меньше или порядка длины свободного пробега возникает ряд нетривиальных коллективных явлений. В частности, недавно было предсказано, что стационарное протекание тока в баллистическом полевом транзисторе (ПТ) может быть неустойчивым по отношению к возбуждению плазменных колебаний. Кроме того, баллистические ПТ могут демонстрировать узкий… Читать ещё >

Содержание

  • 1. Влияние классических и квантовых эффектов памяти на транспортные свойства двумерных систем
    • 1. 1. Аномальное отрицательное магнитоспротивление, вызванное немарковскими процессами
    • 1. 2. Интерференционная поправка к проводимости, обусловленная когерентным рассеянием на произвольный угол
    • 1. 3. Выводы
  • 2. Квазиклассическое описание спиновой динамики в двумерных системах
    • 2. 1. Релаксация спина по механизму Дьяконова-Переля в двумерных полупроводниковых системах
    • 2. 2. Замедление спиновой динамики, обусловленное немарковскими процессами
    • 2. 3. Выводы
  • 3. Квантовые спин-зависимые эффекты в двумерных системах
    • 3. 1. Влияние квантовой интерференции на спиновую релаксацию
    • 3. 2. Квантовая аномалия в эффекте Хапле
    • 3. 3. Слабая локализация и статистика уровней в системе с сильным спин-орбитальным взаимодействием
    • 3. 4. Выводы
  • 4. Электрон-фононное взаимодействие и туннельные эффекты в квантующих магнитных полях
    • 4. 1. Подвижность электрона в квантующих полях, обусловленная электрон-фононным взаимодействием
    • 4. 2. Полярон в ультраквантовом пределе
    • 4. 3. Туннелирование в краевое состояние образца, находящегося в режиме дробного КЭХ
    • 4. 4. Выводы
  • 5. Динамика плазменных волн в двумерных системах
    • 5. 1. Детектирование терагерцового излучения с помощью плазменных волн
    • 5. 2. Развитие плазменной неустойчивости в нелинейном режиме
    • 5. 3. Развитие плазменной неустойчивости в бесстолкновительном режиме
    • 5. 4. Кинетический механизм образования волны зарядовой плотности
    • 5. 5. Выводы
  • 6. Подвижные двумерные островки в композитных системах на основе полупроводников и пироэлектриков
    • 6. 1. Двумерный электронный островок в полупроводниковой грануле n-типа, помещенной в пироэлектрическую матрицу
    • 6. 2. Электронные и дырочные островки в гранулированных системах на основе собственных полупроводников и пироэлектриков
    • 6. 3. Оптические свойства гранулированной среды с подвижными электронными островками
    • 6. 4. Выводы

Аномальный транспорт и спиновая динамика в двумерных полупроводниковых системах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Впечатляющий прогресс, достигнутый и последние десятилетия в микроэлектронике, связан с использованием низкоразмерных полупроводниковых структур. Успехи современной напотехнологии позволяют контролируемым образом выращивать структуры с характерными размерами порядка нескольких постоянных решетки. С переходом на такие масштабы вступают в игру квантовые эффекты и становятся важными явления, связанные с дискретностью заряда электрона. В то же время, физика низкоразмерных систем может быть нетривиальна даже на классическом уровне.

Особое место в современной нанофизике занимают двумерные (20) полупроводниковые структуры. С одной стороны, именно в 20 квантовых ямах был обнаружен ряд ярких фундаментальных явлений, таких как квантовый эффект Холла (КЭХ), задавших магистральное направление развития физики конденсированного состояния. С другой стороны, 20 нолевые транзисторы рассматриваются как наиболее перспективные базовые элементы полупроводниковой микроэлектроники. Поэтому изучение 20 полупроводниковых наноструктур чрезвычайно важно как с фундаментальной, так и с прикладной точек зрения.

Простейший способ теоретического исследования транспортных свойств 20 систем основан на использовании кинетического подхода Друде-Больцмана. Этот подход, однако, позволяет лишь частично описать все богатство наблюдаемых в эксперименте явлений. Следует прежде всего отметить, что уравнение Больцмана не учитывает квантовые эффекты интерференции. Кроме того, в кинетическом подходе пренебрегается классическими эффектами «иамяти», которые обусловлены немарковским характером движения электронов.

Хотя первые работы, указывающие на важность немарковских эффектов в транспортных свойствах ЗБ и 2Б систем, появились достаточно давно (см. обзор [1] и работы [2, 3]), роль этих эффектов долгое время недооценивалась. В частности, практически незамеченной осталась работа [2], где было показано, что роль эффектов памяти в 20 системах существенно возрастает в магнитном поле. Всплеск интереса к немарковским транспортным явлениям, наблюдаемый в последние годы [4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16], был в значительной степени инициирован публикацией [5], где было предсказано экспоненциальное подавление проводимости 20 систем с плавным беспорядком в классически сильных магнит-пых полях. К моменту написания диссертационной работы было ясно осознано, что классические эффекты памяти могут приводить к аномальным транспортным и магпитотранспортным явлениям в 2Б системах. Достаточно подробно такие эффекты были изучены в классически сильных магнитных полях. В то же время, теория аномального транспорта в классически слабых полях отсутствовала. Актуальность построения такой теории связана, в первую очередь, с тем, что экспериментальное проявление пемарковских эффектов может быть очень похоже на проявление квантовых эффектов. Например, аномальное отрицательное магиито-сопротивление (МС) в слабых полях, обусловленное классическими эффектами памяти [13, 14, 15, 16], очень похоже на отрицательное МС, вызванное эффектом слабой локализации. Однако, в отличие от квантовых явлений, пемарковские эффекты не подавляются неупругим рассеянием и могут наблюдаться при достаточно высоких температурах. Для последовательного анализа имеющихся экспериментальных данных необходимо развить строгую теорию пемарковских эффектов памяти и проанализировать их связь с квантовыми эффектами, в частности, с эффектом слабой локализации.

Повышенный интерес к изучению спиновой динамики 20 электронов, наблюдаемый в последние годы, связан с возникновением новой области микроэлектроники.

— сцинтроники, которая ставит своей целью использовать электронный спин наравне с электронным зарядом [17]. Одна из главных задач спинтроиики состоит в том, чтобы сохранить неравновесный спин в течеиии достаточно долгого времени. В наиболее перспективных для микроэлектроники полупроводниках группы А3В5 решить эту задачу непросто, из-за наличия эффективного механизма спиновой релаксации (механизма Дьяконова-Переля [18]), обусловленного спиновым расщеплением зоны проводимости. Согласно этому механизму, скорость релаксации спина растет с увеличением подвижности и максимальна в особенно интересных для приложений структурах с высокими подвижностями. Поэтому представляется актуальным изучить возможные механизмы замедления спиновой релаксации. Такое замедление может быть обусловлено рядом причин, среди которых — пониженная симметрия 2 В систем по сравнению с трехмерными, эффекты квантовой локализации, а также классические немарковские эффекты памяти.

Поведение 2Б полупроводниковых систем в квантующих магнитных полях при очень низких температурах изучалось в огромном количестве работ, в основном в контексте целочисленного и дробного КЭХ. Значительно менее изучен режим промежуточных температур, когда температура, с одной стороны, еще мала по сравнению с расстоянием между уровнями Ландау, а с другой, уже достаточно высока, так что электрон-фонониое рассеяние доминирует над примесным. Актуальность изучения такого режима связана с тем, что в двумерных структурах с рекордными подвижностями, он реализуется в достаточно широком интервале температур (примерно от 10° К до 100° К). К моменту написания настоящей работы, теоретическое описание этого режима отсутствовало.

В баллистических 2Б структурах с продольным размером меньше или порядка длины свободного пробега возникает ряд нетривиальных коллективных явлений. В частности, недавно было предсказано, что стационарное протекание тока в баллистическом полевом транзисторе (ПТ) может быть неустойчивым по отношению к возбуждению плазменных колебаний [19]. Кроме того, баллистические ПТ могут демонстрировать узкий резонансный отклик па внешнее излучение [20]. Резонансы возникают на частотах плазменных гармоник. Для типичных значений параметров характерные частоты этих гармоник попадают в интересный для приложений терагерцовый диапазон. Отсюда ясна актуальность изучения баллистических 20 систем, связанная в первую очередь с возможностью создания эффективных источников и детекторов терагерцового излучения. В качестве одного из экспериментальных фактов, не имевших объяснения к моменту написания настоящей работы, следует отметить резкое (на два порядка) увеличение чувствительности ПТ, работающего в режиме детектирования, при протекании тока между истоком и стоком [21]. Кроме того, для сравнения теории с недавно появившимися экспериментами ио терагерцовому излучению из канала нолевых транзисторов (см. [22], а также ссылки в [22] и [А16]), принципиально важно изучить стационарный режим, возникающий в канале транзистора в результате развития неустойчивости. Представляется также актуальным исследовать другие системы, которые могут эффективно функционировать в терагерцовом интервале частот, в частности, гранулированные системы на основе полупроводниковых и пироэлектрических материалов. В таких системах, могут возникать 2Б электронные и дырочные островки, частоты коллективных колебаний которых лежат в терагерцовом интервале.

Цель работы: Теоретическое исследование аномального транспорта и спинзависимых явлений в 20 системах, а также изучение коллективной динамики двумерного газа в присутствии электрических и магнитных полей. Более конкретно, предполагалось:

1. Изучить влияние квантовых и классических эффектов памяти па магнито-трапенортные свойства 2 В систем в классически слабых магнитных нолях.

2. Построить теорию спиновой динамики в 20 полупроводниковых структурах с расщепленным по сшшу спектром. Исследовать роль эффектов памяти в спиновой релаксации.

3. Изучить особенности электроп-фононного взаимодействия в 2 В системе, иомещенной в квантующее магнитное поле.

4. Исследовать коллективную динамику и кинетические эффекты в 2Б системах, в частности, динамику развития плазменной неустойчивости. Исследовать возможность применения этих эффектов в терагерцовой электронике.

5. Изучить свойства 2 В электронных и дырочных островков, возникающих в гранулированных системах на основе полупроводников и пироэлектриков.

Научная новизна работы заключается в построении последовательной аналитической теории ряда транспортных, плазменных и спин-зависимых явлений в двумерных полупроводниковых системах.

Практическая ценность работы заключается в том, что полученные результаты позволили:

1. Выяснить оптимальные условия для сохранения неравновесной спиновой поляризации в двумерных системах. Это результат важен для практических приложений в области спинтроники.

2. Определить возможность детектирования терагерцового излучения в баллистических полевых транзисторах и найти ограничение на амплитуду плазменных колебаний, возникающих в результате токовой неустойчивости. Предложить кинетический механизм стратификации двумерного газа. Эти результаты могут быть использованы для создания полевых транзисторов, работающих в терагерцовом интервале частот.

3. Определить область параметров, при которых частоты коллективных колебаний электронных и дырочных островков в гранулированных системах па основе полупроводников и пироэлектриков оказываются в терагерцовом интервале частот. Это результат может быть использован в терагерцовой микроэлектронике.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. В классически слабых магнитных полях существует несколько режимов аномального отрицательного магпитосонротивления, обусловленного немарковскими процессами памяти. По мере увеличения поля магпитосопротивление меняется от квадратичного к квазилинейному, а затем насыщается.

2. Увеличение рассеяния назад, обусловленное эффектом слабой локализации, сопровождается уменьшением рассеяния па другие углы, так что полное сечение рассеяния не меняется.

3. В двумерных полупроводниках без центра инверсии скорость спиновой релаксации является тензором, компоненты которого зависят от ориентации плоскости квантовой ямы по отношению к кристаллографическим осям.

4. В системе со спин-расщепленным спектром релаксация спина замедляется эффектами слабой локализации и классической памяти, которые приводят к появлению долгоживущих «хвостов» в спиновой поляризации и к аномалии в эффекте Ханле. В структурах с плавным беспорядком сильное спиновое расщепление приводит к увеличению вдвое интерференционной поправки к проводимости.

5. В квантующих магнитных полях продольная подвижность электрона, обусловленная электрон-фононным взаимодействием, подавляется при высоких температурах за счет эффекта локализации в фононном потенциале.

6. Существует эффективный механизм двухступенчатого туннелирования в краевое состояние образца, находящегося в режиме дробного КЭХ, вовлекающий в качестве промежуточного звена локализованные состояния вблизи уровня Ферми. Этот механизм приводит к пеомической характеристике туннельного контакта.

7. Отклик полевого транзистора, работающего в режиме детектирования те-рагерцового излучения, резко возрастает при протекании постоянного тока. Ширина линии детектирования сужается по мере увеличения тока и обращается в ноль на пороге плазменной неустойчивости. Возникновение неустойчивости сопровождается резким скачком дифференциального сопротивления.

8. В гранулированной системе, состоящей из полупроводниковых гранул, внедренных в пироэлектрическую матрицу, возникают двумерные электронные и дырочные островки, которые могут двигаться как целое по поверхности гранул. Характерные частоты коллективных колебаний таких островков лежат в терагерцовом интервале частот.

Апробация работы. Основные результаты работы были представлены на следующих конференциях: Международная конференция «Modern Trends in Theoretical Physics», Институт Теоретической Физики им. Л. Д. Ландау, Москва, Россия (1995) (приглашенный доклад) — Международная конференция «Transport and Localization in Semiconductors», Польша, Варшава (1996) — Международная школа «Supersyinmetry and Trace Formulae», Кембридж, Англия (1997) — Международная конференция «ICPS'24, 24-th International Conference on Physics of Semiconductors», Иерусалим, Израиль (1998) — Международная конференция «17th General Conference of the Condensed Matter Division of European Physical Society», Гренобль, Франция (1998) — Международная конференция «Physics at the turn of 21-th century», Ст.-Петербург (1998) (приглашенный доклад) — Международная школа «Advanced Workshop on Frontiers in Electronics, WOFE», Гренобль, Франция (1999) — Международная конференция «International Conference on Low Temperature Physics LT22», Хельсинки (1999) — Международная конференция «10th Int. Conf. on THz Electronics», Кембридж, Англия (2002)(приглашенный доклад) — Международная школа «The 7th Wide Bandgap Ill-Nitride Workshop», Ричмонд, США (2002) — Международные симпозиумы «Naiiostructures: Physics and Technology», Санкт-Петербург, Россия (1997, 2002, 2003, 2004, 2005, 2006) — Международцая школа «NATO Advanced Workshop», Санкт-Петербург, Россия, (2003, приглашённый доклад), (2004, 2005, 2006) — а также на семинарах Международного Центра Теоретической Физики (Триест, Италия), НОРДИТы (центр теоретической физики в Копенгагене, Дания), отделов теории твердого тела Университета Лунда и Уннсалы (Швеция), отдела теории твердого тела Университета Карлсруэ (Германия) и па семинарах различных лабораторий ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН.

Исследования в данном направлении были многократно поддержаны Российским Фондом Фундаментальных Исследований, грантами ИНТАС, грантами отделений РАН и грантом ведущих научных школ (школа В.И. Переля).

По результатам исследований, составляющих содержание диссертации, опубликовано 29 научных работ, список которых приведен в конце диссертации.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, 6 глав, заключения, списка литературы и 5 приложений. Объем диссертации составляет 253 страницы, включая 45 рисунков.

Список литературы

содержит 167 наименования.

Основные результаты, полученные в настоящей работе, можно сформулировать следующим образом:

1. Развит последовательный метод расчета немарковских поправок к кинетическим коэффициентам. На основе этого метода построена строгая теория аномального МС в системе с сильными рассеивающими центрами. Предсказано несколько режимов аномального МС.

2. Изучена квантовая поправка к проводимости, связанная с когерентным рассеянием на произвольный угол. Показано, что эта поправка существенна в баллистическом режиме слабой локализации, когда интерференционный вклад в проводимость определяется короткими путями с длиной порядка нескольких длин пробега.

3. Предложен общий подход, позволяющий выразить как квантовые, так и классические поправки к проводимости в терминах изменения эффективного сечения рассеяния на одной примеси.

4. Изучена релаксация спина в 2 В полупроводниках без центра инверсии. Показано, что в классическом приближении скорость спиновой релаксации является тензором, компоненты которого зависят от ориентации плоскости квантовой ямы по отношению к кристаллографическим осям. Также показано, что в симметричной квантовой яме, выращенной в направлении (110), компонента спина, перпендикулярная плоскости ямы, не релаксирует.

5. Продемонстрировано, что спиновая релаксация замедляется эффектами квантовой интерференции и классической «памяти». Предсказана аномальная полевая зависимость эффекта Ханле в режиме слабой локализации.

6. Показано, что в системе с сильным спин-орбитальным расщеплением спектра квантовая поправка к проводимости, обусловленная эффектом слабой локализации, увеличивается в два раза.

7. Изучено взаимодействие электронов с фононами в квантующих магнитных полях. Показано, что продольная подвижность электрона, обусловленная электрон-фононным рассеянием, немонотонно зависит от температуры: при малых температурах подвижность растет, затем стабилизируется па некотором уровне, не зависящем от магнитного поля, и в дальнейшем медленно падает с температурой. Спад подвижности при высоких температурах обусловлен эффектом локализации электронов на фонопном потенциале. Показано также, что в пределе очень сильных полей электрон-фопонпое взаимодействие расщепляет уровни Ландау в серии бесконечно вырожденных подуровней.

8. Предложен механизм двухступенчатого туннелирования в краевое состояние образца, находящегося в режиме дробного КЭХ.

9. Исследовано влияние тока па детектирование терагерцового излучения плазменными волнами, распространяющимися в канале полевого транзистора.

Продемонстрировано, что даже очень маленький ток приводит к резкому увеличению чувствительности детектора. Показано, что в резонансном режиме ширина линии детектирования сужается по мере увеличения тока и обращается в ноль на пороге возникновения плазменной неустойчивости.

10. Исследован нелинейный режим развития плазменной неустойчивости в канале полевого транзистора. Показано, что амплитуда нелинейных колебаний, возникающих в результате развития неустойчивости, пропорциональна корню квадратному из инкремента неустойчивости. При больших инкрементах в канале возникает скачкообразное распределение поля и заряда, аналогичное ударной волне в гидродинамике. Предсказана аналогичная неустойчивость в бесстолкновительной плазме.

11. Показано, что на пороге возникновения плазменной неустойчивости дифференциальное сопротивление транзистора испытывает резкий скачок.

12. Предложен механизм стратификации электронного газа в сильном электрическом поле.

13. Изучены статические и динамические свойства двумерных электронных и дырочных островков, возникающих в гранулированных нитридных системах.

В заключение, выражаю глубокую признательность моему учителю и руководителю кандидатской диссертации Михаилу Игоревичу Дьяконову, оказавшему неоценимое влияние на всю мою научную деятельность. Я также благодарен А. П. Дмитриеву, И. В. Горному, В. В. Шеянову и И. С. Любинскому, в соавторстве с которыми была выполнена большая часть работ, на которых основана диссертация, и В. И. Перелю за полезные советы и обсуждение результатов работы.

Заключение

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. E.H. Hauge // in Tiunsport Phenomena, eds. G. Kirczenow and J. Marro, Lecture Notes in Physics, 1.s. 31, p. 337., Springer, New York (1974).
  2. Э.М. Баскин, Л. И. Магарилл, M.B. Энтин, «Двумерная электрон-примесная система в магнитном ноле"// ЖЭТФ, 48, в. 2, с. 365−370 (1978).
  3. Д.Г. Поляков, «Влияние корреляций в акте рассеяния на диффузию электрона в классически сильных магнитных полях"// ЖЭТФ, 90, в. 2, с. 546−552 (1986).
  4. A.V. Bobylev, F.A. Маа0 А. Hansen, and E.H. Hauge, «Two-Dimensional Magnetotransport According to the Classical Lorentz Model"// Phys. Rev. Lett., 75, Iss. 2, pp. 197−200 (1995).
  5. M. Fogler, A. Dobin, V. Perel, and B. Shklovskii, «Suppression of chaotic dynamics and localization of two-dimensional electrons by a weak magnetic field"// Phys. Rev. B, 56, Iss. 11, pp. 6823−6838 (1997).
  6. E.M. Baskin and M.V. Entin, «Magnetic localization of classical electrons in 2D disordered lattice"// Physica B, 249, pp. 805−808 (1998).
  7. A. Kuzmany and H. Spohn, «Magnetotransport in the two-dimensional Lorentz gas"// Phys. Rev. E, 57, Iss. 5, pp. 5544−5553 (1998).
  8. A.D. Mirlin, J. Wilke, F. Evers, D.G. Polyakov, and P. Wolfle, «Strong Magnetoresistance Induced by Long-Range Disorder"// Phys. Rev. Lett., 83, Iss. 14, pp. 2801−2804 (1999).
  9. A.D. Mirlin, D.G. Polyakov, F. Evers, and P. Wolfle, «Quasiclassical Negative Magnetoresistance of a 2D Electron Gas: Interplay of Strong Scatterers and Smooth Disorder"// Phys. Rev. Lett., 87, Iss. 12, pp. 126 805−126 808 (2001).
  10. D.G. Polyakov, F. Evers, A.D. Mirlin, and P. Wolfle, «Quasiclassical magnetotransport in a random array of antidots"// Phys. Rev. B, 64, Iss. 20, pp. 205 306−205 324 (2001).
  11. D.G. Polyakov, F. Evers, and I.V. Gornyi, «Cyclotron resonance in antidot arrays"// Phys. Rev. B, 65, Iss. 12, pp. 125 326−125 333 (2002).
  12. A. Dinitriev, M. Dyakonov, and R. Jullien, «Classical mechanism for negative magnetoresistance in two dimensions"// Phys. Rev. B, 64, Iss. 23, pp. 233 321 233 324 (2001).
  13. A. Dmitriev, M. Dyakonov, and R. Jullien, «Anomalous Low-Field Classical Magnetoresistance in Two Dimensions"// Phys. Rev. Lett., 89, Iss. 26, pp. 266 804 266 807 (2002).
  14. G. Gusev, P. Basmaji, Z. Kvoii, L. Litvin, Yu. Nastaushev, and A. Toporov, «Negative magnetoresistance and anomalous diffusion of two-dimensional electrons in a disordered array of antidots"// Surface Science, 305, Iss. 1−3, pp. 443−447 (1994).
  15. N.M. Sotomayor, G.M. Gusev, J.R. Leite, A.A. Bykov, A.K. Kalagin, V.M. Kudryashev, and A.I. Toporov, «Negative linear classical magnetoresistance in a corrugated two-dimensional electron gas», // Phys. Rev. B, 70, Iss. 23, pp. 235 326−235 331 (2004).
  16. H. Cho, G.M. Gusev, Z.D. Kvon, V.T. Renard, J. Lee, and J. Portal, «Negative quasiclassical magnetoresistance in a high density two-dimensional electron gas in a AlzGai-zN/GaN heterostructure"// Phys. Rev. B, 71, Iss. 24, pp. 245 323 245 329 (2005).
  17. Semiconductor Spintronics and Quantum Computation, eds. D.D. Awschalom, D. Loss, and N. Samarth, Springer-Verlag, Berlin, (2002).
  18. М.И. Дьяконов, В. И. Перель, «Спиновая релаксация электронов проводимости в полупроводниках без центра инверсии"// ФТТ, 13, в. 12, с. 3581−3585 (1971).
  19. M.I. Dyakonov and M.S. Shur, «Shallow water analogy for a ballistic field effect transistor: New mechanism of plasma wave generation by dc current"// Phys. Rev. Lett., 71, Iss. 15, pp. 2465−2468 (1993).
  20. M.I. Dyakonov and M.S. Shur, «Detection, mixing, and frequency multiplication of terahertz radiation by two-dimensional electronic fluid"// IEEE Transaction on Electron Devices, 43, Iss. 3, pp. 380−387 (1996).
  21. J. Lu and M.S. Shur, «Terahertz detection by high-electron-mobility transistor: Enhancement by drain bias"// Appl. Phys. Lett., 78, Iss.17, pp. 2587−2588 (2001).
  22. B.L. Altshuler, D. Khmelnitskii, A.I. Larkin, and P.A. Lee, «Magnetoresistance and Hall effect in a disordered two-dimensional electron gas"// Phys. Rev. B, 22, Iss. 11, pp. 5142−5153 (1980).
  23. P.A. Lee and T.V. Ramakrishnan, «Disordered electronic systems», Rev. Mod. Phys., 57, Iss. 2, pp. 287−337 (1985).
  24. J. Dorfman and E. Cohen, «On the density expansion of the pair distribution function for a dense gas not in equilibrium"// Phys. Lett., 16, Iss. 2, pp. 124−125 (1965).
  25. J. Leeuwen and A. Weiland, «Non-analytic density behaviour of the diffusion coefficient of a Lorentz gas"// Physica, 36, Iss. 3, pp. 457−490 (1967).
  26. P. Пайерлс // Сюрпризы в теоретической физике, Москва, Наука (1988).
  27. R. Zwanzig, «Method for Finding the Density Expansion of Tr ansport Coefficients of Gases"// Phys. Rev. B, 129, Iss. 1, pp. 486−494, (1963).
  28. Л.П. Горьков, А. И. Ларкин, Д. Е. Хмельницкий, «Проводимость частицы в двумерном случайном потенциале"// Письма в ЖЭТФ, 30, с. 248−254 (1979).
  29. S. Ilikami, A.I. Larkin, and Y. Nagaoka, «Spin-Orbit Interaction and Magnetoresistance in the Two Dimensional Random System"// Prog. Theor. Phys., 63, Iss. 2, pp. 707−710 (1980).
  30. В.М. Гаспаряп, А. Ю. Зюзин, «О полевой зависимости аномального магнето-сопротивления"// ФТТ, 27, в. 6, с. 1662−1664 (1985).
  31. M.I. Dyakonov, «Magnetoconductance due to weak localization beyond the diffusion approximation: The high-field limit"// Solid State Com., 92, Iss. 8, pp. 711−714 (1994).
  32. M.B. Hastings, A.D. Stone, H.U. Baranger, «Inequivalence of weak localization and coherent backscattering"// Physical Review B, 50, Iss. 12, pp. 8230−8244 (1994)
  33. S. Chakravarty and A. Schmid, «Weak localization: the quasiclassical theory of electrons in a random potential"// Physic Reports, 140, Iss. 4, pp. 193−236 (1986).
  34. A. Kawabata, «On the Field Dependence of Magnetoresistance in Two-Dimensional Systems"// J. Phys. Soc. Japan, 53, Iss. 10, pp. 3540−3544 (1984).
  35. S. McPhail, C.E. Yasiu, A.R. Hamilton, M.Y. Simmons, E.H. Linfield, M. Pepper, and D.A. Ritchie, «Weak localization in high-quality two-dimensional systems"// Phys. Rev. B, 70, Iss. 24, pp. 245 311−245 326 (2004).
  36. T.R. Kirkpatrick, «Anderson localization and derealization in an electric field"// Physical Review B, 33, Iss. 2, pp. 780−788 (1986).
  37. S. Hershfield and V. Ambegaokar, «Transport equation for weakly localized electrons"// Physical Review B, 34, Iss. 4, pp. 2147−2151 (1986).
  38. G. Dresselhaus, «Spin-Orbit Coupling Effects in Zinc Blende Structures"// Phys. Rev., 100, Iss. 2, pp. 580−586 (1955).
  39. Ю.А. Бычков, Э. И. Рашба, «Свойства двумерного электронного газа со снятым вырождением спектра"// Письма в ЖЭТФ, 39, в. 2, с. 66−69 (1984).
  40. F.G. Pikus and G.E. Pikus, «Conduction-band spin splitting and negative magnetoresistance in A3B5 heterostructures"// Phys. Rev. B, 51, Iss. 23, pp. 16 928−16 935 (1995).
  41. N.S. Averkiev and L.E. Golub, «Giant spin relaxation anisotropy in zinc-blende heterostructures"// Phys. Rev. B, 60, Iss. 23, pp. 15 582−15 584 (1999).
  42. Y. Ohno, R. Terauchi, T. Adachi, F. Matsukura, and H. Ohno, «Spin Relaxation in GaAs (110) Quantum Wells"// Phys. Rev. Lett., 83, pp. 4196−4199 (1999).
  43. O.Z. Karimov, G.H. John, R.T. Harley, W.H. Lau, and M.E. Flatted, «High Temperature Gate Control of Quantum Well Spin Memory"// Phys. Rev. Lett., 91, Iss. 24, pp. 246 601−246 604 (2003).
  44. T. Adachi, Y. Ohno, F. Matsukura and H. Ohno, «Spin relaxation in n-modulation doped GaAs/AlGaAs (110) quantum wells"// Physica E (Amsterdam), 10, Iss. 1, pp. 36−39 (2001).
  45. W.H. Lau and M.E. Flatte, «Tunability of electron spin coherence in III-V quantum wells"// J. Appl. Phys., 91, Iss. 10, pp. 8682−8684 (2002).
  46. O.Z. Karimov, G.H. John, R.T. Harley, W.H. Lau, M.E. Flatte, M. Henini, and R. Airey, «High Temperature Gate Control of Quantum Well Spin Memory"// Phys. Rev. Lett., 91, Iss. 24, pp. 246 601−246 604 (2003).
  47. K.C. Hall, K. Gundodu, E. Altunkaya, W.H. Lau, M.E. Flatte, T.F. Boggess, J.J. Zinck, W.B. Barvosa-Carter, and S.L. Skeith, «Spin relaxation in (110) and (001) InAs/GaSb superlattices"// Phys. Rev. B, 68, Iss. 11, pp. 115 311−115 316 (2003).
  48. S. Dohrmann, D. Hagele, J. Rudolph, M. Bichler, D. Schuh, and M. Oestreich, «Anomalous Spin Dephasing in (110) GaAs Quantum Wells: Anisotropy and Intersubband Effects"// Phys. Rev. Lett., 93, Iss. 14, pp. 147 405−147 408 (2004).
  49. A.A. Kisilev and K.W. Kim, «Suppression of Dyakonov-Perel Spin Relaxation in 2D Channels of Finite Width"// Phys. Status Solidi (b), 221, Iss. 1, pp. 491−494 (2000).
  50. J. Schliemann, J.C. Egues, and D. Loss, «Nonballistic Spin-Field-Effect Transistor"// Phys. Rev. Lett., 90, Iss. 14, pp. 146 801−146 804 (2003).223
  51. J. Schliemann and D. Loss, «Anisotropic transport in a two-dimensional electron gas in the presence of spin-orbit coupling"// Phys. Rev. B, 68, Iss. 16, pp. 165 311 165 319 (2003).
  52. A. Malinowski, R.S. Britton, T. Grevatt, R.T. Harley, D.A. Ritchie, and M.Y. Simmons, «Spin relaxation in GaAs/AlxGaixAs quantum wells"// Phys. Rev. B, 62, Iss. 19, pp. 13 034−13 039 (2000).
  53. W.H. Lau, J.T. Olesberg, and M.E. Flatted, «Electron-spin decoherence in bulk and quantum-well zinc-blende semiconductors"// Phys. Rev. B, 64, Iss. 16, pp. 161 301−161 304 (2001).
  54. W.H. Lau and M.E. Flatter', «Tunability of electron spin coherence in III-V quantum wells"// J. Appl. Phys., 91, Iss. 10, pp. 8682−8684 (2002).
  55. M.H. Ernst and A. Weyland, «Long time behaviour of the velocity auto-correlation function in a Lorentz gas"// Phys. Lett. 34 A, Iss. 1, pp. 39−40 (1971).
  56. A. Dniitriev, M. Dyakonov, and R. Jullien, «Non-Boltzmann classical correction to the velocity auto-correlation function for isotropic scattering in two dimensions"// Phys. Rev. B, 71, Iss. 15, pp. 155 333−155 332 (2005).
  57. Ю.М. Гальперин, В. И. Козуб, «Классическая мезоскопика"// ЖЭТФ, 100, в. 1, с. 328−333 (1991).
  58. J. Schliemann, J.С. Egues, and D. Loss, «Nonballistic Spin-Field-Effect Transistor"// Phys. Rev. Lett., 90, Iss. 14, pp. 146 801−146 804 (2003).
  59. L.S. Levitov and E.I. Rashba, «Dynamical spin-electric coupling in a quantum dot"// Phys. Rev. B, 67, Iss. 11, pp. 115 324−115 329 (2003).
  60. F. Evers, A.D. Mirlin, D.G. Polyakov, and P. Wolfie, «Memory effects in two-dimensional metals"// УФН (Прилож.), 171, с. 27−29 (2001).
  61. М.М. Глазов, E.JI. Ивченко, «Прецессионный механизм спиновой релаксации при частых электрон-электронных столкновениях"// Письма в ЖЭТФ, 75, в. 8, с. 476−480 (2002).
  62. A. Singh, «Constructive interference with rotated spin-½ particles: Localization effects on spin relaxation and diffusion"// Phys. Rev. B, 40, Iss. 1, pp. 783−785 (1989).
  63. A.G. Mal’shukov, K.A. Chao and M. Willander, «Quantum Localization Effects on Spin Transport in Semiconductor Quantum Wells with Zinc-Blende Crystal Structure"// Phys. Rev. Lett., 76, Iss. 20, pp. 3794−3797 (1996).
  64. A.G. Mal’shukov, K.A. Chao, and M. Willander, «Weak localization effects on spin relaxation of excitons in quantum wells"// Phys. Rev. B, 52, Iss. 7, pp. 5233−5242 (1995).
  65. J. Nitta, T. Akazaki, H. Takayanagi, and T. Enoki, «Gate Control of Spin-Orbit Interaction in an Inverted Ino.53Gao.47As/Ino.52Alo.48As Heterostructure"// Phys. Rev. Lett., 78, Iss. 7, pp. 1335−1338 (1997).
  66. G. Strinati, C. Castelani, C. Di Castro, «Kinetic equation for strongly disordered: Noninteracting electrons"// Phys. Rev. B, 40, Iss. 18, pp. 12 237−12 254 (1989).
  67. Н.Я. Вилепкин, Специальные функции и теория представлений групп, Москва, Наука (1965).
  68. М. Хаммермеш, Теория групп и ее прилоо1сеиие к физическим проблемам, Москва, Мир (1966).
  69. Optical orientation, eds. F. Meier and B.P. Zakharchenya, North Holland, Amsterdam (1984).
  70. S. Hikami, A.I. Larkin, Y. Nagaoka, «Spin-Orbit Interaction and Magnetoresistance in the Two Dimensional Random System"// Progr. Theor. Phys., 63, Iss. 2, pp. 707−710 (1980).
  71. M.A. Skvortsov, «Weak antilocalization in a 2D electron gas with the chiral splitting of the spectrum"// Письма в ЖЭТФ, 67, в. 2, с. 118−122 (1998).
  72. Y.B. Lyanda-Geller, «Quantum Interference and Electron-Electron Interactions at Strong Spin-Orbit Coupling in Disordered Systems"// Phys. Rev. Lett., 80, Iss. 19, pp. 4273−4276 (1998).
  73. B.L. Altshuler and A.G. Aronov, in Electron-Electron Interactions in Disordered Systems, eds. A.L. Efros and M. Pollak, North-Holland, Amsterdam (1985).
  74. S.V. Kravchenko, G.V. Kravchenko, J.E. Furneaux, V.M. Pudalov, and M. D’lorio, «Possible metal-insulator transition at B=0 in two dimensions"// Phys. Rev. B, 50, Iss. 11, pp. 8039−8042 (1994).
  75. Y. Hanein, U. Meirav, D. Shahar, C.C. Li, D.C. Tsui, and H. Shtrikman, «The Metalliclike Conductivity of a Two-Dimensional Hole System"// Phys. Rev. Lett., 80, Iss. 6, pp. 1288−1291 (1998).
  76. E. Abrahams, P.W. Anderson, D.C. Licciardello, and T.V. Ramakrishnan, «Scaling Theory of Localization: Absence of Quantum Diffusion in Two Dimensions"// Phys. Rev. Lett., 42, Iss. 10, pp. 673−676 (1979).
  77. V. Dobrosavljevic, E. Abrahams, E. Miranda, and S. Chakravarty, «Scaling Theory of Two-Dimensional Metal-Insulator Transitions"// Phys. Rev. Lett., 79, Iss. 3, pp. 455−458 (1997).
  78. D. Belitz and T.R. Kirkpatrick, «Possible triplet superconductivity in MOSFETs"// Phys. Rev. B, 58, Iss. 13, pp. 8214−8217 (1998).
  79. C. Castellani, C. Di Castro, and P.A. Lee, «Metallic phase and metal-insulator transition in two-dimensional electronic systems"// Phys. Rev. B, 57, Iss. 16, pp. R9381-R9384 (1998).
  80. B.L. Altshuler and A.G. Aronov, «Fermi-liquid theory of the electron-electron interaction effects in disordered metals"// Solid State Comm., 46, Iss. 6, pp. 429 435 (1983).
  81. II. Fukuyama in «Electron-electron interactions in disordered systems», eds. A.L. Efros and M. Pollak, North-Holland, Amsterdam (1985).
  82. D. Rainer and G. Bergmann, «Multiband effects in weak localization"// Phys. Rev. B, 32, Iss. 6, pp. 3522−3529 (1985).
  83. P. Woelfle and R.N. Bhatt, «Electron localization in anisotropic systems"// Phys. Rev. B, 30, Iss. 6, pp. 3542−3544 (1984).
  84. H.C. Аверкиев, JI.E. Голуб, Г. Е. Пикус, «Слабая локализация в полупроводниковых структурах с сильным спин-орбитальным взаимодействием"// ЖЭТФ, 113, в. 4, с. 1429−1446 (1998).
  85. Й. Имри, Введение в мезоскотшческую физику, Москва, Физматлит (2002).
  86. Л.П. Горьков, Г. М. Элиашберг, «Мелкие металлические частицы в электромагнитном поле"// ЖЭТФ, 48, 1406−1410 (1965).
  87. Е.Р. Wigner, «Statistical distribution of the widths and spacings of nuclear resonance levels», Proc. Cambridge Philos. Soc., 47, pp. 790−797 (1951).
  88. K.B. Efetov, «Supersymmetry and theory of disordered metals"// Adv. Phys., 32, Iss. 1, pp. 53−127 (1983).
  89. Б.Л. Альтшулер, Б. И. Шкловкий, «Отталкивание уровней и проводимость маленьких металлических частиц"// ЖЭТФ, 91, в. 1, с. 220−231 (1986).
  90. S. Hikami, «Anderson localization in a nonlinear-cr-model representation"// Phys. Rev. В., 24, Iss. 5, pp. 2671−2679 (1981).
  91. А. Бычков, C.B. Иорданский, Г. М. Элиашберг, «Проводимость двумерных электронов в сильном магнитном поле"// Письма в ЖЭТФ, 34, в. 9, с. 496−499 (1981).
  92. Ю.В. Гребенщиков, «Электрический ток в двумерных электрон-фононных системах в квантующих магнитных полях"// ФТТ, 26, в. 6, с. 1767−1770 (1984).
  93. D.G. Polyakov and B.I. Shklovskii, «Activated conductivity in the quantum Hall effect"// Phys. Rev. Lett., 73, Iss. 8, pp. 1150−1153 (1994).
  94. I.G. Lang, V.I. Belitsky, A. Cantarero, L.I. Korovin, S.T. Pavlov, and M. Cardona, «Magnetopolaron-induced increase of the efficiency in two-LO-phonoii Raman scattering from quantum wells"// Phys. Rev. B, 54, Iss. 17, pp. 17 768−17 778 (1996).
  95. X. Wu and F. Peeters, «Magnetophonon resonance in the energy relaxation of electrons in a quantum well"// Phys. Rev. B, 55, pp. 9333−9335 (1997).
  96. S.C. Lee, Y.B. Kang, D.C. Kim, Y.Y. Ryu, N.L. Kang, and S. D. Choi, «Magnetophonon and electrophonon resonances in quantum wires"// Phys. Rev. B, 55, Iss. 11, pp. 6719−6722 (1997).
  97. L.S. Kukushkin, D.G. Radchenko, and A.V. Frentiy, «Electron-phonon intercation in strong magnetic field"// Physics of Low Temperatures, 20, Iss. 2, pp. 448−452 (1994).
  98. J.T. Chalker and P.D. Coddington, «Percolation, quantum tunnelling and the integer Hall effect"// J. Phys. C, 21, Iss. 14, pp. 2665−2679 (1988).
  99. B. Huckestein and B. Kramer, «One-parameter scaling in the lowest Landau band: Precise determination of the critical behavior of the localization length"// Phys. Rev. Lett., 64, Iss. 12, pp. 1437−1440 (1990).
  100. Y. Huo and R.N. Bhatt, «Current carrying states in the lowest Landau level"// Phys. Rev. Lett., 68, Iss. 9, pp. 1375−1378 (1992).
  101. J.T. Chalker and G.J. Daniell, «Scaling, diffusion, and the integer quantized Hall effect"// Phys. Rev. Lett., 61, Iss. 5, pp. 593−596 (1988).
  102. B.L. Altshuller, A.G. Aronov, and D.E. Khmelnitsky, «Suppression of localization effects by the high frequency field and the Nyquist noise"// Solid State Coininun., 39, Iss. 5, pp. 619−623 (1981).
  103. Wu Xiaoguang, F.M. Peeters, and J.T. Devreese, «Two-dimensional polaron in a magnetic field"// Phys. Rev. B, 32, Iss. 12, pp.7964−7969 (1985).
  104. C. Kane, M. Fisher, and J. Polchinski, «Randomness at the edge: Theory of quantum Hall transport at filling x/=2/3"// Phys. Rev. Lett., 72, Iss. 26, pp. 4129−4132 (1994).
  105. X.G.Wen, «Chiral Luttinger liquid and the edge excitations in the fractional quantum Hall states"// Phys. Rev. B, 41, Iss. 18, pp. 12 838−12 844 (1990).
  106. X.G. Wen and A. Zee, «Classification of Abelian quantum Hall states and matrix formulation of topological fluids"// Phys. Rev. B, 46, Iss. 4, pp. 2290−2301 (1992).
  107. A. Shytov, L. Levitov, and B. Halperin, «Tunneling into the Edge of a Compressible Quantum Hall State"// Phys. Rev. Lett., 80, Iss. 1, pp. 141−144 (1998).
  108. M. Grayson, D.C. Tsui, L.N. Pfeiffer, K.W. West, and A.M. Chang, «Continuum of Chiral Luttinger Liquids at the Fractional Quantum Hall Edge"// Phys. Rev. Lett., 80, Iss. 5, pp. 1062−1065 (1998).
  109. J. Han and D. Thouless, «Dynamics of compressible edge and bosonization"// Phys. Rev B, 55, pp. R1926-R1929 (1997).
  110. A. Lopez and E. Fradkin, «Universal structure of the edge states of the fractional quantum Hall states"// Phys. Rev. B, 59, Iss. 23, pp. 15 323−15 331 (1999).
  111. U. Ziilicke and A.H. MacDonald, «Periphery deformations and tunneling at correlated quantum Hall edges"// Phys. Rev. B, 60, Iss. 3, pp. 1837−1841 (1999).
  112. B.A. Волков, С. А. Михайлов // ЖЭТФ, 94, 217 (1988).
  113. В.А. Волков, С. А. Михайлов, «Краевые мапштоплазмоны — низкочастотные слабозатухающие возбуждения в неоднородных двумерных системах"// ЖЭТФ, 94, с. 217−225 (1988).
  114. I.L. Aleiner and L.I. Glazman,"Novel edge excitation of two-dimensional electron liquid in a magnetic field"// Phys. Rev. Lett. 72, Iss.18, pp. 2935−2938 (1994)
  115. G.D. Mahan, Many-Particle Physics, Plenium, New York (1981).
  116. S. Conti and G. Vignale, «Bosonization of the two-dimensional electron gas in the lowest Landau level"// cond-inat/9 801 318 (1998).
  117. S. Conti and G. Vignale, «Collective modes and electronic spectral function in smooth edges of quantum hall systems"// Phys. Rev. B, 54, Iss. 20, pp. R14309-R14312, (1996).
  118. A.B. Чаплик, «Возможная кристаллизация носителей заряда в инверсионных слоях малой плотности"// ЖЭТФ, 62, в. 2, с. 746−753 (1972).
  119. М. Dyakonov and M.S. Shur, «Choking of electron flow: A mechanism of current saturation in field-effect transistors"// Phys. Rev. B, 51, Iss. 20, pp. 14 341−14 345 (1995).
  120. S.J. Allen, D.C. Tsui, and R.A. Logan, «Observation of the Two-Dimensional Plasmon in Silicon Inversion Layers"// Phys. Rev. Lett., 38, Iss. 17, pp. 980−983 (1977).
  121. D.C. Tsui, E. Gornik, and R.A. Logan, «Far infrared emission from plasma oscillations of Si inversion layers"// Solid State Comm., 35, Iss. ll, pp. 875−877 (1980).
  122. R. Weikle, J. Lu, M.S. Shur, and M.I. Dyakonov, «Detection of microwave radiation by electronic fluid in high electron mobility transistors"// Electronics Letters, 32, Iss. 23, pp. 2148−2149 (1996).
  123. J. Lu, M.S. Shur, J.L. Hesler, L. Sun, and R. Weikle, «Terahertz detector utilizing two-dimensional electronic fluid"// IEEE Electron Device Letters, 19, Iss. 10, pp. 373−375 (1998).
  124. P.J. Burke, I.B. Spielman, J.P. Eisenstein, L.N. Pfeiffer, and K.W. West, «High frequency conductivity of the high-mobility two-dimensional electron gas"// Appl. Phys. Lett., 76, Iss. 6, pp. 745−747 (2000).
  125. W. Knap, S. Rumyantsev, J. Lu, M. Shur, C. Saylor, and L. Brunei, «Resonant detection of subterahertz radiation by plasma waves in a submicron field-effect transistor"// Appl. Phys. Lett., 80, Iss. 18, pp. 3433−3435 (2002).
  126. W. Knap, Y. Deng, S. Rumyantsev, M.S. Shur, «Resonant detection of subterahertz and terahertz radiation by plasma waves in submicron field-effect transistors"// Appl. Phys. Lett., 81, Iss. 24, pp. 4637−4639 (2002).
  127. W. Knap, J. Lusakowski, T. Parenty, S. Bollaert, А. Сарру, V. Popov, M.S. Shur, «Terahertz emission by plasma waves in 60 urn gate high electron mobility transistors"// Appl. Phys. Lett., 84, Iss. 13, pp. 2331−2333 (2004).
  128. Y. Deng, R. Kersting, J. Xu, R. Ascazubi, Xi. Zhang, and M.S. Shur, «Millimeter wave emission from GaN high electron mobility transistor"// Appl. Phys. Lett., 84, Iss. 1, pp. 70−72 (2004).
  129. B.B. Дэнис, Ю. К. Пожела, Горячие электроны, Миптис, Вильнюс, СССР (1971).
  130. M.S. Shur, Introduction to Electronic Devices, John Wiley and Sons, NY (1996).
  131. J. Cole, Perturbation Methods in Applied Mathematics, Blaisdell, London (1986).
  132. Л.Д. Ландау, E.M. Лифшиц, Гидродинамика, Москва, Наука (1986).
  133. Э. Конуэлл, Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях, Москва, Мир (1977).
  134. Ф.Г. Басс, Ю. Г. Гуревич, «Нелинейная теория распространения электромагнитных волн в плазме твердого тела и газового разряда"// УФН, 103, в. 3, с. 447−468 (1971).
  135. B.C. Кернер, В. В. Осипов, «Автосолитоиы"// УФН, 157, в. 2, с. 201−266 (1989).
  136. Ю.П. Райзер, Физика газового разряда, Москва, Наука (1987).
  137. V.A. Rozhansky, L.D. Tsendin, Transport Phenomena in Partially Ionized Plasma, Gordon & Fransis, Bristol (2001).
  138. Л.Д. Цендин, «Функция распределения электронов в слабоионизованной плазме в неоднородных полях"// Физика плазмы, 8, с. 169−177 (1 часть) — с. 400−409 (2 часть) (1982).
  139. S.W. Rayment, «The role of the electron energy distribution in ionization waves"// J. Phys. D, 7, Iss. 6, pp. 871−879 (1974).
  140. L. Sirghi, K. Ohe, and G. Popa, «The role of the cathode region of a direct current helium discharge for origination of ionization waves"// J. Phys. D, 31, Iss. 5, pp. 551−560 (1998).
  141. Y. Golubovskii, V.A. Maiorov, V.O. Nekutchaev, J. Behnke, and J.F. Behnke, «Kinetic model of ionization waves in a positive column at intermediate pressures in inert gases"// Phys. Rev. E, 63, Iss. 3, pp. 36 409−36 408 (2001).
  142. V. Fridkin, Ferroelectric semiconductors, Consultants Bureau, New York (1980).
  143. M.S. Shur and M.A. Khan, «GaN/AlGaN Heterostructure Devices: Photodetectors and Field Effect Transistors"// MRS Bulletin, 22, Iss. 2, p. 44−50, (1997).
  144. H. Ishiwara, «Current Status and Prospects of MFSFETs and Related Devices «//Integrated Ferroelectrics, 17, Iss. 1−4, pp. 11−20 (1997).
  145. A. Bykhovski, B. Gelmont, and M. Shur, «Strain and Charge-Distribution in GaN/AlN/GaN seimiconductor-insulator-semiconductor structure for arbitrary growth orientation"// Appl. Phys. Lett., 63, Iss. 16, pp. 2243−2245 (1993).
  146. M.S. Shur, A.D. Bykhovski, R. Gaska, J.W. Yang, G. Simin, and M.A. Khan, «Accumulation Hole Layer in Inverted p-GaN/AlGaN Heterostructures"// Appl. Phys. Lett., 76, Iss. 21, pp. 3061−3063 (2000).
  147. M.S. Shur, A.D. Bykhovski, R. Gaska, and A. Khan, GaN-based Pyroelectronics and Piezoelectronics, in Handbook of Thin Film Devices, V. l, ed. by E.C. Wood and M.H. Francombe, pp. 299−339, Academic Press, San Diego (2000).
  148. I.P. Batra, P. Wurfel, and B.D. Silverman, «Phase transition, stability and depolarization field in ferroelectric thin films"// Phys. Rev. B, 8, Iss. 7, pp. 32 573 265 (1973).
  149. P. Wurfel and LP. Datra, «Depolarization-Field-Induced Instability in Thin Ferroelectric Films — Experiment and Theory"// Phys. Rev. B, 8, Iss. 11, pp. 5126−5133 (1973).
  150. Y. Watanabe, «Theoretical stability of the polarization in insulating ferroelectric/semiconductor structures"// J. Appl. Phys., 83, Iss. 4, pp. 2179−2193 (1998).
  151. P. Фейман, P. Лейтон, M. Сэнде, Феймановские лекции no физике, том 2, Москва, Мир (1976).
  152. A.L. Efros, «Non-linear screening and the background density of 2DEG states in magnetic field"// Solid State Communication, 67, Iss. 11, pp. 1019−1022 (1988).
  153. I.A. Larkin and V.B. Shikin, «Diagnostics of individual quasi-one-dirnensional electronic channels"// Phys. Lett. A, 151, Iss. 6−7, pp. 335−338 (1990).
  154. A.L. Efros, F.G. Pikus, and V.G. Burnett, «Thermodynamic density of states of two-dimensional electron gas in a strong magnetic field"// Sol. St. Comm., 84, Iss. 1−2, pp. 91−94 (1992).
  155. M.M. Fogler, E.I. Levin, and B.I. Shklovskii, «Chemical-potential and magnetization of a Coulomb island"// Phys. Rev. B, 49, Iss. 19, pp. 13 767−13 775 (1994).
  156. Л.Д. Ландау, E.M. Лифшиц, Электродинамика сплошных сред, Москва, Наг ука (1982).
  157. I.N. Sneddon, Mixed Boundary Value Problems in Potential Theory, John Wiley & Sons, Inc., New York (1966).
  158. M. Бори, Э. Вольф, Основы оптики, Москва, Наука (1970).
  159. Р.Фейман, Статистическая механика, Москва, Мир (1975).
  160. Основное содержание диссертации опубликовано в следующих работах:
  161. AI. V. V. Cheianov, А. P. Dinitriev, and V. Yu. Kachorovskii, «Anomalous negative inagnetoresistance caused by non-Markovian effects"// Phys. Rev. В, 68, Iss. 20, pp. 201 304−201 307 (2003).
  162. A2. V. V. Cheianov, A. P. Dmitriev, and V. Yu. Kachorovskii, «Non-Markovian Effects on the Two-Dimensional Magnetotransport: Low-field Anomaly in Magnetoresistance"// Phys. Rev. B, 70, Iss. 24, pp. 245 307−245 321 (2004).
  163. A3. A. P. Dinitriev, I. V. Goriiyi, and V. Yu. Kachorovskii, «Non-backscattering contribution to the weak localization"// Phys. Rev. B, 56, Iss. 15, pp. 9910−9917 (1997).
  164. A4. A. P. Dmitriev, I. V. Goriiyi, and V. Yu. Kachorovskii, «Non-backscattering contribution to the weak localization"// Proc. Int. Synip. «Nanostructures: Physics and Technology», pp. 15−17, St. Petersburg, Russia, IofTe Institute (1997).
  165. A5. M. И. Дьяконов, В. Ю. Качоровский, «Спиновая релаксация двумерных электронов в полупроводниках без центра инверсии"// Физика и Техника Полупроводников, 20, в. 1, с. 178−181 (1986).
  166. А6. I. S. Lyubinskiy and V. Yu. Kachorovskii, «Classical memory effects on spin dynamics in two-dimensional systems"// Phys. Rev. B, 73, Iss. 4, pp. 41 301 041 304 (2006).
  167. A7. I. S. Lyubinskiy and V. Yu. Kachorovskii, «Slowing down of spin relaxation in two dimensional systems by quantum interference effects"// Phys. Rev B, 70, Iss. 20, pp. 205 335−205 343 (2004).
  168. A8. I. S. Lyubinskiy and V. Yu. Kachorovskii, «Suppression of the spin-relaxation by quantum interference effects"// Proc. 12th Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology», pp. 328−329, St. Petersburg, IofTe Institute (2004).
  169. A9. I. S. Lyubinskiy and V. Yu. Kachorovskii, «Hanle effect driven by weak localization"// Phys. Rev. Lett., 94, Iss. 7, pp. 76 406−76 409 (2005).
  170. А10. I. S. Lyubinskiy and V. Yu. Kachorovskii, «Weak-localization-induced anomaly in Hanle effect"// Proc. 13th Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology», pp. 191−192, St. Petersburg, Ioffe Institute (2005).
  171. All. A. P. Dmitriev, I. V. Gornyi, and V. Yu. Kachorovskii, «Quantum corrections to the conductivity in systems with strong spin-orbital interaction"// Письма в ЖЭТФ, 68, в. 4, с. 314−319 (1998).
  172. А12. А. P. Dmitriev and V. Yu. Kachorovskii, «Level statistics in a two-dimensional system with strong spin-orbit coupling"// Phys. Rev. B, 63, Iss. 11, pp. 113 301 113 303 (2001).
  173. A13. A. P. Dmitriev and V. Yu. Kachorovskii, «Phonon scattering of 2D-electrons in a strong magnetic field"// Phys. Rev. B, 52, Iss. 8, pp. 5743−5751 (1995).
  174. A14. V. Cheianov, A. P. Dmitriev, and V. Yu. Kachorovskii, «Splitting of Landau levels of 2D electron due to electron-phonon interaction"// Phys. Rev. B, 58, Iss. 2, pp. 776−781 (1998).
  175. A15. A. Alekseev, V. Cheianov, A. Dmitriev, and V. Yu. Kachorovskii, «Tunnelling Spectroscopy of Localized States near the Quantum Hall Edge"// Письма в ЖЭТФ, 72, Iss. 6, pp. 481−486 (1998).
  176. A16. D. Veksler, F. Teppe, A. P. Dmitriev, V. Yu. Kachorovskii, W. Knap, and M. S. Shur, «Detection of terahertz radiation in gated two-dimensional structures governed by dc current"// Phys. Rev. B, 73, Iss. 12, pp. 125 328−125 337 (2006).
  177. A20. A. P. Dmitriev, A. S. Furman and V. Yu. Kachorovskii, «Nonlinear theory of the current instability in a ballistic field effect transistor"// Phys. Rev. B, 54, Iss. 19, pp. 14 020−14 025 (1996).
  178. A21. A. P. Dmitriev, A. S. Furman, V. Yu. Kachorovskii and G. G. Sainsonidze, and Ge. G. Samsonidze, «Numerical study of the current instability in a two dimensional electron fluid"// Phys. Rev. B, 55, Iss. 16, pp. 10 319−10 325 (1997).
  179. A22. A. P. Dmitriev, V. Yu. Kachorovskii, and M. Shur, «Plasma wave instability in gated collisionless two-dimensional electron gas"// Appl. Phys. Lett., 79, Iss. 7, pp. 922−924 (2001).
  180. A23. V. Yu. Kachorovskii, I. S. Lyubinskiy and L. D. Tsendin, «Electron-density stratification in two-dimensional structures tuned by electric field"// Phys. Rev. B, 68, Iss. 3, pp. 33 308−33 311 (2003).
  181. A25. A. P. Dmitriev, V. Yu. Kachorovskii, M. S. Shur, and R. Gaska, «Nonlinear screening of pyroelectric films and grains in semiconductor matrix"// J. Appl. Phys., 94, Iss. 1, pp. 566−572 (2003).
  182. A26. A. P. Dmitriev, V. Yu. Kachorovskii, and M. S. Shur, «Dipole screening regime for pyroelectric and ferroelectric films and grains in semiconductor matrix"// Solid-State Electronics, 48, Iss. 3, pp. 487−490 (2004).
  183. A27. V. Yu. Kachorovskii and M. S. Shur, «Polarization-induced electron island in semiconductor grain placed into pyroelectric matrix"// Appl. Phys. Lett., 84, Iss. 13, pp. 2340−2342 (2004).
  184. A28. V. Yu. Kachorovskii and M. S. Shur, «Electron and hole moveable islands in pyroelectric/ semiconductor granular systems"// Appl. Phys. Lett., 86, Iss. 1, pp. 12 101−12 103 (2005).
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?