Магнитооптика триплетных экситонов в полупроводниковых кристаллах
Диссертация
Апробация работы. Основные результаты исследований, вошедших в диссертацию, были доложены и обсуждены на 11 отечественных и 19 международных конференциях, симпозиумах и школах: на Всесоюзных семинарах «Экситоны в кристаллах» (Кишинев, 1976; Ленинград, 1977, Львов, 1979), Всесоюзных совещаниях по люминесценции (Черноголовка, 1976; Эзерниеке, 1980; Ленинград, 1981), Всесоюзном семинаре «Физические… Читать ещё >
Содержание
- ВВЕДЕНИИ
- Глава I. СИНГЛЕТНЫЕ И ТРИПЛЕТНЫЕ ЭКСИIОНЫ В ПОЛУI1РОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛАХ
- 1. 1. Сииглетные и триплетные состояния
- 1. 2. Энергетический спектр экситона в полупроводниковом кристалле
- 1. 3. Влияние анизотропии кристалла на энер1етический спектр экситона
- 1. 4. Учет обменного взаимодействия. Тонкая структура экситонных уровней
- 1. 5. Оптический спектр экситона
- 1. 6. 11. рямые экситоны в кристалле селенида галлия
- 1. 7. Оптическая ориентация и выстраивание экситонов
- 1. 8. Экспериментальные исследования оптического выстраивания и ориентации экситонов
- Постановка задачи
- Глава II. ПОЛЯРИЗОВАННАЯ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ СВОБОДНЫХ ЭКСИЮПОВ В СЕЛЕНИДЕ ГАЛЛИЯ
- 2. 1. Введение
- 2. 2. Оптическая ориентация и выстраивание свободных экситонов в селениде галлия при реюнансном возбуждении
- 2. 2. 1. Экспериментальные результаты
- 2. 2. 2. 1. Качественное сравнение с феноменологической теорией
- 2. 2. 2. 2. Количественное сопоставление с результатами микроскопической теории
- 2. 2. 1. Экспериментальные результаты
- 2. 3. Проявление промежуточных состояний в кинетике экситошгой люминесценции кристаллов
- 2. 4. Магнито-штарк эффект на экситоне в селениде галлия
- 2. 4. 1. Экситон во внешних магнитном и электрическом полях
- 2. 4. 2. Эффект Штарка на экситоне
- 2. 4. 3. Машито-штарк эффект
- 3. 1. Связанные экситоны
- 3. 2. Поляризованная люминесценция связанных экситонов в селениде галлия
- 3. 2. 1. Энер1 етическая структура связанных экситонов в селениде галлия. Эффект Зеемана
- 3. 2. 2. Поляризованная люминесценция связанных экситонов. Экспериментальные результаты
- 3. 2. 3. Обсуждение результатов
- 4. 1. Кристаллическое строение и структурный фазовый переход в смешанных кристаллах GaSe-GaS
- 4. 2. Экситоны в смешанных кристаллах соединений An, BVI
- 4. 3. Краевая люминесценция твердых растворов GaS-GaSe
- 4. 4. Поляризованная люминесценция триплетных экситонов в смешанных крисгаллах АП|ВУ| в Mai нитном поле
- 4. 5. Оптическое выстраивание локализованных эксиюнов в твердых растворах GaSei. xSx
- 4. 6. Селективная лазерная спектроскопия локализованных экситонов в твердых растворах
- 5. 1. Эффект антипересечения спиновых подуровней триплетных связанных экситонов в магнитном иоле
- 5. 2. Временная зависимость эффекта антипересечения уровней триплетных связанных экситонов. Эксперимент
- 5. 3. Временная зависимость эффекта антипересечения уровней триплетных связанных экситонов. Теория
- 5. 4. Влияние энергии связи на кинетику излучательной и бе1ы$луча1елыюй рекомбинации триплетных связанных экситонов
- 5. 4. 1. Постановка задачи
- 5. 4. 2. Экспериментальные результаты и обсуждение
- 5. 5. Излучательпая и безызлучательная рекомбинация непрямых триплетных связанных экситонов
- 5. 6. Динамикамапштоиндуцированной линейной поляризации экситонной люминесценции кристаллов GaSe
- 5. 6.1. Введение
- 5. 6. 2. Экспериментальные результаты
- 5. 6. 3. Теория и обсуждение результатов
- Глава VI. СПЕКТРОСКОПИЯ 'IРИПЛЕТНЫХ СОСТОЯНИЙ УГЛЕРОДНЫХ НАНОКЛАС ГЕРОВ — ФУЛЛЕРЕНОВ
Список литературы
- Ландау Л.Д. и Лифшиц Е.М. Квантовая механика — М.: Наука, 1972. -368 с.
- Мак-Глин С., Адзуми Т., Киносита М. Молекулярная спектроскопия молекулярного состояния / Пер. с англ. М.: Мир, 1972. — 448 с.
- Frenkel J. On the transformation of light into heat in solids // Phys. Rev. -1931.- v. 37. p. 17−44- Phys. Rev. — 1931. — v. 37. — p. 1276−1294.
- Броуде В.Л., Медведев B.C., Прихотько А. Ф. Электронные и колебательные уровни молекулы и кристалла бензола // ЖЭТФ. 1951, т. 21. -с. 665−672.
- Wannier G.H. The structure of electronic excitation levels in insulating crystals // Phys. Rev. 1937, — v. 52. — p. 191−197.
- Нокс P. Теория экситонов / Пер. с англ. М.: Мир, 1966. -219 с.
- Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников М.: Наука, 1978. -467 с.
- Deverin J.A. Contribution a la theorie des excitons de Wannier dans les cristaux anisotropes // Helv. Phys. Acta. 1969. — v. 42. — p. 397−419.
- УФН.- 1957. т. 63.-с. 575−611.
- Elliott R.J. Intensity of optical absorption by excitons // Phys. Rev. 1957. — v. 108.-p. 1384−1389.
- Thomas D.G., Hopfield J.J. Fine structure and magneto-optic effects in the exciton spectrum of cadmium sulfide //Phys. Rev. 1961. — v. 122. — p. 35−52.
- Kuwabara G., Tanaka M., and Fukutani H. Optical absorption due to paraexciton of Cu20 // Sol. St. Communs. 1977. — v. 21. — p. 599−601.
- Schubert K., Dorre E., Kluge M. Zur Kristallchemie der B-metalle. III. Kristallstruktur von GaSe und InTe // Z. Metallkunde. 1955. — v. 46. — p. 216 224.
- Schliiter M. The electronic structure of GaSe // Nuovo Cim. 1973. — v. 13B. -p. 313−360.
- Медведева С. Халькогениды элементов III Б подгруппы периодической системы -М.: Наука, 1968.
- Terhell J.C.J.M., Lieth R.M.A. Structures and Compounds in the System Gai. xSex. II Phys. st. sol. (a). 1972. — v. 10. — p. 529−535.
- Kuhn A., Chevy A., Chevalier R. Crystal structure and interatomic distances in GaSe // Phys. st. sol. (a). 1975. — v. 31. — p. 469−475.
- Aulich E., Brebner J.L., Mooser E. Indirect energy gap in GaSe and GaS // Phys. st. sol. 1969. — v. 31. — p. 129−131.
- Ищенко C.C., Окулов C.M., Абдуллаев Г. Б., Беленький Г. Л., Грачев B.C., Дейген М.Ф, Нани Р. Х., Салаев Э. Ю., Семенов Ю. Г. ЭПР Mn2t в монокристаллах GaSe // ФТТ. 1975. т. 17. — с. 1794−1796.
- Fischer G. Speculation on the band structure of the layer compounds GaS and GaSe // Helv. Phys. Acta. 1963. — v. 36. — p. 317−333.
- Kamimura H., Nakao K. Band structure of the semiconducting layer compounds // J .Phys. Soc. Japan. -1966. v. 21, Suppl. — p. 27−36.
- Bassani F., Pastori Parravicini G. Band structure and optical properties of graphite and of the layer compounds CaS and GaSe // Nuovo Cim. 1967. — v.50 В.-p. 95−128.
- Minder R., Ottaviani G., Canali C. Charge transport in layer semiconductors // J. Phys. Chem. Sol. 1976. — v. 37. — p. 417−424.
- Halpern J. Oscillatory magneto-absorption of the direct transition in the layer compound gallium selenide at 1.5 К // J. Phys. Soc. Japan. 1966. — v. 21, Suppl. -p. 180−183.
- Bourdon A., Khelladi F. Selection rule in the fundamental direct absorption of GaSe // Sol. St. Commun. 1971. — v. 9. — p. 1715−1717.
- Schluter M., Camassel J., Kohn S., Voitchovsky J.P., Shen Y.R., Cohen M.L. Optical properties of GaSe and GaS^Se^ mixed crystals // Phys. Rev. 1976. — v. В13.-p. 3534−3547.
- McGilp J.F., Parke A.W. Angle resolved UPS of GaS, GaSe and GaSo6Se04 // Phys. st. sol. (b). 1979. — v. 94. — p. 685−689.
- Ивченко Е.Л., Пикус Г. Е., Разбирин B.C., Старухин A.H. Оптическая ориентация и выстраивание свободных экситонов в GaSe при резонансном возбуждении. Теория // ЖЭТФ. 1977. — т. 72. — с. 2230−2245.
- Гросс Е.Ф., Новиков Б. В. Разбирин Б.С., Суслина Л. Г. Спектры поглощения кристаллов некоторых халькогенидов галлия // Оптика и спектроскопия. 1959. — т. 6. — с. 569−572.
- Brebner J.L. The optical absorption edge in layer structures // J. Phys. Chem. Sol. 1964. — v. 25. — p. 1427−1433.
- Brebner J.L., Mooser E. Excitons in GaSe polytypes // Phys. Lett. 1967. — v. 24A. — p. 274−275.
- Brebner J.L., Halpern J.J., Mooser E. Feinstruktur des Exzitonen-Spectrumsi in GaSe // Helv. Phys. Acta. 1967. — v. 40. — p. 382−385.
- Leung P.C., Andermann G., Spitzer W.G., Mead C.A. Dielectric constants and infrared absorption of GaSe // J. Phys. Chem. Sol. 1966. — v. 27. — p. 849−855.
- Показаньев В.Г., Скроцкий Г. В. Пересечение и антипересечение атомных уровней и их применение в атомной спектроскопии // УФН. 1970. — т. 107. -с. 623.
- Бир Г. Л., Пикус Г. Е. Влияние магнитного поля и деформации на оптическую ориентацию экситонов в кристаллах со структурой вюрцита // Письма в ЖЭТФ. 1972. — т. 15. — с. 730−733.
- Берестецкий В.Б., Лившиц Е. М., Питаевский Л. П. Квантовая электродинамика М.:Наука, 1980. -704 с.
- Бир Г. Л., Пикус Г. Е. Оптическая ориентация экситонов в одноосных кристаллах. Большое обменное расщепление // ЖЭТФ. 1973. — т. 64. — с. 2210−2221.
- Ивченко Е.Л., Пикус Г. Е. Оптическая ориентация эксигонов в полупроводниках // Материалы VIII Зимней школы ФТИ по физике полупроводников. Л., 1978. — с. 33−60.
- Fishman G., Hermann С., Lampel G. Analyse du pompage optique des paires electron-trou et des excitons dans les semiconducteurs a l’aide du formalisme de la matrice densite // J. de Physique. 1974. — v. 35, suppl. — p. C3−13 — C3−19.
- Weisbuch C., Fishman G. Kinetics of excitons and polaritons in pure GaAs studied by optical spin orientation // J. Luminescence 1975. — v. 12/13. p. 219 224.
- Митчелл А., Земанский M. Резонансное излучение и возбужденные атомы / Пер. с англ. М.-Л.: ОНТИ, 1937.
- Pringsheim P. Fluorescence and phosphorescence New York-London: Inters, publ., 1949.-794 p.
- Феофилов П.П. Поляризованная люминесценция атомов, молекул икристаллов М.: Физматгиз, 1959. — 288 с.
- Чайка М.П. Интерференция вырожденных атомных состояний JL: изд. Ленинградского ун-та, 1975. — 191 с.
- Гросс Е.Ф., Екимов А. И., Разбирин Б. С., Сафаров В. И. Оптическая ориентация свободных и связанных экситонов в гексагональных кристаллах // Письма в ЖЭТФ. 1971. — т. 14.-е. 108−112.
- Физика и химия соединений A"BVI М.: Мир, 1970. — 624 с.
- Lampel G. Nuclear dynamic polarization by optical electronic saturation and optical pumping in semiconductors // Phys. Rev. Lett. 1968. — v. 20. — p. 491 495.
- Parsons R.R. Optical pumping and optical detection of spin-polarized electrons in a conduction band // Canad. J. Phys. 1971. — v. 49. — p. 1850−1860.
- Дьяконов М.И., Перель В. И. О спиновой ориентации электронов при межзонном поглощении света в полупроводниках // ЖЭТФ. 1971. — т. 60. -с. 1954−1965.
- Екимов А.И., Сафаров В. И. Оптическая ориентация носителей при межзонных переходах в полупроводниках // Письма в ЖЭТФ. 1970. — т. 12. -с. 293−297.
- Zakharchenya В.Р. Magnetization of charge carriers and excitons in semiconductors by polarized light // Proc. 11-th Int. Conf. Phys. Semicond. -Warszawa, 1972.-p. 1315−1326.
- Weiebuch C., Lampel G. Spin orientation by optical pumping in InP // Proc. 11-th Int. Conf. Phys. Semicond. Warszawa, 1972. — p. 1327−1332.
- Lampel G. Optical pumping ia semiconductors // Proc. 12-th Int. Conf. Phys. Semicond. Stuttgart, 1974. — p. 743−750.
- Safarov V.I., Zakharchenya B. P. New effects due to optical orientation of electronic and nuclear spins In semiconductors // Proc. 13-th Int. Conf. Phys. Semicond. Rome, 1976.-p. 1273−1276.
- Planel R. Spin orientation by optical pumping in semiconductors // Solid State Electronics. 1978. — v. 21. — p. 1437−1444.
- Bonnot A., Planel R., Benoit a la Guillaume C. Optical orientation of excitons in CdS // Phys. Rev. 1974. — v. B9. — p. 690−702.
- Пермогоров C.A., Морозенко Я. В., Казенков Б. А. Оптическая ориентация горячих экситонов в кристаллах AUBV1 // ФТТ. 1975. — т. 17.-е. 2970−2977.
- Гамарц Е.М., Ивченко Е. Л., Караман М. И., Мушинский В. П., Пикус Г. Е., Разбирин Б. С., Старухин А. Н. Оптическая ориентация и выстраивание свободных экситонов в GaSe при резонансном возбуждении. Эксперимент. // ЖЭТФ. 1977. — т. 73. — с. 1113−1128.
- Берковиц В.Л., Екимов А. И., Сафаров В. И. Оптическая ориентация в системе электронов и ядер решетки в полупроводниках. Эксперимент. // ЖЭТФ. 1978. — т. 65. — с. 346−361.
- Minami F., Oka Y., Kushida Т. Effects of external magnetic fields on opticalspin orientation in GaSe// J. Phys. Soc. Japan. 1976. — v. 41. — p. 100−108.
- Ахундов Г. А., Мусеев C.A., Бахышев А. Э., Гасанлы Н. М., Мусаева Л. Г. Анизотропия оптических констант GaS и GaSe вблизи края поглощения // ФТП.- 1975.-т. 9.-с. 142−145.
- Nawroski М., Planel R., Benoit a la Guillaume С. Rotation of linearly oriented polaritons in a magnetic fields//Phys. Rev. Lett. 1976. — v. 36. — p. 1343−1546.
- Fishman G., Hermann C. Optical pumping and transverse magnetic field effect for excitation above the band edge in p-type semiconductors // Phys. st. sol. (b). -1974. v. 63.-p. 307−315.
- Jandl S., Brebner J.L., Powell B.M. Lattice dynamics of GaSe // Phys. Rev. -1976.-v.B13.-p. 686−695.
- Мамедов K.K., Алджанов M.A., Керимов И. Г., Мехтиев М. И. Теплоемкость и моменты колебательного спектра монохалькогенидов галлия // ФТТ. 1978. — т. 20. — с. 42−47.
- Mercier A., Mooser Е., Voitchovsky J.P. Resonant exciton in GaSe // Phys. Rev. 1976. — v. В12. — p. 4307−4311.
- Wheeler R.G., Dimmock I.O. Exciton structure and Zeeman effects in Cadmium Selenide//Phys. Rev.- 1962.- v. 125.-p. 1805−1815.
- Разбирин Б.С., Уральцев И. Н., Богданов А. А. Эффект Штарка на свободных и связанных экситонах в кристалле CdSe // ФТТ. 1978. — т. 15. -с. 878−883.
- Lampert М.А. Mobile and immobile effective-mass-particle complexes intnonmetalic solids // Phys. Rev. Lett. 1958. — v. 1. — p. 450−453.
- Hopfield J.J. The quantum chemistry of bound exciton complexes // Proc. 7-th1.t. Conf. Phys. Semicond. Paris, 1964. — p. 725−735.
- Гросс Е.Ф., Разбирин B.C., Якобсон M.A. Линейчатый спектр для основного поглощения кристаллов сернистого кадмия // ЖТФ. 1957. — т. 27. -с. 1149−1151.
- Thomas D.G., Hopfield J.J. Optical properties of bound exciton complexes in cadmium sulfide // Phys. Rev. 1962. — v. 128. — p. 2135−2148.
- Thomas D.G., Gershenzon M., Hopfield J.J. Bound excitons in GaP // Phys. Rev.-1963.-v. 131.-p. 2397−2404.
- Dietz R.E., Thomas D.G., Hopfield J.J. «Mirror» absorption and fluorescence in ZnTe // Phys. Rev. Lett. 1962. — v. 8. — p. 391−393.
- Бир Г. Л., Разбирин B.C., Уральцев И. Н. Обменное взаимодействие и эффект Зеемана на экситоне, связанном с ионизованным центром в CdSe // ФТТ. 1972. — т. 14.-с. 433−442.
- Оптические свойства полупроводников / Пер. с англ. М.: Мир, 1970. -488 с.
- Гросс Е.Ф., Разбирин Б. С., Пермогоров С. А. Свободные и связанные экситоны в кристалле сернистого кадмия и аналог эффекта Мессбауэра в оптике // ДАН СССР. 1962. — т. 147. — с. 338−341.
- Разбирин Б.С., Мушинский В. П., Караман М. И., Старухин А. Н., Гамарц Е. М. Спектр непрямого экситона и фазовый переход в смешанных кристаллах GaS-GaSe // ФТП. 1978. — т. 12. — с. 38−42.
- Cavenett B.C., Dawson P., Morigaki К. Triplet exciton resonances in type II GaSe // J. Phys. C. 1979. — v. 12. — p. L197-L202.
- Гамарц E.M., Ивченко Е. Л., Пикус Г. Е., Разбирин Б. С., Сафаров В. И., Старухин А. Н. Индуцируемый магнитным полем переход ориентация-выстраивание на связанных экситонах в кристалле GaSe // ФТТ. 1982. — т. 24.-с. 2325−2334.
- Дьяконов М.И., Перель В. И. Оптическая ориентация в системе электронов и ядер решетки в полупроводниках. Теория. // ЖЭТФ. 1973. — т. 65. — с. 362
- Сущинский M.M. Спектры комбинационного рассеяния молекул и кристаллов М.: Изд. физ.-мат. литер., 1959. — 576 с.
- Camassel J., Merle P., Mathieu H., and Gouskov A. Near-band-edge optical properties of GaSe/Te^ mixed crystals // Phys.Rev. 1979. — v. 19B. — p. 10 601 068.
- Mercier A., Mooser E., Voitchovsky J.P. Near edge optical absorption and luminescence of GaSe, GaS and of mixed crystals // J. Luminescence. 1973. — v. 7.-p. 241−266.
- Kuroda N., Nishina Y. Near-edge spontaneous photoluminescence in GaSeuЛ // Phys. stat. sol. (b). 1975. — v. 72. — p. 81−89.
- Mercier A., Voitchovsky J.P. Donor-acceptor pair recombination and phonon replica in GaSe, XSX II J. Phys. Chem. Sol. 1975. — v. 36. — p. 1411−1417.
- Belenkii G.L., Nani R.Kh., Salaev E.Yu. and Suleimanov R.A. Edge luminescence and light absorption in GaS^Se^ solid solutions at low temperatures // Phys. stat. sol. (a). 1975. — v. 31. — p. 707−711.
- Voitchovsky J.P. and Mercier A. Photoluminescence of GaSe // Nuovo Cimento. 1974. — v. 22B. — p. 273−292.
- Morigaki K., Dawson P., Cavenett B.C. Optical detection of triplet exciton resonance in GaSe // Sol. St. Communs. 1978. — v. 28. — p. 829−834.
- Wei S.-H., Fereira L.G., Bernard J.E., Zunger A. Electronic properties of random alloys: Special quasirandom structures. // Phys. Rev. B. 1990. — v. 42. -p. 9622−9649.
- Алферов Ж.И., Портной E.JI., Рогачев А. А. О ширине края поглощенияполупроводниковых твердых растворов // ФТП. 1968. — т. 2. — с. 1194−1197.
- Lai S., Klein M.V. Evidence for exciton localization by alloy fluctuations in indirect-gap GaAs,.^ // Phys. Rev. Lett. 1980. — v. 44. — p. 1087−1090.
- Oueslati M., Benoit a la Guillaume C., Zouaghi M. Resonant Raman scattering on localized states due to disorder in GaAs^P^ alloys // Phys. Rev. B. -1988.-v. 37.-p. 3037−3041.
- Ouadjaout D., Marfaing Y. Localized excitons in II-VI semiconductor alloys: density-of-states model and photoluminescence line-shape analysis // Phys. Rev. В. 1990. — v. 41. — p. 12 096−12 105.
- Permogorov S., Reznitsky A. Effect of disorder on the optical spectra of wide-gap II-VI semiconductor solid solutions // J. Luminescence. 1992. — v. 52. -p. 201−223.
- Westphaling R., Breitkopf Т., Bauer S. and Klingshirn C. Photoluminescence quantum efficiency and dynamics in ZnSei-дГ^ and CdSi-JSe^ mixed crystals // J. Luminescence. 1997. — v. 72−74. — p. 980−982.
- Reznitsky A., Klochikhin A. and Permogorov S. Percolation and localization in disordered solid solutions // Spectroscopy of Systems with Spatially Confined Structures, ed. B. Di Bartolo Netherlands: Kluwer Academic Publishers, 2003. -p. 419−464.
- Абдукадыров А.Г., Барановский С. Д., Вербин С. Ю., Ивченко Е. Л., Наумов А. Ю., Резницкий А. Н. Фотолюминесценция и туннельная релаксация локализованных экситонов в твердых растворах А2В6 с анионным замещением // ЖЭТФ. 1990. — т. 98. — с. 2056−2065.
- Personov R.I. Luminescence line narrowing and persistent hole burning in organic materials: principles and new results // J. Photochem. Photobiol. A: Chem. 1992.-v. 62.-c. 321−332.
- Харламов Б.М., Альшиц Е. И., Персонов Р. И. Эффект Зеемана в спектрах фосфоресценции сложных молекул в неупорядоченных средах при селективном возбуждении // ЖЭТФ. 1984. — т. 87. — с. 750−761.
- Eck T.G., Foldy L.L., and Wieder H. Observation of «anticrossings» in optical resonance fluorescence // Phys. Rev. Lett. 1963. — v. 10. — p. 239−242.
- Александров Е.Б., Хвостенко Г. И., Чайка М. П. Интерференция атомных состояний М.: Наука, 1991. — 200 с.
- Bernalean Е. and Cavero A. Multiple anticrossings of magnetic hyperfine atomic sublevels // Spectrosc. Lett. 1979. — v. 12. — p. 609−614.
- Beyer H.J. and Kollath K.J. Electric-field-induced singlet-triplet anticrossings in helium // J. Phys. B. 1977. — v. 10. L5-L9.
- Dupre P. Study of Zeeman anticrossing spectra of the A. Au state of the acetylene molecule (C2H2) by Fourier transform: product ev, b^V) and isomerization barrier // Chem. Phys. 1995. — v. 196. — p. 239−266.
- Anno H. and Nishina Y. Level-anticrossing effect on the magnetoluminescence of the triplet indirect bound exciton in GaSe // Solid State Communs. 1979. — v. 29. — p. 439−442.
- Kana-ah A., Cavenett B.C., Gislason H.P., Monemar В., and Pistol M.E. An ODMR investigation of the (Cu-Li)i and (Cu-Li)ni complex defects in GaP // J. Phys. С. 1986. — v. 19. — p. 1239−1250.
- Chen W.M., Godlewski М., Monemar В., and Bergman J.P. Steady-state level-anticrossing spectra for bound exciton triplets associated with complex defects in semiconductors // Phys. Rev. B. 1990. — v. 41. — p. 5746−5755.
- Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках М.: Мир, 1973. -436 с.
- Cuthbert J.D., Thomas D.G. Fluorescent decay times of excitons bound to isoelectronic traps in GaP and ZnTe // Phys. Rev. 1967. — v. 154. — p. 763−761.
- Henry C.H., Nassau К. Lifetimes of bound excitons in CdS 11 Phys. Rev. B.- 1970.- v. l.-p. 1628−1634.
- Schmid W. Auger lifetimes for excitons bound to neutral donors and acceptors in Si // Phys. stat. sol. B. 1977. — v. 84. — p. 529−540.
- Hauksson I.S., Suda J., Tsuka M., Kawakami Y., Fujita Sz., Fujita Sg. The role of defects on radiative transitions in nitrogen doped ZnSe // J. Cryst. Growth.- 1996.- v. 159.-p. 329−333.
- Vinh N.Q., Klik M.A.J., Gregorkiewicz T. Time-resolved photoluminescence study of Si: Ag // Physica B. 2001. — v. 308−310. — p. 414 417.
- Рашба Э.И., Гургенишвили Г. Э. К теории краевого поглощения в полупроводниках // ФТТ. 1962. — т. 4. — с. 1029−1031.
- Finkman Е., Rizzo A. Lattice vibrations and the crystal structure of GaS and GaSe//Solid State Communs.- 1974.-v. 15.-p. 1841−1845.
- Morigaki K. Optically detected magnetic resonance in amorphous semiconductors // Jap. J. Appl. Phys. 1982. — v. 22. — p. 375−388.
- Бир Г. Л., Пикус Г. Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках М.: Наука, 1972. — 584 с.
- Wagner М., Buyanova I.A., Thinh N.Q., Chen W.M., Monemar В., Lindstrom J.L., Amano H., and Akasaki I. Magneto-optical studies of the 0.88-eV photoluminescence emission in electron-irradiated GaN // Phys. Rev. B. 2000. -v. 62. — p. 16 572−16 577.
- Starukhin A.N., Nelson D.K., and Razbirin B.S. Time-resolved spectroscopy of the level-anticrossing effect in exciton emission // Phys. Rev. B. 2002. — v. 65. -p. 193 204−1-193 204−4.
- Frens A.M., Bennebroek M.T., Schmidt J., Chen W.M., and Monemar B. Zero-field optical detection of magnetic resonance on a metastable sulfur-pair-related defect in silicon: Evidence for a Cu constituent // Phys. Rev. B. 1992. — v. 46.-p. 12 316−12 322.
- Sorman E., Chen W.M., Henry A., Andersson S., Janzen E., and Monemar B. Optically detected magnetic-resonance study of a metastable selenium-related center in silicon // Phys. Rev. B. 1995. — v. 51. — p. 2132−2136.
- Chen W.M. and Monemar B. Effects of interlevel coupling on optically detected magnetic resonance spectra for complex defects in semiconductors // Phys. Rev. B. 1988. — v. 38. — p. 12 660−12 663.
- Cote Michel, Cohen Marvin L., and Chadi D.J. Theoretical study of the structural and electronic properties of GaSe nanotubes // Phys. Rev. B. 1998. — v. 58. — p. R4277-R4280.
- Gautam Ujjal K., Vivekchand S.R.C., Govindaraj A., Kulkarni G.U., Selvi N.R., and Rao C.N.R. Generation of onions and nanotubes of GaS and GaSe through laser and thermally induced exfoliation // J. Am. Chem. Soc. 2005. — v. 127.-p. 3658−3659.
- Kroto H.W., Heath J.R., O’Brien S.C., Curl R.F., Smalley R.E. C60: Buckminsterfiillerene//Nature.- 1985.-v. 318.-p. 162−163.
- McKenzie D.R., Davis C.A., Cockayne D.J.H., Muller D.A. The Structure of the C70 molecule // Nature. 1992. — v. 355. — p. 622−624.
- Bauernschmitt R., Ahlrichs R., F. Hennrich H. and Kappes M.M. Experiment versus time dependent density functional theoiy prediction of fullerene electronic absorption //J. Am. Chem. Soc. 1998. — v. 120. — p. 5052−5059.
- Feng J., Li J., Li Z. and Zerner M. Quantum Chemical calculations of Buckminsterfiillerene and related structures. 2. The electronic structure and spectra of some Cn and СпСаг cages // Int. J. Quantum Chem. 1991. — v. 39. — p. 331 344.
- Negri F. and Orlandi G. Vibronic structure in the multiple state fluorescence spectrum of С 70: a theoretical investigation // J. Chem. Phys. 1998. — v. 108. — p. 9675−9684.
- Orlandi Giorgio and Negri Fabrizia. Electronic states and transitions in C6o and C70 fullerenes // Photochem. Photobiol. Sci. 2002. — v. 1. p. 289−308.
- Ермолаев В.JI. Перенос энергии в органических системах с участием триплетного состояния // УФН. 1963. — т. 80. — с. 3−40.
- Argentine S.M., Kotz К.Т., Francis A.N. Temperature and solvent effects on the luminescence spectrum of C70: assignment of the lowest singlet and triplet states // J. Am. Chem. Soc. 1995. — v. 117. — p. 11 762−11 767.
- Шпольский Э.В. Новые данные о природе квазилинейчатых спектров органических соединений // УФН. 1963. — т. 80. — с. 255−279.
- Warntjes J.B.M., Holleman I., Meijer G., Groenen E.J.J. Photoluminescence of molecular C70 at 1.5 K. On the nature of the lowest excited states // Chem. Phys. Lett. 1996. — v. 261. — p. 495−501.
- Ichida M., Sakai M., Yajima Т., Nakamura A. Luminescence properties in solutions and solids of C70 // J. Luminescence. 1997. — v. 72−74. — p. 499−500.
- Bethune D.S., Meijer G., Tang W.C., Rosen H.J., Golden W.G., Seki H., Brown C.A. and de Vries M.S. Vibrational Raman and infrared spectra of chromatographically separated C6o and C70 fullerene clusters // Chem. Phys. Lett. -1991.-v. 179.-p. 181−186.
- Ребане K.K., Кристофель H.H., Трифонов Е. Д., Хижняков В. В. Динамика решетки с примесями и квазилинейчатые электронно-колебательные спектры кристаллов // Известия Академии наук Эстонской ССР 1964. — т. XIII. — с. 87−109.
- Гросс Е.Ф., Разбирин Б. С., Пермогоров С. А. Свободные и связанные экситоны в кристалле сернистого кадмия и аналог эффекта Мессбауэра в оптике //ДАН СССР. 1962. — т. 147. — с. 338−341.
- Razbirin B.S., Starukhin A.N., Chugreev A.V., Grushko Yu.S., Kolesnik
- Bronsveld M. V., Dauw X. L. R. and Groenen E. J. J. The triplet state of C70. A zero-field study // Chem. Phys. Lett. 1998. — v. 293. — p. 528−534.
- Основные результаты диссертационной работы опубликованы в следующих статьях:
- Караман М.И., Мушинский В. П., Разбирин Б. С., Старухин А. Н. Непрямой экситон и бесфононные переходы в сульфиде галлия // ФТП. 1973. — т. 7. -с. 1112−1116.
- Разбирин Б.С., Мушинский В. П., Караман М. И., Старухин А. Н., Гамарц Е. М. Оптическое выстраивание экситонов // Письма в ЖЭТФ. 1975. — т. 22. -с. 203−206.
- Разбирин Б.С., Мушинский В. П., Караман М. И., Старухин А. Н., Гамарц Е. М. Оптическое выстраивание экситонов в селениде галлия // Известия АН СССР, серия физическая. 1976. — т. 40. — с. 1872−1875.
- Ивченко Е.Л., Пикус Г. Е., Разбирин Б. С., Старухин А. Н. Оптическая ориентация и выстраивание экситонов в селениде галлия при резонансном возбуждении. Теория. // ЖЭТФ. 1977. — т. 72. — с. 2230−2245.
- Гамарц Е.М., Ивченко Е. Л., Караман М. И., Мушинский В. П., Пикус Г. Е., Разбирин Б. С., Старухин А. Н. Оптическая ориентация и выстраивание экситонов в селениде галлия при резонансном возбуждении. Эксперимент. // ЖЭТФ.- 1977.-т. 73.-с. 1113−1128.
- Разбирин Б.С., Мушинский В. П., Караман М. И., Старухин А. Н., Гамарц Е. М. Дифференциальные спектры непрямого экситона в слоистом кристалле GaS // ФТП. 1978. — т. 12. — с. 33−37.
- Разбирин Б.С., Мушинский В. П., Караман М. И., Старухин А. Н., Гамарц Е. М. Спектр непрямого экситона и фазовый переход в смешанных кристаллах GaS-GaSe // ФТП. 1978. — т. 12. — с. 38−42.
- Разбирин Б.С., Старухин А. Н., Гамарц Е. М., Караман М. И., Мушинский В. П. Магнито-штарк эффект в слоистом кристалле селенида галлия // Письма в ЖЭТФ. 1978. — т. 27. — с. 341−344.
- Старухин А.Н. Экспериментальные исследования выстраивания свободных и связанных экситонов в полупроводниках // Известия АН СССР, серия физическая. 1981. -45. — с. 261−266.
- Гамарц Е.М., Ивченко E.J1., Пикус Г. Е., Разбирин Б. С., Сафаров В. И., Старухин А. Н. Индуцируемый магнитным полем переход ориентация -выстраивание на связанных экситонах в кристалле GaSe // ФТТ. 1982. — т. 24. — с. 2325−2334.
- H.Starukhin A.N. Optical orientation and alignment of excitons in crystals // Proc. Int. Conf. «Excitons 84». Gustrow, 1984. — p. 11−16.
- Ивченко E.JI., Караман М. И., Нельсон Д. К., Разбирин B.C., Старухин А. Н. Поляризованная люминесценция и кинетика релаксации локализованных экситонов в твердых растворах GaSejJSj // ФТТ. 1994. — т. 36. — с. 400−410.
- Разбирин B.C., Старухин А. Н., Чугреев А. В., Грушко Ю. С., Колесник С. Н. Наблюдение тонкой структуры оптического спектра фуллерена С70 в кристаллической матрице // Письма в ЖЭТФ. 1994. — т. 60. — с. 435−438.
- Старухин А.Н., Разбирин Б. С., Чугреев А. В., Грушко Ю. С., Колесник С. Н. Спектроскопия фуллерита С7о в области края фундаментального поглощения //ФТТ.- 1995.-т. 37.-с. 1050−1057.
- Разбирин B.C., Старухин A.H., Чугреев A.B., Нельсон Д. К., Грушко Ю. С., Колесник С. Н. Узколинейчатые спектры молекул фуллерена в кристаллической матрице // ЖПС. 1995. — т. 62. — с. 92−95.
- Нельсон Д.К., Разбирин B.C., Старухин A.H., Чугреев A.B. Оптическое выстраивание локализованных экситонов в твердых растворах GaSe-GaS // ФТТ. 1996. — v. 38. — р. 2380−2386.
- Старухин A.H., Разбирин B.C., Чугреев A.B., Хапп M., Хеннебергер Ф. Селективная лазерная спектроскопия локализованных экситонов в твердых растворах GaSe-GaTe в магнитном поле//ФТТ. 1999. — т. 41.-е. 1389−1393.
- Старухин А.Н., Нельсон Д. К., Разбирин B.C. Эффект антипересечения уровней триплетных экситонов в спектрах послесвечения кристалла GaSe // Письма в ЖЭТФ. 2000. — т. 72. — с. 612−615.
- Starukhin A.N., Nelson D.K., Razbirin B.S. Time-resolved spectroscopy of the level-anticrossing effect in exciton emission // Phys. Rev. B. 2002. — v. 65. — p. 193 204−1 — 193 204−4.
- Старухин A.H., Разбирин B.C. Влияние энергии связи на кинетику излучательной и безызлучательной рекомбинации связанных экситонов // ЖЭТФ. 2003. — т. 123. — с. 92−97.
- Старухин А.Н., Разбирин B.C., Якуненков А. С. Наблюдение временной зависимости магнитоиндуцированной поляризации излучения триплетных экситонов в GaSe // Письма в ЖЭТФ. 2004. — т. 80. — с. 748−751.
- Starukhin A.N., Nel’son D.K., Razbirin B.S., E.L.Ivchenko. Dynamics of the magnetic-field-induced polarization of exciton luminescence in GaSe crystals // Phys. Rev. B. 2005. — v. 72. — p. 45 206−1 — 45 206−8.
- Другие публикации по теме диссертации:
- Разбирин B.C., Старухин А. Н., Гамарц Е. М., Караман М. И., Мушинский В. П. Магнито-штарк эффект на свободном экситоне в кристалле селенида галлия // Тезисы Всесоюзного совещания «Экситоны в полупроводниках» -Ленинград, 1977.-с. 53.
- Гамарц Е.М., Ивченко Е. Л., Разбирин B.C., Сафаров В. И., Старухин А. Н. Поляризованная люминесценция триплетных связанных экситонов в кристаллах селенида галлия // Тезисы докладов Всесоюзного совещания по люминесценции. Ленинград, 1981.-е. 169.
- Разбирин B.C., Старухин А. Н., Чугреев А. В., Нельсон Д. К., Грушко Ю. С., Колесник С. Н. Узколинейчатые спектры молекул фуллерена в кристаллической матрице // Международная конференция по люминесценции. Тезисы. Москва, 1994. — т. 1. — с. 34.
- Chugreev A.V., Grushko Yu.S., Kokovina L.A., Kolesnik S.N., Starukhin A.N. Photoluminescence spectra of C70 // Int. Workshop «Fullerenes and atomic clusters» IWFAC-93. Book of abstracts. St. Petersburg, 1993. — p. 103.
- Ю.Старухин A.H., Разбирин B.C., Чугреев A.B. Эффект Зеемана на локализованных экситонах в смешанных кристаллах GaSe-GaTe // IV Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники'99». Тезисы докладов. Новосибирск, 1999. — с. 46.
- Международный семинар по оптоэлектронике. Тезисы докладов. Санкт-Петербург, 2003. — с. 47.