Исследование состава и структурного совершенства полупроводниковых гетероэпитаксиальных систем методом электроотражения
Диссертация
Основные методы модуляционной спектроскопии — поверхностное барьерное электроотражение и электропоглощение — обладают рядом особенностей, обусловленных перестройкой электронного энергетического спектра приповерхностного слоя кристалла и спецификой электрофизических и оптических процессов в электрических полях узких приповерхностных каналов / 50 /. Метод электроотражения / dO / обладает более… Читать ещё >
Содержание
- Глава I. Электроотраление в полупроводниках
- 1. 1. Зонная структура полупроводников
- 1. 2. Электрооптические эффекты в полупроводниках
- 1. 3. Модуляционные методики и использование электроотраления для определения параметров зонной структуры
- 1. 4. Влияние структурного совершенства кристаллов на спектры электроотражения
- 1. 5. Внутренние напряжения в гетероэпитак-сиальных системах и их влияние на энергетический спектр
- 1. 6. Релаксация внутренних напряжений в гете-роэпитаксиальных системах о Вывода
- Глава 2. Методика эксперимента и обработки результатов
- 2. 1. Методика экспериментальных исследований спектров электроотражения и кривизны ге-теросистем
- 2. 2. Обработка спектров электроотражения
- Выводы
- Глава 3. Исследование состава, однородности и степени структурного совершенства пленок твердых растворов
- 3. 1. Определение состава монокристаллов твердых растворов методом электроотражения
- 3. 2. Влияние внутренних механических напряжений на спектры электроотражения гетеросис-тем
- 3. 3. Определение состава гетероэпитаксиальных пленок и однородности его распределения
- 3. 4. Использование электроотражения для контроля состава твердых растворов
- 3. 5. Влияние структурного совершенства пленок на спектры электроотражения
- Выводы
- Глава 4. Влияние внешних воздействий на спектры электроотражения пленок
- 4. 1. Влияние ионной импланктации и отжига на спектры электроотражения пленок
- 4. 2. Влияние у- облучения на спектры электроотражения
- Выводы III
Список литературы
- Анималу А. Квантовая теория кристаллических твердых тел.М.: Мир, I98I.- 570 с.
- Ариас Н.А., Конакова Р. В., Лгдш-! И., Матвеева Л. А., Осадчая Н. В., Солдатенко Н. Н, Тхорик Ю. А., Хазан Л С Харман Р., Шилдер Я. Исследование однородности состава и совершенства кристаллической структуры гетероэпитаксиальных пленок Ge 1-хх 9. подложкахCaAs в кн.: Физика поФизика р-П-переходов.- Рига: Зинатне, 1966, верхностных явлешй в полупроводЕмках: Тез. докл. УШ совещан14я.- К.: Наукова дут. ша, 1984, — Ч. I. с. 23.
- Ариас Н.А., Матвеева Л. А. Применение неразршхающих оптических методов для анализа тонких пленок.- В кн.: II Всесоьэзная конференндя по физике и технологии пленок проблемные вопросы Тез. докладов.- Ивано-Франковск, 1984, Ч. 2, с. 388.
- Вавилов B.C., Кив А.Е., Ниязова О. Р. Механизм! образования и тшграции дефектов в полупроводниках.- М.: Нака, I98I.- 368.
- Вопросы рэдиащонной технологии/Под ред. Сьшрнова Л. С. Новосибирск: Наука, 1980, — 269 с.
- Бассаш-! Ф., Пастори Парравичини Д? к. Электронные состояния и оптические методы в твер, дых телах:.- М.: На--уа{а, 1982.- 391 с. 8. Вир Г. А., HiiKyc Г. Е. Сигжетрия и деформащонные эффекты в полупроводниках, — М.: Наука, 1972.- 584 с,
- Бондаренко В.Н., Евстигнеев A.M., Тягай В. А., Снитко О. В. Влияние механически нарушенного слоя на спектры электро9. Гавриленко В. И., Дракан А. В., Зев В. А., Корбутдк Д. В., Литовченко В. Г. Влияние ионной бомбардировки на спектры электроотра}кения и фотолрэминисценщи твердых растворов. ФШ- 1976, 10, ГР-2, с. 310 315.
- Гавриленко В.И., Дубчак А. П., Зуев В. А., Л1−1товченко В.Г., Лысенко B.C. Спектры электроотраженсия поверхност!-! кремния, подвергнутой ионной бомбардировкв.--ШТП, 1975, 9, Шу с. 702 709.
- Гоффман Р.У. Механические свойства тонких конденсированных пленок .-В кн.: Физика тонких пленок, М., Ivkp, Т. 3, с. 225 298.
- Евстигнеев A.M., Красико А. Н., Тхорик Ю. А., Тягай В. А., Федотова Г. В. Электроотрэ.жение пленок твердых растворов Sei-ySCx 14. 15. 16. 17. бШ, 1973, 7, РЗ, с. 650
- Емцев В.В., Машовец Т. В. Примесы и точечные дефекты в полупроводникэс— М.: Ращо и связь, I 9 8 I 248 с. Каллуэй Дд{. Теория энергетической зонной структуры.- М.: ?-кр, 1969.- 360 с. Кардона М. Модуляционная спектроскопия.- М.: I/fop, 1972,416 с. Келдыш Л. В. О влиянии сильного электрического поля на оптические характеристики непроводящих кристаллов.- Л{ЭТФ, 1958, 34, Р5, с. II38 I I 4 I 18.
- Шреев М.С. Физика полупроводников.- М.: Высшэл Шхола. 1969.- 592 с. Клименко А. П., Клочков В. П., Солдатенко Н. Н., Торчун Н. М., Тхорик Ю. А. Монокристаллические пленки германия на арсени15. Клименко А. П., Матвеева Л. А., Тхорик Ю. А., 1мешш Т. Д. Вжтяние совершенства стрзттуры и внутренних напряжений на спектры электроотражения кристаллических пленок германия. Электронная техника, сер. Материалы.- 1977, вып. 2, с. 79 87.
- Конакова Р.В., Семенова Г. Н., Тхорик Ю. А. и, др. Влияш/ге К- облучения на ВАХ гетеропереходов Ge-SaA5 и диодов с барьером 1ПотткиАц-Сг-6аА5.- УФЖ, 1979, 24, !!9, с. 1308 I3I2. 22. 23. 24. 25.
- Косевич A.M. Д<[слокации в теоррш упругости.- Киев: Наук. дутлка, 1978.-219 с. Маделунг 0. з и к, а поллгпроводниковых соединений элементов I I I и У групп.- М.: Шр, 1967.- 477 с. Матаре Г. Электроника дефектов в пол-Т1роводниках.- М.: Шр, 1974.- 463 с. Матвеева Л. А. Кандидатская.циссертаЩТЯ. К., 1
- Матвеева Л.А., Семенова Г. Н., Тхорик Ю.А, Ариас И. Изменение оптических спектров германиевых пленок при ионном легироваьши.- Мелодародная конференция «Ионнал иАШлэлтация в полупроводниках и других материалах Тез. докл. Вильнюс, 1983, с. 7 8.
- Матвеева Л.А., Солдатенко Н. Н., Тхорик Ю.А. Остаточные деформации в гетеростр-|уктлграх 6e-Si nGe-GcxAs Электроннал техтдака. Серия б. Материалы, 1980, вып. 7 144 57 63
- Матвеева Л.А., Тхорик Ю. А. Разштие крал фундэ1дентальнего поглощегогя как характеристика стр/ктфы пленок Сб.
- Материалыиспользз/емые в полупроводш1ковых приборах: под ред. Хогарта К. М.: Lfep, 1968, 348 с. Мейер Дж. Эрике он Л., Дэвис Дк. PIOHHOO легирование полу- проводШШов.- М.: Мир, 1973, 296 с. Мосс Т., Баррел Г., Эллис В. Полупроводниковая оптоэлектроника.- М.: Ммр, 1976.- 432 с. Неизвестный II.Т., Овсюк Н. Н., Сишоков М.П.- Спектры электроотршкешя E j Ej -ь Aj вСе.-ФШ, 1974, 8, Н57, с. 1
- Ольсен Г. Х., Эттенберг М. Особенности ползгешш гетероэштаксиальных структф типа, А .-В кн.: Рост кристаллов. Теория роста и методд выраливания кристаллов. Вып. 2, М.: Шр, I98I, с. 9 76. 34. Ж. 36. 37.
- Оптические свойства полупроводников /под ред. Уиллардсона Р. и Вира А. М.: Ifep, 1970.-488 с. Ормонт Б. Ф. Введение
- Сьшт Р. Полшроводники.- М.: Мир, 1982, 558 с. Торчинская Т. В., Брайловский Е. Ю., Семенова Г. Н., Матвеева Л. А., Шрзажанов М. А., Берд1шских Т.Г., Пузин И. Б., Ариас Н. Избыточные токи и структурные дефекты вЬ-х25. Тхорик Ю. А. Генезис деформащй и деформационные эффекты в гетероэпитаксиальных пленках.-ПТГД, 1979, iBbin. 30, с. 3 24. 42.
- Тхорик Ю.О. МеханТчн! напрукення в гетеросистемах.—В1сн. А УРСР, 1979, т, Н с. 3 8 4 9 Тхорик Ю. А. Дслокаш-ш границы
- Тхорик Ю.А., Хазан Л. С. Устранение напряжений в гетероэго! таксиальных системах путем зарождения дислокационных полупетель на поверхности растлш_ей пленки .-В кн.: Сиьшоз. по процессам роста и синтеза полупроводтжковых кристаллов и пленок."Новосибирск, 1978, с. 169.
- Тхорик Ю.А., Хазан Л. С. Пластическая деформащя и дислокация несоответствия в гетероэпитаксиальных системах.- К.: Назчюва дрша, 1983, 304 с.
- Тягай В.А., Бондаренко В. Н. Деление электрических сигналов при измерениях спектра электроотрагкешш.-ПТЭ, 1970, 2 с. 236 237.
- Тягай В.А., Нвстигнеев A.M., Бондаренко В, Н., Снитко О. В. Электроотражение системы электролит-двуокись креш-шя-кремний.- Электрошпшя, 1972, 8, PI2, с. 1773 1780.
- Тягай В.А., Евстигнеев A.M., Снитко О. В. Электроотралсение системы электролит-двуокись кремния-кремнлй в сильных приповерхностных электрических полях.-ФТП, 1972, б, Ш2, с. 49. 2341 2
- Тягай В.А., Лысенко B.C., Краиико А. Н. и др.- Определение
- Тягай В.А., Снитко О.В.- Электроотракение света в полупроводниках.- К.: Наукова дз1ша.1980, 304 с.
- Устинов В.М., Горелик С С Захаров Б.Г., Лебедев В. В., Hryj/iGHOB В. Г. Напряжения в гетероэпитаксиальных слоях соед11нений А"В Электронная техника, сер. Материалы, вып. 7, 1973, с. 56 63.
- Устинов В.М., Захаров Б. Г. Макронапряжешгя в эпитаксиэльных структурах на основе соединении -В кн.: Обзоры по Электр, тешике. Сер. 6, Материалы, 1977, вып. 4, с. 1−34.
- Уханов Ю.й. Оптические свойства полупроводников.- М.: Наука, 1977, 366 с. 54.
- Фриде ль Ж. Дслокащш.- М.: Мир, 1976.- 643 с. Цгдльковский И. М. Зонная структлфа полупроводьшков.- М.: Наука, 1978, 328 с.
- Эфрос А.Л. Плотность состояний и межзонное поглощение света в сильнолегированьтых полупроводниках.- У Ш 1973, III, с. 45 Т. о
- Aharoni Н., Bar-Lev А., Blech I.A., Hargalit S. Epitaxial grouth of silicon-germanium single crystals, — Thin Solid Films, 1972, Г W2, p. 313 322. 58, Aspness D.E. Linearized thrid derivate spectroscopy uith depletion-barrier modulation, — Phys. Rev, Lett., 1972, 28, N 14, p. 913 916. 59, Aspnes D, Interband masses of higher interband critical points in Ge.-Phys, Rev. Ldbt, 1973* 1» t P* 230. 234,
- Appl. Phys., 1972, _43, N7, p. 3114 3117. 80, Forman R, A., Aspnes D, E, Cardona П, Transverse electroreflectance in semi-insulating silicon and gallium arsenide,-Hhys, and Chem, Solids, 1970, 3 1 12, p, 227 246.
- Franz U. Einflusseines electrischen Felden auf eine optische Absorptionskante, Naturf orschung, 1 958, 2 3 N6, s. 484−489,
- Froua A., Handler P., Germano F.A., Aspnes D. E. Electroabsorption effects at the band edges of silicon and germanium. Phys Rev., 1966, Г45, N2, p. 575 583.
- Ghosh A.K. Electroreflectance spectra and Band structure of germanium.-Phys. Reu., 1968, 165, N3, p. 888 897.
- Handler P., Dasferson S., Koeppen 5, Interference of light and heavy-hole contributions to the electroreflectance spectrum of germanium.-Phys. Rev. Lett, 1969, 2 N24, p. 13 871 391.
- Hamakaua Y, Germano F.A., Handler P. Interband electro-optical properties of germanium. Electroreflectance,-Phys. Rev., 1968, 167, N3, p. 709 716.
- Herman F. The electronic energy band structure of silicon and Germanium. Proc. Inst. Radio Engr. (N.Y.), 1955, 43, p. 1703,
- Gesser U. A., Kuhlmann Uilsdorf D. On the theory of interfacial energy and elastic strain of epitaxial overgrouth in parallel alignment on single crystal substrates.- Phys. Status Solidi, 1967, 22f 89. t P* 95
- Khazan L. S., Ratveeva L.A., Semyonova G.N., Tkhorik Yu.A. Account of dislocation structure at stress measurements in heteroepitaxial systems.- Phys. Status Solidi N 21 p. 447 456- 56_, N1, p. 47 54. A, 1979, 54,
- Kline 3, S., Pollak F. H., Cardona M. Electroreflectance in Ge Si alloys.-Helv. Phys. Acta, 1968, 4 1 N 6/7, p. 968 967.
- Phillips D. C. Critical points and latice vibration spectra, Phys. Rev., 1956, 104, N6, p. 1264 1277,
- Piller H., Seraphin B. 0., Пагке1 K.M., Fisher 3.E. Electroreflectance of disordered germanium films,-Phys. Rev, Lett, 1969, 22, N 14, p. 775 778.
- Pollak F. H. Modulation spectroscopy under uniaxial stress. Surf. Sci., 1973, _37_, P. Ill, p. 863 896.
- Pollak F. H, Cardona M., Piezo-electroreflectance in Ge, GaAs and Si.- Phys. Rev., 1968, 172. N3, p. 816 837.
- Pond S, F, Handler P. Flatband electroreflectance af gallium arsenide: I. Experimental results,—Phys. Rev. B, 1972, 6, N6, p. 2248 2257.
- Pond S, F, Handler P. Flatband electroreflectance of gallim arsenide: II. Comparison of theory and experiment,.- Phys. Rev. В.- 1973, _8, N6, p. 2869 2879. 107, Rehn U. Interband critical-point symmetry from electroreflectance spectra.- Surf. Sci., 1973, 37_, N2, p443 482. r
- Seraphin B. O, Optical. fioldref feet i i silicon*? Phys. Rev, A, 1965, 140, N5, p. 1716 1725.
- Seraphin B. O, Electroreflectance studies in GaAs.-
- Appl. Phys., 1966, 37, N2, p. 721 728.
- Seraphin B. 0, The effect of an electric field on the reflectivity of germanium, — In: Proc, 7th Int. Conf, Phys, Semicond (Paris 1964). Paris: Dunod, 1964, p, 165 170.
- Electroreflectance, — In: Semiconductors and Semimetals, — Eds R.K. Uillardson-, Л. C. Beer. Neu York- London: Acad, press, 1972, vol. 9, p. 1 150.
- Seraphin B. 0., Bottka N. Bond-structire analysis from electroreflectance studies.- Phys. Reu., 1965, 145, N2, p. 628 636.
- Tanc 3., Abraham A., Payasora L., Grigorovici R, j Uancu A, Proc, Int. Conf. on Phys, of Non Crystal Solids.-Delft, 1964, p. 45,
- Tharmalingam K. Optical absorption in the presence of a uniform field, — Phys. Rev., 1963, 130, N6, p. 2204 2206. 116. Uan der nerucHEquilibrium structure of a thin epitaxial film.-
- Appl. Phys., 1970, N11, p, 4725 4731,