Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии
Диссертация
Не менее важным условием, позволяющим создать воспроизводимую технологию наноструктур, является наличие адекватных методов диагностики получаемых нанообъектов. В настоящее время уровень развития аналитических приборов и методик позволяет проводить комплекс подобньпс исследований как in situ, так и ех situ. Традиционным методом, обычно используемым для характеризации поверхности непосредственно… Читать ещё >
Содержание
- Введние
- Глава 1. Экспериментальные методики и компьютерное моделирование
- 1. 1. Метод молекулярно-пучковой эпитаксии
- 1. 2. Установка молекулярно-пучковой эпитаксии ЭП
- 1. 3. Предростовая химическая подготовка пластин
- 1. 4. Система регистрации и анализа картин дифракции быстрых электронов на отражение
- 1. 5. Ростовые моды
- 1. 6. Структуры для измерений методами сканирующей туннельной микроскопии и фотолюминесценции
- 1. 7. Некоторые методические вопросы ех situ измерений
- 1. 8. Компьютерные модели роста полупроводниковых соединений А3В5 в методе молекулярно-пучковой эпитаксии и его разновидностях
- Глава 2. Фасетирование вицинальной поверхности GaAs (lOO) при молекулярно-пучковой эпитаксии
- 2. 1. Спонтанное формирование массивов микрофасеток на вицинальной поверхности GaAs (lOO) при молекулярно-пучковой эпитаксии
- 2. 2. Влияние условий термической обработки на морфологию поверхности арсенида галлия
- Глава 3. Промежуточная стадия (1.0 -1.5 монослоя) гетероэпитаксиального роста в системе InAs/GaAs
- 3. 1. Промежуточная стадия роста InAs/GaAs при субмонослойной молекулярно-пучковой эпитаксии
- 3. 2. Промежуточная стадия роста 1пЛ8/ОаЛ8 при субмонослойной миграционностимулированной эпитаксии
- Глава 4. Образование и свойства нанообъектов в системе (1п, Оа) Л8/ОаЛ
- 4. 1. Исследование перехода от двухмерного к трехмерному механизму роста в системе 1пЛ8/ОаЛ8 с помощью дифракции быстрых электронов на отражение
- 4. 2. Влияние мольной доли индия в твердом растворе ЬЮаЛ8 и вицинальности подложки на морфологию поверхности при субмонослойной молекулярно-пучковой эпитаксии
- 4. 3. Влияние времени вьщержки поверхности в потоке мьшшька т на морфологию поверхности 1пЛ8/ОаЛ8 при субмонослойной молекулярно-пучковой эпитаксии
- 4. 4. Влияние ростовой моды при росте 1пЛ8 на ОаЛ8(1ОО) на морфологию поверхности
- 4. 5. Оптические свойства квантовых точек 1пЛ8/ОаЛ8,
- 4. 5. 1. Субмонослойная моле10Алярно-пучковая эпитаксия
- 4. 5. 2. Субмонослойная миграционно-стимулированная эпитаксия
- 4. 6. Многослойные структуры 1пОаЛ8/ОаЛ
- Глава 5. Квантовые точки в системе 1пЛ8/81(100)
- 5. 1. Гетероэпитаксиальный рост в системе 1пЛ8/81(100)
- 5. 2. Фазовая диаграмма перехода от двух- к трехмерному росту в системе 1пЛ8/Б1(100)
- 5. 3. Оптические свойства квантовых точек 1пЛ8/81(100)
Список литературы
- Н.Накеп. «Information and Self-Organization. А Macroscopic Approach to Complex Systems», 2nd ed.,. Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg, 1999, p.210.
- Н.Н.Леденцов, В. М. Устинов, В. А. Щукин, П. С. Копьев, Ж. И. Алферов, Д.Бимберг. «Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры. Обзор» ФТП, т.32,№ 4,1998, с.385−410.
- Ж.И.Алферов. «История и будущее полупроводниковых гетероструктур», ФТП, т. 32, №.1,1998,0.3−18.
- A.Y.Cho, J.R.Arthur. «Molecular beam epitaxy». Prog. Sol St. Chem., v. 10, 1975, p. 157 190.5. «Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры», под ред. Л. Чанга и К. Плога, М., Мир, 1989.
- E.Yablonovitch. «Inhibited spontaneous emission in solid-state physics and electronics», Phys.Rev.Lett., 1987, v.58, N 20, p.2059−2062.
- D.Bimberg, M. Grundmann, N.N.Ledentsov. «Quantum Dot Heterostructwes», Wiley & Sons, 1999.8. «Reflection high-energy electron diffraction and reflection electron imaging of surfaces». P.K.Larsen, P.J.Dobson (Eds.), Plenum Press (New York, London), 1988.
- G.Binning, H.Rohrer. «Scanning tuimeling microscopy from birth to adolescence», Nobel Lecture, Stockholm 8,1986.
- А.А.Майоров, А. Г. Филаретов, Г. Э. Цырлин. «Об одной модели расчета неравномерности слоя в методе молекулярно-пучковой эпитаксии». Научное приборостроение. Автоматизация научных исследований, 1988, с.73−79.
- А.Г.Филаретов, Г. Э. Цырлин. «Расчет взаимного расположения молекулярных источников и подложки в молекулярно-пучковой эпитаксии». Научное приборостроение. Физика аналитических приборов, 1989, с.98−103
- В.Б.Губанов, Г. М. Гурьянов, В. Н. Демидов, В. Г. Дубровский, Н. П. Корнеева, В. Н. Петров, Н. КПОЛЯКОВ, Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин. «Некотроые методические вопросы экспериментальной работы на установке ЭП1203″. Научное приборостроение, Т.6, № ½, 1996, с.3−17.
- Г. М.Гурьянов, В. Н. Демидов, Н. П. Корнеева, Г. Э. Цьфлин. „Система регистрации и анализа картин дифракции быстрых электронов на отражение“. ПТЭ, 1996 № 3, с. 167.
- Г. М.Гурьянов, В. ПДемидов, НП. Корнеева, В. ППетров, Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цьфлин. „Система регистрации и анализа картин дифракции быстрых электронов на отражение“. ЖТФ, т.67 вып.8,1997, с. 111−116.
- А.О.Голубок, С. А. Масалов, Н. Б. Пономарева, В. Н. Петров, С. Я. Типисев, Г. Э. Цьфлин. „Исследование квантовых точек на поверхности эпитаксиальных полупроводников ААВА методом сканирующей туннельной микроскопии“.
- Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 1998, вьш.2, с. 70−75.
- А.А.Майоров, А. Г. Филаретов, Г. Э. Цырлин. „Статистическое моделирование роста GaAs в методе молекулярно-пучковой эпитаксии“. Научное приборостроение. Автоматизация научных исследований, 1988, с.59−63.
- А.А.Майоров, А. Г. Филаретов, Г. Э. Цырлин. „Динамика роста бинарных полупроводниковых соединений АЗВ5 в методе молекулярно-пучковой эпитаксии“. Научное приборостроение, т.2, N4, 1992, с.68−73.
- G.E.Cirlin. „The study of step density distribution during molecular beam epitaxy growth: Monte Carlo computer simulation“. Proc. 4th Intern. Conf „Physics Computing '92″, Prague, Czechoslovakia, World Publishing, 1992, p.303−304.
- Г. Э.Цырлин. „Динамика роста полупроводниковых соединений А3В5 в методе миграционно стимулированной эпитаксии- компьютерное моделирование“. Научное приборостроение, т.6, № ½, 1996, с. 18−21.
- Г. Э.Цырлин. „Динамика роста GaAs на вицинальной поверхности GaAs (lOO) в методе миграционно-стимулированной эпитаксии: компьютерное моделирование“. Письма в ЖТФ, Т.23 (4), 1997 с.61−70.
- А.О.Голубок, Г. М. Гурьянов, Н. Н. Леденцов, В. Н. Петров, Ю. Б. Самсоненко, С. Я. Тигшсев, Г. Э. Цырлин. „Формирование массивов фасеток на вицинальных поверхностях GaAs (100) при молекулярно-пучковой эпитаксии“. ФТП, т.28, вьш. З, 1994, с. 515−518.
- G.E.Cirlin, G.M.Guryanov, A.O.Golubok, S.Ya.Tipissev, N.N.Ledentsov, P. S.Kop'ev, M. Grundmann, D.Bimberg. „Ordering phenomena in InAs strained layer morphological transfomiation on GaAs (lOO) surface“. Appl.Phys.Lett., v.67,1995, p.97−99.
- V.G.Dubrovskii, G.E.Cirlin, V.V.Kozachek, V.V.Mareev. „Self-organization in two- and three- dimensional adsorbales with attractive lateral interactions“. Czech.J.Phys., v.47(4), 1997, p.389−396.
- V.G.Dubrovskii, G.E.Cirlin, D.A.Bauman, V.V.Kozachek, V.V.Mareev. „Kinetic models in self-organization effects in lattice systems“, Physica A, v. 260, N 3−4,1998, p.349−373.
- В.Г.Дубровский, Г. Э. Цырлин. „Динамика роста однокомпонентной кристаллической тонкой пленки“. ЖТФ, т. б7, вьш. 11,1997, с. 136−138.
- G.E.Cirlin, N.P.Komeeva, V.N.Demidov, V.N.Petrov, N.K.Polyakov, V.G.Dubrovskii,
- G. M. Gmyanov, N.N.Ledentsov, D.Bimberg. „Dynamics of 2D-3D transition during InAs on GaAs heteroepitaxial growth: RHEED study“. In: „Compound Semiconductors 1996″, Inst. Phys. Conf., Ser. No 155, lOP Published Ltd., 1997, p. 821−824.
- В.Г.Дубровский, Г. Э. Цырлин, Д. А. Бауман, В. В. Козачек, В. В. Мареев. „Спонтанное формирование массивов трехмерных островков в эпитаксиальных слоях“. Письма в ЖТФ, Т.24, вьш. 13,1998, с.20−26.
- V.G.Dubrovskii, G.E.Cirlin, D.A.Bauman, V.V.Kozachek, V.V.Mareev. „Kinetic model for a spontaneous islanding during ultra-high vacuum deposition“. Vacuum, v. 50, N1−2, 1998, p. 187−190.
- Г. Э.Цырлин, Н. П. Корнеева, В. Н. Демидов, Н. К. Поляков, В. Н. Петров, Н. Н. Леденцов. „Исследование перехода от двухмерного к трехмерному росту в системе InAs/GaAs с помощью дифракции быстрых электронов на отражение“, ФТП, т.31, вьга. 10, 1997, с. 1230−1233.
- Г. М.Гурьянов, Г. Э. Цырлин, В. Н. Петров, Ю. Б. Самсоненко, В. Б. Губанов,
- H. КПОЛЯКОВ, А. О. Голубок, С. Я. Типисев, Н. Н. Леденцов. „Самоорганизацияквантоворазмерньк напряженных biGaAs структур на разориентированных поверхностях GaAs (lOO) при субмонослойной молекулярно-пучковой эпитаксии“. ФТП, Т. 29, N9,1995, с. 1642−1648.
- Г. Э.Цырлин, А. О. Голубок, С. Я. Типисев, Н. Н. Леденцов, Г. М. Гурьянов. „Квантовые точки InAs/GaAs, полученные методом субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии“. ФТП, т.29, N9,1995, с. 1697−1701.
- Г. Э.Цьфлин, В. Н. Петров, В. Г. Дубровский, Н. К. Поляков, СЯ. Типисев, А. О. Голубок, Н. Н. Леденцов. „Формирование наноструктур InGaAs/GaAs методами субмонослойного напыления из молекулярных пзАков“. ФТП, т.31, выга.8,1997, с. 902−907.
- G.E.Cirlin, V.N.Petrov, A.O.Golubok, S.Ya.Tipissev, V.G.Dubrovskii, G.M.Guryanov, N.N.Ledentsov, D.Bimberg. „Effect of growth kinetics on the InAs/GaAs quantum dot arrays formation on vicinal surfaces“. Surf Sci., v.377−379, 1997, p.895−898.
- Н.Н.Леденцов, М. В. Максимов, Г. Э. Цьфлин, В. Н. Петров, Г. М. Гурьянов. „Люминесцентные свойства квантовых точек biAs на вицинальной поверхности GaAs (lOO)“. ФТП, т.29, в.7,1995, с. 1295−1300.
- Г. Э.Цьфлин, В. ППетров, М. В. Максимов, Н. Н. Леденцов. „Люминисцентные свойства квантовых точек hiAs/GaAs, полученных методом субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии“. ФТП, т.31, вьш.8, 1997, с. 912−915.
- Г. Э.Цьфлин, В. Н. Петров, С. А. Масалов, А. О. Голубок, Н. Н. Ледеш.-ов. „Самоорганизация квантовых точек в многослойных структурах InAs/GaAs и InGaAs/GaAs при субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии“. Письма в ЖТФ, Т.23, ВЫП.22,1997, с.80−84.
- Г. Э.Цьфлин, В. Н. Петров, С. А. Масалов, А. О. Голубок. „Самоорганизация квантовых точек в многослойных структурах InAs/GaAs и biGaAs/GaAs при субмонослойной эпитаксии“, ФТП, т. ЗЗ, в.6,1999, с.733−737.
- Г. Э.Цырлин, В. Н. Петров, В. Г. Дубровский, С. А. Масалов, А. О. Голубок, Н. И. Комяк, Н. Н. Леденцов, Ж. И. Алферов, Д.Бимберг. „Получение InAs квантовых точек на кремнии“. Письма в ЖТФ, т.24, вып.8, 1998, с. 10−15.
- A.Yu.Egorov, A.R.Kovsh, V.M.Ustinov, A.E.Zhukov, M.V.Maksimov, G.E.Cirlin, N.N.Ledentsov, D. Bimberg, P. Werner, Zh.I.Alferov „Self-organized InAs quantum dots in a silicon matrix“. J. CrystGrowth, v.201/202,1999, p. 1202−1204.
- M.A.Herman, H.Sitter. „Molecular Beam Epitaxy. Fundamentals and Current Status“. Berlin: Springer Verlag, 1989. p. 376.
- P.J.Dobson, B.A.Joyce, J.H.Neave, J. Zhang. „Current imderstanding and applications of the RHEED intensity oscillation technique“. J.Cryst.Growth, v. 81, 1987, p. 1−8.
- A.P.Senichkin, A.S.Bugaev, R.A.Molchnovsky. „Steps evolution during MBE measured by RHEED technique“. Abstracts 1 st Intem. Symp. „Nanostructures: Physics and Technology“. StPetersburg, 1993. p. 102−103.
- J.H.Neave, B.A.Joyce, P.J.Dobson, N.Norton. „The time-dependent RHEED intensity during molecular beam epitaxy of GaAs“. Appl. Phys. A, v.31, N1, 1981, p. 1 -13.
- C.J.Sa, H.H.Wieder. „Reflection high-energy electron diffraction intensity oscillation recorder for molecular-beam epitaxy systems“. Rev.Sci.Instr., v. 61,1990, p. 917 918.
- R.B6lger, P.K.Larson. „Video system for quantitative measurements of RHEED patterns“. RevSci.lnstr., V. 57,1986, p. 1363 1367.
- J.S.Resh, K.D.Jamison, J. Stroizer, A.Ignatiev. „Multiple reflection high-energy electron diffraction beam intensity measurement system“. Rev.Sci.Instr. v.61,1990, p. 771 -774.
- P.D. Wang, NN. Ledentsov, CM. Sotomayor Torres, P. S. Kop’ev, V.M. Ustinov. „Optical characterization of submonolayer and monolayer InAs structures grown in a GaAs matrix on (100) and high-index surfaces“. Appl. Phys. Lett., v.64,1994, p. 1526−1528.
- Y. Gonzalez, L. Gonzalez, F. Briones. „/h situ monitoring of antiphase domain evolution during atomic layer MBE (ALMBE) and MBE growth of GaAs/Si (001) by reflectance difference“, J. Cryst. Growth, v. 111, 1991, p. 120−124.
- R.N (itzel, N.N.Ledentsov, L. Daweiitz, M. Hohenstein, K.Ploog."Direct synthesis of corrugated superlattices on non-(100)-oriented surfaces“. Phys.Rev.Lett. v.67. N 27, 1991, p.3812−3815.
- M.Krishnamurthy, M. Wassermeier, D.R.Williams, P.M.Petroff „Periodic faceting on vicinal GaAs (llO) surfaces during epitaxial growth“.Appl. Phys.Lett., v.62, N16, 1993, p. 1922−1924.
- R.Mirin, M. Krishnamurthy, J. Ibbetson, J. English, A.Gossard. „Observation of quasi-periodic facet formation during high-temperature growth of AlAs and AlAs/GaAs superlattices“. J.Cryst.Growth, v. 127,1993, p.908−912.
- M.Kasu, NKobayashi. „Equilibrium multiatomic step structure on GaAs (OOl) vicinal surface grown by metalorganic chemical vapor deposition“. Appl.Phys.Lett. v.62, N11, 1993, p. 1262−1264.
- V. A. Shchukin, A.I.Borovkov. „On the possibilty to control parameters spontaneously formed nanostructures“. Abs. 2-st Int. Symposiimi „Nanostructures: Physics and Technology'94″, St. Petersburg, Russia, June 20−24,1993, p.227−230.
- P.D.Wang, N.N.Ledentsov, C.M.Sotomayor Torres, P. S.Kop'ev, V.M.Ustinov, „Optical characterization of submonolayer and monolayer InAs structures grown in a GaAs matrix on (100) and high-index surfaces“, Appl. Phys. Lett., v.64,1994, p. 1526−1528.
- V.Bressler-Hill, A. Lorke, S. Varma, P.M.Petrofr, K. Pond, W.H.Weinberg. „Initial stages of InAs epitaxy on vicinal GaAs (001)-(2×4)“, Phys.Rev.B, v.50,1994, p.8479−8487.
- N.N.Ledentsov, P.D.Wang, C.M.Sotomayor Torres, A.Yu.Egorov, M.V.Maximov, V.M. Ustinov, A.E.Zhukov, P. S. Kop’ev. „Optical spectroscopic studies of InAs layer transformation on GaAs surfaces“, Phys. Rev. B, v.50,1994, p. 12 171−12 174.
- В.И. Марченко. „Возможные структуры и фазовые переходы на поверхности кристаллов“. Письма ЖЭТФ, т. 33, вып.8,1981, с. 397−399.
- L. Goldstein, F. Glas, J. Y. Marzin, M. N. Charasse, G. Le Roux, „Growth by molecular beam epitaxy and characterization of InAs/GaAs strained-layer superlattices“, Appl.Phys.Lett., 1985, v.47, p.1099−1101.
- D. Leonard, M. Krishnamurthy, C. M. Reaves, S. P. Denbaars, P. M. Petroff, „Direct formation of quantum-sized dots from uniform coherent islands of InGaAs on GaAs surfaces“, Appl.Phys.Lett., 1993, v.63, p.3203−3205.
- J. M. Moison, F. Houzay, F. Barthe, L. Leprince, E. Andre, O. Vatel, „Self-organized growth of regular nanometer-scale InAs dots on GaAs“, Appl.Phys.Lett., 1994, v. 64, p. l96−198.
- А.Ю.Егоров, А. Е. Жуков, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, М. В. Максимов, В. М. Устинов, „Влияние условий осаждения на процесс формирования квантовых кластеров (In, Ga) As в матрице GaAs“, ФТП, 1994, т.28, в.8, с. 1439−1444.
- H.H. Леденцов, В. М. Установ, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, М. В. Максимов, И. Г. Табатадзе, П. С. Копьев, „Оптические свойства гетероструктур с квантовыми кластерами InGaAs-GaAs“, ФТП, 1994, т.28, в.8, с. 1483−1487.
- M.Grundmann, N.N.Ledentsov, O. Stier, J. Bohrer, D. Bimberg, V.M.Ustinov, P. S.Kop'ev, ZkLAlferov, „Nature of optical transitions in self-organized InAs/GaAs quantum dots“, Phys. Rev. B, 1996, V.53, No. 16, pp. R10509-R10511.
- M.Gmndnmann, J. Christen, N.N.Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, S.S.Ruvimov, U. Richter, P. Wemer, U. Gosele, J. Heydenreich, V.M.Ustinov, A.Yu.Egorov, A.E.Zhukov,
- P. S.Kop'ev, Zh.l.Alferov, „Ultranarrow luminescence lines from single quantum dots“, Phys. Rev. Un., 1995, v.74, pp.4043−4046.
- V.M.Ustinov, A.Yu.Egorov, A.R.Kovsh, A.E.Zhukov, M.V.Maksimov,
- Ж.И.Алферов, Н. А. Берт, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, П. С. Копьев, А. О. Косогов, ИЛ. Крестников, Н. Н. Леденцов, А. В. Лунев, М. В. Максимов, А. В. Сахаров,
- B. М. Устинов, А. Ф. Цацульников, Ю. М. Шерняков, „Инжекционный лазер на основе массивов вертикально связанных квантовых точек InAs в матрице GaAs“, ФТП, т. ЗО, в.2,с.351−356.
- N.P. Kobayashi, T.R. Ramachandran, P. Chen, A. Madhukar."/A situ, atomic force microscope studies of the evolution of InAs three-dimensional islands on GaAs (OOl)“, Appl. Phys. Lett., 1996, v.68, p.3299−3301.
- T.R. Ramachandran, R. Heitz, P. Chen, A. Madhukar.“ Mass transfer in Stranski-Krastanow growth of InAs on GaAs», Appl.Phys. Lett., 1997, v.70, p.640−642.
- V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, P. S. Kop’ev, D. Bimberg." Strain-induced formation and tuning of ordered nanostructures on crystal surfaces", Surf Sci., 1996, v.352−354, p. 117−122.
- Hiroshi Yamaguchi, Yoshikazu Homma, «Imaging of layer by layer growth processes during molecular beam epitaxy of GaAs on (111) A substrates by scanning electron microscopy», Appl.Phys.Lett., 1998, v. 73, N 21, p. 3079−3081.
- A. Salokatve, J. Varrio, J. Lammasniemi, H. Asonen, M. Pessa, «Reduction of surface defects in GaAs grown by molecular beam epitaxy», Appl.Phys.Lett., 1987, v.51, N 17, p. 1340−1342.
- J.Tersoff, C. Teichert, M.G.Lagally."Self-Organization in growth of quantum dot superlattices", Phys. Rev. Lett.,. 1996, v.76, p. 1675−1678.
- S.A.Komarov, G.S.Solomon, J.S.Harris., Jr. «Lateral ordering of stacked self-assembled islands of Inas on GaAs» Proceedings of 5th Int. Symp. «Nanostructures: physics and technology 97″. St. Petersburg, Russia, 1997, p.314−315.
- Ю.М.Шерняков, А. Ю. Егоров, Б. В. Воловик, А. Е. Жуков, А. Р. Ковщ, А. В. Лунев, Н. Н. Леденцов, М. В. Максимов, А. В. Сахаров, В. М. Устинов, Чжао Чжень, П. С. Копьев, Ж. И. Алферов, Д.Бимберг.» Рабочие характеристики и их анизотропия в мопщом лазере135
- W, 300 К) с активной областью на основе квантовых точек". Письма ЖТФ, 1998 т.24(9), с.50−55.
- T.Ide, A. Yamashita, T.Mizutani. «Direct observation of the growth-interruption effect for molecular-beam-epitaxy growth on GaAs (OOl) by scanning tunneling microscopy», Phys.Rev.B., 1992, v.46, p. 1905−1908.
- P.Smilauer. «Unstable epitaxy and pattern formation on singular and vicinal surfaces». Vacuum, 1998, v.50, N ½, p. 115−120.
- N.N.Ledentsov, «Ordered arrays of quantum dots», Proc. of the 23Л"Л Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, Berlin, Germany, 1996, M. Scheffler and R. Zimmerman, eds., v. l, pp. 19−26.
- V.A.Shchukin, N.N.Ledentsov, M. Grundmann, P. S.Kop'ev, D.Bimberg. «Spontaneous ordering of arrays of coherent strained islands», Phys.Rev.Lett., v.75, 1995, p.2968−2971.
- S.A.Kukushkin, A.V.Osipov. «New phase formation on solid surfaces and thin films condensation». Prog. Surf Sci, v.51, 1996, p. 1−107.