Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Оптическое излучение из квантоворазмерных кремниевых p-n переходов

Диссертация: Оптическое излучение из квантоворазмерных кремниевых p-n переходов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Итак, в результате изучения электролюминесценции из квантоворазмерных кремниевых р-п переходов в спектральном интервале от 3 мкм до 25 мкм при комнатной температуре было обнаружено мощное инфракрасное излучение, спектр которого представляет собой довольно широкую неоднородную полосу с небольшими линиями различной спектральной ширины. Сравнение полученных результатов с имеющимися данными… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Оптическое излучение из кремния и структур на его основе
    • 1. 1. Роль кремния в современной микроэлектронике
    • 1. 2. Подходы к решению проблемы создания эффективного кремниевого источника излучения
      • 1. 2. 1. Использование дислокационной и внутрицентровой люминесценции
      • 1. 2. 2. Использование низкоразмерных эффектов
      • 1. 2. 3. Пористый кремний
    • 1. 3. Монокристаллический кремний, сильно легированный бором
  • Выводы
  • Постановка задачи
  • Глава 2. Получение и свойства квантоворазмерных кремниевых р-п переходов, методика эксперимента
    • 2. 1. Получение квантоворазмерных кремниевых р-п переходов
    • 2. 2. Структура квантоворазмерных кремниевых р-п переходов
      • 2. 2. 1. Самоупорядоченная кремниевая квантовая яма
      • 2. 2. 2. Упорядоченная система дипольных центров бора
      • 2. 2. 3. Фазовый переход в сильнолегированных диффузионных профилях бора
    • 2. 3. Характеристики экспериментальных структур и экспериментальные методики
  • Выводы
  • Глава 3. Исследование оптического излучения из квантоворазмерных кремниевых р-п переходов в ближнем инфракрасном диапазоне длин волн
    • 3. 1. Спектры электро- и фотолюминесценции квантоворазмерных кремниевых р-п переходов, сильно легированных бором
    • 3. 2. Форма линии люминесценции
    • 3. 3. Особенности поведения люминесценции и её связь с упорядоченной системой дипольных центров бора
    • 3. 4. Исследование поляризации люминесценции
    • 3. 5. Модель возникновения излучения ближнего инфракрасного диапазона в квантоворазмерных кремниевых р-п переходах
  • Выводы
  • Глава 4. Исследование оптического излучения из квантоворазмерных кремниевых р-п переходов в видимом диапазоне длин волн
    • 4. 1. Анализ спектров отражения
    • 4. 2. Зонная структура кремниевых квантовых нитей
    • 4. 3. Анализ спектров электро- и фотолюминесценции
  • Выводы
  • Глава 5. Электролюминесценция из квантоворазмерных кремниевых р-п переходов в среднем и дальнем инфракрасных диапазонах
    • 5. 1. Электролюминесценция в среднем и дальнем инфракрасных диапазонах длин волн
    • 5. 2. Самоупорядоченные фрактальные микрорезонаторы в плоскости квантоворазмерных кремниевых р-п переходов
      • 5. 2. 1. Сканирующая туннельная микроскопия самоупорядоченных микродефектов на поверхности сверхмелких диффузионных профилей бора в кремнии (100)
      • 5. 2. 2. Оптические свойства самоупорядоченных микрорезонаторов на поверхности кремния (100)
    • 5. 3. Перспективность использования квантоворазмерных кремниевых р-п переходов со встроенной системой микрорезонаторов для создания кремниевого источника когерентного излучения
  • Выводы

Оптическое излучение из квантоворазмерных кремниевых p-n переходов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Интерес к исследованию оптического излучения из структур на основе кремния возник достаточно давно и связан, прежде всего, с огромными перспективами, открывающимися с развитием кремниевой оптоэлектроники и созданием оптической системы передачи данных [РауеБ], 2003]. Согласно закону Мура, количество транзисторов в чипах процессоров удваивается приблизительно каждые полтора года. При этом медные соединения, обеспечивающие связь между компонентами чипа и отдельными платами, уже сейчас не способны обеспечить необходимую скорость обмена информацией. Переход к оптической системе передачи данных позволил бы решить эту проблему и открыл бы пути для дальнейшего развития. По этой причине в настоящее время ведётся интенсивная работа, направленная на создание эффективного кремниевого источника излучения. Причём разрабатываются несколько подходов, в рамках которых исследуются системы на основе пористого кремния [В1з1, 2000], нанокристаллов кремния [Рауез1, 2000], кремния, легированного эрбием [Кузнецов, 2010], пластически деформированного кремния [Куеёег, 2004]. В последнее десятилетие также появилось большое число работ, посвящённых обнаружению относительно интенсивной близкраевой люминесценции из монокристаллического кремния, имплантированного бором. Этот совершенно неожиданный результат первоначально объяснялся пространственной локализацией носителей посредством дислокационных петель, возникающих в процессе имплантации. Однако обнаружение похожего эффекта при введении бора методом диффузии, а также учёт влияния примесей, захваченных на дислокации, поставили под сомнение правомерность такого объяснения. Основываясь на этом, ответ следует искать в другой области, и внимание привлекает, прежде всего, тот факт, что независимо от метода легирования, концентрация бора в структурах с большой интенсивностью излучения была высокой и достигала предела растворимости. Причём было показано, что интенсивность излучения возрастает с увеличением степени легирования, достигая.

ОСЬ «X максимума при концентрации бора N (13) ~ 4−10 см». Дальнейшее увеличение концентрации приводит к гашению люминесценции, связанному с образованием кластеров бора, что является неизбежным процессом в рамках различных технологий легирования. Данное ограничение, однако, может быть преодолено в связи с развитием газотранспортных методов легирования. Так, например, кратковременная диффузия бора из газовой фазы, выполненная после предварительного окисления и последующего травления поверхности кремния п-типа в рамках планарной технологии, приводит при определённых условиях к формированию сверхмелких.

21 3 диффузионных профилей бора с концентрацией 5−10 см". Особенностью формирующихся при этом сверхмелких р-п переходов является то, что область р-типа проводимости представляет собой наноструктурированный слои кремния толщинои 8 нм с характерными размерами структурных элементов около 2 нм. Вместе с этим данная нанотехнология позволяет путем использования процессов самоорганизации наноструктур, встроенных в плоскость слоя, формировать систему фрактальных микрорезонаторов, настроенных на различные длины волн ИК-излучения, что делает возможным усиление его интенсивности. Кроме того, столь высокая концентрация бора приводит к образованию упорядоченной системы тригональных дипольных центров В+ - В", которые формируются вследствие реконструкции мелких акцепторов бора, 2В0 —> В+ + В", как центров с отрицательной корреляционной энергией. Возникновение такой упорядоченной системы выражается в появлении корреляционной щели в плотности состояний дырочного газа, а также является основой высокотемпературной сверхпроводимости, наблюдаемой в данных наноструктурах. Наличие наноструктурированного слоя, встроенных самоорганизованных микрорезонаторов, а также упорядоченной системы тригональных дипольных центров бора, способной кроме всего прочего приводить к эффективной релаксации квазиимпульса, делает описанную выше систему чрезвычайно перспективной с точки зрения реализации эффективных источников излучения на основе кремниевой планарной технологии.

Вышесказанное определяет актуальность темы настоящей работы, которая посвящена исследованию оптического излучения из квантоворазмерных кремниевых р-п переходов, представляющих собой наноструктурированный слой кремния р-типа проводимости, сильно.

21 3 легированный бором до концентрации 5 10 см", на поверхности п-81 (100). Основное внимание в ходе проведения экспериментов уделялось обнаружению и исследованию взаимосвязанности оптических, электрических и температурных характеристик сильнокоррелированной системы дипольных центров бора, а также механизмам формирования люминесценции в различных пространственных областях анализируемой планарной структуры.

Цель работы заключалась в исследовании оптического излучения в видимом, ближнем, среднем и дальнем инфракрасных спектральных диапазонах из квантоворазмерных кремниевых р-п переходов, сильно легированных бором.

В задачи работы входило изучение следующих вопросов:

1. Исследование и анализ спектров электрои фотолюминесценции из квантоворазмерных кремниевых р-п переходов, а также спектров пропускания в ближнем инфракрасном диапазоне длин волн, определение степени линейной поляризации излучения.

2. Изучение температурной зависимости интенсивности электролюминесценции в ближнем инфракрасном диапазоне и сопоставление её с температурными зависимостями удельного сопротивления, термо-эдс, скачка теплоёмкости и статической магнитной восприимчивости, полученными на исследуемых структурах.

3. Исследование угловых зависимостей степени линейной поляризации люминесценции в ближнем инфракрасном диапазоне длин волн и их сравнение с данными угловых зависимостей спектров ЭПР анализируемой квантоворазмерной системы.

4. Исследование возможности управления степенью линейной поляризации электролюминесценции в ближнем инфракрасном диапазоне длин волн посредством приложения дополнительного латерального электрического поля в плоскости планарных квантоворазмерных кремниевых р-п переходов.

5. Изучение и анализ спектров электрои фотолюминесценции, кинетики затухания люминесценции и спектров отражения в ближнем ультрафиолетом и видимом диапазонах длин волн, а также сравнение результатов исследования квантоворазмерных р-п переходов, полученных на поверхности монокристаллического кремния с различной кристаллографической ориентацией.

6. Изучение и анализ спектров электролюминесценции из квантоворазмерных кремниевых р-п переходов в среднем и дальнем инфракрасных диапазонах длин волн и сравнение полученных результатов с имеющимися данными, зарегистрированными с помощью других методик.

Научная новизна работы.

1. Обнаружено, что квантоворазмерные кремниевые р-п переходы, сильно легированные бором, обладают широким спектром излучения в диапазонах от видимого до дальнего инфракрасного, которое регистрируется в рамках изучения электрои фотолюминесценции.

2. Обнаружено, что излучение с длиной волны 1126 нм (Т = 77 К), возникающее вблизи границы наноструктурированого слоя р-типа и кремния п-типа, обладает относительно высокой интенсивностью и высокой степенью линейной поляризации.

3. Обнаружено, что степень линейной поляризации данного излучения демонстрирует угловую зависимость, совпадающую с кристаллографической ориентацией дипольных центров внутри наноструктурированного слоя р-типа проводимости, которая определялась на основании угловых зависимостей спектров ЭПР.

4. Показано, что величина поляризации и интенсивности данного излучения может быть управляема путём приложения латерального электрического поля в плоскости планарной структуры квантоворазмерных р-п переходов, что, по-видимому, связано с электростатическим разупорядочением системы диполей бора.

5. Обнаружено, что температурная зависимость интенсивности линии электролюминесценции на длине волны 1126 нм (Т = 77 К) демонстрирует максимум вблизи температуры сверхпроводящего перехода наноструктурированного слоя, сильно легированного бором.

6. Обнаружено, что излучение в видимом диапазоне длин волн из квантоворазмерных кремниевых р-п переходов связано с прямыми межзонными переходами в низкоразмерных объектах с характерными размерами 2 нм, что коррелирует с данными сканирующей туннельной микроскопии и теоретическими расчётами.

Достоверность полученных результатов подтверждается сравнительным анализом экспериментальных данных, полученных с помощью различных методик, а также их соответствием с имеющимися на сегодняшний день экспериментальными и теоретическими результатами изучения оптических свойств кремниевых наноструктур, в том числе сильно легированных бором.

Научная и практическая значимость диссертационного исследования определяются возможностью создания эффективных источников излучения для различных диапазонов длин волн на основе кремниевой планарной технологии, обладающих относительно большой интенсивностью и высокой степенью линейной поляризации, которые можно контролировать с помощью дополнительного латерального электрического поля. Важным является также наличие в изучаемой системе гетероперехода на границе наноструктурированной области р-типа проводимости и п-81, способного создавать пространственное ограничение для носителей заряда и возникающего излучения. Данное обстоятельство вместе с возможностью реализации различного рода микрорезонаторов делает исследовавшиеся квантоворазмерные кремниевые р-п переходы чрезвычайно перспективными для создания кремниевого источника когерентного излучения. Кроме того, научная значимость работы связана с обнаружением и исследованием взаимосвязанности оптических, электрических и температурных характеристик сильнокоррелированной системы дипольных центров бора, а также с изучением особенностей её перехода в единое когерентное состояние.

Защищаемые положения:

1. Планарные квантоворазмерные кремниевые р-п переходы, сильно легированные бором, являются источником оптического излучения в видимом, ближнем, среднем и дальнем инфракрасных диапазонах длин волн, которое проявляется при регистрации спектров электрои фотолюминесценции.

2. Интенсивное оптическое излучение с максимумом на длине волны 1126 нм (при Т = 77 К) обладает высокой степенью линейной поляризации, которая проявляет угловую зависимость, согласующуюся с кристаллографической ориентацией дипольных центров бора, составляющих основу сильно легированного бором наноструктурированного слоя кремния р-типа.

3. Дипольные центры бора, составляющие основу квантоворазмерных кремниевых р-п переходов, сильно легированных бором, играют определяющую роль в формировании их оптического излучения.

4. Латеральное электрическое поле в плоскости планарных квантоворазмерных кремниевых р-п переходов управляет интенсивностью и степенью линейной поляризации их оптического излучения.

5. Оптическое излучение видимого диапазона со спектральной характеристикой близкой к белому свету возникает из кремниевых р-п переходов с характерными размерами 2 нм вследствие прямых межзонных переходов.

6. Излучение ближнего инфракрасного диапазона усиливается при наличии микрорезонаторов, встроенных в плоскость планарных квантоворазмерных кремниевых р-п переходов, сильно легированных бором.

Апробация результатов работы. Полученные в работе результаты докладывались и обсуждались на следующих конференциях: X International Conference on Nanostructured Materials (NAN02010) September 13 — 17 2010, Italy, Roma- 11th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures, April 4 — 8 2011, Germany, BerlinVIII Международной конференции и VII Школы ученых и молодых специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе («КРЕМНИИ 2011»), 05 -08 июля 2011, МоскваX Российской конференции по физике полупроводников, 19−23 сентября 2011, Нижний НовгородКонференции для молодых ученых Санкт-Петербурга и Северо-Запада «Физика и астрономия», 26 — 27 октября 2011, Санкт-Петербург.

Публикациипо результатам исследований, изложенных в диссертации, имеется 5 публикаций в ведущих отечественных и международных журналах. Список публикаций приведен в конце диссертации.

Структура диссертации: Диссертация состоит из Введения, пяти глав и Заключения.

Выводы.

Итак, в результате изучения электролюминесценции из квантоворазмерных кремниевых р-п переходов в спектральном интервале от 3 мкм до 25 мкм при комнатной температуре было обнаружено мощное инфракрасное излучение, спектр которого представляет собой довольно широкую неоднородную полосу с небольшими линиями различной спектральной ширины. Сравнение полученных результатов с имеющимися данными, найденными с помощью других методик, позволило предположить, что данное излучение связано с внутризонными переходами в наноструктурированном слое изучаемых р-п переходов, а также с распадом зарядовых корреляций в системе дипольных центров бора.

Таким образом, исследовавшиеся квантоворазмерные кремниевые р-п переходы, сильно легированные бором, обладают широким спектром излучения в диапазонах от видимого до дальнего инфракрасного. Дополнительной особенностью данных структур является присутствие в их плоскости системы самоорганизованных фрактальных микрорезонаторов, формирующихся из самоупорядоченных микродефектов в условиях сильного разделения неравновесных потоков собственных междоузельных атомов и вакансий.

Для изучения механизма возникновения данных микродефектов, в частности, влияния на него температуры примесной диффузии и параметров предварительного окисления использовались данные сканирующей туннельной микроскопии, а также оптической спектроскопии пропускания. Было установлено, что начальное распределение деформационного потенциала, задаваемое толщиной предварительно нанесенного окисла, определяет пространственное распределение и оптимальное направление роста самоупорядоченных микродефектов, пронизывающих диффузионный профиль бора. При этом разброс в размерах обнаруженных микродефектов, состоящих из собственных междоузельных атомов кремния, нивелируется при увеличении температуры диффузии. Кроме того, обнаружена взаимосвязь размеров микродефектов и их пространственного распределения, которая указывает на фрактальный механизм их формирования в условиях сильного взаимодействия неравновесных потоков примесных атомов и первичных дефектов.

В завершении главы предложен новый подход к решению проблемы создания кремниевого источника когерентного излучения. Для реализации данной цели предлагается использовать бозе-эйнштейновскую конденсацию экситонных поляритонов в системе квантоворазмерных кремниевых р-п переходов с фрактальными самоорганизованными микрорезонаторами, встроенными в их плоскость.

Заключение

.

1. Исследовавшиеся кваитоворазмерные кремниевые р-п переходы, сильно легированные бором, обладают широким спектром излучения в диапазонах от видимого до дальнего инфракрасного. Данное излучение регистрируется в рамках изучения фотои электролюминесценции, что определяет кваитоворазмерные кремниевые р-п переходы как перспективные с точки зрения применения в кремниевой оптоэлектронике.

2. В рамках этого особый интерес представляет излучение в ближнем инфракрасном диапазоне, которое возникает на границе между наноструктурированным слоем р-типа проводимости и кремнием п-типа. Рождающаяся в области данной гетерограницы линия люминесценции с максимумом при температуре 77 К на длине волны 1126 нм, как было обнаружено, обладает высокой интенсивностью и достаточно большой степенью линейной поляризации, которая может быть контролируема посредством приложения внешнего электрического поля, параллельного плоскости планарной структуры.

3. Спектральные характеристики и особенности поведения электрои фотолюминесценции согласуются с данными, полученными ранее с помощью различных экспериментальных методик, которые демонстрируют тригональные дипольные центры В+ - В" в качестве основы сильнолегированных диффузионных профилей бора. Образование таких центров происходит в результате реконструкции мелких акцепторов бора вдоль кристаллографической оси <111>, что было обнаружено по угловым зависимостям спектров ЭПР и нашло подтверждение в аналогичных зависимостях степени поляризации электрои фотолюминесценции.

4. Обнаружено, что температурная зависимость интенсивности электролюминесценции из квантоворазмерных кремниевых р-п переходов демонстрирует максимум в районе 150 К, что согласуется со значением критической температуры сверхпроводящего перехода в квантоворазмерной р-области, определённой с помощью исследований температурных и полевых зависимостей удельного сопротивления, термо-эдс, теплоемкости и магнитной восприимчивости.

5. Результаты выполненных исследований позволили сформулировать модель возникновения излучения с максимумом при температуре 77 К на длине волны 1126 нм, учитывающую все наблюдаемые экспериментальные факты. Модель построена в рамках двухэлектронных (дырочных) адиабатических потенциалов и основана на донорно-акцепторной рекомбинации, протекающей через состояния, связанные с упорядоченной системой тригональных дипольных центров бора в сильнолегированном наноструктурированном слое р-типа и ионов фосфора в n-Si.

6. В излучении из квантоворазмерных кремниевых р-n переходов в видимой области спектра доминирует широкая энергетическая полоса, близкая по своему спектральному составу к белому свету. Возникновение данной полосы связано с прямыми межзонными переходами в низкоразмерных объектах с характерными размерами около 2 нм, что было обнаружено на основании изучения спектров электрои фотолюминесценции, их сравнения с результатами теоретических расчётов и учёта данных сканирующей туннельной микроскопии.

7. В средней и дальней инфракрасных областях спектра мощное оптическое излучение связано, по всей видимости, с внутризонными переходами в наноструктурированном слое р-типа, а также с распадом зарядовых корреляций в системе диполей бора.

8. В рамках создания источников когерентного излучения на базе кремниевой планарной технологии важным является присутствие в системе фрактальных микрорезонаторов, встроенных в плоскость квантоворазмерных р-п переходов, которые были идентифицированы по данным сканирующей туннельной микроскопии и спектрам пропускания. Дополнительным преимуществом является также наличие гетероперехода, образованного наноструктурированным сильнолегированным слоем р-типа проводимости и п-Б!, который может способствовать пространственному ограничению носителей тока и возникающего излучения.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Aboy, М. et al. Atomistic modeling of deactivation and reactivation mechanisms in high-concentration boron profiles. Applied Physics Letters 83,4166 (2003).
  2. , А. и Ranninger, J. Bipolaronic superconductivity. Physical Review В 24, 1164−1169(1981).
  3. , P. и Kuzminov, E. Direct evidence of the self-compression of injected electron-hole plasma in silicon, physica status solidi (b) 245, 11 811 183 (2008).
  4. Bagraev, N.T., Chaikina, E.I., Klyachkin, L.E., Markov, I.I. и Gehlhoff, W. Infrared-induced emission from silicon quantum wires. Superlattices and Microstructures 23, 337−344 (1998).
  5. Bagraev, N.T., Galkin, N.G., Gehlhoff, W., Klyachkin, L.E. и Malyarenko, A.M. Phase and amplitude response of the «0.7 feature» caused by holes in silicon one-dimensional wires and rings. Journal of Physics: Condensed Matter 20, 164 202 (2008).
  6. Bagraev, N.T., Klyachkin, L.E., Kudryavtsev, A.A., Malyarenko, A.M. и Romanov, V.V. Superconductivity-Theory and applications. 69 (Croatia SCIYO, 2010).
  7. , N.T. и Mashkov, V.A. Negative-U tunnelling centers and photostimulated reactions in semiconductors. JETP Lett. 39, 211−213 (1984).
  8. Bagraev, N., Shelykh, I., Ivanov, V. и Klyachkin, L. Spin depolarization in quantum wires polarized spontaneously in zero magnetic field. Physical Review В 70, 155 315 (2004).
  9. Bagraev, N.T. et al. Self-Assembled Impurity Superlattices and Microcavities in Silicon. Defect and Diffusion Forum 194−199, 673−678 (2001).
  10. Bagraev, N.T., Gehlhoff, W., Klyachkin, L.E., Naser, A. h Rykov, S.A. Quantum-Well Boron and Phosphorus Diffusion Profiles in Silicon. Defect and Diffusion Forum 143 147, 1003−1008 (1997).
  11. Bagraev, N.T. h Mashkov, V.A. Tunneling negative-U centers and photo-induced reactions in solids. Solid State Communications 51, 515−520 (1984).
  12. Bagraev, N.T. h Mashkov, V.A. A mechanism for two-electron capture at deep level defects in semiconductors. Solid State Communications 65, 1111−1117(1988).
  13. Bagraev, N. et al. Spin-dependent transport of holes in silicon quantum wells confined by superconductor barriers. Physica C: Superconductivity 468, 840−843 (2008).
  14. Bebb, H.B. h Williams, E.W. Chapter 4 Photoluminescence I: Theory. Semiconductors and Semimetals Volume 8, 181−320 (1972).
  15. Bergersen, B., Rostworowski, J., Eswaran, M., Parsons, R. h Jena, P. Electron-hole droplets and impurity band states in heavily doped Si (P): Photoluminescence experiments and theory. Physical Review B 14, 16 331 648 (1976).
  16. Bergersen, B., Rostworowski, J., Eswaran, M., Parsons, R. h Jena, P. Erratum: Electron-hole droplets and impurity band states in heavily doped Si (P): Photoluminescence experiments and theory. Physical Review B 15, 2432−2432 (1977).
  17. Bisi, O., Ossicini, S. h Pavesi, L. Porous silicon: a quantum sponge structure for silicon based optoelectronics. Surface Science Reports 38, 1−126 (2000).
  18. Biteen, J.S., Lewis, N.S., Atwater, H.A. h Polman, A. Size-dependent oxygen-related electronic states in silicon nanocrystals. Applied Physics Letters 84, 5389 (2004).
  19. Bruno, M., Palummo, M., Marini, A., Sole, R.D. h Ossicini, S. From Si Nanowires to Porous SiliconD: The Role of Excitonic Effects. Physical Review Letters 98, 36 807 (2007).
  20. Butov, L., Zrenner, A., Abstreiter, G., Bohm, G. n Weimann, G. Condensation of Indirect Excitons in Coupled AlAs/GaAs Quantum Wells. Physical Review Letters 73, 304−307 (1994).
  21. Canham, L.T., Leong, W.Y., Beale, M. I J., Cox, T.I. h Taylor, L. Efficient visible electroluminescence under cathodic bias from highly porous silicon. Applied Physics Letters 61, 2563−2565 (1992).
  22. Canham, L.T. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers. Applied Physics Letters 57, 1046 (1990).
  23. Carey, J.D. et al. Electron paramagnetic resonance and photoluminescence study of Er-impurity complexes in Si. Physical Review B 59, 2773 (1999).
  24. Chabal, Y., Raghavachari, K., Zhang, X. h Garfimkel, E. Silanone (Si=0) on Si (100): intermediate for initial silicon oxidation. Physical Review B 66, 161 315® (2002).
  25. Chakraverty, B.K. Bipolarons and superconductivity. J. Physique 42, 1351 (1981).
  26. Chamard, V., Dolino, G. h Muller, F. Origin of a parasitic surface film on p + type porous silicon. Journal of Applied Physics 84, 6659 (1998).
  27. Chelikowsky, J. h Cohen, M. Nonlocal pseudopotential calculations for the electronic structure of eleven diamond and zinc-blende semiconductors. Physical Review ?14, 556−582 (1976).
  28. Chuang, S.-F., Collins, S.D. h Smith, R.L. Preferential propagation of pores during the formation of porous silicon: A transmission electron microscopy study. Applied Physics Letters 55, 675 (1989).
  29. Cullis, A.G. h Canham, L.T. Visible light emission due to quantum size effects in highly porous crystalline silicon. Nature 353, 335−338 (1991).
  30. Cuthbert, J., Henry, C. h Dean, P. Temperature-Dependent Radiative Recombination Mechanisms in GaP (Zn, 0) and GaP (Cd, 0). Physical Review 170, 739−748 (1968).
  31. Dal Negro, L. Stimulated emission in plasma-enhanced chemical vapour deposited silicon nanocrystals. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 16, 297−308 (2003).
  32. Dal Negro, L. et al. Light amplification in silicon nanocrystals by pump and probe transmission measurements. Journal of Applied Physics 96, 5747 (2004).
  33. Dal Negro, L. et al. Dynamics of stimulated emission in silicon nanocrystals. Applied Physics Letters 82, 4636 (2003).
  34. Dean, P.J., Haynes, J.R. h Flood, W.F. New Radiative Recombination Processes Involving Neutral Donors and Acceptors in Silicon and Germanium. Physical Review 161, 711 (1967).
  35. Dean, P., Cuthbert, J. h Lynch, R. Interimpurity Recombinations Involving the Isoelectronic Trap Bismuth in Gallium Phosphide. Physical Review 179, 754−763 (1969).
  36. Drozdov, N.A., Patrin, A.A. n Tkachev, V.D. Recombination radiation on dislocations in silicon. JETP Lett. 23, 597 (1976).
  37. Filonov, A.B., Petrov, G.V., Novikov, V.A. h Borisenko, V.E. Orientation effect in electronic properties of silicon wires. Applied Physics Letters 67, 1090−1091 (2001).
  38. Fischer, 0., Kugler, M., Maggio-Aprile, I., Berthod, C. h Renner, C. Scanning tunneling spectroscopy of high-temperature superconductors. Reviews of Modern Physics 79, 353−419 (2007).
  39. Frank, W., Gosele, U., Mehrer, H. h Seeger, A. Diffusion in silicon and germanium. Diff. in Crystlline Solids 63 (1984).
  40. Fraser, K. et al. The role of dislocations in producing efficient near-bandgap luminescence from silicon, physica status solidi © 4, 2977−2980 (2007).
  41. Gardeiis, S. et al. Evidence for quantum confinement in the photoluminescence of porous Si and SiGe. Applied Physics Letters 59, 2118 (1991).
  42. Gehlhoff, W., Bagraev, N.T. h Klyachkin, L.E. Shallow and Deep Centers in Heavily Doped Silicon Quantum Wells. Materials Science Forum 196−201, 467−472 (1995).
  43. Gehlhoff, W. h Segsa, K.H. EPR of iron-boron centres in silicon, physica status solidi (b) 115, 443−453 (1983).
  44. Gosele, U.M. h Tan, T.Y. Point Defects and Diffusion in Silicon and Gallium Arsenide. Defect and Diffusion Forum 59, 1−16 (1988).
  45. Green, M.A., Zhao, J., Wang, A., Reece, P.J. h Gal, M. Efficient silicon light-emitting diodes. Nature 412, 805−808 (2001).
  46. Halliwell, R.E. h Parsons, R.R. Electron-Hole Droplets in Semiconducting and Metallic Silicon. Canadian Journal of Physics 52, 1336−1344 (1974).
  47. Heitmann, J. et al. Excitons in Si nanocrystals: Confinement and migration effects. Physical Review B 69, 195 309 (2004).
  48. Henry, C., Dean, P. n Cuthbert, J. New Red Pair Luminescence from GaP. Physical Review 166, 754−756 (1968).
  49. Horiguchi, S. Conditions for a direct band gap in Si quantum wires. Superlattices andMicrostructures 23, 355−364 (1998).
  50. Kavokin, A., Malpuech, G. h Laussy, F.P. Polariton laser and polariton superfluidity in microcavities. Physics Letters A 306, 187−199 (2003).
  51. Kenyon, A.J. Erbium in silicon. Semiconductor Science and Technology 20, R65-R84 (2005).
  52. Khriachtchev, L., Rasanen, M., Novikov, S. h Pavesi, L. Systematic correlation between Raman spectra, photoluminescence intensity, and absorption coefficient of silica layers containing Si nanocrystals. Applied Physics Letters 85, 1511 (2004).
  53. Kveder, V., Steinman, E., Shevchenko, S. n Grimmeiss, H. Dislocation-related electroluminescence at room temperature in plastically deformed silicon. Physical Review B 51, 10 520−10 526 (1995).
  54. Kveder, V. et al. Room-temperature silicon light-emitting diodes based on dislocation luminescence. Applied Physics Letters 84, 2106 (2004).
  55. Lee, M.K. h Peng, K.R. Blue emission of porous silicon. Applied Physics Letters 62,3159 (1993).
  56. Levy, M., Yu, P.Y., Zhang, Y. n Sarachik, P.M. Photoluminescence of heavily doped, compensated Si: P, B. Physical Review B 49, 1677 (1994).
  57. London, F. On the Bose-Einstein Condensation. Physical Review 54, 947−954(1938).
  58. Mangolini, L., Thimsen, E. h Kortshagen, U. High-yield plasma synthesis of luminescent silicon nanocrystals. Nano letters 5, 655−659 (2005).
  59. Mitchard, G.S. h McGill, T.C. Photoluminescence of Si-rich Si-Ge alloys. Physical Review B 25, 5351 (1982).
  60. Moore, G. Cramming more components onto integrated circuits. Electronics 38, (1975).
  61. Namavar, F., Maruska, H.P. h Kalkhoran, N.M. Visible electroluminescence from porous silicon np heterojunction diodes. Applied Physics Letters 60, 2514(1992).
  62. Ng, W.L., Lourenc, M.A., Gwilliam, R.M., Ledain, S. h Shao, G. An efficient room-temperature silicon-based light-emitting diode. Nature 410, 1036−1039(2001).
  63. Pankove, J.I. Cathodoluminescence of n-Type GaAs. Journal of Applied Physics 39, 5368 (1968).
  64. Parsons, R.R. On the origin of photoluminescence in heavily-doped silicon. Solid State Communications 29, 763 (1979).
  65. Parsons, R.R. Photoluminescence in heavily-doped Si (p). Canadian Journal of Physics 56, 814 (1978).
  66. Pavesi, L. Will silicon be the photonic material of the third millenium? *. Journal of Physics: Condensed Matter 15, R1169-R1196 (2003).
  67. Pavesi, L. Routes toward silicon-based lasers. Materials Today 18 (2005).
  68. Pelaz, L. et al. Modeling of the effects of dose, dose rate, and implant temperature on transient enhanced diffusion. Applied Physics Letters 74, 2017(1999).
  69. Philipp, H.R. h Ehrenreich, H. Optical Properties of Semiconductors. Physical Review 129, 1550 (1963).
  70. Poindexter, E.H., Caplan, P.H., Deal, B.E. h Gerardy, G.J. The physics and chemistry of Si02 and Si-Si02 interfaces. 299 (Plenum: New York, 1988).
  71. Polman, A. Erbium implanted thin film photonic materials. J. Appl. Phys. 82,1.39(1997).
  72. Przybylinska, H. et al. Optically active erbium centers in silicon. Physical review. B, Condensed matter 54, 2532−2547 (1996).
  73. Robertson, J. Electronic structure of amorphous semiconductors. Advances in Physics 32, 361−452 (1983).
  74. Schmid, P.E., Dumke, W.P., Heights, Y. h Fraser, S. Photoluminescence in heavily doped Si: B and Si: As. Solid State Communications 38, 1091−1093 (1981).V
  75. Simanek, E. Superconductivity at disordered interfaces. Solid State Communications 32, 731−734 (1979).
  76. Sun, J. et al. Below-band-gap electroluminescence related to doping spikes in boron-implanted silicon pn diodes. Physical Review B 70, 1−11 (2004).
  77. Ting, C., Talwar, D. h Ngai, K. Possible Mechanism of Superconductivity in Metal-Semiconductor Eutectic Alloys. Physical Review Letters 45, 1213−1216(1980).
  78. Trovarelli, O. et al. Evolution of magnetism and superconductivity in CeCu2(Si 1 -xGex)2. Physical Review B 56, 678−685 (1997).
  79. Wagner, J. Photoluminescence and excitation spectroscopy in heavily doped n- and p-type silicon. Physical Review B 29, 2002 (1984).
  80. Wolkin, M.V., Jorne, J. и Fauchet, P.M. Electronic States and Luminescence in Porous Silicon Quantum Dots: The Role of Oxygen. Physical Review Letters 82, 197−200 (1999).
  81. Xie, Y.H. et al. Luminescence and structural study of porous silicon films. Journal of Applied Physics 71, 2403 (1992).
  82. Zalm, P.C. Ultra shallow doping profiling with SIMS. Reports on Progress in Physics 58, 1321−1374 (1995).
  83. , Q. и Bayliss, S.C. The correlation of dimensionality with emitted wavelength and ordering of freshly produced porous silicon. Journal of Applied Physics 79, 1351 (1996).
  84. Zhao, J. et al. Near-band edge light emission from silicon semiconductor on insulator diodes. Applied Physics Letters 85, 2830 (2004).
  85. Алферов, Ж.И. et al. Излучательная рекомбинация на гетерогранице. Письма в ЖЭТФ 43, 442 (1986).
  86. , А.А., Баграев, Н.Т., Клячкин, Л.Е., Маляренко, A.M. и Робозеров, С. В. Радиационная проводимость в самоупорядоченных кремниевых квантовых ямах. ФТП 33, 58−63 (1999).
  87. Баграев, Н.Т. et al. Квантованная проводимость в кремниевых квантовых проволоках. Ф777 36, 462−483 (2002).
  88. Баграев, Н.Т. et al. Локальная туннельная спектроскопия кремниевых наноструктур. ФТП 39, 716 (2005).
  89. , Н.Т., Буравлев, А.Д., Клячкин, Л.Е., Маляренко, A.M. и Рыков, С. А. Самоупорядоченные микрорезонаторы в сверхмелких кремниевых р + n-переходах. ФТП ЗА, 726 (2000).
  90. Баграев, Н.Т. et al. Переход металл-диэлектрик в сильно легированных р±квантовых ямах на поверхности кремния n-типа. ФТП 29, 2133 (1995).
  91. , Н.Т., Клячкин, Л.Е., Кудрявцев, А.А., Маляренко, A.M. и Романов, В. В. Сверхпроводящие свойства кремниевых наноструктур. ФТП 43, 1481−1495 (2009).
  92. , М.С. и Яссиевич, И.Н. Физические свойства и фотолюминесценция пористого кремния. ФТП 27, 871 (1993).
  93. , JI.E. и Ивченко, E.J1. Оптические свойства наноструктур. (Наука: СПб, 2001).
  94. , A.M. и Соболев, Н.А. Кремниевые светодиоды с большой мощностью излучения краевой люминесценции. ФТП 42, 336−340 (2008).
  95. , Э.Б., Манойлов, Э.Г., Базылюк, И.Р. и Свечников, С. В. Спектры фотолюминесценции нанокристаллов кремния. ФТП 37, 353 357 (2003).
  96. , В.П., Кузнецов, М.В. и Красильник, З. Ф. Диодные структуры SiD: Er / Si для наблюдения электролюминесценции на длине волны 1. 5 мкм при 300 К. ФТП 44, 402−408 (2010).
  97. Лазарук, С.К. et al. Фотолюминесценция легированных эрбием алюмооксидных пленок со встроенными кремниевыми наночастицами. ФТП 39, 927−930 (2005).
  98. , Ж. Оптические процессы в полупроводниках. 124 («Мир:» Москва, 1973).
  99. , И.И. и Гук, Е.Г. Комбинационное рассеяние и люминесценцияпористого кремния. ФТП 21, 728 (1993).
  100. Степихова, М.В. et al. Инверсная населенность уровней энергии ионовэрбия при передаче возбуждения от полупроводниковой матрицы в структурах на основе кремния/германия. Письма в ЖЭТФ 81, 614 (2005).
  101. , В.В. Введение в физику сверхпроводников. (Наука: Москва, 1982).
  102. , А.Л. Плотность состояний и межзонное поглощение света в сильно легированных полупроводниках. УФН 111,451 (1973).
  103. Ю.В. Тубольцев, M.M. Мездрогина, E.M. Хилькевич, Ю. В. Чичагов, H.K. Полетаев, Р. В. Кузьмин, Установка для измерения спектров излучения широкозонных полупроводниковых материалов, ЖТФ, т. 81, вып. 9, стр. 77 (2011).
  104. Н.Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, Р. В. Кузьмин, A.M. Маляренко, В. А. Машков, Инфракрасное излучение из кремниевых наноструктур, сильно легированных бором, ФТП, т. 46, вып. 3, стр. 289 (2012).
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?