Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Получение монокристаллов активированного сапфира Al2 O3: Ti4+, Fe3+ и исследование их спектров поглощения в УФ и видимой областях

Диссертация: Получение монокристаллов активированного сапфира Al2 O3: Ti4+, Fe3+ и исследование их спектров поглощения в УФ и видимой областях
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Установлено, что степень поляризации света Р, прошедшего через кристаллы Al203: Ti4+, Fe3+ в направлении оптической оси, существенно зависит от условий выращивания монокристаллов. При скорости роста 2 мм/час и менее и низких значениях концентраций диоксида титана и осевого температурного перепада величина Р не зависит от угла, а между плоскостью симметрии кристалла и направлением колебаний… Читать ещё >

Содержание

  • 1. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Дефектообразование в чистых и примесных кристаллах с ковалентными связями
    • 1. 2. Влияние примесей на процессы дефектообразования в ковалентных кристаллах
    • 1. 3. Управление тепловым полем и процессом конвекции при выращивании монокристаллов
    • 1. 4. Особенности спектров поглощения в легированном корунде
  • ГЛАВА II. МЕТОДИКА ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ
    • 1. 1. Аппаратура для выращивания монокристаллов
    • 2. 2. Технология выращивания монокристаллов Al203: Ti4+, Fe3+
    • 2. 3. Технические характеристики узлов установки по выращиванию монокристаллов методом Вернейля
    • 2. 4. Изготовление и сборка теплового узла установки
  • Выводы по главе 2
  • ГЛАВА III. ОПРЕДЕЛЕНИЕ СТРУКТУРНОГО СОВЕРШЕНСТВА КРИСТАЛЛОВ Al203: Ti4+, Fe3+, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ВЕРНЕЙЛЯ В ОКИСЛИТЕЛЬНЫХ УСЛОВИЯХ
    • 3. 1. Кристаллографические данные о симметрии Корундов и его структурных дефектах
    • 3. 2. Тепловые условия выращивания монокристаллов Al203: Ti4+, Fe3+ методом Вернейля
    • 3. 3. Исследование монокристаллов Al203: Ti4+, Fe3+ методом рентгеновской дифракционной топографии
    • 3. 4. Измерение степени поляризации света в направлении поворотной оси симметрии 3-то порядка
  • Выводы по главе 3
  • ГЛАВА IV. ОСОБЕННОСТИ СПЕКТРОВ ПОГЛОЩЕНИЯ СВЕТА В КРИСТАЛЛАХ Al203: Ti4+, Fe3+
    • 4. 1. Анализ условий получения кристаллов
    • 4. 2. Исследование спектров поглощения кристаллов Al203: Ti4+, Fe3+ в области 200 — 300 нм
    • 4. 3. Дефекты структуры и фотоиндуцированный резонанс Фано в спектрах поглощения кристаллов a-Al203:Ti4+, Fe3+
    • 4. 4. Влияние механических напряжений на процессы преобразования зарядового состояния ионов титана в кристаллах Al203: Ti4+, Fe3+
  • Выводы по главе 4

Получение монокристаллов активированного сапфира Al2 O3: Ti4+, Fe3+ и исследование их спектров поглощения в УФ и видимой областях (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Корунд (а-А12Оз) является одним из важнейших синтетических монокристаллов, обладающим рядом ценных физико-механических и эксплуатационных свойств: высокой твердостью, химической стойкостью, малым коэффициентом трения, хорошей устойчивостью на износ и способностью сохранять полировку при истирании. В настоящее время как конструкционный или функциональный материал корунд нашел широкое применение в квантовой электронике, космической технике, звукозаписывающей и электроизмерительной аппаратуре, часовой и ювеШрнейм^таншшлшршщднищрруппы (Fe, Сг, Ni, Со, V, Mn, Ti и Си) могут изоморфно входить в решетку корунда а-А1203. Изоморфное вхождение легче всего реализуется для ионов хрома Сг3+ и ванадия V3+, поэтому технология получения синтетического рубина (корунда с примесью Сг3+) и александрита (корунд, легированный V3+) уже давно имеет промышленный характер.

В настоящее время синтетический корунд (а-А1203) получают в виде монокристаллов различными методами на промышленных установках в очень больших объемах [1]. Методом Степанова [2] получают профильные монокристаллы в виде лент, трубок и т. п. Базисно ограненные ленты имеют высокую степень ориентировки, что позволяет использовать их в качестве подложек микросхем без дополнительной обработки [3]. Методом горизонтальной и вертикальной направленной кристаллизации получают кристаллы лейкосапфира массой до 3 — 5 кг.

В основном, высококачественный синтетический рубин получают методом Вернейля, который был предложен еще в 1902 году и дошел до нашего времени без принципиальных изменений. Аппаратурное оформление метода прошло длинный путь технических усовершенствований, позволяющих в настоящее время за 2 — 3 часа получать одиночные кристаллы очень высокого качества весом 30 — 50 граммов [4]. Основное достоинство метода Вернейля заключается в том, что кристалл растет свободно, а расплав не загрязняется материалом тигля. Это существенно отличает метод Вернейля от других методов получения монокристаллов, например метода Чохральского, горизонтально и вертикально направленной кристаллизации и др.

Установки по методу Вернейля просты по конструкции, поскольку предполагают внутренний газопламенный нагрев, но трудны в управлении, а главное — при малейшем сбое роста процесс невозможно восстановить и продолжить, что очень важно на начальных стадиях затравливания. Несмотря на указанные трудности, установки Вернейля имеют очень большое полезное качество — возможность проводить процессы в различных и контролируемых внешних условиях. Это особенно важно в связи, поскольку известно, что окислительные или восстановительные свойства печной среды, в которой происходит выращивание легированного корунда существенно влияют на спектральные свойства этих монокристаллов.

Интерес к кристаллам корунда особенно возрос в 1960;70-е годы после создания лазеров на рубине и широкого их применения в науке и технике, как наиболее мощных твердотельных оптических квантовых генераторов. В настоящее время большой интерес представляют перестраиваемые лазеры на л I кристаллах тикора А120з: Ti, способные генерировать световые импульсы фемптосекундной длительности терраватной мощности. Комплекс оптико-физических, спектроскопических и генерационных характеристик в сочетании с успехами в разработке источников накачки позволили создать на основе на кристаллов тикора миниатюрные перестраиваемые лазеры ИК диапазона.

Однако, исследования даже такого распространенного и уже давно ставший модельным объекта исследования как рубин до настоящего времени нельзя считать завершенными. Так, например, несмотря на многочисленные исследования кристаллов рубина, проводимые с начала 70-х годов, до сих пор остаются не выясненными ряд особенностей поведения ионов Сг3+ в кристаллической матрице. В частности, остаются необъясненными особенности спектров поглощения с фотоиндуцированной электрической доменной структурой, образование новых центров окраски при оптическом воздействии и некоторые другие. Аналогичная ситуация складывается в исследованиях лазера на тикоре, где основной проблемой является определение условий перехода и образования примесных комплексов с переносом заряда, существенно влияющих на оптические свойства материала.

Создание эффективных механизмов управления состоянием ионов Ti3+ в матрице А1203 является перспективным для решения прикладных задач физики квантовых вычислений и квантовой теории информации. Действительно, примесные комплексы с ферромагнитным или антиферромагнитным взаимодействием Ti3+, Fe3+, Сг3+ и др., возникающие в кристаллах А12Оз представляют собой нанообъекты, которые имеют возможность создавать нужное запутанное состояние частиц в любой момент времени. Носителями запутанных состояний в данном случае являются атомы или ионы в виде разнообразных примесных комплексов, захваченных в ловушках~соответствующих типов. В последнее время много внимания уделяется развитию методов создания запутанных состояний комплексов атомов или ионов, а также контролируемого взаимодействия этих систем со светом. Это является необходимым условием развития методов долговременного хранения специфической квантовой информации сверхплотными оптическими устройствами с возможностью реверсивной записи.

Таким образом, исследование механизмов образования дефектов в кристаллах А120з в виде примесных комплексов, их временной и температурной стабильности, фотовоздействия лазерным излучением является в настоящее время актуальным научным направлением. В частности, весьма интересной и недостаточно изученной областью являются исследования комплексообразо-вание ионов титана разной валентности с ионами железа и его влияние на оптические и спектральные свойства кристаллов сапфира. Научный и практический интерес представляет развитие экспериментальных методов получения кристаллов с определенными оптическими свойствами, в том числе и метод Вернейля, обеспечивающий получение однородных кристаллов с высокими концентрациями легирующих примесей, а так же экспериментальные исследования спектров поглощения в УФ и видимой областях спектра.

Целью настоящей работы явилось создание высокоэффективной установки для выращивания монокристаллов Al203: Ti4+, Fe3+ методом Вернейля в окислительных условиях, исследование спектров поглощения полученных кристаллов и установление основных закономерностей влияния структурных дефектов и внутренних механических напряжений на электронное состояние примесных ионов титана и их комплексов с Fe3+.

Работа выполнена в Тульском государственном университете в соответствии с тематическим планом НИР (№ тем 06−95 и 25−01), координируемым Министерством образования РФ, а также при поддержке гранта губернатора Тульской области № 10 — 2001 от 16.01.2002 г.

Научная новизна заключается в следующем.

1. Разработана методика выращивания монокристаллов Al203: Ti4+, Fe3+ методом Вернейля в окислительных условиях с заданной структурой точечных дефектов типа примесно-межузельных комплексов.

2. Установлены закономерности формирования спектров поглощения кристаллов Al203: Ti4+, Fe3+ в УФ и видимой областях в зависимости от условий роста и термической обработки. Получены данные о возможности неод-нороднго зарядового состояния ионов Ti4+ и необратимого преобразования Ti3±>Ti4+ в ходе структурных изменений примесных комплексов.

3. Обнаружен эффект обратимого преобразования состояний иона Ti4+<->Ti3+ в поле внутренних и внешних механических напряжений при наличии в структуре кристаллов дефектов в виде примесно-межузельных комплексов Fe3+. .Ti3± О?" -Ti4+. .Fe3+.

4. Обнаружен сильный резонанс Фано в спектрах поглощения кристаллов Al203: Ti4+, Fe3+ с ПМК, указывающей на возникновение когерентных состояний примесных комплексов и возможность процесса резонансного обмена энергией между примесными ионами.

5. Выявлен механизм преобразования примесно-межузельного комплекса в комплекс примесно-вакансионного типа, обусловленный процессами структурного, электронного и магнитного упорядочения в ходе старения кристаллов Al203: Ti4+, Fe3+.

Основные положения, выносимые автором на защиту.

1. Тепловые условия и скорость выращивания монокристаллов Al203: Ti4+, Fe3+ существенно влияют на структуру и концентрацию примес-но-вакансионных комплексов с переносом заряда при высокой концентрации основных легирующих элементов.

2. Особенности метода Вернейля для выращивания монокристаллов Al203: Ti4+, Fe3+ позволяет получать образцы с высокой концентрацией примесно-межузельных и примесно-вакансионных комлексов.

3. Электронное состояние ионов Ti4+ зависит не только от окислительно-восстановительных условий выращивания, но и от характера и величины внутренних механических напряжений, создаваемых избыточной концентрацией ионов О2— значительно превышающей равновесную.

4. В поле внутренних или внешних механических напряжений происходит преобразование зарядового состояния ионов титана Ti4V"Ti3+. Компенсация заряда осуществляется за счет межузельных ионов кислорода, образующего примесно-межузельные комплексы с переносом заряда.

Fe3+.Ti3+ -О1″ -Ti4+.Fe3+ оFe3+.Ti3+ -О0 -Ti3+.Fe3+.

5. Сильный перенос заряда в комплексе в напряженно — деформированных кристаллах приводит к возникновению резонансов и антире-зонансов Фано в спектрах поглощения и резонансному обмену энергий между ионами Ti3+ и Fe3+.

6. Спиновые взаимодействия примесных ионов в комплексах создают инверсную заселенность резонансно-взаимодействующих уровней Ti3+ и Fe3+ и появлению глубокого антирезонанса в спектре поглощения кристалла.

Практическая значимость работы.

Разработана и изготовлена опытно-экспериментальная установка по получению монокристаллов Al2C>3:Ti4+, Fe3+ методом Вернейля, позволяющая выращивать кристаллы корунда с относительно высокой концентрацией примесных добавок в виде Т1О2 и Fe203 высокого оптического качества.

Разработана методика выращивания кристаллов.

Al203:Ti4+, Fe3+ (темно-синий активированный сапфир) цветовые характеристики которого определяются присутствием в структуре ионов Ti3+ в возбужденном состоянии и комплексами с переносом заряда Ti4+. .Fe3+ (примесно-межузельным и при-месно-вакансионным комплексами). На основании полученных результатов выявлены новые перспективы использования кристаллов Al203'.Ti4+, Fe3+ в системах обработки квантовой информации и оптических линий связи.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

И ОБЩИЕ ВЫВОДЫ.

В работе проведено исследование структуры и электронных переходов в примесных комплексах, образованных неравновесными (атомы примесных элементов) и равновесными (анионные и катионные вакансии) точечными дефектами в монокристаллах легированных корундов Al203: Ti4+, Fe3+. Достижение основной цели работы потребовало решения комплекса задач. К их числу относится разработка методического обеспечения — это создание установки для выращивания монокристаллов корундов требуемого состава методом Вернейля, разработка и апробация методики выращивания бездефектных кристаллов и методов исследования их структуры. Установлены основные закономерности формирования спектров поглощения монокристаллов Al203: Ti4+, Fe3+ с примесно — вакансионными и примесно — межузельными структурными комплексами точечных дефектов. Получены новые данные о влиянии внутренних напряжений на структуру примесных комплексов в легированном корунде и о процессах преобразования зарядового состояния примесных ионов титана и их комплексов.

В целом, по работе можно сделать следующие выводы.

1. Разработана и создана установка для выращивания монокристаллов легированных корундов методом Вернейля. Повышенная эффективность установки обеспечивается а) блоком снабжения горелки чистыми Н2 и 02, позволяющим работать с неразделенными электролизными газами со стабильным во времени расходомб) малоинерционным тепловым узлом печи, обеспечивающим поддержание рабочей температуры 2050 °C с точностью 2−3 °С и более однородный состав печных газов при отсутствии области их смешенияв) дозатором, обеспечивающим длительную устойчивую подачу титановой шихты в зону смешения, отсутствие колебаний расхода газов, срыва или обратного пробоя пламени на начальной и конечной стадиях процесса роста.

2. Определены условия работы дозирующего устройства, обеспечивающие развитие процессов удаления поверхностных пузырей, вносимых в расплав с шихтой. Выполнен расчет теплообмена для случая выращивания небольших кристаллов. Установлено, что наиболее важным фактором управления процессом теплообмена при является регулирование температуры подставки. Для оптимизации условий выращивания бездефектных кристаллов Al203: Ti, Fe с относительно высокими концентрациями добавок в схему установки включен подогрев газовой смеси и шихты до 150 — 200 °C.

3. Разработана методика выращивания монокристаллов легированного корунда Al203: Ti, Fe на ориентированных затравках. Обосновано применение высокоградиентных тепловых условий роста, способствующих формированию тонкой пленки расплава при выпуклой форме поверхности раздела фаз. Установлено, что оптимизация технологического процесса выращивания кристаллов Al203: Ti4+, Fe3+ методом Вернейля должна основываться на учете трех определяющих факторов: скорости роста, осевого перепада температуры в зоне роста и концентрации диоксида титана. Для этих параметров определены соотношения, обеспечивающие получение монокристаллов высокого качества. Показано, что повышение концентрации диоксида титана в исходной шихте способствует увеличению углов разориентации блоков в Al203: Ti4+, Fe3+ при прочих одинаковых условиях выращивания.

4. Установлено, что степень поляризации света Р, прошедшего через кристаллы Al203: Ti4+, Fe3+ в направлении оптической оси, существенно зависит от условий выращивания монокристаллов. При скорости роста 2 мм/час и менее и низких значениях концентраций диоксида титана и осевого температурного перепада величина Р не зависит от угла, а между плоскостью симметрии кристалла и направлением колебаний вектора Е в падающей световой волне. В этом случае направление роста является оптической осью со степенью поляризации Р = (0,96 ± 0,01). Увеличение скорости роста значительно снижает значение Р. Одновременно становятся наблюдаемыми оптические аномалии в виде сильной зависимости Р от угла а, характерные для двуосных кристаллов. Показано, что обнаруженные оптические аномалии являются следствием напряженно — деформированного состояния, возникающего в процессе роста кристаллов.

5. Исследовано влияние условий выращивания на состояние ионов титана и железа, в частности, на комплексы с переносом заряда Ti4+.Fe3+ и Ti4+.Ti3+, в решетке корунда. Установлено, что форма и интенсивность полос в спектрах поглощения зависит от вида и концентрации дефектов, образованных ионами, титана, железа и кислорода, а так же уровнем внутренних механических напряжений. На основе анализа изменения спектров поглощения в ходе естественного старения (до 1,5 года) показано, что наиболее устойчивой структурой комплексов дефектов в корундах с титаном и нестехиометри-ческим кислородом являются катионные вакансии, связанные с ионами Ti.

6. Установлено, что электронная конфигурация примесных комплексов с переносом заряда Ti4+.Fe3+ зависит от расположения избыточных ионов Он, связанных с ионами Ti4+ и способных изменять состояние иона Ti. На основе анализа спектров поглощения кристаллов легированного корунда в различном структурном состоянии показано, что в кристалле могут формироваться примесные комплексы следующих типов. а) Форма I — комплексы железа с ионами Ti промежуточной валентности и межузельными ионами кислородаTi3, x+.Fe3+. Установлено, что присутствие этих комплексов значительно повышают уровень внутренних напряжений в кристаллах и приводит к появлению оптических аномалий в a-Al203:Ti, Fe. Примесно-вакансионные комплексы формы I находятся в промежуточном состоянии и обладают широкой полосой поглощения у 560 нм, обусловленной значительной зависимостью состояния электрона от расположения и амплитуды колебаний ионов Ti4+ и Fe3+. b) Форма П — примесный комплекс к вида — Ti4+.Fe3+. Формирование комплексов формы II сопровождается релаксацией внутренних напряжений в процессе преобразования межузельных дефектов Ojnv в F-центры, а также переходом межузельных ионов Alinv в равновесные позиции в узлах ка-тионной подрешетки.

7. Воздействие на кристаллы излучением с энергией квантов, соответствующей переходам в ионах Ti или Fe (в частности, воздействие излучением He-Ne лазера с длиной волны X = 632,8 нм), сопровождается переходами примесных комплексов в долгоживущие возбужденные состояния, изменением условий резонанса и, как следствие, к изменению формы ряда полос поглощения. Сделано заключение о возможности формирования нескольких форм примесно-вакансионных комплексов с переносом заряда с участием ионов Ti3+, Ti4+, Fe3+ и другими дефектами структуры, а также на возникно.

Т I О 1 вение резонансного обмена энергий между ионами Fe и Ti .

8. Установлено, что взаимодействие континуума поглощения с примесными уровнями ионов Fe3+ и Ti3+ сопровождается изменением формы узких полос поглощения, сходное с резонансом Фано в полупроводниковых структурах. Резонанс Фано связан с наличием в решетке комплексов с переносом заряда Ti4+.Fe3+. Показано, что в образовании комплекса принимает участие один из трех-электронов иона Fe3+, незадействованныхв образовании связей с ионами кислорода.

9. Резонансный обмен между примесными уровнями энергий в Ti3+ и Fe3+ (резонансы Фано) создает условия для возникновения фотоиндуциро-ванного поглощения и просветления на различных длинах волн кристаллов Al203: Ti4+, Fe3+. Показано, что основную роль в формировании устойчивого состояния ионов Ti3+ при низких температурах являются внутренние механические напряжения, обусловленные высокой концентрацией дефектов и искажениями кристаллической решетки кристаллов из-за высоких значений осевых и радиальных градиентов температуры. Установлено, что действие механических напряжений приводит к появлению антирезонанса Фано, обу j ^ о I словленного взаимодействием уровней Fe и Ti с континуумом состояний комплексов с переносом заряда.

10. Установлено, что физический механизм появления фотоиндуциро-ванного резонанса Фано в спектрах поглощения кристаллов связан с действием следующих факторов. Во-первых, это существенное изменение электронной конфигурации комплексов с переносом заряда при переходе в возбужденное состояние. Во-вторых, высокая чувствительность к искажениям структуры и величине остаточных напряжений.

Показать весь текст

Список литературы

  1. К.Т. Выращивание кристаллов / Вильке К. Т. Ленинград:1. Недра, 1977. 334 с.
  2. Патент SU, № 1 820 925 (A3). Способ выращивания кристаллов методом Вернейля и установка для его осуществления / И. Н. Циглер, К.П. Чирки-на, В. М. Царев и др. 1993 г.
  3. Е.Р. О различном характере релаксации напряжений в монокристаллах корунда // Добровинская Е. Р., Литвинов Л. А., Пищик В. В., Цайгер A.M. // Кристаллография. 1977 — Т. 22, вып. 4. — С. 879 — 885.
  4. М.И. Образоание дефектной структуры в профилированных кристаллах оптического корунда // Мусатов М. И., Николаев И. Н., Пету-нина И.Н., Иванов Б. Г. // Известия АН СССР. Сер. физ. 1980. — Т. 44, № 2. -С. 400−403.
  5. Н.П. Исследование механизма образования донных полостей в монокристаллах лейкосапфира / Катрич Н. П., Бороденко Ю. А., Соловьева Е. П., Мирошников Ю. П. // Монокристаллы и техника. Харьков, ВНИИ монокристаллов. — 1976.Вып. 14. — С. 27−32.
  6. А.Т. Акустико-эмиссионное исследование процесса выращивания кристаллов корунда методом Вернейля / Златкин А. Т., Лубе Э. Л.,
  7. И.Н., Чиркина К. П. // Кристаллография. 1989. — Т. 34, вып. 6. — С. 1579- 1582.
  8. Millins W.W. Morphological stability of a particle growing by diffusion or heat grow / Mullins W.W., Sekerka R.F. // J. Appl. Physics. 1963. — V. 34, № 2,-P. 323−329.
  9. Ю.А. Закономерности образования газовых включений при росте кристаллов лейкосапфира / Бороденко Ю. А., Катрич Н. П., Тиман Б. Л. // Кристаллография. 1987, — Т. 32, вып. 2. — С. 473 — 477.
  10. Pohl R.G. Solute redistribution by recrystallization / Pohl R.G. // J. Appl. Physics. 1954. — V. 25, № 9. — P. 1770 — 1178.
  11. Я.Е. Концентрационное уплотнение примеси на границе движущегося фронта кристаллизации расплава / Гегузин Я. Е., Дзюба А. С., Кононенко И. В. // Кристаллография. 1981. — Т. 26, вып. 3. — С. 571 — 576.
  12. М.А. Жидкие тугоплавкие окислы / Маурах М. А., Митин Б. С. М.: Химия, 1979. — 127 с.
  13. Voronkov V.V. The mechanism of swirl defects formation in silicon / Voronkov V.V. // J. Cryst. Growth. 1982. — V. 59. — P. 625−643.
  14. Takeno H. New data based on the investigation of structure defects in silicon / Takeno H., Kato M., Kitagawara Y. //// In: Proceeding of 2 Intern. Sym-pos. on Advanced Technology of Silicon Material / Ed. M. Umepo. Osaka: 1996. — P 294 — 299.
  15. Amnion W. The dependence of bulk defects on the axial temperature gradient of silicon crystals during Crochralski growth / Ammon W., Dornberger E. Oclkrug H, Weidner H. // J. Cryst. Growth. 1995. — V. 151. — P. 273 — 277.
  16. Е.Р. Связь структурного совершенства с механизмами роста монокристаллов корунда, выращенных различными методами / Добровинская Е. Р., Литвинов Л. А., Пищик В. В. // Известия АН СССР. Сер. физ. 1983. — Т. 47. — С. 322 — 329.
  17. Е.Р. Связь механизма перемещения межфазной поверхности с проблемой получения кристаллов с заданным распределением структурных дефектов / Добровинская Е. Р., Пищик В. В. // Известия АН СССР. Сер. физ. 1985. — Т. 49. — С. 2386 — 2389.
  18. Е.Р. О различном характере релаксации напряжений в монокристаллах корунда / Добровинская Е. Р., Литвинов Л. А., Пищик В. В., Цайгер A.M. // Кристаллография. 1977. — Т. 22, вып. 4. — С. 879 — 888.
  19. А.Н. О возможностях управления примесной неоднородностью в монокристаллах корунда / Белая А. Н., Добровинская Е. Р., Литвинов Л. А., Пищик В. В. // Кристаллография. 1981. — Т. 26. — С. 164 — 170.
  20. Tang D.Y. A study on growth of p-BaB204 crystals / Tang D.Y., Zeng W.R., Zhao Q.L. // J. Cryst. Growth. 1992. — V. 123. — P. 445 — 450.
  21. Markgraf S.A. Top seeded solution growth of LiB305 / Markgraf S.A., Furukawa Y., Sato M. // J. Cryst. Growth. 1994. — V. 140. — P. 343 — 348.
  22. А.А. Фазовые диаграммы систем и выращивание монокристаллов KGd(W04)2 и RbGd (W04)2, активированных неодимом / Павлюк А. А., Юданова Л. И., Потанова О. Г. // Неорг. матер. 1997. — Т. 33, № 1. — С. 72 — 75.
  23. Ю.М. Выращивание монокристаллов методом вытягивания / Шашков Ю. М. М.: Металлургия, 1982. — 312 с.
  24. С.К. Использование стержневого корунда в производстве искусственного волокна / Попов С. К., Попова А. А. // Рост кристаллов М.: Изд. АН СССР, 1959. — Т. 2. — С. 140 — 185.
  25. Э.Б. Влияние тепловых условий на качество кристаллов корунда, выращиваемых методом Вернейля / Зелигман Э. Б., Алеев Е. Р., Симакова Н. Б., Циглер И. Н. // Кристаллография. 1976. — Т. 21, вып. 5. — С. 1014−1021.
  26. Ю.И. Основы кристаллофизики / Сиротин Ю. И. Шасколь-ская М.П. 2-е изд., М.: Наука, 1979. — 640 с.
  27. Грум-Гржимайло С. В. Данные спектрального анализа корунда / Грум-Гржимайло С.В. // Труды Ж АН СССР. 1953. — Вып. 8. — С. 51 — 56.
  28. Патент RU, № 2 049 832 (С1). Шихта для выращивания монокристаллов корунда фиолетовой гаммы / Т. А. Дербенева, Л. Н. Райская. 1995 г.
  29. Д.Я. Получение способом Степанова профилированных кристаллов корунда и граната и некоторые области их применения / Кравецкий Д. Я., Егоров Л. П., Затуловский JI.M. и др. // Известия' АН СССР. Сер. физ. 1980. — Т. 44, № 3. — С. 378 — 385.
  30. А.Н. Природа окраски самоцветов / Платонов А. Н. Таран М.Н., Балицкий B.C. М.: Недра, 1984. — 195 с.
  31. Д.Т. Оптические спектры ионов переходных металлов в кристаллах / Свиридов Д. Т., Свиридова Р. К., Смирнов Ю. Ф. М.: Наука, 1976.-267 с.
  32. А.С. Введение в физику минералов / Марфунин А. С. -М.: Недра, 1974. 324 с.
  33. А.Н. Природа окраски минералов / Платонов А. Н. Киев: Наукова думка, 1976. — 264 с.
  34. Х.С. Гигантские импульсы лазера на кристалле Al203:Ti / Багдасаров Х. С., Данилов В. П., Колеров А. Н. и др. // Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14, вып. 4.-С. 342−344.
  35. С.А. Генерация субнаносекундных импульсов на кристал1. О Lлах Al203: Ti / Батище С. А., Демидович А. А., Коптев В. Г. и др. // Доклады АН СССР. 1989. — Т. 305, № 2. — С. 337 — 339.
  36. А.В. Термооптика твердотельных лазеров / Мезенов А. В., Соме Л. Н., Степанов А. И. Л.: Машиностроение, 1986. — 197 с.
  37. П.И. Влияние анизотропии на термоупругие напряжения, возникающие при выращивании профилированных монокристаллов / Антонов П. И., Бахолдин С. И., Галактионов Е. В., Тропп Э. А. // Известия АН СССР. 1980. — Т. 44, № 2. — С. 255−268.
  38. С.К. Использование стержневого корунда в производстве искусственного волокна / Попов С. К., Попова А. А. // Рост кристаллов. М.: Изд. АН СССР, 1959.-Т. 2.-С. 186−210.
  39. А.с. № 148 017 СССР. Печь к аппаратам для выращивания монокристаллов тугоплавких веществ / И. Н. Циглер, С. А. Файвусович, Ю. К. Гулевич. Опубл. 1962. Бюл.№ 12.
  40. Patent US № 3 012 374. Method for growing crystals / L. Merker. 1961.
  41. Patent US № 3 007 752. Method of making synthetic unicrystalling bodies / W. Drost, R.W. Kebler, E.E. Dutchess. 1963.
  42. Patent US № 3 778 234. Process for growing crystals using an ozone enriched hydrogen-oxygen blame / C.M. Cobb. 1973.
  43. A.c. № 2 839 983 СССР. Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов / А. Г. Носоновский, Ю. М. Либин, В. Я. Вакуленко. Опубл. 1970. Бюл. № 32.
  44. А.с. № 248 637А Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов / А. Г. Носоновский, Ю. М. Либин, В. В. Пищик. Опубл. 1985. Бюл. № 22.
  45. Э.Б. Зелигман Влияние тепловых условий на качество кристаллов корунда, выращиваемых методом Вернейля / Э. Б. Зелигман, Е. Р. Алеев, Н. Б. Симакова, И. Н. Циглер // Кристаллография. 1976. — Т. 21, вып.5. — С. 1013 — 1020.
  46. Патент № 182 0925A3 РФ. Способ выращивания кристаллов методом Вернейля и установка для его осуществления / И. Н. Циглер, К.П. Чирки-на, В. М. Царев, В. И. Гусев, И. И. Каргин. Опубл. 1993. Бюл. № 21.
  47. Е.С. Кристаллография и структура корунда / Руднецкая Е. С. // Труды ин-та кристаллографии АН СССР. 1953. Вып. 8. — С. 4 — 21.
  48. Н.В. Структурная кристаллография / Белов Н. В. М.: Изд. АН СССР, 1951.-86 с.
  49. Диаграммы состояния систем тугоплавких окислов: Справочник / Под ред. Ф. Я. Галахова. Л.: Наука, 1985. — 384 с.
  50. Грум-Гржимайло С. В. Итоги лабораторных исследований различных свойств кристаллов синтетического корунда / Грум-Гржимайло С.В., Классен-Неклюдова И.В. // Труды института кристаллографии АН СССР. -1953.-Вып. 8.-С. 5−12.
  51. В.А. Двойникование в пластинчатых кристаллах, а А120з / Карвец В. А. // Кристаллография. — 1976. — Т. 21, вып. 2. — С. 415 — 417.
  52. П.Ю. Искривление и расщепление границ блоков при переходе рубин лейкосапфир в рубиновых элементах с лейкосапфировыми наконечниками / Кикин П. Ю. // Кристаллография. — 1975. — Т. 20, вып. 3. — С. 673 — 674.
  53. Х.С. Разориентация блоков в кристаллах лейкосапфира / Багдасаров Х. С., Белых И. Г., Федоров Е. А. // Кристаллография.- 1982. Т. 27, — вып.1. — С.207−208.
  54. B.JI. К теории образования напряжений и дислокаций при росте кристаллов / Инденбом B.JI. // Кристаллография.- 1964. Т. 9. — С. 74−83.
  55. Н.Н. О некоторых закономерностях образования монокристаллов / Шефталь Н. Н. // Рост кристаллов. Т. 5. М.: Наука, 1965. — С. 34 -44.
  56. Е.М. Оценка температурных полей и термических напряжений для полупрозрачных профилированных изделий / Андреев Е. М., Антонов П. И., Бахолдин С. И., Галактионов Е. В., Юферев B.C. // Известия АН СССР. Сер. физ. 1976. — № 7. — С. 1426 — 1430.
  57. В.А. Влияние тепловых условий процесса на огранку монокристаллов корунда, получаемых способом Вернейля / Бородин В. А., Та-тарченко В.А., Чернышева Л. И., Яловцев Т. Н. // Кристаллография. 1980, -Т.25, вып.З. — С. 590 — 594.
  58. Adamski J.A. Growth of uncommon Vermeil crystals and their characterization by light scattering / Adamski J.A., Powell R.C., Sampson J.L. // J. Cryst. Growth. 1968. — V. 3/. — P. 246 — 249.
  59. Grabmaier J.G. Die schmelzfilmdicke beider rubin-syn these nach vemeuih und ihr einfluss auf die kristall perfection / Grabmaier J.G. // J. Cryst. Growth.-1969. V. 5, № 2. — P. 105 — 110.
  60. E.M. Оценка толщины слоя расплава при выращивании рубина методом Вернейля / Акуленко Е. М., Жмурова З. И., Малахова К. П., Хаимов-Мальков В.Я. // Кристаллография. 1980. — Т. 25, вып.З. — С. 653 -654.
  61. .М. Количественная оценка субструктуры монокристаллов по лауэграммам высокого разрешения / Ровинский Б. М., Костюкова Е. П. // Кристаллогрфия. 1968. — Т. 13, вып.2. — С. 302 — 306.
  62. Д.М. Изучение степени совершенства кристаллов a-Al203:Ti, Fe, полученных методом Вернейля / Левин Д. М., Герасимов В. П., Гусейнов Ф. Х. И Известия ТулГУ. Сер. Физика. 2000. Вып. 2. — С. 197 -204.
  63. Патент № 2 124 077 РФ. Способ выращивания звездчатых монокристаллов тугоплавких окислов по методу Вернейля / Герасимов В. П., Гусейнов Ф. Х., Левин Д.М.- Опубл. 1998- Бюл. № 36.
  64. Д.М. Особенности спектров поглощения ионов титана и железа в кристаллах Al203:Ti, Fe / Левин Д. М., Герасимов В. П., Гусейнов Ф. Х. // Журн. прикл. спектроскопии. 2001. — Т. 68, № 3. — С. 375 — 379.
  65. М. Основы оптики / Борн М., Вольф Э. М.: Наука, 1970. -720 с.
  66. Н.М. Методы исследования оптических свойств кристаллов / Меланхолии Н. М. М.: Наука, 1970. -156 с.
  67. А.В. Термооптика твердотельных лазеров / Мезенов А. В., Соме Л. Н., Степанов А. И. М.: Наука, 1970. — 156 с.
  68. A.M. Основы механики кристаллической решетки / Косе-вич A.M. М.: Наука, 1972. — 280 с.
  69. Ю.К. Сегрегация вакансионно-примесных дефектов в сапфире / Даниленко Ю. К., Минаев Ю. П., Сидорин А. В // Кристаллография. 1985. — Т. 30, № 5. — С. 551 — 553.
  70. В.В. Люминесценция центров окраски в монокристаллах а-А1203 / Арутюнян В. В., Бабаян А. К., Вельский А. Н. и др. // Журн. прикл. спектр. 1995. — Т. 62, № 3. — С. 218 — 221.
  71. McClure D.S. Optical spectra of transition-model ions in corundum / McClure D.S. // Journ. Chem. Phys. 1962. — V. 36. — P. 2757 — 2779.
  72. Т.С. Влияние термических обработок и облучения на спектры поглощения Ti- и Si- корунда / Бессонова Т. С., Станиславский М. П., Хаимов-Мальков В.Я. // Оптика и спектр. 1976, — Т. 41, № 1. — С. 152 — 154.
  73. Р.П. Широкие полосы поглощения в а-А12Оз, содержащие ионы группы железа / Бащук Р. П., Грум-Гжимайло С.В. // Спектроскопиякристаллов / Под ред. П. П. Феофилова. М.: Изд. АН СССР, 1996. — С. 204 -214.
  74. Е.М. Исследование спектров поглощения кристаллов корунда / Акуленок Е. М., Данилечко ЮДС, Нечитайло А. А. и др. // Письма в ЖЭТФ. 1972. — Т. 16. — С. 336 — 339.
  75. Evans B.D. Optical properties of F±centers in crystalline A1203 / Evans
  76. B.D., Stapelbrock M. // Phys. Rev. B. 1978, V. 18, № 12. P. 7089 — 7098.
  77. Turner T.J. Structure and properties of F±centers in corundum crystals / Turner T.J., Crawford J.H. // Solid State Commun 1975. — V. 17. — P. 167 — 174.
  78. А.Г. Перестраиваемое лазерное излучение, нелинейное поглощение и «антистоксова» люминесценция центров окраски в а-А1203 / Токарев А. Г., Мартынович Е. Ф., Зилов С. А. // Известия вузов. Физика. 1987. -Т. 30, № 10.-С. 41−46.
  79. С.А. Абсорбционно-люминесцентные спектры лейкосапфира, облученного нейтронами / Михнов С. А., У сков В.И. // Журн. прикл. спектр. 1985. — Т. 42, № 6. — С. 940 — 944.
  80. А.В. Радиационное обесцвечивание корунда / Флеров А. В., Флеров В. И., Литвинов Л. А. // Журн. прикл. спектр., 1991. — Т. 54, № 2.1. C. 263−268.
  81. Э.Д. Влияние расстехиометрии на люминесцентные свойства а-А1203 / Алукер Э. Д., Гаврилов В. В., Коневский B.C. и др. // Оптика и спектр. 1991. — Т. 70, вып.1. — С. 75 — 80.
  82. Aggarwal R.L. Residual infrared absorption in AS-grown and annealed crystals of Ti: Al203 / Aggarwal R.L., Sanches A., Stuppi M.M. et all. // Journ. Quant. Election. 1988. — V. 24, № 6. — P. 1003 — 1008.
  83. B.C. Оптическое поглощение тикора / Коневский B.C., Кривоносов Е. В., Литвинов Л. А. // Журн. прикл. спектр. 1989. — Т. 50, № 4. -С. 651 -654.
  84. С.Ф. Термостимулированная люминесценция и поглощение a- Al203:Ti / Квятковский С. Ф., Коневский B.C., Кривоновов Е. В., Литвинов Л. А. // Журн. прикл. спектр. 1989. — Т. 51, № 1. — С. 90 — 94.
  85. Х.С. Исследование состояния валентности ионов титана в кристаллах корунда / Багдасаров Х. С., Карягин В. Ф., Кеворков A.M. и др. // Кристаллография. 1994. — Т. 39, № 4. — С. 656 — 658.
  86. .К. Перестраиваемый лазер на кристалле Al203:Ti / Севастьянов Б. К., Багдасаров Х. С., Федоров Е. А. и др. // Кристаллография. -1984. Т.29, вып.5. — С. 963 — 964.
  87. Caslavsky J.L. The oxidation state of Ti in sapphire crystals / Caslavsky J.L. // «Spectroscop. Solid-State Laser-Type Mater.» Proc. Course. Rice, June 16−30,1985. New-York, London, 1987. — P. 558.
  88. П.Н. Нелинейная рефракция в кристаллах сапфира, активированного трехвалентным титаном / Назаренко П. Н., Окладников Н. В., Скрипко Г. А. //Журн. прикл. спектр. 1991. -Т. 55, № 1. С. 127 — 133.
  89. П.И. Распределение температуры в прозрачных профилированных кристаллах / Антонов П. И., Бахолдин С. И., Василеев М. Г. и др. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1980. — Т. 44, № 2. — С. 269 — 275.
  90. B.C. Влияние радиационного переноса тепла на форму фронта кристаллизации и распределения температуры в тугоплавких полупрозрачных кристаллах, вытягиваемых из расплава / Юферев B.C. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1983. — Т. 47, № 2. — С. 261 — 266.
  91. В.И. Термические напряжения и дефекты структуры в монокристаллах вытягиваемых из расплава / Горилецкий В. И., Эйдельман Л. Г. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1976. — Т. 40, № 7. — С. 1522 — 1528.
  92. А.Г. О поляризационном эффекте на линиях экситонного поглощения / Жилич А. Г. // Физика твердого тела. 1968. — Т. 10, № 6. — С. 1746- 1753.
  93. А. А. Лазерные материалы / Каминский А. А. М.: Наука, 1975.-253 с.
  94. Д.М. Влияние механических напряжения в кристаллах a-Al203:Ti, Fe на процессы перезарядки ионов титана / Левин Д. М., Герасимов В. П., Гусейнов Ф. Х. // Тезисы докл. IX национальной конференции по росту кристаллов. М., Ж РАН, 2000. — С. 438.
  95. Levin D.M. Structure defects and photo-induced Fano resonance in absorption spectra of a-Al203:Ti4+, Fe3+ crystals / Levin D.M., Gerasimov V.P., Guseinov F.H. // Proc.4 International Conf. Obninsk: 2001. — V. 3. — P. 589 -595.
  96. В.П. Исследование процесса дефектообразования в кристаллах а-А1203 для изучения механизма деградации анодно-окисных тер-морегулирующих покрытий космических аппаратов /, Левин Д. М., Гусейнов
  97. Ф.Х., Щедрина Т. В. // Труды XVIII совещания по температуроустойчивым функциональным покрытиям. Тула: изд-во ТГПУ, 2001. — Т. 1.-С. 141 -144.
  98. В.М. Электронное комбинационное рассеяние света Клейн В.М. // Рассеяние света в твердых телах. М.: Мир, 1979. — С. 174−238.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?